JP2005342841A - 研磨装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 データ記録部14は、圧力制御部4から出力される研磨圧力、テーブル回転モータ5に供給される電流、温度センサ8によって計測されたヘッド3と研磨パッド7との接触部近傍の表面温度および研磨パッド残厚測定部13によって計測された研磨パッド残厚を記録する。プロセス演算部15は、データ記録部14に記録された研磨圧力、テーブル回転モータ電流、研磨パッドの表面温度および研磨パッド残厚の平均値を、予め作成されたモデル式に代入して研磨レート予測値を算出する。したがって、研磨圧力の変動、研磨特性の変動などに対する補償が行なえるようになり、精度の高い研磨レートの予測が可能となる。
【選択図】 図1
Description
スラリ:コロイダルシリカ(アンモニア溶媒)
スラリ流量:200cc/min
研磨パッド:発泡ポリウレタン(溝加工有り)
研磨圧力:25kPa
ヘッド回転数:40rpm
テーブル回転数:42rpm
パッドコンディショナ:電着固定方式ダイヤモンド砥粒
プロセス演算部15は、被研磨ウェーハ1の研磨終了毎に、研磨中の、すなわち被研磨ウェーハ1の加圧時における各測定値の平均値を算出して記憶する。研磨装置外の膜厚測定器によって研磨後の被研磨ウェーハ1のシリコン酸化膜厚を測定し、研磨前の被研磨ウェーハ1のシリコン酸化膜厚から研磨後の被研磨ウェーハ1のシリコン酸化膜厚を減算することによって研磨量を算出する。そして、研磨量を実際の研磨時間で除算することによって研磨レートを算出する。
なお、Yは研磨レート予測値(nm/min)、a1〜a4は偏回帰係数、X1〜X4は測定データ、b0は定数とする。
Claims (3)
- 研磨パッドに対する被研磨ウェーハの研磨圧力、前記研磨パッドが固定されるテーブルのテーブルモータ電流、前記研磨パッドの表面温度および前記研磨パッドの残厚のそれぞれの測定値を、予め作成されたモデル式に代入することにより研磨レートの予測値を算出するための算出手段と、
前記算出手段によって算出された研磨レートの予測値が所定範囲内にあるか否かによってプロセス異常を判定するための判定手段とを含む研磨装置。 - 前記モデル式は、前記研磨圧力、前記テーブルモータ電流、前記研磨パッドの表面温度および前記研磨パッドの残厚と、研磨レートの実測値との重回帰分析を行なうことによって作成される、請求項1記載の研磨装置。
- 前記モデル式は、前記研磨圧力、前記テーブルモータ電流、前記研磨パッドの表面温度および前記研磨パッドの残厚のそれぞれの平均値を用いて作成される、請求項2記載の研磨装置。
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010027701A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Renesas Technology Corp | 化学的機械的研磨方法、半導体ウェハの製造方法、半導体ウェハ及び半導体装置 |
JP2010076007A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Nec Corp | 研磨装置および研磨レート推定方法 |
CN102069451A (zh) * | 2010-11-03 | 2011-05-25 | 广州遂联自动化设备有限公司 | 一种用在抛磨设备上的电流智能补偿控制方法 |
KR101038548B1 (ko) | 2008-03-21 | 2011-06-02 | 도쿄 세이미츄 코퍼레이션 리미티드 | 웨이퍼 연삭 장치 및 웨이퍼 연삭 장치용 가공 품질 판정 방법 |
US8078306B2 (en) | 2007-10-31 | 2011-12-13 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
JP2012139739A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Ebara Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2012192511A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-11 | Nec Corp | ウェハ研磨支援装置、制御方法、及びプログラム |
CN103247518A (zh) * | 2012-02-02 | 2013-08-14 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 改进半导体制造中的fab工艺的工具功能的新型设计 |
KR20130139778A (ko) | 2012-06-13 | 2013-12-23 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 방법 및 연마 장치 |
JP2017112302A (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | 株式会社Sumco | ウェーハ研磨方法および研磨装置 |
KR20190049423A (ko) * | 2017-10-30 | 2019-05-09 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 |
US11222786B2 (en) | 2018-11-12 | 2022-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacture including polishing pad monitoring method and polishing apparatus including polishing pad monitoring device |
US20220059416A1 (en) * | 2020-08-19 | 2022-02-24 | Kioxia Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method |
-
2004
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Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8078306B2 (en) | 2007-10-31 | 2011-12-13 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
KR101038548B1 (ko) | 2008-03-21 | 2011-06-02 | 도쿄 세이미츄 코퍼레이션 리미티드 | 웨이퍼 연삭 장치 및 웨이퍼 연삭 장치용 가공 품질 판정 방법 |
US8055374B2 (en) | 2008-03-21 | 2011-11-08 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Machining quality judging method for wafer grinding machine and wafer grinding machine |
JP2010027701A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Renesas Technology Corp | 化学的機械的研磨方法、半導体ウェハの製造方法、半導体ウェハ及び半導体装置 |
JP2010076007A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Nec Corp | 研磨装置および研磨レート推定方法 |
CN102069451A (zh) * | 2010-11-03 | 2011-05-25 | 广州遂联自动化设备有限公司 | 一种用在抛磨设备上的电流智能补偿控制方法 |
JP2012139739A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Ebara Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2012192511A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-11 | Nec Corp | ウェハ研磨支援装置、制御方法、及びプログラム |
CN103247518A (zh) * | 2012-02-02 | 2013-08-14 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 改进半导体制造中的fab工艺的工具功能的新型设计 |
JP2014014922A (ja) * | 2012-06-13 | 2014-01-30 | Ebara Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
KR20130139778A (ko) | 2012-06-13 | 2013-12-23 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 방법 및 연마 장치 |
US9676076B2 (en) | 2012-06-13 | 2017-06-13 | Ebara Corporation | Polishing method and polishing apparatus |
JP2017112302A (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | 株式会社Sumco | ウェーハ研磨方法および研磨装置 |
WO2017104285A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | 株式会社Sumco | ウェーハ研磨方法および研磨装置 |
US10744616B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-08-18 | Sumco Corporation | Wafer polishing method and apparatus |
DE112016005815B4 (de) | 2015-12-18 | 2023-11-30 | Sumco Corporation | Waferpolierverfahren und -vorrichtung |
KR20190049423A (ko) * | 2017-10-30 | 2019-05-09 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 |
KR102128074B1 (ko) | 2017-10-30 | 2020-06-29 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 |
US11222786B2 (en) | 2018-11-12 | 2022-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacture including polishing pad monitoring method and polishing apparatus including polishing pad monitoring device |
US11735427B2 (en) | 2018-11-12 | 2023-08-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polishing apparatus including polishing pad conditioner, non-contact displacement sensor, and data processor |
US20220059416A1 (en) * | 2020-08-19 | 2022-02-24 | Kioxia Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method |
US11769699B2 (en) * | 2020-08-19 | 2023-09-26 | Kioxia Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method |
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