WO2017104285A1 - ウェーハ研磨方法および研磨装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】研磨パッドライフの進行によらずウェーハ外周の取り代形状のばらつきを抑制する。 【解決手段】研磨パッド１２が貼り付けられた回転定盤１０上にスラリーを供給し且つ研磨パッド１２上のウェーハを加圧ヘッド１３で加圧保持しながら回転定盤１０および加圧ヘッド１３を回転させてウェーハの片面を研磨するウェーハ研磨方法であって、ウェーハ研磨中における研磨パッド１２の表面温度Ｔと回転定盤１０を回転駆動するモータ１１ａの負荷電流値ＦとをモニタリングしてＦ／Ｔ値を算出し、前記Ｆ／Ｔ値に基づいて回転定盤１０の回転速度および加圧ヘッド１３の研磨圧力の少なくとも一方を制御する。

Description

ウェーハ研磨方法および研磨装置
　本発明は、ウェーハ研磨方法および研磨装置に関し、特に、シリコンウェーハの枚葉研磨工程における研磨条件の制御方法に関するものである。
　半導体デバイスの基板材料としてシリコンウェーハが広く用いられている。シリコンウェーハは、シリコン単結晶インゴットに対して外周研削、スライス、ラッピング、エッチング、両面研磨、片面研磨、洗浄等の工程を順次行うことにより製造される。このうち、片面研磨工程は、ウェーハ表面の凹凸やうねりを除去して平坦度を高めるために必要な工程であり、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）法による鏡面加工が行われる。
　通常、シリコンウェーハの片面研磨工程では枚葉式のウェーハ研磨装置（ＣＭＰ装置）が用いられる。このウェーハ研磨装置は、研磨布が貼り付けられた回転定盤と、回転定盤上のウェーハを押圧しながら保持する加圧ヘッドとを備えており、スラリーを供給しながら回転定盤および加圧ヘッドをそれぞれ回転させることによりウェーハの片面を研磨する。
　ウェーハの加工精度を向上させるため、例えば特許文献１の従来技術には、ポリッシング定盤の上面に貼着された研磨布の加工中の温度を放射温度計で測定し、この温度が一定になるように冷却水を水冷ジャケットへ供給または遮断してポリッシング定盤の温度を一定にコントロールすることが記載されている。また特許文献２には、定盤の変位を非接触で測定する渦電流式変位センサ測定ヘッドが定盤の半径方向中心よりも外周部に設けられた半導体ウェーハの鏡面研磨装置が記載されている。渦電流式変位センサ測定ヘッドを用いる方法は、放射温度計により研磨パッド上の温度を測定したり回収された研磨液温度を測定したりするなどして求めた温度変化から定盤の形状変化を予測する方法に比べて、測定結果に遅れが生じることがなく、また定盤の形状変化を精度よく測定することが可能である。
　また特許文献３には、研磨クロスを備えるテーブルをモータで回転させて被加工物を研磨する研磨方法において、研磨中における前記モータのトルク電流値を研磨プロセスに応じて区分ごとに取得し、各区間におけるトルク電流値を説明変数とした重回帰式に基づいて被加工物の研磨時間を決定することが記載されている。また特許文献４には、シリコン基板等の被加工物の研磨加工終点検出を確実かつ迅速に行うため、被加工物を研磨する定盤を回転駆動するための駆動電流の積分値に基づいて加工終点を判定することが記載されている。
特開平０７－１７１７５９号公報 特開平０７－３０７３１７号公報 特開２００４－１０６１２３号公報 特開平０９－７０７５３号公報
　従来、枚葉研磨工程においては研磨パッドを新しく使い始めてから消耗により交換されるまでの研磨パッドライフを通して一定の研磨圧力および一定の回転速度で研磨加工を行っていた。しかし、パッドライフの進行とともに研磨パッドの物性が変化することにより、同一の加工条件であっても研磨パッドの使用開始時の序盤と交換直前の終盤とでウェーハの外周の取り代形状が異なったものとなるという問題がある。
　１枚のウェーハからより多くのデバイスを製造するためにはエッジ領域近傍のチップ取得数をできるだけ増やさなければならない。このため、ウェーハのエッジ近傍に設けられた、デバイスを製造しない領域（エッジ除外領域）の狭小化が要求されている。
　ウェーハの外周は面取りされるので、この面取りされた領域だけがエッジ除外領域となることが望ましい。しかし、片面研磨工程では研磨パッドとの接触によりウェーハ外周部の取り代が多くなり、ウェーハのエッジ近傍に意図しない厚さの減少、すなわち外周ダレ（エッジロールオフ）が発生するため、面取りされた領域よりも内側の全域を要求された平坦度で平坦化することは極めて困難である。そして上記のように、このダレ量（エッジロールオフ量）が研磨パッドライフの序盤と終盤とで異なったものとなるため、改善が求められている。
　したがって、本発明の目的は、研磨パッドライフの進行によらずウェーハ外周の取り代形状のばらつきを抑制することが可能なウェーハ研磨方法および研磨装置を提供することにある。
　上記課題を解決するため、本発明によるウェーハ研磨方法は、研磨パッドが貼り付けられた回転定盤上にスラリーを供給し且つ前記研磨パッド上のウェーハを加圧ヘッドで加圧保持しながら前記回転定盤および前記加圧ヘッドを回転させて前記ウェーハの片面を研磨するウェーハ研磨方法であって、前記回転定盤を回転駆動するモータの負荷電流値Ｆと前記ウェーハ研磨中における前記研磨パッドの表面温度ＴとをモニタリングしてＦ／Ｔ値を算出し、前記Ｆ／Ｔ値に基づいて前記ウェーハに対する前記回転定盤の回転速度および前記加圧ヘッドの研磨圧力の少なくとも一方を制御することを特徴とする。
　本発明において、負荷電流値Ｆは機械的研磨の強さ、表面温度Ｔは化学的研磨の強さをそれぞれ示しており、Ｆ／Ｔ値は機械的除去作用と化学的除去作用とのバランスを示す指標である。本発明によるウェーハ研磨方法ではこのＦ／Ｔ値を常時モニタリングすることにより、研磨パッドライフの進行に伴うウェーハのエッジロールオフ量の微妙な変化を把握することができ、Ｆ／Ｔ値を研磨条件にフィードバックすることにより、ウェーハのエッジロールオフ量を一定に制御して外周の取り代形状のばらつきを抑えることができる。
　本発明によるウェーハ研磨方法は、前記Ｆ／Ｔ値の増加に合わせて前記回転定盤の回転速度を大きくすることが好ましく、前記Ｆ／Ｔ値の増加に合わせて前記加圧ヘッドの研磨圧力を小さくすることもまた好ましい。このように、Ｆ／Ｔ値の増加に合わせて回転定盤の回転速度または加圧ヘッドの研磨圧力を制御することにより、パッドライフ全体に亘ってエッジロールオフ量が一定のウェーハを製造することができる。
　本発明によるウェーハ研磨方法は、前記加圧ヘッドの研磨圧力よりも前記回転定盤の回転速度を優先的に制御することが好ましい。加圧ヘッドの研磨圧力を大きくする制御により研磨パッドの消耗が早くなり、１つの研磨パッドで対応可能なウェーハ研磨加工の回数の減少により生産性が低下するおそれがあるが、回転定盤の制御量をできるだけ多くすることにより、そのような問題を解決することができる。
　本発明によるウェーハ研磨方法は、前バッチのウェーハ加工工程で測定した前記Ｆ／Ｔ値に基づいて次バッチ以降のウェーハ加工工程における前記回転定盤の回転速度または前記加圧ヘッドの研磨圧力を設定することが好ましい。これによれば、加工途中で条件を変更することによって生じるおそれがあるウェーハの品質への悪影響を防止することができ、また制御遅延の問題もない。
　また、本発明によるウェーハ研磨装置は、研磨パッドが貼り付けられた回転定盤上にスラリーを供給し且つ前記研磨パッド上のウェーハを加圧ヘッドで加圧保持しながら前記回転定盤および前記加圧ヘッドを回転させて前記ウェーハの片面を研磨するウェーハ研磨装置であって、前記回転定盤を回転駆動するモータの負荷電流値Ｆを測定する電流測定回路と、前記研磨パッドの表面温度Ｔを測定する温度計と、前記負荷電流値Ｆおよび前記表面温度ＴからＦ／Ｔ値を算出し、前記Ｆ／Ｔ値に基づいて前記回転定盤の回転速度および前記加圧ヘッドの研磨圧力の少なくとも一方を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
　本発明によれば、上記のように研磨パッドライフを通じて外周の取り代形状のばらつきを抑えることができ、エッジロールオフ量が一定のウェーハを製造することができる。
　本発明において、前記制御部は、前記Ｆ／Ｔ値の増加に合わせて前記回転定盤の回転速度を大きくすることが好ましく、前記Ｆ／Ｔ値の増加に合わせて前記加圧ヘッドの研磨圧力を小さくすることもまた好ましい。このように、Ｆ／Ｔ値の増加に合わせて回転定盤の回転速度または加圧ヘッドの研磨圧力を制御することにより、パッドライフ全体に亘ってエッジロールオフ量が一定のウェーハを製造することができる。
　本発明において、前記制御部は、前記加圧ヘッドの研磨圧力よりも前記回転定盤の回転速度を優先的に制御することが好ましい。加圧ヘッドの研磨圧力を大きくする制御により研磨パッドの消耗が早くなり、１つの研磨パッドで対応可能なウェーハ研磨加工の回数の減少により生産性が低下するおそれがあるが、回転定盤の制御量をできるだけ多くすることにより、そのような問題を解決することができる。
　本発明において、前記制御部は、前バッチのウェーハ加工工程で測定した前記Ｆ／Ｔ値に基づいて次バッチ以降のウェーハ加工工程における前記回転定盤の回転速度または前記加圧ヘッドの研磨圧力を設定することが好ましい。これによれば、加工途中で条件を変更することによって生じるおそれがあるウェーハの品質への悪影響を防止することができ、また制御遅延の問題もない。
　本発明によれば、研磨パッドライフの進行によらずウェーハ外周の取り代形状のばらつきを抑制することが可能なウェーハ研磨方法および研磨装置を提供することにある。
図１は、本発明の実施の形態によるウェーハ研磨装置の構成を示す概略側面図である。 図２は、回転定盤の回転速度とＦ／Ｔ値との関係を示すグラフである。 図３は、加圧ヘッドの研磨圧力とＦ／Ｔ値との関係を示すグラフである。 図４は、Ｆ／Ｔ値とウェーハのエッジロールオフ量との関係を示すグラフである。 図５は、比較例によるウェーハ研磨方法における、研磨パッドライフの進行に伴うウェーハのＥＳＦＱＲ値およびＦ／Ｔ値の変化を示すグラフである。 図６は、実施例１によるウェーハ研磨方法における、研磨パッドライフの進行に伴うウェーハのＥＳＦＱＲ値およびＦ／Ｔ値の変化を示すグラフである。 図７は、実施例２によるウェーハ研磨方法における、研磨パッドライフの進行に伴うウェーハのＥＳＦＱＲ値およびＦ／Ｔ値の変化を示すグラフである。
　以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
　図１は、本発明の実施の形態によるウェーハ研磨装置の構成を示す概略側面図である。
　図１に示すように、ウェーハ研磨装置１は、回転定盤１０と、回転定盤１０の回転機構１１と、回転定盤１０の上面に貼り付けられたスウェードタイプの研磨パッド１２と、回転定盤１０の上方に配置された加圧ヘッド１３と、加圧ヘッド１３の加圧・回転機構１４と、回転定盤１０上にスラリーを供給するスラリー供給機構１５とを備えている。またウェーハ研磨装置１は、ウェーハ研磨中における研磨パッド１２の表面温度Ｔを非接触で測定する放射温度計１６と、回転定盤１０を回転駆動する回転機構１１内のモータ１１ａの負荷電流値Ｆを測定する電流測定回路１１ｂと、各部を制御する制御部１７を備えている。
　ウェーハ研磨装置１を用いたウェーハの研磨工程では、研磨パッド１２が貼り付けられた回転定盤１０上に砥粒を含むスラリーを供給し且つ回転定盤１０上のウェーハを加圧ヘッド１３で加圧保持しながら回転定盤１０を回転させて研磨パッド１２と接するウェーハの片面を研磨する。この片面研磨は前段の両面研磨に対する仕上げ工程であるため、ウェーハの研磨量（取り代）は数百ｎｍ～１μｍであり、加工時間も数分程度と非常に短い。研磨時間が長すぎるとウェーハのエッジロールオフ量が増加して外周の取り代形状が悪化するからである。
　エッジロールオフ量（edge Roll-Off Amount：ＲＯＡ）とは、平坦度規格の適用範囲外となるエッジ除外領域とそれよりも内側の領域との境界位置でのウェーハ表面のダレ量のことを言う。具体的には、ウェーハの裏面を平面に矯正した状態でウェーハの表面の傾きを補正した上で、最外周から３～６ｍｍのウェーハの表面の平坦領域を基準面とし、最外周から例えば０．５ｍｍの位置での、上記基準面からの形状変位量として定義される。
ウェーハ研磨中において、制御部１７は放射温度計１６が測定した研磨パッド１２の表面温度Ｔを取り込むと共に、回転定盤１０を回転駆動するモータ１１ａの負荷電流値Ｆを電流測定回路１１ｂから取り込み、これらを常時モニタリングしてＦ／Ｔ値を算出する。
　モータ１１ａの負荷電流値Ｆは、摩擦の大きさ、つまり機械的除去作用の強さを表す指標として定義され、負荷電流値Ｆが大きくなるほどＦ／Ｔ値も大きくなる。回転定盤１０の回転速度が一定の条件下において負荷電流値Ｆの増加は回転定盤１０に対する摩擦力の増加を意味する。砥粒による機械的な研磨量の増加によりウェーハのエッジロールオフ量は小さくなるが、ウェーハ全面の研磨量は大きくなる傾向がある。
　研磨パッド１２の表面温度Ｔは、化学的除去作用の強さを示す指標として定義され、表面温度Ｔが大きくなるほどＦ／Ｔ値は小さくなる。表面温度Ｔの増加はスラリーの化学反応を促進させることを意味する。スラリーによる化学的な研磨量の増加によりウェーハのエッジロールオフ量は大きくなるが、ウェーハ全面の研磨量は小さくなる傾向がある。
　図２は、回転定盤１０の回転速度とＦ／Ｔ値との関係を示すグラフ、図３は、加圧ヘッド１３の研磨圧力とＦ／Ｔ値との関係を示すグラフである。
　図２に示すように、Ｆ／Ｔ値は、回転定盤１０の回転速度が増加するほど低下する傾向がある。したがって、回転定盤１０の回転速度を大きくすることでＦ／Ｔ値を小さくすることができ、回転速度を小さくすることでＦ／Ｔ値を大きくすることができる。
　また図３に示すように、Ｆ／Ｔ値は、加圧ヘッド１３の研磨圧力が増加するほど増加する傾向がある。したがって、加圧ヘッド１３の研磨圧力を小さくすることでＦ／Ｔ値を小さくすることができ、研磨圧力を大きくすることでＦ／Ｔ値を大きくすることができる。
　図４は、Ｆ／Ｔ値とウェーハのエッジロールオフ量との関係を示すグラフであり、横軸はＦ／Ｔ値、縦軸はロールオフ量（相対値）をそれぞれ示している。
　図４に示すように、ウェーハのエッジロールオフ量は、Ｆ／Ｔ値が大きくなるほど小さくなり、逆にＦ／Ｔ値が小さくなるほど大きくなる傾向がある。したがって、Ｆ／Ｔ値を大きくすることでウェーハのエッジロールオフ量を小さくすることができ、Ｆ／Ｔ値を小さくすることでウェーハのエッジロールオフ量を大きくすることができる。
　そして図２および図３に示したように、回転速度を小さくするかまたは研磨圧力を大きくすることでＦ／Ｔ値を大きくすることができるので、このような制御によりウェーハのエッジロールオフ量を小さくすることができる。また回転速度を大きくするかまたは研磨圧力を小さくすることによりＦ／Ｔ値を小さくすることができるので、このような制御によりウェーハのエッジロールオフ量を大きくすることができる。
　ウェーハのエッジロールオフ量は、研磨パッド１２のパッドライフの最初において大きく、パッドライフの進行とともに徐々に低下し、またＦ／Ｔ値はエッジロールオフ量の低下に合わせてパッドライフの進行とともに徐々に増加する。パッドライフの序盤においてこのようなＦ／Ｔ値の増加を抑えるため、本実施形態では回転定盤１０の回転速度を大きくするかまたは加圧ヘッド１３の研磨圧力を小さくする。そして、パッドライフの進行に合わせて回転速度を徐々に小さくするか、あるいは研磨圧力を徐々に大きくする。このようにすることで、Ｆ／Ｔ値を一定に保つことができ、これによりウェーハのエッジロールオフ量の変動、つまり外周の取り代形状のばらつきを抑えることができる。
　上記のように、ウェーハのエッジロールオフ量の制御は、回転定盤１０の回転速度により行ってもよく、加圧ヘッド１３の研磨圧力により行ってもよいが、回転定盤１０の回転速度により行うことがより好ましい。加圧ヘッド１３の研磨圧力により制御する場合には、研磨圧力を大きくすることにより研磨パッド１２の消耗（交換時期）が早くなり、１枚の研磨パッド１２により研磨可能なウェーハ枚数が減少して生産性が低下するからである。回転定盤１０の回転速度を優先的に制御する場合、例えば目標のＦ／Ｔ値に最も近づく回転定盤１０の回転速度を選択した後、目標値との誤差分が補正されるように研磨圧力を調整することが好ましい。このようにすることで、研磨パッド１２の消耗を抑えながらウェーハのエッジロールオフ量の制御の精度を高めることができる。
　回転定盤１０の回転速度や加圧ヘッド１３の研磨圧力をウェーハの加工工程中にリアルタイムに変更する必要はなく、前バッチのウェーハ研磨工程で測定したＦ／Ｔ値に基づいて次バッチまたは次バッチ以降のウェーハ研磨工程における回転速度または研磨圧力を設定して研磨加工を実施してもよい。加工途中で条件を変更するとウェーハの品質に悪影響を与える場合があり、また次バッチのウェーハ研磨工程のときに変更しても制御遅延の問題はほとんどないからである。
　ウェーハ研磨装置１は例えばウェーハケースの最大収容枚数のウェーハをまとめてバッチ処理する。例えば１個のウェーハケースに２５枚のウェーハを収容できる場合、ウェーハ研磨装置１は２５枚のウェーハを同一研磨条件下で連続処理し、２５枚のウェーハの研磨処理が終了してから次の２５枚のウェーハの研磨処理を実施し、次の２５枚のウェーハの研磨処理の開始時にそれらに対する新たな研磨条件を設定することができる。なお同一研磨条件下でバッチ処理されるウェーハの枚数は１０～３０枚程度が好ましいが、１枚であっても構わない。すなわち、１枚のウェーハの研磨処理が終了する度に研磨条件を再設定してもよい。このように、ウェーハの品質に悪影響を与えない最短周期でＦ／Ｔ値の変化に追従した研磨条件を設定することにより、パッドライフを通じてウェーハのエッジロールオフ量を一定に維持することができる。
　以上説明したように、本実施形態によるウェーハ研磨方法は、回転定盤１０を回転駆動するモータ１１ａの負荷電流値Ｆを機械的研磨の強さの指標とし、放射温度計１６による研磨パッド１２の表面温度Ｔを化学的研磨の強さの指標とし、両者を常時モニタリングすることにより、Ｆ／Ｔ値を回転定盤１０の回転速度または加圧ヘッド１３の研磨圧力の制御にフィードバックするので、研磨パッドライフの進行とともに研磨パッド１２の物性値が変化した場合でも外周の取り代形状のばらつきを抑えることができ、エッジロールオフ量が一定のウェーハを製造することができる。また、パッドライフの進行に合わせて回転定盤１０の回転速度を一定の変化率で変化させるような受動的な制御と比べて、研磨パッド１２の物性値の個体差やライフによる変動をより正確に把握して調整できるという利点がある。
　以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
　チョクラルスキー法により育成された直径３００ｍｍのシリコン単結晶インゴットに対して、外周研削、スライス、ラッピング、エッチング、および両面研磨を行い、厚さ７７６μｍのシリコンウェーハのサンプルを得た。次に、図１に示したウェーハ研磨装置を用いてシリコンウェーハのサンプルの片面研磨工程を実施した。片面研磨工程では、ウェーハの目標取り代を１μｍとした。また研磨パッド１２としてはスウェードタイプのものを用い、スラリーには粒径が３５ｎｍのコロイダルシリカを０．３ｗｔ％含むものを用いた。
　その後、研磨パッドライフ初期から終了（交換）までのパッドライフを通して研磨加工された多数枚のシリコンウェーハのＥＳＦＱＲ（Edge Site Front least sQuares Range）の変化を評価した。ＥＳＦＱＲは、平坦度の悪化しやすいエッジに注目した平坦度の評価指標（サイトフラットネス）であり、エッジロールオフ量の大きさを示すものである。ＥＳＦＱＲは、ウェーハのエッジに沿ったリング状の領域を周方向にさらに均等に分割して得られる単位領域（サイト）を対象とし、サイト内の厚さ分布から最小二乗法により求められた基準面（Site Best Fit Surface）からの偏差の最大値と最小値との差として定義される。ここでは、ウェーハ最外周から２～３２ｍｍの範囲（セクター長３０ｍｍ）に設定されたリング状の外周領域が周方向に７２分割されたサイトのＥＳＦＱＲを測定し、さらに全サイトの平均値ＥＳＦＱＲ＿ｍｅａｎを求めた。
　比較例においては、加圧ヘッド１３の研磨圧力を１５０ｇ／ｃｍ２、回転定盤１０の回転速度を３０ｒｐｍにそれぞれ固定して多数枚のウェーハを研磨し、それらのウェーハのＥＳＦＱＲ＿ｍｅａｎ値を求めた。
　図５は、研磨パッドライフの進行に伴うウェーハのＥＳＦＱＲ値およびＦ／Ｔ値の変化を示すグラフであり、横軸はバッチ処理回数、縦軸はＥＳＦＱＲ＿ｍｅａｎ（ｎｍ）、箱ひげ図は同一バッチ内で処理された２５枚のウェーハのＥＳＦＱＲ＿ｍｅａｎのばらつきをそれぞれ示している。図５に示すように、パッドライフの序盤においてＦ／Ｔ値は目標範囲よりも大きくなり、ＥＳＦＱＲ＿ｍｅａｎ値は目標値よりも大きな値となり、ＥＳＦＱＲ＿ｍｅａｎ値のばらつきも非常に大きかった。
　一方、実施例１においては、加圧ヘッド１３の研磨圧力を１５０ｇ／ｃｍ２に固定し、またＦ／Ｔ値が目標範囲内に収まるように回転定盤１０の回転速度を２０～６０ｒｐｍの範囲内で制御しながら多数枚のウェーハを研磨し、それらのウェーハのＥＳＦＱＲ値を求めた。その結果、図６に示すように、パッドライフ全体に亘ってＥＳＦＱＲ＿ｍｅａｎ値を目標範囲内に収めることができ、Ｆ／Ｔ値も安定していた。
　また、実施例２においては、回転定盤１０の回転速度を３０ｒｐｍに固定し、またＦ／Ｔ値が目標範囲内に収まるように加圧ヘッド１３の研磨圧力を１００～２００ｇ／ｃｍ２の範囲内で制御しながら多数のウェーハを研磨し、それらのウェーハのＥＳＦＱＲ＿ｍｅａｎ値を求めた。その結果、図７に示すように、パッドライフ全体に亘ってＥＳＦＱＲ＿ｍｅａｎ値を目標範囲内に収めることができ、Ｆ／Ｔ値も安定していた。しかし、研磨パッド１２の寿命が短くなり、処理枚数の減少により生産性が悪化した。
１　　ウェーハ研磨装置
１０　　回転定盤
１１　　回転定盤の回転機構
１１ａ　　モータ
１１ｂ　　電流測定回路
１２　　研磨パッド
１３　　加圧ヘッド
１４　　加圧ヘッドの加圧・回転機構
１５　　スラリー供給機構
１６　　放射温度計
１７　　制御部
Ｆ　　モータの負荷電流値
Ｔ　　研磨パッドの表面温度

Claims (10)

  1. 　研磨パッドが貼り付けられた回転定盤上にスラリーを供給し且つ前記研磨パッド上のウェーハを加圧ヘッドで加圧保持しながら前記回転定盤および前記加圧ヘッドを回転させて前記ウェーハの片面を研磨するウェーハ研磨方法であって、
    　前記回転定盤を回転駆動するモータの負荷電流値Ｆと前記ウェーハ研磨中における前記研磨パッドの表面温度ＴとをモニタリングしてＦ／Ｔ値を算出し、前記Ｆ／Ｔ値に基づいて前記回転定盤の回転速度および前記加圧ヘッドの研磨圧力の少なくとも一方を制御することを特徴とするウェーハ研磨方法。
  2. 　前記Ｆ／Ｔ値の増加に合わせて前記回転定盤の回転速度を大きくする、請求項１に記載のウェーハ研磨方法。
  3. 　前記Ｆ／Ｔ値の増加に合わせて前記加圧ヘッドの研磨圧力を小さくする、請求項１または２に記載のウェーハ研磨方法。
  4. 　前記加圧ヘッドの研磨圧力よりも前記回転定盤の回転速度を優先的に制御する、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のウェーハ研磨方法。
  5. 　前バッチのウェーハ加工工程で測定した前記Ｆ／Ｔ値に基づいて次バッチ以降のウェーハ加工工程における前記回転定盤の回転速度または前記加圧ヘッドの研磨圧力を設定する、請求項１ないし４のいずれか一項に記載のウェーハ研磨方法。
  6. 　研磨パッドが貼り付けられた回転定盤上にスラリーを供給し且つ前記研磨パッド上のウェーハを加圧ヘッドで加圧保持しながら前記回転定盤および前記加圧ヘッドを回転させて前記ウェーハの片面を研磨するウェーハ研磨装置であって、
    　前記回転定盤を回転駆動するモータの負荷電流値Ｆを測定する電流測定回路と、
    　前記研磨パッドの表面温度Ｔを測定する温度計と、
    　前記負荷電流値Ｆおよび前記表面温度ＴからＦ／Ｔ値を算出し、前記Ｆ／Ｔ値に基づいて前記回転定盤の回転速度および前記加圧ヘッドの研磨圧力の少なくとも一方を制御する制御部とを備えることを特徴とするウェーハ研磨装置。
  7. 　前記制御部は、前記Ｆ／Ｔ値の増加に合わせて前記回転定盤の回転速度を大きくする、請求項６に記載のウェーハ研磨装置。
  8. 　前記制御部は、前記Ｆ／Ｔ値の増加に合わせて前記加圧ヘッドの研磨圧力を小さくする、請求項６または７に記載のウェーハ研磨装置。
  9. 　前記制御部は、前記加圧ヘッドの研磨圧力よりも前記回転定盤の回転速度を優先的に制御する、請求項６ないし８のいずれか一項に記載のウェーハ研磨装置。
  10. 　前記制御部は、前バッチのウェーハ加工工程で測定した前記Ｆ／Ｔ値に基づいて次バッチ以降のウェーハ加工工程における前記回転定盤の回転速度または前記加圧ヘッドの研磨圧力を設定する、請求項６ないし９のいずれか一項に記載のウェーハ研磨装置。
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