DE102007051786A1 - Laserbearbeitungsvorrichtung - Google Patents

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DE102007051786A1
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Abstract

Eine Laserbearbeitungsvorrichtung wird geboten, die einen zum Halten eines Werkstücks geeigneten Einspanntisch beinhaltet; und eine Laserstrahlbestrahlungseinheit zum Aussenden eines Laserstrahls zu dem durch den Einspanntisch gehaltenen Werkstück. Die Laserstrahlbestrahlungseinheit beinhaltet eine einzelne Laserstrahloszillationseinheit zum Aussenden eines Laserstrahls; einen Strahlteiler, der den von der Laserstrahloszillationseinheit ausgesendeten Laserstrahl in einen ersten Laserstrahl, der sich entlang eines ersten Wegs verbreitet, und einen zweiten Laserstrahl, der sich entlang eines zweiten Wegs verbreitet, teilt; einen ersten Kondensor, der den ersten Laserstrahl verdichtet; und einen zweiten Kondensor, der den zweiten Laserstrahl verdichtet.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserbearbeitungsvorrichtung, die zwei verschiedene Arten von Laserbearbeitung an einem Werkstück durchführen kann.
  • Stand der Technik
  • In dem Halbleiterherstellungsprozess wird ein nahezu scheibenförmiger Halbleiterwafer auf seiner vorderen Oberfläche durch in einem gitterartigen Muster angeordnete vorgegebene Trennlinien, genannt Straßen, in mehrere Bereiche unterteilt, auf denen Bauelemente, wie zum Beispiel ICs (integrierte Schaltungen), LSIs oder dergleichen ausgebildet werden. Ein Halbleiterwafer ist bekannt, der teilweise auf Straßen mit Testzweck-Metallmustern, genannt Testelementgruppen (TEG), ausgebildet ist, die benutzt werden, um die Funktionen von Bauelementen zu testen. Solch ein Halbleiterwafer wird entlang der Straßen geschnitten, um die mit den Bauelementen ausgebildeten Bereiche in einzelne Halbleiterchips zur Herstellung aufzuteilen. Auch ein Wafer für optische Bauelemente, bei dem ein lichtempfangendes Element, wie zum Beispiel eine Fotodiode oder dergleichen, oder ein lichtemittierendes Element, wie zum Beispiel eine Laserdiode oder dergleichen, auf der vorderen Oberfläche eines Saphiersubstrats geschichtet ist, wird entlang Straßen geschnitten, um in einzelne optische Bauelemente, wie zum Beispiel Fotodioden oder Laserdioden, die in elektrischen Geräten weit verbreitet sind, aufgeteilt zu werden.
  • Das folgende Verfahren wird als ein Verfahren zum Aufteilen eines Wafers, wie zum Beispiel des Halbleiterwafers, des Wafers für optische Bauelemente oder dergleichen, wie oben beschrieben, entlang Straßen vorgeschlagen. Ein Pulslaserstrahl mit einer Wellenlänge, die ein Absorptionsvermögen für den Wafer aufweist, wird entlang der Straßen des Wafers ausgesendet, um Laserbearbeitungskerben auszubilden. Dann wird der Wafer entlang der Laserbearbeitungskerben aufgeteilt. Siehe zum Beispiel offengelegtes japanisches Patent Nr. 2004-9139 .
  • Jedoch ist es bei dem Halbleiterwafer, der teilweise mit den Testzweck-Metallmustern, genannt Testelementgruppen (TEG), die benutzt werden, um die Funktionen von Bauelementen auf der Straße zu testen, ausgebildet ist, nicht möglich, eine gleichmäßige Laserbearbeitungskerbe auszubilden, sogar wenn der Pulslaserstrahlentlang der zugehörigen Straße ausgesendet wird. Daher ist es notwendig, einen Pulslaserstrahl entlang Straßen anzuwenden, nachdem ein Pulslaserstrahl auf einen Bereich angewendet wird, wo ein Metallmuster, wie zum Beispiel Kupfer und Aluminium, vorhanden ist, um das Metallmuster zu entfernen. Bei solch einer Laserbearbeitung sollte, wenn das Metallmuster entfernt wird, der Lichtfokusspot des Laserstrahls vorzugsweise als ein Kreis ausgebildet sein, der eine hohe Lichtfokusdichte aufweist. Wenn die Laserbearbeitungskerbe ausgebildet wird, sollte der Lichtfokusspot vorzugsweise als ein Oval ausgebildet sein, das einen großen Überlappungsquotienten aufweist.
  • Um wie oben beschrieben zwei Arten von Laserbearbeitung an einem Werkstück durchzuführen, ist es notwendig, zwei Laserbearbeitungsvorrichtungen zu benutzen oder zwei Laserstrahlbestrahlungsmittel für eine Laserbearbeitungsvorrichtung vorzusehen. Jedoch erhöht, da ein Laseroszillator, der das Laserstrahlbestrahlungsmittel bildet, teuer ist, das Vorsehen jeweiliger Laseroszillatoren für zwei Laserstrahlbestrahlungsmittel bedeutend die Kosten der Laserbearbeitungsvorrichtung.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist deshalb ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Laserbearbeitungsvorrichtung zu bieten, die mit einem Laserstrahlbestrahlungsmittel ausgestattet ist, bei dem ein einzelner Laseroszillator zwei Arten von Laserbearbeitung bieten kann.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Laserbearbeitungsvorrichtung geboten, die beinhaltet: einen zum Halten eines Werkstücks geeigneten Einspanntisch; und Laserstrahlbestrahlungsmittel zum Aussenden eines Laserstrahls zu dem durch den Einspanntisch gehaltenen Werkstück; wobei das Laserstrahlbestrahlungsmittel beinhaltet: ein einzelnes Laserstrahloszillationsmittel zum Aussenden eines Laserstrahls; einen Strahlteiler, der den von dem Laserstrahloszillationsmittel ausgesendeten Laserstrahl in einen ersten Laserstrahl, der sich entlang eines ersten Wegs verbreitet, und einen zweiten Laserstrahl, der sich entlang eines zweiten Wegs verbreitet, teilt; einen ersten Kondensor, der den ersten Laserstrahl verdichtet; und einen zweiten Kondensor, der den zweiten Laserstrahl verdichtet.
  • Vorzugsweise ist ein erstes akusto-optisches Ablenkungsmittel zum Ablenken des ersten Laserstrahls in dem ersten Weg angeordnet, und ein zweites akusto-optisches Ablenkungsmittel zum Ablenken des zweiten Laserstrahls in dem zweiten Weg angeordnet. Zusätzlich weist ein Spot, auf den der erste Laserstrahl durch den ersten Kondensor fokussiert wird, eine Form auf, die unterschiedlich von der eines Spots ist, auf den der zweite Laserstrahl durch den zweiten Kondensor fokussiert wird.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung beinhaltet das Laserstrahlbestrahlungsmittel das einzelne Laserstrahloszillationsmittel zum Aussenden eines Laserstrahls; den Strahlteiler, der den von dem Laserstrahloszillationsmittel ausgesendeten Laserstrahl in einen ersten Laserstrahl, der sich entlang des ersten Wegs verbreitet, und einen zweiten Laserstrahl, der sich entlang des zweiten Wegs verbreitet, teilt; den ersten Kondensor, der den ersten Laserstrahl verdichtet; und den zweiten Kondensor, der den zweiten Laserstrahl verdichtet. Daher kann das mit dem einzelnen Pulslaserstrahloszillationsmittel versehene Laserstrahlbestrahlungsmittel zwei verschiedene Arten von Laserbearbeitung an dem durch den Einspanntisch gehaltenen Werkstück durchführen.
  • Die obigen und andere Ziele, Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise, diese zu realisieren, werden offenkundiger werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden werden, durch ein Studium der folgenden Beschreibung und angefügten Ansprüche mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung, die gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist;
  • 2 ist ein Blockdiagramm eines für die in 1 gezeigte Laserbearbeitungsvorrichtung vorgesehenen Laserstrahlbestrahlungsmittels;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers als ein Werkstück;
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand veranschaulicht, bei dem der Halbleiterwafer aus 3 auf der vorderen Oberfläche eines an einem ringförmigen Rahmen angebrachten Schutztapes befestigt ist;
  • 5A und 5B sind Ansichten zur Unterstützung der Erklärung eines Metallmuster-Entfernungsschritts, der durch die in 1 gezeigte Laserbearbeitungsvorrichtung durchgeführt wird; und
  • 6A und 6B sind Ansichten zur Unterstützung der Erklärung eines Laserbearbeitungskerben-Ausbildungsschritts, der durch die in 1 gezeigte Laserbearbeitungsvorrichtung durchgeführt wird.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Bevorzugte Ausführungsformen einer gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebauten Laserbearbeitungsvorrichtung werden nachfolgend im Detail mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht der gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebauten Laserbearbeitungsvorrichtung. Die in 1 gezeigte Laserbearbeitungsvorrichtung beinhaltet eine ortsfeste Basis 2, einen Einspanntischmechanismus 3, einen Laserstrahlbestrahlungseinheits-Haltemechanismus 4 und eine Laserstrahlbestrahlungseinheit 5. Der Einspanntischmechanismus 3 ist so an der ortsfesten Basis 2 angebracht, dass er in einer mit Pfeil X bezeichneten Bearbeitungsüberführungsrichtung (einer Richtung entlang der X-Achse) bewegbar ist, und ist geeignet, ein Werkstück zu halten. Der Laserstrahlbestrahlungseinheits-Haltemechanismus 4 ist so an der ortsfesten Basis 2 angebracht, dass er in einer mit Pfeil Y bezeichneten Teilungsüberführungsrichtung (einer Richtung entlang der Y-Achse) senkrecht zu der mit Pfeil X bezeichneten Bearbeitungsüberführungsrichtung (der Richtung der X-Achse) bewegbar ist. Die Laserstrahlbestrahlungseinheit 5 ist so an dem Laserstrahlbestrahlungseinheits-Haltemechanismus 4 angebracht, dass sie in einer mit Pfeil Z bezeichneten Richtung (einer Richtung entlang der Z-Achse) bewegbar ist.
  • Der Einspanntischmechanismus 3 beinhaltet ein Paar von Führungsschienen 31, 31, einen ersten Schiebeblock 32, einen zweiten Schiebeblock 33 und einen Abdeckungstisch 35. Das Paar von Führungsschienen 31, 31 ist so auf der ortsfesten Basis 2 angeordnet, dass es parallel zu der mit Pfeil X bezeichneten Bearbeitungsüberführungsrichtung (der Richtung der X-Achse) ist. Der erste Schiebeblock 32 ist so auf den Führungsschienen 31, 31 angeordnet, dass er in der mit Pfeil X bezeichneten Bearbeitungsüberführungsrichtung (der Richtung der X-Achse) bewegbar ist. Der zweite Schiebeblock 33 ist so auf dem ersten Schiebeblock 32 angeordnet, dass er in der mit Pfeil Y bezeichneten Teilungsüberführungsrichtung (der Richtung der Y-Achse) bewegbar ist. Der Abdeckungstisch 35 ist oberhalb des zweiten Schiebeblocks 33 angeordnet und wird durch ein zylindrisches Element 34 gehalten. Der Einspanntischmechanismus 3 beinhaltet ferner einen Einspanntisch 36 als Werkstückhaltemittel. Der Einspanntisch 36 ist mit einer Ansaugeinspannvorrichtung 361 versehen, die aus einem porösen Material besteht und geeignet ist, darauf z.B. einen scheibenförmigen Halbleiterwafer oder ein Werkstück durch nicht gezeigte Ansaugmittel zu halten. Der wie oben aufgebaute Einspanntisch 36 wird durch einen in dem zylindrischen Element 34 angeordneten, nicht gezeigten Pulsmotor gedreht. Eine Klemme 362 ist auf dem Einspanntisch 36 angeordnet, um einen später beschriebenen ringförmigen Rahmen zu befestigen.
  • Der erste Schiebeblock 32 ist auf seiner unteren Oberfläche mit einem Paar von zu führenden Kerben 321, 321, die jeweils dem Paar von Führungsschienen 31, 31 angepasst sind, und auf seiner oberen Oberfläche mit einem Paar von Führungsschienen 322, 322, die parallel zu der mit Pfeil Y bezeichneten Teilungsüberführungsrichtung (der Richtung der Y-Achse) ausgebildet sind, versehen. Der wie oben aufgebaute erste Schiebeblock 32 kann entlang des Paars von Führungsschienen 31, 31 in der Bearbeitungsüberführungsrichtung (der Richtung der X-Achse) durch die zu führenden Kerben 321, 321, die jeweils dem Paar von Führungsschienen 31, 31 angepasst sind, bewegt werden. Der Einspanntischmechanismus 3 der in der Figur gezeigten Ausführungsform ist mit Bearbeitungsüberführungsmittel 37 zum Bewegen des ersten Schiebeblocks 32 entlang des Paars von Führungsschienen 31, 31 in der mit Pfeil X bezeichneten Bearbeitungsüberführungsrichtung (der Richtung der X-Achse) ausgestattet.
  • Das Bearbeitungsüberführungsmittel 37 beinhaltet einen Stab 371 mit äußerem Gewinde, der zwischen dem Paar von Führungsschienen 31, 31 und parallel zu diesem angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, wie zum Beispiel einen Pulsmotor 372, die geeignet ist, den Stab 371 mit äußerem Gewinde anzutreiben, um ihn zu drehen. Ein Ende des Stabs 371 mit äußerem Gewinde wird durch einen an der ortsfesten Basis 2 befestigten Lagerblock 373 drehbar gehalten und das andere Ende ist überführbar mit dem Ausgabeschaft des Pulsmotors 372 verbunden. Im Übrigen ist der Stab 371 mit äußerem Gewinde in Gewindeeingriff mit einem in einem nicht gezeigten inneren Schraubenblock ausgebildeten Durchgangsloch mit innerem Gewinde, wobei der innere Schraubenblock so vorgesehen ist, dass er von einer mittleren unteren Oberfläche des ersten Schiebeblocks 32 hervorsteht. Daher wird der erste Schiebeblock 32 entlang der Führungsschienen 31, 31 in der mit Pfeil X bezeichneten Bearbeitungsüberführungsrichtung (der Richtung der X-Achse) durch normales und umgekehrtes Drehen des Stabs 371 mit äußerem Gewinde durch den Pulsmotor 372 bewegt.
  • Die in der Figur gezeigte Laserbearbeitungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung ist mit einem Bearbeitungsüberführungsbetrags-Erfassungsmittel 374 zum Erfassen des Bearbeitungsüberführungsbetrags des Einspanntischs 36 versehen. Das Bearbeitungsüberführungsbetrags-Erfassungsmittel 374 beinhaltet eine entlang der Führungsschiene 31 angeordnete lineare Skala 374a und einen Lesekopf 374b, der so an dem ersten Schiebeblock 32 angebracht ist, dass er sich zusammen mit dem ersten Schiebeblock 32 entlang der linearen Skala 374a bewegt. Der Lesekopf 374b des Überführungsbetrags-Erfassungsmittels 374 sendet ein Pulssignal von einem Puls für jeden 1 μm zu später beschriebenen Kontrollmitteln in der in der Figur gezeigten Ausführungsform. Das Kontrollmittel erfasst den Bearbeitungsüberführungsbetrag des Einspanntischs 36 durch Zählen der darin eingegebenen Pulssignale.
  • Wenn der Pulsmotor 372 als die Antriebsquelle für das Bearbeitungsüberführungsmittel 37 benutzt wird, kann das Kontrollmittel den Bearbeitungsüberführungsbetrag des Einspanntischs 36 durch Zählen der Antriebspulse des später beschriebenen Kontrollmittels erfassen, das ein Antriebssignal an den Pulsmotor 372 ausgibt. Wenn ein Servomotor als die Antriebsquelle für das Bearbeitungsüberführungsmittel 37 benutzt wird, kann das später beschriebene Kontrollmittel den Bearbeitungsüberführungsbetrag des Einspanntischs 36 durch Erhalten und Zählen von daran durch einen Drehwertgeber, der die Drehzahl des Servomotors erfasst, ausgegebenen Pulssignalen erfassen.
  • Der zweite Schiebeblock 33 ist auf seiner unteren Oberfläche mit einem Paar von zu führenden Kerben 331, 331, die jeweils dem auf der oberen Oberfläche des ersten Schiebeblocks 32 vorgesehenen Paar von Führungsschienen 322, 322 angepasst sind, versehen. Der zweite Schiebeblock 33 kann in der mit Pfeil Y bezeichneten Teilungsüberführungsrichtung (der Richtung der Y-Achse) durch Anpassen der jeweiligen zu führenden Kerben 331, 331 zu dem Paar von Führungsschienen 322, 322 bewegt werden. Der Einspanntischmechanismus 3 ist mit einem ersten Teilungsüberführungsmittel 38 ausgestattet, das den zweiten Schiebeblock 33 in der mit Pfeil Y bezeichneten Teilungsüberführungsrichtung (der Richtung der Y-Achse) entlang des auf dem ersten Schiebeblock 32 vorgesehenen Paars von Führungsschienen 322, 322 bewegt.
  • Das erste Teilungsüberführungsmittel 38 beinhaltet einen Stab 381 mit äußerem Gewinde, der zwischen dem Paar von Führungsschienen 322, 322 und parallel zu diesem angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, wie zum Beispiel einen Pulsmotor 382, die geeignet ist, den Stab 381 mit äußerem Gewinde anzutreiben, um ihn zu drehen. Ein Ende des Stabs 381 mit äußerem Gewinde wird durch einen an der oberen Oberfläche des ersten Schiebeblocks 32 befestigten Lagerblock 383 drehbar gehalten und das andere Ende ist überführbar mit dem Ausgabeschaft des Pulsmotors 382 verbunden. Im Übrigen ist der Stab 381 mit äußerem Gewinde in Gewindeeingriff mit einem in einem nicht gezeigten inneren Schraubenblock ausgebildeten Durchgangsloch mit innerem Gewinde, wobei der innere Schraubenblock so vorgesehen ist, dass er von einer mittleren unteren Oberfläche des zweiten Schiebeblocks 33 hervorsteht. Daher wird der zweite Schiebeblock 33 entlang der Führungsschienen 322, 322 in der mit Pfeil Y bezeichneten Teilungsüberführungsrichtung (der Richtung der Y-Achse) durch normales und umgekehrtes Drehen des Stabs 381 mit äußerem Gewinde durch den Pulsmotor 382 bewegt.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform ist mit Teilungsüberführungsbetrags-Erfassungsmittel 384 zum Erfassen des Teilungsüberführungsbetrags des zweiten Schiebeblocks 33 versehen. Das Teilungsüberführungsbetrags-Erfassungsmittel 384 beinhaltet eine entlang der Führungsschiene 322 angeordnete lineare Skala 384a und einen Lesekopf 384b, der so an dem zweiten Schiebeblock 33 angebracht ist, dass er sich zusammen mit dem zweiten Schiebeblock 32 entlang der linearen Skala 384a bewegt. Der Lesekopf 384b des Überführungsbetrags-Erfassungsmittels 384 sendet ein Pulssignal von einem Puls für jeden 1 μm zu dem später beschriebenen Kontrollmittel in der Ausführungsform. Das Kontrollmittel erfasst den Teilungsüberführungsbetrag des Einspanntischs 36 durch Zählen der darin eingegebenen Pulssignale.
  • Wenn der Pulsmotor 382 als die Antriebsquelle für das Teilungsüberführungsmittel 38 benutzt wird, kann das Kontrollmittel den Teilungsüberführungsbetrag des Einspanntischs 36 durch Zählen der Antriebspulse des später beschriebenen Kontrollmittels erfassen, das ein Antriebssignal an den Pulsmotor 382 ausgibt. Wenn ein Servomotor als die Antriebsquelle für das erste Teilungsüberführungsmittel 38 benutzt wird, kann das später beschriebene Kontrollmittel den Teilungsüberführungsbetrag des Einspanntischs 36 durch Erhalten und Zählen von daran durch einen Drehwertgeber, der die Drehzahl des Servomotors erfasst, ausgegebenen Pulssignalen erfassen.
  • Der Laserstrahlbestrahlungseinheits-Haltemechanismus 4 beinhaltet ein Paar von Führungsschienen 41, 41, die so auf der ortsfesten Basis 2 angeordnet sind, dass sie parallel zu der mit Pfeil Y bezeichneten Teilungsüberführungsrichtung (der Richtung der Y-Achse) sind und entlang dieser liegen; und eine bewegbare Halterungsbasis 42, die so auf den Führungsschienen 41, 41 angeordnet ist, dass sie in einer mit Pfeil Y bezeichneten Richtung bewegbar ist. Die bewegbare Halterungsbasis 42 beinhaltet einen sich bewegenden Halterungsabschnitt 421, der bewegbar auf den Führungsschienen 41, 41 angeordnet ist; und einen Anbringungsabschnitt 422, der an dem sich bewegenden Halterungsabschnitt 421 angebracht ist. Der Anbringungsabschnitt 422 ist auf seiner seitlichen Oberfläche mit einem Paar von Führungsschienen 423, 423 versehen, die sich parallel in der mit Pfeil Z bezeichneten Richtung (der Richtung der Z-Achse) erstrecken. Der Laserstrahlbestrahlungseinheits-Haltemechanismus 4 ist mit einem zweiten Teilungsüberführungsmittel 43 zum Bewegen der bewegbaren Halterungsbasis 42 entlang des Paars von Führungsschienen 41, 41 in der mit Pfeil Y bezeichneten Teilungsüberführungsrichtung (der Richtung der Y-Achse) ausgestattet.
  • Das zweite Teilungsüberführungsmittel 43 beinhaltet einen Stab 431 mit äußerem Gewinde, der zwischen dem Paar von Führungsschienen 41, 41 und parallel zu diesem angeordnet ist, und eine Antriebsquelle, wie zum Beispiel einen Pulsmotor 432, die geeignet ist, den Stab 431 mit äußerem Gewinde anzutreiben, um ihn zu drehen. Ein Ende des Stabs 431 mit äußerem Gewinde wird durch einen an der ortsfesten Basis 2 befestigten nicht gezeigten Lagerblock drehbar gehalten und das andere Ende ist überführbar mit dem Ausgabeschaft des Pulsmotors 432 verbunden. Im Übrigen ist der Stab 431 mit äußerem Gewinde in Gewindeeingriff mit einem in einem nicht gezeigten inneren Schraubenblock ausgebildeten Loch mit innerem Gewinde, wobei der innere Schraubenblock so vorgesehen ist, dass er von einer mittleren unteren Oberfläche des sich bewegenden Halterungsabschnitts 421, der einen Teil der bewegbaren Halterungsbasis 42 bildet, hervorsteht. Daher wird die bewegbare Halterungsbasis 42 entlang der Führungsschienen 41, 41 in der mit Pfeil Y bezeichneten Teilungsüberführungsrichtung (der Richtung der Y-Achse) durch normales und umgekehrtes Drehen des Stabs 431 mit äußerem Gewinde durch den Pulsmotor 432 bewegt.
  • Die Laserstrahlbestrahlungseinheit 5 ist mit einem Einheitshalter 51 und mit einem an dem Einheitshalter 51 angebrachten Laserstrahlbestrahlungsmittel 52 ausgestattet. Der Einheitshalter 51 ist mit einem Paar von zu führenden Kerben 511, 511 versehen, die dem auf dem Anbringungsabschnitt 422 vorgesehenen Paar von Führungsschienen 423, 423 schiebbar angepasst sind. Der Einheitshalter 51 ist durch Anpassen der jeweiligen zu führenden Kerben 511, 511 an die Führungsschienen 423, 423 in einer mit Pfeil Z bezeichneten Richtung (der Richtung der Z-Achse) bewegbar gehalten.
  • Die Laserstrahlbestrahlungseinheit 5 ist mit einem Bewegungsmittel (Lichtfokuspunkt-Positionierungsmittel) 53 zum Bewegen des Einheitshalters 51 entlang des Paars von Führungsschienen 423, 423 in der mit Pfeil Z bezeichneten Richtung (der Richtung der Z-Achse: der Richtung senkrecht zu einer Halteoberfläche, welche die obere Oberfläche der Ansaugeinspannvorrichtung 361 ist) ausgestattet. Das Bewegungsmittel 53 beinhaltet einen nicht gezeigten Stab mit äußerem Gewinde, der zwischen dem Paar von Führungsschienen 423, 423 angeordnet ist; und eine Antriebsquelle, wie zum Beispiel einen Pulsmotor 532 oder dergleichen, zum Antreiben des Stabs mit äußerem Gewinde, um ihn zu drehen. Das Bewegungsmittel 53 bewegt den Einheitshalter 51 und das Laserstrahlbestrahlungsmittel 52 entlang der Führungsschienen 423, 423 in der mit Pfeil Z bezeichneten Richtung (der Richtung der Z-Achse) durch normales oder umgekehrtes Antreiben des nicht gezeigten Stabs mit äußerem Gewinde durch den Pulsmotor 532. Im Übrigen wird, in der in der Figur gezeigten Ausführungsform, das Laserstrahlbestrahlungsmittel 52 durch normales Drehen des Pulsmotors 532 aufwärts bewegt und durch umgekehrtes Drehen des Pulsmotors 532 abwärts bewegt.
  • Das Laserstrahlbestrahlungsmittel 52 beinhaltet ein im Wesentlichen horizontal angeordnetes Gehäuse 521, in dem ein Pulslaserstrahloszillationsmittel 61 wie in 2 gezeigt angeordnet ist. Ein von dem Pulslaserstrahloszillationsmittel 61 ausgesendeter Pulslaserstrahl LB wird in einen ersten Pulslaserstrahl LB1 und einen zweiten Pulslaser LB2 geteilt, die sich jeweils entlang eines ersten Wegs 62a und eines zweiten Wegs 62b verbreiten. Der erste Pulslaserstrahl LB1, der sich entlang des ersten Wegs 62a verbreitet, wird von einem ersten Kondensor 66a durch ein erstes Ausgaberegulierungsmittel 64a und ein erstes akusto-optisches Ablenkungsmittel 65a gesammelt. Andererseits wird der zweite Pulslaserstrahl LB2, der sich entlang des zweiten Wegs 62b verbreitet, von einem zweiten Kondensor 66b durch einen richtungsändernden Spiegel 67, ein zweites Ausgaberegulierungsmittel 64b und ein zweites akusto-optisches Ablenkungsmittel 65b gesammelt.
  • Das Pulslaserstrahloszillationsmittel 61 beinhaltet einen Pulslaserstrahloszillator 61 und ein an dem Pulslaserstrahloszillator 61 angebrachtes Periodenfrequenz-Einstellmittel 612. Der Pulslaserstrahloszillator 611 besteht in der in der Figur gezeigten Ausführungsform aus einem YV04-Laser- oder einem YAG-Laser-Oszillator und sendet einen durch das Periodenfrequenz-Einstellmittel 612 eingestellten Pulslaserstrahl LB aus. Der Strahlteiler 63 teilt, im gleichen Verhältnis, den von dem Pulslaseroszillationsmittel 61 ausgesendeten Pulslaserstrahl LB in den ersten Pulslaserstrahl LB1 und den zweiten Pulslaserstrahl LB2, die sich jeweils entlang des ersten Wegs 62a und des zweiten Wegs 62b verbreiten. Das erste Ausgaberegulierungsmittel 64a und das zweite Ausgaberegulierungsmittel 64b regulieren den ersten Pulslaserstrahl LB1 und den zweiten Pulslaserstrahl LB2 auf jeweils gewünschte Ausgaben.
  • Das erste akusto-optische Ablenkungsmittel 65a und das zweite akusto-optische Ablenkungsmittel 65b beinhalten jeweils akusto-optische Elemente 651a und 651b; RF (radio frequency; Hochfrequenz)-Oszillatoren 652a und 652b; RF-Verstärker 653a und 653b; Ablenkungswinkel-Regulierungsmittel 654a und 654b; Ausgaberegulierungsmittel 655a und 655b. Die akusto-optischen Elemente 651a und 651b lenken jeweils den ersten Pulslaserstrahl LB1, der sich entlang des ersten Wegs 62a verbreitet, und den zweiten Pulslaserstrahl LB2, der sich entlang des zweiten Wegs 62b verbreitet, ab, wobei die ersten und zweiten Pulslaserstrahlen LB1 und LB2 aus dem durch den Strahlteiler 63 geteilten Pulslaserstrahl entstehen. Die RF-Oszillatoren 652a und 652b erzeugen RF (Radiofrequenz; Hochfrequenz), die jeweils an die akusto-optischen Elemente 651a und 651b angelegt wird. Die RF-Verstärker 653a und 653b verstärken die Leistung der durch die RF-Oszillatoren 652a und 652b erzeugten RF und legen die somit verstärkte Leistung jeweils an die akusto-optischen Elemente 651a und 651b an. Die Ablenkungswinkel-Regulierungsmittel 654a und 654b regulieren die jeweils durch die RF-Oszillatoren 652a und 652b erzeugten RF. Die Ausgaberegulierungsmittel 655a und 655b regulieren die Amplitude der jeweils durch die RF-Oszillatoren 652a und 652b erzeugten RF.
  • Die akusto-optischen Elemente 651a und 651b können beide den Ablenkungswinkel des Laserstrahls gemäß der daran angelegten RF regulieren und ebenso die Leistung des Laserstrahls gemäß der Amplitude der daran angelegten RF regulieren. Im Übrigen werden die Ablenkungswinkel-Regulierungsmittel 654a und 654b und die Ausgaberegulierungsmittel 655a und 655b durch nicht gezeigte Kontrollmittel gesteuert. Bei dem wie oben aufgebauten ersten akusto-optischen Ablenkungsmittel 65a wird, wenn eine Spannung von z.B. 10 V an das erste Ablenkungsregulierungsmittel 654a angelegt wird, und die RF entsprechend den 10 V an das akusto-optische Element 651a angelegt wird, der erste Pulslaserstrahl LB1 zu dem ersten Kondensor 66a geführt, wie es durch eine durchgezogene Linie in 2 angezeigt ist. Ebenso wird bei dem wie oben aufgebauten zweiten akusto-optischen Ablenkungsmittel 65b, wenn eine Spannung von z.B. 10 V an das zweite Ablenkungsregulierungsmittel 654b angelegt wird und die RF entsprechend den 10 V an das akusto-optische Element 651b angelegt wird, der zweite Pulslaserstrahl LB2 zu dem zweiten Kondensor 66b geführt, wie es durch eine durchgezogene Linie in 2 angezeigt ist. Wenn eine Spannung von 0 V an das Ablenkungswinkel-Regulierungsmittel 654a angelegt wird und die RF entsprechend den 0 V an das akusto-optische Element 651a angelegt wird, wird der erste Laserstrahl LB1 zu einem laserstrahlabsorbierenden Mittel 656a geführt, wie es durch eine gestrichelte Linie in 2 angezeigt ist. Ebenso wird, wenn eine Spannung von 0 V an das Ablenkungswinkel-Regulierungsmittel 654b angelegt wird und die RF entsprechend den 0 V an das akusto-optische Element 651b angelegt wird, der zweite Laserstrahl LB2 zu einem laserstrahlabsorbierenden Mittel 656b geführt, wie es durch eine gestrichelte Linie in 2 angezeigt ist.
  • Der erste Kondensor 66a und der zweite Kondensor 66b sind, wie in 1 gezeigt, an dem Ende des Gehäuses 521 angebracht. Der erste Kondensor 66a ist aufgebaut, den ersten Pulslaserstrahl LB1 auf einen kreisförmigen Spot S1 zu fokussieren, wie es in 2 in der vorliegenden Ausführungsform gezeigt wird. Der zweite Kondensor 66b ist aufgebaut, den zweiten Pulslaserstrahl LB2 auf einen ovalen Spot S2 zu fokussieren, wie es in 2 in der vorliegenden Ausführungsform gezeigt wird. Im Übrigen können eine zylindrische Linse oder ein Maskenelement, das eine ovale Öffnung aufweist, als Mittel zum Formen des Fokusspots des Laserstrahls in ein Oval benutzt werden.
  • Die Beschreibung wird mit Bezug auf 1 fortgesetzt. Ein Abbildungsmittel 7 zum Erfassen eines durch das Laserstrahlbestrahlungsmittel 52 zu laserbearbeitenden Bearbeitungsbereichs ist an dem führenden Ende des Gehäuses 521 angebracht, das einen Teil des Laserstrahlbestrahlungsmittels 52 bildet. Das Abbildungsmittel 7 beinhaltet Infrarot-Beleuchtungsmittel zum Aussenden eines infraroten Strahls zu einem Werkstück, einen optischen Aufbau zum Einfangen des durch das Infrarot-Beleuchtungsmittel ausgesendeten infraroten Strahls und eine Bildaufnahmeeinrichtung (eine infrarote CCD), die ein elektrisches Signal, das dem durch den optischen Aufbau eingefangenen infraroten Strahl entspricht, ausgibt, sowie eine gewöhnliche Bildaufnahmeeinrichtung (CCD), die ein Bild mit einem sichtbaren Strahl aufnimmt. Das Abbildungsmittel 7 sendet das Signal des abgebildeten Bilds zu dem später beschriebenen Kontrollmittel.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform ist mit einem Kontrollmittel 10, das aus einem Computer besteht, ausgestattet. Das Kontrollmittel 10 beinhaltet einen Prozessor (CPU) 101, der arithmetische Verarbeitung gemäß einem Kontrollprogramm durchführt; einen Festspeicher (ROM) 102 zum Speichern des Kontrollprogramms und dergleichen; einen les- und schreibbaren Arbeitsspeicher (RAM) 103 zum Speichern von Berechnungsergebnissen und dergleichen; einen Zähler 104; eine Eingabeschnittstelle 105; und eine Ausgabeschnittstelle 106. Die Eingabeschnittstelle 105 des Kontrollmittels 10 ist geeignet, Erfassungssignale von dem Bearbeitungsüberführungs-Erfassungsmittel 374, dem Teilungsüberführungs-Erfassungsmittel 384, dem Abbildungsmittel 7 und dergleichen zu empfangen. Die Ausgabeschnittstelle 106 des Kontrollmittels 10 ist geeignet, Kontrollsignale an den Pulsmotor 373, den Pulsmotor 382, den Pulsmotor 432, den Pulsmotor 532, das Pulslaserstrahloszillationsmittel 61 des Pulslaserstrahloszillationsmittels 52, die jeweiligen Ablenkungswinkel-Regulierungsmittel 654a und 654b und die jeweiligen Ausgaberegulierungsmittel 655a und 655b des ersten und zweiten akusto-optischen Ablenkungsmittels 65a und 65b auszugeben. Im Übrigen ist der Arbeitsspeicher (RAM) 103 mit einem ersten Speicherbereich 103a und mit anderen Speicherbereichen zum Speichern der Daten von bestimmten Werten eines später beschriebenen Werkstücks versehen.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform ist wie oben aufgebaut. Der Arbeitsablauf der Laserbearbeitungsvorrichtung wird im Folgenden beschrieben. 3 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Halbleiterwafer als ein Werkstück veranschaulicht. Ein in 3 gezeigter Halbleiterwafer 20 ist mit mehreren von mehreren Straßen 22, die in einem gitterartigen Muster auf der vorderen Oberfläche 21a eines Siliziumsubstrats 21 angeordnet sind, aufgeteilten Bereichen ausgebildet, und ein Bauelement 23, wie zum Beispiel ein IC (integrierte Schaltung), ein LSI oder dergleichen ist auf jedem dieser Bereiche ausgebildet. Der Halbleiterwafer 20 ist teilweise auf den Straßen 22 mit Testzweck-Metallmustern 25, genannt Testelementgruppen (TEG), ausgebildet, die benutzt werden, um die Funktionen der Bauelemente 23 zu testen. Im Übrigen besteht das Metallmuster 25 in der Ausführungsform aus Kupfer. Die Anordnungskoordinatenwerte der zu den Straßen 22 und den Metallmustern 25 des wie oben aufgebauten Halbleiterwafers 20 gehörenden Positionen sind in dem ersten Speicherbereich 103a des Arbeitsspeichers (RAM) 103 in dem Kontrollmittel 10 gespeichert.
  • Der wie oben aufgebaute Halbleiterwafer 20 ist so beschaffen, dass eine hintere Oberfläche 21b des Siliziumsubstrats 21 an einem Schutztape T befestigt ist, das aus einer zum Beispiel aus Polyolefin oder dergleichen bestehenden Kunstharzfolie besteht, und an einem in 4 gezeigten ringförmigen Rahmen F angebracht ist. Der Halbleiterwafer 20 ist so beschaffen, dass eine vordere Oberfläche 21a des Siliziumsubstrats 21 aufwärts zeigt. Auf diese Weise wird der durch den ringförmigen Rahmen F über das Schutztape T gehaltene Halbleiterwafer W auf dem Einspanntisch 36 der in 1 gezeigten Laserbearbeitungsvorrichtung platziert, wobei die Seite des Schutztapes T auf dem Einspanntisch 36 angeordnet ist. Der Halbleiterwafer 20 wird über das Schutztape T durch Betätigen nicht gezeigter Ansaugmittel auf den Einspanntisch 36 angesaugt und auf diesem gehalten. Der ringförmige Rahmen F wird durch die Klemme 362 befestigt.
  • Der Einspanntisch 36, der den Halbleiterwafer 20 wie oben beschrieben ansaugt und hält, wird durch das Bearbeitungsüberführungsmittel 37 unmittelbar unterhalb des Abbildungsmittels 7 positioniert. Nachdem der Einspanntisch 36 unmittelbar unterhalb des Abbildungsmittels 7 positioniert ist, wird ein Ausrichtungsvorgang durchgeführt, bei dem das Abbildungsmittel 7 und das Kontrollmittel 10 einen zu laserbearbeitenden Bearbeitungsbereich des Halbleiterwafers 20 erfassen.
  • Speziell führen das Abbildungsmittel 7 und das Kontrollmittel 10 eine Bildverarbeitung durch, wie zum Beispiel einen Musterabgleich und dergleichen, zum Ausrichten zwischen der Straße 22, die in dem Halbleiterwafer 20 so ausgebildet ist, dass sie sich in einer vorgegebenen Richtung erstreckt, und den ersten und zweiten Kondensoren 66a und 66b des Laserstrahlbestrahlungsmittels 52 zum Aussenden eines Laserstrahls entlang der Straße 22. Daher wird die Ausrichtung für die Laserstrahlbestrahlungsposition ausgeführt. Ebenso wird die Ausrichtung für die Laserstrahlbestrahlungsposition auf der Straße 22 ausgeführt, die so auf dem Halbleiterwafer 20 ausgebildet ist, dass sie sich in einer Richtung senkrecht zu der vorgegebenen Richtung erstreckt.
  • Wie oben beschrieben wird die Straße 21, die auf dem auf dem Einspanntisch 36 gehaltenen Halbleiterwafer 20 ausgebildet ist, erfasst, und die Ausrichtung für die Laserstrahlbestrahlungsposition durchgeführt. Danach wird der Einspanntisch 36 zu einem Laserstrahlbestrahlungsbereich bewegt, wo sich, wie in 5A gezeigt, der erste Kondensor 66a befindet. Zusätzlich wird ein Ende (das linke Ende in 5A) des sich ganz links befindenden Metallmusters 25, in 5A, der auf der vorgegebenen Straße 21, die auf dem durch den Einspanntisch 36 gehaltenen Halbleiterwafer 20 ausgebildet ist, angeordneten Metallmuster 25 unmittelbar unterhalb des ersten Kondensors 66a positioniert.
  • Als Nächstes sendet das Pulslaserstrahloszillationsmittel 61 des in 2 gezeigten Laserstrahlbestrahlungsmittels 52 einen Pulslaserstrahl LB mit einer Wellenlänge (z.B. 355 nm) aus, die ein Absorptionsvermögen für den Halbleiterwafer 10 aufweist. Zu diesem Zeitpunkt wird zum Beispiel eine Spannung von 10 V an das Ablenkungswinkel-Regulierungsmittel 654a des ersten akusto-optischen Ablenkungsmittels 65a angelegt und die RF entsprechend den 10 V wird an das akusto-optische Element 651a angelegt. Andererseits wird zum Beispiel eine Spannung von 0 V an das Ablenkungswinkel-Regulierungsmittel 654b des zweiten akusto-optischen Ablenkungsmittels 65b angelegt und die RF entsprechend den 0 V wird an das akusto-optische Element 651b angelegt. Folglich wird der von dem Pulslaserstrahloszillationsmittel 61 ausgesendete Pulslaserstrahl LB in einen ersten Pulslaserstrahl LB1, der sich entlang des ersten Wegs 62a verbreitet, und einen zweiten Pulslaserstrahl LB2, der sich entlang des zweiten Wegs 62b verbreitet, geteilt. Der erste Laserstrahl LB1, der sich entlang des ersten Wegs 62a verbreitet, wird von dem ersten Kondensor 66a durch das erste Ausgaberegulierungsmittel 64a und durch das akusto-optische Element 651a des ersten akusto-optischen Ablenkungsmittels 65a ausgesendet. Im Übrigen wird der Fokuspunkt S1 des von dem ersten Kondensor 66a ausgesendeten Laserstrahls so eingestellt, dass er mit einer Stelle nahe der Oberfläche des Metallmusters 25 zusammenfällt. Andererseits wird der zweite Pulslaserstrahl LB2 zu dem laserstrahlabsorbierenden Mittel 656b geführt, wie es durch die gestrichelte Linie in 2 gezeigt ist.
  • Während der Pulslaserstrahl von dem ersten Kondensor 66a wie oben beschrieben ausgesendet wird, wird der Einspanntisch 36 in einer in 5A mit Pfeil X1 bezeichneten Richtung bei einer vorgegebenen Bearbeitungsüberführungsgeschwindigkeit bewegt (ein Metallmuster-Entfernungsschritt). Wenn das andere Ende (das rechte Ende in 5A) des sich ganz links befindenden Metallmusters 25 in 5A eine Stelle unmittelbar unterhalb des ersten Kondensors 66a erreicht, wird zum Beispiel eine Spannung von 0 V an das Ablenkungswinkel-Regulierungsmittel 654a des ersten akusto-optischen Ablenkungsmittels 65a angelegt und die RF entsprechend den 0 V wird an das akusto-optische Element 651a angelegt. Demzufolge wird der erste Pulslaserstrahl LB1 zu dem laserstrahlabsorbierenden Mittel 656a geführt, wie es durch die gestrichelte Linie in 2 gezeigt wird.
  • Ferner wird der Einspanntisch 36 in einer in 5A mit Pfeil X1 bezeichneten Richtung bewegt, so dass ein Ende (das linke Ende in 5A) des zweiten Metallmusters 25 von dem sich am ganz linken Ende befindenden der Metallmuster 25 in 5A eine Position unmittelbar unterhalb des ersten Kondensors 66a erreicht. Zu diesem Zeitpunkt wird zum Beispiel eine Spannung von 10 V an das Ablenkungswinkel-Regulierungsmittel 654a des ersten akusto-optischen Ablenkungsmittels 65a angelegt, um den Metallmuster-Entfernungsschritt wie oben beschrieben durchzuführen. Auf diese Weise erreicht das andere Ende (das rechte Ende in 5A) des sich ganz links befindenden Metallmusters 25 der Metallmuster 25, die auf der auf dem Halbleiterwafer 20 ausgebildeten vorgegebenen Straße 21 angeordnet sind, in 5A, eine Position unmittelbar unterhalb des ersten Kondensors 66a. Zu diesem Zeitpunkt sind alle auf der Straße ausgebildeten Metallmuster 25 entfernt, wie in 5B gezeigt. Dieser Metallmuster-Entfernungsschritt wird durch den ersten Kondensor 66a durchgeführt, der den eine hohe Lichtfokusdichte aufweisenden kreisförmigen Fokusspot S1 bietet; daher können die Metallmuster 25 zuverlässig entfernt werden.
  • Nachdem der oben beschriebene Metallmuster-Entfernungsschritt beendet ist, wird der Einspanntisch 36 weiter in der in 5B mit Pfeil X1 bezeichneten Richtung bewegt, so dass ein Ende (das linke Ende in 6A) der in 6A gezeigten Straße 21 eine Position unmittelbar unterhalb des zweiten Kondensors 66b erreicht. Zu diesem Zeitpunkt wird zum Beispiel eine Spannung von 10 V an das Ablenkungswinkel-Regulierungsmittel 654b des zweiten akusto-optischen Ablenkungsmittels 65b angelegt und die RF entsprechend den 10 V wird an das akusto-optische Element 651b angelegt. Folglich wird der zweite Pulslaserstrahl LB2, der sich entlang des zweiten Wegs 62b verbreitet, von dem zweiten Kondensor 66b durch das zweite Ausgaberegulierungsmittel 64b und durch das akusto-optische Element 651b des zweiten akusto-optischen Ablenkungsmittels 65b ausgesendet. Auf diese Weise wird, während der Pulslaserstrahl von dem zweiten Kondensor 66b ausgesendet wird, der Einspanntisch 36 in der in 6A mit Pfeil X1 bezeichneten Richtung bei einer vorgegebenen Bearbeitungsüberführungs-Geschwindigkeit bewegt (der Laserbearbeitungskerben-Ausbildungsschritt). Das andere Ende (das rechte Ende in 6B) der auf dem durch den Einspanntisch 36 gehaltenen Halbleiterwafer 20 ausgebildeten Straße 21 verhält sich wie in 6B gezeigt. Zu diesem Zeitpunkt wird zum Beispiel eine Spannung von 0 V an das Ablenkungswinkel-Regulierungsmittel 654b des zweiten akusto-optischen Ablenkungsmittels 65b angelegt und die RF entsprechend den 0 V wird an das akusto-optische Element 651b angelegt. Demzufolge wird der zweite Pulslaserstrahl LB2 zu dem laserstrahlabsorbierenden Mittel 656b geführt, wie es durch die gestrichelte Linie in 2 angezeigt wird.
  • In dem oben beschriebenen Laserbearbeitungskerben-Ausbildungsschritt wird der Fokuspunkt S2 des von dem zweiten Kondensor 66b ausgesendeten Pulslaserstrahls so eingestellt, dass er mit einer Stelle nahe der Oberfläche der Straße 21 zusammenfällt. Auf diese Weise wird durch Durchführen des Laserbearbeitungskerben-Ausbildungsschritts eine Laserbearbeitungskerbe 220 entlang der Straße 21, wie in 6B gezeigt, auf dem durch den Einspanntisch 36 gehaltenen Halbleiterwafer 20 ausgebildet. Dieser Laserbearbeitungskerben-Ausbildungsschritt wird durch den zweiten Kondensor 66b durchgeführt, der den einen großen Überlappungsquotienten aufweisenden ovalen Fokusspot S2 bietet. Daher kann die Laserbearbeitungskerbe 220 so ausgebildet werden, dass sie eine gleichmäßige Wandoberfläche hat. Der oben beschriebene Metallmuster-Entfernungsschritt und der oben beschriebene Laserbearbeitungskerben-Ausbildungsschritt werden auf allen Straßen 21 des Halbleiterwafers 20 durchgeführt.
  • Wie oben beschrieben kann, gemäß der Laserbearbeitungsvorrichtung der in den Figuren gezeigten Ausführungsform, das mit dem einzelnen Pulslaserstrahloszillationsmittel 61 versehene Laserstrahlbestrahlungsmittel 52 das Bearbeiten durch den von dem ersten Kondensor 66a ausgesendeten kreisförmigen Fokusspot S1 und das Bearbeiten durch den von dem zweiten Kondensor 66b ausgesendeten ovalen Fokusspot S2 durchführen. Daher können die zwei Arten von Laserbearbeitung ohne Benutzung von zwei teuren Laseroszillatoren durchgeführt werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert und alle Veränderungen und Modifikationen, insofern sie innerhalb der Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche liegen, werden deshalb durch die Erfindung umfasst.

Claims (3)

  1. Laserbearbeitungsvorrichtung, umfassend: einen zum Halten eines Werkstücks geeigneten Einspanntisch; und Laserstrahlbestrahlungsmittel zum Aussenden eines Laserstrahls zu dem durch den Einspanntisch gehaltenen Werkstück; wobei das Laserstrahlbestrahlungsmittel beinhaltet: ein einzelnes Laserstrahloszillationsmittel zum Aussenden eines Laserstrahls; einen Strahlteiler, der den von dem Laserstrahloszillationsmittel ausgesendeten Laserstrahl in einen ersten Laserstrahl, der sich entlang eines ersten Wegs verbreitet, und einen zweiten Laserstrahl, der sich entlang eines zweiten Wegs verbreitet, teilt; einen ersten Kondensor, der den ersten Laserstrahl verdichtet; und einen zweiten Kondensor, der den zweiten Laserstrahl verdichtet.
  2. Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der das Laserstrahlbestrahlungsmittel ferner ein in dem ersten Weg angeordnetes erstes akusto-optisches Ablenkungsmittel zum Ablenken des ersten Laserstrahls und ein in dem zweiten Weg angeordnetes zweites akusto-optisches Ablenkungsmittel zum Ablenken des zweiten Laserstrahls beinhaltet.
  3. Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der ein Spot, auf den der erste Laserstrahl durch den ersten Kondensor fokussiert wird, eine Form aufweist, die von der eines Spots, auf den der zweite Laserstrahl durch den zweiten Kondensor fokussiert wird, unterschiedlich ist.
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