DE102007030129A1 - Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement - Google Patents

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CN2008800183541A CN101681969B (zh) 2007-06-29 2008-06-19 用于制造多个光电子器件的方法和光电子器件
US12/667,199 US8461601B2 (en) 2007-06-29 2008-06-19 Method for producing a plurality of optoelectronic devices, and optoelectronic device
JP2010513642A JP5550550B2 (ja) 2007-06-29 2008-06-19 複数のオプトエレクトロニクスコンポーネントを製造する方法およびオプトエレクトロニクスコンポーネント
PCT/DE2008/001008 WO2009003442A1 (de) 2007-06-29 2008-06-19 Verfahren zur herstellung einer mehrzahl optoelektronischer bauelemente und optoelektronisches bauelement
KR1020107001911A KR101460392B1 (ko) 2007-06-29 2008-06-19 복수 개의 광전 소자들의 제조 방법 및 광전 소자
EP08773269.9A EP2162928B1 (de) 2007-06-29 2008-06-19 Verfahren zur herstellung einer mehrzahl optoelektronischer bauelemente und optoelektronisches bauelement
TW097123831A TWI379439B (en) 2007-06-29 2008-06-26 Method of manufacturing a plurality of optoelectronic components and optoelectronic component

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Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008026839A1 (de) 2007-12-20 2009-07-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements in Dünnschichttechnik
WO2009079982A3 (de) * 2007-12-20 2009-10-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung von halbleiterchips und halbleiterchip
DE102008030815A1 (de) * 2008-06-30 2009-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen
DE102008049535A1 (de) 2008-09-29 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul und Herstellungsverfahren
WO2010136326A1 (de) * 2009-05-28 2010-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbarer optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen halbleiterchips
WO2011015449A1 (de) * 2009-08-07 2011-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement
WO2011051084A1 (de) * 2009-10-28 2011-05-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
DE102009056386A1 (de) * 2009-11-30 2011-06-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
DE102010009455A1 (de) * 2010-02-26 2011-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaservorrichtung mit einem Halbleiterlaserchip und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2012038483A3 (de) * 2010-09-22 2012-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102011011861A1 (de) * 2011-02-21 2012-08-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchipgehäuseanordnung und Herstellungsverfahren
DE102011012924A1 (de) * 2011-03-03 2012-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Träger für eine optoelektronische Struktur und optoelektronischer Halbleiterchip mit solch einem Träger
US8450751B2 (en) 2007-04-26 2013-05-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor body and method for producing the same
DE102012101409A1 (de) * 2011-12-23 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102012209325A1 (de) * 2012-06-01 2013-12-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Moduls
EP2360748A3 (en) * 2010-02-11 2014-06-04 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package
WO2014174400A1 (en) * 2013-04-23 2014-10-30 Koninklijke Philips N.V. Side interconnect for light emitting device
EP2423987A3 (en) * 2010-08-26 2014-12-03 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device, light emitting device package, and light unit
WO2015063034A1 (de) * 2013-10-28 2015-05-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE102015107742A1 (de) * 2015-05-18 2016-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils und optoelektronisches Bauteil
DE102015214219A1 (de) * 2015-07-28 2017-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement
US9893041B2 (en) * 2016-04-15 2018-02-13 Glo Ab Method of forming an array of a multi-device unit cell
WO2018141834A1 (de) * 2017-02-06 2018-08-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und herstellungsverfahren hierfür
WO2019145350A1 (de) * 2018-01-26 2019-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
WO2021083838A1 (de) * 2019-10-30 2021-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement
DE112016000901B4 (de) 2015-02-25 2021-10-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen
DE102010027253B4 (de) 2010-07-15 2022-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102012025896B4 (de) 2012-06-01 2024-10-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Modul
DE102018104290B4 (de) 2018-02-26 2025-01-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150295154A1 (en) 2005-02-03 2015-10-15 Epistar Corporation Light emitting device and manufacturing method thereof
US9443903B2 (en) 2006-06-30 2016-09-13 Cree, Inc. Low temperature high strength metal stack for die attachment
US8698184B2 (en) * 2011-01-21 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting diodes with low junction temperature and solid state backlight components including light emitting diodes with low junction temperature
DE102008011809A1 (de) 2007-12-20 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102009015963A1 (de) * 2009-04-02 2010-10-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102009051746A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102009053064A1 (de) * 2009-11-13 2011-05-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Halbleiterbauelement mit Schutzdiodenstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterbauelements
TWI415308B (zh) * 2009-12-21 2013-11-11 宏齊科技股份有限公司 用於增加發光效率及散熱效果之晶圓級發光二極體封裝結構及其製作方法
JP5471805B2 (ja) * 2010-05-14 2014-04-16 サンケン電気株式会社 発光素子及びその製造方法
KR101784417B1 (ko) * 2010-07-12 2017-11-07 삼성전자주식회사 발광 디바이스 및 그 제조방법
US8901586B2 (en) * 2010-07-12 2014-12-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
GB2484713A (en) * 2010-10-21 2012-04-25 Optovate Ltd Illumination apparatus
KR101739573B1 (ko) * 2010-10-28 2017-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자
TWI493756B (zh) * 2010-11-15 2015-07-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
DE102011011140A1 (de) * 2011-02-14 2012-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips
DE102011013052A1 (de) * 2011-03-04 2012-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US8941137B2 (en) * 2011-03-06 2015-01-27 Mordehai MARGALIT Light emitting diode package and method of manufacture
DE102011101645A1 (de) * 2011-05-16 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischlichtquelle
JP5887638B2 (ja) 2011-05-30 2016-03-16 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Ｅｖｅｒｌｉｇｈｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 発光ダイオード
US9653643B2 (en) 2012-04-09 2017-05-16 Cree, Inc. Wafer level packaging of light emitting diodes (LEDs)
US9666764B2 (en) 2012-04-09 2017-05-30 Cree, Inc. Wafer level packaging of multiple light emitting diodes (LEDs) on a single carrier die
EP2777291B1 (en) * 2011-11-09 2022-04-20 Koninklijke Philips N.V. Display device
TWI523269B (zh) 2012-03-30 2016-02-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
CN103378254B (zh) * 2012-04-27 2017-07-21 晶元光电股份有限公司 发光元件
DE102012105176B4 (de) * 2012-06-14 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
US10186458B2 (en) * 2012-07-05 2019-01-22 Infineon Technologies Ag Component and method of manufacturing a component using an ultrathin carrier
KR20140010521A (ko) * 2012-07-12 2014-01-27 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
DE102012215524A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102013205179A1 (de) * 2013-03-25 2014-09-25 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe und elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe
TWI626395B (zh) 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
CN108198807A (zh) * 2013-11-18 2018-06-22 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
DE102013113190B4 (de) * 2013-11-28 2025-10-30 Pictiva Displays International Limited Elektronisches Bauteil
DE102014102029A1 (de) * 2014-02-18 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement
DE102014114372B4 (de) * 2014-10-02 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102015100575A1 (de) * 2015-01-15 2016-07-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
CN104868031B (zh) * 2015-04-09 2018-01-16 武汉华星光电技术有限公司 一种发光器件
WO2017038110A1 (ja) * 2015-08-28 2017-03-09 日立化成株式会社 半導体装置及びその製造方法
DE102015114587A1 (de) * 2015-09-01 2017-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
KR102534245B1 (ko) 2016-05-04 2023-05-18 삼성전자주식회사 칩 스케일 렌즈를 포함한 발광장치
DE102016114275B4 (de) * 2016-08-02 2024-03-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Multichipmodul und verfahren zu dessen herstellung
FR3062953A1 (fr) 2017-02-15 2018-08-17 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif comportant une pluralite de diodes
DE102017107234A1 (de) * 2017-04-04 2018-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterbauelemente und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
CN120224862A (zh) * 2017-05-31 2025-06-27 群创光电股份有限公司 显示设备及其形成方法
US10572747B2 (en) * 2017-05-31 2020-02-25 Innolux Corporation Display apparatus
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US12100696B2 (en) 2017-11-27 2024-09-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode for display and display apparatus having the same
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) * 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
EP3591345B1 (de) * 2018-07-02 2020-11-11 Dr. Johannes Heidenhain GmbH Verfahren zur herstellung einer lichtquelle für eine sensoreinheit einer positionsmesseinrichtung sowie eine positionsmesseinrichtung
DE102018119688B4 (de) * 2018-08-14 2024-06-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem ersten Kontaktelement, welches einen ersten und einen zweiten Abschnitt aufweist sowie Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements
US11637219B2 (en) 2019-04-12 2023-04-25 Google Llc Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate
US11056443B2 (en) 2019-08-29 2021-07-06 Micron Technology, Inc. Apparatuses exhibiting enhanced stress resistance and planarity, and related methods
DE102020102952B4 (de) * 2020-02-05 2024-09-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur selektion von halbleiterbauelementen
DE102022103970A1 (de) * 2022-02-21 2023-08-24 Ams-Osram International Gmbh Anzeigeeinheit, anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung einer anzeigeeinheit
WO2025113925A1 (en) * 2023-12-01 2025-06-05 Ams-Osram International Gmbh Method for producing an optoelectronic component and optoelectronic component

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3009985A1 (de) * 1980-03-14 1981-09-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Montageverfahren zur herstellung von leuchtdiodenzeilen
DE19854414A1 (de) * 1997-11-26 1999-05-27 Rohm Co Ltd Lichtemittierende Vorrichtung
DE10017336A1 (de) * 2000-04-07 2001-10-18 Vishay Semiconductor Gmbh verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiter-Wafern
US6410940B1 (en) * 2000-06-15 2002-06-25 Kansas State University Research Foundation Micro-size LED and detector arrays for minidisplay, hyper-bright light emitting diodes, lighting, and UV detector and imaging sensor applications
JP2002344028A (ja) * 2001-05-16 2002-11-29 Sony Corp 素子の転写方法及び画像表示装置の製造方法
US6818531B1 (en) * 2003-06-03 2004-11-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method for manufacturing vertical GaN light emitting diodes
DE102004030603A1 (de) * 2003-06-24 2005-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Halbleiterchips
DE10353679A1 (de) * 2003-11-17 2005-06-02 Siemens Ag Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module
US6956246B1 (en) * 2004-06-03 2005-10-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Resonant cavity III-nitride light emitting devices fabricated by growth substrate removal
DE102004021233A1 (de) * 2004-04-30 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
EP1662587A2 (en) * 2004-11-08 2006-05-31 LG Electronics, Inc. Light emitting device and method for fabricating the same
JP2006140398A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Sony Corp 素子転写方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP2001127071A (ja) * 1999-08-19 2001-05-11 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
US8829546B2 (en) * 1999-11-19 2014-09-09 Cree, Inc. Rare earth doped layer or substrate for light conversion
JP4822484B2 (ja) * 2001-06-19 2011-11-24 シチズン電子株式会社 表面実装型電子部品とその製造方法
JP3942500B2 (ja) * 2002-07-02 2007-07-11 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004111675A (ja) 2002-09-19 2004-04-08 Sony Corp 実装方法
JP4572604B2 (ja) 2003-06-30 2010-11-04 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置
US20070126016A1 (en) * 2005-05-12 2007-06-07 Epistar Corporation Light emitting device and manufacture method thereof
TWI246783B (en) * 2003-09-24 2006-01-01 Matsushita Electric Works Ltd Light-emitting device and its manufacturing method
WO2006005062A2 (en) 2004-06-30 2006-01-12 Cree, Inc. Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices
US7256483B2 (en) * 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
JP2008523637A (ja) * 2004-12-14 2008-07-03 ソウル オプト−デバイス カンパニー リミテッド 複数の発光セルを有する発光素子及びそれを搭載したパッケージ
EP2280430B1 (en) * 2005-03-11 2020-01-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
JP2006278766A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Seiko Epson Corp 発光素子の実装構造及び実装方法
US7736945B2 (en) 2005-06-09 2010-06-15 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate
DE102005055293A1 (de) 2005-08-05 2007-02-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips und Dünnfilm-Halbleiterchip
US7285849B2 (en) * 2005-11-18 2007-10-23 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die package using leadframe and clip and method of manufacturing
DE102007004301A1 (de) 2006-08-04 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Dünnfilm-Halbleiterbauelement
US7800208B2 (en) * 2007-10-26 2010-09-21 Infineon Technologies Ag Device with a plurality of semiconductor chips

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3009985A1 (de) * 1980-03-14 1981-09-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Montageverfahren zur herstellung von leuchtdiodenzeilen
DE19854414A1 (de) * 1997-11-26 1999-05-27 Rohm Co Ltd Lichtemittierende Vorrichtung
DE10017336A1 (de) * 2000-04-07 2001-10-18 Vishay Semiconductor Gmbh verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiter-Wafern
US6410940B1 (en) * 2000-06-15 2002-06-25 Kansas State University Research Foundation Micro-size LED and detector arrays for minidisplay, hyper-bright light emitting diodes, lighting, and UV detector and imaging sensor applications
JP2002344028A (ja) * 2001-05-16 2002-11-29 Sony Corp 素子の転写方法及び画像表示装置の製造方法
US6818531B1 (en) * 2003-06-03 2004-11-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method for manufacturing vertical GaN light emitting diodes
DE102004030603A1 (de) * 2003-06-24 2005-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Halbleiterchips
DE10353679A1 (de) * 2003-11-17 2005-06-02 Siemens Ag Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module
DE102004021233A1 (de) * 2004-04-30 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
US6956246B1 (en) * 2004-06-03 2005-10-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Resonant cavity III-nitride light emitting devices fabricated by growth substrate removal
EP1662587A2 (en) * 2004-11-08 2006-05-31 LG Electronics, Inc. Light emitting device and method for fabricating the same
JP2006140398A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Sony Corp 素子転写方法

Cited By (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8653540B2 (en) 2007-04-26 2014-02-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor body and method for producing the same
US8450751B2 (en) 2007-04-26 2013-05-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor body and method for producing the same
US8247259B2 (en) 2007-12-20 2012-08-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for the production of an optoelectronic component using thin-film technology
WO2009079982A3 (de) * 2007-12-20 2009-10-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung von halbleiterchips und halbleiterchip
DE102008026839A1 (de) 2007-12-20 2009-07-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements in Dünnschichttechnik
DE102008030815A1 (de) * 2008-06-30 2009-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen
US8431422B2 (en) 2008-06-30 2013-04-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a multiplicity of optoelectronic components
DE102008049535A1 (de) 2008-09-29 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul und Herstellungsverfahren
WO2010136326A1 (de) * 2009-05-28 2010-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbarer optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen halbleiterchips
WO2011015449A1 (de) * 2009-08-07 2011-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement
CN102473814A (zh) * 2009-08-07 2012-05-23 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件
US10665747B2 (en) 2009-08-07 2020-05-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
US11239386B2 (en) 2009-08-07 2022-02-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
US9985171B2 (en) 2009-08-07 2018-05-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
US9728683B2 (en) 2009-08-07 2017-08-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
US11749776B2 (en) 2009-08-07 2023-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
DE102009036621B4 (de) 2009-08-07 2023-12-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US9490396B2 (en) 2009-08-07 2016-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
US12002901B2 (en) 2009-08-07 2024-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
US9209328B2 (en) 2009-08-07 2015-12-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
US8723192B2 (en) 2009-08-07 2014-05-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component
US9419193B2 (en) 2009-10-28 2016-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an opto-electronic component
WO2011051084A1 (de) * 2009-10-28 2011-05-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
DE102009056386B4 (de) 2009-11-30 2024-06-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US8012856B2 (en) 2009-11-30 2011-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of producing semiconductor components
DE102009056386A1 (de) * 2009-11-30 2011-06-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
EP2360748A3 (en) * 2010-02-11 2014-06-04 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package
DE102010009455B4 (de) 2010-02-26 2021-07-08 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlaservorrichtung mit einem Halbleiterlaserchip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010009455A1 (de) * 2010-02-26 2011-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaservorrichtung mit einem Halbleiterlaserchip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010027253B4 (de) 2010-07-15 2022-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
EP2423987A3 (en) * 2010-08-26 2014-12-03 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device, light emitting device package, and light unit
US9153735B2 (en) 2010-09-22 2015-10-06 Osram Opto Semiconductor Gmbh Optoelectronic semiconductor component
WO2012038483A3 (de) * 2010-09-22 2012-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102011011861A1 (de) * 2011-02-21 2012-08-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchipgehäuseanordnung und Herstellungsverfahren
DE102011012924A1 (de) * 2011-03-03 2012-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Träger für eine optoelektronische Struktur und optoelektronischer Halbleiterchip mit solch einem Träger
US9076898B2 (en) 2011-03-03 2015-07-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Carrier for an optoelectronic structure comprising a structured electronically conductive layer at the top side of main body, and optoelectronic semiconductor chip comprising such a carrier
DE102012101409A1 (de) * 2011-12-23 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
US9825198B2 (en) 2011-12-23 2017-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of producing a plurality of optoelectronic semiconductor chips, and optoelectronic semiconductor chip
US9209372B2 (en) 2012-06-01 2015-12-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic module and method for producing an optoelectronic module
DE102012025896B4 (de) 2012-06-01 2024-10-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Modul
DE102012209325B4 (de) 2012-06-01 2021-09-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Modul
DE102012209325A1 (de) * 2012-06-01 2013-12-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Moduls
US9577151B2 (en) 2013-04-23 2017-02-21 Koninklijke Philips N.V. Side interconnect for light emitting device
WO2014174400A1 (en) * 2013-04-23 2014-10-30 Koninklijke Philips N.V. Side interconnect for light emitting device
US9768368B2 (en) 2013-04-23 2017-09-19 Koninklijke Philips N.V. Side interconnect for light emitting device
US9847467B2 (en) 2013-10-28 2017-12-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for the production thereof
WO2015063034A1 (de) * 2013-10-28 2015-05-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE112016000901B4 (de) 2015-02-25 2021-10-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen
DE102015107742A1 (de) * 2015-05-18 2016-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils und optoelektronisches Bauteil
US10396260B2 (en) 2015-05-18 2019-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of producing an optoelectronic component and optoelectronic component
US10903406B2 (en) 2015-07-28 2021-01-26 Osram Oled Gmbh Housing comprising a semiconductor body and a method for producing a housing with a semiconductor body
DE102015214219A1 (de) * 2015-07-28 2017-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement
US10553571B2 (en) 2016-04-15 2020-02-04 Glo Ab Method of forming an array of a multi-device unit cell
US9893041B2 (en) * 2016-04-15 2018-02-13 Glo Ab Method of forming an array of a multi-device unit cell
WO2018141834A1 (de) * 2017-02-06 2018-08-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und herstellungsverfahren hierfür
US11462500B2 (en) 2018-01-26 2022-10-04 Osram Oled Gmbh Optoelectronic semiconductor device and method for producing optoelectronic semiconductor devices
WO2019145350A1 (de) * 2018-01-26 2019-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
DE102018104290B4 (de) 2018-02-26 2025-01-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
WO2021083838A1 (de) * 2019-10-30 2021-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement
US20220376133A1 (en) * 2019-10-30 2022-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component and Optoelectronic Semiconductor Component

Also Published As

Publication number Publication date
TW200910653A (en) 2009-03-01
JP2010532090A (ja) 2010-09-30
CN101681969A (zh) 2010-03-24
US8461601B2 (en) 2013-06-11
JP5550550B2 (ja) 2014-07-16
CN101681969B (zh) 2013-01-09
EP2162928A1 (de) 2010-03-17
US20100276706A1 (en) 2010-11-04
EP2162928B1 (de) 2018-04-11
WO2009003442A1 (de) 2009-01-08
TWI379439B (en) 2012-12-11
KR20100028654A (ko) 2010-03-12
KR101460392B1 (ko) 2014-11-10

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DE112012005357B4 (de) Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
EP2162927B1 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen bauelementen
DE102007019775B4 (de) Optoelektronisches Bauelement
EP2149160B1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung einer mehrzahl optoelektronischer bauelemente
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WO2014048830A1 (de) Optoelektronisches bauelement
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