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Die
Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit Photodiode,
insbesondere einen Bildsensor, sowie auf Verfahren zur Herstellung
desselben.
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Bildsensoren
sind Halbleiterbauelemente, die optische Bilder in elektrische Signale
umwandeln. Bildsensoren können
in solche mit ladungsgekoppelten Bauelementen (CCD-Bildsensoren)
und CMOS-Bildsensoren klassifiziert werden. Ein CMOS-Bildsensor
beinhaltet eine Photodiode, die optische Signale empfängt, und
einen MOS-Transistor, der die optischen Signale innerhalb eines
Einheitspixels steuert. Der CCD-Bildsensor weist ein kompliziertes
Treibersystem und einen komplizierten Herstellungsprozess auf. In
einem CCD-Chip sind Signalverarbeitungsschaltkreise schwierig herzustellen.
Im Gegensatz dazu kann der CMOS-Bildsensor durch Standard-CMOS-Techniken
hergestellt werden und kann zusammen mit anderen Signalverarbeitungsschaltkreisen
in einen einzigen Schaltkreis integriert werden.
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Eine
CMOS-Bildsensorfertigung beinhaltet das Bilden einer Bauelementisolationsschicht
auf einem Siliciumsubstrat, um die aktiven Photodiodenbereiche und
die aktiven MOS-Transistorbereiche zu definieren. Ein CMOS-Bildsensor
kann kristalline Defekte, wie nicht abgesättigte Bindungen (dangling
bonds), an einer Grenzfläche
zwischen der Bauelementisolationsschicht und dem Substrat des aktiven
Photodiodenbereichs aufweisen. Wenn zum Beispiel die Bauelementisolationsschicht
eine Struktur mit flacher Grabenisolation (STI) aufweist, wie einen
Graben, der durch Ätzen
des Substrats gebildet und mit einer isolierenden Schicht gefüllt wird,
können
beim Ätzen
des Substrats kristalline Defekte auftreten. Die kristallinen Defekte,
die als Einfangstellen für
Elektronen wirken, können
zu Defekt- oder Rauschkomponenten jedes Pixels werden, die den Dunkelstrom
erhöhen,
d.h. den Strom, der in der Photodiode weiterfließt, wenn kein einfallendes
Licht vorhanden ist. Somit können
die kristallinen Defekte des Bauelementisolationsbereichs die bildgebenden
Eigenschaften des CMOS-Bildsensors degradieren.
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Das
Bilden eines Störstellenbereichs
in einem unteren Teil des Grabens unter Verwendung von Ionenimplantation
ist schwierig. Da der Ionenstrahl, der zur Ionenimplantation verwendet
wird, eine Vorzugsrichtung nach vorn aufweist, wird der Störstellenbereich
hauptsächlich
unter dem Graben gebildet, ohne die Seiten des Grabens zu umgeben.
Der Ionenstrahl oder das Substrat können während des Implantationsprozesses
gekippt werden, so dass der Störstellenbereich
auf den Seiten des Grabens gebildet wird, jedoch ohne Störstellenbereich,
der unter dem Graben gebildet wird. Ein kristalliner Defekt, der
in der Grenzfläche
eines Grabens auftritt, der nicht von einem Störstellenbereich umgeben ist,
kann den Dunkelstrom erzeugen. Da Halbleiterbauelemente immer höher integriert
werden, werden die Gräben
immer tiefer und enger gemacht. In einem derartigen Fall wird es
schwieriger, den Störstellenbereich
durch Ionenimplantation so zu bilden, dass er den Graben umgibt.
Als ein Ergebnis kann der Dunkelstrom erhöht sein.
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Da
die Ionenimplantation außerdem
unter Bedingungen mit relativ hoher Energie durchgeführt wird, wird
der Störstellenbereich
im Allgemeinen dick ausgebildet. Dies neigt dazu, den Verarmungsbereich
der Photodiode schrumpfen zu lassen, die benachbart zu dem Graben
ausgebildet wird, was den Sättigungsstrom der
Photodiode verringern kann.
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Der
Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung eines
Halbleiterbauelements mit Photodiode sowie eines zugehörigen Herstellungsverfahrens
zugrunde, mit denen sich die oben erwähnten Schwierigkeiten des Standes
der Technik reduzieren oder eliminieren lassen.
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Die
Erfindung löst
dieses Problem durch die Bereitstellung eines Herstellungsverfahrens
mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und eines Halbleiterbauelements
mit den Merkmalen des Anspruchs 16.
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Vorteilhafte
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
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Vorteilhafte
Ausführungsformen
der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend
beschrieben. Hierbei zeigen:
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1 ein
Ersatzschaltbild eines Einheitspixels eines CMOS-Bildsensors,
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2 eine
Draufsicht, die ausschnittweise eine Pixelfeldeinheit zur Realisierung
des in 1 dargestellten CMOS-Bildsensors veranschaulicht,
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3A bis 3F Schnittansichten
entlang einer Linie I-I von 2, die ein
Verfahren zur Herstellung des CMOS-Bildsensors in aufeinanderfolgenden
Schritten veranschaulichen,
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4 ein
Blockdiagramm eines Computerprozessorsystems, das mit einem CMOS-Bildsensor
ausgerüstet
ist,
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5 eine
graphische Darstellung, die eine Bordichte in Relation zu einer
Seitenwandtiefe von Proben zeigt, die aus Experimenten sowie einem
Vergleichsfall resultieren, und
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6 eine
photographische Aufnahme, die einen experimentell erhaltenen Graben-Bauelementisolationsbereich
zeigt.
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Im
Folgenden werden exemplarische Ausführungsformen der Erfindung
detailliert unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
Es versteht sich, dass wenn ein Element, wie eine Schicht, ein Film,
ein Bereich oder ein Substrat, als "auf" einem
anderen Element bezeichnet wird, es direkt auf dem anderen Element
liegen kann oder auch zwischenliegende Elemente vorhanden sein können. Gleiche
Bezugszeichen beziehen sich überall
in der Beschreibung der Figuren auf gleiche oder identische Elemente.
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1 zeigt
im Ersatzschaltbild ein Einheitspixel PX eines CMOS-Bildsensors gemäß einer
exemplarischen Ausführungsform
der Erfindung. Bezugnehmend auf 1 beinhaltet
das Einheitspixel PX eine erste Photodiode 140, eine zweite
Photodiode 150, einen ersten Transfertransistor 120,
einen zweiten Transfertransistor 130, einen Rücksetztransistor 160,
einen Treibertransistor 170 und einen Auswahltransistor 180.
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Die
erste und die zweite Photodiode 140 und 150 sind
mit Sourceelektroden des ersten bzw. des zweiten Transfertransistors 120, 130 verbunden.
Drainelektroden der Transfertransistoren 120 und 130 teilen
sich einen floatenden Diffusionsbereich FD, der ein floatender Knoten ist.
Der Rücksetztransistor 160,
der Auswahltransistor 180 und der Treibertransistor 170 sind
seriell mit dem floatenden Knoten FD verbunden. Der floatende Knoten
FD ist außerdem
mit einem Gate des Treibertransistors 170 verbunden. Eine
Leistungsquelle Vdd ist mit einem Knoten zwischen dem Rücksetztransistor 160 und
dem Auswahltransistor 180 verbunden.
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Im
Folgenden wird unter Bezugnahme auf 1 das Treiben
eines Einheitspixels PX gemäß einer
exemplarischen Ausführungsform
der Erfindung beschrieben. Wenn einem Gate des Rücksetztransistors 160 ein Rücksetzsignal
Rx zugeführt
wird, wird der Rücksetztransistor 160 eingeschaltet.
Das elektrische Potential des floatenden Knotens FD wird auf eine
Leistungsversorgungsspannung zurückgesetzt.
Dann wird der Rücksetztransistor 160 ausgeschaltet.
Das auf die Photodioden 140 und 150 einfallende
Licht bewirkt, dass Elektron-Loch-Paare proportional zu dem einfallenden
Licht erzeugt werden. Die erzeugten Signalladungen werden durch
Gatebarrieren der Transfertransistoren 120 und 130 in
den Photodioden 140 und 150 eingefangen.
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Wenn
einem Gate eines der Transfertransistoren 120 oder 130 ein
Transfersignal Tx1 zugeführt wird, wird dieser eingeschaltet.
Wenn das Transfersignal Tx1 zum Beispiel
dem ersten Transfertransistor 120 zugeführt wird, wird der erste Transfertransistor 120 eingeschaltet.
In diesem Fall werden die in der ersten Photodiode 140 eingefangenen
Signalladungen zu dem floatenden Knoten FD transferiert, um das
Potential des floatenden Knotens FD zu ändern. Die Gatevorspannung
des Treibertransistors 170 wird geändert, und so wird die Stromsteuerbarkeit
des Treibertransistors 170 bestimmt. Zu diesem Zeitpunkt
wird einem Gate des Auswahltransistors 180 ein Auswahlsignal
SEL zugeführt,
und der Auswahltransistor 180 wird eingeschaltet. Als Ergebnis
fließt
ein Strom entsprechend dem Potential des floatenden Knotens FD durch
den Treibertransistor 170, der als eine Ausgangsspannung
Vout zugeführt
wird.
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Hierbei
bezeichnet Tx2 ein Transfersignal, das einem
Gate des zweiten Transfertransistors 130 zugeführt wird.
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Wie
vorstehend beschrieben, beinhaltet das Einheitspixel wenigstens
zwei Photodioden, und die Transistoren werden gemeinsam genutzt,
um die Signale von den Photodioden bereitzustellen, und die Einheitspixelfläche ist
verringert, was sowohl eine höhere
Integration als auch einen erhöhten
Füllfaktor
ermöglicht.
Es versteht sich, dass das Einheitspixel eine einzelne Photodiode
oder wenigstens drei Photodioden aufweisen kann und die Anordnung
und Anzahl der Transistoren geeignet modifiziert werden kann.
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2 zeigt
in Draufsicht ausschnittweise eine Pixelfeldeinheit gemäß einer
exemplarischen Ausführungsform
der Erfindung zur Realisierung des in 1 dargestellten
CMOS-Bildsensors. Bezugnehmend auf 2 beinhaltet
die Pixelfeldeinheit Einheitspixel PX, die in Zeilen und Spalten
angeordnet sind. Das Einheitspixel PX beinhaltet einen ersten aktiven
Bereich 110 und einen zweiten aktiven Bereich 115,
die durch Bilden eines Graben-Bauelementisolationsbereichs in einem
vorgegebenen Bereich eines Substrats definiert sind. Der erste aktive
Bereich 110 beinhaltet einen ersten und einen zweiten aktiven
Photodiodenbereich 110_1 und 110_2, die voneinander
beabstandet sind, sowie einen aktiven Transfertransistorbereich 110_3,
der sich von dem ersten und dem zweiten aktiven Photodiodenbereich 110_1 und 110_2 aus
erstreckt, um den ersten und den zweiten aktiven Photodiodenbereich 110_1 und 110_2 zu
verbinden. Ein aktiver Rücksetztransistorbereich 110_4 erstreckt
sich von dem aktiven Transfertransistorbereich 110_3 aus.
Die erste und die zweite Photodiode 140 und 150 sind
in dem ersten und dem zweiten aktiven Photodiodenbereich 110_1 und 110_2 ausgebildet.
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Auf
dem ersten und dem zweiten aktiven Bereich 110 und 115 sind
eine erste Transfergateelektrode 123, eine zweite Transfergateelektrode 133, eine
Rücksetzgateelektrode 163,
eine Auswahlgateelektrode 183 und einer Treibergateelektrode 173 angeordnet.
Die erste und die zweite Transfergateelektrode 123 und 133 queren über dem
aktiven Transfertransistorbereich 110_3 in einer Weise,
dass sie benachbart zu dem ersten bzw. dem zweiten aktiven Photodiodenbereich 110_1, 110_2 sind.
In dem aktiven Transfertransistorbereich 110_3, der zwischen
der ersten und der zweiten Transfergateelektrode 123 und 133 freiliegt,
ist ein floatender Diffusionsbereich FD ausgebildet. Die Rücksetzgateelektrode 163 quert über dem
aktiven Rücksetztransistorbereich 110_4 und
ist benachbart zu dem floatenden Diffusionsbereich FD. Außerdem queren
die Auswahlgateelektrode 183 und die Treibergateelektrode 173 über dem
zweiten aktiven Bereich 115.
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Auf
den Gateelektroden 123, 133, 163, 173 und 183 sind
nicht gezeigte Zwischenverbindungen angeordnet. Eine Zwischenverbindung
ermöglicht
zum Beispiel, dass ein aktiver Bereich gegenüber dem floatenden Diffusionsbereich
FD außerhalb
des aktiven Rücksetztransistorbereichs 110_4 benachbart
zu der Rücksetzgateelektrode 163 mit
dem zweiten aktiven Bereich 115, der an einer Seite der
Auswahlgateelektrode 183 freiliegt, elektrisch verbunden
ist, und sie ist mit der Leistungsquelle Vdd von 1 verbunden.
Eine weitere Zwischenverbindung ermöglicht, dass der floatende
Diffusionsbereich FD mit der Treibergateelektrode 173 elektrisch
verbunden ist.
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Andererseits
können
Intervalle Wa und Wb zwischen den Photodioden 140 und 150 reduziert
sein, um die Fläche
des Einheitspixels PX zu verringern und den Füllfaktor zu erhöhen. Um
zu verhindern, dass Übersprechen
zwischen den Photodioden 140 und 150 auftritt,
kann der Graben-Bauelementisolationsbereich zwischen dem ersten
und dem zweiten aktiven Photodiodenbereich 110_1 und 110_2 noch
tiefer gemacht werden.
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Die 3A bis 3F veranschaulichen
ein Verfahren zur Herstellung des CMOS-Bildsensors gemäß einer
exemplarischen Ausführungsform
der Erfindung speziell anhand eines Pixelbereichs und eines peripheren
Schaltkreisbereichs. Der periphere Schaltkreisbereich ist in einer
Peripherie der in 2 dargestellten Pixelfeldeinheit
platziert, und darin ist ein Treiberschaltkreis zum Treiben der
Pixelfeldeinheit angeordnet.
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Bezugnehmend
auf 3A wird ein Substrat 100' mit einem Pixelbereich und einem
peripheren Schaltkreisbereich bereitgestellt. Das Substrat 100' weist ein Basissubstrat 100 und
eine epitaxiale Schicht 101 auf, die einen ersten Leitfähigkeitstyp
besitzt und auf dem Basissubstrat 100 ausgebildet wird.
Der erste Leitfähigkeitstyp
kann z.B. p-leitend sein.
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Auf
dem Substrat 100' werden
eine Kontaktstellenisolationsschicht 103 und eine Hartmaskenschicht 104 sequentiell
gestapelt. Die Hartmaskenschicht 104, z.B. eine Siliciumnitridschicht,
wird als eine Hartmaske verwendet, wenn ein Graben gebildet wird,
der später
beschrieben wird. Die Kontaktstellenisolationsschicht 103,
z.B. eine Siliciumoxidschicht, löst
auf das Substrat 100' beim
Stapeln der Hartmaskenschicht 104 einwirkende mechanische
Spannungen.
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Auf
der Hartmaskenschicht 104 wird eine nicht gezeigte Photoresiststruktur
gebildet. Die Hartmaskenschicht 104 und die Kontaktstellenisolationsschicht 103 werden
unter Verwendung der Photoresiststruktur als Maske geätzt, wodurch
das Substrat 100' teilweise
freigelegt wird. Dann wird die Photoresiststruktur entfernt.
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Die
Hartmaskenschicht 104 wird als Maske verwendet, um ein
freigelegtes Gebiet des Substrats 100' zu ätzen. Gräben 100a und 100b werden
in dem Substrat 100' gebildet.
In einer exemplarischen Ausführungsform
der Erfindung werden die Gräben 100a und 100b in
der epitaxialen Schicht 101 gebildet und definieren die
aktiven Bereiche. Zum Beispiel definiert ein Pixelgraben 100a,
der in dem Substrat 100' des
Pixelbereichs ausgebildet ist, einen aktiven Pixelbereich. Ein Schaltkreisgraben 100b definiert
einen aktiven Schaltkreisbereich, der in dem Substrat 100' des peripheren
Schaltkreisbereichs ausgebildet ist. Der aktive Pixelbereich beinhaltet
den ersten und den zweiten aktiven Photodiodenbereich 110_1 und 110_2 von 2 und
den aktiven Transfertransistorbereich 110_3 von 2.
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Bezugnehmend
auf 3B wird eine Pufferisolationsschicht 105 auf
dem Substrat 100' dort
gestapelt, wo die Gräben 100a und 100b ausgebildet
sind. Die Pufferisolationsschicht 105 wird auf der Hartmaskenschicht 104 gebildet,
indem die Gräben 100a und 100b aufgefüllt werden.
Auf der Pufferisolationsschicht 105 wird eine Photoresiststruktur 109 gebildet.
Die Photoresiststruktur 109 bedeckt eine gesamte Oberfläche des peripheren
Schaltkreisbereichs, ist jedoch in dem Pixelbereich zu der Hartmaskenschicht 104 justiert,
um die Pufferisolationsschicht 105 auf einer Oberseite
des Pixelgrabens 100a freizulegen.
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Die
freigelegte Pufferisolationsschicht 105 wird unter Verwendung
der Photoresiststruktur 109 als Maske geätzt. Daher
wird die Pufferisolationsschicht 105 innerhalb des Pixelgrabens 100a sorgfältig geätzt, und
ein Boden des Pixelgrabens 100a wird freigelegt. Dann wird
der Boden des freigelegten Pixelgrabens 100a geätzt, um
einen tiefen Pixelgraben 100a' zu bilden, wie in 3C dargestellt.
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Während der
tiefe Pixelgraben 100a' gebildet
wird, kann die Photoresiststruktur 109 geätzt werden, und
eine Oberseite der Pufferisolationsschicht 105 kann teilweise
geätzt
werden. Die Pufferisolationsschicht 105 wirkt als eine Ätzpufferschicht,
welche die Hartmaskenschicht 104 nicht freilegt, während der
tiefe Pixelgraben 100a',
wie vorstehend beschrieben, gebildet wird.
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Bezugnehmend
auf 3C ist die Tiefe des tiefen Pixelgrabens 100a' größer als
jene des Schaltkreisgrabens 100b. Die aktiven Photodiodenbereiche 110_1 und 110_2 von 2 sind
ausreichend voneinander separiert, um Übersprechen zu verhindern,
das dazu neigt, zwischen den Photodioden aufzutreten, die in einem
nachfolgenden Prozess gebildet werden. Gemäß einer exemplarischen Ausführungsform
der Erfindung weist der tiefe Pixelgraben 100a' eine Tiefe
von etwa 1 μm
bis etwa 4 μm
auf und kann Übersprechen
verhindern. Der Schaltkreisgraben 100b kann ein flacher
Graben mit einer Tiefe von etwa 0,4 μm oder weniger sein. Es versteht
sich jedoch, dass der Pixelgraben als ein flacher Graben von 0,4 μm oder weniger
gebildet werden kann.
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Sowohl
der tiefe Pixelgraben 100a' als
auch der Schaltkreisgraben 100b können innerhalb der epitaxialen
Schicht 101 gebildet werden. Es versteht sich, dass der
Schaltkreisgraben 100b innerhalb der epitaxialen Schicht 101 gebildet
werden kann und der tiefe Pixelgraben 100a' die epitaxiale Schicht 101 durchdringen kann.
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Danach
werden Störstellen
in den Boden und die Seitenwand des Pixelgrabens 100a' dotiert, um
einen Kanalstopp-Störstellenbereich 106 zu
bilden, der den Boden und die Seitenwand des Pixelgrabens 100a' umgibt. Wenn
der Kanalstopp-Störstellenbereich 106 den
Boden und die Seitenwand des Pixelgrabens 100a' vollständig umgibt,
wird die Freilegung einer Grenzfläche des Pixelgrabens 100a' verhindert.
In einer exemplarischen Ausführungsform
der Erfindung umgibt der Kanalstopp-Störstellenbereich 106 den
Boden und die Seitenwand des Pixelgrabens 100a' konform, und
der Dunkelstrom und Rauschen, die von einem Grenzflächendefekt
des Pixelgrabens 100a' verursacht
werden, können
verringert werden.
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Die
Störstellendotierung
kann ein Plasmadotierprozess sein. Das Substrat 100 mit
dem Pixelgraben 100a' wird
zum Beispiel in einer nicht gezeigten Plasmadotierkammer platziert,
und ein Dotiergas als Quellengas wird in die Kammer eingebracht.
Dann wird das Dotiergas zur Erzeugung eines Plasmas verwendet, und an
das Substrat 100 wird eine Spannung angelegt, um Ionen
des Plasmas in das Substrat 100 zu dotieren, z.B. das Innere
des Pixelgrabens 100a'.
In einer exemplarischen Ausführungsform
der Erfindung bildet das Plasma den Kanalstopp-Störstellenbereich 106,
der den Boden und die Seitenwand des Pixelgrabens 100a' umgibt. Wenn
der Pixelgraben 100a' zum
Beispiel als eine tiefe Grabenkonfiguration gebildet wird, wie vorstehend
beschrieben, kann Plasmadotierung effektiv den Kanalstopp-Störstellenbereich 106 bilden,
der den Boden und die Seitenwand des tiefen Grabens umgibt. Wenn
Plasmadotierung verwendet wird, werden die Störstellen durch Konzentrieren
auf einen Teil in Kontakt mit dem Pixelgraben 100a' verteilt, und
eine Dichte der Störstellen
nimmt kontinuierlich von dem Pixelgraben 100a' weg ab. Der
Kanalstopp-Störstellenbereich 106 kann
dünn gebildet
werden, und ein Verarmungsbereich der Photodiode, die später gebildet
wird, wird nicht reduziert, und die Abnahme des Sättigungsstroms
kann verhindert werden.
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Das
Dotierstoffgas kann zum Beispiel BF3, B2H6, BCl3 oder
jegliche Kombination derselben umfassen. Bor kann in den Kanalstopp-Störstellenbereich 106 dotiert
werden. Das Quellengas kann ein Verdünnungsgas zusammen mit dem
Dotierstoffgas beinhalten. Das Verdünnungsgas kann zum Beispiel
H2, N2, O2, F2, He, Ar, Xe
oder jegliche Kombinationen derselben umfassen. Das Verdünnungsgas
kann gleichmäßig in einer
Dichte des Plasmas dispergiert sein, was den Kanalstopp-Störstellenbereich 106 über den
Boden und die Seitenwand des Pixelgrabens 100a' hinweg verteilt.
In exemplarischen Ausführungsformen
der Erfindung umgibt der Kanalstopp-Störstellenbereich 106 den
Boden und die Seitenwand des tiefen Grabens. Die Dicke des Ka nalstopp-Störstellenbereichs 106 auf
der Seite des Pixelgrabens 100a' kann zum Beispiel ein Verhältnis von
0,5 bis 1 bezüglich
der Dicke des Kanalstopp-Störstellenbereichs 106 unter
dem Pixelgraben 100a' aufweisen.
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Vor
der Dotierung der Störstellen
kann eine Oxidschicht 108 innerhalb des Pixelgrabens 100a' gebildet werden.
Die Oxidschicht 108 kann ein Hereinströmen von Material außer Bor
bei der Durchführung
der Plasmadotierung blockieren. Die Oxidschicht 108 kann
eine thermische Oxidschicht sein. Wenn die thermische Oxidschicht
gebildet wird, kann Schädigungen
abgeholfen werden, wie einem Gitterdefekt, der innerhalb des Grabens 100a' auftritt. Plasmadotierung
kann zum Beispiel mit einer Energie in einem Bereich von etwa 1
kV bis etwa 7 kV durchgeführt
werden und kann den Dunkelstrom verhindern und die Abnahme des Sättigungsstroms
verhindern.
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In
einer exemplarischen Ausführungsform
der Erfindung wird Plasmadotierung mit einer Dosis in einem Bereich
von etwa 0,1 × 1013 Atome/cm2 bis
etwa 1,0 × 1018 Atome/cm2 durchgeführt.
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Bezugnehmend
auf 3D wird eine zwischenraumfüllende Materialschicht 107 innerhalb
des störstellendotierten
Pixelgrabens 100a' gebildet.
Die zwischenraumfüllende
Materialschicht 107 kann eine isolierende Schicht beinhalten.
Die zwischenraumfüllende
Materialschicht 107 wird auf einer Oberseite der Pufferisolationsschicht 105 gebildet.
Die zwischenraumfüllende
Materialschicht 107 kann ein isolierendes Material beinhalten,
wie zum Beispiel ein Oxid aus einer chemischen Gasphasenabscheidung
mit einem Plasma hoher Dichte (HDP-CVD) mit einer ausgezeichneten
Zwischenraumfülleigenschaft
oder undotiertes Silicatglas (USG). An dem Substrat 100' mit der zwischenraumfüllenden
Materialschicht 107 darauf wird chemisch-mechanisches Polieren
(CMP) durchgeführt,
bis die Hartmaskenschicht 104 freigelegt ist, wodurch die zwischenraumfüllende Materialschicht 107 und
die Pufferisolationsschicht 105 planarisiert werden. Danach
werden die Hartmaskenschicht 104 und die Kontaktstellenisolationsschicht 103 entfernt,
um die aktiven Bereiche freizulegen.
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Wie
in 3E dargestellt, werden dann der Pixelgraben-Bauelementisolationsbereich 100a'', die zwischenraumfüllende Materialschicht 107,
der Schaltkreisgraben-Bauelementisolationsbereich 100b' und die Pufferisolationsschicht 105 gebildet.
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Innerhalb
des Substrats 100' des
peripheren Schaltkreisbereichs werden Störstellen mit einem zweiten
Leitfähigkeitstyp
implantiert, wodurch eine Mulde 102 mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp
gebildet wird. Der zweite Leitfähigkeitstyp
kann zum Beispiel n-leitend sein. Danach wird eine Gateisolationsschicht 119 auf
dem Substrat 100' gebildet,
und eine leitfähige
Gateschicht wird auf der Gateisolationsschicht 119 gebildet.
Die leitfähige
Gateschicht kann eine dotierte Polysiliciumschicht sein. Die leitfähige Gateschicht
wird strukturiert, um eine erste Transfergateelektrode 123 und
eine zweite Transfergateelektrode 133 auf dem aktiven Transfertransistorbereich 110_3 von 2 und
eine Schaltkreisgateelektrode 193 auf dem aktiven Schaltkreisbereich
zu bilden. Die Gateisolationsschicht 119 kann ebenfalls
strukturiert werden. Die erste und die zweite Transfergateelektrode 123 und 133 werden
benachbart zu dem ersten beziehungsweise zweiten aktiven Photodiodenbereich 110_1, 110_2 von 2 gebildet.
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Dann
wird eine erste Photoresiststruktur gebildet, die den aktiven Transfertransistorbereich 110_3 freilegt.
Danach werden unter Verwendung der ersten Photoresiststruktur und
der ersten und der zweiten Transfergateelektrode 123 und 133 als
Masken die Störstellen
mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp
implantiert, um einen floatenden Diffusionsbereich FD zu bilden.
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Anschließend wird
die erste Photoresiststruktur entfernt und es wird eine zweite Photoresiststruktur zum
Freilegen des aktiven Schaltkreisbereichs gebildet. Unter Verwendung
der zweiten Photoresiststruktur und der Schaltkreisgateelektrode 193 als
Masken werden die Störstellen
mit dem ersten Leitfähigkeitstyp
implantiert, um Source-/Drainbereiche 195 zu bilden.
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Nun
wird eine nicht gezeigte dritte Photoresiststruktur gebildet, welche
die aktiven Photodiodenbereiche 110_1 und 110_2 von 2 freilässt. Unter
Verwendung der dritten Photoresiststruktur als Maske werden die
Störstellen
mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp
in den ersten und den zweiten aktiven Photodiodenbereich 110_1, 110_2 von 2 mit
einer hohen Energie implantiert, wobei ein erster und zweiter unterer
Störstellenbereich 147 und 157 gebildet
werden. Dann wird die dritte Photoresiststruktur entfernt.
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Bezugnehmend
auf 3F wird eine Abstandshalterisolationsschicht auf
das Substrat 100' gestapelt. Die
Abstandshalterisolationsschicht wird anisotrop geätzt, um
Abstandshalter 129 entlang von Seitenwänden der Gateelektroden 123, 133 und 193 zu
bilden. Zur Freilegung der aktiven Photodiodenbereiche 110_1 und 110_2 von 2 wird
eine vierte Photoresiststruktur auf dem Substrat 100' mit den Abstandshaltern 129 gebildet.
Unter Verwendung der vierten Photoresiststruktur und der Abstandshalter 129 als
Masken werden die Störstellen
mit dem ersten Leitfähigkeitstyp
mit einer geringen Energie implantiert, um einen ersten und einen zweiten
oberen Störstellenbereich 145 und 155 zu
bilden. Der erste und der zweite obere Störstellenbereich 145 und 155 werden
innerhalb des ersten beziehungsweise des zweiten unteren Störstellenbereichs 147, 157 gebildet.
Der erste obere Störstellenbereich 145 und
der erste untere Störstellenbereich 147 beinhalten
die erste Photodiode 140.
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Der
zweite obere Störstellenbereich 155 und
der zweite untere Störstellenbereich 157 beinhalten
die zweite Photodiode 150.
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Der
erste und der zweite obere Störstellenbereich 145 und 155 können unter
Verwendung von Plasmadotierung gebildet werden. Gemäß einer
exemplarischen Ausführungsform
der Erfindung ist die Störstellendichte
innerhalb des ersten und des zweiten oberen Störstellenbereichs 145 und 155 auf
der Oberfläche des
Substrats 100' konzentriert,
so dass der erste und der zweite obere Störstellenbereich 145 und 155 dünn gebildet
werden können,
und die Dicke eines Verarmungsbereichs wird erhöht, wenn die Photodioden 140 und 150 betrieben
werden, was die Photosensitivität
der Photodioden 140 und 150 verbessert.
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4 veranschaulicht
ein Computerprozessorsystem, das mit dem CMOS-Bildsensor gemäß einer exemplarischen
Ausführungsform
der Erfindung ausgerüstet
ist. Bezugnehmend auf 4 beinhaltet ein Computerprozessorsystem 300 eine
Zentralprozessoreinheit (CPU) 320, ein Disketten-Laufwerk 330,
ein CDROM-Laufwerk 340, einen CMOS-Bildsensor 310, eine E/A-Einheit 360 und
einen RAM 350. Der CMOS-Bildsensor 310 kann
wie vorstehend unter Bezugnahme auf die 1, 2 und 3A bis 3F beschrieben
ausgeführt
sein. Die CPU 320, der CMOS-Bildsensor 310 und der RAM 350 können in
einem System-auf-Chip (SoC) realisiert sein.
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Die
CPU 320, das Disketten-Laufwerk 330, das CDROM-Laufwerk 340,
der CMOS-Bildsensor 310, die E/A-Einheit 360 und
der RAM 350 können über einen
Bus 370 wechselseitig miteinander in Verbindung stehen.
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Im
Folgenden werden zum weiteren Verständnis von beispielhaften Ausführungsformen
der Erfindung experimentelle Resultate dargestellt.
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Zunächst wird
auf den Dunkelstrom und statische Rauschcharakteristika von CMOS-Bildsensoren
eingegangen.
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In
einem ersten Experiment wird auf einem Substrat eine epitaxiale
Schicht gebildet, und eine Maskenstruktur mit einer Siliciumoxidschicht
und einer Siliciumnitridschicht wird auf der epitaxialen Schicht
gebildet. Unter Verwendung der Maskenstruktur als Maske wird die
epitaxiale Schicht bis zu einer Tiefe von etwa 0,3 μm geätzt, um
einen Graben zu bilden, der einen aktiven Photodiodenbereich definiert.
Bor wird in einen Boden und eine Seitenwand des Grabens unter Verwendung
von Plasmadotierung dotiert, wobei ein Kanalstopp-Störstellenbereich
gebildet wird. Bei der Durchführung
des Plasmadotierprozesses wird BF3 als Quellengas
verwendet. Die Dotierenergie beträgt 3 kV und die Dosis von BF3 ist 1,0 × 1015 Atome/cm2. Eine HDP-CVD-Oxidschicht wird in dem mit
Bor dotierten Graben vergraben, und die HDP-CVD-Oxidschicht wird mittels
CMP planarisiert. Danach werden die Siliciumnitridschicht und die
Siliciumoxidschicht entfernt, um einen Graben-Bauelementisolationsbereich
zu bilden. Phosphorionen werden in den aktiven Photodiodenbereich
implantiert, um einen unteren Störstellenbereich
zu bilden, und Bor wird in den aktiven Photodiodenbereich implantiert,
um einen oberen Störstellenbereich
zu bilden.
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In
einem zweiten Experiment wird eine Probe in der gleichen Weise wie
jener des ersten Experiments hergestellt, mit der Ausnahme, dass
BF3 und N2 bei der
Durchführung
der Plasmadotierung als Quellengase verwendet werden, wobei die
Fluidmengenverhältnisse
von BF3 und N2 20%
beziehungsweise 80% betragen.
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In
einem ersten Vergleichsexperiment wird beim Dotieren von Bor in
den Graben keine Plasmadotierung verwendet. Stattdessen wird Bor
unter Prozessbedingungen von 30 kV und 1,2 × 1013 Atome/cm2 implantiert und nochmals unter Prozessbedingungen
von 10 kV und 6,0 × 1012 Atome/cm2 implantiert.
Alle anderen Prozessbedingungen und Schritte sind die gleichen wie
jene des ersten Experiments.
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Der
gemessene Dunkelstrom und die gemessenen Zufallsrauschcharakteristika
der Proben gemäß dem ersten
und zweiten Experiment sowie dem Vergleichsexperiment sind in Tabelle
1 aufgelistet.
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Bezugnehmend
auf Tabelle 1 weisen bei einer Dotierung von Bor in den Graben die
Proben gemäß den Experimenten
1 und 2, die Plasmadotierung verwenden, einen verringerten Dunkelstrom
und ein geringeres Rauschen auf als die Proben vom Vergleichsexperiment.
Experiment 2, bei dem N2 als Verdünnungsgas hinzugefügt wird,
weist einen Rauschwert auf, der niedriger als jener von Experiment
1 ist. Wenn Störstellen in
den Boden und die Seitenwände
des Grabens dotiert werden, können
die Dunkelstromcharakteristik und die Zufallsrauschcharakteristik
verbessert werden, wenn Plasmadotierung verwendet wird.
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Wenn
das Innere des Grabens unter Verwendung von Plasmadotierung dotiert
wird, umgibt ein Kanalstoppbereich den Boden und die Seitenwand
des Grabens vollständig.
Ein derartiger Kanalstopp-Störstellenbereich
verhindert, dass Ladungen, die von einer Grenzfläche des Gra bens erzeugt werden,
die einen kristallinen Defekt beinhaltet, eine Photodiode erreichen,
und der Dunkelstrom und das Rauschen können verringert werden.
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Nun
wird auf das Dotierprofil des Bodens und der Seitenwand des Grabens
näher eingegangen. 6 ist
eine photographische Aufnahme des Graben-Bauelementisolationsbereichs
des zweiten Experiments. Bezugnehmend auf 6 betragen
Dicken W2 und W3 des
Kanalstopp-Störstellenbereichs 106 auf
beiden Seiten des Grabens 100a 65,74 nm beziehungsweise
61,07 nm. Die Dicke W1 des Kanalstopp-Störstellenbereichs 106 unter
dem Graben 100a beträgt
72,37 nm. Daher weist die Dicke des Kanalstopp-Störstellenbereichs 106 an
der Seite des Grabens 100a ein Verhältnis von 0,86 oder 0,91 bezüglich des
Kanalstopp-Störstellenbereichs 106 unter
dem Graben 100a auf.
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Wenn
nur BF3 als Quellengas ohne Verwendung des
Verdünnungsgases
verwendet wird (Experiment 1), weist die Dicke des Kanalstopp-Störstellenbereichs
auf der Seite des Grabens ein Verhältnis von grob 0,5 bezüglich jener
unter dem Graben auf.
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Wenn
der Kanalstopp-Störstellenbereich
unter Verwendung von Plasmadotierung gebildet wird, weist die Dicke
des Kanalstopp-Störstellenbereichs
auf der Seite des Grabens ein Verhältnis von 0,5 bis 1 bezüglich jener
unter dem Graben auf. Wenn der Kanalstopp-Störstellenbereich unter Verwendung
von Plasmadotierung gebildet wird, schließt er die Seitenwand des Grabens
konform ein. Wenn während
der Plasmadotierung das Verdünnungsgas
verwendet wird, kann die Konformität verbessert werden.
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Bezüglich des
Substratdotierprofils wurde als Experiment 3 ein Substrat mit einer
epitaxialen Schicht hergestellt, und Bor wurde unter Verwendung
von Plasmadotierung in das Substrat dotiert, wodurch ein Störstel lenbereich
gebildet wurde. Beim Durchführen
der Plasmadotierung wurden BF3 und N2 als Quellengase verwendet. Das Fluidmengenverhältnis von
BF3 und N2 betrug
20% beziehungsweise 80%. Die Dotierenergie betrug 3 kV und die Dosis
von BF3 betrug 1,0 × 1015 Atome/cm2.
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Als
Experiment 4 wurde eine Probe in der gleichen Weise wie jener des
Experiments 3 herstellt, mit der Ausnahme, dass die Dotierenergie
während
der Plasmadotierung 1 kV betrug.
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Als
zweites Vergleichsexperiment wurde ein Substrat mit einer epitaxialen
Schicht hergestellt. Bor wurde unter den Prozessbedingungen von
30 kV und 1,2 × 1013 Atome/cm2 implantiert
und nochmals unter den Bedingungen von 10 kV und 6,0 × 1012 Atome/cm2 implantiert,
wodurch ein bordotierter Störstellenbereich
in dem Substrat gebildet wurde.
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Die
Prozessbedingungen für
eine Dotierung mit Bor in die Proben gemäß den Experimenten 3, 4 und dem
Vergleich 2 sind in Tabelle 2 aufgelistet.
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5 ist
eine graphische Darstellung, welche die Bordichte bezüglich der
aus den Experimenten 3 und 4 und des Vergleichs 2 resultierenden
Seitenwandtiefe der Proben zeigt. In 5 beziehen
sich Kennlinien a, b und c auf Proben gemäß Experiment 3, Experiment
4 bzw. Vergleich 2.
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Bezugnehmend
auf 5 weisen die Proben a und b der Experimente 3
und 4 eine beträchtliche
Menge an Störstellen
auf der Oberfläche
des Substrats auf, und die Dichte der Störstellen nimmt kontinuierlich
mit der Tiefe von der Oberfläche
des Substrats her ab. Die Probe c von Vergleich 2 weist eine Störstellendichte auf,
die bis zum Erreichen einer Tiefe von 0,01 μm von der Oberfläche des
Substrats her abnimmt.
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Im
Hinblick auf diese Experimente ist der Störstellenbereich, der unter
Verwendung von Ionenimplantation gebildet wird, dicker als jener,
der unter Verwendung von Plasmadotierung gebildet wird. Wenngleich
zur Bildung eines Kanalstopp-Störstellenbereichs
in die Seite des Grabens eine Ionenimplantation verwendet wird, bei
welcher ein Ionenstrahl gekippt wird, wird der Störstellenbereich
dick gebildet und verringert den Verarmungsbereich der Photodiode,
welcher der Seite des Grabens benachbart ist. Im Gegensatz dazu
beeinflusst der Kanalstopp-Störstellenbereich,
der durch Plasmadotierung gebildet wird, den Verarmungsbereich der
Photodiode nicht. Daher kann die Abnahme des Sättigungsstroms verhindert werden,
wenn der Kanalstopp-Störstellenbereich
unter Verwendung von Plasmadotierung gebildet wird.
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Gemäß einer
exemplarischen Ausführungsform
der Erfindung werden Störstellen
in einen Boden und eine Seitenwand eines Grabens dotiert, um einen
Kanalstopp-Störstellenbereich
zu bilden, der den Boden und die Seitenwand des Grabens vollständig umgibt,
und Dunkelstrom und Rauschen können
verringert werden. In einer exemplarischen Ausführungsform der Erfindung wird
die Störstellendotierung
mittels Plasmadotierung durchgeführt,
um den gesamten Kanalstopp-Störstellenbereich
dünn zu
bilden, was die Abnahme des Sättigungsstroms
eines CMOS-Bildsensors
verhindert.