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Hintergrund
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Die
vorliegende Offenbarung bezieht sich auf einen Bildsensor und ein
Verfahren zu seiner Herstellung.
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Ein
Bildsensor ist ein Halbleiterbauelement zur Umwandlung eines optischen
Bildes in ein elektrisches Signal. Der Bildsensor kann grob in einen Ladungskoppelelement-Bildsensor
(CCD) und einen Komplementär-Metall-Oxid-Silizium-Bildsensor (CMOS)
eingeteilt werden.
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Während der
Herstellung von Bildsensoren kann unter Verwendung der Zonenimplantation
eine Fotodiode in einem Substrat ausgebildet werden. Da die Größe einer
Fotodiode zur Erhöhung
der Anzahl von Bildpunkten ohne Erhöhung der Chipgröße reduziert
wird, wird die Fläche
des Licht empfangenden Bereichs ebenfalls reduziert, was zu einer
Verringerung der Bildqualität
führt.
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Da
sich zudem eine Stapelhöhe
nicht so stark verringert wie die Verringerung der Fläche des Licht
empfangenden Bereichs, wird auch die Anzahl der auf den Licht empfangenden
Bereich auftreffenden Photonen wegen der als Beugungsscheibchen (Airy
Disk) bezeichneten Lichtbeugung reduziert.
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Als
Alternative zur Überwindung
dieser Einschränkung
wurde ein Ansatz versucht, eine Fotodiode unter Verwendung amorphen
Siliziums (Si) auszubilden oder einen Auslese-Schaltkreis in einem
Silizium-(Si-)Substrat unter Verwendung eines Verfahrens wie etwa
Wafer-Wafer-Bonden auszubilden sowie eine Fotodiode auf und/oder über dem
Auslese-Schaltkreis auszubilden (als dreidimensionaler (3D-) Bildsensor
bezeichnet). Die Fotodiode ist mit dem Auslese-Schaltkreis über eine
Metall-Zwischenverbindung
verbunden.
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Nach
der verwandten Technik verursacht ein Kontaktzapfen, der den Auslese-Schaltkreis
und die Fotodiode verbindet, einen Kurzschluss in der Fotodiode.
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Auch
tritt, weil sowohl Source, als auch Drain des Transfer-Transistors stark
mit N-Typ-Fremdatomen dotiert sind, ein Ladungsaufteilungsphänomen auf.
Wenn das Ladungsaufteilungsphänomen
auftritt, wird die Empfindlichkeit eines Ausgangsbildes reduziert,
und es kann ein Bildfehler erzeugt werden.
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Zusätzlich wird,
weil sich eine Fotoladung nicht leicht zwischen der Fotodiode und
dem Auslese-Schaltkreis bewegt, ein Dunkelstrom erzeugt und/oder
die Sättigung
und die Empfindlichkeit werden reduziert.
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Kurze Zusammenfassung
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Ausführungsformen
sehen einen Bildsensor vor, der einen Kurzschluss an einem Kontaktzapfen unterbinden
kann, der einen Auslese-Schaltkreis und eine Bilderfassungs-Einrichtung
verbindet, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung.
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Ausführungsformen
sehen auch einen Bildsensor vor, bei dem keine Ladungsverteilung
auftritt, während
ein Füllfaktor
erhöht
wird, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
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Ausführungsformen
sehen auch einen Bildsensor vor, der eine Dunkelstromquelle minimieren
und Sättigungsreduktion
und Empfindlichkeitsverminderung durch Ausbilden eines gleichmäßigen Transferpfads
für eine
Fotoladung zwischen einer Fotodiode und einem Auslese-Schaltkreis
unterbinden kann, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung.
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In
einem Ausführungsbeispiel
umfasst ein Bildsensor: einen Auslese-Schaltkreis in einem ersten
Substrat; ein Zwischenschicht-Dielektrikum auf dem ersten Substrat;
eine Zwischenverbindung im Zwischenschicht-Dielektrikum, wobei die
Zwischenverbindung mit dem Auslese-Schaltkreis elektrisch verbunden
ist; eine Bilderfassungs-Einrichtung auf der Zwischenverbindung,
wobei die Bilderfassungs-Einrichtung eine Schicht eines ersten Leitungstyps
und eine Schicht eines zweiten Leitungstyps umfasst; einen Kontakt,
der die Schicht des ersten Leitungstyps der Bilderfassungs-Einrichtung
und die Zwischenverbindung elektrisch verbindet, wobei der Kontakt
durch einen Ionenimplantationsbereich von der Schicht des zweiten
Leitungstyps elektrisch isoliert ist; und eine Bildpunkt-Trennschicht an einer
Bildpunkt-Grenze der Bilderfassungs-Einrichtung.
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In
einem weiteren Ausführungsbeispiel
umfasst ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors: Ausbilden
eines Auslese-Schaltkreises
in einem ersten Substrat; Ausbilden eines Zwischenschicht-Dielektrikums
auf dem ersten Substrat und Ausbilden einer Zwischenverbindung in
dem Zwischenschicht-Dielektrikum,
die elektrisch mit dem Auslese-Schaltkreis verbunden ist; Ausbilden
einer Bilderfassungs-Einrichtung, die eine Schicht eines ersten
Leitungstyps und eine Schicht eines zweiten Leitungstyps umfasst,
auf der Zwischenverbindung; Ausbilden einer Bildpunkt-Trennschicht
bei der Bilderfassungs-Einrichtung; Ausbilden eines Ionenimplantationsbereichs
eines ersten Leitungstyps in der Schicht des zweiten Leitungstyps;
und Ausbilden eines Kontakts, der die Schicht des ersten Leitungstyps
der Bilderfassungs-Einrichtung mit der Zwischenverbindung elektrisch
verbindet, wobei der Ionenimplantationsbereich des ersten Leitungstyps den
Kontakt von der Schicht des zweiten Leitungstyps der Bilderfassungs-Einrichtung elektrisch isoliert.
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Die
Einzelheiten eines oder mehrerer Ausführungsbeispiele werden in den
begleitenden Zeichnungen und der nachstehenden Beschreibung dargelegt.
Andere Merkmale werden aus der Beschreibung und den Zeichnungen
sowie aus den Patentansprüchen
ersichtlich.
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Kurze Beschreibung der Zeichnung
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Es
zeigen:
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1 eine
Schnittansicht, die einen Bildsensor gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel
darstellt;
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2 bis 7 Schnittansichten,
die ein Verfahren zur Herstellung des Bildsensors gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel
darstellen; und
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8 eine
Schnittansicht, die einen Bildsensor gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel
darstellt.
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Detaillierte Beschreibung
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Nachstehend
werden Ausführungsbeispiele eines
Bildsensors und ein Verfahren zu seiner Herstellung mit Bezug auf
die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
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In
der Beschreibung der Ausführungen
versteht sich, dass wenn eine Schicht (ein Film) als ”auf” einer
anderen Schicht oder einem Substrat bezeichnet wird, sie direkt
auf einer anderen Schicht oder einem Substrat liegen kann oder dazwischen
liegende Schichten vorhanden sein können. Ferner versteht sich,
dass wenn eine Schicht als ”unter” einer
anderen Schicht bezeichnet wird, sie direkt unter einer anderen
Schicht liegen kann oder eine oder mehrere dazwischen liegende Schichten
vorhanden sein können.
Zusätzlich
dazu versteht sich, dass wenn eine Schicht als ”zwischen” zwei Schichten bezeichnet wird,
sie die einzige Schicht zwischen den Schichten sein kann oder ein
oder mehrere dazwischen liegende Schichten vorhanden sein können.
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Die
vorliegende Offenbarung ist nicht auf einen Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter-(CMOS)-Bildsensor
beschränkt
und kann daher auf einen Bildsensor angewandt werden, der eine Fotodiode
enthält.
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1 ist
eine Schnittansicht, die einen Bildsensor gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel darstellt.
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Der
Bildsensor gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel
kann enthalten: einen Auslese-Schaltkreis 120 in einem
ersten Substrat 100, wie in 3 dargestellt;
ein Zwischenschicht-Dielektrikum 160 auf
dem ersten Substrat 100; eine Zwischenverbindung 150,
die elektrisch mit dem Auslese-Schaltkreis 120 verbunden
ist und in dem Zwischenschicht-Dielektrikum 160 angeordnet
ist; eine Bilderfassungs-Einrichtung 210, die eine Schicht
eines ersten Leitungstyps 214 und eine Schicht eines zweiten
Leitungstyps 216 enthält,
auf der Zwischenverbindung 150; einen Kontakt 270,
der die Schicht des ersten Leitungstyps 214 der Bilderfassungs-Einrichtung 210 mit
der Zwischenverbindung 150 verbindet; und eine Bildpunkt-Trennschicht 250 an
Bildpunkt-Grenzen der Bilderfassungs-Einrichtung 210.
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Die
Bilderfassungs-Einrichtung 210 kann eine Fotodiode sein,
kann jedoch, ohne darauf beschränkt
zu sein, ein Fotogate oder eine Kombination der Fotodiode und des
Fotogates sein. Ausführungsformen
enthalten beispielhaft eine in einer kristallinen Halbleiterschicht
ausgebildete Fotodiode. Jedoch sind Ausführungsformen nicht darauf beschränkt und können zum
Beispiel eine in einer amorphen Halbleiterschicht ausgebildete Fotodiode
enthalten. Bezugszahlen, die nicht in 1 beschrieben
sind, werden in den folgenden Beschreibungen eines Herstellungsverfahrens
benutzt.
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Nachstehend
wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel
mit Bezug auf 2 bis 9 beschrieben.
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2 ist
eine schematische Ansicht, die ein erstes Substrat 100 darstellt,
das mit einer Zwischenverbindung 150 versehen ist. 3 ist
eine Detailansicht von 2 gemäß einem Ausführungsbeispiel. Nachstehend
wird nun eine Beschreibung auf Grundlage von 3 gegeben.
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Wie
in 3 dargestellt, ist ein aktiver Bereich durch Ausbilden
einer Bauteil-Isolationsschicht 110 im ersten Substrat 100 definiert.
Der Auslese-Schaltkreis 120 kann einen Transfer-Transistor (Tx) 121,
einen Reset-Transistor (Rx) 123, einen Ansteuerungs-Transistor
(Dx) 125 und einen Auswahl-Transistor (Sx) 127 enthalten.
Ein Ionenimplantationsbereich 130, der einen schwebenden
Diffusions-Bereich (FD) 131 und einen Source-/Drain-Bereich 133, 135, 137 für jeden
Transistor enthält,
kann ausgebildet werden.
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Gemäß einem
Ausführungsbeispiel
kann ein elektrischer Übergangsbereich 140 auf
dem ersten Substrat 100 ausgebildet sein, und es kann eine
Verbindung des ersten Leitungstyps 147 ausgebildet sein,
die mit der Zwischenverbindung 150 bei einem oberen Teil
des elektrischen Übergangsbereichs 140 elektrisch
verbunden ist.
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Zum
Beispiel kann der elektrische Übergangsbereich 140 ein
P-N-Übergang 140 sein,
ist jedoch nicht darauf beschränkt.
Zum Beispiel kann der elektrische Übergangsbereich 140 eine
Ionenimplantations-Schicht eines ersten Leitungstyps 143 enthalten,
die auf einer Wanne eines zweiten Leitungstyps 141 oder
einer Epitaxieschicht eines zweiten Leitungstyps ausgebildet ist,
sowie eine Ionenimplantations-Schicht eines zweiten Leitungstyps 145,
die auf der Ionenimplantations-Schicht des ersten Leitungstyps 143 ausgebildet
ist. Zum Beispiel kann, wie in 3 gezeigt,
der P-N-Übergang 140 ein Übergang
P0(145)/N–(143)/P–(141)
sein, aber Ausführungsformen
sind nicht darauf beschränkt.
Das erste Substrat 100 kann ein Substrat des zweiten Leitungstyps
sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
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Gemäß einem
Ausführungsbeispiel
ist die Einrichtung so ausgelegt, dass sie eine Potentialdifferenz
zwischen Source und Drain des Transfer-Transistors (Tx) liefert
und dadurch das volle Entladen einer Fotoladung ermöglicht.
Demgemäß wird eine
in der Fotodiode erzeugte Fotoladung in den schwebenden Diffusions-Bereich
entladen und erhöht
dadurch die Empfindlichkeit des ausgegebenen Bildes.
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Das
heißt,
wie in 3 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel
dargestellt, ist der elektrische Übergangsbereich 140 im
ersten Substrat 100 angeordnet, das mit dem Auslese-Schaltkreis 120 versehen
ist. Somit tritt eine Potentialdifferenz zwischen Source und Drain
des Transfer-Transistors (Tx) auf und ermöglicht dadurch das vollständige Entladen
einer Fotoladung.
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Speziell
werden in der Fotodiode 210 erzeugte Elektronen auf den
PNP-Übergang 140 übertragen,
und sie werden auf den schwebenden Diffusions-Knoten (FD) 131 übertragen,
um in eine Spannung umgewandelt zu werden, wenn der Transfer-Transistor
(Tx) 121 eingeschaltet wird.
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Die
maximale Spannung des P0/N–/P–-Übergangs 140 wird
zu einer Haftspannung, und die maximale Spannung des FD-Knotens 131 wird
zu Vdd minus der Schwellenspannung (Vth) des Reset-Transistors (Rx).
Daher können
in der Fotodiode 210 auf dem Chip erzeugte Elektronen aufgrund
einer Potentialdifferenz zwischen Source und Drain des Tx 121 vollständig, ohne
Ladungsverteilung, in den FD-Knoten 131 entladen werden.
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Die
Verbindung des ersten Leitungstyps 147 kann zwischen der
Fotodiode und dem Auslese-Schaltkreis ausgebildet sein, um einen
gleichmäßigen Transferpfad
einer Fotoladung zu schaffen und es dadurch möglich zu machen, eine Dunkelstromquelle
zu minimieren und Sättigungsreduktion
und Empfindlichkeitsverminderung zu unterbinden.
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Dazu
kann das erste Ausführungsbeispiel
einen N+-Dotierungsbereich als die Verbindung des ersten Leitungstyps 147 für einen
ohmschen Kontakt an der Oberfläche
des P0/N–/P–-Übergangs 140 ausbilden.
Der N+-Bereich (147) kann so ausgebildet sein, dass er
den P0-Bereich (145) durchdringt, um den N–-Bereich
(143) zu kontaktieren.
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Die
Breite der Verbindung des ersten Leitungstyps 147 kann
minimiert werden, um die Verbindung des ersten Leitungstyps 147 zu
hindern, eine Leckstromquelle darzustellen. Dazu kann nach dem Ätzen eines
Kontaktlochs für
einen ersten Metall-Kontakt 151a ein
Implantieren eines Zapfens erfolgen, aber Ausführungsformen sind nicht darauf
beschränkt.
Als weiteres Beispiel kann ein Ionenimplantations-Muster (nicht
gezeigt) ausgebildet werden, und das Ionenimplantations-Muster kann
als Ionenimplantations-Maske benutzt werden, um die Verbindung des
ersten Leitungstyps 147 auszubilden.
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Als
Nächstes
kann das Zwischenschicht-Dielektrikum 160 auf dem ersten
Substrat 100 ausgebildet werden, und die Zwischenverbindung 150 kann ausgebildet
werden. Die Zwischenverbindung 150 kann den ersten Metall-Kontakt 151a,
ein erstes Metall 151, ein zweites Metall 152 und
ein drittes Metall 153 enthalten, aber Ausführungsformen
sind nicht darauf beschränkt.
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Ein
zweites Zwischenschicht-Dielektrikum 162 ist auf der Zwischenverbindung 150 ausgebildet. Zum
Beispiel kann das zweite Zwischenschicht-Dielektrikum 162 aus
einem Dielektrikum, wie etwa einer Oxidschicht oder einer Nitridschicht,
ausgebildet sein. Das zweite Zwischenschicht-Dielektrikum 162 erhöht die Verbindungs-Kraft
zwischen einem mit der Bilderfassungs-Einrichtung 210 versehenen
zweiten Substrat (nicht gezeigt) und dem ersten Substrat 100.
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Mit
Bezug auf 4 wird die Bilderfassungs-Einrichtung 210,
die eine Schicht eines ersten Leitungstyps 214 und eine
Schicht eines zweiten Leitungstyps 216 enthält, auf
dem zweiten Zwischenschicht-Dielektrikum 162 ausgebildet.
Der Teil des ersten Substrats (das zweite Zwischenschicht-Dielektrikum 162),
auf dem die Bilderfassungs-Einrichtung 210 ausgebildet
wird, ist auch in 2 gezeigt.
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Gemäß einem
Ausführungsbeispiel
kann eine kristalline Halbleiterschicht des zweiten Substrats mit
der Fotodiode versehen werden, welche die N–-Schicht (214) und
die P+-Schicht (216) enthält. Weiter kann eine N+-Schicht
der Schicht des ersten Leitungstyps 212 für einen
ohmschen Kontakt vorgesehen sein.
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Mit
Bezug auf 5 kann ein Ionenimplantationsbereich
eines ersten Leitungstyps 230 in der Schicht des zweiten
Leitungstyps 216 ausgebildet sein, die auf der oberen Seite
der Zwischenverbindung 150 angeordnet ist. Zum Beispiel
wird ein Fotolack-Muster 310, das die Schicht des zweiten
Leitungstyps 216 freilegt, die auf der oberen Seite der Zwischenverbindung 150 angeordnet
ist, als Ionenimplantations-Maske benutzt, um hochkonzentrierte Ionen
des N-Typs zu implantieren.
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Der
Ionenimplantationsbereich des ersten Leitungstyps 230 kann
dieselbe Tiefe aufweisen wie diejenige der Schicht des zweiten Leitungstyps 216, die
auf der oberen Seite der Zwischenverbindung 150 angeordnet
ist.
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Das
heißt,
gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel
ist der Ionenimplantationsbereich des ersten Leitungstyps 230 in
der Schicht des zweiten Leitungstyps 216 in einem Bereich
zum Kontaktieren eines Kontaktzapfens ausgebildet, um einen Kurzschluss
am Kontaktzapfen zu vermeiden, der den Auslese-Schaltkreis 120 und die Bilderfassungs-Einrichtung 210 verbindet.
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In
einem weiteren Ausführungsbeispiel
weist der Ionenimplantationsbereich des ersten Leitungstyps 230 eine
größere Tiefe
auf als diejenige der Schicht des zweiten Leitungstyps 216,
die auf der oberen Seite der Zwischenverbindung 150 angeordnet
ist, um effektiver einen Kurzschluss am Kontaktzapfen zu vermeiden,
der den Auslese-Schaltkreis 120 und die Bilderfassungs-Einrichtung 210 verbindet.
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Danach
kann eine Bildpunkt-Trennschicht 250 ausgebildet werden,
welche die Bilderfassungs-Einrichtung 210 in Bildpunkte
aufteilt. Zum Beispiel kann die Bildpunkt-Trennschicht 250 ein Zwischen-Bildpunkt-Trennungs-Dielektrikum
oder eine Zwischen-Bildpunkt-Trennungs-Ionenimplantationsschicht
sein. Die Bildpunkt-Trennschicht 250 kann nach dem Ausbilden
des Kontakts 270 ausgebildet werden.
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Gemäß einem
Ausführungsbeispiel
wird die Zonenimplantation für
den Ionenimplantationsbereich des ersten Leitungstyps 230 und
die Bildpunkt-Trennschicht 250 durchgeführt, und dann kann ein Laser-Ausheil-Prozess
zur Aktivierung durchgeführt
werden, aber Ausführungsformen
sind nicht darauf beschränkt.
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Mit
Bezug auf 7 ist der Kontakt 270 ausgebildet,
der die Schicht des ersten Leitungstyps 214 der Bilderfassungs-Einrichtung 210 mit
der Zwischenverbindung 150 verbindet.
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Zum
Beispiel werden die Bilderfassungs-Einrichtung 210 und
das zweite Zwischenschicht-Dielektrikum 162 auf der oberen
Seite der Zwischenverbindung 150 teilweise entfernt, um
einen Graben auszubilden, der die Zwischenverbindung 150 freilegt.
Ein Trocken-Ätzprozess
oder ein Nass-Ätzprozess
können
durchgeführt
werden, um den Graben auszubilden. Ein sekundärer Ätzprozess kann durchgeführt werden,
um die Bilderfassungs- Einrichtung 210 und das
zweite Zwischenschicht-Dielektrikum 162 gesondert zu ätzen.
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In
diesem Fall wird ein Teilbereich der Bilderfassungs-Einrichtung 210 mit
einer geringeren Breite als diejenige des Ionenimplantationsbereichs
des ersten Leitungstyps 230 entfernt, sodass ein Teilbereich
des Ionenimplantationsbereichs des ersten Leitungstyps 230 zwischen
der Schicht des zweiten Leitungstyps 216 und dem Kontakt 270 verbleibt,
der ausgebildet werden soll.
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Das
heißt,
gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel
ist der Ionenimplantationsbereich des ersten Leitungstyps 230 in
der Schicht des zweiten Leitungstyps 216 in Kontakt mit
dem Kontaktzapfen ausgebildet, um einen Kurzschluss am Kontaktzapfen
zu vermeiden, der den Auslese-Schaltkreis 120 und die Bilderfassungs-Einrichtung 210 verbindet.
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Dann
kann eine Barrierenmetall-Schicht 271 auf einer Oberfläche des
Grabens ausgebildet werden, und der Kontakt 270 kann auf
der Barrierenmetall-Schicht 271 ausgebildet werden und
dadurch einen Kontaktzapfen 273 ausbilden, der den Graben ausfüllt. Die
Barrierenmetall-Schicht 271 kann eine einzelne Schicht
aus Ti oder TiN oder eine Ti/TiN-Doppelschicht sein, und der Kontaktzapfen 273 kann
aus Wolfram (W) ausgebildet sein, aber Ausführungsformen sind nicht darauf
beschränkt.
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Danach
kann an der Schicht des zweiten Leitungstyps 216 ein Schleifvorgang
durchgeführt
werden.
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Gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel
ist der Ionenimplantationsbereich des ersten Leitungstyps 230 in
der Schicht des zweiten Leitungstyps 216 in Kontakt mit
dem Kontaktzapfen ausgebildet, um einen Kurzschluss am Kontaktzapfen
zu vermeiden, der den Auslese-Schaltkreis 120 und die Bilderfassungs-Einrichtung 210 verbindet.
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8 ist
eine Schnittansicht, die einen Bildsensor gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel
darstellt. Das erste Substrat 100, das mit der Zwischenverbindung 150 versehen
ist, ist im Detail dargestellt.
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Das
zweite Ausführungsbeispiel
kann die technischen Merkmale der ersten Ausführungsform übernehmen.
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Das
zweite Ausführungsbeispiel
unterscheidet sich von dem ersten Ausführungsbeispiel darin, dass
eine Verbindung eines ersten Leitungstyps 148 mit einer
Seite des elektrischen Übergangsbereichs 140 verbunden
ist.
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Der
N+-Verbindungsbereich 148 kann beim P0/N–/P–-Übergang 140 für einen
ohmschen Kontakt ausgebildet sein. In diesem Fall kann während des Ausbildungsprozesses
des N+-Verbindungsbereichs 148 und des ersten Metallkontakts 151a eine
Leckstromquelle erzeugt werden.
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Auch
kann, wenn der N+-Verbindungsbereich 148 über der
Oberfläche
des P0/N–/P–-Übergangs 140 ausgebildet
wird, durch den N+/P0-Übergang 148/145 zusätzlich ein
elektrisches Feld erzeugt werden. Dieses elektrische Feld kann auch
zu einer Leckstromquelle werden.
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Daher
schlägt
das zweite Ausführungsbeispiel
ein Layout vor, bei dem der erste Kontaktzapfen 151a in
einem aktiven Bereich ausgebildet wird, der nicht mit einer P0-Schicht
dotiert ist, sondern den N+-Verbindungsbereich 148 enthält, der
mit dem N–-Übergang 143 elektrisch
verbunden ist.
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Gemäß dem zweiten
Ausführungsbeispiel wird
das elektrische Feld nicht auf und/oder über einer Si-Oberfläche erzeugt,
was zur Reduktion eines Dunkelstroms eines dreidimensionalen integrierten CIS
beiträgt.
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In
der vorliegenden Beschreibung bedeutet jeder Verweis auf ”eine Ausführung”, ”Ausführung”, ”beispielhafte
Ausführung” usw.,
dass ein spezielles Merkmal, eine Struktur oder eine Eigenschaft,
welches bzw. welche in Verbindung mit der Ausführung beschrieben wird, in
mindestens einer Ausführung der
Erfindung enthalten ist. Das Auftreten derartiger Ausdrucksweisen
an verschiedenen Stellen in der Beschreibung verweist nicht notwendig
sämtlich
auf die gleiche Ausführung.
Ferner sei bemerkt, dass, wenn ein besonderes Merkmal, eine Struktur
oder eine Eigenschaft beschrieben wird, es sich innerhalb des Bereichs
der Möglichkeiten
eines Fachmanns befindet, ein derartiges Merkmal, eine Struktur
oder ein Kennmerkmal in Verbindung mit anderen der Ausführungen
zu bewirken.
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Obwohl
Ausführungen
mit Bezug auf eine Anzahl erläuternder
Ausführungsbeispiele
beschrieben wurden, sei bemerkt, dass zahlreiche weitere Abwandlungen
und Ausführungen
durch Fachleuteentworfen werden können, welche unter Prinzip
und Umfang der vorliegenden Offenbarung fallen. Insbesondere sind
viele Änderungen
und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen der fraglichen
Kombinationsanordnung innerhalb des Umfangs der Offenbarung, der
Zeichnungen und der beigefügten
Ansprüche
möglich.
Zusätzlich
zu Änderungen
und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen sind alternative
Verwendungen gleichfalls für
Fachleute ersichtlich.