DE102005062532B4

DE102005062532B4 - Halbleiterbauelement und Kontaktstellenherstellungsverfahren

Info

Publication number: DE102005062532B4
Application number: DE102005062532A
Authority: DE
Inventors: Young-Ok Seongnam Cho; Jun-Bae Kim; Chan-Hee Suwon Jeon
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2004-12-16
Filing date: 2005-12-15
Publication date: 2008-11-20
Anticipated expiration: 2025-12-16
Also published as: KR100675275B1; TWI291755B; TW200623374A; KR20060068701A; US7696626B2; DE102005062532A1; US20060131739A1

Abstract

Halbleiterbauelement mit
– einem Substrat (30; 50),
– wenigstens einem aktiven Bereich (32; 50-1, 50-2), der in dem Substrat angeordnet ist,
– einer Mehrzahl von thermisch leitfähigen ersten Kontakten (34-1; 52-2), die mit Berührkontakt auf dem wenigstens einen aktiven Bereich angeordnet und voneinander isoliert sind,
– einer einmalig oder sich wiederholend angeordneten Schichtfolge aus einer Polyschicht (36, 40; 54, 58) und darauf mit Berührkontakt zu dieser und voneinander isoliert angeordneten thermisch leitfähigen zweiten Kontakten (38-1, 42-1; 56-2, 60-2), wobei eine unterste Polyschicht (36; 54) ganzflächig auf den ersten Kontakten mit Berührkontakt zu diesen angeordnet ist, und
– einer Kontaktstelle (44 bis 48; 62 bis 66), die ganzflächig auf obersten der zweiten Kontakte (42-1; 60-2) mit Berührkontakt zu diesen angeordnet ist.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einer Kontaktstelle und ein Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstelle desselben.
Bei einem herkömmlichen Halbleiterspeicherbauelement umfasst eine Kontaktstelle eine obere Kontaktstelle und eine untere Kontaktstelle, und unter der Kontaktstelle sind Dummyschichten angeordnet, um die Stufenhöhe relativ zu benachbarten Bereichen einzustellen und eine mechanische Belastung zu mildern, die während eines Drahtbondprozesses zum Verbinden der Kontaktstelle mit Anschlüssen einwirkt. Bei dem herkömmlichen Halbleiterspeicherbauelement sind jedoch isolierende Schichten zwischen den Dummyschichten eingefügt. Somit wird Wärme nicht richtig von dem Halbleiterspeicherbauelement abgeführt, da die isolierenden Schichten eine geringe thermische Leitfähigkeit aufweisen. Als Ergebnis wird das Halbleiterspeicherbauelement bei der Abfuhr von Wärme weniger effizient, und seine Betriebsleistungsfähigkeit wird schlechter.
Aus diesem Grund werden viele Versuche unternommen, die Wärmedissipationseffizienz des Halbleiterspeicherbauelements zu verbessern. Des Weiteren ist bei Hochgeschwindigkeits-Halbleiterspeicherbauelementen eine Verbesserung der Wärmedissipationseffizienz um so mehr notwendig, da mehr Wärme erzeugt wird, je schneller die Halbleiterspeicherbauelemente arbeiten.
1A zeigt eine Draufsicht auf eine Kontaktstelle eines herkömmlichen Halbleiterspeicherbauelements, und 1B ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie X-X' von 1A. Bezugnehmend auf die 1A und 1B ist ein aktiver Bereich 12 in einem Substrat 10 angeordnet, eine erste isolierende Schicht 14 ist auf dem aktiven Bereich 12 angeordnet, und eine Gate-Polyschicht 16 ist auf der ersten isolierenden Schicht 14 angeordnet. Eine zweite isolierende Schicht 18 ist auf der Gate-Polyschicht 16 angeordnet, eine Platten-Polyschicht 20 ist auf der zweiten isolierenden Schicht 18 angeordnet, und eine dritte isolierende Schicht 22 ist auf der Platten-Polyschicht 20 angeordnet. Eine erste Metallschicht 24 ist auf der dritten isolierenden Schicht 22 angeordnet, ein Durchkontakt 26 ist auf der ersten Metallschicht 24 angeordnet, und eine zweite Metallschicht 28 ist auf dem Durchkontakt 26 angeordnet.
In den 1A und 1B bildet die erste Metallschicht 24 eine untere Kontaktstelle, und die zweite Metallschicht 28 bildet eine obere Kontaktstelle, und die untere und die obere Kontaktstelle sind über den Durchkontakt 26 verbunden, der zwischen der ersten und der zweiten Metallschicht 24 und 28 eingefügt ist. Außerdem sind die dritte isolierende Schicht 22, die Platten-Polyschicht 20, die zweite isolierende Schicht 18, die Gate-Polyschicht 16 und die erste isolierende Schicht 14, die unter der ersten Metallschicht 24 ausgebildet sind, Dummyschichten, die dazu dienen, die Stufenhöhe zu benachbarten Bereichen in dem Halbleiterbauelement einzustellen und eine mechanische Belastung zu mildern, die während eines Drahtbondprozesses zum Verbinden der oberen Kontaktstelle mit Anschlüssen (nicht gezeigt) einwirkt.
In der Kontaktstelle des herkömmlichen Halbleiterbauelements breitet sich Wärme, wenn sie in dem Substrat 10 erzeugt wird, durch den aktiven Bereich 12 zu der ersten isolierenden Schicht 14, der Gate- Polyschicht 16, der zweiten isolierenden Schicht 18, der Platten-Polyschicht 20 und der dritten isolierenden Schicht 22 aus, und die Wärme, die sich zu der dritten isolierenden Schicht 22 ausbreitet, wird durch die erste Metallschicht 24, den Durchkontakt 26 und die zweite Metallschicht 28 transmittiert und von dem Halbleiterbauelement abgegeben.
Das herkömmliche Halbleiterspeicherbauelement kann jedoch die darin erzeugte Wärme nicht effektiv abführen, da die erste, die zweite und die dritte isolierende Schicht, die als Dummy-Schichten verwendet werden, eine geringe thermische Leitfähigkeit aufweisen.
Die Patentschrift US 6.433.438 B2 offenbart ein Halbleiterbauelement mit einem Logikschaltkreisbereich und einem peripheren Schaltkreisbereich, wobei sich durchgehend über beide Bereich hinweg mehrere Isolationsschichtlagen mit vollständig darin eingebetteten Zwischenverbindungen und Dummy-Zwischenverbindungen erstrecken und im peripheren Schaltkreisbereich auf diesen Isolationsschichtlagen eine Kontaktstelle vorgesehen ist. Im Bereich unter der Kontaktstelle kann unter dieser Isolationsschichtfolge eine in einer untersten Isolationsschicht eingebettete Dummy-Gatestruktur auf einem aktiven Bereich eines Halbleitersubstrats angeordnet sein.
In der Offenlegungsschrift US 2002/0195712 A1 ist ein Halbleiterbauelement mit einer mehrlagigen Verdrahtungsstruktur offenbart, das funktionelle Strukturen und in ausgewählten Schichtebenen zusammen mit den funktionellen Strukturen gebildete Dummy-Strukturen beinhaltet, die dem Ausgleich von Höhendifferenzen dienen.
Die Patentschrift US 6.037.668 A offenbart ein Halbleiterbauelement, bei dem im Bereich unterhalb einer Bondkontaktstelle eine Schichtfolge aus mehreren dielektrischen Schichten mit relativ niedrigem Elastizitätsmodul vorgesehen ist, durch die sich säulenartig eine Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Trägerstrukturen hindurch bis zu einer auf einem Halbleitersubstrat aufgebrachten untersten dielektrischen Schicht mit relativ hohem Elastizitätsmodul erstreckt, wobei die übereinanderliegenden dielektrischen Schichten und die in ihnen vorgesehenen, elektrisch leitfähigen Trägerstrukturen von der Bondkontaktstelle durch eine isolierende Schichtfolge aus wenigstens einer Passivierungsschicht, die z. B. aus plasmaunterstützt aufgebrachtem Siliziumnitrid oder aus Bornitrid besteht, und einer auf diese aufgebrachten dielektrischen Schicht getrennt sind, die z. B. aus einem plasmaunterstützt aufgebrachten Oxid, aus Siliziumnitrid, PSG, BPSG, Siliziumoxynitrid, fluoriniertem Oxid, einem SOG-Material oder einer Kombination hiervon besteht.
Die Patentschrift US 6.309.956 B1 offenbart ein Halbleiterbauelement, das Dummy-Strukturen lateral benachbart zu Zwischenverbindungsstrukturen in Isolationsschichten mit niedriger Dielektrizitätskonstante verwendet, um die thermische Leitfähigkeit zu verbessern und Dellenbildungsprobleme zu mindern.
Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung eines Halbleiterbauelements, das darin erzeugte Wärme durch eine Kontaktstelle effektiv abführen kann, sowie eines zugehörigen Verfahrens zur Herstellung einer Kontaktstelle des Halbleiterbauelements zugrunde.
Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung eines Halbleiterbauelements mit den Merkmalen von Anspruch 1 und eines Verfahrens mit den Merkmalen von Anspruch 11.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung werden im Folgenden beschrieben und sind in den Zeichnungen gezeigt, die außerdem die vor stehend zum leichteren Verständnis der Erfindung erläuterten herkömmlichen Ausführungsformen zeigen. Es zeigen:
1A und 1B eine Draufsicht beziehungsweise eine Querschnittansicht einer Kontaktstelle eines herkömmlichen Halbleiterbauelements,
2A und 2B eine Draufsicht beziehungsweise eine Querschnittansicht einer Kontaktstelle eines Halbleiterbauelements gemäß der Erfindung und
3A und 3B eine Draufsicht beziehungsweise eine Querschnittansicht einer weiteren Kontaktstelle eines Halbleiterbauelements gemäß der Erfindung.
Nunmehr werden Halbleiterbauelemente und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstelle derselben gemäß der Erfindung im Folgenden vollständiger unter Bezugnahme auf die zugehörigen 2A bis 3B beschrieben. Es ist zu erwähnen, dass überall in der Beschreibung, soweit nicht anders erwähnt, eine Schicht, wenn sie als auf einer anderen Schicht oder auf einem Substrat ausgebildet beschrieben ist, direkt auf der anderen Schicht oder auf dem Substrat ausgebildet sein kann oder eine oder mehrere Schichten zwischen die Schicht und die andere Schicht oder das Substrat zwischengefügt sein kann bzw. können. In den Figuren ist die Dicke von Schichten und Bereichen zwecks Klarheit übertrieben dargestellt.
2A ist eine Draufsicht auf eine Kontaktstelle eines Halbleiterbauelements gemäß einer exemplarischen Ausführungsform der Erfindung, und 2B ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie X-X' von 2A. Nunmehr wird ein Verfahren zur Anordnung der in den 2A und 2B gezeigten Kontaktstelle beschrieben.
In einem Substrat 30 wird eine Mehrzahl von aktiven Bereichen 32 separat angeordnet, auf jeweiligen aktiven Bereichen 32 werden mehrere erste dielektrische Kontakte 34-1 separat angeordnet, und auf Bereichen zwischen den ersten dielektrischen Kontakten 34-1 wird eine erste isolierende Schicht 34-2 angeordnet, um die ersten dielektrischen Kontakte 34-1 voneinander zu isolieren. Auf den ersten dielektrischen Kontakten 34-1 und der ersten isolierenden Schicht 34-2 wird eine Gate-Polyschicht 36 angeordnet, auf der Gate-Polyschicht 36 werden an den gleichen Positionen wie die jeweiligen aktiven Bereiche 32 mehrere zweite dielektrische Kontakte 38-1 separat angeordnet, und auf Bereichen zwischen den zweiten dielektrischen Kontakten 38-1 wird eine zweite isolierende Schicht 38-2 angeordnet, um die zweiten dielektrischen Kontakte 38-1 voneinander zu isolieren. Eine Bitleitungs-Polyschicht 40 wird auf den zweiten dielektrischen Kontakten 38-1 und der zweiten isolierenden Schicht 38-2 angeordnet, mehrere Metallkontakte 42-1 werden separat an den gleichen Positionen wie die jeweiligen dielektrischen Kontakte 38-1 angeordnet, und eine dritte isolierende Schicht 42-2 wird auf Bereichen zwischen den Metallkontakten 42-1 angeordnet, um die Metallkontakte 42-1 voneinander zu isolieren. Eine erste Metallschicht 44 wird auf den Metallkontakten 42-1 und der dritten isolierenden Schicht 42-2 angeordnet, ein Durchkontakt 46 wird auf der ersten Metallschicht 44 angeordnet, und eine zweite Metallschicht 48 wird auf dem Durchkontakt 46 angeordnet. Wie aus 2A ersichtlich, werden die ersten dielektrischen Kontakte 34-1, die zweiten dielektrischen Kontakte 38-1 und die Metallkontakte 42-1 separat in einer Matrixform angeordnet.
In den 2A und 2B kann die Bitleitungs-Polyschicht 40 durch eine Platten-Polyschicht ersetzt werden, und die aktiven Bereiche 32 können statt separat integral angeordnet werden.
In der Kontaktstelle des Halbleiterbauelements der vorliegenden Ausführungsform bilden die erste und die zweite Metallschicht 44 und 48 ähnlich wie die Kontaktstelle des herkömmlichen Halbleiterbauelements eine untere Kontaktstelle beziehungsweise eine obere Kontaktstelle, und die zweite Metallschicht 48 ist mit den Metallkontakten 42-1, der Bitleitungs-Polyschicht 40, den zweiten dielektrischen Kontakten 38-1, der Gate-Polyschicht 36, den ersten dielektrischen Kontakten 34-1 und den aktiven Bereichen 32 elektrisch verbunden. Wenn eine Spannung an die Kontaktstelle angelegt wird, wird diese demgemäß von der zweiten Metallschicht 48 an die aktiven Bereiche 32 angelegt.
In der Kontaktstelle des vorstehend beschriebenen Halbleiterbauelements sind die erste, die zweite und die dritte isolierende Schicht 34-2, 38-2 und 42-2 an den gleichen Positionen ausgebildet wie die erste, die zweite und die dritte isolierende Schicht, die unter der Kontaktstelle des herkömmlichen Halbleiterbauelements angeordnet sind, und eine Mehrzahl von Kontakten 34-1, 38-1, 42-1 und 46 ist außerdem zusätzlich zu der ersten, der zweiten und der dritten isolierenden Schicht 34-2, 38-2 und 42-2 angeordnet. So kann die in dem Substrat 30 des Halbleiterbauelements erzeugte Wärme durch die Kontakte 34-41, 38-1, 42-1 und 46 effektiv abgeführt werden.
Das heißt, gemäß der Erfindung ist im Vergleich zu dem herkömmlichen Halbleiterbauelement, bei dem isolierende Schichten mit einer geringen thermischen Leitfähigkeit auf einem großen Bereich unter der Kontaktstelle angeordnet sind, so dass Wärme nicht effektiv von dem Halbleiterbauelement abgeführt werden kann, eine Mehrzahl von Kontakten mit einer hohen thermischen Leitfähigkeit angeordnet, um eine Dissipation von Wärme von dem Halbleiterbauelement zu erleichtern.
3A ist eine Draufsicht auf eine Kontaktstelle eines Halbleiterbauelements gemäß einer weiteren exemplarischen Ausführungsform der Erfindung, und 3B ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie X-X' von 3A. Nunmehr wird ein Verfahren zum Anordnen der in den 3A und 3B gezeigten Kontaktstelle beschrieben.
In einem Substrat 50 werden aktive Bereiche 50-1 und 50-2 separat angeordnet. In diesem Fall wird der aktive Bereich 50-1 breiter als die aktiven Bereiche 50-2 ausgebildet. Eine erste isolierende Schicht 52-1 und erste dielektrische Kontakte 52-2 werden separat auf den jeweiligen aktiven Bereichen 50-1 und 50-2 angeordnet, und die erste isolierende Schicht 52-1 wird auf Bereichen zwischen den ersten dielektrischen Kontakten 52-2 angeordnet, um die ersten dielektrischen Kontakte 52-2 voneinander zu isolieren. Eine Gate-Polyschicht 54 wird integral auf der ersten isolierenden Schicht 52-1 und den ersten dielektrischen Kontakten 52-2 angeordnet. Zweite dielektrische Kontakte 56-2 werden auf der Gate-Polyschicht 54 jeweils an den gleichen Positionen wie die ersten dielektrischen Kontakte 52-2 angeordnet, und eine zweite isolierende Schicht 56-1 wird auf Bereichen angeordnet, in denen die zweiten dielektrischen Kontakte 56-2 nicht angeordnet sind. Eine Bitleitungs-Polyschicht 58 wird integral auf der zweiten isolierenden Schicht 56-1 und den zweiten dielektrischen Kontakten 56-2 angeordnet, Metallkontakte 60-2 werden auf der Bitleitungs-Polyschicht 58 jeweils an den gleichen Positionen wie die zweiten dielektrischen Kontakte 52-2 angeordnet, und eine dritte isolierende Schicht 60-1 wird auf Bereichen angeordnet, in denen die Metallkontakte 60-2 nicht angeordnet sind. Eine erste Metallschicht 62 wird integral auf der dritten isolierenden Schicht 60-1 und den Metallkontakten 60-2 angeordnet, ein Durchkontakt 64 wird auf der ersten Metallschicht 62 angeordnet, und eine zweite Metallschicht 66 wird auf dem Durchkontakt 64 angeordnet.
In den 3A und 3B kann die Bitleitungs-Polyschicht 58 durch eine Platten-Polyschicht ersetzt werden, und die aktiven Bereiche 50-1 und 50-2 können statt separat integral angeordnet sein.
In der Kontaktstelle des Halbleiterbauelements der vorliegenden Ausführungsform sind Komponenten in einem Bereich A in der gleichen Weise wie die herkömmliche Kontaktstelle angeordnet, und Komponenten in einem Bereich B sind in der gleichen Weise wie unter Bezugnahme auf die 2A und 2B beschrieben angeordnet.
Das heißt, in der Kontaktstelle des vorstehend beschriebenen Halbleiterbauelements bilden die erste Metallschicht 62 und die zweite Metallschicht 66 eine untere Kontaktstelle beziehungsweise eine obere Kontaktstelle, und eine Struktur, die sich unter der zweiten Metallschicht 66 befindet, ist so angeordnet, dass die Stufenhöhe zu benachbarten Schaltkreisen reduziert und eine mechanische Belastung gemildert wird, die während eines Drahtbondprozesses einwirkt. Außerdem ist eine Struktur, die unter dem Bereich B der zweiten Metallschicht 66 angeordnet ist, die gleiche wie die Struktur, die in den 2A und 2B gezeigt ist. So kann in dem Substrat 50 des Halbleiterbauelements erzeugte Wärme durch die ersten und zweiten dielektrischen Kontakte 52-2 und 56-2 und die Metallkontakte 60-2 effektiv abgeführt werden.
In dem in den 3A und 3B gezeigten Halbleiterbauelement ist die in dem Bereich B befindliche Struktur in einem Bereich zwischen Kontaktstellen angeordnet, wo kein Schaltkreis angeordnet ist, so dass es möglich ist, die Kontaktstellen anzuordnen, ohne eine Layoutfläche zu vergrößern.
Außerdem kann die Kontaktstellenstruktur gemäß der Erfindung auf alle Kontaktstellen des Halbleiterbauelements oder lediglich einige Kontaktstellen angewendet werden, die viel Wärme abführen, zum Beispiel lediglich Kontaktstellen, die dazu verwendet werden, eine Leistungsversorgungsspannung oder eine Massespannung zuzuführen.
In den vorstehenden beispielhaften Ausführungsformen ist die Kontaktstelle so beschrieben, dass sie zwei Metallschichten und zwei Polyschichten beinhaltet, die unter den Metallschichten angeordnet sind, die Kontaktstelle kann jedoch auch drei Metallschichten und eine oder drei Polyschichten beinhalten, die unter den Metallschichten angeordnet sind.
Gemäß der Erfindung wie vorstehend beschrieben, kann in dem Halbleiterbauelement erzeugte Wärme durch die unter der Kontaktstelle angeordneten Kontakte effektiv abgeführt werden.

Claims

Halbleiterbauelement mit – einem Substrat (30; 50), – wenigstens einem aktiven Bereich (32; 50-1, 50-2), der in dem Substrat angeordnet ist, – einer Mehrzahl von thermisch leitfähigen ersten Kontakten (34-1; 52-2), die mit Berührkontakt auf dem wenigstens einen aktiven Bereich angeordnet und voneinander isoliert sind, – einer einmalig oder sich wiederholend angeordneten Schichtfolge aus einer Polyschicht (36, 40; 54, 58) und darauf mit Berührkontakt zu dieser und voneinander isoliert angeordneten thermisch leitfähigen zweiten Kontakten (38-1, 42-1; 56-2, 60-2), wobei eine unterste Polyschicht (36; 54) ganzflächig auf den ersten Kontakten mit Berührkontakt zu diesen angeordnet ist, und – einer Kontaktstelle (44 bis 48; 62 bis 66), die ganzflächig auf obersten der zweiten Kontakte (42-1; 60-2) mit Berührkontakt zu diesen angeordnet ist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass – wenigstens ein erster aktiver Bereich (50-1) in einem ersten Bereich des Substrats angeordnet ist und wenigstens ein zweiter aktiver Bereich (50-2) in einem zweiten Bereich benachbart zu dem ersten Bereich des Substrats angeordnet ist, – die ersten Kontakte auf dem wenigstens einen zweiten aktiven Bereich angeordnet sind, – eine erste isolierende Schicht (52-1) auf dem ersten aktiven Bereich und zwischen den ersten Kontakten angeordnet ist, – die unterste Polyschicht auf den ersten Kontakten und der ersten isolierenden Schicht angeordnet ist, – die zweiten Kontakte auf der jeweiligen Polyschicht in dem zweiten Bereich angeordnet sind, – eine jeweilige zweite isolierende Schicht (56-1) zwischen den zweiten Kontakten und auf der jeweiligen Polyschicht in dem ersten Bereich angeordnet ist und – die Kontaktstelle auf der obersten zweiten isolierenden Schicht und den obersten zweiten Kontakten angeordnet ist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die jeweilige Polyschicht eine Schicht ist, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einer Gate-Polyschicht, einer Platten-Polyschicht und einer Bitleitungs-Polyschicht besteht.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Kontakte dielektrische Kontakte sind.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Kontakte in einer Matrix angeordnet sind.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die zweiten Kontakte Metallkontakte sind.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die zweiten Kontakte in einer Matrix angeordnet sind.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktstelle beinhaltet: – eine erste Metallschicht (44; 62), die auf der obersten zweiten isolierenden Schicht und den obersten zweiten Kontakten angeordnet ist, – einen dritten Kontakt (46; 64), der auf der ersten Metallschicht angeordnet ist, und – eine zweite Metallschicht (48; 66), die auf dem dritten Kontakt angeordnet ist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der dritte Kontakt ein Durchkontakt ist, der die erste Metallschicht und die zweite Metallschicht elektrisch verbindet.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktstelle eine Leistungsversorgungskontaktstelle ist, die zur Zuführung von Leistung verwendet wird.
Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstelle eines Halbleiterbauelements mit folgenden Schritten: – Bilden wenigstens eines aktiven Bereichs (32; 50-1, 50-2) in einem Substrat (30; 50), – Bilden einer Mehrzahl von separaten, thermisch leitfähigen ersten Kontakten (34-1; 52-2) auf dem wenigstens einen aktiven Bereich, – ein- oder mehrmaliges Bilden einer Schichtfolge aus einer Polyschicht (36, 40; 54, 58) und darauf mit Berührkontakt zu dieser und voneinander separiert angeordneten, thermisch leitfähigen zweiten Kontakten (38-1, 42-1; 56-2, 60-2), wobei eine unterste Polyschicht (36; 54) ganzflächig auf den ersten Kontakten mit Berührkontakt zu diesen angeordnet ist, und – Bilden der Kontaktstelle (44 bis 48; 62 bis 66) ganzflächig auf obersten der zweiten Kontakte (42-1; 60-2) mit Berührkontakt zu diesen.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass – wenigstens ein erster aktiver Bereich (50-1) in einem ersten Bereich eines Substrats gebildet wird und wenigstens ein zweiter aktiver Bereich (50-2) in einem zweiten Bereich benachbart zu dem ersten Bereich des Substrats gebildet wird, – die ersten Kontakte auf dem wenigstens einen zweiten aktiven Bereich gebildet werden, – eine erste isolierende Schicht (52-1) auf dem ersten aktiven Bereich zwischen den ersten Kontakten gebildet wird, – die unterste Polyschicht auf den ersten Kontakten und der ersten isolierenden Schicht gebildet wird, – die zweiten Kontakte auf der jeweiligen Polyschicht in dem zweiten Bereich gebildet werden, – eine jeweilige zweite isolierende Schicht (56-1) zwischen den zweiten Kontakten und auf der jeweiligen Polyschicht in dem ersten Bereich gebildet wird und – die Kontaktstelle auf der obersten zweiten isolierenden Schicht und den obersten zweiten Kontakten gebildet wird.
Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die jeweilige Polyschicht eine Schicht ist, die aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einer Gate-Polyschicht, einer Platten-Polyschicht und einer Bitleitungs-Polyschicht besteht.
Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Bilden des Kontaktes umfasst: – Bilden einer ersten Metallschicht (44; 62) auf den obersten zweiten Kontakten oder auf der obersten zweiten isolierenden Schicht und den obersten zweiten Kontakten, – Bilden eines dritten Kontakts (46; 64) auf der ersten Metallschicht und – Bilden einer zweiten Metallschicht (48; 66) auf dem dritten Kontakt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktstelle so gebildet wird, dass sie eine Leistungsversorgungskontaktstelle ist, die zur Zuführung von Leistung verwendet wird.