DE102005052719A1 - Photon-verbesserte UV-Behandlung dielektrischer Schichten - Google Patents

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Abstract

Eine dielektrische Schicht oder Oxidschicht, wie beispielsweise eine dünne Steuerelementoxidschicht, wird gebildet, indem einer Halbleiterscheibe (210) in einer Prozesskammer (204) thermische Energie zum Erhitzen der Halbleiterscheibe (210) und Lichtenergie, wie beispielsweise UV-Licht, um die Qualität der erzeugten Schicht zu verbessern, zugeführt wird.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Diese Erfindung betrifft im Allgemeinen Verfahren zur Halbleiterherstellung und, insbesondere ein Verfahren zur Behandlung dielektrischer Schichten während der Verarbeitung.
  • Übliche Halbleitervorrichtungen sind hergestellt indem zuerst ein Hauptmassenmaterial wie Si, Ge und GaAs in Form eines Halbleiterträgermaterials oder einer Halbleiterscheibe bereitgestellt wird. Dotiersubstanzen werden dann in das Trägermaterial eingebracht, um p- und n-leitende Bereiche in einer Verarbeitungs- oder Reaktionskammer zu bilden. Die Dotiersubstanzen können mittels der Verfahren Thermodiffusion oder Ionenimplantation eingebracht werden. In dem letzteren Verfahren sind die implantierten Ionen zunächst mit Zwischenräumen verteilt. Um dotierte Bereiche zu erhalten, die elektrisch aktiv als Donator oder Akzeptor sind, müssen die Ionen somit in stellvertretenden Gitterstellen eingebracht werden. Dieser "Aktivierungs"-Prozess wird durch Erhitzen des Hauptmasseträgermaterials, üblicherweise im Bereich zwischen 600°C bis 1300°C, erreicht. Wird beispielsweise eine Silikonhalbleiterscheibe verwendet, so kann eine dielektrische Schicht oder Beschichtung wie Silikonoxid gebildet ("grown") oder abgesetzt werden, um eine elektrische Grenzfläche zu erzeugen. Schließlich wird eine Metallisierung, wie Aluminium, aufgebracht, beispielsweise mittels Verdampfen oder Bedampfen.
  • Die Qualität dünner Oxide oder Dielektrika, wie beispielsweise für eine Gate-Isolierung („gate insulating"), wird im Bereich der Halbleitervorrichtungsherstellung wichtiger. Weite Bereiche kommerzieller Vorrichtung, wie elektrisch löschbar und danach erneut programmierbarer Festwertspeicher (electrically erasable programmable read only memories, EEPROM), dynamische Speicher mit wahlfreiem Zugriff (dynamic random access memories, DRAM) und in letzter Zeit auch Hochgeschwindigkeitselementarlogikfunktionen, sind abhängig von der Möglichkeit, qualitativ hochwertige, sehr dünne Oxidschichten herzustellen. Qualitativ hochwertige Dielektrika werden in derartigen Bauteilen benötigt, um zufriedenstellende Funktionen betreffend sowohl Geschwindigkeit als auch Langlebigkeit zu erreichen.
  • Bekannte Gate-Isolationsschichten („gate insulating layers") werden den Anforderungen zukünftiger Bauteile nicht gerecht. Die meisten möglichen Gate-Isolationsschichten sind reine Silikonoxide (SiO2), wobei die Oxidbeschichtung durch thermische Oxidation gebildet wird. Andere verwenden eine Kombination einer bei hohen Temperaturen abgelagerten SiO2 Schicht mit einer thermische gebildeten Schicht.
  • Da Halbleiterbauteile und -geometrien immer kleiner werden, müssen Oxide immer dünner und dünner werden, beispielsweise im Bereich von 15 bis 20 Å. Da jedoch die Oxidschicht immer dünner wird, kann ein Kriechverlust zu einem Problem werden, insbesondere bei Oxiden mit geringer Qualität. Mit den bekannten Techniken zum Bilden von Oxid, ist die Qualität der Oxidschicht nicht ausreichend, um sehr dünne Oxidschichten zu erhalten. Ein üblicher Weg, um die Qualität der Oxidschicht zu verbessern, ist eine Steigerung der Temperatur oder der thermischen Energie mit welcher die Oxidschicht erzeugt wird. Ein Problem ist dabei jedoch dass mit der ansteigenden Temperatur andere Dotierungsmittel diffundieren können, was andere Eigenschaften der Halbleitervorrichtung nachteilig beeinflussen kann. Andererseits, wenn die thermische Energie reduziert wird, die bereits eine relativ geringe Elektronenenergie aufweist, so weist das thermisch gebildete Oxid geringe Qualitäten aufgrund von Faktoren wie geringe Integrations- und Diffusionseffekte auf. Es ist daher schwierig eine dünne Oxidschicht mit einer beständigen Qualität und Dicke mittels üblicher thermischer Verfahren herzustellen.
  • Reine SiO2 Schichten sind ungeeignet für Bauteile, die dünne oder sehr dünne dielektrische Schichten oder Oxidschichten benötigen, da ihre Intaktheit bei der Bildung unzulänglich ist und sie unter den ihnen eigenen physikalischen und elektrischen Beschränkungen leiden. SiO2 Schichten leiden weiter unter der Unmöglichkeit gleichmäßig und schadensfrei hergestellt zu werden, wenn sie als dünne Schichten ausgebildet werden. Darüber hinaus, nachgeschaltete VLSI Vorgänge können weiter dazu beitragen, die ohnehin anfällige Intaktheit der dünnen SiO2 Schicht anzugreifen. Weiter, reine SiO2 Schichten neigen dazu zu verfallen, wenn sie einer Aufladungseinspritzung durch Schnittstellenbildung oder Ladungsannahme ausgesetzt werden. Reine SiO2 Schichten sind als solche ungeeignet als dünne Schichten in zukünftigen Technologien.
  • In tunnelförmigen Oxiden treten Ausfälle aufgrund von Einschlüssen der Ladung in den Oxiden auf, wobei das elektrische Feld allmählich entlang des Oxides ansteigt bis das Oxid der zugeführten Spannung nicht länger standhalten kann. Oxide mit höherer Qualität schließen weniger Ladung über die Zeit ein und es dauert demnach länger, bis ein Ausfall auftritt. Hochqualitative dünne Schichten sind somit gewünscht.
  • Gewöhnliche Oxidschichten sind darüber hinaus amorph, d.h. es liegt eine verkürzte Periodizität vor, so dass sich die Oxidatome in der näheren Umgebung ähnlich sind, jedoch mit einer Entfernung ihre Struktur unvorhersehbar wird. Die Oxidschicht kann weiter freie oder baumelnde Bindungen aufweisen. Diese baumelnden oder freien Bindungen können problematisch werden, wenn ein Ion oder eine Ladung vorliegt, was beispielsweise dazu führt, dass große Funktionsschwankungen zwischen den Bauteilen auftreten.
  • Es ist daher wünschenswert die baumelnde oder freie Bindung zu deaktivieren. Ein Verfahren hierfür ist die Schicht mit baumelnden oder freien Bindungen einem Wasserstoff auszusetzen, wobei die auftretende Reaktion die baumelnden oder freien Bindungen elektrisch deaktiviert. Diese Reaktion benötigt jedoch eine hohe Energie, welche durch eine Steigerung der Temperatur oder der thermischen Energie zugeführt werden kann. Bei hohen Temperaturen bildet sich jedoch Oxid und somit wächst die Dicke der "dünnen" Oxidschicht auf nicht wünschenswerte Weise.
    •
  • Folglich besteht ein Bedarf an Methoden um eine dünne Oxidschicht oder dielektrische Schicht oder Beschichtung zu bilden, welche die oben genannten Nachteile der bekannten Techniken überwindet.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung, wird eine Lichtenergie, wie beispielsweise ultraviolettes Licht (UV) verwendet, um eine dielektrische Schicht oder Beschichtung oder eine Oxidschicht während und/oder zwischen der Bildung dieser Schicht oder Beschichtung zu bestrahlen. Die zusätzliche Energie, welche durch die Lichtquelle zugeführt wird, ermöglicht eine niedrigere Prozesstemperatur zur Bildung einer hochqualitativen dünnen Schicht.
  • In einer Ausführungsform wird Licht mit einer Wellenlänge zwischen 150 nm und 1 μm verwendet, um eine Halbleiterscheibe in einer Prozesskammer in einer Zeitspanne zwischen 0,1 ms und 3600 s, bei einer Temperatur zwischen 0°C und 1300°C und einem Druck zwischen 0,001 mTorr und 1000 Torr zu bestrahlen, um eine dünne dielektrische Schicht mit einer Dicke zwischen 1 Å und 1000 Å auszubilden. Die Bestrahlung wird gleichzeitig mit einem üblichen Prozess zum Bilden einer dünnen Schicht durchgeführt oder kann anschließend an die Bildung der dünnen Schicht durchgeführt werden, entweder an der gleichen Stelle oder in einer anderen Kammer. Arbeitsgase, welche für die Bestrahlung verwendet werden, können ein beliebiges Gas sein oder Gase, welche für die Schichtbildung verwendet werden, wie beispielsweise, jedoch nicht abschließend, Luft, O2, N2, HCl, NH3, N2H4, und H2O.
  • In einer Ausführungsform umfasst die Prozesskammer eine Lichtquelle, wie beispielsweise eine Gitterlampe oder eine Reihe an Lampen, oberhalb der Halbleiterscheibe. Die Lichtquelle ist zwischen einem Reflektor im oberen Teil der Kammer und der Halbleiterscheibe angeordnet. Lichtquellen können eine Halogenlampe, eine Quecksilberlampe oder eine Cadmiumlampe umfassen, die als durchgehende Lampe oder als Serie angeordnet sind. In einer Ausführungsform ist ein Fenster zwischen der Halbleiterscheibe und der Lichtquelle angeordnet, wobei das Fenster ein Filter oder ein Nichtfilter sein kann. Eine steuerbare Erwärmungsquelle, wie beispielsweise eine heiße Scheibe, Lampen oder ein Suszeptor, heizen die Halbleiterscheibe während Arbeitsgase in die Kammer eingeführt werden. Ein Transportmechanismus ist derart ausgebildet, um die Halbleiterscheibe in die und aus der Kammer, sowie innerhalb der Kammer, zu bewegen. Der Druck in der Prozesskammer ist zwischen mindestens 0,001 mTorr und 1000 Torr einstellbar. Mindestens ein Gaseinlass-/Auslasskanal ermöglicht es, Arbeitsgase und andere Gase in die Kammer einzuführen und aus der Kammer abzulassen. Die Prozesskammer kann eine Einzelhalbleiterscheibenprozesskammer sein oder eine Halbleiterfertigungslosprozesskammer.
  • Durch die Verwendung von UV Licht in Verbindung mit thermischer Energie kann die erzeugte Oxidschicht oder dielektrische Schicht als dünne Schicht (beispielsweise ungefähr 100 nm oder weniger) ausgebildet werden, wobei eine hohe Qualität beibehalten wird. Niedrigere Temperaturen können verwendet werden, wodurch die Oxidqualität verbessert wird, wobei nachteilige Diffusionseffekte, ein Einschluss von Ladung und baumelnde oder freie Bindungen abnehmen. Die elektrischen Eigenschaften der Schicht werden ebenfalls verbessert. Die Zahl unpaariger Bindungen, wie beispielsweise in einer Silikon-Silikondioxid Schicht, wird deutlich reduziert. Weitere Vorteile der vorliegenden Erfindung umfassen eine Verringerung unerwünschter elektrischer Einschlüsse/Zwischenräume in Zustandsdichten, eine Verringerung ungewünschter Si-OH Bindungen und eine Verringerung von H2O in der Schicht.
  • Diese sowie weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch die unten aufgeführte ausführliche Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den zugehörigen Zeichnungen deutlich.
    •
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Flussdiagramm einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zur Bildung einer dielektrischen Schicht auf einer Halbleiterscheibe; und
  • 2 ist eine schematische Darstellung einer Seitenansicht einer Ausführungsform einer Verarbeitungsschiene für Halbleiterscheiben zur Durchführung des Verfahrens gemäß 1.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung und ihre Vorteile werden am besten mit Bezug auf die folgende, ausführliche Beschreibung verständlich. Für gleiche Bauteile werden dabei einheitliche Bezugszeichen verwendet.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • 1 ist ein Flussdiagramm, das eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zur Bildung einer dielektrischen Schicht zeigt. In Schritt 100 wird eine Halbleiterscheibe in einer Prozesskammer platziert. Die Halbleiterscheibe kann dabei, in Abhängigkeit der Art der auszubildenden Schicht auf der Halbleiterscheibe, in einem beliebigen Arbeitsgang ihrer Herstellung vorliegen. In Schritt 102 wird eine dielektrische Schicht oder eine Oxidschicht, wie eine Gate-Isolationsschicht, auf der Halbleiterscheibe ausgebildet, beispielsweise durch Einführen eines oder mehrerer Arbeitsgase in die Prozesskammer. Die Arbeitsgase werden zur Bildung einer dielektrischen Schicht oder einer Oxidschicht auf der Halbleiterscheibe verwendet. Der Bildungsvorgang kann ein Wachsen oder eine Ablagerung der Oxidschicht durch Gasphasenabscheidung (chemical vapor deposition, CVD) oder eine Abscheidung aus der Dampfphase (physical vapor deposition, PVD) oder eine Rotationsbeschichtung (spin coating) unter Verwendung einer flüssigen Quelle sein. Geeignete Arbeitsgase umfassen beispielsweise Luft, O2, N2, HCl, NH3 und H2O, sind jedoch nicht auf diese beschränkt. Druck und Temperatur innerhalb der Kammer werden gemäß dem Verfahren und den Systemparametern eingestellt. Beispielsweise kann der Druck zwischen 0,001 mTorr und 1000 Torr liegen und die Temperatur zwischen 0°C und 1300°C. In einer Ausführungsform ist die Temperatur niedriger als 800°C. Da die Vorgänge zum Bilden oder Ablagern einer Oxidschicht allgemein bekannt sind, werden genaue Prozessparameter nicht genannt. Es sei jedoch angemerkt, dass der Fachmann geeignete Prozessparameter in Abhängigkeit der für eine Schicht gewünschten Eigenschaften zu wählen versteht. Ein wichtiges Merkmal der vorliegenden Erfindung ist es, dass die Temperatur während der Bildung der dünnen dielektrischen Schicht nicht merklich erhöht werden muss, um die Qualität der Schicht zu verbessern.
  • Im Schritt 104 wird die Halbleiterscheibe mit Licht oder Photonenenergie bestrahlt. In einer Bildungsform wird die Bestrahlung während der Bildung der dielektrischen Schicht durchgeführt. In einer anderen Ausführungsform wird die Bestrahlung nach der Bildung der dielektrischen Schicht oder Beschichtung durchgeführt, beispielsweise zwischen einzelnen Zyklen der Schichtbildung. Die Lichtquelle kann somit zwischen verschiedenen Abschnitten der Schichtbildung für unterschiedliche Zeitspannen an und abgestellt werden. Beispielsweise kann die Lichtquelle kontinuierlich ab Beginn der Schichtbildung bis Ende der Schichtbildung angestellt sein oder in einer oder mehreren Arbeitsschritten.
  • In einer Ausführungsform wird der Schritt 104 an gleicher Stelle durchgeführt. In anderen Ausführungsformen wird die Bestrahlung in einer getrennten Prozesskammer durchgeführt, wie beispielsweise in Verarbeitungsschritten in denen die Halbleiterscheibe aus der Ablagerungsprozesskammer in eine andere Kammer bewegt wird, entweder verbunden mit dem gleichen Apparat oder einem davon getrennten Apparat.
  • In einer Ausführungsform hat das Licht eine Wellenlänge zwischen 150 nm und 1 μm im sichtbaren und ultravioletten (UV) Bereich. Insbesondere UV Licht hat eine relativ hohe Energie, d.h. entsprechend 3 eV und höher. Nachdem die dielektrische Schicht in den Schritten 102 und 104 gebildet ist, geht die Verarbeitung in Schritt 106 weiter, welcher zur Herstellung des Halbleiterbauteiles notwendig ist.
  • 2 zeigt vereinfacht eine Querschnittsdarstellung eines Teils eines Arbeitsreaktors 200 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Der Arbeitsreaktor 200 umfasst ein Gehäuse 202, das aus Aluminium oder einem anderen geeigneten Metall sein kann, und das im Wesentlichen eine Prozesskammer 204, wie beispielsweise eine Ladeschließkammer, umgibt. Die Prozesskammer 204 kann aus einer Verarbeitungsröhre, beispielsweise aus Quarz, Silizium, Carbid, Al2O3 oder einem anderen Material ausgebildet sein. Um eine Verarbeitung durchzuführen sollte die Prozesskammer 204 unter Druck setzbar sein. Nach Möglichkeit sollte die Kammer 204 Innendrücken zwischen 0,001 mTorr und 1000 Torr standhalten können, vorzugsweise zwischen 0,1 Torr und 760 Torr. Eine Öffnung 206 der Prozesskammer 204 ist über ein Ausgangsventil 208 abdichtbar. Das Ausgangsventil 208 ist betriebsfähig um die Öffnung 206 abzudichten, beispielsweise während der Halbleiterschichtverarbeitung, und um die Öffnung 206 freizulegen, beispielsweise während eines Transfers der Halbleiterscheibe 210 in die und aus der Kammer 204. Roboterbaugruppen und andere Mechanismen (nicht dargestellt) können für einen Transfer der Halbleiterscheibe 210 verwendet werden, wie beispielsweise von einer Halbleiterkassette in und aus der Prozesskammer.
  • Angebracht in der Prozesskammer 204 ist ein Scheibenträger 212, der die Halbleiterscheibe 210 während der Verarbeitung hält. Der Scheibenträger 212 kann fest ausgebildet sein oder beweglich, um die Halbleiterscheibe hoch und runter zu positionieren oder die Halbleiterscheibe innerhalb der Prozesskammer zu drehen. Der Scheibenträger 212 kann (wie dargestellt) eine Platte, einzelne Abstandsbolzen oder ein anderer geeigneter Träger sein. Eine Heiz- oder Wärmequelle 214 ist ebenfalls in der Prozesskammer enthalten, beispielsweise unterhalb der Halbleiterscheibe 210. Die Wärmequelle kann jede geeignete Scheibenheizquelle sein, beispielsweise ein Suszeptor, eine heiße Platte oder Lampen. Lampen können als einzige Lampe oder als Feld einzelner Lampen ausgebildet sein, welche im Abstand von der Halbleiterscheibe und voneinander angeordnet sind, um die darüber liegende Halbleiterscheibe einheitlich zu wärmen.
  • Eine Lichtquelle 216 ist oberhalb der Halbleiterscheibe 210 angeordnet, um Lichtenergie, wie UV Energie, der Halbleiterscheibe während der Verarbeitung wie oben beschrieben zuzuführen. Lichtquelle 216 kann eine kontinuierliche Lampe oder eine Reihe an Lampen sein. Geeignete Lampentypen umfassen Halogenlampen, Quecksilberlampen, Xenonlampen, Argonlampen, Kryptonlampen und Cadmiumlampen. Die Wahl der Lichtquelle ist von verschiedenen Faktoren abhängig, beispielsweise der gewünschten Lichtenergie. Beispielsweise können Wolframhalogenlampen verwendet werden, um sichtbares Infrarotlicht zu erzeugen. Quecksilber (Hg) Lampen, mit niedrigem, mittlerem oder hohem Druck, geben Spektrallinien mit unterschiedlicher Intensität. Die Lampenaktivierung und Bedienung kann durch jede geeignete bekannte Methode erfolgen.
  • Die Wellenlänge oder Frequenz des Lichtes kann aufgrund verschiedener Faktoren angepasst werden, wie beispielsweise das Verarbeitungsverfahren und die Art der zu bildenden Schicht. In einer Ausführungsform ist die Wellenlänge des Lichtes zwischen 150 nm und 1 μm. Um die Menge der Lichtenergie zu maximieren, welche auf die Halbleiterscheibe 210 einfällt, kann ein Reflektor 218 oberhalb der Lichtquelle 215 angeordnet werden, um das Licht zurück auf die Halbleiterscheibe 210 zu reflektieren. Der Reflektor 218 kann ebenso entlang dem Außenumfang der Lichtquelle angeordnet werden. In anderen Ausführungsformen kann der Reflektor 218 ein separater Reflektor, wie beispielsweise ein Spiegel, eine Beschichtung an der Innenfläche der Prozesskammer 204 oder eine Kombination aus beiden sein. Wahlweise ist ein Fenster 220 zwischen der Lichtquelle 216 und der Halbleiterscheibe 210 angeordnet um Licht entweder gefiltert oder ungefiltert zu der Halbleiterscheibe 210 während der Verarbeitung durchzulassen. Entsprechend kann das Fenster 220 ein filterndes Fenster oder ein nicht filterndes Fenster sein, hergestellt aus Materialien wie Quarz und ZnSe.
  • Verschiedene Prozesskammern und Verarbeitungsverfahren können im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden. Beispielsweise kann die Prozesskammer eine Einzelhalbleiterkammer für eine schnelle thermische Verarbeitung sein oder mehrere Halbleiterscheibensysteme. Das Verarbeitungsverfahren kann ein thermisches Härten, eine Diffusion der Dotiersubstanz, eine thermische Oxidation, eine Nitritbehandlung, eine Gasphasenabscheidung und ein ähnliches Verarbeitungsverfahren sein, in welchem in einem Verarbeitungsschritt eine dünne dielektrische Schicht gebildet wird, wobei Lichtenergie während der Bildung der Schicht die Qualität der erzeugten Schicht verbessert.
  • Ein Vorteil der Verwendung von Lichtenergie ist das hohe Energieniveau im Vergleich zur thermischen Energie üblicher Wärmequellen, wie heißen Platten oder Suszeptoren. Da thermische Energie bei der Unwandlung in Elektronenenergie eine geringe Leistung aufweist, ist das Energieniveau niedrig. Lichtenergie entspricht dagegen in einem sichtbaren Lichtspektrum mehr als 1 eV, wobei Licht in einem ultravioletten Spektrum 3 eV und mehr entspricht. Damit kann durch Licht hohe Energie der Halbleiterscheibe während der Verarbeitung zugeführt werden, zusätzlich zu der thermischen Energie. Das Licht lässt die dielektrische Schicht oder Oxidschicht nicht anwachsen, sondern verbessert die Qualität einer derartigen Schicht. Weitere Vorteile umfassen die Verringerung von Ladungseinschlüssen, die Verringerung oder Verhinderung baumelnder oder freier Bindungen und eine Verbesserung elektrischer Eigenschaften der erzeugten Bauteile.
  • Die oben genannten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung dienen lediglich der Anschauung und sind nicht einschränkend zu verstehen. Beispielsweise werden dielektrische Schichten oder Oxidschichten behandelt. Es ist jedoch denkbar andere Schichten, welche während einer Halbleiterverarbeitung gebildet werden, ebenfalls von einer Bestrahlung mit einer Lichtquelle gemäß der vorliegenden Erfindung profitieren.

Claims (33)

  1. Verfahren zur Verarbeitung von Halbleiterscheiben (210) umfassend: Bereitstellen eines Halbleiterträgermaterials in einer Prozesskammer (204); Bereitstellen eines Arbeitsgases innerhalb der Prozesskammer (204); Erhitzen des Trägermaterials während einer Bildung einer dielektrischen Schicht auf dem Trägermaterial; und Bestrahlen des Trägermaterials mit Licht, um die Qualität der dielektrischen Schicht zu verbessern.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die dielektrische Schicht eine Oxidschicht ist.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei die Oxidschicht eine dünne Oxidschicht mit einer Dicke zwischen ungefähr 1 Å und 1000 Å ist.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Bestrahlen mittels einer Lichtquelle (216) erfolgt, die oberhalb des Trägermaterials angeordnet ist.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Licht ultraviolettes Licht ist.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Erhitzen ein thermisches Erhitzen ist.
  7. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, weiter umfassend: Bereitstellen eines zweiten Halbleiterträgermaterials in der Prozesskammer (204) und Erhitzen und Bestrahlen des zweiten Trägermaterials während der Bildung einer dielektrischen Schicht auf dem zweiten Trägermaterial.
  8. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Erwärmen die dielektrische Schicht bildet.
  9. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das Bestrahlen während der Bildung der dielektrischen Schicht erfolgt.
  10. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das Bestrahlen nach einer Bildung der dielektrischen Schicht erfolgt.
  11. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, weiter umfassend: Bewegen des Trägermaterials in eine zweite Prozesskammer nach der Bildung der dielektrischen Schicht und vor einem Bestrahlen.
  12. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das Erwärmen und das Bestrahlen am gleichen Ort durchgeführt werden.
  13. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung in einer Prozesskammer (204) umfassend: Bereitstellen eines Halbleiterträgermaterials in der Prozesskammer (204); Bilden einer dielektrischen Beschichtung auf dem Trägermaterial; und Bestrahlen des Trägermaterials mit Licht, um die Qualität der dielektrischen Beschichtung zu verbessern.
  14. Das Verfahren gemäß Anspruch 13, wobei die dielektrische Schicht eine Oxidschicht ist.
  15. Das Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei die Oxidschicht eine dünne Oxidschicht mit einer Dicke zwischen ungefähr 1 Å und 10000 Å ist.
  16. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei das Bestrahlen mittels einer Lichtquelle erfolgt, die oberhalb des Trägermaterials angeordnet ist.
  17. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 16, wobei das Licht eine Wellenlänge zwischen ungefähr 150 nm und 1 μm hat.
  18. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 17, wobei das Bilden der Schicht ein Erwärmen des Trägermaterials und das Einführen mindestens eines Arbeitsgases in die Prozesskammer (204) umfasst.
  19. Das Verfahren gemäß Anspruch 18, wobei das Erwärmen ein thermisches Erwärmen ist.
  20. Das Verfahren gemäß Anspruch 18 oder 19, wobei das Erwärmen die dielektrische Beschichtung ausbildet.
  21. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 20, wobei das Bestrahlen während des Bildens der Schicht durchgeführt wird.
  22. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 20, wobei das Bestrahlen nach des Bildens der Beschichtung durchgeführt wird.
  23. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 22 weiter umfassend: Bewegen des Trägermaterials in eine zweite Kammer nach dem Bilden der Schicht und vor einem Bestrahlen.
  24. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 22, wobei das Bilden und das Bestrahlen am gleichen Ort durchgeführt werden.
  25. Ein Halbleiterscheibenverarbeitungssystem umfassend: eine Prozesskammer (204); ein Gasverteilungssystem, das ausgebildet ist um ein Prozessgas der Prozesskammer (204) zuzuführen; ein Scheibenträger (212) zum Halten der Halbleiterscheibe während der Verarbeitung; ein Heizelement (214), das unterhalb der Halbleiterscheibe angeordnet ist; und eine Bestrahlungslichtquelle (216), die oberhalb der Halbleiterscheibe angeordnet ist.
  26. Das Verarbeitungssystem gemäß Anspruch 25, wobei Arbeitsgas derart gewählt ist, um eine dielektrische Schicht an der Halbleiterscheibe auszubilden.
  27. Das Verarbeitungssystem gemäß Anspruch 25 oder 26, wobei die Lichtquelle (216) aus einer Gruppe bestehend aus Halogen, Quecksilber, Xenon, Argon, Krypton und Cadmiumlampen, ausgewählt ist.
  28. Das Verarbeitungssystem gemäß einem der Ansprüche 25 bis 27, wobei die Lichtquelle (216) eine Mehrzahl an Lampen umfasst.
  29. Das Verarbeitungssystem gemäß einem der Ansprüche 25 bis 28, wobei das Heizelement (214) ein thermisches Heizelement ist.
  30. Das Verarbeitungssystem gemäß einem der Ansprüche 25 bis 29, weiter umfassend: ein Fenster (220) zwischen der Halbleiterscheibe (210) und der bestrahlten Lichtquelle (216).
  31. Das Verarbeitungssystem gemäß Anspruch 30, wobei das Fenster (220) ein filterndes Fenster ist.
  32. Das Verarbeitungssystem nach einem der Ansprüche 25 bis 31, weiter umfassend: einen Reflektor, der oberhalb der bestrahlenden Lichtquelle (216) angeordnet ist.
  33. Das Verarbeitungssystem gemäß einem der Ansprüche 25 bis 32, wobei das Heizelement (214) und die bestrahlende Lichtquelle (216) so ausgebildet sind, dass beide während der Bildung einer dielektrischen Schicht auf der Halbleiterscheibe (210) angeschaltet sind.
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