KR20060052438A - 유전체 필름의 광 강화 자외선 처리 방법과 이에 관련된웨이퍼 처리 시스템 - Google Patents

유전체 필름의 광 강화 자외선 처리 방법과 이에 관련된웨이퍼 처리 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 챔버 내의 웨이퍼에 자외광 같은 광 에너지와 열 에너지를 공급하여 얇은 게이트 산화막 같은 유전체 또는 산화물 층을 형성함으로써, 최종 생성된 층의 품질을 개선하는 것이다.

Description

유전체 필름의 광 강화 자외선 처리 방법과 이에 관련된 웨이퍼 처리 시스템{PHOTO―ENHANCED UV TREATMENT OF DIELECTRIC FILMS}
도 1은 웨이퍼에 유전체 층을 형성하는 본 발명의 일 실시예의 흐름도,
도 2는 도 1의 프로세스를 수행하는 반도체 웨이퍼 처리 시스템의 실시예의 개략적인 측면도,
본 발명의 실시예들과 그것들의 이점은 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 아주 잘 이해될 것이다. 같은 참조번호들은 하나 이상의 도면에 도시된 같은 요소를 식별하기 위해 사용된다는 것을 이해해야 한다.
본 발명은 일반적으로 반도체 제조 방법에 관한 것이며, 보다 특정적으로는, 처리(processing) 동안에 유전체 필름을 처리하는 방법에 관한 것이다.
통상의 반도체 부품은 반도체 기판 또는 웨이퍼의 형태에 Si, Ge, 및 GaAs 등의 벌크 재료를 먼저 제공함으로써 제조된다. 그 다음에 불순물이 주입되어 열 확산 또는 이온 주입 방법을 사용하여 불순물이 첨가될 수 있다. 후자의 방법에서, 주입된 이온들은 초기에 틈으로 분포될 것이다. 이와 같이, 도핑영역을 전기 적으로 도너 또는 억셉터로서 활성시키기 위해서는 이온들이 치환 격자 위치(substitutional lattice site)에 첨가되어야 한다. 이 "활성화" 프로세스는 일반적으로 600℃ 내지 1300℃ 사이의 범위에서 상기 벌크 웨이퍼를 가열함으로써 달성된다. 예를 들어 실리콘 웨이퍼를 사용할 때, 산화실리콘과 같은 유전체 층이 전기적 인터페이스를 제공하기 위해 "성장"되거나 증착될 수 있다. 최종적으로, 알루미늄과 같은 금속이 예컨대 증발 또는 스퍼터링 기법을 사용하여 부가된다.
게이트 절연 등을 위한 얇은 산화물 또는 유전체의 품질이 반도체 부품 제조 분야에서 더욱 중요해지고 있다. EEPROM, DRAM, 및 더 최근에는 심지어 고속 기초 논리함수와 같은 많은 광범위한 분야의 상업용 부품들이 고품질, 초박막 산화물층의 재생산 능력에 의존한다. 속도와 수명 모두에 있어서 만족스러운 부품 성능을 달성하기 위해 이와 같은 부품에서 고품질의 유전체가 필요하다.
현재의 게이트 절연층은 미래 부품을 위해 필요한 요건이 부족하다. 대부분의 종래 게이트 절연층은 열 산화공정(thermal oxidation)에 의해 형성된 순수 실리콘 산화물(SiO2) 산화막이다. 다른 것들은 열 성장층에 고온 피착된 SiO2 층의 조합을 적용한다. 반도체 부품과 기하구조가 점점 소형화하면서, 게이트 산화막은 예를들어 15 내지 20Å 크기로 점점 얇아지고 있다. 현재의 산화막 성장기술와 산화막층의 품질을 가지고는 초박막 산화막층을 유지하기에는 충분하지 않다. 일반적으로, 산화막층 품질을 개선하기 위한 한가지 방법은 산화막이 성장하는 온도나 열적 에너지를 증가시키는 것이다. 한가지 문제는 온도가 증가하면서, 다른 불순 물이 확산하게 되고, 이는 반도체 부품의 다른 특성에 역효과를 발생할 수 있다. 한편, 이미 상대적으로 낮은 전자에너지를 가진 열적 에너지가 감소될 때, 열적 성장된 산화막은 부분적으로 낮은 집적 및 확산 효과와 같은 인자들 때문에 저급한 품질을 나타낸다. 이와 같이, 종래의 열적 프로세스를 사용하여 일관성있는 품질과 두께를 갖는 얇은 산화막층을 형성하기는 어렵다.
순수 SiO2 층은 형성시 그 집적이 부적절하고 본래의 물리적 전기적 한계를 갖기 때문에, 박막 또는 초박막 유전체 또는 산화막을 필요로 하는 부품을 위해서는 부적합하다. SiO2 층은 이들 박막층으로 형성될 때 균일하게 그리고 결점없이 제조될 수 없는 문제도 있다. 또한, 후속적인 VLSI 프로세스 단계들이 박막 SiO2 층의 깨지기 쉬운 집적을 지속적으로 악화시킨다. 또한, 순수 SiO2 층은 전하 주입에 노출될 때 인터페이스 생성 및 전하 트래핑에 의해 악화되는 경향이 있다. 이와 같이, 순수 SiO2 층은 미래 스케일 기술을 위한 박막으로서는 부적합하다.
터널 산화물에서, 산화물에서의 전하의 트래핑 때문에 브레이크다운(breakdown)이 일어나며, 그에 의해 산화물이 유도된 전압을 더 이상 견딜 수 없을 때까지 산화물에 걸린 전기장을 점점 증가시킨다. 고품질 산화물일수록 시간에 따라 더욱 적은 전하를 트래핑하며 따라서 브레이크 다운에 더 많은 시간이 소요될 것이다. 그리하여, 고품질 박막 산화물이 필요하다.
또한, 보통 산화막은 비정질이고, 즉 단축된 주기성이 있어서 아주 근접한 산화물 원자들이 유사하지만, 원자들이 더욱 멀리 이격됨에 따라 그것들의 구조는 예측할 수 없게 된다. 산화물층은 추가로 쌍을 이루지 않거나 부유결합(dangling bond)을 갖는다. 만약 이온 또는 전하가 있다면, 부유결합은 문제가 될 수 있고,예를 들어 부품 간에 큰 성능 변화를 초래한다.
따라서, 부유결합을 비활성화시키는 것이 바람직하다. 한 가지 방법은 부유결합을 갖는 박막을 수소에 노출시키는 것이며, 여기서 반응이 상기 부유결합을 전기적으로 비활성화시킬 것이다. 그러나, 상기 반응은 높은 에너지를 요구하며, 이는 온도나 열적 에너지를 증가시킴으로써 공급될 수 있다. 고온에서, 산화물은 성장할 것이며 그리하여 상기 얇은 산화물층의 두께를 바람직하기 않게 증가시킬 것이다.
그러므로, 상술한 종래 기술의 문제들을 극복하는 박막 산화물 또는 유전체를 형성하는 방법이 필요하다.
본 발명의 제 1 형태는, 자외 광과 같은 빛에너지가 유전체 또는 산화물 막을 형성하는 동안 및/또는 사이에 상기 유전체 또는 산화물 막을 조사하기 위해 사용된다. 광원으로부터 공급된 추가적인 에너지는 더 낮은 공정 온도에서 고품질 박막을 형성할 수 있도록 한다.
일 실시예에서, 1 Å 과 1000 Å 사이의 두께를 갖는 얇은 유전체 막을 형성하기 위해 0℃ 와 1300℃ 사이의 온도와 0.001 mTorr 와 1000 Torr 사이의 압력에서 0.1 ms 와 3600 s 사이의 시간 동안 프로세스 챔버 내의 반도체 웨이퍼를 조사 하는데 150 nm 와 1 ㎛ 사이의 파장을 갖는 광이 사용된다. 상기 조사는, 그 위치에서 또는 다른 챔버에서, 종래 박막 형성 프로세스와 동시에 수행되거나 또는 상기 막의 형성 후에 수행될 수 있다. 조사와 함께 사용되는 처리 가스는 공기, O2, N2, HCL, NH3, N2H4, 및 H2O 등의 막 형성에 사용된 임의의 가스가 될 수 있으며, 상기 예에 제한되지 않는다.
일 실시예에서, 프로세스 챔버는 웨이퍼 위에 놓인 그리드 램프 또는 램프의 열과 같은 광원을 포함한다. 상기 광원은 챔버의 상부에 있는 반사체와 웨이퍼 사이에 배치된다. 광원은 할로겐 램프, 수은 램프, 또는 카드뮴 램프를 포함할 수 있으며, 이것들은 연속 램프로서 또는 램프의 열로서 배열된다. 일 실시예에서, 상기 웨이퍼와 광원 사이에 윈도우가 배치되며, 여기서 상기 윈도우는 필터 또는 비필터(non-filter)일 수 있다. 열판, 램프, 또는 서셉터와 같은 제어 가능한 가열원은 처리 가스가 챔버 내로 주입되는 동안 웨이퍼를 가열한다. 이송 메커니즘은 챔버 내에서뿐만 아니라 챔버 내외로 웨이퍼를 이동하는 능력을 갖는다. 상기 챔버 내의 압력은 적어도 0.001 mTorr 에서 1000 Torr 까지 조절 가능하다. 적어도 하나의 가스 주입/배출 포트가 처리 또는 다른 가스가 챔버에 주입되고 배출되는 것을 허용한다. 상기 프로세스 챔버는 단일 웨이퍼 처리 챔버이거나 웨이퍼 배치 처리 챔버 일 수 있다.
열에너지와 함께 자외광을 사용함으로써, 최종 생성 산화물 또는 유전체 층은 고품질을 유지하면서 박막(예컨대, 약 100 nm 또는 그 이하)으로 만들어질 수 있다. 더 낮은 온도가 사용될 수 있으며, 이는 역 확산 효과, 전하 트래핑, 및 부유결합의 감소 등에 의해 산화물 품질을 증가시킨다. 산화물의 전기적 특성 또한 개선된다. 실리콘-실리콘 디옥사이드 인터페이스에서와 같이 쌍을 이루지 않는 결합의 수는 상당히 감소한다. 본 발명의 다른 이점은 막에서 상태들의 원치않는 전기적 트랩(trap)/미드갭(midgap) 밀도의 감소, 원치않는 Si-OH 결합, 및 H2O의 감소 를 포함한다.
도 1은 유전체 막을 형성하는 본 발명의 일 실시예를 도시하는 흐름도이다. 단계(100)에서, 반도체 웨이퍼가 프로세스 챔버 내에 놓인다. 상기 웨이퍼는 그 위에 형성되는 막의 유형에 따라 다른 처리 스테이지에 있을 수 있다. 단계(102)에서, 게이트 절연막과 같은 유전체 또는 산화물층이 예컨대 하나 이상의 처리가스를 상기 프로세스 챔버 내에 주입함으로써 웨이퍼에 형성된다. 상기 처리가스는 웨이퍼에 유전체 또는 산화물층을 형성하는데 사용된다. 상기 형성 프로세스는 화학적 증착(CVD) 또는 물리적 증착(PVD) 또는 액체 소스를 사용하는 스핀 코팅에 의해 산화물층에서 성장되거나 증착될 수 있다. 적합한 처리가스는 공기, O2, N2, HCL, NH3, N2H4, 및 H2O 등을 포함하며, 이에 한정되지는 않는다. 챔버 내의 압력과 온도는 프로세스 및 시스템 파라미터에 따라 조절된다. 예를 들면, 압력은 0.001 mTorr ~ 1000 Torr 범위이고, 온도는 0℃ ~ 1300℃ 범위이다. 일 실시예에서, 온도는 800℃ 이하이다. 산화물층을 성장 또는 증착하는 프로세스는 잘 알려져 있기 때문에 구체적인 프로세스 파라미터는 주어지지 않을 것이다. 당업자는 상기 막에 필요한 특성에 따라 적절한 프로세스 파라미터를 사용할 것임을 알아야 한다. 본 발명의 중요한 한 가지 특징은, 막의 품질을 향상시키기 위해 유전체 박막의 형성 동안에 온도를 현저히 증가시켜야 할 필요가 없다는 것이다.
단계(104)에서, 웨이퍼는 광 또는 광자 에너지에 의해 조사된다. 일 실시예에서, 상기 조사는 유전체 층의 형성 중에 실시된다. 다른 실시예에서, 상기 조사는 경화를 위한 막 형성 주기 사이와 같이 유전체 층 또는 막의 형성 후에 실시된다. 따라서, 광원은 상이한 막 형성 시간 동안과 상이한 기간 동안 온 오프 될 수 있다. 예를 들면, 광원은 막 형성 프로세스의 개시부터 프로세스의 종료까지 또는 그 사이의 임의의 하나 이상의 시간 동안 계속해서 점등될 수 있다.
또한, 일 실시예에서, 단계(104)에서의 조사는 그 자리에서 실시될 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 조사는, 동일 장치에 관련되거나 또는 별도 장치의, 증착 프로세스 챔버에서 다른 챔버로 웨이퍼가 이동되는 프로세스와 같이, 별도의 프로세스 챔버에서 실시된다. 일 실시예에서, 광원은 가시광선 또는 자외선(UV) 영역에서 150 nm ~ 1 ㎛ 의 파장을 갖는다. 특히 UV 광선은 3 eV 이상의 상대적으로 높은 에너지를 갖는다. 단계(102, 104)에서 유전체 층이 형성된 후, 처리는 단계(106)에서 계속하며, 이는 반도체 부품을 제조하는데 필요한 프로세스이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로세스 리액터(200)의 일부의 간략화된 단면도를 도시한다. 프로세스 리액터(200)는 알루미늄이나 다른 적합한 금속으로 만들어질 수 있는 쉘(202)을 포함하며, 이는 로드 록 챔버(load lock chamber) 와 같은 프로세스 챔버(204)를 거의 둘러싼다. 프로세스 챔버(204)는 석영, 실리콘 카바이드, Al2O3, 또는 다른 적합한 재료로 만들어진 프로세스 튜브로 형성될 수 있다. 프로세스를 수행하기 위해서 프로세스 챔버(204)는 압축될 수 있어야 한다. 통상적으로, 챔버(204)는 약 0.001 mTorr 내지 1000 Torr, 바람직하게는 약 0.1 Torr 내지 760 Torr 의 내부 압력에 견딜 수 있어야 한다. 프로세스 챔버(204)의 개구(206)는 게이트 밸브(208)에 의해 밀폐될 수 있다. 게이트 밸브(208)는 예를 들어 웨이퍼 처리 중에 개구(206)를 밀폐하기 위해 동작할 수 있고, 예컨대 웨이퍼를 챔버(204)의 내외부로 이송하는 동안 개구(206)를 개방하기 위해 동작할 수 있다. 로봇 조립체 또는 다른 메커니즘(도시되지 않음)은 웨이퍼(210)를 예컨대 웨이퍼 카세트로부터 프로세스 챔버 사이에 이송하는데 사용될 수 있다.
프로세스 챔버(204) 내부에는 처리 동안 웨이퍼(210)를 지지하는 웨이퍼 지지체(212)가 배치된다. 웨이퍼 지지체(212)는 고정되거나, 상기 프로세스 챔버 내에서 웨이퍼를 상하로 위치시키거나 회전시키기 위해 움직일 수 있다. 웨이퍼 지지체(212)는 플레이트(도시된 바와 같이), 독립 스탠드오프(standoffs), 또는 임의의 다른 적합한 지지체 일 수 있다. 또한 열원(214)이 프로세스 챔버 내 예컨대 웨이퍼(210) 아래에 포함된다. 열원은 서셉터나, 열판, 또는 램프와 같은 임의의 적합한 웨이퍼 가열원 일 수 있다. 램프는 단일 램프나 개별 램프의 배열일 수 있으며, 위에 놓이는 웨이퍼를 균일하게 가열하기 위해 웨이퍼로부터 그리고 서로간에 떨어져 배치된다.
광원(216)은 상술한 바와 같이 처리 동안 웨이퍼에 UV 에너지와 같은 광 에너지를 제공하기 위해 웨이퍼(210)의 상부에 배치된다. 광원(216)은 하나의 연속 램프이거나 한 줄의 램프일 수 있다. 적합한 램프 유형에는 할로겐 램프, 수은 램프, 크세논 램프, 아르곤 램프, 크립톤 램프, 및 카드뮴 램프 등이 포함된다. 광원의 선택은 원하는 광 에너지를 포함하여 다양한 인자에 의존한다. 예를 들어, 텅스텐 할로겐 램프는 가시광과 적외광을 공급하기 위해 사용될 수 있다. 수은(Hg) 램프는 낮은, 중간의, 또는 높은 압력에서, 스펙트럼 라인을 제공하지만, 세기 비율은 상이하다. 램프 활성 또는 동작은 임의의 적합한 종래 방법에 의할 수 있다.
상기 광의 파장 또는 주파수는 형성되는 층의 프로세스와 유형과 같은 다양한 인자에 기초하여 조정될 수 있다. 일 실시예에서, 광의 파장은 150 nm ~ 1 ㎛ 이다. 웨이퍼(210)의 광 에너지 입사량을 최대로 하기 위해, 웨이퍼 위로 광을 다시 반사시키는 반사체(218)가 배치될 수도 있다. 다른 실시예에서, 반사체는 거울과 같은 별도의 반사체이거나 프로세스 챔버의 내면 위의 코팅, 또는 2개의 조합일 수 있다. 선택사항으로, 처리 동안 웨이퍼에 광이 여과되거나 또는 여과되지 않고 통과하도록 허용하기 위해 광원과 웨이퍼 사이에 윈도우(220)가 배치될 수 있다. 따라서, 윈도우(220)는 석영과 ZnSe 같은 재료로 만들어진 여과 윈도우이거나 비여과 윈도우일 수 있다.
본 발명에서는 다양한 프로세스 챔버와 프로세스가 사용될 수 있다. 예를 들어, 프로세스 챔버는 고속 열처리를 단일 웨이퍼 챔버이거나 다수 웨이퍼 시스템 일 수 있다. 처리는 열적 어닐링, 불순물 확산, 열적 산화, 질화, 화학증착, 및 유사한 프로세스 일 수 있으며, 여기서 처리 단계는 유전체의 박막층을 형성하고 막 형성 동안에 사용된 광 에너지는 최종생성된 층의 품질을 향상시킨다.
광 에너지를 사용하는 한 가지 장점은 열판과 서셉터와 같은 종래의 가열원으로부터의 열 에너지와 비교하여 높은 에너지 레벨이다. 열 에너지는 효율이 낮기 때문에, 그것이 전자 에너지로 변환될 때 그 에너지 레벨이 낮다. 그러나, 가시광 스펙트럼 내의 광 에너지는 1 eV 이상이지만, 자외광 스펙트럼의 에너지는 3 eV 또는 그보다 높다. 이와 같이, 열 에너지에 추가하여, 광 형태의 높은 에너지가 처리 동안에 웨이퍼에 공급될 수 있다. 상기 광은 유전체 또는 산화물 층을 성장시키지 않고 오히려 그와 같은 층의 품질을 향상시킨다. 부가적인 장점은 전하 트래핑의 감소, 부유결합의 감소 또는 소거, 및 최종 생성 부품의 전기적 특성의 향상을 포함한다.
상술한 본 발명의 실시예들은 단지 예시적인 것이며 그에 한정하고자 하는 것은 아니다. 예를 들어, 유전체 또는 산화물 막이 여기서 설명되었지만, 반도체 처리 동안에 형성된 다른 층들도 역시 본 발명에 따른 광원에 의한 조사로부터 이익을 얻을 수 있다. 따라서 본 발명을 벗어나지 않으면서 다양한 변경 및 변형이 광범위한 측면으로 이루어질 수 있음이 당해 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게는 자명할 것이다. 그러므로, 첨부된 청구범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위 내에 포함되는 모든 변경 및 변형을 포함한다.
본 발명은 챔버 내의 웨이퍼에 자외광 같은 광 에너지와 열 에너지를 공급하여 얇은 게이트 산화막 같은 유전체 또는 산화물 층을 형성함으로써, 최종 생성된 층의 품질을 개선하고, 전하 트래핑의 감소, 부유결합의 감소 또는 소거, 및 최종 생성 부품의 전기적 특성의 향상을 가져온다.

Claims (33)

  1. 반도체 웨이퍼 처리 방법에 있어서,
    처리 챔버 내에 반도체 기판을 설치하는 단계,
    상기 처리 챔버 내에 처리가스를 제공하는 단계,
    상기 기판의 상부에 유전체 층을 형성하는 동안 상기 기판을 가열하는 단계, 및
    상기 유전체 층의 품질을 향상시키기 위해 상기 기판에 광을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전체 층은 산화물층인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 산화물층은 약 1 Å 내지 1000 Å 의 두께를 갖는 얇은 산화물인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 조사는 상기 기판 상측에 위치한 광원에 의한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 광은 자외광인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열은 열에 의한 가열인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 챔버 내에 제 2 반도체 기판을 설치하는 단계와,
    상기 제 2 기판 위에 유전체 층을 형성하는 동안 제 2 기판을 가열하고 광조사하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열은 상기 유전체 층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 조사는 상기 유전체 층의 형성 동안에 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 조사는 상기 유전체 층의 형성 후에 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전체 층의 형성 후에 그리고 조사 전에 제 2 처리 챔버 내로 상기 기판을 이동시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열과 조사는 동일 장소에서(in-situ) 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  13. 처리 챔버 내에서 반도체 부품을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 챔버 내에 반도체 기판을 제공하는 단계,
    상기 기판 위에 유전체 막을 형성하는 단계, 및
    상기 유전체 막의 품질을 향상시키기 위해 상기 기판을 광으로 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 유전체 층은 산화물층인 것을 특징으로 하는 반도체 부품 제조 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 산화물층은 약 1 Å 내지 10,000 Å 의 두께를 갖는 얇은 산화물인 것을 특징으로 하는 반도체 부품 제조 방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 조사는 상기 기판 상측에 위치한 광원에 의한 것을 특징으로 하는 반도체 부품 제조 방법.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 광은 약 150 nm 와 1 ㎛ 사이의 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 부품 제조 방법.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 형성단계는 상기 기판을 가열하는 단계와 상기 처리 챔버 내에 적어도 하나의 처리가스를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품 제조 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 가열은 열에 의한 가열인 것을 특징으로 하는 반도체 부품 제조 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 가열은 상기 유전체 막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 부품 제조 방법.
  21. 제 13 항에 있어서,
    상기 조사는 상기 형성단계 동안에 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 부품 제조 방법.
  22. 제 13 항에 있어서,
    상기 조사는 상기 형성단계 이후에 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 부품 제조 방법.
  23. 제 13 항에 있어서,
    상기 형성단계 후에 그리고 상기 조사단계 전에 상기 기판을 제 2 챔버 내로 이동시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품 제조 방법.
  24. 제 13 항에 있어서,
    상기 형성 및 조사단계는 동일 장소에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 부품 제조 방법.
  25. 웨이퍼 처리 시스템에 있어서,
    처리 챔버,
    처리가스를 상기 챔버 내로 주입하도록 구성된 가스 배포 시스템,
    처리 동안 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지체,
    상기 웨이퍼 아래에 배치된 가열소자, 및
    상기 웨이퍼 위에 배치된 조사 광원을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 시스템.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 처리 가스는 상기 웨이퍼 상에 유전체 층을 형성하기 위해 선택되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 시스템.
  27. 제 25 항에 있어서,
    상기 광원은 할로겐 램프, 수은 램프, 크세논 램프, 아르곤 램프, 크립톤 램프 및 카드뮴 램프를 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 시스템.
  28. 제 25 항에 있어서,
    상기 광원은 복수의 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 시스템.
  29. 제 25 항에 있어서,
    상기 가열소자는 열에 의한 가열소자인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 시스템.
  30. 제 25 항에 있어서,
    상기 웨이퍼와 상기 조사 광원 사이에 윈도우를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 시스템.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 윈도우는 필터링 윈도우인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 시스템.
  32. 제 25 항에 있어서,
    상기 조사 광원의 상측에 위치한 반사체를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 시스템.
  33. 제 25 항에 있어서,
    상기 가열소자와 상기 조사 광원은 상기 웨이퍼 상에 유전체 층을 형성하는 동안에 모두 동작하도록 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 시스템.
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