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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Dünnfilm-Transistorschaltung,
bei welcher ein Dünnfilm
aus kristallisiertem Halbleitermaterial mit vergleichsweise großen Kristallkörnern zum
Einsatz kommt, sowie auf ein Entwicklungsverfahren für die Dünnfilm-Transistorschaltung,
ein Entwicklungsprogramm für
die Dünnfilm-Transistorschaltung,
ein Aufzeichnungsmedium für
das Entwicklungsprogramm, auf eine Datenbank für eine Entwicklungsbibliothek und
auf ein Bildschirmgerät.
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Wegen
ihrer Merkmale hinsichtlich dünner Ausführung, ihres
geringen Gewichts und ihrer niedrigen Energieabstrahlung wurden
Anzeigegeräte
mit Flachbildschirm auf verschiedenen Gebieten verwendet. Vor allem
haben Flachbildschirmgeräte
mit aktiver Matrix, also in Dünnfilmtransistortechnik,
weite Verbreitung bei bürotechnischen
Geräten
gefunden, bei denen eine hohe Auflösung und eine hohe Bildqualität gefordert
sind. Bildschirmgeräte
dieser Art weisen eine Reihe von Dünnfilmtransistoren (TFTs) auf,
von denen jeder einem jeweiligen Bildpunkt benachbart vorgesehen
ist und wobei die Bildpunkte in Form einer Matrix angeordnet sind,
und mit dieser als Bildpunkt- bzw. Pixel-Schaltelement verbunden ist. Im Verlauf
der neueren Entwicklung der multimedialen Kommunikationstechnik
hat ein funktionsintensives Flachbildschirmgerät Aufmerksamkeit als Anzeigegerät für den PC-Einsatz
in der nächsten Generation
erregt. Dieses Flachbildschirmgerät besitzt einen Aufbau – der als
Einschubsystem bezeichnet wird – bei
welcher verschiedene Peripherieschaltungen, einschließlich einer
Treibersteuerschaltung, einer Speicherschaltung, einer D/A-Wandlerschaltung
und einer Schaltung für
die Bildverarbeitung, welche der Bildschirmdarstellung zugeordnet
sind, zusammen mit dem Bildpunkt-Matrixfeld
integriert sind.
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Zur
Realisierung des funktionsintensiven Bildschirmgeräts ist es
erforderlich, periphere Schaltungsbausteine wie zum Beispiel logische
Schaltungen, Speicherbausteine, analoge Verstärker, etc. unter Verwendung
eines dünnen
Films aus Halbleitermaterial mit hoher Trägermobilität mittels Dünnfilmtransistoren aufzubauen,
wobei diese Filmschicht auf einem isolierenden Substrat ausgebildet
ist, das aus Glas oder dergleichen hergestellt ist. Bisher wurden verschiedene
Techniken zur Ausbildung einer solchen dünnen Filmschicht bei niedrigen
Temperaturen angeregt.
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Bei
einem Verfahren zur Umkristallisierung, bei dem Laserlicht zum Einsatz
kommt, ist es möglich,
eine Filmschicht aus Silizium mit Kristallkörnern zu erhalten, die zum
Beispiel eine rechteckige Form besitzen und einen kristallisierten
dünnen
Film aus Halbleitermaterial bilden (vgl. beispielsweise die japanischen
Offenlegungsschriften Nr. 2002-237455 und 2003-22969).
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Transistoren
werden in den Kristallkörnern einer
dünnen
Filmschicht aus kristallisiertem Halbleitermaterial einzeln angeordnet,
den man mit Hilfe des Verfahrens zur Umkristallisierung unter Verwendung von
Laserlicht erhält
(vgl. beispielsweise die japanischen Offenlegungsschriften Nr. 2003-86604, 2003-31497, 2003-124230,
2003-318127, 2003-197521, 2003-197527).
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In
den vorstehend genannten Vorveröffentlichungen
werden zwar Techniken offenbart, mit denen man Kristallkörner von
ausreichender Größe erhält, um die
Kanalbereiche von Dünnfilmtransistoren aufzunehmen,
doch werden darin keine Techniken offenbart, wie man eine Dünnfilm-Transistorschaltung
wie zum Beispiel eine periphere Schaltung auf einer Dünnfilmschicht
aus kristallisiertem Halbleitermaterial mit derartigen Kristallkörnern in
angemessener Form wirksam auslegt.
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Bei
der Herstellung einer Dünnfilm-Transistorschaltung
ist es erforderlich, verschiedene Photomasken zur Musterbildung
für eine
Dünnfilmschicht aus
kristallisiertem Halbleitermaterial und Verdrahtungsschichten herzustellen.
Die vor stehend aufgeführten
herkömmlichen
Techniken reichen zur Herstellung praktischer Photomasken nicht
aus.
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Bei
der Herstellung von Photomasken ist es nötig, die Anordnungen von Dünnfilmtransistoren und
Verdrahtungen festzulegen, die für
eine Dünnfilm-Transistorschaltung
benötigt
werden, und diese Anordnungen in verschiedenen Photomasken wiederzuspiegeln.
Bei einer Dünnfilm-Transistorschaltung
in großem
Maßstab
würde jedoch
bei der künstlichen
Entwicklung aller Dünnfilmtransistoren
und Verdrahtungen unweigerlich die Entwicklungszeit verlängert und
die Häufigkeit
erhöht
werden, mit der Verdrahtungsfehler auftreten, was zu einer sich
immer stärker
beschleunigenden Erhöhung
der Entwicklungskosten führt.
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Herkömmlicherweise
steht ein Hilfsmittel zur Entwicklung zur Verfügung, das in Form eines Rechners
ausgeführt
ist, der eine Dünnfilm-Transistorschaltung
simuliert. Durch die Verwendung eines solchen Entwicklungs-Hilfsmittels
wird es möglich,
die Auslegung von Dünnfilmtransistoren
und Verdrahtungen zu automatisieren. Dieses Auslegungsergebnis macht
es möglich,
dass die Kanalregionen der Dünnfilmtransistoren
in Abschnitten geringer Kristallinität in einer Dünnfilmschicht
aus kristallisiertem Halbleitermaterial anzuordnen. Deshalb ist
es schwierig, die automatisierte Auslegung bei Photomasken für eine Dünnfilm-Transistorschaltung
einzusetzen, bei der eine Dünnfilmschicht
aus kristallisiertem Halbleitermaterial verwendet wird.
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In
den vorgenannten Vorveröffentlichungen Nr.
2003-31497 bzw. 2003-318127 werden Verfahren offenbart, bei denen
durch Heranziehung eines Verfahrens zur Kristallisierung mit Phasenverschiebung auf
der Grundlage eines Lasers großflächige Kristallkörper gebildet
werden. Wenn mit diesem Verfahren bei der Bildung einer tatsächlichen
Dünnfilm-Transistorschaltung
gearbeitet wird, um kristallisierte Flächen zu bilden, die in ihrer
Anordnung Dünnfilmtransistoren
entsprechen, welche die Transistorschaltung darstellen, ist es erforderlich,
das Muster einer Phasenverschiebungsmaske für die Phasenmodulierung von
Laserlicht speziell zu entwickeln. Der offenbarte Inhalt der vorgenannten
bekannten Veröffentlichungen
reicht nicht aus, um eine praktische Phasenverschiebungsmaske effizient
herzustellen.
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Eine
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Entwicklungsverfahren
für eine Dünnfilm-Transistorschaltung,
ein Entwicklungsprogramm für
eine Dünnfilm-Transistorschaltung,
ein Aufzeichnungsmedium zum Abspeichern eines Entwicklungsprogramms,
eine Datenbank für
die Entwicklungsbibliothek, eine Dünnfilm-Transistorschaltung
und ein Bildschirmgerät
zu schaffen, wobei es mit jedem dieser einzelnen Elemente möglich ist,
die Herstellung von Photomasken für eine Dünnfilmschicht aus kristallisiertem
Halbleitermaterial geeignet und wirksam zu gestalten.
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Gemäß einem
ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Entwicklungsverfahren
für eine Dünnfilm-Transistorschaltung
vorgesehen, bei der eine Dünnfilmschicht
aus kristallisiertem Halbleitermaterial verwendet wird, wobei das
Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Definieren eines Matrixmusters
für die
Kristallisierung in einem Rechner, welches die Anordnung von Flächen darstellt,
die Kristallkörner
definieren, welche zur zweidimensionalen Unterteilung der kristallisierten
Halbleiter-Dünnfilmschicht
angeordnet sind und jeweils ein Kristallkorn aufnehmen, das eine
vorgegebene Größe übersteigt;
und Veranlassen des Rechners dazu, anhand des Matrixmusters für die Kristallisierung
ein Bauteilmuster aus Dünnfilmtransistoren,
von denen jeder einen Kanalbereich aufweist, der an einer Position
angeordnet ist, die in einem entsprechenden Bereich der Flächen zum
Definieren der Kristallkörner festgelegt
ist, sowie ein Verdrahtungsmuster der Leitungen zu schaffen, welche
die Dünnfilmtransistoren untereinander
verbinden.
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Gemäß einem
zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Entwicklungsprogramm
für eine Dünnfilm-Transistorschaltung
vorgesehen, bei der eine Dünnfilmschicht
aus kristallisiertem Halbleitermaterial verwendet wird, bei welchem
ein Rechner dazu veranlasst wird, die folgenden Prozesse auszuführen: Definieren
eines Matrixmusters für
die Kristallisierung, welches die Anordnung von Flächen darstellt,
die Kristallkörner
definieren, welche zur zweidimensionalen Unterteilung der kristallisierten
Halbleiter-Dünnfilmschicht
angeordnet sind und jeweils ein Kristallkorn aufnehmen, dessen Größe ein vorgegebenes
Maß übersteigt;
und Entwickeln eines Bauteilmusters aus Dünnfilmtransistoren anhand des
Matrixmusters für
die Kristallisierung, von denen jeder einen Kanalbereich aufweist,
der an einer Position angeordnet ist, die in einem entsprechenden
Bereich der Flächen
zum Definieren der Kristallkörner
festgelegt ist, sowie eines Verdrahtungsmusters der Leitungen, welche
die Dünnfilmtransistoren
untereinander verbinden.
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Entsprechend
einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Aufzeichnungsmedium zum
Abspeichern eines Entwicklungsprogramms vorgesehen, auf dem ein
Entwicklungsprogramm für eine
Dünnfilm-Transistorschaltung
aufgezeichnet ist, bei der eine Dünnfilmschicht aus kristallisiertem Halbleitermaterial
verwendet wird, bei welchem ein Rechner dazu veranlasst wird, die
folgenden Prozesse auszuführen:
Definieren eines Matrixmusters für die
Kristallisierung, welches die Anordnung von Flächen darstellt, die Kristallkörner definieren,
welche zur zweidimensionalen Unterteilung der kristallisierten Halbleiter-Dünnfilmschicht
angeordnet sind und jeweils ein Kristallkorn aufnehmen, dessen Größe ein vorgegebenes
Maß übersteigt;
und Entwickeln eines Bauteilmusters aus Dünnfilmtransistoren anhand des Matrixmusters
für die
Kristallisierung, von denen jeder einen Kanalbereich aufweist, der
an einer festgelegten Position innerhalb eines entsprechenden Bereichs
der Flächen
zum Definieren der Kristallkörner angeordnet
ist, sowie eines Verdrahtungsmusters der Leitungen, welche die Dünnfilmtransistoren
untereinander verbinden.
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Nach
einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Entwicklungsprogramm
für eine Dünnfilm-Transistorschaltung
vorgesehen, bei der eine Dünnfilmschicht
aus kristallisiertem Halbleitermaterial verwendet wird, bei welchem
ein Rechner dazu veranlasst wird, die folgenden Prozesse auszuführen: Definieren
eines Matrixmusters für
die Kristallisierung, welches die Anordnung von Flächen darstellt,
die Kristallkörner
definieren, welche zur zweidimensionalen Unterteilung der kristallisierten
Halbleiter-Dünnfilmschicht
angeordnet sind und jeweils ein Kristallkorn aufnehmen, dessen Größe ein vorgegebenes
Maß übersteigt,
wobei ein Bauteilmuster aus Dünnfilmtransistoren
anhand des Matrixmusters für die
Kristallisierung entwickelt wird, von denen jeder einen Kanalbereich
aufweist, der an einer Position angeordnet ist, die in einem entsprechenden
Bereich der Flächen
zum Definieren der Kristallkörner
festgelegt ist, sowie eines Verdrahtungsmusters der Leitungen, welche
die Dünnfilmtransistoren
untereinander verbinden; und Festlegen eines Phasenverschiebungsmusters
zum Definieren der Flächen,
welche die Kristallkörner
definieren und an das Bauteilmuster der Dünnfilmtransistoren angepasst
und auf einer Halbleiter-Dünnfilmschicht
mittels eines Verfahrens zur Kristallisierung auf der Grundlage
eines Lasers ausgebildet ist.
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Gemäß einem
sechsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Datenbank für die Entwicklungsbibliothek
für eine
Dünnfilm-Transistorschaltung
vorgesehen, bei der eine Dünnfilmschicht
aus kristallisiertem Halbleitermaterial verwendet wird, welche mindestens
eine von mehreren standardisierten Zellen enthält, welche verschiedene Schaltungen mit
logischen Gattern darstellen, sowie Makrozellen, von denen jede
eine Kombination aus einigen der Logikschaltungen repräsentiert,
bei welcher jede Logikschaltung zwei oder mehr Dünnfilmtransistoren enthält, von
denen jeder einen Kanalbereich aufweist, der an einer Position angeordnet
ist, die in einer der Flächen
zum Definieren der Kristallkörner
festgelegt ist, und ferner Verdrahtungen, welche die zwei oder mehr
Dünnfilmtransistoren
untereinander verbinden.
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Entsprechend
einem siebten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Dünnfilm-Transistorschaltung
vorgesehen, welche folgendes aufweist: eine Dünnfilmschicht aus kristallisiertem
Halbleitermaterial, welche zweidimensional in Flächen zum Definieren von Kristallkörnern unerteilt
ist, von denen jede ein Kristallkorn aufnimmt, dessen Größe ein vorgegebenes
Maß übersteigt;
Dünnfilmtransistoren, von
denen jeder einen Kanalbereich aufweist, der an einer Position angeordnet
ist, die in einer entsprechenden Fläche der Flächen zum Definieren von Kristallkörnern festgelegt
ist, und Verdrahtungen, welche die Dünnfilmtransistoren untereinander
verbinden.
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Nach
einem achten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Bildschirmgerät vorgesehen,
welches folgendes aufweist: eine Schaltung mit aktiver Matrix mit
Bildpunkten, die in Matrixform angeordnet sind; eine Treibersteuerschaltung,
die mit der Schaltung mit aktiver Matrix verbunden ist; und ein
Dünnfilm-Halbleitersubstrat,
welches die Schaltung mit aktiver Matrix und die Treibersteuerschaltung
trägt,
bei welchem die Treibersteuerschaltung eine Dünnfilm-Transistorschaltung umfasst, welche
eine Dünnfilmschicht
aus kristallisiertem Halbleitermaterial aufweist, die zweidimensional
in Flächen
zum Definieren von Kristallkörnern
unerteilt ist, von denen jede ein Kristallkorn aufnimmt, dessen
Größe ein vorgegebenes
Maß übersteigt;
Dünnfilmtransistoren,
von denen jeder einen Kanalbereich aufweist, der an einer Position
angeordnet ist, die in einer entsprechenden Fläche der Flächen zum Definieren von Kristallkörnern festgelegt
ist; und Verdrahtungen, welche die Dünnfilmtransistoren untereinander
verbinden.
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Bei
dem Entwicklungsverfahren, dem Entwicklungsprogramm, dem Aufzeichnungsmedium
für das
Entwicklungsprogramm, der Datenbank für die Entwicklungsbibliothek,
der Dünnfilm-Transistorschaltung
und dem Bildschirmgerät
ist eine Dünnfilmschicht
aus kristallisiertem Halbleitermaterial in Flächen zum Definieren von Kristallkörnern unerteilt, von
denen jede ein Kristallkorn aufnimmt, dessen Größe ein vorgegebenes Maß übersteigt,
wobei der Kanalbereich jedes Dünnfilmtransistors
an einer Position angeordnet ist, die in einer entsprechenden Fläche der
Flächen
zum Definieren von Kristallkörnern
festgelegt ist. Damit lässt
sich durch die Auslegung der Dünnfilmtransistoren
und der Verdrahtungen in Einheiten von Flächen zum Definieren von Kristallkörnern die
Positionsbeziehung zwischen den Kanalbereichen und den Kristallkörnern optimieren. Außerdem gestattet
eine Auslegungsbedingung der Flächeneinheiten
zum Definieren von Kristallkörnern eine
Automatisierung der Auslegung mit Hilfe eines Rechners als Entwicklungswerkzeug.
Somit wird es möglich,
Photomasken herzustellen, die für
die Dünnfilmschicht
aus kristallisiertem Halbleitermaterial geeignet. und wirksam ist,
wodurch die Entwicklungskosten gesenkt werden können.
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Darüber hinaus
lässt sich
durch die automatische Festlegung des Musters für die Phasenverschiebungsmaske
entsprechend dem Muster der Kristallisierungsanordnung die für die Entwicklung der
Phasenverschiebungsmaske benötigte
Zeit erheblich verringern.
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Weitere
Zielsetzungen und Vorteile der Erfindung werden in der nachstehenden
Beschreibung genannt und ergeben sich zum Teil von selbst aus der
Beschreibung bzw. können
bei der praktischen Umsetzung der Erfindung erfasst werden. Die
Aufgaben und Vorteile der Erfindung lassen sich mit Hilfe der nachstehend
besonders hervorgehobenen Instrumentalisierungen und Kombinationen
realisieren und erzielen.
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In
den beiliegenden Zeichnungen, die in die Beschreibung einbezogen
sind und einen Teil derselben darstellen, ist ein Ausführungsbeispiel
der Erfindung dar gestellt; außerdem
dienen diese Zeichnungen zusammen mit der vorstehenden allgemeinen Beschreibung
und der nachstehenden ausführlichen Beschreibung
des Ausführungsbeispiels
zur Erläuterung
der Grundlagen der Erfindung.
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1 zeigt
im Schnitt den Aufbau eines bei der Herstellung einer Dünnfilm-Transistorschaltung gemäß einem
erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel
verwendeten Dünnfilm-Substrats
aus Halbleitermaterial;
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2 stellt
den planaren Aufbau des in 1 dargestellten
Dünnfilm-Halbleitersubstrats
dar;
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3 zeigt
eine Abbildung einer der Flächen zum
Definieren von Kristallkörnern
gemäß 2 unter
dem Elektronenmikroskop;
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4 ist
eine schematische Ansicht des Aufbaus eines Rechners, welcher eine
Dünnfilm-Transistorschaltung
als Entwicklungswerkzeug für
das in 1 dargestellte Dünnfilm-Halbleitersubstrat simuliert;
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5 zeigt
ein Ablaufdiagramm mit der Darstellung des Ablaufs eines Entwicklungsprozesses zum
Entwickeln einer Dünnfilm-Transistorschaltung, wie
er von dem in 4 dargestellten Rechner tatsächlich ausgeführt wird;
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6 zeigt
eine Wechselrichterschaltung, die bei dem in 5 dargestellten
Entwicklungsprozess Verwendung findet;
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7 stellt
ein Ersatzschaltbild der in 6 dargestellten
Wechselrichterschaltung dar;
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8 zeigt
eine Standardzelle für
die in 7 gezeigte Wechselrichterschaltung;
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9 ist
die Ansicht einer UND-Schaltung, die bei dem in 5 gezeigten
Entwicklungsprozess Verwendung findet;
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10 ist
ein Ersatzschaltbild der in 9 gezeigten
UND-Schaltung;
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11 zeigt
eine Standardzelle für
die in 10 dargestellte UND-Schaltung;
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12 ist
das Ersatzschaltbild einer Exklusiv-ODER-Schaltung, die bei dem
in 5 dargestellten Entwicklungsprozess Verwendung
findet;
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13 zeigt
eine Standardzelle für
die Exklusiv-ODER-Schaltung gemäß 12;
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14 stellt
ein Halbaddierwerk dar, welches die Wechselrichterschaltung, die
UND-Schaltung und die Exklusiv-ODER-Schaltung umfasst, deren Ersatzschaltbilder
in den 7, 10 und 12 gezeigt
werden;
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15 zeigt
eine Makrozelle für
das Halbaddierwerk, die eine Kombination aus den Standardzellen
gemäß 8, 11 und 13 darstellt;
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16 ist
eine Schnittansicht des Halbaddierwerks, wobei der Schnitt entlang
der Linie I-I' in 15 gelegt
ist;
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17 ist
eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines Phasenschiebers,
der bei einem Laser-Wärmebehandlungsverfahxen
zur Bildung der in 1 dargestellten Dünnfilmschicht
aus kristallisiertem Halbleitermaterial verwendet wird;
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18 zeigt
die Intensitätsverteilung
des Laserlichts, mit dem eine Halbleiter-Dünnfilmschicht über den
in 17 dargestellten Phasenschieber beaufschlagt wird;
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19 ist
eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines anderen Phasenschiebers,
der bei dem Laser-Wärmebehandlungsverfahren
zur Bildung der in 1 dargestellten Dünnfilmschicht
aus kristallisiertem Halbleitermaterial verwendet wird;
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20 zeigt
die Phasenunterschiede zwischen Flächen, die in 19 dargestellt
sind;
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21 ist
eine schematische Darstellung des Aufbaus eines Flüssigkristall-Bildschirmgeräts mit aktiver
Matrix, in welches die nach dem Entwicklungsverfahren gemäß 5 entwickelten
Dünnfilm-Transistorschaltungen
einbezogen sind; und
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22 ist
ein Ablaufdiagramm mit der Darstellung des Ablaufs bei einer modifizierten
Ausführung
des in 5 dargestellten Entwicklungsverfahrens.
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Nachstehend
wird eine Dünnfilm-Transistorschaltung
entsprechend einem Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung anhand der beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
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1 zeigt
einen Aufbau eines Dünnfilm-Halbleitersubstrats 1 im
Schnitt, welches bei der Herstellung der Dünnfilm-Transistorschaltung
verwendet wird, während 2 einen
planaren Aufbau des Dünnfilm-Halbleitersubstrats 1 darstellt.
Das Dünnfilm-Halbleitersubstrat 1 ist
aus einem durchsichtigen dielektrischen Substrat 2, zum
Beispiel aus alkalifreiem Glas, aus einem auf dem durchsichtigen dielektrischen
Substrat 2 ausgebildeten SiNx-Film 3, einem auf
dem SiNx-Film ausgebildeten SiO2-Film 4 und
einer Dünnfilmschicht 5 aus
kristalli siertem Halbleitermaterial aufgebaut ist. Die Dünnfilmschicht 5 aus
kristallisiertem Halbleitermaterial erhält man beispielsweise dadurch,
dass eine Filmschicht aus amorphem Silizium kristallisiert wird;
diese enthält Kristallkörner XS,
die in regelmäßigen Abständen in Form
einer Matrix angeordnet sind, sowie amorphes Silizium bzw. polykristallines
Silizium mit feiner Körnung,
welches die Kristallkörner
SX umgibt. Mit anderen Worten ist die Dünnfilmschicht 5 aus
kristallisiertem Halbleitermaterial zweidimensional in Flächen 10 zum
Definieren von Kristallkörnern
unterteilt, von denen jede ein jeweiliges Korn der Kristallkörner SX aufnimmt,
die eine vorgegebene Größe übersteigen. Jedes
der Kristallkörner
SX ist monokristallines Silizium von nahezu rechteckiger Form mit
der Größe von etwa
4 mal 4 μm.
Jede der Flächen 10 zum
Definieren von Kristallkörnern
ist etwas größer als
die Kristallkörner
SX; ihre Abmessungen betragen etwa 5 mal 5 μm.
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3 stellt
das Bild einer der in 2 dargestellten Flächen 10 zum
Definieren der Kristallkörner unter
dem Elektronenmikroskop dar. In jeder Fläche zum Definieren der Kristallkörner ist
in einem Abschnitt von etwa 0,5 μm
Breite vom Umfang her eine Korngrenze GB vorhanden. Dieser Bereich
bildet einen elektrisch aktiven Störungsbereich, der als Zentrum
für die
Erzeugung/Neukombination von Trägern fungiert;
deshalb ist es wünschenswert,
den Abschnitt vom Kanalbereich eines Dünnfilmtransistors auszuschließen. Die
vorgegebene Größe ist auf
die Größe des Kanalbereichs
jedes Dünnfilmtransistors bezogen.
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Die
vorgenannte Dünnfilmschicht 5 aus
kristallisiertem Halbleitermaterial ist nur in den Bereichen monokristallin,
welche den Kristallkörnern
SX entsprechen, die sich innerhalb der Störungsbereiche befinden, und
unterscheidet sich somit sehr deutlich von einem normalen monokristallinen
Halbleitersubstrat, das durch und durch monokristallin ist. Bei
der Herstellung der Dünnfilm-Transistorschaltung
unter Verwendung einer solchen Dünnfilmschicht 5 aus kristallisiertem
Halbleitermaterial ist es günstig,
wenn die spezielle Kristallstruktur der Dünnfilmschicht 5 aus
kristallisiertem Halbleitermaterial sich in der Auslegung des Dünnfilmtransistors
widerspiegelt, um hohe Leistung und gleichmäßige Verhaltensmerkmale zu
erzielen.
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4 stellt
in schematischer Form den Aufbau eines Rechners dar, welcher als
Entwicklungswerkzeug bzw. -hilfsmittel eine Dünnfilm-Transistorschaltung
si muliert. Dieser Rechner weist eine Zentraleinheit 11 auf,
welche den gesamten Betrieb steuert, sowie einen ROM-Speicher 12,
in welchem verschiedene unveränderliche
Daten abgespeichert sind, einen RAM-Speicher 13, in welchem
Daten, die in den Rechner 11 eingegeben und von diesem
ausgegeben werden, vorübergehend
abgespeichert werden, ein Bildschirmgerät 14, welches verschiedene Abbildungen
unter Ansteuerung durch die Zentraleinheit 11 darstellt,
eine Tastatur 15, über
welche verschiedene Daten in die Zentraleinheit 11 eingegeben werden,
ein Hilfseingabegerät 16 wie
zum Beispiel eine Zeigervorrichtung, mit welcher eine Koordinatenposition
in einer auf dem Bildschirmgerät
dargestellten Abbildung spezifiziert wird, eine Peripherieschnittstelle 17,
welche Daten von externen Peripheriegeräten empfängt und an diese übermittelt,
sowie ein Festplattenlaufwerk 18, auf dem ein von der Zentraleinheit 11 abzuarbeitendes
Entwicklungsprogramm abgespeichert wird, und ferner eine Bibliotheks-Datenbank, und dergleichen.
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Der
Rechner führt
einen Prozess zur Entwicklung einer Dünnfilm-Transistorschaltung dadurch aus, dass
er das auf dem Festplattenlaufwerk 18 abgespeicherte Entwicklungsprogramm
abarbeitet. Bei diesem Entwicklungsprozess definiert die Zentraleinheit 11 ein
Muster 10A der Kristallisierungsanordnung, welches die
Anordnung der Flächen 10 zum
Definieren der Kristallkörner
repräsentiert,
die zur zweidimensionalen Unterteilung einer Dünnfilmschicht 5 aus
kristallisiertem Halbleitermaterial angeordnet sind und jeweils
eines der Kristallkörper
SX aufnimmt, dessen Größe ein vorgegebenes Maß übersteigt.
Anhand des Musters 10A der Kristallisierungsanordnung erstellt
die Zentraleinheit 11 ein Bauteilmuster aus Dünnfilmtransistoren,
von denen jeder einen Kanalbereich aufweist, der an einer Position
liegt, die in einer entsprechenden Fläche der Flächen zum Definieren von Kristallkörnern festgelegt ist,
sowie ein Verdrahtungsmuster, dessen Leitungen die Dünnfilmtransistoren
untereinander verbinden. Das Muster 10A der Kristallisierungsanordnung
ist in der Weise ausgelegt, dass die Flächen 10, welche die
Kristallkörner
definieren, in Form einer Matrix angeordnet sind und jeweils ein
Kristallkorn von nahezu rechteckiger Form aufnehmen.
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Auf
dem Festplattenlaufwerk 18 ist eine Bibliotheks-Datenbank
abgespeichert, welche darin registrierte Standardzellen und Makrozellen
enthält. Die
Standardzellen repräsentieren
verschiedene Logikschaltungen. Jede Logikschaltung ent hält zwei oder
mehr Dünnfilmtransistoren,
von denen jeder einen Kanalbereich aufweist, der an einer Position liegt,
die in einer entsprechenden Fläche
unter den Flächen
zum Definieren von Kristallkörnern
festgelegt ist, sowie Verdrahtungen, welche die zwei oder mehr Dünnfilmtransistoren
untereinander verbinden. Die Makrozellen stellen Kombinationen der
verschiedenen Logikschaltungen dar. Bei der Erstellung des Bauelementemusters
und des Verdrahtungsmusters nimmt die Zentraleinheit 11 auf
die Bibliotheks-Datenbank anhand externer Informationen von Eingangsschaltungen
Bezug. Die Bibliotheks-Datenbank kann nur die Standardzellen enthalten;
es ist jedoch wirksamer, wenn sie außerdem noch die Makrozellen
enthält.
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Es
ist wünschenswert,
dass bei dem Bauelementemuster die Kanallänge und die Kanalbreite jedes
der Dünnfilmtransistoren
auf Werte eingestellt werden, die geringer sind als die Länge einer
Seite der Fläche 10 zum
Definieren von Kristallkörnern. Dadurch
wird es möglich,
dass der gesamte Kanalbereich jedes dieser Dünnfilmtransistoren innerhalb
eines Kristallkorns SX aufgenommen wird.
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Die
Dünnfilmtransistoren
sind in dem Bauelementemuster in Abständen von ganzzahligen Mehrfachen
der Länge
einer Seite der Fläche
zum Definieren von Kristallkörnern
angeordnet. Dies bedeutet, dass diese Transistoren in Einheiten
von Flächen
zum Definieren von Kristallkörnern
angeordnet werden.
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Nimmt
man an, dass die Länge
einer Seite der Fläche
zum Definieren eines Kristallkorns LC sei, dass die Abmessung der
größeren Abmessung
von Kanallänge
und Kanalbreite jedes Transistors LG sei und die Ausrichtungstoleranz
zwischen dem Muster 10A der Kristallisierungsanordnung
und dem Bauelementemuster LA betrage, so ist es wichtig, dass eine Beziehung
erfüllt
wird wie zum Beispiel LC ≥ (LG
+ 2 × LA).
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5 stellt
den Ablauf eines Prozesses zur Entwicklung einer Dünnfilm-Transistorschaltung
dar, wie er von dem in 4 dargestellten Rechner tatsächlich ausgeführt wird.
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Wenn
vor der Schaltungsentwicklung Verarbeitungsregeln, die bei dem Verfahren
zur Herstellung einer Dünnfilm-Transistorschaltung
gelten, die Anzahl der Verdrahtungslagen und ein Muster eines bei
der Kristallisierung verwendeten Phasenschiebers als Spezifikationen
für das
Muster 10A der Kristallisationsanordnung erarbeitet werden,
werden die technologischen Vorgaben für den Prozess auf der Grundlage
der Spezifikationen des Musters 10A der Kristallisationsanordnung
ermittelt. Anschließend werden
eine Bibliothek der Standardzellen, in denen die Musterauslegungen,
die Gatterlaufzeiten, die Ansteuerfähigkeiten und ähnliche
Merkmale für
die verschiedenen Logikschaltungen enthalten sind, entsprechend
den technologischen Vorgaben auf dem Festplattenlaufwerk 18 in
Form einer Bibliotheks-Datenbank aufgezeichnet. Die Bibliothek der
Standardzellen hängt
von der Musteranordnung der Flächen zum
Definieren von Kristallkörnern
ab. Somit wird die Zellenstruktur durch Einführung von Skalierparametern
zur automatischen Anpassung der Auslegungspositionen der Dünnfilmtransistoren
entsprechend der Musteranordnung skalierbar. Dementsprechend ist
für eine
Veränderung
der Abmessungen der Flächen 10 zum
Definieren von Kristallkörnern
eine erneute Konfigurierung der Standardzellen-Bibliothek nicht erforderlich.
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Bei
der tatsächlichen
Schaltungsentwicklung wird im Schritt ST1 die Funktion einer zu
realisierenden Dünnfilm-Transistorschaltung
in der Hardware-Beschreibungssprache
HDL oder in der C-Sprache beschrieben, die vom Abstrahierungsniveau
her über
HDL liegt. Im Schritt T2 wird die Zusammensetzung der Logikschaltung
anhand des Inhalts der Beschreibung vorgenommen. Zu diesem Zeitpunkt
wird auf die vorgenannte Standardzellen-Bibliothek Bezug genommen.
Die Funktion der Dünnfilm-Transistorschaltung
wird unter Ausführung einer
Prüfsimulation
im Schritt ST3 überprüft. Wenn die
Ergebnisse der Simulation zufrieden stellend sind, werden die Ergebnisse
der Zusammensetzung der Logikschaltung im Schritt ST4 bestätigt und
dann wird im Schritt ST5 eine Netzwerkliste erstellt. Danach wird
anhand der Netzwerkliste und den Informationen in der Zellen-Bibliothek
im Schritt ST6 die Zellenanordnung der Logikschaltungen ermittelt
und werden anschließend
im Schritt ST7 die Verdrahtungen zwischen den Zellen bestimmt. Die
Anordnung der Zellen wird im Schritt ST8 nochmals überprüft. Wenn
die gewünschten
Vorgaben erfüllt
sind, wird die Dünnfilm-Transistorschaltung
bestätigt.
Im Schritt ST9 werden die Auslegungsdaten der Dünnfilm-Transistorschaltung,
die virtuell auf die vorstehend beschriebene Weise erhalten wurden,
auf dem Festplattenlaufwerk 18 abgespeichert. Außerdem werden
die Auslegungsdaten in Photomaskendaten für die Dünnfilm-Transistorschaltung
umgewandelt und an einen externen TFT-Maskendaten-Speicher ausgegeben.
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Der
vorstehend dargestellte Entwicklungsprozess hat zwar in mancherlei
Hinsicht mit den Entwicklungsprozessen für kommerziell verfügbare automatisierte
Halbleiter-Entwicklungswerkzeuge einiges gemeinsam, doch definiert
und speichert er nicht nur Standardzellen, welche eine Allzweck-Bibliothek bilden,
sondern auch eine Standardzelle für das Muster 10A der
Kristallisationsanordnung, welches die Anordnung der Flächen 10 zum
Definieren von Kristallkörnern
darstellt, die zur zweidimensionalen Unterteilung der Dünnfilmschicht 5 aus
kristallisiertem Halbleitermaterial angeordnet sind und jeweils
ein entsprechendes Kristallkorn SX aufnehmen, dessen Größe ein vorgegebenes
Maß übersteigt.
Durch Ausbildung der Standardzelle bei einem solchen Muster 10A der
Kristallisationsanordnung als Auslegungsbedingung wird es möglich, die
Dünnfilmtransistoren und
zugehörigen
Verdrahtungslagen automatisch auszulegen.
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Bei
dem Prozess der Entwicklung einer Dünnfilm-Transistorschaltung
wird ein Schaltungssymbol verwendet, das in 6 dargestellt
ist und einen Wechselrichter in CMOS-Technik bezeichnet, der einen
Teil einer Dünnfilm-Transistorschaltung
bildet. Der CMOS-Wechselrichter ist, wie in 7 dargestellt,
aus einem MOS-Transistor P mit P-Kanal und einem MOS-Transistor
N mit N-Kanal aufgebaut, wobei es sich bei den um Dünnfilm-Transistoren
handelt, die unter Verwendung unterschiedlicher Kristallkörner SX
gebildet wurden. Jedes Kristallkorn SX besitzt eine quadratische
Form und misst 4 μm
auf einer Seite. Die Konfigurierung des CMOS-Wechselrichters wird
als Standardzelle aufgezeichnet, die in 8 dargestellt
ist. Bei dieser Standardzelle belegt der CMOS-Wechselrichter 7 × 4 Flächen 10 zum
Definieren von Kristallkörnern,
die in den Richtungen Y und X angeordnet sind. Die MOS-Transistoren
P und N werden unter Verwendung von zwei Halbleiterinseln SI gebildet,
die man durch Musterbildung der Dünnfilmschicht 5 aus
kristallisiertem Halbleitermaterial erhält und von denen jede Source-
und Drain-Zonen aufweist, die innerhalb einer entsprechenden Halbleiterinsel
SI in X-Richtung angeordnet sind, ferner einen Kanalbereich CH,
der innerhalb der entsprechenden Halbleiterinsel SI dazwischen platziert ist,
und einen Steuerelektrodenanschluss GM, der über dem Kanalbereich CH angeordnet
ist. Der Steuerelektrodenanschluss erstreckt sich in Y-Richtung. Die
Länge der
Kanalzone CH ist auf 1 μm
für jeden der
P- und N-Kanal-Transistoren
P und N eingestellt. Die Breite der Kanalzone ist auf 2 μm für den P-Kanal-Transistor
und auf 1 μm
für den
N-Kanal-Transistor eingestellt. Der Kanalbereich CH jedes dieser Transistoren
wird mit dem Mittelabschnitt einer der Flächen 10 zum Definieren
von Kristallkörnern
als Zielvorgabe (festgelegte Position) platziert. Damit sind die
Kanalbereiche CH der Transistoren entweder in X-Richtung oder Y-Richtung
in Einheiten von 5 μm
angeordnet, der Teilung der Anordnung der Flächen 10 zum Definieren
der Kristallkörner.
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In 8 bezeichnet
VSS eine Erdungsleitung, die Teil einer Verdrahtungslage aus Al
(Aluminium) in erster Höhenlage
ist, während
mit VDD eine Energieversorgungsleitung bezeichnet, die einen weiteren
Teil der Verdrahtungslage aus Al auf zweiter Höhenlage ist; mit CONT1 sind
Durchführungen
zum Anschluss der Al-Verdrahtungslage auf der ersten Höhenlage
an die Halbleiterinsel SI und den Steuerelektrodenanschluss GM bezeichnet
und CONT2 Durchführungen
für den
Anschluss der Al-Verdrahtungslage auf erster Höhenlage an eine Al-Verdrahtungslage
auf einer zweiten Höhenlage
zur Verdrahtung zwischen den Zellen bezeichnet. Die Kontaktlöcher sind
auf den Source- und Drain-Zonen ausgebildet, deren Konzentration
an Fremdatomen höher
eingestellt ist als die Konzentration im Kanalbereich CH in den
Halbleiterinseln SI. Jede der Source- und Drain-Zonen ist quer zur Korngrenze
GB angeordnet. Solange die Source- und Drain-Zonen einen gewünschten
niedrigen Widerstand aufweisen, verursacht die Präsenz der
Korngrenze GB kein Problem beim Transistorbetrieb.
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Beim
Prozess zur Entwicklung wird die Verdrahtung zwischen Standardzellen
dadurch festgelegt, dass die Anordnung eines Signaleingangsteils VIN
und eines Signalausgangsteils VOUT, die in 8 dargestellt
sind, erkannt wird.
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Bei
diesem Ausführungsbeispiel
beträgt
die Ausrichtungstoleranz LA zwischen dem Muster 10A der
Kristallisierungsanordnung und dem Bauelementmuster 0,5 μm, ist die
Länge LC
auf einer Seite jeder Fläche 10 zum
Definieren der Kristallkörner
5 μm und
beträgt
die Abmessung LG des größeren Werts
der Kanallänge
oder der Kanalbreite des Transistors 2 μm; damit gilt LC = 5 und (LG
+ 2 × LA)
= 2 + 2 × 0,5
= 3, wodurch die vorstehend angegebene Beziehung LC > (LG + 2 × LA) erfüllt wird.
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Bei
Verwendung einer Standardzelle des vorstehend beschriebenen Musters 10A der
Kristallisierungsanordnung befinden sich die Kanalbereiche CH der
Dünnfilm-Transistoren
nur in den Kristallkörnern
SX, die von polykristallinem feinkörnigen Halbleitermaterial in
der Dünnfilmschicht 5 aus
kristallisiertem Halbleitermaterial umgeben sind. Damit lässt sich
eine Hochleistungsschaltung erzielen.
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Außerdem wird
bei dem Prozess zur Entwicklung einer Dünnfilm-Transistorschaltung ein solches Schaltungssymbol
verwendet, wie es in 9 eingezeichnet ist und eine
UND-Schaltung bezeichnet, die eine Logikschaltung darstellt, die
einen Teil der Dünnfilm-Transistorschaltung
bildet. Die UND-Schaltung
weist eine CMOS-Struktur auf, die beispielhaft in 10 dargestellt
ist und Transistoren P1 bis P3 mit P-Kanal sowie Transistoren N1
bis N3 mit N-Kanal umfasst, bei denen es sich um Dünnfilm-Transistoren
handelt, die unter Verwendung unterschiedlicher Kristallkörner SX
ausgebildet sind. Das logische Produkt der Eingangssignale an den ersten
und zweiten Signaleingängen
VIN1 und VIN2 steht als Ausgangssignal an einem Signalausgang VOUT.
Die Konfiguration der UND-Schaltung wird als Standardzelle aufgezeichnet,
wie sie in 11 dargestellt ist. Die Kanallänge des
Kanalbereichs CH wird für
alle Transistoren P1 bis P3 und N1 bis N3 auf 1 μm eingestellt. Die Kanalbreite
wird bei den Transistoren N1 bis N3 mit N-Kanal auf 2 μm eingestellt und
bei dem Transistor P3 mit P-Kanal auf 4 μm. Wie bei der in 8 dargestellten
Standardzelle wird die Kanalzone CH jedes dieser Transistoren mit
dem Mittelbereich einer Fläche 10 zum
Definieren der Kristallkörner
als Zielvorgabe angeordnet. Der Transistor P3, der eine besonders
großer
Kanalbreite besitzt, ist aus zwei Teil-Transistoren gebildet, deren
Kanalzonen den Flächen 10 zum
Definieren von Kristallkörnern
in unterschiedlichen Halbleiterinseln zugeordnet sind, damit sie
die Korngrenze GB nicht enthalten und parallel so geschaltet sind,
dass man insgesamt die Kanalbreite erreicht.
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Zum
Betreiben des Paares von Teil-Transistoren wie zum Beispiel des
Transistors P3 sind die Kanalzonen der Teil-Transistoren in der
Oberfläche der
Kristallkörner
mit identischen Indices in der Kristallebene ausgebildet und ist
die Verbindung der Teil-Transistoren so eingestellt, dass die Hauptstromflussrichtungen
miteinander identisch sind.
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Darüber hinaus
wird bei dem Prozess zur Entwicklung einer Dünnfilm-Transistorschaltung als Logikschaltung,
die einen Teil der Dünnfilm-Transistorschaltung
bildet, zum Beispiel eine Exklusiv-ODER-Schaltung herangezogen.
Die Exklusiv-ODER-Schaltung besitzt beispielsweise die in 12 dargestellte
CMOS-Struktur und weist MOS-Transistoren P1 bis P4 mit P-Kanal und MOS-Transistoren
N1 bis N4 mit N-Kanal auf, bei denen es sich um Dünnfilmtransistoren
handelt, die unter Verwendung unterschiedlicher Kristallkörper SX gebildet
wurden. Die exklusive logische Summe der Eingangssignale von den
ersten und zweiten Signaleingängen
VIN1 und VIN2 wird am Signalausgang VOUT ausgegeben. Die Konfiguration
der Exklusiv-Oder-Schaltung wird als Standardzelle registriert, wie
sie in 13 dargestellt ist. Die Länge des
Kanalbereichs CH wird für
alle Transistoren P1 bis P4 und N1 bis N4 auf 1 μm eingestellt. Die Kanalbreite wird
für die
Transistoren N1 bis N4 auf 2 μm
und für die
Transistoren P1 bis P4 auf 4 μm
eingestellt. Der Kanalbereich CH jedes dieser Transistoren wird
mit der Mitte einer der Flächen 10 zum
Definieren der Kristallkörner
als Ziel angeordnet. Wie bei der in 11 dargestellten
UND-Schaltung wird
jeder der Transistoren P1 bis P4 mit P-Kanal aus zwei Teil-Transistoren gebildet,
die parallel geschaltet sind, und seine Kanalbreite (= 3 μm) erhält man als Gesamtkanalbreite
(= 2 μm × 2) der
beiden Teil-Transistoren.
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Die
in 8, 11 und 13 dargestellten
Standardzellen bilden einen Teil der Standardzellen-Bibliothek,
die bei der Schaltungsentwicklung herangezogen wird. Standardzellen
für viele
andere Logikschaltungen sind derzeit in der Standardzellen-Bibliothek
erfasst. Wie die in 8, 11 und 13 dargestellten
Standardzellen weisen alle Standardzellen für Logikschaltungen das Merkmal
auf, dass sie sieben Flächen 10 zum
Definieren der Kristallkörper
belegen, die innerhalb des ebenen Schaltungsmusters in Y-Richtung
angeordnet sind. Die Anzahl der in der X-Richtung belegten Flächen zum
Definieren der Kristallkörper
können
sich je nach Skalierung der Schaltung ändern.
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14 stellt
ein Halbaddierwerk dar, das die Wechselrichterschaltung, die UND-Schaltung
und die Exklusiv-ODER-Schaltung umfasst, deren Ersatzschaltbilder
in 7, 10 und 12 dargestellt
sind. Insbesondere sind in dem Halbaddierwerk zwei Wechselrichter
INV, eine UND-Schaltung AND und eine Exklusiv-ODER-Schaltung vorgesehen. 15 zeigt
eine Makrozelle für
das Halbaddierwerk, die eine Kombination aus den in 8, 11 und 13 dargestellten
Standardzellen darstellt. Diese Makrozellen können zusammen mit den Standardzellen
in der Bibliotheks-Datenbank abgelegt sein. In den Makrozellen sind
die Standardzellen durch Verdrahtungen untereinander verbunden,
die während
des Entwicklungsprozesses automatisch festgelegt werden.
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Die
Abmessung in Y-Richtung ist für
alle Standardzellen normalisiert. Damit lässt sich virtuell ein Logikschaltungsblock
mit einer gewünschten Funktion
dadurch erhalten, dass die Standardzellen in X-Richtung angeordnet
und die Energieversorgungs- und Erdungsleitungen an diesen Zellen
automatisch ausgelegt werden. Die Zellen weiden über die Al-Verdrahtungen auf
der ersten Höhenlage
untereinander verbunden, die außerhalb
der von der Zelle eingenommenen Fläche angeordnet sind und parallel
zur Erdungsleitung verlaufen, sowie über die Al-Verdrahtungen auf
der zweiten Höhenlage,
die so angelegt sind, dass sie sich von den Eingangs- und Ausgangskontakten
der Zellen senkrecht zur Erdungsleitung und durch Löcher CONT2,
welche die Al-Verdrahtungen
auf der ersten und der zweiten Höhenlage
miteinander verbinden, hindurch erstrecken. Die Zellen werden relativ
zueinander so platziert, dass die regelmäßige Anordnung der Kanalzonen der
jeweiligen Dünnfilmtransistoren
als Ganzes und auch auf der Grundlage des Musters der Kristallisationsanordnung
bei Standardzellen gehalten wird. Infolgedessen können alle
Dünnfilmtransistoren,
welche eine Dünnfilm-Transistorschaltung
bilden, so platziert werden, dass sie der Teilung in der Anordnung
der Kristallkörper
SX entsprechen.
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16 stellt
den Aufbau des Halbaddierers im Schnitt entlang der Linie I-I' aus 15 dar.
Entsprechend der vorstehenden Beschreibung ist das Dünnfilm-Halbleitersubstrat 1 aus
dem durchsichtigen dielektrischen Substrat 2 wie zum Beispiel
alkalifreiem Glas, der SiNx-Filmschicht 3, die auf dem durchsichtigen
dielektrischen Substrat 2, der SiO2-Filmschicht 4,
die auf der SiNx-Filmschicht 3 gebildet ist, und der Dünnfilmschicht 5 aus
kristallisiertem Halbleitermaterial, zum Beispiel kristallisiertem Silizium,
aufgebaut. Die SiNx-Filmschicht 3 ist als dielektrische
Pufferfilmschicht ausgeführt,
um die Diffusion von Fremdstoffen aus dem transparenten dielektrischen
Substrat 1 zu verhindern. Die jeweilige Stärke der
SiNx-Filmschicht 3, der SiO2-Filmschicht 4 und der
Dünnfilmschicht 5 aus
kristallisiertem Halbleitermaterial beträgt 50 nm bzw. 100 nm und 200
nm. Die Dünnfilmschicht 5 aus
kristallisiertem Halbleitermaterial ist mit einer dielektrischen
Filmschicht 20 mit Gatterfunktion aus SiO2 überzogen,
die eine Stärke
von 30 nm aufweist. Eine Steueranschlusselektrode GM aus MoW-Legierung ist dabei
aus der dielektrischen Filmschicht 20 mit Gatterfunktion
gebildet. Die Kontaktdurchführungen
CONT1 sind in der dielektrischen Zwischenfilmschicht 21 gebildet.
Die Energieversorgungsleitung VDD, die Erdungsleitung VSS und die Verdrahtungen 22 innerhalb
der Zelle sind auf der dielektrischen Zwischenfilmschicht 21 gebildet
und über
die Durchführungen
CONT1 angeschlossen. Bei jeder der Leitungen VDD, VSS und 22 handelt
es sich um eine dreilagige metallische Filmschicht aus Mo/Al/Mo.
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Der
gesamte Aufbau wird mit einer zweiten dielektrischen Zwischenfilmschicht 23 aus
SiO2 überzogen.
Die Kontaktdurchführungen
CONT2 sind dabei in der dielektrischen Zwischenfilmschicht 23 ausgebildet.
Die Verdrahtungen 24 zwischen den Standardzellen stellen
eine Al-Schicht dar, auf der dielektrischen Zwischenfilmschicht 23 gebildet
ist, und die Verdrahtungen 22 in der Zelle werden über die
Kontaktdurchführungen
CONT2 an die Verdrahtungen 24 angeschlossen.
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Der
gesamte Aufbau wird dann mit einem dielektrischen Schutzfilm 25 aus
SiNx überzogen.
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Hier
wird nun das Verfahren zur Erzielung einer Anordnung aus Kristallkörnern SX,
von denen jedes eine nahezu rechteckige Form von etwa 4 mal 4 μm besitzt
und in der Dünnfilmschicht 5 aus
Halbleitermaterial vorgesehen ist, ausführlicher beschrieben.
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Wenn
das durchsichtige dielektrische Substrat 1 ein Glassubstrat
ohne Hochtemperatur-Widerstand ist, wie in den Fällen, in denen ein Chip aus
monokristallinem Silizium hergestellt wird, ist es äußerst wünschenswert,
einen Prozess zur Laser-Temperaturbehandlung durchzuführen, um
durch Anlegen von Impulsen von ultraviolettem Laserlicht ein amorphes
Siliziummaterial zu schmelzen und umzukristallisieren, wodurch man
die Dünnfilmschicht 5 aus
kristallisiertem Halbleitermaterial erhält, in welcher das amorphe
Silizium teilweise kristallisiert ist. Zu diesem Zeitpunkt ist es
zur Erzielung von Kristallkörnern
SX mit der größtmöglichen
Fläche
wünschenswert,
mit einer Technik zu arbeiten, mit welcher durch Verwendung eines
Phasenschiebers mit geeignetem Muster bei der Intensität des Laserstrahls
an der Oberfläche des
Dünnfilm-Halbleitersubstrats 1 eine
räumliche Verteilung
zu erzielen, wodurch ein seitlicher Temperaturgradient herbeigeführt wird.
Dadurch wird sein seitliches Kristallwachstum eingeleitet, welches
es möglich
macht, dass man eine Anordnung von Kristallkörnern erhält, von denen jedes eine nahezu rechteckige
Form aufweist und auf einer Seite etwa 4 μm misst.
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Als
nächstes
wird unter Bezugnahme auf 17 ein
spezielles Beispiel eines Verfahrens zur Temperaturbehandlung unter
Einsatz eines Phasenschiebers beschrieben.
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Der
in 17 dargestellte Phasenschieber 50 ist
aus einem durchsichtigen Medium gebildet, zum Beispiel aus Quarz,
und weist ein Muster auf, bei dem erste und zweite Streifenabschnitte
(Phaseneinstellabschnitte) 50b und 50 von unterschiedlicher
Dicke nebeneinander angeordnet sind. Darauf auftreffende Laserlichtstrahlen
werden an den Stufengrenzen (Phasenverschiebungslinien) 50a zwischen
den Abschnitten 50b und 50b gebeugt und interferieren mit
einander. Damit nimmt der Phasenschieber 50 eine periodische
räumliche
Verteilung bei der Intensität
der auftreffenden Laserlichtstrahlen vor. Der Laserlichtstrahl mit
der Phase π kommt
aus dem ersten Streifenabschnitt 50b und der Laserlichtstrahl
mit der Phase 0 kommt aus dem zweiten Streifenabschnitt 50b.
Damit ist die Phase des aus dem ersten Streifenabschnitt 50b kommenden
Laserlichtstrahls umgekehrt zu der Phase des aus dem zweiten Streifenabschnitt 50c kommenden
Laserlichtstrahls (man erhält
somit einen Phasenunterschied von 180°). Jeder der Streifenabschnitte 50b und 50c besitzt
eine Breite von 10 μm.
Zum Beispiel wird der Phasenschieber 50 unter Verwendung
eines rechteckigen Quarzsubstrats gebildet, dessen Brechungszahl
1,5 beträgt, um
den vorgenannten Phasenunterschied bei einem Laserlicht mit einer
Wellenlänge
von 248 nm zu erzielen. In diesem Fall wird das Quarzsubstrat für den Streifenabschnitt 50b geätzt, wodurch
der Streifenabschnitt 50b dünner als der Streifenabschnitt 50c ausgebildet
wird. Die Ätztiefe
wird entsprechend der Phase Π auf
248 nm festgelegt. Darüber
hinaus wird das Quarzsubstrat für
den Streifenabschnitt 50c nicht geätzt.
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In
dem so hergestellten Phasenschieber 50 wird der durch den
zweiten Streifenabschnitt 50c hindurch gehende Laserlichtstrahl
gegenüber
dem durch den ersten Streifenabschnitt 50 hindurch gehenden
Laserlichtstrahl um 180° verzögert, wobei der
erste Streifenabschnitt 50 eine geringere Stärke aufweist
als der zweite. Infolgedessen kommt es zwischen dem durch den ersten
Streifenabschnitt 50b hindurch gehenden Laserlichtstrahl
und dem durch den zweiten Streifenabschnitt 50c hindurch
gehenden Laserlichtstrahl zu Interferenz und Beugung, wodurch man
eine Verteilung der Laserlichtintensität erhält, wie sie in 18 dargestellt
ist. Da die Laserlichtstrahlen von benachbarten Streifenabschnitten
in ihrer Phase umgekehrt sind, nimmt die Intensität des Laserlichts
an einer Position, welche der Phasenverschiebungslinie zwischen
den benachbarten Streifenabschnitten entspricht, einen Mindestwert
an, beispielsweise 0. Der Teil, in dem die Lichtintensität einen
Minimalwert aufweist, oder ein nahe daran liegender Teil bildet
einen Kern, der bei der Kristallisierung eines Halbleitermaterials
zu Kristallkörnern
heranwächst.
Auch wenn bei dem vorstehend dargestellten Beispiel für einen
Phasenschieber 50 die Phasenverschiebungslinien in Form
paralleler gerader Linien verlaufen, wie sie in 17 dargestellt sind,
stellt dies keine Einschränkung
dar.
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Es
ist zum Beispiel auch möglich,
die Phaseneinstellbereiche für
die Phase 0 und die Phase π in
einem Riffelmuster anzuordnen, wodurch eine rechtwinklige Überkreuzung
der Phasenverschiebungslinien herbeigeführt wird. In diesem Fall erhält man entlang
der Phasenverschiebungslinien ein gitterartiges Muster der Lichtintensität 0. Aus
diesem Grund werden die Kristallkerne an willkürlichen Positionen auf den
Linien gebildet, was zu einem komplizierten Problem mit der Steuerung
der Kristallkörner nach
Position und Form führt.
Aus diesem Grund ist es zur Steuerung der Bildung von Kristallkernen
wünschenswert,
dass ein Punkt mit der Intensität
0 vorgesehen ist. Deshalb wird der Betrag der Phasenverschiebung
auf weniger als 180° auf
den rechtwinklig überkreuzenden
Phasenverschiebungslinien eingestellt. Dadurch wird die Intensität zwar verringert,
wird aber an Positionen, welche den Phasenverschiebungslinien entsprechen,
nicht ganz Null. Gleichzeitig kann die Intensität an Positionen, welche den Überkreuzungspunkten
entsprechen, dadurch zu Null gemacht werden, dass die Summe der
komplexen Durchlässigkeitsfaktoren
um den Überkreuzungspunkt
herum, 0 gemacht wird.
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Dies
wird anhand der 19 und 20 beschrieben.
Eine Maske besitzt einen Satz quadratischer Muster, die jeweils
aus vier quadratischen Abschnitten 50e, 50f 50g und 50h bestehen,
welche neben einander angeordnet sind und unterschiedlich dick sind,
wie dies in 19 dargestellt ist. Die quadratischen
Muster sind gemäß der Darstellung
in 20 neben einander angeordnet. Der erste quadratische
Abschnitt 50e ist dabei der dünnste und seine Phase ist auf
0 eingestellt. Der vierte quadratische Abschnitt 50h ist
der dickste und seine Phase unterscheidet sich von der Phase des
ersten quadratischen Abschnitts 50e um 3π/2. Die jeweilige
Dicke des zweiten und des dritten Abschnitts 50f bzw. 50g liegt
zwischen den Werten der quadratischen Abschnitte 50e und 50h,
wobei sich ihre jeweilige Phase gegenüber dem ersten quadratischen
Abschnitt 50e um π/2
bzw. π unterscheidet.
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Bei
einer derartigen Maske bildet die Stelle, an welcher der erste und
der vierte quadratische Abschnitt aneinander angrenzen, also die
Mitte des Quadratmusters, einen Punkt mit der Intensität 0. Deshalb
wächst
der Kern eines Kristallkorns von diesem Punkt aus, wodurch eine
leichte Steuerung der Position und der Form des Kristallkorns möglich wird. Eine
Technik unter Heranziehung eines derartigen Phasenschiebers wird
in der am 19. März
2003 vom selben Anmelder wie bei dieser Anmeldung auf der Grundlage
der japanischen Patentanmeldung Nr. 2002-120312 eingereichten Internationalen
Anmeldung PCT/JP03/03366 beschrieben.
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21 stellt
in schematisierter Form den Aufbau eines Flüssigkristall-Bildschirms bzw.
Dünnfilmtransistor-Bildschirms
mit aktiver Matrix dar, in welchem die nach dem in 5 dargestellten
Entwicklungsverfahren entwickelten Dünnfilm-Transistorschaltungen
einbezogen sind. Dieses Flüssigkristall-
bzw. LCD-Bildschirmgerät
ist mit einer Aktivmatrix-Schaltung AMX mit Flüssigkristall-Bildpunkten PX
ausgerüstet,
die in Matrixform angeordnet sind, ferner mit einer Treibersteuerschaltung
CNT und einem Dünnfilmsubstrat 1 aus
Halbleitermaterial, das die Aktivmatrix-Schaltung AMX und die Treibersteuerschaltung
CNT trägt.
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Auf
dem Dünnfilmsubstrat 1 aus
Halbleitermaterial weist die Aktivmatrix-Schaltung AMX des Flachbildschirms Abtastzeilen 61 und
Bildsignalleitungen 62 auf, die so angeordnet sind, dass
sie sich rechtwinklig schneiden, sowie Schaltelemente W, von denen
jedes aus einem Dünnfilmtransistor
gebildet und mit dem Flüssigkristall-Bildelement
PX verbunden ist, das in einer jeweiligen Fläche unter den rechteckigen
Bildpunktflächen
platziert ist, die von den Zeilen 61 und Linien 62 definiert
wurden. Die Treibersteuerschaltung CNT ist aus einer Abtastschaltung 63,
einer Signalzuführschaltung 64,
einem Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler 65 und
einer Steuerung 66 aufgebaut. Diese sind dabei auf dem
Dünnfilmsubstrat 1 aus
Halbleitermaterial integriert, wobei Dünnfilm-Transistorschaltungen verwendet werden, von
denen jede aus einer Dünnfilmschicht
aus kristallisiertem Halbleitermaterial besteht, die zweidimensional
in Flächen
zum Definieren von Kristallkörpern unerteilt
ist, von denen jede ein Kristallkorn aufnimmt, dessen Größe ein vorgegebenes
Maß übersteigt, wobei
jeder der Dünnfilmtransistoren
einen Kanalbereich aufweist, der an einer Position platziert ist,
die in einer entsprechenden Fläche
unter den Flächen zum
Definieren von Kristallkörnern
festgelegt ist, und wobei ferner Verdrahtungen vorgesehen sind,
welche die Dünnfilmtransistoren
untereinander verbinden. Die Steuerung 66 empfängt Bilddaten
DATA und Steuersignale von außen
und nimmt die erforderliche Verarbeitung der digitalen Daten vor,
um an die Abtastschaltung 63 und die Signalzuführschaltung 64 ein
Bildsignal anzulegen. Der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler 65 wandelt
eine von außen
zugeführte
Versorgungsspannung DC in Spannungen um, die für die Abtastschaltung 63 und
die Signalzuführschaltung 64 benötigt werden.
Die Abtastschaltung 63 und die Signalzuführschaltung 64 steuern
die Flüssigkristall-Bildelemente
PX über
die Schaltelemente W an.
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Die
Steuerung 66 ist in hohem Maße von den technischen Vorgaben
des Kunden für
die externe Schnittstelle und das interne Ansteuersystem abhängig, wobei
gefordert wird, dass sie eine Betriebsgeschwindigkeit besitzt, welche
eine vorgegebene Geschwindigkeit übersteigt. Deshalb ist es wünschenswert,
dass die mittels des in 4 dargestellten Rechners entwickelte
Dünnfilm-Transistorschaltung hauptsächlich bei
der Steuerung 66 eingesetzt wird. Wenn mit dem vorstehend
dargestellten Entwicklungsprozess unter Verwendung von Standardzellen gearbeitet
wird, erhöht
sich gegenüber
dem herkömmlichen
Verfahren, bei dem alle Dünnfilm-Transistorschaltungen
nach den Kundenwünschen
entwickelt werden, die Produktivität deutlich. Außerdem lässt sich
dank der Verwendung von Standardzellen bei dem Muster mit Kristallisationsanordnung,
welche die Spezifizität
flacher Kristallmuster wie bei der Erfindung wi derspiegeln, im Wesentlichen
die gleiche Leistung wie bei Verwendung eines Chips aus monokristallinem
Halbleitermaterial erzielen, wodurch die Realisierung eines Bildschirmgeräts mit höheren Funktionen
und höherer
Leistung möglich
wird. Außerdem
bietet das vorstehend beschriebene Verfahren zur Entwicklung einer
Dünnfilm-Transistorschaltung
auch beiden Produkten einen größeren Vorteil, bei
denen nicht nur die Steuerung 66 sondern auch kompliziertere
digitale Logikschaltungen auf einem Dünnfilm-Halbleitersubstrat integriert
sind.
-
Der
in 5 dargestellte Prozess zur Entwicklung einer Dünnfilm-Transistorschaltung
lässt sich
beispielsweise gemäß der Darstellung
in 22 modifizieren. Bei dieser abgewandelten Ausführungsform
wird unter Heranziehung der Auslegungsdaten der Dünnfilm-Transistorschaltung
ein Phasenverschiebungs-Maskenmuster automatisch erzeugen.
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Die
Schritte ST1 bis ST9 bei dieser modifizierten Verfahrensform sind
identisch mit den Schritten bei dem in 5 dargestellten
Entwicklungsprozess. Dies bedeutet, dass in Schritt ST1 in der Hardwarebeschreibungs-Sprache
HDL oder der C-Sprache, deren Abstraktionsgrad höher ist als bei HDL, die Funktion
einer zu realisierenden Dünnfilm-Transistorschaltung
beschrieben wird. Die Zusammenstellung der Logikschaltung erfolgt
anhand des Inhalts der Beschreibung im Schritt ST2. Zu diesem Zeitpunkt
wird auf die vorgenannte Bibliothek der Standardzellen Bezug genommen.
Die Funktionen der Dünnfilm-Transistorschaltung
werden durch Vornahme einer Testsimulation im Schritt ST3 nachgeprüft. Wenn
die Ergebnisse des Simulationslaufs befriedigend sind, werden die
Ergebnisse für
die Zusammenstellung der Logikschaltung im Schritt ST4 bestätigt und
dann wird im Schritt ST5 eine Netzwerkliste erstellt. Anschließend wird
die Zellenanordnung der Logikschaltungen anhand der Netzwerkliste und
der Informationen in der Zellenbibliothek im Schritt ST6 ermittelt,
und anschließend
werden die Verdrahtungen zwischen den Zellen im Schritt ST8 festgelegt.
Die Anordnung der Zellen wird im Schritt ST8 nochmals überprüft. Wenn
die gewünschten Spezifikationen
erfüllt
werden, wird die Dünnfilm-Transistorschaltung
bestätigt.
Im Schritt S9 werden die in vorgenannter Weise virtuell erhaltenen Auslegungsdaten
der Dünnfilm-Transistorschaltung auf
dem Festplattenlaufwerk 18 abgespeichert. Außerdem werden
die Auslegungsdaten in Photomaskendaten für die Dünnfilm-Transistorschaltung umgewandelt
und an einen externen TFT-Maskendaten-Speicher und einen Phasenschieber-Maskendaten-Speicher
ausgegeben.
-
Danach
wird im Schritt ST10 die automatische Erzeugung eines Maskenmusters
für die
Phasenverschiebung vorgenommen. Das Muster für die Phasenverschiebungsmaske
wird in Entsprechung zu dem Muster der Kristallisationsanordnung
festgelegt, um so die Flächen
zum Definieren der Kristallkörner
zu definieren, die an das Bauelementmuster der Dünnfilmtransistoren angepasst
und auf einer Dünnfilmschicht
aus Halbleitermaterial mit Hilfe eines Kristallisierungsverfahrens
auf Laserbasis hergestellt werden. Wenn im Schritt ST10 das Muster
der Phasenverschiebungsmaske virtuell erhalten und im Schritt ST11
bestätigt
wurde, wird das Muster der Phasenverschiebungsmaske in Photomasken-Daten für den Phasenschieber
umgewandelt und an den externen Phasenschieber-Maskendaten-Speicher ausgegeben.
-
Des
Weiteren kann das vorgenannte Muster für eine Phasenverschiebungsmaske
einen Abschnitt zur Kristallisierung eines Teils der Halbleiter-Dünnfilmschicht
als Ausrichtungsmarkierung von vorgegebener Form enthalten, welche
nach der Kristallisierung zum Ausrichten der Photomaske für die Dünnfilm-Transistorschaltung
relativ zur Halbleiter-Dünnfilmschicht
verwendet wird.
-
Weitere
Vorteile und Modifizierungen ergeben sich für den Fachmann auf diesem Gebiet
ohne weiteres. Deshalb beschränkt
sich die Erfindung in ihren breiter gefassten Aspekten nicht auf
die speziellen Einzelheiten und repräsentativen Ausführungsbeispiele,
die hier dargestellt und beschrieben werden. Dementsprechend können verschiedene
Modifizierungen vorgenommen werden, ohne dabei vom Gedanken und
Umfang des allgemeinen Konzepts der Erfindung abzuweichen, wie es
in den beiliegenden Ansprüchen
und deren Äquivalenten
definiert ist.
-
- 1
- Dünnfilm-Halbleitersubstrat
- 2
- durchsichtiges
dielektrisches Substrat
- 3
- SiNx-Film
- 4
- SiO2-Film
- 5
- Dünnfilmschicht
aus kristallisiertem Halbleitermaterial
- 10
- Flächen zum
Definieren von Kristallkörnern
- 10A
- Muster
der Kristallisierungsanordnung
- 11
- Zentraleinheit
- 12
- ROM-Speicher
- 13
- RAM-Speicher
- 14
- Bildschirmgerät
- 15
- Tastatur
- 16
- Hilfseingabegerät (Zeigervorrichtung)
- 17
- Peripherieschnittstelle
- 18
- Festplattenlaufwerk
- 20
- dielektrischen
Filmschicht mit Gatterfunktion
- 21
- dielektrische
Zwischenfilmschicht aus SiO2
- 22
- Verdrahtungen
innerhalb der Zelle
- 23
- zweite
dielektrische Zwischenfilmschicht aus SiO2
- 24
- Verdrahtungen
- 25
- dielektrischer
Schutzfilm aus SiNx
- 50
- Phasenschieber/Maske
- 50a
- Stufengrenzen
- 50b
- Abschnitt
(Streifen)
- 50c
- Abschnitt
(Streifen)
- 50d
- 1.
quadratischer Abschnitt
- 50f
- 2.
quadratischer Abschnitt
- 50g
- 3.
quadratischer Abschnitt
- 50h
- 4.
quadratischer Abschnitt
- 61
- Abtastzeilen
- 62
- Bildsignalleitungen
- 63
- Abtastschaltung
- 64
- Signalzuführschaltung
- 65
- Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler
- 66
- Steuerung
- AMX
- Flüssigkristallanzeige
mit aktiver Matrix
- AND
- UND-Schaltung
- CH
- Kanalbereich
- CNT
- Treibersteuerschaltung
- CONT1
- Durchführungen
(Kontaktlöcher)
- CONT2
- Durchführungen
- DATA
- Bilddaten
- DC
- Versorgungsspannung
- DC-DC
- Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler
- GB
- Korngrenze
- GM
- Steuerelektrodenanschluss
- INV
- Wechselrichterschaltung
- LA
- Ausrichtungstoleranz
LA
- N
- MOS-Transistor
mit N-Kanal
- P
- MOS-Transistor
mit P-Kanal
- PX
- Flüssigkristall-Bildpunkte
- SI
- Halbleiterinseln
- SX
- Kristallkorn
- VDD
- Energieleitung
- VIN
- Signaleingangsteil
- VOUT
- Signalausgangsteil
- VSS
- Erdungsleitung
- W
- Schaltelemente
- XOR
- Exklusiv-ODER-Schaltung
- ST1
- Beschreibung
der Funktionen der Dünnfilm-Transistorschaltung
- ST2
- Zusammenstellung
der Logikschaltung
- ST3
- Funktionsüberprüfung (Testsimulation)
- ST4
- Bestätigung der
Zusammenstellung
- ST5
- Erstellung
einer Netzwerkliste
- ST6
- Ermittlung
der Zellenanordnung
- ST7
- Ermittlung
der Verdrahtungen zwischen den Zellen
- ST8
- Überprüfung der
Zellenanordnung
- ST9
- Abspeicherung
der Auslegungsdaten
- ST10
- automatische
Erzeugung eines Maskenmusters
- ST11
- Bestätigung