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Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Anzeigetechnologien und insbesondere auf ein TFT-Array-Substrat und eine Anzeigevorrichtung.
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Hintergrund der Erfindung
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Dünnfilmtransistor (TFT)-Array-Substrate finden breite Anwendung in Anzeigevorrichtungen. In der Praxis besteht bei den TFT-Array-Substraten und den Anzeigevorrichtungen jedoch das Problem eines schlechten Displayeffekts oder einer verminderten Anzeigequalität.
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Kurzfassung der Erfindung
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Daher sehen erfindungsgemäße Ausführungsformen ein TFT-Array-Substrat und eine Anzeigevorrichtung vor.
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Ein TFT-Array-Substrat umfasst: eine Vielzahl von Gatezeilen und eine Vielzahl von Datenzeilen, wobei die Gatezeilen die Datenzeilen isoliert schneiden; und eine Vielzahl von Pixeleinheiten, die in einer durch die Schnittpunkte der Gatezeilen und der Datenzeilen definierten Anordnung verteilt sind, wobei jede Pixeleinheit einen Drain, eine Pixelelektrode und eine gemeinsame Elektrode umfasst, wobei die Pixelelektrode und die gemeinsame Elektrode ein elektrisches Feld bilden, und die Vielzahl von Pixeleinheiten eine Vielzahl erster Pixeleinheiten und eine Vielzahl zweiter Pixeleinheiten umfasst, wobei die elektrischen Felder zweier benachbarter Pixeleinheiten in zueinander entgegen gesetzten Richtungen angeordnet sind.
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Eine Anzeigevorrichtung umfasst das oben beschriebene TFT-Array-Substrat.
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Die erfindungsgemäßen Ausführungsformen können mindestens einen der folgenden vorteilhaften Effekte erzielen.
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In den erfindungsgemäßen Ausführungsformen sind eine Vielzahl erster Pixeleinheiten und eine Vielzahl zweiter Pixeleinheiten in einem TFT-Array-Substrat angeordnet, wobei für verschiedene Inversionsmuster eine entsprechende Anordnung der ersten und zweiten Pixeleinheiten gewählt wird, so dass elektrische Felder benachbarter Pixeleinheiten in zueinander entgegen gesetzten Richtungen angeordnet sind, wenn an den ersten und zweiten Pixeleinheiten eine Betriebsspannung anliegt, wodurch die Anzeigehelligkeit über die jeweiligen Pixeleinheiten vereinheitlicht wird und Displayeffekt sowie Anzeigequalität verbessert werden. Dabei sind zweite Durchgangslöcher über den Datenzeilen in den zweiten Pixeleinheiten angeordnet, gemeinsame Elektroden der ersten Pixeleinheiten über die zweiten Durchgangslöcher entsprechend mit gemeinsamen Elektroden der zweiten Pixeleinheiten elektrisch verbunden, wodurch das zusätzliche Vorsehen einer Schwarzmatrix für die zweiten Durchgangslöcher vermieden und damit das Öffnungsverhältnis verbessert wird.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Zur besseren Verdeutlichung der technischen Lösungen der erfindungsgemäßen Ausführungsformen werden nachfolgend kurz die zur Beschreibung der Ausführungsformen verwendeten Zeichnungen vorgestellt, wobei sich versteht, dass die nachfolgend beschriebenen Zeichnungen lediglich einige erfindungsgemäße Ausführungsformen veranschaulichen sollen und der Durchschnittsfachmann aus diesen Zeichnungen andere Zeichnungen ableiten kann, ohne erfinderisch tätig zu werden. In den Zeichnungen zeigen:
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1 eine Draufsicht auf erste Pixeleinheiten und zweite Pixeleinheiten in einem TFT-Array-Substrat vom FFS-Typ nach einer erfindungsgemäßen Ausführungsform;
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2(a) ein Aufbauschema im Querschnitt entlang der Linie A-A’ in 1;
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2(b) ein Aufbauschema im Querschnitt entlang der Linie B-B’ in 1;
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3(a) ein Anordnungsmuster der ersten und der zweiten Pixeleinheiten nach einer erfindungsgemäßen Ausführungsform zur Frameinversion;
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3(b), 3(d) and 3(e) ein Korrespondenzverhältnis zwischen der Polarität einer Betriebsspannung (d.h. der Polarität der nicht-invertierten Spannung) und der Polarität eines elektrischen Feldes einer Pixeleinheit (d.h. der Polarität der invertierten Spannung) im Falle der Inversion des Anordnungsmusters in 3(a);
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3(c) ein Vergleichsdiagramm aufeinanderfolgender Frames;
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4(a) ein Anordnungsmuster der ersten und der zweiten Pixeleinheiten nach einer erfindungsgemäßen Ausführungsform zur Reiheninversion;
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4(b), 4(c) and 4(d) ein Korrespondenzverhältnis zwischen der Polarität einer Eingangsbetriebsspannung (d.h. der Polarität der nicht-invertierten Spannung) und der Polarität eines elektrischen Feldes einer Pixeleinheit (d.h. der Polarität der invertierten Spannung) im Falle einer Inversion des Anordnungsmusters in 4(a);
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5 eine vereinfachte Draufsicht auf eine erste Pixeleinheit und eine zweite Pixeleinheit in einem TFT-Array-Substrat vom IPS-Typ nach einer erfindungsgemäßen Ausführungsform;
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6 ein weiteres Aufbauschema einer Elektrode im TFT-Array-Substrat vom IPS-Typ;
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7 ein Aufbauschema im Querschnitt entlang der Linie C-C’ in 5;
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8 ein Ablaufdiagramm von Schritten in einem Verfahren zur Herstellung eines TFT-Array-Substrates vom FFS-Typ in einem Beispiel 1 nach einer erfindungsgemäßen Ausführungsform, wie in 1, 2(a) und 2(b) gezeigt;
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9(a), 10(a) und 11(a) Querschnittsansichten des jeweiligen Schritts entlang der Linie A-A’ in 1;
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9(b), 10(b) und 11(b) Querschnittsansichten des jeweiligen Schritts entlang der Linie B-B’ in 1;
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12(a) und 12(b) Aufbauschemata einer Pixeleinheit in einem anderen Verfahren zur Herstellung eines TFT-Array-Substrates vom FFS-Typ nach einer erfindungsgemäßen Ausführungsform, und
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13 ein vereinfachtes Schema einer Anzeigevorrichtung nach einer erfindungsgemäßen Ausführungsform.
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Detaillierte Beschreibung der Ausführungsformen
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Nachfolgend werden weitere Einzelheiten der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben, um die Ziele, die technischen Lösungen und die Vorteile der Erfindung zu verdeutlichen. Es versteht sich, dass die beschriebenen Ausführungsformen nur einen Teil, aber nicht alle Ausführungsformen der Erfindung darstellen. Alle anderen Ausführungsformen, die für den Durchschnittsfachmann aufgrund der erfindungsgemäßen Ausführungsformen ohne erfinderische Tätigkeit erhältlich sind, sollen unter den Umfang der Erfindung fallen.
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Es sei angemerkt, dass bei den erfindungsgemäßen Ausführungsformen die Begriffe „Oberseite“ und „Unterseite“ lediglich eine relative Positionsbeziehung zwischen einer Pixelelektrode und einer gemeinsamen Elektrode andeuten sollen, z. B. steht eine Pixelelektrode auf der Oberseite einer Pixeleinheit für die Pixelelektrode über der gemeinsamen Elektrode; ferner soll bei den erfindungsgemäßen Ausführungsformen eine „Zeile“ nicht nur auf eine Zeile von Pixeln, die einer Gatezeile entsprechen, beschränkt sein, sondern kann auch als x Zeilen von Pixeln zu verstehen sein, die x Gatezeilen entsprechen; und eine „Reihe“ soll nicht nur auf eine Reihe von Pixeln beschränkt sein, die einer Datenzeile entspricht, sondern kann auch als y Reihen von Pixeln zu verstehen sein, die y Datenzeilen entsprechen, wobei sowohl x als auch y positive ganze Zahlen sind.
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Ferner sei angemerkt, dass sowohl die gemeinsame Elektrode als auch die Pixelelektrode, auf die in den erfindungsgemäßen Ausführungsformen Bezug genommen wird, aus einem transparenten, leitfähigen Material gefertigt sind, wobei Dicke und Aufbau der gemeinsamen Elektrode und der Pixelelektrode abhängig von einer bestimmten Anforderung für einen Displaymodus eingestellt werden können.
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Nach einer erfindungsgemäßen Ausführungsform ist ein TFT-Array-Substrat vorgesehen, umfassend eine Vielzahl von Gatezeilen und eine Vielzahl von Datenzeilen, wobei die Gatezeilen die Datenzeilen isoliert schneiden; und eine Vielzahl von Pixeleinheiten, die in einer durch die Schnittpunkte der Gatezeilen und der Datenzeilen definierten Anordnung verteilt sind, wobei jede Pixeleinheit einen Drain, eine Pixelelektrode und eine gemeinsame Elektrode umfasst, die Pixelelektrode und die gemeinsame Elektrode ein elektrisches Feld bilden, und die Vielzahl von Pixeleinheiten eine Vielzahl erster Pixeleinheiten und eine Vielzahl zweiter Pixeleinheiten umfasst, wobei die elektrischen Felder zweier benachbarter Pixeleinheiten in zueinander entgegen gesetzten Richtungen angeordnet sind.
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Bei der erfindungsgemäßen Ausführungsform gibt es mehrere TFT-Array-Substrate, die wie oben beschrieben aufgebaut sein können, einschließlich eines TFT-Array-Substrats im FFS-Modus, eines TFT-Array-Substrats im IPS-Modus usw. Das TFT-Array-Substrat im FFS-Modus und das TFT-Array-Substrat im IPS-Modus werden nachfolgend anhand besonderer Beispiele derselben näher beschrieben.
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Es sei angemerkt, dass bei einer TFT-Struktur in einem TFT-Array-Substrat im Betrieb ein Leckstrom-Phänomen auftritt, das insbesondere bei einem TFT in einer Top Gate-Struktur gravierend sein kann, da ein Gate des TFT in der Top Gate-Struktur über einer Halbleiterschicht angeordnet ist, und die Halbleiterschicht die unterste Schicht der TFT-Struktur ist, und bei Inbetriebnahme einer Hintergrundlichtquelle wird die Halbleiterschicht direkt beleuchtet, was zu einem starken, optisch induzierten Leckstrom führt, wobei die Halbleiterschicht dadurch beeinträchtigt werden kann, was zur Verschlechterung einer Stromleitungswirkung führt. Darüber hinaus kann der starke Leckstrom auch einen Anstieg des Gesamtstromverbrauchs verursachen. Folglich ist es nicht ratsam, den TFT in der Top Gate-Struktur für eine Pixeleinheit einzusetzen.
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Allerdings ist es auch nicht ratsam, alternierend eine Pixeleinheit mit einem TFT in der Top Gate-Struktur und eine Pixeleinheit mit einem TFT in einer Bottom Gate-Struktur anzuordnen, da im Betrieb der Leckstrom im TFT in der Top Gate-Struktur deutlich größer als der Leckstrom im TFT in der Bottom Gate-Struktur ist, und wenn sowohl die Pixeleinheit mit einem TFT in einer Top Gate-Struktur als auch die Pixeleinheit mit einem TFT in der Bottom Gate-Struktur auf einem gefertigten Bildschirm vorliegen, dann unterscheidet sich der Leckstrom über die jeweiligen Pixeleinheiten auf dem gesamten Bildschirm, wobei es sich möglicherweise um einen 1000-fachen Unterschied handelt, und dieser Leckstromunterschied lässt sich nicht einheitlich kompensieren, was meist zu einem sehr schlechten Displayeffekt und einer sehr schlechten Anzeigequalität führt.
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Das Leckstrom-Phänomen kann sowohl beim TFT in der Top Gate-Struktur als auch beim TFT in der Bottom Gate-Struktur auftreten, wobei jedoch der TFT in der Bottom Gate-Struktur einen geringeren Leckstrom und ein einfaches Herstellverfahren aufweist, weshalb in allen erfindungsgemäßen Ausführungsformen zur Verbesserung eines Displayeffekts und einer Anzeigequalität beispielhalber eine Pixeleinheit mit einem TFT in einer Bottom Gate-Struktur bechrieben wird, die Erfindung aber nicht auf die folgenden Ausführungsformen beschränkt sein soll.
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Ferner sieht die Erfindung eine Ausführungsform vor, bei der es sich um ein TFT-Array-Substrat im FFS-Modus handelt (einfach als TFT-Array-Substrat vom FFS-Typ bezeichnet).
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Beim TFT-Array-Substrat vom FFS-Typ sind die Pixelelektroden und die gemeinsamen Elektroden in unterschiedlichen Schichten angeordnet, und zwar insbesondere wie folgt: in jeder ersten Pixeleinheit ist die gemeinsame Elektrode über der Pixelelektrode angeordnet, und die Pixelelektrode ist mit dem Drain direkt elektrisch verbunden; und in jeder zweiten Pixeleinheit ist die Pixelelektrode über der gemeinsamen Elektrode angeordnet, wobei die Pixelelektrode durch ein erstes Durchgangsloch in der zweiten Pixeleinheit elektrisch mit dem Drain verbunden ist. Somit liegen die Pixelelektrode und die gemeinsame Elektrode jeder ersten Pixeleinheit der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode jeder zweiten Pixeleinheit gegenüber, wodurch sichergestellt ist, dass durch die ersten Pixeleinheiten gebildete elektrische Felder in entgegen gesetzter Richtung zu durch die zweiten Pixeleinheiten gebildeten elektrischen Feldern liegen, wenn an den ersten und den zweiten Pixeleinheiten eine Betriebsspannung mit demselben Potential anliegt.
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Ferner sind bei einem TFT-Array-Substrat, das in Form einer Frameinversion inversionsgesteuert ist (d.h. die Polarität der an den Datenzeilen anliegenden Betriebsspannung ist innerhalb eines Frames gleich), die erste Pixeleinheit und die zweite Pixeleinheit sowohl alternierend entlang der Richtung der Datenzeilen als auch alternierend entlang der Richtung der Gatezeilen angeordnet. An den Datenzeilen in zwei aufeinanderfolgenden Frames anliegende Signale sind jeweils zueinander umgekehrte Signale, und an allen Datenzeilen anliegende Signale sind in jedem Frame gleich.
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Ferner sind bei einem TFT-Array-Substrat, das in Form einer Reiheninversion inversionsgesteuert ist (d.h. die Polarität der an den benachbarten Datenzeilen anliegenden Betriebsspannungen ist innerhalb eines Frames entgegen gesetzt), die erste Pixeleinheit und die zweite Pixeleinheit alternierend entlang der Richtung der Datenzeilen angeordnet, wobei von zwei benachbarten Zeilen in Richtung der Gatezeilen eine jeweils eine Zeile erster Pixeleinheiten und die andere eine Zeile zweiter Pixeleinheiten ist. Wenn ein drittes Signal an der n-ten Datenzeile anliegt, dann liegt ein viertes Signal an der (n + 1)-ten Datenzeile an, wobei das dritte Signal ein Umkehrsignal des vierten Signals und n eine positive ganze Zahl ist.
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Ferner sind bei einem TFT-Array-Substrat, das in Form einer Zeileninversion inversionsgesteuert ist (d.h. die Polarität der Betriebsspannungen (Pixelspannungen) benachbarter Pixelzeilen ist innerhalb eines Frames entgegen gesetzt), die erste Pixeleinheit und die zweite Pixeleinheit alternierend entlang der Richtung der Gatezeilen angeordnet, wobei von zwei benachbarten Reihen in Richtung der Datenzeilen eine jeweils eine Reihe erster Pixeleinheiten und die andere eine Reihe zweiter Pixeleinheiten ist. Wenn die m-te Gatezeile abgetastet wird, liegt an allen Datenzeilen ein erstes Signal an, und wenn die (m + 1)-te Gatezeile abgetastet wird, liegt an allen Datenzeilen ein zweites Signal an, wobei das erste Signal ein Umkehrsignal des zweiten Signals und m eine positive ganze Zahl ist.
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1 zeigt eine Draufsicht auf erste Pixeleinheiten und zweite Pixeleinheiten in einem TFT-Array-Substrat vom FFS-Typ nach einem erfindungsgemäßen Beispiel 1. In dem TFT-Array-Substrat sind drei Datenzeilen 101 und eine Gatezeile 102, welche die Datenzeilen 101 schneidet, auf einem Substrat angeordnet, wobei erste Pixeleinheiten A und zweite Pixeleinheiten B durch die Schnittpunkte der Datenzeilen 101 und der Gatezeile 102 definiert sind. 1 zeigt nur einen Teil, aber nicht alle Pixeleinheiten, und die anderen Pixeleinheiten sind ähnlich aufgebaut, wobei zu beachten ist, dass die Menge der Datenzeilen 101, die Menge der Gatezeilen 102, die Menge der ersten Pixeleinheiten und die Menge der zweiten Pixeleinheiten lediglich beispielhalber veranschaulicht sind, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein, und dass lediglich die Bedingung erfüllt sein muss, dass das TFT-Array-Substrat eine Vielzahl von Gatezeilen und eine Vielzahl von Datenzeilen aufweist, wobei die ersten Pixeleinheiten und die zweiten Pixeleinheiten durch die Schnittpunkte der Datenzeilen und der Gatezeilen definiert sind.
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2(a) zeigt ein Aufbauschema im Querschnitt entlang der Linie A-A’ in 1, und 2(b) zeigt ein Aufbauschema im Querschnitt entlang der Linie B-B’ in 1. Bezug nehmend auf 1, 2(a) und 2(b) umfasst die erste Pixeleinheit A das Substrat 103, eine in horizontaler Richtung verlaufende Gatezeile 102, in Längsrichtung verlaufende Datenzeilen 101 und ein Gate 104, eine Gate-Isolierschicht 105, eine aktive Schicht 106, eine Source 107, einen Drain 108, Pixelelektroden 109, eine Passivierungsschicht 110 und eine gemeinsame Elektrode 111 auf dem Substrat. Die zweite Pixeleinheit B umfasst das Substrat 103, eine in horizontaler Richtung verlaufende Gatezeile 102, in Längsrichtung verlaufende Datenzeilen 101 und das Gate 104, die Gate-Isolierschicht 105, die aktive Schicht 106, die Source 107, den Drain 108, gemeinsame Elektroden 111, die Passivierungsschicht 110 und die Pixelelektrode 109 auf dem Substrat. Wie in 2(a) gezeigt, ist die Pixelelektrode 109 der ersten Pixeleinheit A mit dem Drain 108 direkt elektrisch verbunden; und die Pixelelektrode 109 der zweiten Pixeleinheit B ist über ein erstes Durchgangsloch 112 in der Passivierungsschicht 110 der zweiten Pixeleinheit B elektrisch mit dem Drain 108 verbunden. Wie aus 2(b) ersichtlich, ist die gemeinsame Elektrode 111 der ersten Pixeleinheit A mit der gemeinsamen Elektrode 111 der zweiten Pixeleinheit B über ein zweites Durchgangsloch 113 in der Passivierungsschicht 110 der zweiten Pixeleinheit B elektrisch verbunden.
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Es sei angemerkt, dass bei der Verbindung über das zweite Durchgangsloch die gemeinsame Elektrode 111 an der unteren Schicht (unterste Schicht) in der zweiten Pixeleinheit B nicht mit einer gemeinsamen Elektrodenleitung durch das zweite Durchgangsloch 113 elektrisch verbunden ist, sondern mit der gemeinsamen Elektrode 111 auf der obersten Schicht in der ersten Pixeleinheit A durch das zweite Durchgangsloch 113 elektrisch verbunden ist, da die gemeinsame Elektrodenleitung, die üblicherweise aus Metall gefertigt ist, einen Teil des Lichtes nicht durchlässt und somit die Transmission am zweiten Durchgangsloch 113 verringert. Wird die gemeinsame Elektrodenleitung am zweiten Durchgangsloch durch die transparenten gemeinsamen Elektroden 111 ersetzt, können alle gemeinsamen Elektroden 111 auf dem TFT-Array-Substrat miteinander und schließlich mit einer gemeinsamen Elektrodenleitung verbunden werden, um dadurch das Öffnungsverhältnis deutlich zu verbessern, wobei die gemeinsame Elektrodenleitung am Rahmenbereich des TFT-Array-Substrates angeordnet ist.
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Ferner befinden sich die gemeinsame Elektrode 111 der ersten Pixeleinheit A auf der obersten Schicht der ersten Pixeleinheit und die Pixelelektrode 109 der zweiten Pixeleinheit B auf der obersten Schicht der zweiten Pixeleinheit, wobei die gemeinsame Elektrode 111 der ersten Pixeleinheit A und die Pixelelektrode 109 der zweiten Pixeleinheit B auf der obersten Schicht dann kammförmige Elektroden sind (d.h. die gemeinsame Elektrode 111 der ersten Pixeleinheit A und die Pixelelektrode 109 der zweiten Pixeleinheit B weisen Schlitze auf); und die Pixelelektrode 109 der ersten Pixeleinheit A und die gemeinsame Elektrode 111 der zweiten Pixeleinheit B sind typischerweise flächige Elektroden (d.h. weder in der Pixelelektrode 109 der ersten Pixeleinheit A noch in der gemeinsamen Elektrode 111 der zweiten Pixeleinheit B sind Schlitze vorgesehen) oder sie können auch kammförmige Elektroden sein, solange die Pixelelektrode 109 der ersten Pixeleinheit A direkt unter den Schlitzen der gemeinsamen Elektrode 111 der ersten Pixeleinheit A und die Pixelelektrode 111 der zweiten Pixeleinheit B direkt unter den Schlitzen der Pixelelektrode 109 der zweiten Pixeleinheit B angeordnet ist. Mit anderen Worten: eine Elektrode auf der untersten Schicht der Pixeleinheit befindet sich direkt unter dem Schlitz einer Elektrode auf der obersten Schicht der Pixeleinheit.
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In dem TFT-Array-Substrat nach der erfindungsgemäßen Ausführungsform können die ersten Pixeleinheiten A und die zweiten Pixeleinheiten B in unterschiedlichen Anordnungsmustern für unterschiedliche Inversionsmuster angeordnet sein.
- 1. Für die Steuerung mit Frameinversion sind die ersten Pixeleinheiten A und die zweiten Pixeleinheiten B im Muster einer 4×4-Matrix angeordnet, wie dies in 3(a) dargestellt ist.
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Beim Anlegen von Datensignalen zur Frameinversion an die Datenzeilen ergibt sich ein Korrespondenzverhältnis zwischen der Polarität einer Betriebsspannung (d.h. der Polarität der nicht-invertierten Spannung) und der Polarität eines elektrischen Feldes einer Pixeleinheit (d.h. der Polarität der invertierten Spannung), wie dies in 3(b), 3(d) und 3(e) dargestellt ist. Die Polarität innerhalb einer Pixeleinheit ist die Polarität eines elektrischen Feldes der Pixeleinheit, und die Polarität außerhalb der Pixeleinheit ist die Polarität einer Betriebsspannung. Hierbei ist zu beachten, dass aufgrund des möglichen Auftretens einer Potentialdrift (eines gleitenden Potentials) an den gemeinsamen Elektroden der Punktinversionseffekt bei diesem Anordnungsmuster der Pixeleinheiten nicht durch eine Frameinversion möglich ist. Wenn beispielsweise bei einem ersten Frame (einem vorausgehenden von zwei aufeinanderfolgenden Frames) und einer Eingangsbetriebsspannung von +5V die Potentialdrift der gemeinsamen Elektroden –1V beträgt, dann sind die elektrischen Felder der jeweiligen Pixeleinheiten wie in 3(c) links gezeigt, und wie ersichtlich ist, sind die elektrischen Felder der jeweiligen benachbarten Pixeleinheiten einander entgegen gesetzt, weisen aber einen einheitlichen Potentialunterschied von 6V auf. Wenn bei einem zweiten Frame (einem nachfolgenden der zwei aufeinanderfolgenden Frames) und einer Eingangsbetriebsspannung von –5V die Potentialdrift der gemeinsamen Elektroden weiterhin –1V beträgt, dann sind die elektrischen Felder der jeweiligen Pixeleinheiten wie in 3(c) rechts gezeigt, wobei die elektrischen Felder der jeweiligen benachbarten Pixeleinheiten einander entgegen gesetzt sind, aber einen einheitlichen Potentialunterschied von 4V aufweisen. Obwohl in den zwei aufeinanderfolgenden Frames ungleiche Spannungsunterschiede vorliegen, sind die elektrischen Felder der benachbarten Pixeleinheiten in jedem Frame einander entgegen gesetzt, was einen Displayeffekt und eine Anzeigequalität verbessert.
- 2. Für die Steuerung mit Reiheninversion sind die ersten Pixeleinheiten A und die zweiten Pixeleinheiten B im Muster einer 4×4-Matrix angeordnet, wie dies in 4(a) dargestellt ist.
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Beim Anlegen von Datensignalen zur Reiheninversion an die Datenzeilen ergibt sich ein Korrespondenzverhältnis zwischen der Polarität einer Betriebsspannung und der Polarität eines elektrischen Feldes einer Pixeleinheit, wie dies in 4(b) veranschaulicht ist. Die Polarität innerhalb einer Pixeleinheit ist die Polarität eines elektrischen Feldes der Pixeleinheit, und die Polarität außerhalb der Pixeleinheit ist die Polarität einer Betriebsspannung. Ähnlich wie im oben beschriebenen Fall der Frameinversion, kann sichergestellt werden, dass die elektrischen Felder der jeweiligen benachbarten Pixeleinheiten einander entgegen gesetzt sind, um dadurch bei dieser Ausführungsform einen Displayeffekt und eine Anzeigequalität zu verbessern.
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Die Zeileninversion entspricht der Reiheninversion, weshalb hier auf eine wiederholte Beschreibung verzichtet wird.
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Ferner sieht die Erfindung eine Ausführungsform vor, bei der es sich um ein TFT-Array-Substrat im IPS-Modus handelt (einfach als TFT-Array-Substrat vom IPS-Typ bezeichnet).
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Beim TFT-Array-Substrat vom IPS-Typ sind die Pixelelektrode und die gemeinsame Elektrode in derselben Schicht angeordnet, und zwar insbesondere wie folgt: in jeder ersten Pixeleinheit sind die gemeinsame Elektrode und die Pixelelektrode in derselben Schicht angeordnet, eine Zweigelektrode der gemeinsamen Elektrode und eine Zweigelektrode der Pixelelektrode sind voneinander isoliert und alternierend angeordnet; und in jeder zweiten Pixeleinheit sind die gemeinsame Elektrode und die Pixelelektrode in derselben Schicht angeordnet, eine Zweigelektrode der gemeinsamen Elektrode und eine Zweigelektrode der Pixelelektrode voneinander isoliert und alternierend angeordnet, wobei jede Pixelelektrode über ein erstes Durchgangsloch in jeder Pixeleinheit elektrisch mit dem Drain verbunden ist. Somit liegen die Pixelelektrode und die gemeinsame Elektrode jeder ersten Pixeleinheit der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode jeder zweiten Pixeleinheit gegenüber, um dadurch sicherzustellen, dass durch die ersten Pixeleinheiten gebildete elektrische Felder in entgegen gesetzter Richtung zu durch die zweiten Pixeleinheiten gebildeten elektrischen Feldern liegen, wenn an den ersten und den zweiten Pixeleinheiten eine Betriebsspannung mit demselben Potential anliegt.
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Ferner sind bei einem TFT-Array-Substrat, das in Form einer Frameinversion inversionsgesteuert ist (d.h. die Polaritäten der an den Datenzeilen anliegenden Betriebsspannung sind innerhalb eines Frames gleich), die ersten Pixeleinheiten und die zweiten Pixeleinheiten sowohl alternierend entlang der Richtung der Datenzeilen als auch alternierend entlang der Richtung der Gatezeilen angeordnet und zwischen den Pixelelektroden der ersten Pixeleinheiten und den gemeinsamen Elektroden der links und rechts neben diesen angeordneten, zweiten Pixeleinheiten Schlitze vorgesehen. An den Datenzeilen in zwei aufeinanderfolgenden Frames anliegende Signale sind jeweils zueinander umgekehrte Signale, und an allen Datenzeilen anliegende Signale sind in jedem Frame gleich.
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Ferner sind bei einem TFT-Array-Substrat, das in Form einer Reiheninversion inversionsgesteuert ist (d.h. die Polarität der an benachbarten Datenzeilen anliegenden Betriebsspannungen ist innerhalb eines Frames entgegen gesetzt), die ersten Pixeleinheiten und die zweiten Pixeleinheiten alternierend entlang der Richtung der Datenzeilen angeordnet, wobei von zwei benachbarten Zeilen in Richtung der Gatezeilen eine jeweils eine Zeile erster Pixeleinheiten und die andere eine Zeile zweiter Pixeleinheiten ist, zwischen den ersten Pixeleinheiten und den benachbarten ersten Pixeleinheiten sowie zwischen den zweiten Pixeleinheiten und den benachbarten zweiten Pixeleinheiten derselben Zeile sind Schlitze vorgesehen. Wenn ein drittes Signal an der n-ten Datenzeile anliegt, dann liegt ein viertes Signal an der (n + 1)-ten Datenzeile an, wobei das dritte Signal ein Umkehrsignal des vierten Signals und n eine positive ganze Zahl ist.
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Ferner sind bei dem TFT-Array-Substrat, das in Form einer Zeileninversion inversionsgesteuert ist (d.h. die Polaritäten der Betriebsspannungen jeder Zeile sind einander entgegen gesetzt), die ersten Pixeleinheiten und die zweiten Pixeleinheiten alternierend entlang der Richtung der Gatezeilen angeordnet, und zwischen den Pixelelektroden der ersten Pixeleinheiten und den gemeinsamen Elektroden der links und rechts neben diesen angeordneten, zweiten Pixeleinheiten sind Schlitze vorgesehen, und bei zwei benachbarten Reihen in Richtung der Datenzeilen handelt es sich jeweils bei der einen um eine Reihe erster Pixeleinheiten und bei der anderen um eine Reihe zweiter Pixeleinheiten. Wenn die m-te Gatezeile abgetastet wird, liegt an allen Datenzeilen ein erstes Signal an, und wenn die (m + 1)-te Gatezeile abgetastet wird, liegt an allen Datenzeilen ein zweites Signal an, wobei das erste Signal ein Umkehrsignal des zweiten Signals und m eine positive ganze Zahl ist.
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5 zeigt insbesondere eine vereinfachte Draufsicht auf eine erste Pixeleinheit A und eine zweite Pixeleinheit B in einem TFT-Array-Substrat vom IPS-Typ nach einem erfindungsgemäßen Beispiel 2. Zweigelektroden jeder Pixelelektrode und Zweigelektroden jeder gemeinsamen Elektrode sind alternierend angeordnet, wobei in jeder ersten Pixeleinheit A drei Zweigelektroden 2091 der Pixelelektrode und zwei Zweigelektroden 2101 der gemeinsamen Elektrode vorliegen, und die zwei Zweigelektroden 2101 der gemeinsamen Elektrode voneinander isoliert und jeweils in Schlitzen zwischen den Zweigelektroden 2091 der Pixelelektrode angeordnet sind; und ein vorgegebener Abstand d zwischen einer Zweigelektrode 2091 einer Pixelelektrode und einer Zweigelektrode 2101 einer dazu benachbarten gemeinsamen Elektrode in jeder Pixeleinheit vorliegt. In jeder zweiten Pixeleinheit B liegen zwei Zweigelektroden 2091 der Pixelelektrode und drei Zweigelektroden 2101 der gemeinsamen Elektrode vor, wobei die zwei Zweigelektroden 2091 der Pixelelektrode voneinander isoliert und jeweils in Schlitzen zwischen den jeweiligen Zweigelektroden 2101 der gemeinsamen Elektrode angeordnet sind. Insbesondere ist jede Pixelelektrode über das erste Durchgangsloch 200 an ihren Endelektroden elektrisch mit dem Drain verbunden, wobei Endelektroden jeder gemeinsamen Elektrode in direktem Kontakt miteinander elektrisch verbunden sind, um jede der gemeinsamen Elektroden zusammenzuschalten. Bei der ersten Pixeleinheit A und der zweiten Pixeleinheit B ist jeweils ein Schlitz d’ zwischen den zwei benachbarten Pixeleinheiten vorgesehen, wobei die Breite des Schlitzes d’ nicht kleiner als der jeweilige Abstand d zwischen einer Zweigelektrode 2091 der Pixelelektrode und einer Zweigelektrode 2101 der gemeinsamen Elektrode in jeder Pixeleinheit ist.
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Zudem können die Elektroden in der ersten Pixeleinheit A und in der zweiten Pixeleinheit B alternativ wie in 6 dargestellt ausgebildet sein. Obwohl 5 ähnlich, besteht ein Unterschied darin, dass in 6 in jeder ersten Pixeleinheit A zwei Zweigelektroden 2091 der Pixelelektrode und drei Elektroden 2101 der gemeinsamen Elektrode und in jeder zweiten Pixeleinheit B drei Zweigelektroden 2091 der Pixelelektrode und zwei Elektroden 2101 der gemeinsamen Elektrode vorliegen. Darüber hinaus sind in der zweiten Pixeleinheit B auch Endelektroden angeordnet, wobei die Endelektroden der zweiten Pixeleinheit B mit den Zweigelektroden der gemeinsamen Elektrode in der zweiten Pixeleinheit und die Endelektroden der zweiten Pixeleinheit B auch mit den Endelektroden der benachbarten ersten Pixeleinheit verbunden sind.
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7 zeigt ein Aufbauschema im Querschnitt entlang der Linie C-C’ in 5, wobei unter Bezugnahme auf 5 und 7 die erste Pixeleinheit A umfasst: das Substrat 203, ein Gate 204, eine Gate-Isolierschicht 205, eine aktive Schicht 206, eine Source 207, einen Drain 208, eine Pixelelektrode 209 und eine gemeinsame Elektrode oberhalb des Substrates. Die zweite Pixeleinheit B umfasst: das Substrat 203, das Gate 204, die Gate-Isolierschicht 205, die aktive Schicht 206, die Source 207, den Drain 208, die gemeinsame Elektrode und die Pixelelektrode 209 über dem Substrat. Insbesondere sind die Pixelelektrode 209 und die gemeinsame Elektrode in jeder Pixeleinheit in derselben Schicht angeordnet. Wie in 7 gezeigt, ist die Pixelelektrode 209 der ersten Pixeleinheit A durch ein erstes Durchgangsloch 200 in einer Passivierungsschicht 210 der ersten Pixeleinheit A elektrisch mit dem Drain 208 verbunden; und die Pixelelektrode 209 der zweiten Pixeleinheit B ist durch das erste Durchgangsloch 200 in der Passivierungsschicht 210 der zweiten Pixeleinheit B elektrisch mit dem Drain 208 verbunden. Ferner liegt zwischen benachbarten Pixeleinheiten ein Schlitz d’ vor.
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In dem TFT-Array-Substrat nach der erfindungsgemäßen Ausführungsform können die ersten Pixeleinheiten A und die zweiten Pixeleinheiten B in unterschiedlichen Anordnungsmustern für unterschiedliche Inversionsmuster angeordnet sein.
- 1. Für die Ansteuerung mit Frameinversion sind die ersten Pixeleinheiten A und die zweiten Pixeleinheiten B im Muster einer 4×4-Matrix angeordnet, wie dies in 3(a) dargestellt ist.
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Beim Anlegen von Datensignalen zur Frameinversion an die Datenzeilen ergibt sich ein Korrespondenzverhältnis zwischen der Polarität einer Betriebsspannung und der Polarität eines elektrischen Feldes einer Pixeleinheit, wie dies in 3(b) veranschaulicht ist. Die Polarität innerhalb einer Pixeleinheit ist die Polarität eines elektrischen Feldes der Pixeleinheit, und die Polarität außerhalb der Pixeleinheit ist die Polarität einer Betriebsspannung. Es sei hier angemerkt, dass im TFT-Array-Substrat vom IPS-Typ, ähnlich dem TFT-Array-Substrat vom FFS-Typ, die elektrischen Felder der benachbarten Pixeleinheiten in jedem Frame einander entgegen gesetzt sind, um dadurch einen Displayeffekt und eine Anzeigequalität zu verbessern.
- 2. Für die Ansteuerung mit Reiheninversion sind die ersten Pixeleinheiten A und die zweiten Pixeleinheiten B im Muster einer 4×4-Matrix angeordnet, wie dies in 4(a) dargestellt ist.
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Beim Anlegen von Datensignalen zur Reiheninversion an die Datenzeilen ergibt sich ein Korrespondenzverhältnis zwischen der Polarität einer Betriebsspannung (d.h. der Polarität der nicht-invertierten Spannung) und der Polarität eines elektrischen Feldes einer Pixeleinheit (d.h. der Polarität der invertierten Spannung), wie dies in 4(b) bis 4(d) dargestellt ist. Die Polarität innerhalb einer Pixeleinheit ist die Polarität eines elektrischen Feldes der Pixeleinheit, und die Polarität außerhalb der Pixeleinheit ist die Polarität einer Betriebsspannung. Ähnlich wie im oben beschriebenen Fall der Frameinversion, sind die elektrischen Felder der benachbarten Pixeleinheiten einander entgegen gesetzt, um dadurch bei dieser Ausführungsform einen Displayeffekt und eine Anzeigequalität zu verbessern.
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Die Zeileninversion ist entsprechend ausgestaltet, weshalb hier auf eine wiederholte Beschreibung verzichtet wird.
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Zusätzlich zu den TFT-Array-Substraten nach den vorhergehenden Ausführungsformen, die oben beschrieben wurden, sehen erfindungsgemäße Ausführungsformen ferner Verfahren zur Herstellung des TFT-Array-Substrats vor, wobei eine Ausführungsform sich hauptsächlich auf ein Verfahren zur Herstellung des TFT-Array-Substrats vom FFS-Typ bezieht, das in einer Ausführungsform gemäß 1, 2(a) und 2(b) beschrieben wurde, während eine andere Ausführungsform kurz auf ein Verfahren zur Herstellung des TFT-Array-Substrats vom IPS-Typ eingeht, das in einer anderen Ausführungsform gemäß 5, 6 und 7 beschrieben wurde. Die Ausführungsformen werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher beschrieben, wobei die Erfindung jedoch nicht auf die die folgenden Ausführungsformen beschränkt ist.
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Die Erfindung sieht ferner eine Ausführungsform gemäß 8 vor, die ein Ablaufdiagramm von Schritten eines Verfahrens nach der erfindungsgemäßen Ausführungsform zur Herstellung eines TFT-Array-Substrates vom FFS-Typ nach einer erfindungsgemäßen Ausführungsform, wie in 1, 2(a) und 2(b) gezeigt, darstellt, wobei das TFT-Array-Substrat die ersten Pixeleinheiten A und die zweiten Pixeleinheiten B umfasst. Da das TFT-Array-Substrat in einem Verfahren hergestellt wird, an dem besondere Betriebsmittel ähnlich dem Stand der Technik beteiligt sind, wird dieses nachfolgend nur kurz beschrieben. Es sei angemerkt, dass 9(a), 10(a) und 11(a) Querschnittsansichten des jeweiligen Schritts entlang der Linie A-A’ in 1 sind und Fig. 9(b), 10(b) und 11(b) Querschnittsansichten des jeweiligen Schritts entlang der Linie B-B’ in 1 zeigen. Insbesondere umfasst das Verfahren folgende Schritte:
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Schritt 301 besteht in der Ausbildung von Pixelelektroden, die ersten Pixeleinheiten entsprechen, und von gemeinsamen Elektroden, die zweiten Pixeleinheiten entsprechen, in einem Strukturierungsverfahren.
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Wie in 9(a) gezeigt, wird ein transparentes, leitfähiges Material auf ein Substrat mit einer darauf ausgebildeten Anordnung von TFTs aufgebracht und dann maskiert, belichtet, geätzt usw., um die Pixelelektroden 109 der ersten Pixeleinheit A und die gemeinsamen Elektroden 111 der zweiten Pixeleinheiten B zu bilden. Teilweise überlagern die Pixelelektroden 109 der ersten Pixeleinheit A die Drains 108, so dass diese Pixelelektroden 109 mit den Drains 108 direkt elektrisch verbunden sind.
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Wie in 9(b) gezeigt, wird ein transparentes, leitfähiges Material aufgebracht und dann maskiert, belichtet, geätzt usw., um die Pixelelektroden 109 der ersten Pixeleinheit A und die gemeinsamen Elektroden 111 der zweiten Pixeleinheiten B zu bilden. Dabei liegen die Pixelelektroden 109 der ersten Pixeleinheit A und die gemeinsamen Elektroden 111 der zweiten Pixeleinheiten B auf beiden Seiten der Datenzeilen 101 vor und sind von den Datenzeilen isoliert.
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Schritt 302 besteht in der Ausbildung einer Passivierungsschicht.
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Wie in 10(a) gezeigt, wird eine Passivierungsschicht 110 über den zuvor ausgebildeten Pixelelektroden und gemeinsamen Elektroden angeordnet und geätzt, um erste Durchgangslöcher 112 in der Passivierungsschicht 110 der zweiten Pixeleinheiten B zu bilden und die Drains 108 in den zweiten Pixeleinheiten B freizulegen.
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Wie in 10(b) gezeigt, wird eine Passivierungsschicht 110 gebildet, und anschließend werden zweite Durchgangslöcher 113 in der Passivierungsschicht 110 der zweiten Pixeleinheiten B gebildet und ein Teil der gemeinsamen Elektroden der zweiten Pixeleinheiten B freigelegt.
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Schritt 303 besteht in der Ausbildung von gemeinsamen Elektroden, die den ersten Pixeleinheiten entsprechen, und von Pixelelektroden, die den zweiten Pixeleinheiten entsprechen, auf der ersten Isolierschicht.
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Wie in 11(a) gezeigt, wird ein transparentes, leitfähiges Material aufgebracht und dann maskiert, belichtet, geätzt usw., um die gemeinsamen Elektroden 111 der ersten Pixeleinheiten A und die Pixelelektroden 109 der zweiten Pixeleinheiten B zu bilden, wobei die Pixelelektroden 109 der zweiten Pixeleinheiten B über die ersten Durchgangslöcher 112 elektrisch mit den Drains 108 verbunden sind.
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Wie in 11(b) gezeigt, werden die gemeinsamen Elektroden 111 der ersten Pixeleinheiten A und die Pixelelektroden 109 der zweiten Pixeleinheiten B durch Abscheidung gebildet, wobei die gemeinsamen Elektroden 111 der ersten Pixeleinheiten A über die zweiten Durchgangslöcher 113 elektrisch mit den Pixelelektroden 109 der zweiten Pixeleinheiten B verbunden sind. Da die zweiten Durchgangslöcher 113 nicht auf einer gemeinsamen Elektrodenleitung (die gemeinsame Elektrodenleitung besteht aus Metall und ist nicht transparent), sondern an den gemeinsamen Elektroden (die gemeinsamen Elektroden sind transparent) liegen, können alle gemeinsamen Elektroden im Rahmenbereich des TFT-Array-Substrats zusammen mit der gemeinsamen Elektrodenleitung verbunden werden, was sowohl die Transmission als auch das Öffnungsverhältnis der Pixeleinheiten verbessert.
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Somit kann der in 2 dargestellte Aufbau im oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung eines TFT-Array-Substrats so hergestellt werden, dass die ersten Pixeleinheiten A und die zweiten Pixeleinheiten B sowohl alternierend entlang der Richtung der Datenzeilen als auch alternierend entlang der Richtung der Gatezeilen angeordnet sind.
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Alternativ dazu kann der in 3 gezeigte Aufbau hergestellt werden, wobei die ersten Pixeleinheiten und die zweiten Pixeleinheiten alternierend entlang der Richtung der Datenzeilen angeordnet sind, und von zwei benachbarten Zeilen in der Richtung der Gatezeilen jeweils eine Zeile erste Pixeleinheiten und die andere Zeile zweite Pixeleinheiten umfasst.
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Ein Array-Substrat, in dem die ersten Pixeleinheiten A und die zweiten Pixeleinheiten B in einem gewünschten Muster angeordnet sind, kann mit dem oben beschriebenen Herstellverfahren hergestellt werden, wobei die zweiten Durchgangslöcher über den gemeinsamen Elektroden der zweiten Pixeleinheiten angeordnet werden, die gemeinsamen Elektroden der ersten Pixeleinheiten A durch die zweiten Durchgangslöcher elektrisch mit den gemeinsamen Elektroden der zweiten Pixeleinheiten verbunden werden, ohne eine gemeinsame Elektrodenleitung in einem Anzeigebereich vorzusehen, wodurch das Problem eines niedrigeren Öffnungsverhältnisses vermieden wird und die Transmission und das Öffnungsverhältnis der Pixeleinheiten verbessert werden.
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Zusätzlich zum vorstehenden Herstellverfahren kann durch die Erfindung ein Öffnungsverhältnis ferner auch durch Anpassen der Reihenfolge der Schritte im Herstellverfahren für eine verbesserte Struktur verbessert werden.
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Wie in 12(a) und 12(b) gezeigt, sind insbesondere folgende Schritte vorgesehen:
Erstens wird eine Passivierungsschicht 1101 auf einer bereits hergestellten Anordnung von TFTs ausgebildet und an den Stellen für die Pixelelektroden 109 der ersten Pixeleinheiten A und die gemeinsamen Elektroden 111 der zweiten Pixeleinheiten B geätzt, während gleichzeitig die ersten Durchgangslöcher 1121 in den zweiten Pixeleinheiten B gebildet werden.
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Zweitens wird ein transparentes, leitfähiges Material aufgebracht, um die Pixelelektroden 109 der ersten Pixeleinheiten A und die gemeinsamen Elektroden 111 der zweiten Pixeleinheiten B, wie im zweiten Schritt, der in 12(a) gezeigt ist, zu bilden. Zudem wird auch eine gemeinsame Elektrodenbrücke 114 über den gemeinsamen Elektroden 111 der zweiten Pixeleinheiten B und den Datenzeilen 101 angeordnet, um direkt elektrisch mit den gemeinsamen Elektroden 111 der zweiten Pixeleinheiten B verbunden und von den Datenzeilen 101 durch die erste Passivierungsschicht 1101 isoliert zu werden, wie dies in 12(b) gezeigt ist, wobei die gemeinsame Elektrodenbrücke 114 ebenfalls aus einem transparenten, leitfähigen Material besteht.
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Drittens wird eine zweite Passivierungsschicht 1102 gebildet, und die dritten Durchgangslöcher 1122 werden an den Stellen der ersten Durchgangslöcher 1121, wie im dritten Schritt gemäß 12(a), gebildet. Zudem werden die zweiten Durchgangslöcher 113 über der im zweiten Schritt gebildeten, gemeinsamen Elektrodenbrücke 114 angeordnet, und die Vorsprünge der zweiten Durchgangslöcher 113 auf dem Substrat 103 sind vorzugsweise von den Vorsprüngen der Datenzeilen 101 auf dem Substrat 103 eingeschlossen.
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Viertens wird ein transparentes, leitfähiges Material aufgebracht, um die gemeinsamen Elektroden 111 der ersten Pixeleinheiten A und die Pixelelektroden 109 der zweiten Pixeleinheiten B zu bilden. Zudem sind die gemeinsamen Elektroden 111 der ersten Pixeleinheiten A durch die zweiten Durchgangslöcher 113 und die gemeinsame Elektrodenbrücke 114 direkt elektrisch mit den Pixelelektroden 109 der zweiten Pixeleinheiten B verbunden.
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Somit ergibt sich eine Querschnittsansicht des TFT-Array-Substrats im vierten Schritt, wie in 12(b) gezeigt, und wie aus der Figur hervorgeht, sind die zweiten Durchgangslöcher 113 in diesem Beispiel über den Datenzeilen angeordnet, und nicht wie die zweiten Durchgangslöcher 113 im vorhergehenden Beispiel über den gemeinsamen Elektroden der zweiten Pixeleinheiten B angeordnet, und da eine Schwarzmatrix über den Datenzeilen angeordnet werden muss, ist es nicht erforderlich, auch noch eine Schwarzmatrix für die zweiten Durchgangslöcher 113 vorzusehen, weshalb es ausreicht, eine einzige Schwarzmatrix für die zweiten Durchgangslöcher 113 und die Datenzeilen 101 vorzusehen. Daher lässt sich mit diesem Beispiel das Öffnungsverhältnis gegenüber Schritt 301 bis Schritt 303 noch weiter verbessern.
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Erfindungsgemäß ist ferner eine Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung eines TFT-Substrats vom IPS-Typ vorgesehen, und da die Schritte eines Verfahrens zur Herstellung eines TFT-Substrats vom IPS-Typ den Schritten des Verfahrens zur Herstellung eines TFT-Substrats vom FFS-Typ entsprechen und die ersten Pixeleinheiten und die zweiten Pixeleinheiten in den beiden Array-Substraten nach demselben Prinzip angeordnet sind, wird hier auf eine wiederholte Beschreibung der Gemeinsamkeiten mit der vorhergehenden Ausführungsform verzichtet. Ein Unterschied zwischen den zwei Ausführungsformen besteht darin, dass bei der Herstellung des TFT-Substrats vom IPS-Typ die Pixelelektroden und die gemeinsamen Elektroden der ersten Pixeleinheiten gleichzeitig mit den Pixelelektroden und den gemeinsamen Elektroden der zweiten Pixeleinheiten hergestellt werden (d.h. die Pixelelektroden und die gemeinsamen Elektroden der ersten Pixeleinheiten, und die Pixelelektroden und die gemeinsamen Elektroden der zweiten Pixeleinheiten werden in ein und demselben Schritt gebildet).
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Darüber hinaus sieht eine erfindungsgemäße Ausführungsform, wie in 13 gezeigt, ferner eine Anzeigevorrichtung 401 vor, die ein TFT-Array-Substrat 402 aufweist, wobei das TFT-Array-Substrat 402 ein beliebiges der TFT-Array-Substrate nach den obigen erfindungsgemäßen Ausführungsformen sein kann.
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Zwar wurden hier die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung beschrieben, aber der Fachmann, der sich den zugrundeliegenden Erfindungsgedanken zunutze macht, kann zusätzliche Modifikationen und Variationen dieser Ausführungsformen vornehmen. Daher sollen die beigefügten Ansprüche so ausgelegt werden, dass sie die bevorzugten Ausführungsformen und alle Modifikationen und Variationen, die unter den Umfang der Erfindung fallen, umfassen.
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Es versteht sich, dass der Fachmann verschiedene Modifikationen und Variationen der Erfindung vornehmen kann, ohne vom Gedanken und Umfang der Erfindung abzuweichen. Die Erfindung soll daher auch diese Modifikationen und Variationen umfassen, sofern sie unter den Umfang der dieser Erfindung beigefügten Ansprüche und ihrer Entsprechungen fallen.
