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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zum kontaktlosen Inspizieren von
einer auf einem flächigen Träger ausgebildeten
Leiterbahnstruktur.
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Im
Bereich der Fertigung von Flüssigkristallanzeigen
(LCD, Liquid Crystal Display) ist für einen effektiven und wirtschaftlichen
Fertigungsprozess eine Inspektion von elektrischen TFT-Elektroden (Thin
Film Transistor-Elektroden) auf einem Glassubstrat erforderlich,
um ggf. vorhandene Defekte zu erkennen.
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Aus
der
US 5,504,438 ist
eine Vorrichtung zum Überprüfen von
Leiterbahnstrukturen bekannt, welche als "Array Checker" für
Flüssigkristallanzeigen
bezeichnet werden. Das zugrunde liegende physikalische Prinzip basiert
auf der Sichtbarmachung von elektrischen Feldern, welche durch Anlegen
von Spannungen an TFT-Elektroden entstehen. Zu diesem Zweck weist
die Vorrichtung eine elektro-optische Platte auf, welche eine elektrisch
nicht leitende, optisch reflektierende Unterseite und eine Flüssigkristallschicht
aufweist. Beim Anlegen eines elektrischen Feldes zwischen der elektro-optischen
Platte und den TFT-Elektroden richten sich die Flüssigkristalle
derart aus, dass die Flüssigkristallschicht
transparent wird. Im Falle einer fehlenden Kontaktierung einer TFT-Elektrode
erfolgt keine Ausrichtung der Flüssigkristalle
in dem Bereich unmittelbar oberhalb der betreffenden TFT-Elektrode
und die Flüssigkristallschicht
bleibt an dieser Stelle dunkel. Somit kann bei einer geeigneten
oberseitigen Beleuchtung durch eine flächige oberseitige Aufnahme
der gesamten elektro-optischen Platte mittels einer oder mehrerer Kameras
ein Fehler in der die TFT-Elektroden kontaktierenden Leiterbahnstruktur
sichtbar gemacht und durch eine geeignete Bildverarbeitung angezeigt werden.
Die Verwendung einer elektro-optischen Konver terplatte hat jedoch
den Nachteil, dass die elektro-optische Konversion eine starke Nichtlinearität aufweist,
so dass nur sehr schwierig zwischen schlecht kontaktierten und gar
nicht kontaktierten TFT-Elektroden unterschieden werden kann.
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Aus
der
US 5,974,869 ist
ein Inspektionsverfahren für
Wafer bekannt, wobei mit einer Metallspitze die Oberfläche von
Wafern kontaktlos abgetastet wird. Dabei wird die Potentialdifferenz
zwischen Metallspitze und Wafer-Oberfläche gemessen, wobei, zu dieser
Potentialdifferenz auch die Austrittsarbeit der Elektronen aus unterschiedlichen
Materialen beträgt.
Dadurch können
außer
unterschiedlichen Materialien auch chemische Veränderungen wie beispielsweise
eine Korrosion oder geometrische Veränderungen einer Oberfläche wie
beispielsweise eine Grabenstruktur erfasst werden. Das Inspektionsverfahren
hat jedoch den Nachteil, dass die zu untersuchende Oberfläche relativ
zu der Metallspitze rotiert werden muss, so dass das Inspektionsverfahren
für Leiterbahnstrukturen,
die auf flächigen
Trägern
ausgebildet sind, nicht geeignet ist.
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Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Inspektionsverfahren anzugeben,
mit dem Leiterbahnstrukturen auf ebenen Substraten auf einfache Weise
inspiziert werden können.
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Diese
Aufgabe wird gelöst
durch ein Verfahren zur kontaktlosen Inspektion von einer auf einem flächigen Träger ausgebildeten
Leiterbahnstruktur mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs 1.
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Gemäß der Erfindung
wird mittels einer Positioniereinrichtung eine Elektrode relativ
zu der Leiterbahnstruktur in einem vorbestimmten Abstand positioniert
und zwischen der Elektrode und der Leiterbahnstruktur wird eine
elektrische Spannung angelegt, welche eine Gleichspannung, eine
Wechselspannung oder eine von einem Gleichspannung überlagerte
Wechselspannung sein kann. Die Elektrode wird relativ zu dem Träger durch
eine entsprechende Ansteuerung der Positioniereinrichtung in einer
Ebene parallel zu dem Träger
bewegt, wobei zumindest an ausgewählten Positionen ein Stromfluss durch
eine mit der Elektrode verbundene elektrische Leitung gemessen wird.
Aus der Stärke
des Stromflusses wird der lokale Spannungszustand der Leiterbahnstruktur
in dem Teilbereich detektiert. Der Teilbereich der Leiterbahnstruktur
wird dabei durch den Verlauf der elektrischen Feldlinien bestimmt,
welche sich zwischen der Elektrode und der Leiterbahnstruktur erstrecken.
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Der
Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass die Verteilung und
der Verlauf der elektrischen Feldlinien zwischen der Elektrode und
dem betreffenden Teilbereich der Leiterbahnstruktur von dem lokalen
Spannungszustand abhängen.
Der Verlauf der elektrischen Feldlinien bestimmt dabei die elektrische
Kapazität
zwischen der Elektrode und dem Teilbereich der Leiterbahnstruktur.
Mit einer Variation der Feldlinienverteilung ändert sich somit auch die Kapazität zwischen
Elektrode und dem Teilbereich der Leiterbahnstruktur, so dass sich
der Stromfluss I zwischen der Elektrode und der Leiterbahnstruktur
aus folgender Gleichung (1) ergibt: I = (UAC + UDC)
dC/dt + C dUAC/dt (1)
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Dabei
ist UAC eine Wechselspannung und UDC eine Gleichspannung, die zwischen Elektrode und
Leiterbahnstruktur anliegen. C ist die Kapazität zwischen Elektrode und Leiterbahnstruktur.
Der Ausdruck d/dt bezeichnet die zeitliche Ableitung der Größen C bzw. UAC.
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Es
wird darauf hingewiesen, dass für
die Realisierung der Erfindung lediglich eine relative Positionierung
zwischen Leiterbahn und Elektrode erforderlich ist. Dies bedeutet,
dass entweder die Elektrode, der Träger oder auch Elektrode und
Träger
mittels zumindest einer Positioniereinrichtung bewegt werden können.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
hat den Vorteil, dass der lokale Spannungszustand der Leiterbahnstruktur
im Vergleich zu bekannten Inspektionsverfahren mit einer einfachen
und vergleichsweise billigen Erfassungselektronik gemessen werden kann.
Damit kann das kontaktlose Inspektionsverfahren mit einer Vorrichtung
durchgeführt
werden, welche elektrische und mechanische Komponenten enthält, die
von vielen verschiedenen Herstellern angeboten werden und deshalb
vergleichsweise gleich günstig
erworben werden können.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
hat den weiteren Vorteil, dass ein optischer Konverter zur Sichtbarmachung
von Spannungszuständen
nicht erforderlich ist. Die direkte Erfassung der Spannungszustände kann
bei Verwendung einer entsprechenden linearen Erfassungselektronik
mit einem im Vergleich zu optischen Konvertern weitgehend linearen Kennlinie
erfolgen.
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Gemäß Anspruch
2 wird der lokale Spannungszustand des Teilbereichs zur Bestimmung
der Qualität
der Leiterbahnstruktur verwendet. Unter dem Begriff Qualität der Leiterbahnstruktur
sind in diesem Zusammenhang insbesondere die flächigen geometrischen Abmessungen
der Leiterbahnstruktur zu verstehen. Dazu zählen insbesondere Defekte wie Kurzschlüsse, Einschnürungen oder
Leitungsbrüche. Derartige
Defekte ändern
auf jeden Fall die örtliche Spannungsverteilung
und können
somit zuverlässig erkannt
werden.
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Die
Qualität
der Leiterbahnstruktur wird jedoch auch durch dielektrische Einflüsse bestimmt, welche
die Kapazität
zwischen der Elektrode und der Leiterbahnstruktur beeinflussen.
Dies geschieht beispielsweise durch chemische Veränderungen
der Leiterbahnstruktur oder durch unerwünschte dielektrische Ablagerungen
auf der Leiterbahnstruktur.
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Gemäß Anspruch
3 werden zumindest ausgewählte
Zielpunkte der Leiterbahnstruktur mehrfach abgetastet, wobei jeweils
unter schiedliche Spannungen zwischen Elektrode und der Leiterbahnstruktur angelegt
werden. Die unterschiedlichen Spannungen können ebenso wie die ursprünglich angelegten Spannungen
eine Gleichspannung, eine Wechselspannung oder eine von einem Gleichspannung überlagerte
Wechselspannung sein. Auf diese Weise werden sequentiell Bilder
von unterschiedlichen Spannungszuständen von einzelnen Teilbereichen der
Leiterbahnstruktur aufgenommen. Diese Bilder, welche bevorzugt eine
gesamte Ansteuermatrix einer späteren
Flüssigkristallanzeige
darstellen, erlauben eine zuverlässige
Aussage über
die elektrische Ansteuerbarkeit von einzelnen LCD-Pixeln der inspizierten
Leiterbahnstruktur.
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Gemäß Anspruch
4 ist der Träger
ein Glassubstrat. Damit eignet sich das Inspektionsverfahren in
besonderer Weise für
den Herstellungsprozess von Flüssigkristallanzeigen.
Die Inspektion der späteren
Flüssigkristallanzeigen
kann bereits zu einem frühen
Zeitpunkt durchgeführt
werden, an dem auf dem Glassubstrat lediglich die Steuerleitungen
für die
späteren
TFT-Elektroden aufgebracht sind. Defekte in sämtlichen Steuerleitungen können zuverlässig erkannt
werden, so dass Glassubstrate mit einer defekten Leiterbahnstruktur
frühzeitig
aus dem weiteren Herstellungsprozess aussortiert oder ggf. auch repariert
werden können.
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Gemäß Anspruch
5 ist die Leiterbahnstruktur eine elektrische Ansteuermatrix für Pixel
eines Bildschirms, insbesondere einer Flüssigkristallanzeige. Das Verfahren
eignet sich jedoch auch zur Inspektion eines Plasmabildschirms oder
von beliebigen anderen Bildschirmen, bei denen elektrische Felder
in der Umgebung von Pixelelektroden zu einem Aufleuchten eines entsprechenden
Bildpunktes beitragen.
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Gemäß Anspruch
6 weist die Elektrode eine Elektrodenspitze auf, so dass die Leiterbahnstruktur auf
vorteilhafte Weise mit einer hohen räumlichen Auflösung abgetastet
werden kann.
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Gemäß Anspruch
7 wird die Leiterbahnstruktur durch eine rasterförmige Bewegung der Elektrode abgetastet.
Dies hat den Vorteil, dass eine matrixförmige Anordnung von Leiterbahnstrukturen
im Rahmen eines standardisierten Abtastvorganges zügig vermessen
werden kann. Die Relativbewegung zwischen Elektrode und Träger erfolgt
bevorzugt kontinuierlich. Die Relativbewegung kann jedoch genauso gut
in Form einer schrittweisen Bewegung erfolgen.
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Gemäß Anspruch
8 wird die Leiterbahnstruktur gleichzeitig durch eine Mehrzahl von
nebeneinander angeordneten Elektroden abgetastet. Durch eine derartige
zeilenförmige
bzw. kammartige Anordnung von mehreren Elektroden kann bei einer
entsprechenden Anzahl an Messeinrichtungen zur Detektion des Stromflusses über jede
einzelne der Elektroden eine parallele Datenaufnahme erreicht und
somit insgesamt eine deutlich höhere
Abtastgeschwindigkeit realisiert werden.
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Gemäß Anspruch
9 wird zwischen der Elektrode und der Leiterbahnstruktur eine amplitudenmodulierte
Spannung angelegt. Dies ermöglicht
eine besonders empfindliche Inspektion, so dass nahezu alle Defekte
einer Leiterbahnstruktur zuverlässig
erkannt werden können.
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Gemäß Anspruch
10 wird der Stromfluss zwischen der Elektrode und einem Teilbereich
der Leiterbahnstruktur über
einen bandpass-gefilterten Verstärker
gemessen. Somit können
auf vorteilhafte Weise unerwünschte
Störsignale
effektiv unterdrückt und
somit die Empfindlichkeit des Inspektionsverfahrens weiter erhöht werden.
Der Einsatz einer amplitudenmodulierten Spannung in Verbindung mit
der Verwendung eines bandpass-gefilterten Verstärkers entspricht im Wesentlichen
der Anwendung von Lock-In-Technik, so dass zur Durchführung des
Verfahrens auf herkömmliche
Lock-In-Verstärker
zurückgegriffen
werden kann. Unter dem Begriff bandpass-gefilterter Verstärker wird
in diesem Zusammenhang jede Art von elektronischer Verstärkerschaltung
verstanden, welche einen vorgege benen und gewollten frequenzabhängigen Verstärkungsfaktor
aufweist. Dazu zählen
auch so genannte Kantenfilter, bei der lediglich Frequenzen oberhalb
oder unterhalb einer bestimmten Grenzfrequenz verstärkt werden.
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Gemäß Anspruch
11 wird die Leiterbahnstruktur mit einer weiteren Leiterbahnstruktur kontaktiert,
wobei die Leiterbahnstruktur und die weitere Leiterbahnstruktur
an gegenüberliegenden
Seiten des Trägers
ausgebildet sind. Dies hat den Vorteil, dass der Spannungszustand,
der aus Sicht der Elektrode ersten Leiterbahnstruktur auch durch
den Spannungszustand der auf der gegenüberliegenden Seite des Trägers, d.
h. der aus Sicht der Elektrode zweiten Leiterbahnstruktur beeinflusst
wird. Somit kann mit einer Inspektion der ersten Leiterbahnstruktur
gleichzeitig auch die Geometrie der zweiten Leiterbahnstruktur erfasst
werden.
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Weitere
Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus
der folgenden beispielhaften Beschreibung derzeit bevorzugter Ausführungsformen.
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In
der Zeichnung zeigen in schematischen Darstellungen
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1 die
elektrische Kontaktierung zwischen Elektrode und Leiterbahnstruktur,
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2a und 2b eine Änderung
des Feldlinienverlaufs zwischen Elektrode und Leiterbahnstruktur
durch einen Leiterbahndefekt in Form einer Einschnürung,
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3a und 3b eine Änderung
des Feldlinienverlaufs zwischen Elektrode und Leiterbahnstruktur
durch einen Leiterbahndefekt in Form einer Unterbrechung, und
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4 eine
gleichzeitige Abtastung einer Mehrzahl von Leiterbahnen mittels
einer zeilenförmigen
Anordnung von mehreren Elektroden.
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An
dieser Stelle bleibt anzumerken, dass sich in der Zeichnung die
Bezugszeichen einander entsprechender Komponenten lediglich in ihrer
ersten Ziffer unterscheiden. Um unnötige Wiederholungen zu vermeiden
werden bei der Beschreibung der 2a, 2b, 3a, 3b und 4 gleiche bzw.
entsprechende Komponenten, die bereits in 1 dargestellt
sind, nicht erneut im Detail erläutert.
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Wie
aus 1 ersichtlich, erfolgt die Vermessung einer auf
einem Glassubstrat 110 ausgebildeten Leiterbahnstruktur 120 durch
ein kontaktloses Abtasten der Leiterbahnstruktur mittels einer Elektrode 130.
Die Elektrode 130 weist eine Elektrodenspitze 131 auf,
welche in einem genau definierten Abstand parallel zu der Oberfläche des
Glassubstrates 110 bewegt wird. Die Bewegung erfolgt mittels
einer Positioniereinrichtung 135, welche einen nicht explizit
dargestellten luftgelagerten Positioniertisch aufweist. Alternativ
kann das Glassubstrat 110 auch mittels einer Positioniereinrichtung
relativ zu einer feststehenden Elektrode 130 bewegt werden.
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Zwischen
der Elektrode 130 und der Leiterbahnstruktur 120 wird
eine Potentialdifferenz angelegt. Die Potentialdifferenz wird durch
eine Spannungsquelle 150 erzeugt, deren einer Pol über eine Leitung 161 mit
der Leiterbahnstruktur 120 verbunden ist. Der andere Pol
der Spannungsquelle 150 ist über eine Leitung 160 mit
der Elektrode 130 verbunden. Mittels einer Strom-Messeinrichtung 155 kann der
durch die Leitung 161 fließende Strom präzise erfasst
werden.
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Die
Spannungsquelle 150 erzeugt bevorzugt eine Spannung U,
welche eine Oberlagerung von einer Gleichspannung UDC mit
einer Wechselspannung UAC ist. Abhängig von
der jeweiligen Phasenlage der Wechselspannung UAC ergibt
sich zwischen der Elektrode 130 und der Leiterbahnstruktur 120 ein
bestimmter Verlauf von elektrischen Feldlinien 133. Der Verlauf
der Feldlinien 133 hängt
unter anderem von dem aktuellen Spannungszustand der Leiterbahnstruktur 120 ab.
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Die
Spannung U kann jedoch auch eine reine Wechselspannung UAC oder eine reine Gleichspannung UDC sein. Bei einer relati ven Bewegung zwischen
Elektrode 130 und einer strukturierten Leiterbahnstruktur 120 ergibt
sich stets eine zeitliche Variation des Feldlinienverlaufs und damit
auch eine zeitliche Variation der Kapazität zwischen Elektrode 130 und
Leiterbahnstruktur 120. Dies führt gemäß Gleichung (1) zu einem Stromfluss
I durch die Leitung 160, welcher von der Strom-Messeinrichtung 155 erfasst
wird.
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Da
der Verlauf der Feldlinien 133 zu dem auch durch den Spannungszustand
einer ggf. auf der Unterseite des Glassubstrats 110 ausgebildeten
unteren Leiterbahnstruktur 125 abhängt, ist der negative Pol der
Spannungsquelle 150 über
eine Leitung 162 mit der unteren Leiterbahnstruktur 125 verbunden.
Somit kann mit einer einzigen Messung gleichzeitig auch der Spannungszustand
der unteren Leiterbahnstruktur 125 mit erfasst werden.
Das Substrat 110 muss somit für eine Inspektion von auf beiden Seiten
ausgebildeten Leiterbahnen 120 und 125 nur von
einer Seite kontaktlos abgetastet werden.
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2a und 2b zeigen
eine Veränderung
des Verlaufs der Feldlinien 233b gegenüber den Feldlinien 233,
sobald die Elektrodenspitze 231 oberhalb einer defekten
Leiterbahnstruktur 220b positioniert ist, wobei die defekte
Leiterbahnstruktur 220b eine unerwünschte Einschnürung 221b aufweist.
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Wie
bereits zuvor erläutert,
führt ein
geänderter
Verlauf der elektrischen Feldlinien 233b zu einem im Vergleich
zu dem in 2a dargestellten Zustand geänderten
Stromfluss, der von der Strom-Messeinrichtung 255 detektiert
werden kann. Da der Feldlinienverlauf und damit auch die Kapazität zwischen
Elektrode 230 von der Geometrie der Leiterbahnstruktur 220 bzw. 220b abhängt, kann
auf diese Weise der in der Einschnürung 221b bestehende Defekt
der Leiterbahnstruktur 220b erkannt werden.
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3a und 3b zeigen
die Veränderung des
Verlaufs der Feldlinien 333b gegenüber dem Verlauf der Feldlinien 333, wenn
sich die Elektrodenspitze 331 oberhalb eines Defekts in
der Leiterbahnstruktur 320b befindet, welcher Defekt in
einer unerwünschten
Unterbrechung 321b der Leiterbahnstruktur 320b besteht.
Auch der durch die Unterbrechung 321b verursachte aufgeweitete
Verlauf der Feldlinien 333b führt im Vergleich zu dem in 3a dargestellten
Zustand zu einer Änderung
des Stromflusses I.
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Die
Variation des Stromflusses I ist durch die oben erläuterte Gleichung
(1) bestimmt, gemäß der sich
die Kapazität
zwischen der Elektrode 230 und der Leiterbahnstruktur 220b bzw.
zwischen der Elektrode 330 und der Leiterbahnstruktur 320b durch
die Defekte 221b bzw. 321b verändert.
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4 zeigt
eine parallele Inspektion einer Mehrzahl von insgesamt 7 Leiterbahnstrukturen 420, die
in nicht dargestellter Weise mit jeweils einer Steuerleitung verbunden
sind und abhängig
von der Qualität
der jeweiligen Steuerleitung bzw. der jeweiligen Leiterbahnstruktur
in einem bestimmten Spannungszustand versetzt sind. Das Abtasten
erfolgt durch eine Mehrzahl von 7 parallel angeordneten Elektroden 430,
die entsprechend der Beabstandung der Leiterbahnstrukturen 420 in
einem äquidistanten
eindimensionalen Raster angeordnet sind. Die Elektroden 430 sind über eine
gemeinsame Positioniereinrichtung 435 relativ zu dem Glassubstrat 410 verschiebbar,
auf welchem die Leiterbahnstrukturen 420 ausgebildet sind.
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Die
Elektroden 430 sind über
eine mehrkanalige Leitung 460 mit einer nicht dargestellten
Mehrzahl von Spannungsquellen verbunden. Die Anzahl der Kanäle und die
Anzahl der Spannungsquellen stimmen mit der Anzahl der Elektroden 430 überein. Jeweils
eine Spannungsquelle ist ferner in nicht dargestellter Weise mit
einer der Leiterbahnstrukturen 420 verbunden.
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Die
jeweiligen Ströme
zwischen den Leiterbahnstrukturen 420 und den Elektroden 430 werden von
einem mehrkanaligen Lock- In-Verstärker 455a erfasst,
welcher in der mehrkanaligen Leitung 460 angeordnet ist.
Der Lock-In-Verstärker 455a ist
mit einer Anzeigeeinrichtung 455b gekoppelt. Der Lock-In-Verstärker 455a wird
dabei derart eingestellt, dass lediglich diejenigen Strombestandteile
erfasst werden, welche mit der gleichen Frequenz wie der Wechselspannungsanteil
der nicht dargestellten Stromquelle variieren. Auf diese Weise können unerwünschte Störsignale
effektiv unterdrückt
werden.
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Das
beschriebene Verfahren zur kontaktlosen Inspektion von auf einem
flächigen
Träger
ausgebildeten Leiterbahnstrukturen eignet sich auf besonders vorteilhafte
Weise für
die Inspektion der Leiterbahnstrukturen von Flüssigkristallanzeigen. Wesentlich
für die
Funktion eines in einem aufwendigen Herstellungsprozess hergestellten
Monitors ist die Funktion der einzelnen Pixel, die über jeweils
einen Dünnschicht-Transistor (TFT)
ansteuerbar sein müssen.
Um bei der Herstellung von LCD's
Fehler möglichst
früh zu
erkennen, kann bereits die Matrix aus Dünnschicht-Transistoren auf
ihre Funktion geprüft werden.
Dazu legt man an die Steuerleitung in geeigneter Weise Spannungen
an und verändert
somit den Feldlinienverlauf und die Kapazität zwischen der Elektrode und
den Dünnschicht-Transistoren.
Durch die Messung des Stromflusses I durch eine mit der Elektrode
verbundenen Leitungkönnen
somit die für die
Matrix aus Dünnschicht-Transistoren
erforderlichen Ansteuerleitungen bereits in einer frühen Herstellungsphase
inspiziert werden. Da der Ausschuss bei der Herstellung von Flüssigkristallanzeigen üblicherweise
dadurch verursacht wird, dass die Matrix aus Dünnschicht-Transistoren eine
oberhalb einer bestimmten Spezifikation liegenden Anzahl von Pixelfehlern
aufweist, kann bei der LCD-Herstellung durch das oben beschriebene
Inspektionsverfahren die Ausschussquote an fertigen Displays reduziert werden,
so dass die Herstellungskosten erheblich sinken.
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Es
wird darauf hingewiesen, dass bei einer sehr frühzeitigen Erkennung von fehlerhaften
Leiterbahnstrukturen Defekte ggf. auch repariert werden können, so
dass infolge einer besonders niedrigen Ausschussrate die Herstellkosten
von LCD's weiter gesenkt
werden können.
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Es
wird ferner darauf hingewiesen, dass außer der Vermessung der lokalen
Spannungszustände
im Bereich der zukünftigen
TFT-Pixel durch
eine geeignete Variation der Spannung auch die Strom-Spannungs-Charakteristik
der Dünnschicht-Transistoren
geprüft
und somit nicht nur defekte, d. h. entweder statisch dunkle oder
statisch helle Pixel erkannt, sondern auch solche Pixelfehler erkannt
werden, bei denen die Helligkeit der Pixel nicht in vorgegebener
Weise mit einer an den Dünnschicht-Transistor
angelegten Spannung korreliert ist.
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- 110
- Glassubstrat
- 120
- obere
Leiterbahnstruktur
- 125
- untere
Leiterbahnstruktur
- 130
- Elektrode
- 131
- Elektrodenspitze
- 133
- Feldlinien
- 135
- Positioniereinrichtung
- 150
- Spannungsquelle
- 155
- Strommesseinrichtung
- 160
- Leitung
- 161
- Leitung
- 162
- Leitung
- 210
- Glassubstrat
- 220
- Leiterbahnstruktur
- 220b
- Leiterbahnstruktur
- 221b
- Einschnürung
- 230
- Elektrode
- 231
- Elektrodenspitze
- 233
- Feldlinien
- 233b
- Feldlinien
(eingeschnürt)
- 235
- Positioniereinrichtung
- 250
- Spannungsquelle
- 255
- Strommesseinrichtung
- 260
- Leitung
- 261
- Leitung
- 262
- Leitung
- 310
- Glassubstrat
- 320
- Leiterbahnstruktur
- 320b
- Leiterbahnstruktur
- 321b
- Einschnürung
- 330
- Elektrode
- 331
- Elektrodenspitze
- 333
- Feldlinien
- 333b
- Feldlinien
(aufgeweitet)
- 335
- Positioniereinrichtung
- 350
- Spannungsquelle
- 355
- Strommesseinrichtung
- 360
- Leitung
- 361
- Leitung
- 362
- Leitung
- 410
- Glassubstrat
- 420
- Leiterbahnstruktur
- 430
- Elektroden
- 435
- Positioniereinrichtung
- 455a
- Lock-In-Verstärker
- 455b
- Anzeigeeinrichtung
- 460
- Leitung