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Die
Erfindung betrifft ein Testverfahren zum Bestimmen der Verdrahtung
eines Schaltungsträgers mit
mindestens einem darauf angeordneten Bauelement, wobei Anschlüsse des
Bauelements mit Anschlüssen
des Schaltungsträgers
verdrahtet sind. Ferner betrifft die Erfindung ein Speichermodultestsystem
zur Durchführung
des Verfahrens an Speichermodulen mit darauf angeordneten Speicherbausteinen.
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Elektronische
Bauelemente oder integrierte Schaltungen, wie zum Beispiel Speicherbausteine, sind
in der Regel auf Schaltungsträgern,
wie zum Beispiel Platinen oder Modulen untergebracht, welche dann
flexibel beispielsweise in PCs eingesetzt werden können und über standardisierte
Anschlüsse verfügen.
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In
der
DE 100 05 161
A1 ist ein Verfahren beschrieben, wie die elektrischen
Verbindungen zwischen Lötaugen
auf einer Leiterplatte und Anschlüssen einer darauf montierten
Halbleiterspeicheranordnung beurteilt werden können. Dazu ist eine Steuerschaltung
vorgesehen, die über
Verbindungsteile, beispielsweise Lötaugen, der entsprechenden
Halbleiterschaltungsanordnung Eingabemuster zuführt und Ausgabemuster von der
Halbleiterschaltungsanordnung empfängt. Gemäß der
DE 100 05 161 A1 wird beispielsweise
einem Flash-Speicher ein Eingabemuster zugeführt und ein Ausgabemuster an
einen Speichercontroller ausgegeben, der daraus die elektrischen
Verbindungen des Flash-Speichers mit der Leiterplatte bewertet.
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Um
Testmodi für
SDRAM-Speicher zu implementieren, wurde eine SCITT-Technologie (Static Component
Interconnect Test Technology) entwickelt, bei der XOR- und XNOR-Gatter
eingesetzt werden, die komplexe Schaltungseigenschaften der Speicher
in einem Testmodus überbrücken. Dies
ist bispielsweise in A.
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Biewenga
et al. „Static
Component Interconnect Test Technology (SCITT) – a new technology for assembly
testing" in IEEE
International Test Conference 1999, Seiten 439–448 beschrieben. Auch in der
US 6,345,372 B1 sind
Verfahren beschrieben, wie die Verbindungen zwischen Speichermodulen mit
Speicherbausteinen und in weiteren Schaltungsanordnungen vorgehaltenen
Adress-, Steuer- und Datenbussen überprüft werden können. Dazu werden bestimmte
Bit-Testmuster generiert, die Adress- und Datenbusverbindungen prüfen.
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Insbesondere
sind Speichermodule mit Speicherbausteinen bekannt. Bevor jedoch
Speichermodule ausgeliefert werden, muss die Funktionalität der eingesetzten
Bauelemente bzw. Speicherchips durch Tests während der Fertigung überprüft werden.
Bei solchen Speichertests werden Adress- und Datensequenzen von
einem Speichertester eingeschrieben und ausgelesen, wodurch Fehler
innerhalb der Bausteine erkannt werden können. Beispielsweise werden
elektrische Kopplungen zwischen Daten oder Wortleitungen durch Einschreiben entsprechender
Datenmuster und anschließendes Auslesen
durch den Speichertester erkannt.
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Die 1 zeigt beispielhaft einen
Speicherbaustein 1, welcher ein Speicherzellenfeld 2 mit Wort-
und Bitleitungen 3, 4 aufweist. Die Bitleitungen oder
Datenleitungen 4 werden durch Zellfeldverstärker 5 getrieben.
In der 1 sind beispielhaft
vier Bitleitungen 4-1, 4-2, 4-3, 4-4 dargestellt,
welche an Anschlüsse 6-1, 6-2, 6-3, 6-4 des
Speicherbausteins geführt
sind. Diese Bitleitungen bzw. Datenleitungen dienen der Ein- und
Ausgabe von Daten. Die Schreib-/Lesezugriffe auf einen derartigen
Speicherchip werden durch weitere Steuersignale, die an weitere
Anschlüsse 7, 8, 9 des
Speicherchips 1 eingekoppelt werden, gesteuert. Bei der
Herstellung der Speicherchips 1 ist die Zuordnung der Datenleitungen 4 an
die Datenanschlüsse
des Speicherchips 6-1, 6-2, 6-3, 6-4 bekannt.
Dies ist erforderlich, um bestimmte Testmuster in das Speicherzellenfeld
einzuschreiben.
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Beispielsweise
ist in der
DE 102
03 570 A1 ein Verfahren zur Überprüfung elektrischer Verbindungen
zwischen einem Speichermodul und einem darauf angeordneten Halbleiterspeicherbaustein
beschrieben. Die
DE
102 58 199 A1 erläutert
ebenfalls ein Verfahren zum Testen von Speicherbauelementen auf
Speichermodulen.
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Die 2 zeigt beispielhaft ein
Speichermodul 10 mit vier Speicherchips 11, 12, 13, 14 die
jeweils Datenanschlüsse 15, 16, 17, 18 aufweisen,
welche mit Datenanschlüssen 19, 20, 21, 22 des
Speichermoduls 10 verdrahtet sind. Häufig ist die genaue Verdrahtung
unbekannt, was durch die Blöcke 23, 24, 25,
welche eine unbekannte Vertauschung bzw. ein unbekanntes Scrambling
der Verdrahtung bewirkt, dargestellt ist. Um bestimmte Prüfmuster
für das
Testen der auf dem Speichermodul 10 eingesetzten Speicherbausteine 11, 12, 13, 14 in
die entsprechenden Speicherzellenfelder einzuschreiben, ist allerdings
die genaue Kenntnis der Verdrahtung zwischen den Datenanschlüssen der
Speicherbausteine 11, 12, 13, 14 mit
den Datenanschlüssen 19, 20, 21, 22 des
Moduls 10 notwendig. Ist beispielsweise die Dokumentation über diese
Verdrahtung fehlerhaft oder gänzlich
unbekannt, können
benachbarte Daten- bzw.
Bitleitungen nicht gezielt angesteuert werden, was für Tests,
die Kopplungen zwischen Speicherzellen prüfen, notwendig ist.
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Für den Betrieb
des Speichermoduls ist die genaue Kenntnis der Position der Datenleitungen
in den jeweiligen Speicherchips 11, 12, 13, 14 nicht
notwendig, da für
das Speichern und Auslesen die Position der Speicherzellen keine
Rolle spielt. Um die Funktionalität des Speichermoduls 10 zu
testen und damit auch beispielsweise Kopplungen zwischen Datenleitungen
in den eingesetzten Speicherchips 11, 12, 13, 14 zu
prüfen,
müssen
die internen Datenleitungen der Speicherchips 11, 12, 13, 14 jedoch
gezielt ansteuerbar sein, d.h. die Verdrahtung zwischen den Speicherbausteinanschlüssen 15, 16, 17, 18 und den
Modulanschlüssen 19, 20, 21, 22 muss
bekannt sein. Denn nur dann sind entsprechende Prüfmuster für die Speicherzellenfelder
anlegbar.
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Es
ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Testverfahren
zu schaffen zum Bestimmen der Verdrahtung von Schaltungsträgern mit
darauf angeordneten Bauelementen, welches insbesondere geeignet
ist, Datenanschlüsse
von Speichermodulen entsprechenden internen Datenleitungen von auf
dem Speichermodul angeordneten Speicherbausteinen zuzuordnen.
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Diese
Aufgabe wird durch ein Testverfahren gemäß dem Anspruch 1 gelöst. Ferner
schafft die Erfindung ein Speichermodultestsystem mit den Merkmalen
des Patentanspruchs 10.
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Demgemäß ist ein
Testverfahren zum Bestimmen einer Verdrahtung eines Schaltungsträgers mit
mindestens einem darauf angeordneten Bauelement vorgesehen, wobei
interne Leitungen des Bauelementes in einer vorgegebenen Reihenfolge
an Bauelementeanschlüsse
verbunden sind, und wobei die Bauelementeanschlüsse mit Anschlüssen des Schaltungsträgers verdrahtet
sind. Es weist die folgenden Verfahrensschritte auf:
- (a) Anlegen jeweils eines vorgegebenen Testsignals an jede interne
Leitung des Bauelementes mittels eines in dem Bauelement integrierten
steuerbaren Testsignalgenerators;
- (b) Abgreifen von an den Anschlüssen des Schaltungsträgers anliegenden
Ausgangssignalen; und
- (c) Identifizieren der jeweils abgegriffenen Ausgangssignale
mit den entsprechenden an den internen Leitungen des Bauelementes
angelegten Testsignalen mittels einer externen Testvorrichtung zum
Bestimmen der Verdrahtung zwischen den Bauelementanschlüssen und
Schaltungsträgeranschlüssen.
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Die
erfinderische Grundidee besteht im Wesentlichen darin, bausteinintern
durch einen Testsignalgenerator über
die internen Leitungen des Bauelementes Signale an die Anschlüsse des
Bauelementes zu liefern, welche über
die Verdrahtung des Bauelementes mit dem Schaltungsträger bzw.
den Schaltungsträgeranschlüssen an
eine externe Testvorrichtung geführt
wird. Diese wertet unter Ausnutzung der bekannten Vorgaben für die intern
generierten Testsignale die entsprechenden Ausgangssignale an den Bauelementeanschlüssen aus
und identifiziert so zu jedem Schaltungsträgeranschluss einen entsprechenden
Bauelementeanschluss bzw. somit die internen Leitungen des Bauelements,
welche beispielsweise Datenleitungen sein können.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform
des Testverfahrens ist jedem Bauelementeanschluss ein vorbestimmter
Testsignalpegel zugeordnet, und jedem an einem Schaltungsträgeranschluss
abgegriffenen Signalpegel eines Ausgangssignals, welches gleich
dem Testsignalpegel ist, wird ein entsprechender Bauelementeanschluss
zugeordnet. Der Vorteil bei einer Anzahl von Testsignalpegeln, die
identisch mit der Anzahl der zu bestimmenden Verdrahtungen ist,
besteht darin, dass nur ein Verfahrensdurchlauf notwendig ist, um
den Schaltungsträgeranschlüssen ihre
Bauelementeanschlüsse
zuzuordnen.
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In
einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens
weist das Bauelement erste und zweite interne Leitungen auf, die
an erste und zweite Anschlüsse
des Bauelementes in einer vorgegebenen Reihenfolge verbunden sind.
Ferner wird der interne Testsignalgenerator zum Anlegen von internen
Testsignalen an die ersten internen Leitungen mittels der zweiten
internen Leitungen angesteuert. Die ersten und zweiten Anschlüsse des
Bauelementes sind mit ersten und zweiten Anschlüssen des Schaltungsträgers verdrahtet.
Dabei sind die folgenden Verfahrensschritte vorgesehen:
- (i) Aktivieren des Testsignalgenerators über an die zweiten Anschlüsse des
Schaltungsträgers
angelegte Steuersignale;
- (ii) Anlegen eines jeweiligen vorgegebenen internen Testsignals
an jede der ersten internen Leitungen;
- (iii) Abgreifen der entsprechenden Ausgangssignale an den ersten
Anschlüssen
des Schaltungsträgers;
und
- (iv) Bestimmen der Verdrahtung zwischen den ersten Bauelementeanschlüssen und
den ersten Schaltungsträgeranschlüssen durch
Identifizieren der abgegriffenen Ausgangssignale mit den entsprechenden
an die ersten internen Leitungen angelegten Testsignale.
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Vorteilhafterweise
ist das Bauelement ein Speicherbaustein und der Schaltungsträger ein
Speichermodul. Dann sind beispielsweise die ersten internen Leitungen
einer Wortleitung zugeordnete Daten- oder Bitleitungen. Eine externe
Speichertestvorrichtung ist bevorzugt über Speichermodulanschlüsse an das
Speichermodul gekoppelt und greift die Ausgangssignale ab, wertet
diese aus und steuert den internen Testsignalgenerator.
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In
einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Testverfahrens werden durch
das Anlegen der internen Testsignale vorgegebene Testdaten in den Speicherbaustein
eingeschrieben, der Testsignalgenerator wird vor dem Abgreifen der
Ausgangssignale deaktiviert, und durch das Abgreifen der Ausgangssignale
durch die Speichertestvorrichtung werden die eingelesenen Testdaten
ausgelesen. Dabei bestimmt die Speichertestvorrichtung durch Vergleichen
der ausgelesenen Daten mit den vorgegebenen Testdaten die Verdrahtung.
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Da
häufig
bereits Testsignalgeneratoren in Speicherbausteinen vorgesehen sind,
um den Baustein selbst auf seine Funktionalität zu prüfen, bietet sich diese Weiterbildung
besonders an, auch die Verdrahtung des Speicherbausteins mit dem
Speichermodul zu bestimmen. Die erfindungsgemäße Kombination der internen
Testmuster- bzw. Testdatengenerierung durch den Testsignalgenerator
und das Auslesen der Daten durch eine externe Speichertestvorrichtung
ermöglicht
eine einfache Zuordnung der Speichermodulanschlüsse an die internen Daten- oder Bitleitungen
des Bausteins.
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In
einer Variante des Testverfahrens werden die Verfahrensschritte
mit unterschiedlichen Testdaten zyklisch wiederholt, wobei in jedem
Testzyklus jeweils an eine der internen Datenleitungen ein erster logischer
Pegel angelegt wird, und an die übrigen
internen Datenleitungen ein zweiter logischer Pegel angelegt wird.
So wird jeder internen Datenleitung jeweils ein externer Speichermodulanschluss
zugeordnet. Beispielsweise kann nacheinander an jede Datenleitung,
d.h. pro Testzyklus, jeweils ein logischer High-Pegel angelegt werden,
was dem Einschreiben eines Bits entspricht und anschließend über die
externe Speichertestvorrichtung ausgelesen werden. So wird pro Testzyklus
jeweils eine Verdrahtung zwischen einer internen Datenleitung und
einem externen Speichermodulanschluss erkannt.
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In
einer bevorzugten Weiterbildung ist der Testsignalgenerator ein
ACTM-Testmustergenerator, welcher über die zweiten internen Leitungen
programmierbar ist. ACTM-Testmustergeneratoren
werden bereits zum Speicherbausteintest in DDR1- oder DDR2-Speicherbausteinen
eingesetzt und können vorteilhaft über Adress-
und Steuerleitungen programmiert werden. Erfindungsgemäß werden
diese Testmustergeneratoren zusätzlich
verwendet, um die Verdrahtung der Speichermodule festzustellen.
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Die
Erfindung schafft ferner ein Testsystem für Speichermodule mit:
- (a) einem Speichermodul mit externen Speichermodulanschlüssen;
- (b) mindestens einem auf dem Speichermodul angeordneten Speicherbaustein
mit Speicherbausteindatenanschlüssen
und Speicherbausteinsteueranschlüssen,
an denen in einer vorgegebenen Reihenfolge interne Datenleitungen
und interne Steuerleitungen des Speicherbausteins verbunden sind,
wobei der Speicherbaustein einen integrierten steuerbaren Testsignalgenerator
aufweist, der an die internen Speicherbausteindatenleitungen zum
Anlegen von Testsignalen verbunden ist, und an die internen Steuerleitungen
zum Entgegennehmen und Ausgeben von Steuersignalen verbunden ist,
wobei die Speicherbausteindatenanschlüsse mit Moduldatenanschlüssen und
die Speicherbausteinsteueranschlüsse
mit Modulsteueranschlüssen
verdrahtet sind; und mit
- (c) einer externen Speichertestvorrichtung, welche an die Modulanschlüsse gekoppelt
ist, zum Anlegen von Steuersignalen an die Modulsteueranschlüsse und
zum Abgreifen von Ausgangssignalen an den Moduldatenanschlüssen; wobei
- (d) in einer ersten Testphase die externe Speichertestvorrichtung
Steuersignale zum Aktivieren des Testsignalgenerators an die Modulsteueranschlüsse koppelt;
- (e) in einer zweiten Testphase der interne Testsignalgenerator
zum Einschreiben von Testdaten in den Speicherbaustein vorgegebene
Testsignale an die Speicherbausteindatenleitungen koppelt und dann
die externe Speichertestvorrichtung Steuersignale zum Deaktivieren
des Testsignalgenerators an die Modulsteueranschlüsse koppelt;
und wobei
- (f) in einer dritten Testphase die Speichertestvorrichtung über die
Modulsteueranschlüsse
und Moduldatenanschlüsse
die eingeschriebenen Testdaten als Ausgangssignale an den Moduldatenanschlüssen ausliest
und durch Vergleich der ausgelese nen Daten mit den vorgegebenen
durch den Testsignalgenerator eingeschriebenen Daten die Verdrahtung
zwischen den Speicherbausteinanschlüssen und den Moduldatenanschlüssen ermittelt.
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Dabei
sind die Testdaten vorteilhafterweise durch Programmieren des Testsignalgenerators
bereits bei der Produktion des Speicherbausteins festgelegt bzw.
vorgegeben und der externen Testvorrichtung bekannt. Dies hat den
Vorteil, das standardisierte Testdaten, beispielsweise jeweils ein
gesetztes Bit für
eine der Datenleitungen und ansonsten nicht gesetzte Bits eine schnelle
Auswertung der Ausgangssignale ermöglichen. Ferner ist von Vorteil, dass
der Speicherbaustein über
seine Steueranschlüsse,
welche beispielsweise Adress- und Steuersignale entgegennehmen,
in einen bestimmten Testmodus schaltbar ist, indem der Testmustergenerator Steuersignale
erzeugt. Die erfindungsgemäße Idee, über den
bereits vorhandenen Testmustergenerator in dem Speicherchip Daten
in die Speicherzellen des Bausteins einzuschreiben, aber anschließend in
einem Leseschritt bzw. der dritten Testphase diese Daten extern
durch die Speichertestvorrichtung auszulesen, ermöglicht somit
schnelles und einfaches Identifizieren der Moduldatenanschlüsse mit
den Speicherbausteindatenanschlüssen.
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Anschließend kann
vorteilhafterweise unter Berücksichtigung
der ermittelten Verdrahtung ein Speichertest des Speicherzellenfeldes
des Speicherbausteins durchgeführt
werden. Dazu ist wie bereits eingangs erwähnt, auch die physikalische
Anordnung der Datenleitungen zu berücksichtigen. Die Erfindung
liefert jedoch genau diese Zuordnung und ermöglicht das gezielte Ansteuern
von beispielsweise benachbarten Bit- bzw. Datenleitungen in dem
Speicherchip.
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Weitere
Ausgestaltungen und Vorteile der Erfindung sind im folgenden unter
Bezugnahme auf die Figuren und das Ausführungsbeispiel erläutert. Dabei
zeigt die
-
1 einen
Speicherchip nach dem Stand der Technik;
-
2 ein
Speichermodul nach dem Stand der Technik;
-
3 ein
Blockschaltbild eines erfindungsgemäßen Speichermodultestsystems;
und
-
4 ein
Ablaufdiagramm des erfindungsgemäßen Testverfahrens.
-
In
den Figuren sind, soweit nichts anderes angegeben ist, gleiche oder
funktionsgleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen worden.
-
In
der 3 ist ein Testsystem bzw. Speichermodultestsystem 100 dargestellt.
Dabei weist ein Schaltungsträger
bzw. Speichermodul 101, erste Anschlüsse 102, 103, 104 und
zweite Anschlüsse 105, 106, 107 auf.
Die ersten Anschlüsse 102, 103, 104 sind
hier Speichermoduldatenanschlüsse
und die zweiten Anschlüsse 105, 106, 107 sind
Speichermodulsteueranschlüsse.
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Auf
dem Speichermodul 101 ist ein Bauelement bzw. Speicherbaustein 108 vorgesehen
mit ersten Bauelementeanschlüssen
bzw. Speicherbausteindatenanschlüssen 109, 110, 111 und
zweiten Bausteinanschlüssen
bzw. Speicherbausteinsteueranschlüssen 112, 113, 114.
Die Speicherbausteinanschlüsse 109–114 sind
mit Speichermodulanschlüssen 102–107 verdrahtet.
Insbesondere die Verdrahtung der Speichermoduldatenanschlüsse 102, 103, 104 mit
den Speicherbausteindatenanschlüssen 109, 110, 111 ist
aufgrund mangelnder Dokumentation des Speichermoduls 101 häufig unbekannt.
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Der
Speicherbaustein 108 weist ein Speicherzellenfeld 115 auf,
an das interne Steuer- und Adressleitungen 116, 117, 118 und
interne Datenleitungen 119, 120, 121 geführt sind.
Die internen Datenleitungen 119, 120, 121 entsprechen
dabei Bitleitungen und die internen Steuer- und Adressleitungen 116, 117, 118,
beispielsweise auch Wortleitungen. Das Speicherzel lenfeld 115 weist
ferner hier nicht dargestellte Dekodiereinrichtungen und Zellfeldverstärker zum
Ansteuern einzelner Speicherzellen auf, wie sie nach dem Stand der
Technik bekannt sind.
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Der
Speicherbaustein weist einen steuerbaren Testsignalgenerator 122 auf,
der an die internen Datenleitungen 119, 120, 121 und
die internen Steuerleitungen 116, 117, 118 gekoppelt
ist.
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An
das Speichermodul 101 ist eine Speichertestvorrichtung 123 gekoppelt,
die zur Durchführung des
erfindungsgemäßen Testverfahrens
an ersten Ausgängen 124, 125, 126 Steuersignale
S1, S2, S3 liefert zum Einkoppeln an die Modulsteueranschlüsse 105, 106, 107.
An Eingangsanschlüssen 127, 128, 129 liest
die Speichertestvorrichtung 123 Daten D1, D2, D3 aus dem
Speichermodul 101 bzw. dem Speicherzellenfeld 115 des
Speicherbausteins 108 aus. Die Anschlüsse 124–129 der
Speichertestvorrichtung 123 sind prinzipiell bidirektional
ausgelegt.
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Die
Funktionsweise und Durchführung
des Verfahrens zum Bestimmen der Verdrahtung der Speicherbausteindatenanschlüsse mit
den Moduldatenanschlüssen
wird im folgenden unter Bezugnahme auf die 4 erläutert.
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Zunächst wird
das Speichermodul 101 mit dem Speichertester bzw. der Speichertestvorrichtung 123 über Leitungen
miteinander gekoppelt (Schritt A1). Über bestimmte Steuer- bzw.
Programmiersequenzen aktiviert die Speichertestvorrichtung 123 mittels
Steuersignalen S1, S2, S3 in der ersten Testphase A2 den Testsignalgenerator 122.
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In
der zweiten Testphase A3 schreibt der interne Testsignalgenerator 122 vorgegebene
Testdaten E1, E2, E3 in das Speicherzellenfeld 115 des Speicherbausteins 108.
Dies geschieht, indem der Testsignalgenerator 122 Adress-
und Steuersignale an die internen Adress- und Steuerleitungen 116, 117, 118 des Speicherbausteins 108 und
entsprechende Testsignale E1, E2, E3 an die Datenleitungen 119, 120, 121 liefert.
Beispielsweise kann durch Anlegen eines ersten logischen Pegels
bzw. High-Pegels an die dritte Datenleitung 121 und zweite
logische Pegel bzw. Low-Pegel Testsignale erzeugt werden, die einem
Muster E1=0, E2=0, E3=1 entsprechen und in Speicherzellen des Speicherzellenfeldes 115 entsprechend
abgespeichert werden. Das Testmuster ist beispielsweise zu Beginn
des Testbetriebes in den Testsignalgenerator 122 programmiert worden,
oder auch bereits bei Fertigung des Speicherbausteins 108 festgelegt.
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Im
Schritt A4 deaktiviert die Speichertestvorrichtung 122 über entsprechende
Steuersignale S1, S2, S3 wieder den Testsignalgenerator 122.
Die eingeschriebenen Daten- bzw. Testdaten E1, E2, E3 verbleiben
im Speicherzellenfeld 115 des Speicherbausteins 108.
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In
einer dritten Testphase A5 liest nun der Speichertester 123 über an den
Speicherbaustein 108 eingekoppelte Adress- bzw. Steuersignale
S1, S2, S3 die eingeschriebenen Testdaten regulär aus. Dabei ist der Speichertestvorrichtung 123 bekannt, welches
Testmuster, in diesem Fall E1=0, E2=0, E3=1 an die internen Bausteindatenleitungen 119, 120, 121 eingeschrieben
wurde. Falls durch die Verdrahtung der Speichermoduldatenanschlüsse 102, 103, 104 mit
den Speicherbausteinanschlüssen 109, 110, 111 vertauscht
wurden, wird dies nun durch die Speichertestvorrichtung 123 erkannt.
In dem hier gewählten
Beispiel ist die zweite und dritte Datenleitung 120, 121 des
Speicherbausteins 108 durch die Verdrahtung vertauscht
an die Moduldatenanschlüsse 103, 104 geführt. Die
Speichertestvorrichtung 123 liest also ein Ausgangsdatenmuster
D1=0, D2=1, D3=0 aus. Somit ist durch Einschreiben eines gesetzten
Bits an die durch die dritte interne Bitleitung 121 bestimmte
Speicherzelle im Speicherzellenfeld 115 und anschließendes Auslesen
durch die Speichertestvorrichtung 123 erkannt worden, dass
nicht der dritte Speichermoduldatenan schluss 104 die dritte
interne Datenleitung 121 ansteuert, sondern der zweite
Speichermodulanschluss 103 an die dritte interne Datenleitung 121 geführt ist.
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In
einem weiteren Testzyklus wird wiederholt der Testsignalgenerator 122 aktiviert,
welcher nun ein Testmuster, wie beispielsweise E1=0, E2=1, E3=0
in das Speicherzellenfeld einschreibt, anschließend deaktiviert wird, und
dann die Speichertestvorrichtung 123 ein Datenmuster D1=0,
D2=0, D3=1 ausliest. Dieser Zyklus A2–A5 wird solange wiederholt,
bis allen Moduldatenanschlüssen 102, 103, 104 der
jeweilige Speicherbausteindatenanschluss 109, 110, 111 bzw.
die jeweilige interne Datenleitung 119, 120, 121 zugeordnet
werden kann. Somit wird im Schritt A6 die vollständige Verdrahtung zwischen
Moduldatenanschlüssen 102, 103, 104 und
Speicherbausteindatenanschlüssen 109, 110, 111 erkannt und
bestimmt.
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Unter
Berücksichtigung
der korrekten Verdrahtung kann in einer vierten Testphase A7 der Speichertester
bzw. die Speichertestvorrichtung 123 einen Speichertest
des Speicherzellenfeldes 115 korrekt durchführen. Insbesondere
ist es durch die Bestimmung der Verdrahtung möglich, auch beispielsweise
benachbarte Speicherzellen, welche einer Wortleitung zugeordnet
sind, gezielt anzusteuern und in Speichertests beispielsweise auf
Kopplungen zu prüfen.
Das erfindungsgemäß getrennte
Einschreiben von Testmusterdaten durch den internen Testsignalgenerator 122 und
separates Auslesen der eingeschriebenen Daten durch die Speichertestvorrichtung 123 ermöglicht also
zuverlässiges
Testen von Speichermodulen 101, auch bei unzureichender Dokumentation
oder unbekannter Verdrahtung. Dies ist insbesondere möglich, da
die Testsignalfolge bzw. die einzuschreibenden Testmuster entweder
durch die Speichertestvorrichtung 123 selbst in den Testsignalgenerator 122 programmiert
werden kann oder aber bereits bei der Fertigung festgelegt standardisiert
und festgelegt ist.
-
- 1
- Speicherbaustein
- 2
- Speicherzellenfeld
- 3
- Wortleitung
- 4
- Bitleitung
- 4-1,
4-2,
-
- 4-3,
4-4
- Verdrahtung
- 5
- Zellfeldverstärker
- 6
- Anschlusspin
- 6-1,
6-2,
-
- 6-3,
6-4
- Daten-
bzw. Bitleitungsanschluss
- 7,
8, 9
- Anschlüsse
- 10
- Speichermodul
- 11,
12, 13, 14
- Speicherchip
- 15,
16, 17, 18
- Speicherchipanschlüsse
- 19,
20, 21, 22
- Speichermodulanschlüsse
- 23,
24, 25
- unbekannte
Verdrahtung bzw. Vertauschung
- 100
- Speichertestsystem
- 101
- Speichermodul
- 102,
103, 104
- Speichermoduldatenanschluss
- 105,
106, 107
- Speichermodulsteueranschluss
- 108
- Speicherbaustein
- 109,
110, 111
- Speicherbausteindatenanschluss
- 112,
113, 114
- Speicherbausteinsteueranschluss
- 115
- Speicherzellenfeld
- 116,
117, 118
- interne
Speicherbausteinsteuerleitung
- 119,
120, 121
- interne
Speicherbausteindatenleitung
- 122
- Testsignalgenerator
- 123
- externe
Speichertestvorrichtung
- 124–129
- Speichertestvorrichtungsanschlüsse
- S1,
S2, S3
- Steuersignal
- E1,
E2, E3
- Testdatensignal
- D1,
D2, D3
- Ausgangssignal
- A1–A7
- Verfahrensschritte
bzw. Phasen