DE102004006028A1

DE102004006028A1 - Halbleitervorrichtung mit Grabenkondensatoren und Verfahren zum Herstellen der Grabenkondensatoren

Info

Publication number: DE102004006028A1
Application number: DE102004006028A
Authority: DE
Inventors: Shigehiko Saida; Kiyotaka Miyano; Takashi Nakao
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2003-02-07
Filing date: 2004-02-06
Publication date: 2004-08-26
Anticipated expiration: 2024-02-07
Also published as: DE102004006028B4; US20050006686A1; US20060141701A1; JP2004241687A

Abstract

Es ist eine Halbleitervorrichtung mit einem Grabenkondensator offenbart. Der Graben ist auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats ausgebildet. Ein erster Isolierfilm ist an der Seitenwand des Grabens ausgebildet und ein Halbleiterfilm ist im Graben vergraben. Der erste Isolierfilm und der im oberen Teil des Grabens angeordnete Halbleiterfilm werden geätzt und ein zweiter Isolierfilm wird an der freigelegten Seitenwand abgelagert. Der Halbleiterfilm und der erste Isolierfilm werden geätzt und eine Plattenelektrode wird an der freigelegten Seitenwand ausgebildet. Ein Kondensator-Isolierfilm wird an der Plattenelektrode ausgebildet und eine Speicherelektrode wird innerhalb des Grabens vergraben. Die Struktur stellt eine Halbleitervorrichtung mit weniger Speicherzellendefekten zur Verfügung.

Description

Diese Anmeldung basiert auf und beansprucht den Vorteil der Priorität aus der früheren japanischen Patentanmeldung Nr. P2003-030795, eingereicht am 7. Februar 2003; von welcher der gesamte Inhalt hierin durch Bezugnahme enthalten ist.

1. Gebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit Grabenkondensatoren und ein Verfahren zum Herstellen der Grabenkondensatoren.

2. Beschreibung des zugehörigen Standes der Technik

In letzter Zeit sind Halbleitervorrichtungen als Speichervorrichtung für eine Informationsverarbeitungsvorrichtung entwickelt worden. Da die Halbleitervorrichtung keine mechanisch angetriebenen Komponenten bzw. Bauteile hat, hat die Halbleitervorrichtung eine hohe Immunität gegen mechanische Stöße und eine Zugriffsfähigkeit hoher Geschwindigkeit. Solche Halbleitervorrichtungen enthalten Speicherzellen. Die Speicherzellen sind durch jüngste Entwicklungen auf dem Gebiet der Halbleitertechnologie kleiner gemacht worden, und zwar insbesondere durch die Schrumpfungs-Entwicklungsregel. Das Schrumpfen der Speicherzellen ist erforderlich geworden, um hochintegrierte Halbleitervorrichtungen hoher Dichte zu schaffen. Durch Verwenden der feinen Verarbeitung bezüglich der besonderen Größe der Zellen sind Probleme verursacht worden, die zu Speicher-Speicherungseigenschaften der Speicherzellen gehören.

In einem dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) der Halbleitervorrichtung enthalten die Speicherzellen einen MOS(Metalloxidhalbleiter-)Transistor und einen Speicherkondensator, der in Reihe zum MOS-Transistor geschaltet ist. In einem DRAM hat das Schrumpfen der Speicherzellen die Neigung, den Bereich zu reduzieren, und eine erniedrigte Kapazität des Kondensators. Es hat eine Möglichkeit gegeben, dass die erniedrigte Kapazität Probleme erzeugt, bei welchen in den Speicherzellen gespeicherte Daten fehlerhaft gelesen werden, und ein Softwarefehler kann auftreten, der dann veranlasst wird, wenn die in den Speicherzellen gespeicherten Daten durch Alphastrahlen beschädigt werden.

Zum Lösen der obigen Probleme ist es wichtig, die Kapazität des Kondensators selbst bei einem Schrumpfen der Speicherzelle nicht zu reduzieren. Um die Speicherkapazität des Kondensators nicht zu reduzieren, ist ein Graben, in welchem ein Kondensator ausgebildet ist, tiefer geätzt worden, um den Bereich des Kondensators zu erhöhen. Jedoch ist es bei der gegenwärtigen Herstellungstechnologie schwierig geworden, den Graben tiefer zu ätzen. Darüber hinaus ist die Dicke des Isolierfilms des Kondensators dünner gemacht worden, um die erforderliche Speicherkapazität beizubehalten. Jedoch ist es bei der gegenwärtigen Herstellungstechnologie auch schwierig geworden, die Dicke des Isolierfilms dünner zu machen. Es sind zwei Ansätze vorgeschlagen worden, wodurch die Speicherkapazität nicht reduziert wird: ein erster Ansatz, durch welchen ein Graben als Flaschentypgraben ausgebildet wird; und ein zweiter Ansatz, durch welchen eine Plattenelektrode durch Dotieren unter einer Dampfphasendiffusion ausgebildet wird. Jedoch hat es Fälle gegeben, in welchen andere Speichercharakteristiken der Speicherzellen durch Verwenden der obigen Verfahren verschlechtert werden.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält eine Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung. Die Halbleitervorrichtung enthält ein Halbleitersubstrat mit einem ersten Leitfähigkeitstyp und mit einer Seitenwand und einer Bodenfläche, die von der Seitenwand umgeben ist, eine Plattenelektrode mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp, der unterschiedlich vom ersten Leitfähigkeitstyp ist, wobei die Plattenelektrode von der Bodenfläche zur Seitenwand im Halbleitersubstrat vorgesehen ist, einen Kondensator-Isolierfilm, der an der Bodenfläche und der Seitenwand vorgesehen ist, einen Kragen-Oxidfilm, der an der Seitenwand vorgesehen ist, wobei ein ringförmiges unteres Ende des Kragen-Oxidfilms in Kontakt mit dem Kondensator-Isolierfilm ist und der Kragen-Oxidfilm in Kontakt mit der Plattenelektrode ist, eine Speicherelektrode, die an der Plattenelektrode und dem Kondensator-Isolierfilm vorgesehen ist, wobei eine Höhe einer oberen Oberfläche der Speicherelektrode höher als eine Höhe eines oberen Endes des Kragen-Oxidfilms ist, eine Kondensator-Extraktionselektrode, die am oberen Ende des Kragen-Oxidfilms und an der oberen Oberfläche der Speicherelektrode vorgesehen ist, wobei die Kondensator-Extraktionselektrode elektrisch an die Speicherelektrode angeschlossen ist und in Kontakt mit einem oberen Teil der Seitenwand ist, und einen vergrabenen Brückenbereich, der innerhalb des Halbleitersubstrats einschließlich des oberen Teils der Seitenwand vorgesehen ist, wobei der vergrabene Brückenbereich in Kontakt mit dem Kragen-Oxidfilm ist und elektrisch an die Kondensator-Extraktionselektrode angeschlossen ist, wobei der vergrabene Brückenbereich den zweiten Leitfähigkeitstyp hat.

Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält ein Verfahren zum Herstellen eines Grabenkondensators gemäß Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung. Das Verfahren zum Herstellen eines Grabenkondensators enthält ein Ausbilden eines Grabens auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats mit einem ersten Leitfähigkeitstyp, ein Ausbilden eines ersten Isolierfilms an einer Seitenwand des Grabens, ein Ablagern eines Halbleiterfilms im Graben auf dem ersten Isolierfilm, ein Ätzen des ersten Isolierfilms und des in einem oberen Teil des Kragens angeordneten Halbleiterfilms, ein Ablagern eines zweiten Isolierfilms an einer freigelegten Seitenwand des Grabens, ein Ätzen des Halbleiterfilms, ein Ätzen des ersten Isolierfilms, ein Ausbilden einer Plattenelektrode eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der unterschiedlich vom ersten Leitfähigkeitstyp ist, an der freigelegten Seitenwand des Kragens durch ein Dampfphasen-Diffusionsverfahren, ein Ausbilden eines Kondensator-Isolierfilms an der Plattenelektrode und ein Vergraben einer Speicherelektrode im Kondensator-Isolierfilm und im zweiten Isolierfilm innerhalb des Grabens.

1 ist ein Querschnitt einer Halbleitervorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel;
2A–2T sind Querschnitte zum Erklären von Schritten zum Ausführen eines Verfahrens zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel;
3 ist eine Kurve, die eine Beziehung zwischen einer Ätzrate von Silizium-Germanium und einem Molteil von Germanium darstellt;
4 ist eine Kurve, die eine Beziehung zwischen einer Kapazität eines Grabenkondensators und einer Spannung einer Speicherelektrode in der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel darstellt;
5 ist ein Querschnitt einer Halbleitervorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel; und
6A–6C sind Querschnitte zum Erklären von Schritten zum Ausführen eines Verfahrens zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Verschiedene Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Es ist zu beachten, dass dieselben oder ähnliche Bezugszeichen auf dieselben oder ähnliche Teile und Elemente in den gesamten Zeichnungen angewendet werden und die Beschreibung derselben oder von ähnlichen Teilen und Elementen weggelassen oder vereinfacht sein wird.
(Verschlechterung bezüglich Datenhaltecharakteristiken von Speicherzellen)
Es sind zwei Ansätze durchgeführt worden, durch welche die Kapazität nicht reduziert wird. Jedoch ist gezeigt worden, dass die Speicherzellenkapazität in einigen Fällen reduziert wird und andere Haltecharakteristiken verschlechtert werden, wenn die obigen Ansätze verwendet werden.
Es ist nun klar, dass eine Verschlechterung bezüglich der Speicher-Speicherungscharakteristiken durch einen Defekt in einem vergrabenen Brückenbereich erzeugt wird, welcher elektrisch an eine Speicherelektrode des Kondensators angeschlossen ist, und einem Drainbereich eines Transistors beim Übergang zwischen dem vergrabenen Brückenbereich und dem Halbleitersubstrat. Aufgrund dieses Defekts wird ein Übergangs-Leckstrom durch den im vergrabenen Brückenbereich erzeugten Defekt erhöht.
Der Kondensator enthält einen Kragen-Oxidfilm, der die Plattenelektrode und die Speicherelektrode trennt. Es ist bestimmt worden, dass ein Grund für eine Erzeugung des Defekts im vergrabenen Brückenbereich darin besteht, dass eine normale Spannung an den Kragen-Oxidfilm in Bezug auf die Seitenwand des Kragens eine Kompressionsspannung ist.
Ein Kragen-Isolierfilm wird durch ein thermisches Oxidationsverfahren einer Lokaloxidation eines Silizium(LOCOS = Local Oxidation of Silicon)-Kragens aufgewachsen. Da der obige Kragen-Oxidfilm vor einer Ausbildung des Kondensators ausgebildet wird, können die obigen zwei Verfahren verwendet werden, d.h. das Verfahren, durch welches der Graben als Flaschentypgraben ausgebildet wird; und das Verfahren, durch welches die Plattenelektrode durch Dotieren unter einer Dampfphasendiffusion ausgebildet wird.
Wenn der Kragen-Oxidfilm durch das thermische Oxidationsverfahren aufgewachsen wird, wird die Seitenwand des Grabens oxidiert. Das Volumen des durch Oxidation aufgewachsenen Kragen-Oxidfilms ist größer als das Volumen des bei der Oxidation verwendeten Halbleitersubstrats. Darüber hinaus ist das Volumen des Kragen-Oxidfilms, der im Graben aufwachsen kann, kleiner als dasjenige des thermisch oxidierten Films, der auf einer flachen Oberfläche des Halbleitersubstrats aufwachsen kann. Dadurch wird eine Kompressionsspannung innerhalb des Kragen-Oxidfilms erzeugt. Es ist bestimmt worden, dass eine Kompressionsspannung vom Kragen-Oxidfilm zum vergrabenen Brückenbereich erzeugt wird. Im vergrabenen Brückenbereich wird durch die obige Spannung ein Defekt erzeugt.
Dann ist bestimmt worden, dass die Spannung vom Kragen-Oxidfilm zum vergrabenen Brückenbereich verhindert werden sollte, um eine Erzeugung des Defekts zu verhindern. Das bedeutet, dass die Kompressionsspannung nicht innerhalb des Kragen-Oxidfilms erzeugt werden sollte.
(Erstes Ausführungsbeispiel)
Eine Halbleitervorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfasst eine Vielzahl von Speicherzellen. Jede der Speicherzellen umfasst den Kondensator und den MOS-Transistor, wie es in 1 gezeigt ist. Jede Speicherzelle ist von einer anderen durch einen Isolierbereich 21 dazwischen isoliert.
Der Speicherkondensator ist in einem Graben aus einem p-Typ-Silizium-(Si)-Substrat 1 angeordnet. Der Speicherkondensator enthält eine Plattenelektrode 12, einen Kondensator-Isolierfilm 13, einen Kragen-Oxidfilm 11, eine Speicherelektrode 15, eine Kondensator-Extraktionselektrode 19 und einen vergrabenen Brückenbereich 17.
Die Plattenelektrode 12 mit der Bodenfläche und der Seitenwand des Grabens ist innerhalb des Siliziumsubstrats 1 vorgesehen. Die Plattenelektrode 12 hat eine Leitfähigkeit vom n-Typ. Der Kondensator-Isolierfilm 13 ist von der Bodenfläche zum oberen Teil der Seitenwand vorgesehen. Der Kondensator-Isolierfilm 13 ist auf der Plattenelektrode 12 vorgesehen.
Der Kragen-Oxidfilm 11 ist über der Seitenwand des Grabens vorgesehen, d.h. am oberen Teil des Grabens. Das ringförmige untere Ende des Kragen-Oxidfilms 11 ist in Kontakt mit dem Kondensator-Isolierfilm 13. Der Kragen-Oxidfilm 11 ist auch in Kontakt mit der Plattenelektrode 12. Eine normale Spannung am Kragen-Oxidfilm 11 in Bezug auf die Seitenwand des Grabens ist eine Zugspannung. Der Kragen-Oxidfilm 11 ist an der Seitenwand des Grabens vorzugsweise durch ein chemisches Dampfablagerungs-(CVD-)Verfahren abgelagert.
Die Speicherelektrode 15 ist an dem Kondensator-Isolierfilm 13 vorgesehen. Die Höhe der oberen Oberfläche der Speicherelektrode 15 ist höher als diejenige des oberen Endes des Kragen-Oxidfilms 11. Die Schnittstelle zwischen der Speicherelektrode 15 und der Extraktionselektrode 19 stimmt nicht mit einer Ebene überein, auf welcher das untere Ende des Kragen-Oxidfilms 11 ein äußerer Rand bzw. eine Außenkante ist. In der Speicherelektrode 15 ist die Breite an der Seitenwand in Kontakt mit dem Kondensator-Isolierfilm 13 größer als diejenige an der Seitenwand in Kontakt mit dem Kragen-Oxidfilm 11.
Die Kondensator-Extraktionselektrode 19 ist am oberen Ende des Kragen-Oxidfilms 11 und an der oberen Oberfläche der Speicherelektrode 15 vorgesehen. Die Kondensator-Extraktionselektrode 19 ist elektrisch an die Speicherelektrode 15 angeschlossen. Die Kondensator-Extraktionselektrode 19 ist in Kontakt mit der oberen Oberfläche der Seitenwand des Kragens. Der vergrabene Brückenbereich 17 ist innerhalb des Siliziumsubstrats 1 einschließlich der oberen Oberfläche der Seitenwand des Grabens vorgesehen. Der vergrabene Brückenbereich 17 ist in Kontakt mit dem Kragen-Oxidfilm 11 und ist elektrisch an die Kondensator-Extraktionselektrode 19 angeschlossen. Der vergrabene Brückenbereich 17 hat eine Leitfähigkeit vom n-Typ.
Der MOS-Transistor ist in der Nachbarschaft des Grabens im Siliziumsubstrat 1 angeordnet. Der MOS-Transistor umfasst einen Drainbereich 26, einen Gate-Isolierfilm 22, eine Gate-Elektrode 23 und einen Sourcebereich 25.
Der Drainbereich 26 ist innerhalb des Siliziumsubstrats 1 einschließlich der oberen Oberfläche des Substrats 1 vorgesehen. Der Drainbereich 26 ist elektrisch an den vergrabenen Brückenbereich 17 angeschlossen. Der Drainbereich 26 hat eine n-Typ-Leitfähigkeit. Der Gate-Isolierfilm 22 ist auf der oberen Oberfläche des Siliziumsubstrats 1 vorgesehen. Die Gate-Elektrode 23 ist auf dem Gate-Isolierfilm 22 und über dem Drainbereich 26 vorgesehen. Der Sourcebereich 25 ist unter dem Gate-Isolierfilm 22, unter der Gate-Elektrode 23 und getrennt vom Drainbereich 26 innerhalb des Siliziumsubstrats 1 einschließlich der oberen Oberfläche des Substrats 1 vorgesehen. Der Sourcebereich 25 hat eine n-Typ-Leitfähigkeit.
Zusätzlich enthält die Halbleitervorrichtung einen Kontaktstecker 30, der auf dem Sourcebereich 25 vorgesehen ist, und eine Bitleitung 31, die elektrisch an den Sourcebereich 25 angeschlossen ist. Die Bitleitung 31 ist auf einem Zwischenpegelisolator 29 vorgesehen. Die Gate-Elektrode 23 und der Kontaktstecker 30 sind voneinander mit einem Siliziumnitridfilm 24 und Seitenwänden 27, 28 isoliert. Der Isolationsbereich 21 ist auf der Kondensator-Extraktionselektrode 19 vorgesehen.
In Bezug auf die Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel werden im Wesentlichen keine Defekte im vergrabenen Brückenbereich 17 erzeugt, weil die normale Spannung an dem Kragen-Oxidfilm 11 in Bezug auf die Seitenwand des Grabens keine Kompressionsspannung ist. Während es möglich ist, dass keine Spannung von irgendeinem Typ induziert wird, kann es Fälle geben, in welchen nur ein kleines Ausmaß einer Zugspannung induziert wird. Hier ist es offensichtlich, dass selbst dann, wenn eine normale Spannung eine Kompressionsspannung ist, die Spannung so klein sein kann, dass kein Defekt erzeugt wird. Zum Reduzieren der Intensität der normalen Spannung und zum weiteren Machen der Spannung zu einer Zugspannung ist nur erforderlich, dass der Kragen-Oxidfilm 11 an der Seitenwand des Grabens vorgesehen wird, und zwar nicht durch das thermische Oxidationsverfahren, sondern durch eine chemische Dampfablagerung, wie es oben beschrieben ist.
Darüber hinaus existiert in Bezug auf die Speicherelektrode 15 keine Schnittstelle mit einer Ebene, an welcher das untere Ende des Kragen-Oxidfilms 11 ein äußerer Rand ist. Dadurch ist es offensichtlich, dass die Speicherelektrode 15 zu einer Zeit mit Bereichen in Kontakt mit dem Kondensator-Isolierfilm 13 und dem Kragen-Oxidfilm 11 ausgebildet wird. Ein natürlicher Oxidationsfilm wird nicht auf der Oberfläche des Bereichs in Kontakt mit dem Kondensator-Isolierfilm 13 ausgebildet und ein natürlicher Oxidationsfilm wird nicht an der Schnittstelle zwischen dem Bereich in Kontakt mit dem Kondensator-Isolierfilm 13 und dem Bereich in Kontakt mit dem Kragen-Oxidfilm 11 ausgebildet. Dadurch kann ein parasitärer Widerstand des Speicherkondensators reduziert werden.
Weiterhin können die Schreib- und Lesegeschwindigkeiten von Daten in den Speicherzellen erhöht werden.
Wie es oben erklärt ist, kann die Halbleitervorrichtung, bei welcher die Datenhaltecharakteristiken nicht verschlechtert sind, selbst bei einem Schrumpfen der Speicherzellen zur Verfügung gestellt werden.
Nun wird ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erklärt. Das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung enthält ein Verfahren zum Ausbilden eines Grabenkondensators. Zuallererst wird das Verfahren zum Ausbilden des Grabenkondensators ausgeführt.

(a) Ein thermisch oxidierter Film 2 wird auf dem p-Typ-Siliziumsubstrat 1 aufgewachsen. Ein Siliziumnitridfilm 3 und ein Siliziumoxidfilm 4 werden auf dem thermisch oxidierten Film 2 durch das CVD-Verfahren abgelagert. Wie es in 2A gezeigt ist, wird unter Verwendung einer Fotolithografietechnik ein Graben 5 bei einer Position ausgebildet, bei welcher ein Grabenkondensator ausgebildet wird.
(b) Wie es in 2B gezeigt ist, wird ein anisotropes Ätzen des Siliziumsubstrats 1 zum Ausbilden eines Grabens 6 unter Verwendung des thermisch oxidierten Films 2, des Siliziumnitridfilms 3 und des Siliziumoxidfilms 4 als Maske ausgeführt.
(c) Ein Siliziumnitridfilm 7 wird an den Seitenwänden der Gräben 5, 6 und am Siliziumoxidfilm 4 durch das CVD-Verfahren abgelagert. Die Filmdicke des Siliziumnitridfilms 7 wurde auf 5 nm eingestellt. Wie es in 2C gezeigt ist, wird ein Teil eines Silizium-Germanium-(SiGe-)Films 9 in den Gräben 5, 6 als vergrabene Dummyschicht zur Aberlagerung des Kragen-Oxidfilms durch das CVD-Verfahren vergraben. Ein weiterer Teil des Silizium-Germanium-Films 9 wird auf dem Siliziumnitridfilm 7 über dem Siliziumoxidfilm 4 ausgebildet. Wenn der Silizium-Germanium-Film 9 abgelagert wurde, wurden Monosilan (SiH₄) und Monogerman (GeH₄) als Quellengas bzw. Ursprungsgas verwendet. Die Flussraten von Monosilan und Monogerman bei der Ausbildung waren jeweils 250 sccm und 500 sccm. Der Ablagerungsdruck in einem Reaktor war 133 Pa. Die Ablagerungstemperatur für das Siliziumsubstrat 1 war bei der Ausbildung 450 Grad Celsius.
(d) Wie es in 2D gezeigt ist, wird der obere Teil des Silizium-Germanium-Films 9 durch ein chemisches Trockenätz(CDE-)Verfahren geätzt und wird der Silizium-Germanium-Film 9 nur im unteren Teil des Grabens 6 gelassen. Wie es in 2E gezeigt ist, wird der freigelegte Siliziumnitridfilm 7 geätzt und entfernt.
(e) Wie es in 2F gezeigt ist, wird ein Siliziumoxidfilm 11 für einen Kragen-Oxidfilm an den freigelegten Seitenwänden der Gräben 5, 6 durch das CVD-Verfahren abgelagert. Darüber hinaus wurde auch der Siliziumoxidfilm 11 auf dem Siliziumoxidfilm 4 abgelagert. Der Siliziumoxidfilm 11 war ein TEOS-Oxidfilm, und die Filmdicke des Films 11 wurde auf 20 nm eingestellt. Ein Niederdruck-CVD-(LPCVD-)Verfahren kann verwendet werden, um eine normale Spannung an dem Kragen-Oxidfilm 11 in Bezug auf die Seitenwand des Grabens 6 derart einzustellen, dass sie eine Zugspannung ist. Die durch das LPCVD-Verfahren erzeugte Spannung ist kleiner als diejenige, die durch das Oxidationsverfahren erzeugt wird. Darüber hinaus kann eine Steuerung der Spannung durch Ändern der Ablagerungstemperatur erreicht werden.
(f) Wie es in 2G gezeigt ist, wird der Kragen-Oxidfilm 11, der an der Bodenfläche des Grabens 6 und am Siliziumoxidfilm 4 abgelagert ist, durch ein anisotropes Ätzen unter einem reaktiven Ionenätzen (RIE) geätzt und entfernt. Der Kragen-Oxidfilm 11 bleibt nur an den Seitenwänden der Gräben 5, 6. Der Silizium-Germanium-Film 9 wird freigelegt.
(g) Wie es in 2H gezeigt ist, wird der Silizium-Germanium-Film 9, der im unteren Teil des Grabens 6 zurückbleibt, mit einem Ätzmittel einschließlich einer Wasserstoffperoxidlösung (H₂O₂) geätzt. Wie es in 3 gezeigt ist, kann ein größerer Molteil von Germanium (Ge) in Silizium-Germanium veranlassen, dass sich die Ätzrate erhöht. Andererseits scheint es so zu sein, dass das Siliziumsubstrat 1, der Siliziumoxidfilm 4, der Siliziumoxidfilm 11 und der Siliziumnitridfilm 7 im Wesentlichen nicht durch ein Ätzmittel einschließlich einer Wasserstoffperoxidlösung geätzt werden. Dadurch kann der Silizium-Germanium-Film 9 durch Verwenden eines Ätzmittels einschließlich der Wasserstoffperoxidlösung ohne Ätzen des Siliziumsubstrats 1, des Siliziumoxidfilms 4, des Siliziumoxidfilms 11 und des Siliziumnitridfilms 7 entfernt werden. Hier ist, wie es in 3 gezeigt ist, die Neigung der Ätzrate bei einem Molteil von Germanium von weniger als 50% kleiner als diejenige in dem Fall, in welchem der Molteil gleich oder größer als 50 ist. Dadurch kann die Ätzrate von Silizium-Germanium auf einfache Weise durch Bereitstellen des Molteils von Germanium gleich oder größer als 50% erhöht werden. Wie es in 2I gezeigt ist, wird der Siliziumnitridfilm 7 durch Ätzen entfernt.
(h) Wie es in 2J gezeigt ist, wird die Seitenwand des Grabens 6 mit einer verdünnten Wasserstoffluorid-Salpetersäuremischung (HF-HNO₃) unter Verwendung des Kragen-Oxidfilms 11 als Maske geätzt. Wie es in 2K gezeigt ist, wird eine n-Typ-Diffusionsschicht, die die Plattenelektrode 12 wird, an der freigelegten Seitenwand des Grabens 5 durch eine Dampfphasendiffusion ausgebildet. Wie es in 2L gezeigt ist, wird der Kondensator-Isolierfilm 13 auf der Plattenelektrode 12 ausgebildet. Ein Oxynitrid-Siliziumfilm wurde als der Kondensator-Isolierfilm 13 ausgebildet.
(i) Wie es in 2M gezeigt ist, werden n-Typ-Polysiliziumsäulen in den Gräben 5, 6 auf dem Kondensator-Isolierfilm 13 und dem Graben-Oxidfilm 11 als die Speicherelektrode 15 vergraben. Ein n-Typ-Siliziumfilm 14 wird auf dem Siliziumoxidfilm 4 ausgebildet. Eine Leerstelle 16 wird in der Speicherelektrode 15 erzeugt. Dadurch wird eine Ausbildung des Grabenkondensators mit der Plattenelektrode 12 und der Speicherelektrode 15 als Anschlüsse beendet.
(j) Das Substrat wird bis zu der Höhe der oberen Oberfläche des Siliziumnitridfilms 3 rückgeätzt, wie es in 2N gezeigt ist. Wie es in 2O gezeigt ist, wird der obere Teil der Speicherelektrode 15 so geätzt, dass die Höhe der oberen Oberfläche der Speicherelektrode 15 niedriger als diejenige der Oberfläche des Siliziumsubstrats 1 ist. Wie es in 2P gezeigt ist, wird das obere Ende des Kragen-Oxidfilms 11 so geätzt, dass die Höhe des oberen Endes des Kragen-Oxidfilms 11 niedriger als diejenige der oberen Oberfläche der Speicherelektrode 15 ist. Das Siliziumsubstrat 1 wird zur Seitenwand des Grabens 6 freigelegt. N-Typ-Diffusionsschichten, die die vergrabenen Brückenbereiche 17, 18 werden, werden auf dem durch das Dampfphasendiffusionsverfahren freigelegten Siliziumsubstrat 1 ausgebildet. Wie es in 2Q gezeigt ist, wird die Kondensator-Extraktionselektrode 19 in Kontakt mit der Speicherelektrode 15 und dem vergrabenen Brückenbereich 17 im Graben 6 durch Ablagern und Rückätzen eines n-Typ-Polysiliziumfilms vergraben. Dadurch wird eine Ausbildung eines Grabenkondensators mit der Kondensator-Extraktionselektrode 19 und der Plattenelektrode 12 als Anschlüsse beendet. Der gesamte Kragenkondensator, der ausgebildet worden ist, wird bei einer niedrigeren Position als derjenigen der Oberfläche des Siliziumsubstrats 1 angeordnet.
(k) Zusätzlich wird ein Graben 20 auf dem Siliziumsubstrat 1 ausgebildet, wie es in 2R gezeigt. Ein Silizium-Isolierfilm wird auf dem Substrat 1 abgelagert, und der Isolationsbereich 21 wird auf dem Substrat 1 nach einem Rückätzen ausgebildet, wie es in 2S gezeigt ist. Der Siliziumoxidfilm 2 wird geätzt, um einen Siliziumoxidfilm, der der Gate-Isolierfilm 22 wird, auf dem freigelegten Siliziumsubstrat 1 auszubilden. Ein n-Typ-Polysiliziumfilm 23 und ein Siliziumnitridfilm 24 werden auf dem Substrat 1 abgelagert, um die Filme 23, 24 in ein Muster der Gate-Elektrode 23 zu ätzen. Eine Ionenimplantation wird unter Verwendung des Siliziumnitridfilms 24 als Maske durchgeführt, um den Drainbereich 26 und den Sourcebereich 25 auszubilden. Dadurch wird eine Ausbildung des MOS-Transistors beendet.
(l) Wie es in 2T gezeigt ist, wird ein Siliziumnitridfilm, der zu den Seitenwänden 27, 28 wird, an den Seitenwänden des n-Typ-Polysiliziumfilms 23 und des Siliziumnitridfilms 24 ausgebildet. Der Schichten-Isolierfilm 29 wird auf dem MOS-Transistor und dem Isolationsbereich 21 ausgebildet. Ein Kontaktloch wird an dem Sourcebereich 25 geöffnet. Ein Kontaktstecker 30 wird im Kontaktloch vergraben. Wie es in 1 gezeigt ist, wird eine Bitleitung 31 auf dem Schichten-Isolierfilm 29 und dem Kontaktstecker 30 ausgebildet. Dadurch wird eine Ausbildung einer Halbleitervorrichtung mit dem Grabenkondensator beendet. Das Verfahren zum Ausbilden des Grabenkondensators ist zur Verfügung gestellt, wobei eine Verschlechterung bezüglich der Speicher-Speicherungscharakteristiken selbst unter einer Verarbeitung einer feineren Linie der Speicherzellen verhindert wird.

Das Dampfphasendiffusionsverfahren kann auf eine Störstellendiffusion in der Seitenwand des Grabens 6 zum Ausbilden der Plattenelektrode 12 beim Verwenden des Verfahrens zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel angewendet werden. Dadurch kann eine Diffusionsschicht mit einer höheren Konzentration von Störstellen im Vergleich mit derjenigen eines Festphasendiffusionsverfahrens unter Verwendung von herkömmlichen Arsen-Silikatglas (AsSG) ausgebildet werden. Eine effektive Filmdicke des Kondensator-Isolierfilms 13 kann reduziert werden. Die Kapazität des Grabenkondensators kann um einen Faktor von 1,5 erhöht werden, wie es in 4 gezeigt ist. Darüber hinaus kann die Herstellungszeit der Halbleitervorrichtung erniedrigt werden, weil das Festphasendiffusionsverfahren, welches eine längere Verarbeitungszeit erfordert, weggelassen werden kann.
Darüber hinaus ist es bei herkömmlichen Verfahren erforderlich gewesen, ein Vergraben und ein Ätzen zweimal zu wiederholen, um die Speicherelektrode 15 im Graben 6 auszubilden. Dadurch ist eine Schnittstelle des natürlichen Oxidationsfilms erzeugt worden, die die Speicherelektrode 15 in zwei Abschnitte unterteilt. Beim Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel werden ein Vergraben und ein Ätzen nur einmal ausgeführt, um die Speicherelektrode 15 auszubilden. Demgemäß gibt es keine Schnittstelle aus dem natürlichen Oxidationsfilm, welche die Speicherelektrode 15 unterteilt. Ein elektrischer Widerstand der Speicherelektrode 15 kann beim ersten Ausführungsbeispiel im Vergleich mit demjenigen eines herkömmlichen Beispiels erniedrigt werden.
(Varianten des ersten Ausführungsbeispiels)
Beim ersten Ausführungsbeispiel ist Silizium-Germanium im Graben 6 vergraben worden, um das Silizium-Germanium mit der Wasserstoffperoxidlösung nach einem Ausbilden des Kragen-Oxidfilms 11 zu entfernen. Die Erfindung ist nicht auf das obige Ausführungsbeispiel beschränkt. Anstelle vom Silizium-Germanium kann amorphes Silizium (Si) verwendet werden. Eine vermischte Lösung aus Hydrofluorsäure-Salpetersäure-Essigsäure kann als Ätzmittel des amorphen Siliziums verwendet werden. Darüber hinaus kann das amorphe Silizium mit einem chlorhaltigen Gas, wie beispielsweise Chlor-Trifluorid (CIF₃) und Hydrochlorsäure (HCl) geätzt werden.
Beim ersten Ausführungsbeispiel wird der Halbleiterfilm, wie beispielsweise ein Silizium-Germanium-Film und ein amorpher Siliziumfilm, ausgebildet und wird der Kragen-Oxidfilm 11 ausgebildet, und zwar unter Verwendung des Halbleiterfilms als Dummy-Speicherelektrode. Dann wird der Halbleiterfilm unter Verwendung des Kragen-Oxidfilms 11 als Maske entfernt. Der Halbleiterfilm wird verwendet, weil ein selektives Ätzen des Siliziumoxidfilms und des Siliziumnitridfilms ausgeführt werden kann und der Halbleiterfilm bei den Ablagerungstemperaturen des Siliziumoxidfilms und des Siliziumnitridfilms stabil existiert. Hier ist es weiterhin vorteilhaft, dass ein Ätzmittel existiert, was gleich dem Fall des Silizium-Germaniums ist, so dass ein selektives Ätzen des Halbleiterfilms und des Siliziumsubstrats 1 durchgeführt werden kann.
Die Halbleitervorrichtung einschließlich der Speicherzellen können ein DRAM sein, oder ein System-LSI, bei welchem ein DRAM als eine Megazelle installiert ist.
(Zweites Ausführungsbeispiel)
Eine Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hat einen strukturell anderen Kondensator gegenüber demjenigen der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der 1, wie es in 5 gezeigt ist. Die Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel hat Unregelmäßigkeiten an der Bodenfläche und an der Seite eines Grabens eines Siliziumsubstrats 1. Ein unregelmäßiger Siliziumfilm 32 ist auf der Oberfläche einer Plattenelektrode 12 vorgesehen. Ein hemisphärischer gekrümmter (HSG = hemispherical grained) Polysiliziumfilm, ein rauer Polysiliziumfilm und ähnliches wurden für den unregelmäßigen Siliziumfilm 32 verwendet. Ein Kondensator-Isolierfilm 33 ist auf dem unregelmäßigen Siliziumfilm 32 vorgesehen. Die Filmdicke des Kondensator-Isolierfilms ist ausreichend dünner im Vergleich mit dem Unterschied zwischen den höchsten und niedrigsten Stellen auf dem unregelmäßigen Siliziumfilm 32. Eine Speicherelektrode 35 ist auf der Oberfläche des Kondensator-Isolierfilms 33 vorgesehen.
Dadurch kann der Oberflächenbereich, auf welchem der Kondensator-Isolierfilm 33 in Kontakt mit dem unregelmäßigen Silizium 32 ist, im Vergleich mit einem Fall erhöht werden, in welchem der Siliziumfilm 32 nicht unregelmäßig ist. Darüber hinaus kann der Oberflächenbereich, auf welchem der Kondensator-Isolierfilm 33 in Kontakt mit der Speicherelektrode 35 ist, im Vergleich mit einem Fall erhöht werden, in welchem der Siliziumfilm 32 nicht unregelmäßig ist. Die Kapazität eines Grabenkondensators kann im Vergleich mit derjenigen des Grabenkondensators C der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel weiter erhöht werden.
Nun wird ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung erklärt. Das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel enthält das Verfahren zum Ausbilden des Grabenkondensators C. Das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel und dasjenige gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel sind voneinander bezüglich des Verfahrens zum Ausbilden des Grabenkondensators C unterschiedlich. Folglich wird das Verfahren zum Ausbilden des Grabenkondensators C erklärt werden.

(a) Zuallererst wird das Verfahren zum Ausbilden des Grabenkondensators C gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel bis zum Schritt der 2I ausgeführt.
(b) Dann wird der unregelmäßige Siliziumfilm 32 auf der Oberfläche des freigelegten Siliziumsubstrats 1 innerhalb eines Grabens 6 ausgebildet, wie es in 6A gezeigt ist. Der HSG-Polysiliziumfilm oder der raue Polysiliziumfilm wird auf der Oberfläche des freigelegten Siliziumsubstrats 1 durch ein selektives CVD-Verfahren abgelagert.
(c) Wie es in 6B gezeigt ist, wird ein Dotierungsmittel in den unregelmäßigen Siliziumfilm 32 und das Siliziumsubstrat 1 durch das Dampfphasendiffusionsverfahren unter Verwendung eines Kragen-Oxidfilms 11 als Maske diffundiert. Eine n-Typ-Diffusionsschicht wird auf dem unregelmäßigen Siliziumfilm 32 ausgebildet. Eine n-Typ-Diffusionsschicht, die die Plattenelektrode 12 wird, wird auf dem Siliziumsubstrat 1 ausgebildet. Der Kondensator-Isolierfilm 33 wird auf dem unregelmäßigen Siliziumfilm 32, dem Kragen-Oxidfilm 11 und einem Siliziumoxidfilm 4 ausgebildet. Ein Siliziumnitridfilm wird durch das CVD-Verfahren ausgebildet und wird oxidiert, um einen gestapelten Film aus Siliziumoxid/Siliziumnitrid als Kondensator-Isolierfilm 13 auszubilden.
(d) Eine n-Polysiliziumsäule wird als die Speicherelektrode 35 in den Gräben 5, 6 auf dem Kondensator-Isolierfilm 33 vergraben, wie es in 6C gezeigt ist. Ein n-Typ-Siliziumfilm 34 wird auf dem Kondensator-Isolierfilm 33 über dem Siliziumoxidfilm 4 ausgebildet. Eine Leerstelle 36 wird in der Speicherelektrode 35 erzeugt. Dadurch wird eine Ausbildung des Grabenkondensators mit der Plattenelektrode 12 und der Speicherelektrode 35 als Anschlüsse beendet.

Nachfolgende Schritte für das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel werden ab dem Schritt der 2N für das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel ausgeführt. Dadurch wird eine Ausbildung des Grabenkondensators mit einer Kondensator-Extraktionselektrode 19 und der Plattenelektrode 12 als Anschlüsse beendet und wird eine Ausbildung der Halbleitervorrichtung mit einem MOS-Transistor und dem Grabenkondensator, wie er in 5 gezeigt ist, beendet.
Die Erfindung ist nicht auf die obigen ersten und zweiten Ausführungsbeispiele beschränkt. Obwohl die obigen Erklärungen für die Verwendung des Siliziumsubstrats 1 galten, ist es nur erforderlich, dass das Siliziumsubstrat 1 ein Halbleitersubstrat ist. Das Halbleitersubstrat kann eine Siliziumschicht aus einem Substrat mit Silizium auf einem Isolator (SOI = Silicon On Insulator) oder ein Silizium-Germanium-(SiGe-)Mischkristall, ein Silizium-Germanium-Carbid-(SiGeC-)Mischkristall und ähnliches sein. Die Erfindung kann durch verschiedene Modifikationen ausgeführt werden, ohne von den Stellen der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
Die vorliegende Erfindung kann in anderen spezifischen Formen ausgeführt werden, ohne vom Sinngehalt oder von wesentlichen Eigenschaften von ihr abzuweichen. Die Ausführungsbeispiele sind daher bezüglich aller Aspekte als illustrativ und nicht als beschränkend zu betrachten, wobei der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung eher durch die beigefügten Ansprüche als durch die vorangehende Beschreibung gezeigt ist und alle Änderungen, die in die Bedeutung und den Bereich einer Äquivalenz der Ansprüche gelangen, sollen daher darin umfasst sein.

Claims

Halbleitervorrichtung, die folgendes aufweist: ein Halbleitersubstrat mit einem ersten Leitfähigkeitstyp und mit einer Seitenwand und einer von der Seitenwand umgebenen Bodenfläche; eine Plattenelektrode mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp, der unterschiedlich vom ersten Leitfähigkeitstyp ist, wobei die Plattenelektrode von der Bodenfläche zur Seitenwand im Halbleitersubstrat vorgesehen ist, einen Kondensator-Isolierfilm, der auf der Bodenfläche und der Seitenwand vorgesehen ist; einen Kragen-Oxidfilm, der an der Seitenwand vorgesehen ist, wobei ein ringförmiges unteres Ende des Kragen-Oxidfilms in Kontakt mit dem Kondensator-Isolierfilm ist und der Kragen-Oxidfilm in Kontakt mit der Plattenelektrode ist; eine Speicherelektrode, die auf der Plattenelektrode und dem Kondensator-Isolierfilm vorgesehen ist, wobei ein Höhe einer oberen Oberfläche der Speicherelektrode höher als eine Höhe eines oberen Endes des Kragen-Oxidfilms ist; eine Kondensator-Extraktionselektrode, die am oberen Ende des Kragen-Oxidfilms und an der oberen Oberfläche der Speicherelektrode vorgesehen ist, wobei die Kondensator-Extraktionselektrode elektrisch an die Speicherelektrode angeschlossen und in Kontakt mit einem oberen Teil der Seitenwand ist; und einen vergrabenen Brückenbereich, der innerhalb des Halbleitersubstrats einschließlich des oberen Teils der Seitenwand vorgesehen ist, wobei der vergrabene Brückenbereich in Kontakt mit dem Kragen-Oxidfilm ist und elektrisch an die Kondensator-Extraktionselektrode angeschlossen ist, wobei der vergrabene Brückenbereich den zweiten Leitungstyp hat.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine normale Spannung am Kragen-Oxidfilm in Bezug auf die Seitenwand eine Zugspannung ist.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Kragen-Oxidfilm an der Seitenwand durch eine Ablagerung vorgesehen ist.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Kragen-Oxidfilm an der Seitenwand durch ein chemisches Dampfablagerungs-(CVD-)Verfahren vorgesehen ist.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Höhe einer Schnittstelle zwischen der Speicherelektrode und der Kondensator-Extraktionselektrode höher als diejenige einer Ebene ist, an welcher ein unteres Ende des Kragen-Oxidfilms ein äußerer Rand ist.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, die weiterhin folgendes aufweist: einen Isolationsbereich, der an der Kondensator-Extraktionselektrode vorgesehen ist; einen Drainbereich, der innerhalb des Halbleitersubstrats einschließlich einer oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats vorgesehen ist, wobei der Drainbereich elektrisch an den vergrabenen Brückenbereich angeschlossen ist und den zweiten Leitungstyp hat; einen Gate-Isolierfilm, der auf der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats vorgesehen ist; eine Gate-Elektrode, die auf dem Gate-Isolierfilm und über dem Drainbereich vorgesehen ist; einen Sourcebereich, der unter dem Gate-Isolierfilm unter der Gate-Elektrode und getrennt vom Drainbereich innerhalb des Halbleitersubstrats einschließlich der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats vorgesehen ist, wobei der Sourcebereich den zweiten Leitungstyp hat; und eine Bitleitung, die elektrisch an den Sourcebereich angeschlossen ist.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei in der Speicherelektrode eine Breite an einer Seitenwand in Kontakt mit dem Kondensator-Isolierfilm größer als diejenige an einer Seitenwand in Kontakt mit dem Kragen-Oxidfilm ist.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, die weiterhin folgendes aufweist: Unregelmäßigkeiten, die an der Bodenfläche und an der Seitenwand des Halbleitersubstrats vorgesehen sind.
Verfahren zum Herstellen eines Grabenkondensators, das folgendes aufweist: Ausbilden eines Grabens auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats mit einem ersten Leitungstyp; Ausbilden eines ersten Isolierfilms an einer Seitenwand des Grabens; Vergraben eines Halbleiterfilms im Graben auf dem ersten Isolierfilm; Ätzen des ersten Isolierfilms und des in einem oberen Teil des Grabens angeordneten Halbleiterfilm; Ablagern eines zweiten Isolierfilm an einer freigelegten Seitenwand des Grabens; Ätzen des Halbleiterfilms; Ätzen des ersten Isolierfilms; Ausbilden einer Plattenelektrode eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der unterschiedlich vom ersten Leitfähigkeitstyp ist, an der freigelegten Seitenwand des Grabens durch ein Dampfphasendiffusionsverfahren; Ausbilden eines Kondensator-Isolierfilms auf der Plattenelektrode; und Vergraben einer Speicherelektrode in dem Kondensator-Isolierfilm und in dem zweiten Isolierfilm innerhalb des Grabens.
Verfahren nach Anspruch 9, das weiterhin folgendes aufweist: Ätzen eines oberen Teils der Speicherelektrode und eines oberen Teils des zweiten Isolierfilms; Ausbilden eines vergrabenen Brückenbereichs mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp in der freigelegten Seitenwand des Grabens; und Vergraben einer Kondensator-Extraktionselektrode auf der Speicherelektrode und auf dem vergrabenen Brückenbereich im Graben.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei der erste Isolierfilm ein Siliziumnitridfilm ist und der zweite Isolierfilm ein Siliziumoxidfilm ist.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei der zweite Isolierfilm durch ein CVD-Verfahren abgelagert wird.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei der Halbleiterfilm Silizium-Germanium (SiGe) ist.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei ein Molteil von Germanium (Ge) im Silizium-Germanium-Film gleich oder größer als 50% ist.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei ein Ätzmittel, das beim Ätzen des Halbleiterfilms verwendet wird, Wasserstoffperoxid (H₂O₂) enthält.
Verfahren nach Anspruch 9, das weiterhin folgendes aufweist: Ätzen der freigelegten Seitenwand des Grabens nach einem Ätzen des ersten Isolierfilms und vor einem Ausbilden der Plattenelektrode.
Verfahren nach Anspruch 9, das weiterhin folgendes aufweist: Ausbilden von Unregelmäßigkeiten an der freigelegten Seitenwand des Grabens nach einem Ätzen des ersten Isolierfilms und vor einem Ausbilden der Plattenelektrode.