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Die
Erfindung betrifft ein vorzugsweise oberflächenmontierbares und modular
aufgebautes elektrisches Bauelement mit empfindlichen Bauelementstrukturen
wie insbesondere elektroakustische Wandler und Resonatoren.
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Akustische
Bauelementstrukturen sind empfindlich gegenüber Umwelteinflüssen und
müssen daher
gegenüber
diesen geschützt
werden. Andererseits können
diese Strukturen nicht ohne weiteres z. B. durch eine Vergussmasse
verkapselt werden, da die Vergussmasse die Ausbreitung der akustischen Welle
beeinflusst. Dementsprechend werden akustische Bauelemente heutzutage
in einem Hohlraum angeordnet. Die Beschaffung und die Abdichtung
eines solchen Hohlraums ist aufwendig.
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Der
erforderliche Hohlraum kann z. B. durch eine Schutzkappe geschaffen
werden. Ein auf seiner aktiven Oberfläche akustische Bauelementstrukturen tragender
Chip kann mit seiner Rückseite
auf ein Modulsubstrat aufgeklebt werden, das gleichzeitig einen Teil
eines Gehäuses
bildet. Der Chip wird durch die Schutzkappe überdeckt, wobei die Schutzkappe dicht
mit dem Modulsubstrat abschließt.
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Es
ist bekannt, einen auf seiner aktiven Oberfläche akustische Bauelementstrukturen
tragenden Chip in Flip-Chip-Anordnung auf einem Modulsubstrat mit
mehreren z. B. keramischen Schichten zu montieren. Der Zwischenraum
zwischen dem Chip und dem Modulsubstrat kann z. B. durch einen Dichtungsrahmen
abgedichtet werden.
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Möglich ist
es auch, auf dem Chip eine die Bauelementstrukturen aufnehmende
Schutzkappe auszubilden, wobei die elektrischen Anschlüsse des Chips
außerhalb
der von der Schutzkappe bedeckten Fläche liegen. Der „nackte", d. h. ungehäuste Chip mit
auf seiner Oberfläche
offen liegenden Bauelementstrukturen wird im Folgenden als „Bare Die" bezeichnet und von
einem diskreten Bauteil unterschieden. Die diskreten Bauteile, welche
empfindliche Bauelementstrukturen aufweisen, sind im Gegensatz zu
einem Bare Die eingehäust
oder zumindest mit einer Schutzkappe versehen.
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Bekannt
sind auch modular aufgebaute Bauelemente, bei denen auf einem i.
d. R. mehrschichtigen keramischen Modulsubstrat diskret aufgebaute Bauteile
montiert sind. Die bisherige Modulintegration von diskreten elektronischen
Bauteilen, z. B. mit akustischen Oberflächenwellen oder Volumenwellen arbeitenden
Filtern, erfolgt in der Form, dass die gehäusten Bauteile auf das Modulsubstrat
(= Modulsubstrat) aufgebracht werden, wobei die Anschlüsse des
gehäusten
Bauteils mit elektrischen Anschlüssen des
Modulsubstrats mittels der bekannten Verbindungstechniken (z.B.
Bonddrähte,
Bumps) verbunden werden. In der Regel ist die Häusung der elektronischen Bauteile
mit offen liegenden Bauelementstrukturen erforderlich, da diese
empfindlich gegenüber
Umwelteinflüssen
sind. Die Häusung
kann beispielsweise durch Kunststoff- oder Keramikgehäuse mit
Bonddrähten
oder Stud-Bumps, CSP-Gehäusetechnologien
(CSP = Chip Sized Package) oder Wafer-Level-Gehäuse z.B. auf Silizium- oder
Glas-Basis erfolgen. Bei mikroakustischen Bauteilen muss eine Materialbelastung
des aktiven Bauteilbereichs vermieden werden, was durch die Ausbildung
eines Hohlraums im Gehäuse
sichergestellt wird. Mit den derartig gehäusten Bauteilen werden anschließend die
Modulsubstrate bestückt.
Zusätzliche
aktive und/oder passive Komponenten werden entweder im Substratmaterial
des Moduls integriert oder als diskrete Bauteile auf das Modulsubstrat
aufgesetzt und über
entsprechende Anschlüsse
elektrisch mit diesem verbunden. Anschließend kann das vollständig bestückte Modul
noch mit einem geeigneten Material (z.B. Glob-Top-Masse) vergossen
werden, um eine planare Oberfläche
zu erreichen und empfindliche Bauteilstrukturen vor Umwelteinflüssen zu
schützen.
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Eine
weitere Möglichkeit,
ein multifunktionales Modul mit einer Vielzahl verschiedenartiger
aktiver und/oder passiver Komponenten herzustellen, bietet die monolithische
Integration verschiedener Schaltungen in einem gemeinsamen Substrat
(bevorzugt ein Halbleitersubstrat wie z.B. Silizium), wobei je nach
Komplexität
der zu realisierenden Strukturen eine Vielzahl aufeinanderfolgender
Prozesssequenzen durchzuführen
ist. Die mit akustischen Wellen arbeitenden Bauelementstrukturen
können
jedoch nicht kostengünstig
in einem Modul monolithisch integriert werden.
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Es
ist bekannt, ein Bauelement durch Verbindung zweier Wafer herzustellen
(Wafer-Level-Package durch Direct Wafer Bonding), wobei eine auf einem
ersten Wafer ausgebildete Bauelementstruktur in einer in einem zweiten
Wafer ausgebildeten Vertiefung eingeschlossen und so gehäust wird.
Dabei werden die Wafer zunächst
miteinander verbunden und der Verbund der Wafer in Bauelemente vereinzelt.
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Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es, ein günstig herzustellendes elektrisches
Bauelement anzugeben, das zu schützende
Bauelementstrukturen aufweist, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
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Diese
Aufgabe ist durch den Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen
und Weiterbildungen der Erfindung gehen aus den weiteren Ansprüchen hervor.
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Die
Erfindung gibt ein elektrisches Bauelement an, das modular aufgebaut
ist und ein Modulsubstrat umfasst, welches als Basis des Moduls dient.
Auf der Oberseite des Modulsubstrats sind Kontaktflächen zur
Kontaktierung von einem oder mehreren Chips vorgesehen. Die Chips
sind die Bausteine des Moduls, die elektrisch mit im Modulsubstrat
integrierten Schaltungen verbunden und dadurch auch miteinander
verschaltet sind. Auf der Unterseite des Modulsubstrats sind Außenkontakte
zur Kontaktierung des Bauelements mit einer externen Leiterplatte
vorgesehen.
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Auf
der Oberseite des Modulsubstrats ist mindestens ein Chip montiert,
der elektrisch mit dem Modulsubstrat verbunden ist. Der Chip oder – bei mehreren
Chips – zumindest
einer der Chips ist ein Bare Die (ein „nackter" Chip), der ein Chipsubstrat mit auf
seiner Unterseite angeordneten offen liegenden Bauelementstrukturen
und Anschlussflächen
zur Kontaktierung des Modulsubstrats aufweist. Die Anschlussflächen des
Chipsubstrats sind elektrisch direkt mit den Kontaktflächen des
Modulsubstrats verbunden. Die Bauelementstrukturen sind zum Modulsubstrat
gewandt.
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Zumindest
ein weiterer Chip kann als gehäustes
diskretes Bauteil auf dem Modulsubstrat angeordnet sein.
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Die
zum Modulsubstrat gewandte Oberfläche des Chipsubstrats weist
einen umlaufenden Randbereich auf, der allseitig mechanisch fest
mit dem direkt darunter liegenden Kontaktbereich des Modulsubstrats
verbunden ist. Dabei ist zwischen dem Modulsubstrat und dem Chipsubstrat
ein geschlossener Hohlraum ausgebildet, der die Bauelementstrukturen
aufnimmt. Der Randbereich der Chipunterseite umschließt den Bereich
der Bauelementstrukturen vollständig.
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Im
Modulsubstrat bzw. auf der Oberseite des Modulsubstrats sind Einbauplätze zur
Bestückung mit
Bare Dies vorgesehen.
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Die
Verwendung ungehäuster
Chips als Modulbausteine hat gegenüber Modulen, die mit diskreten
Bauteilen bestückt
sind, den Vorteil, dass bei der Montage der „nackten" Chips auf dem Modulsubstrat gleichzeitig
eine Häusung
der empfindlichen Bauelementstrukturen des Chips erfolgt.
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Die
Integration der Funktionseinheiten auf der Oberseite eines Modulsubstrats
hat gegenüber der
monolithischen Integra tion – d.
h. Integration aller Schaltungen in einem einzigen monolithisch
ausgebildeten Bauelement – den
Vorteil einer hohen Designflexibilität, da die Möglichkeit der Kombination von verschiedenen
Bauteilen (z. B. mit verschiedenen Chipsubstraten oder von verschiedenen
Zulieferern) in einem Modul besteht. Bei der Realisierung der Funktionseinheit
ist man nicht auf ein einziges Substratmaterial, z. B. Si beschränkt. Vielmehr
können
in einem Modul Bare Dies mit jeweils unterschiedlichen Substratmaterialien
kombiniert werden. Der Aufbau des erfindungsgemäßen Moduls aus einzelnen Bausteinen
(Funktionseinheiten) ist insbesondere bei Designänderungen des Gesamtmoduls
von Vorteil. Darüber
hinaus bietet die Bestückung
des Moduls mit einzelnen Bausteinen den Vorteil, dass zur Bestückung nur
getestete und als funktionstüchtig
eingestufte Bausteine (Known Good Dies) verwendet werden können.
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Bevorzugte Ausführungsformen
der Erfindung:
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Das
Modulsubstrat weist vorzugsweise zumindest einen Bereich, z. B.
eine Schicht, aus Silizium auf.
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In
der bevorzugten Ausführungsform
weist ein erfindungsgemäßes Bauelement
ein Modulsubstrat aus Si auf.
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Vorzugsweise
sind mehrere ungehäuste
Einzelkomponenten (Chips) auf dem Modulsubstrat angeordnet und elektrisch
mit diesem verbunden. Die Einzelkomponenten sind über die
im und/oder auf dem Modulsubstrat vorgesehenen Verbindungsleitungen
elektrisch miteinander verbunden.
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Der
auf dem Modulsubstrat zu bestückende Chip
kann z. B. ein mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Filter
(BAW-Filter, Bulk Acoustic Wave Filter) sein.
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Unter
einer offen liegenden und zu schützenden
Bauelementstruktur versteht man im Sinne der Anmeldung insbesondere
eine mikroelektromechanische Komponente und/oder mit akustischen
Wellen arbeitende elektroakustische Bauelementstrukturen, beispielsweise
einen mit akustischen Volumenwellen arbeitenden Resonator oder einen
mit akustischen Oberflächenwellen
arbeitenden Wandler.
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Neben
den offen liegenden Bauelementstrukturen kann das Chipsubstrat im
Inneren des Substrats verborgene, eingebettete und/oder integrierte
passive und/oder nichtlineare bzw. aktive elektronische Komponenten
enthalten.
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Unter
eingebetteten Komponenten versteht man im Sinne der Erfindung Komponenten,
die als bereits fertige, vorzugsweise oberflächenmontierbare diskrete Bauteile,
z. B. SMD-Kondensatoren vorliegen und während der Herstellung des Substrats
in das Substrat bzw. eine Substratschicht eingebracht, mit Kontaktflächen elektrisch
kontaktiert und anschließend
durch weitere aufzubringende Substratschichten im Inneren des Substrats
verborgen werden.
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Integrierte
Komponenten werden dagegen als Bestandteil des Substrats bei der
Herstellung des Substrats z. B. durch Dotierung des Substratmaterials
oder als strukturierte Leiterbahnen zwischen zwei dielektrischen
Schichten mithergestellt, wobei diese Komponenten vor Herstellung
des Substrats nicht als Bauteile existieren.
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Das
Modulsubstrat als Integrationsbasis beinhaltet vorzugsweise in seinem
Inneren eingebettete und/oder integrierte Schaltungen, die passive und/oder
aktive bzw. nichtlineare Komponenten enthalten, welche vorzugsweise
mittels Dickschicht- und/oder Dünnschichttechnologien
erzeugt wurden. Die als strukturierte Leiterbahnen ausgebildeten
integrierten Komponenten sind vorzugsweise in innen liegenden strukturierten
Metalllagen des Modulsubstrats realisiert oder zumindest elektrisch
mit diesen kontaktiert, wobei die Metalllagen durch dielektrische oder
halbleitende Schichten voneinander getrennt sind. Im Modulsubstrat
sind horizontale sowie vertikale elektrische Verbindungen vorgesehen,
welche die integrierten Komponenten einerseits mit den Bare Dies
(Chips) und andererseits mit Außenkontakten zur
Verbindung mit externen Komponenten (z.B. Leiterplatte) elektrisch
verbinden.
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Der
Einbauplatz für
eine Bare-Die Bestückung
kann beispielsweise als eine Vertiefung im Modulsubstrat ausgeführt werden,
die eine geringere Bodenfläche
aufweist als die Grundfläche
des zu bestückenden
Bare Dies, so dass beim Aufbringen des Bare Dies dieser als oberer
Abschluss bzw. Deckel der Vertiefung dient. Der außerhalb
der Vertiefung liegende Bereich des Modulsubstrats dient für den Bare Die
als mechanisches Stützelement.
Der Randbereich der zum Modulsubstrat gewandten Oberfläche des
Chipsubstrats ist mit dem an die Vertiefung grenzenden Kontaktbereich
des Modulsubstrats verbunden. Die mechanische Verbindung zwischen
Modulsubstrat und Bare Die wird vorzugsweise über geeignete unten aufgelistete
Waferbonding-Verfahren erzeugt.
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Nach
der Verbindung des Bare Dies mit dem Modulsubstrat wird durch die
Vertiefung im Modulsubstrat ein geschlossener und von außen nicht
zugänglicher
Hohlraum gebildet, in dem die offen liegende Bauelementstruktur
des Bare Dies angeordnet und geschützt bzw. bei Einsatz eines
geeigneten Wafer-Bonding-Verfahrens
hermetisch von der Umwelt abgekapselt ist.
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In
einer Variante der Erfindung – siehe 2b – sind in
der Vertiefung des Modulsubstrats Kontaktflächen zur elektrischen Kontaktierung
des Bare Dies angeordnet, wobei die Verbindung zwischen dem bestückten Bare
Die und dem Modulsubstrat über
diese Kontaktflächen
und die ihnen gegenüberstehenden
Anschlussflächen
des Bare Dies z. B. mittels Bumps erfolgt.
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In
einer weiteren Variante der Erfindung sind die Kontaktflächen zur
Kontaktierung des Bare Dies außerhalb
der Vertiefung um die Vertiefung angeordnet, wobei die Verbindung
zwischen dem bestückten Bare
Die und dem Modulsubstrat über
diese Kontaktflächen
und die ihnen entsprechenden Anschlussflächen des Bare Dies z. B. mittels
Bonddrähte
erfolgt.
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Der
Einbauplatz für
eine Bare-Die Bestückung
kann alternativ oder zusätzlich
zu einer im Modulsubstrat ausgebildeten Vertiefung durch einen auf dem
Modulsubstrat angeordneten und fest mit diesem verbundenen Verbindungsrahmen
definiert sein, der einerseits als Abstandhalter zwischen dem Chipsubstrat
und dem Modulsubstrat dient und andererseits die beiden Substrate
mechanisch fest verbindet. In diesem Fall bilden der Verbindungsrahmen und
die von ihm umschlossene Fläche
des Modulsubstrats zusammen eine Vertiefung bzw. einen Einbauplatz
für einen
Chip. Der Randbereich des Chips wird fest mit dem Verbindungsrahmen
verbunden. Die Chipunterseite, der Verbindungsrahmen und die Oberfläche des
Modulsubstrats bilden einen geschlossenen Hohlraum.
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Aus
der Druckschrift
DE
10164494 A1 ist ein Bauelement bekannt, bei dem zwischen
einem Modulsubstrat und der Chipunterseite ein Metallrahmen vorgesehen
ist. Dieser Rahmen ist mit dem Modulsubstrat fest verbunden und
dient als Abstandhalter für
den Chip, ohne jedoch mit der Chipunterseite fest verbunden zu sein.
Aus dieser Druckschrift ist es weder bekannt noch wird es durch
sie nahe gelegt, über einen
solchen Rahmen die Oberflächen
des Modulsubstrats und des Chips fest miteinander zu verbinden.
Um den Chip auf dem Modulsubstrat zu befestigen, muss die Seitenfläche des
Chips metallisiert und mit dem Metallrahmen durch einen zusätzlich aufzubringenden
Lotrahmen fest verbunden werden. Die Erfindung hat gegenüber einem
solchen Bauelement den Vorteil, dass weder eine Metallisierung der
Seitenfläche
des Chips noch ein zusätzlicher
Lotrahmen erforderlich ist.
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Ein
erfindungsgemäßes Bauelement
kann beispielsweise im folgenden Verfahren hergesellt werden:
- a) ein erster Wafer wird bereitgestellt, der
eine Vielzahl von Bauelementbereichen aufweist, wobei in jedem Bauelementbereich
Einbauplätze
in Form von Verbindungsrahmen für
Chips vorgesehen sind,
- b) einzelne Chips (Bare Die Komponenten) werden bereitgestellt,
indem z. B. zumindest ein zweiter Wafer in einzelne Chips vereinzelt
wird,
- c) der erste Wafer wird mit den Chips so bestückt, dass
im Bereich der Einbauplätze
geschlossene Hohlräume
zwischen dem ersten Wafer und jedem Chip gebildet werden,
- d) die Chips werden mit dem ersten Wafer elektrisch und mechanisch
fest verbunden,
- e) die so in den Bauelementbereichen erzeugten Bauelemente werden
vereinzelt.
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Erfindungsgemäß wird die
Verkapselung empfindlicher Bauelementstrukturen alleine durch die
Verbindung des als Wafer vorhandenen Modulssubstrats mit den vereinzelten
und nicht gehäusten Chips
erzielt. Bei dieser neuartigen Verkapselung entfällt die Notwendigkeit einer
zusätzlichen
Häusung
der Chips zur Beschaffung eines geschlossenen Hohlraums für offen
liegende Bauelementstrukturen. Durch den Verzicht auf ein eigenes
Gehäuse für das zu
bestückende
Bauteil fallen die entsprechenden Häusungskosten weg.
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Die
Gesamtausbeute bei einer Modulherstellung mittels der erfindungsgemäßen Bare
Die Bestückung
ergibt sich – im
Gegensatz zu Bauelementen mit monolithischer Integration – nicht
als Produkt der Ausbeuten der einzelnen Prozesssequenzen zur Realisierung
der einzelnen Funktionseinheiten bzw. Schaltungen auf dem Wafer,
sondern aus den Ausbeuten, die sich bei der Chipherstellung und
der Verbindung des Chips mit dem Modulsubstrat ergeben. Dabei können die
Chips vor Bestückung getestet
und die fehlerhaften Chips aussortiert werden. Man kann daher mit
einem erfindungsgemäßen Verfahren
eine hohe Ausbeute erzielen.
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Hauptvorteile
dieses Verfahrens sind also geringe Häusungskosten, eine geringe
Modulhöhe und
eine hohe Ausbeute.
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Der
erste Wafer ist vorzugsweise ein Si-Wafer. Der erste Wafer kann
auch ein Wafer sein, der nur Teilbereiche aus Si aufweist. Er kann
auch teilweise oder vollständig
aus Keramik bestehen.
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Die
Einbauplätze
werden vorzugsweise in Form von Vertiefungen auf der Oberseite des
Modulsubstrats ausgebildet, wobei die Chips direkt auf die diese
Vertiefungen umlaufenden Kontaktbereiche des Modulsubstrats bestückt und
fest mit diesen verbunden werden. Die mechanische Verbindung zwischen
dem Chip und dem Modulsubstrat kann in diesem Fall mittels Waferbonding,
z. B. Anodic Surface Bonding, Direct Surface Bonding, Surface-activated Bonding
erfolgen.
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Möglich ist
aber auch, zwischen dem um die Vertiefung angeordneten und mit dem
Chip zu verbindenden Kontaktbereich des Modulsubstrats und dem ihm
gegenüberliegenden
Kontaktbereich des Chipsubstrats eine Verbindungsschicht bzw. einen
Verbindungsrahmen einzufügen.
Der Verbindungsrahmen verbindet die Chipunterseite mit der Oberfläche des
Substrats und sorgt für
die Abdichtung des geschlossenen Hohlraums.
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In
einer Variante können
auf der Oberseite des Modulsubstrats Verbindungsrahmen ausgebildet werden,
welche jeweils eine Vertiefung des Modulsubstrats umlaufen und mit
jeweils einem Chip bestückt
werden. Bei der Verwendung eines Verbindungsrahmens kann ein Hohlraum
nach der Bestückung
auch ohne zusätzliche
Vertiefung im Modulsubstrat entstehen. Anschließend werden die Verbindungsrahmen
mechanisch fest mit dem Rand bereich der Chips verbunden, wobei geschlossene
Hohlräume
entstehen.
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Alternativ
ist es möglich,
die Einbauplätze
in Form von Verbindungsrahmen ohne zusätzliche Vertiefungen auf der
Oberseite des Modulsubstrats auszubilden bzw. anzubringen. Die Verbindungsrahmen werden
auf der Unterseite bzw. auf der die zu häusenden Bauelementstrukturen
tragenden Seite des zweiten Wafers bzw. im Randbereich der Chips
ausgebildet, wobei der zweite Wafer danach in Chips vereinzelt wird.
Das Modulsubstrat wird mit Chips so bestückt, dass die Verbindungsrahmen
zur Oberseite des Modulsubstrats weisen. Anschließend werden die
Verbindungsrahmen mit der Oberfläche
des Modulsubstrats mechanisch fest verbunden, wobei geschlossene
Hohlräume
entstehen.
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In
einer Variante der Erfindung ist der Verbindungsrahmen aus einem
elektrisch isolierenden Material, z. B. Glasfritte, Siliziumoxid
oder Klebematerial ausgewählt.
In einer anderen Variante ist der Verbindungsrahmen aus Metall bzw.
Lot, wobei diese Schicht dann z. B. durch eutektisches Bonden oder Thermokompression
mechanisch fest mit der Oberfläche
des Chipsubstrats einerseits und mit der Oberfläche des Modulsubstrats andererseits
verbunden werden kann. Vorzugsweise wird auf der Oberseite des Modulsubstrats
um die Vertiefung eine erste Metallstruktur durch Beschichtung der
Substratoberfläche
erzeugt. Diese Metallstruktur umgrenzt die Vertiefung allseitig
und dient als Unterlage für
einen Verbindungsrahmen aus Lot. Auf der Unterseite des Chipsubstrats
wird zumindest im Randbereich eine entsprechende zweite Metallstruktur
erzeugt, die bei der Bestückung
des Chips der ersten Metallstruktur bzw. dem Lotrahmen gegenüberliegt.
Der Lotrahmen wird über
seine Schmelztemperatur erhitzt und verbindet dabei das Chipsubstrat
und das Modulsubstrat.
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Die
Vertiefung im Modulsubstrat ist vorzugsweise – wie in 1c angedeutet – stufenförmig ausgebildet,
wobei in einer ersten Vertiefung, welche den ganzen Chip aufnehmen
kann, eine zweite gegenüber
der ersten Vertiefung bodenflächenmäßig kleinere
Vertiefung ausgebildet ist. Die Bodenfläche der zweiten Vertiefung
ist außerdem
kleiner als die Chipgrundfläche,
so dass der Chip in der ersten Vertiefung auf einer durch die zweite
Vertiefung gebildeten Stufe aufliegt.
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Die
Bodenfläche
der ersten Vertiefung kann auch größer als die Grundfläche des
Chips ausgebildet sein. Die Zwischenräume können dann mit einer Vergussmasse
verschlossen werden.
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Wenn
die Höhe
des Chips die Tiefe der ersten Vertiefung überschreitet, wird die Oberseite
des Bauelements vorzugsweise planarisiert, wobei ein Teil des Chipsubstrats
von der Rückseite
her z. B. mittels Chemical Mechanical Polishing oder mit einem Sandstrahl
abgetragen wird.
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Im
folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und der dazugehörigen Figuren
näher erläutert. Die
Figuren zeigen anhand schematischer und nicht maßstabsgetreuer Darstellungen verschiedene
Ausführungsbeispiele
der Erfindung. Gleiche oder gleich wirkende Teile sind mit gleichen Bezugszeichen
bezeichnet. Es zeigen im schematischen Querschnitt ausschnittsweise:
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1a ein
beispielhaftes Bare Die, bei dem die Verbindungsleitungen zwischen
den Bauelementstrukturen und den Anschlussflächen auf der Oberfläche des
Chipsubstrats angeordnet sind
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1b, 1c jeweils
ein erfindungsgemäßes Bauelement,
bei dem die Chips durch Direct Wafer Bonding mit dem Modulsubstrat
verbunden sind
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1d ein
erfindungsgemäßes Bauelement, bei
dem die Chips mit dem Modulsubstrat mittels eines Rahmens verbunden
sind
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1e, 1f, 1g jeweils
eine Variante des in 1d gezeigten Bauelements
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2a, 3a jeweils
ein beispielhaftes Bare Die, bei dem die Verbindungsleitungen zwischen
den Bauelementstrukturen und den Anschlussflächen im Chipsubstrat verborgen
sind
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2b ein
erfindungsgemäßes Bauelement mit
einem Bare Die gemäß 2a,
wobei die Chips durch Direct Wafer Bonding mit dem Modulsubstrat verbunden
sind
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2c, 2d jeweils
ein erfindungsgemäßes Bauelement
mit einem Bare Die gemäß 2a, wobei
die Chips mit dem Modulsubstrat mittels eines Rahmens verbunden
sind
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3b jeweils
ein erfindungsgemäßes Bauelement
mit einem Bare Die gemäß 3a
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Erstes Ausführungsbeispiel
(1a bis 1d)
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Ein
Chip, der als ungehäustes
Bauteil (auf Englisch Bare Die) für die weitere Verbindung mit
einem Modulsubstrat bereitgestellt wird, umfasst ein Chipsubstrat
mit Bauelementstrukturen, die vorzugsweise eine Filterschaltung
realisieren. 1a zeigt im schematischen Querschnitt
ein beispielhaftes Bare Die BD mit einem vereinfacht gezeichneten akustischen
Volumenwellenresonator als Bauelementstruktur BS. Dieser Resonator
ist in Dünnschichttechnologie
auf einem Chipsubstrat DS aufgebaut und besteht im Wesentlichen
aus zwei Resonator-Elektroden E1, E2 und einer dazwischen angeordneten
piezoelektrischen Schicht PS. Der akustisch aktive Bereich des Resonators
wird durch den Überlappbereich
der beiden Elektroden E1 und E2 definiert. Die Elektrode E1 ist
elektrisch mit einer Anschlussfläche
E3 verbunden. Die Elektrode E2 ist elektrisch mit einer Anschlussfläche E4 verbunden. Die
Verbindungsleitungen zwischen den Elektroden und den Anschlussflächen liegen
in diesem Fall auf der Oberfläche
des Chipsubstrats DS.
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Die
auf der Oberfläche
des Chipsubstrats offen liegenden Bauelementstrukturen können auch mit
akustischen Oberflächenwellen
arbeitende Wandler, passive und/oder aktive bzw. nichtlineare elektronische
Komponenten enthalten.
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1b zeigt
ausschnittsweise ein erfindungsgemäßes Bauelement mit einem Modulsubstrat
MS und einem darauf bestückten
Bare Die BD gemäß 1a.
Der Bare Die umfasst einen Volumenwellenresonator. Das erfindungsgemäße Bauelement
enthält
darüber
hinaus zumindest einen weiteren auf der Oberseite des Modulsubstrats
MS angeordneten Chip oder einen weiteren Bare Die, die in den Figuren
nicht gezeigt sind.
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Die
Anschlussflächen
E3, E4 des Bare Dies sind elektrisch mit den Kontaktflächen E5,
E6 des Modulsubstrats MS mittels Bumps BU verbunden. Der Bare Die
BD ist mit dem Modulsubstrat MS mittels Direct-Wafer-Bonding-Verfahren
mechanisch fest verbunden, so dass im Kontaktbereich KO zwischen
dem Modulsubstrat MS und dem Chipsubstrat DS eine mechanisch stabile
und abdichtende Verbindung hergestellt wird.
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Die
Verbindung des Bauelements mit einer externen Leiterplatte erfolgt über die
an der Unterseite des Modulsubstrats angeordneten Außenkontakte E7,
E8.
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Das
Modulsubstrat MS ist in dieser Variante der Erfindung mehrlagig
ausgebildet und weist zumindest eine im Substrat innen liegende
strukturierte Metalllage ML auf.
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Das
Modulsubstrat MS weist Verbindungsleitungen und integrierte elektronische
Komponenten auf, die in den Metalllagen ML ausgebildet sind, wobei
jede innen liegende Metalllage ML z. B. zwischen zwei halbleitenden
Schichten – Si-Schichten – angeordnet
ist. Die halbleitenden Schichten sind vorzugsweise hochohmig. Möglich ist
auch, dass diese Schichten mehrlagig sind und neben einer oder mehreren
Si-Teilschichten weitere, vorzugsweise elektrisch nicht leitende
Teilschichten z. B. aus SiO2 enthalten.
Die nicht leitenden Teilschichten sind im Schichtverbund vorzugsweise
die Außenschichten.
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Die
im Modulsubstrat oder Chipsubstrat integrierten Komponenten können passive – z. B.
Spule, Kondensator, Widerstand, Streifen- oder Triplate-Leitung,
Transformer – oder
nichtlineare bzw. aktive – z.B.
Diode, Schalter, Transistor – Schaltungselemente
sein. Die passiven Komponenten sind vorzugsweise als Leiterbahnen
realisiert.
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Die
zum Modulsubstrat gewandte Oberfläche des Chipsubstrats hat hier
eine größere Fläche als
die Bodenfläche
innerhalb der auf der Oberseite des Modulsubstrats gebildeten Vertiefung.
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Die
beiden Substrate werden so miteinander verbunden, dass im Bereich
der Bauelementstrukturen, also zumindest zwischen dem akustisch
aktiven Resonatorbereich und dem Modulsubstrat MS, ein Hohlraum
HR bzw. ein Luftspalt zwischen den empfindlichen Bauelementstrukturen
und dem Modulsubstrat verbleibt. Die Bumps können vor dem Aufsetzen des
Bare Dies wahlweise entweder auf den Anschlussflächen E3, E4 des Bare Dies oder
auf den Kontaktflächen
E5, E6 des Modulsubstrats MS aufgebracht werden.
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Das
erfindungsgemäße Bauelement
ist in dieser Variante zur Oberflächenmontage (Surface Mounted
Design) geeignet. Die Kontaktflächen
E5, E6 und die Außenkontakte
E7, E8 sind elektrisch über
die im Modulsubstrat angeordneten Verbindungsleitungen, Durchkontaktierungen
DK und gegebenenfalls über
die verborgenen integrierten elektronischen Komponenten miteinander
verbunden.
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Idealerweise
wird sowohl für
das Chipsubstrat als auch für
das Modulsubstrat ein identisches Material – z. B. Silizium – verwendet,
um an der Kontaktstelle der beiden Substrate Verspannungen aufgrund
unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten zu minimieren.
Bei mehrlagig ausgebildeten Substraten ist es von Vorteil, dass
zumindest die zueinander gewandten Schichten aus dem gleichen Material
und insbesondere aus Si sind.
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Si
als Modulsubstrat bietet darüber
hinaus den Vorteil großer
verfügbarer
Waferdurchmesser, so dass aus jedem Wafer eine hohe Anzahl von Bauelementen
erhalten werden kann. Silizium hat außerdem den Vorteil, dass für dieses
Material bewährte Dünnschichtprozesse
mit einer hohen lateralen Genauigkeit zur Realisierung leistungsfähiger Bauteile auch
oberhalb von 10GHz sowie bewährte
Dünnungsverfahren
für die
Wafer zur Erzielung geringer Bauteilhöhen existieren.
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Es
können
aber auch andere Materialien für Modulsubstrate
verwendet werden, z.B. Mehrlagenkeramik (z.B. LTCC: low temperature
co-fired ceramic) oder mehrlagige organische Substrate (z.B. FR4)
mit integrierten und/oder eingebetteten elektronischen Komponenten.
Je nach verwendeten Materialien sind für das Wafer-Bonding-Verfahren
unterschiedliche Maßnahmen
zur Vorbereitung des als Kontaktfläche vorgesehenen Oberflächenbereichs des
Chipsubstrats und/oder des Modulsubstrats erforderlich, z.B. Oberflächenbeschichtung
mit einem geeigneten Material (z.B. Harz, SiO2,
organische oder anorganische Kleber, Metall/Lot), Oberflächenaktivierung
durch physikalische und/oder chemische Behandlungen (z.B. Naß- oder
Trockenätzverfahren, Plasmabehandlung,
Benetzung der Oberfläche
mit Chemikalien), Polierschritte zur Erzeugung planarer Kontaktflächen wie
z.B. Chemical Mechanical Polishing.
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1c zeigt
eine vorteilhafte Weiterbildung der in 1b vorgestellten
Variante der Erfindung. Hier ist die zur Aufnahme der Bauelementstrukturen dienende
Vertiefung in einer weiteren Vertiefung ausgebildet, welche zur
Aufnahme des Chipsubstrats DS dient. Das Chipsubstrat DS liegt auf
einer durch die Verschachtelung der Vertiefungen gebildeten Stufe auf.
Im Kontaktbereich KO sind die Substrate DS und MS so miteinander
verbunden, dass ein geschlossener und vorzugsweise hermetisch dichter
Hohlraum HR entsteht.
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Eine
stufenförmig
ausgebildete Vertiefung im Modulsubstrat MS hat den Vorteil, dass
dadurch auf der Oberseite des Bauelements nach dem Aufsetzen des
Bare Dies bzw. nach einem entsprechenden Planarisierungsprozeß eine planare
Oberfläche
erzielt werden kann.
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1d zeigt
eine alternative Anordnung des Bare Dies auf dem Modulsubstrat MS.
Die Verbindung zwischen den Anschlussflächen E3, E4 des Chipsubstrats
und den Kontaktflächen
E5, E6 des Modulsubstrats erfolgt in diesem Fall ohne Bumps. Die
Anschluss- bzw. Kontaktflächen
enthalten ein solches Material oder eine dünne Schicht aus einem solchen
Material, das z.B. unter einer thermischen Einwirkung mit einer
Metalloberfläche
eine starke Bindung bildet, z. B. Lot.
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Die
Verbindung zwischen dem Modulsubstrat und dem Bare Die wird in diesem
Ausführungsbeispiel
durch einen Dichtungsrahmen DR (Verbindungsrahmen) hergestellt,
der aus einem geeigneten Material besteht.
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Der
Dichtungsrahmen kann ein Metallrahmen sein, der auf der Oberfläche des
Modulsubstrats oder des Chipsubstrats z. B. in einem Abscheideverfahren
aufgetragen wurde. Möglich
ist aber auch, dass der Metallrahmen mittels einer Lötverbindung mit
einer auf der entsprechenden Substratoberfläche vorgesehenen Metallstruktur
verbunden wird, welche die Bauelementstrukturen allseitig umgibt.
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Der
Dichtungsrahmen kann ein Lotrahmen sein, der nicht direkt auf die
Substratoberfläche,
sondern auf eine Metallbeschichtung aufgebracht wird, welche auf
der Substratoberfläche
im unter diesem Rahmen liegenden Bereich vorgesehen ist.
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Der
Dichtungsrahmen kann in einer anderen Variante aus einem elektrisch
isolierenden Material sein. Der Dichtungsrahmen DR kann z.B. ein
Vergußmaterial
wie Harz oder ein anderes Material mit adhesiven Eigenschaften sein.
Möglich
ist auch, den Dichtungsrahmen aus organischem oder anorganischem Kleber
zu wählen.
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Auch
in diesem Ausführungsbeispiel
ergibt sich ein Hohlraum bzw. ein Luftspalt zwischen dem aktiven
Resonatorbereich bzw. den empfindlichen Bauelementstrukturen und
der Oberfläche
des Modulsubstrats MS. Der geschlossene Hohlraum ist hier zwischen
dem Modulsubstrat, dem Chipsubstrat und dem Dichtungsrahmen DR gebildet.
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In
dem in 1d gezeigten Ausführungsbeispiel
sind die Kontaktflächen
E5, E6 auf der Oberseite des Modulsubstrats MS außerhalb
der im Modulsubstrat vorgesehenen Vertiefung angeordnet. Die Kontaktflächen E5,
E6 sowie die Anschlussflächen E3,
E4 liegen aber vorzugsweise im geschlossenen Hohlraum.
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Möglich ist
es auch, dass die Kontaktflächen E5,
E6 in der Vertiefung des Modulsubstrats angeordnet sind. Zwischen
den Anschlussflächen
E3, E4 und den Kontaktflächen
E5 bzw. E6 bestehen dann Bumpverbindungen, wobei gleichzeitig zwischen dem
Modulsubstrat MS und dem Bare Die ein Dichtungsrahmen verwendet
wird.
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In
dem in 1d gezeigten Ausführungsbeispiel
befinden sich die Außenkontakte
E7, E8 des Bauelements auf der Oberseite des Modulsubstrats außerhalb
der vom Chipsubstrat bedeckten Fläche. Über diese Außenkontakte
kann z. B, vermittels Bonddrähte
die elektrische Verbindung des Bauelements zu einer externen Leiterplatte
hergestellt werden.
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Die
Kontakte E7, E8 können
in diesem Ausführungsbeispiel
auch zur Kontaktierung von weiteren (vorzugsweise gehäusten) Chips
desselben Moduls verwendet werden. Verbindungen zwischen verschiedenen
auf dem Modulsubstrat angeordneten Modul-Bausteinen können auch über eine – im Modulsubstrat verborgene – Verbindungsleitung
hergestellt werden. Die Realisierung von Verbindungsleitungen bzw.
Außenkontakten
ist in einer anderen Variante auch auf der Unterseite des Modulsubstrats
mit entsprechenden Durchführungen
möglich,
vgl. 1b.
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In 1e ist
eine weitere vorteilhafte Variante der Erfindung gezeigt, bei der
auf dem Modulsubstrat MS mit einer ebenen Oberfläche bzw. ohne Vertiefungen
mehrere Chips BD, BD1 mittels eines Dichtungsrahmens DR befestigt
sind. Der Dichtungsrahmen DR dient hier als Distanzelement zwischen
dem Modulsubstrat und dem Chip und verbindet mechanisch fest den
Randbereich des Chips und den Kontaktbereich des Modulsubstrats,
so dass ein geschlossener Hohlraum HR entsteht. In diesem Beispiel
ist eine Vertiefung zur Aufnahme von Bauelementstrukturen nicht
wie in 1d im Modulsubstrat MS selbst
ausgebildet, sondern durch den Dichtungsrahmen und die von ihm umschlossene,
ihm gegenüber
tiefer liegende, ebene Oberfläche
des Modulsubstrats definiert. Der Dichtungsrahmen DR weist dabei
eine zur Aufnahme von Bauelementstrukturen ausreichende Höhe auf.
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In 1e ist
angedeutet, dass der zweite Chip BD1 eine mit Oberflächenwellen
arbeitenden Bauelementstruktur BS1 aufweist. In der Metalllage ML
des Modulsubstrats ist eine integrierte Komponente IE ausgebildet.
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Eine
einem Dichtungsrahmen ähnliche Struktur
kann in einer weiteren in 1f gezeigten Variante
im Randbereich des Chipsubstrats DS ausgebildet werden, indem auf
der Chipunterseite im Bereich der Bauelementstrukturen bzw. außerhalb
des Randbereichs eine Vertiefung vorgesehen wird.
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Alternativ
ist es möglich,
einen Verbindungsrahmen wie in 1g angedeutet
durch Strukturierung der Oberseite des Modulsubstrats MS zu erzeugen.
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Weitere
Varianten zur Bildung eines Rahmens sind in Kombination mit den
in der Druckschrift
DE
10164494 A1 vorgestellten Ausführungen
1 bis
11 möglich,
auf die hier ein vollinhaltlicher Bezug genommen wird.
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Zweites Ausführungsbeispiel
(2a bis 2d)
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2a zeigt
im schematischen Querschnitt einen in Dünnschichttechnologie ausgeführten Volumenwellenresonators,
welcher sich auf einem Chipsubstrat DS mit integrierten elektronischen
Schaltungselementen befindet. Die Resonator-Elektroden E1, E2 sind über die
im Chipsubstrat DS verborgenen elektronischen Schaltungskomponenten
und elektrische Verbindungen mit den Anschlussflächen E3, E4 des Bare Dies verbunden.
Die integrierten Schaltungskomponenten sind z. B. in strukturierten
Metallisierungsebenen ME, ME1 ausgebildet.
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Die
Metallisierungsebenen ME, ME1 sind zwischen zwei dielektrischen
Schichten angeordnet.
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Analog
zu 1b wird im in 2b dargestellten
Ausführungsbeispiel
der Bare Die BD mittels Waferbonding-Verfahren im Kontaktbereich KO mit dem
Modulsubstrat MS verbunden, welches vorzugsweise integrierte elektronische
Schaltungselemente beinhaltet. Auch in diesem Fall ergibt sich wieder
ein Hohlraum bzw. ein Luftspalt zwischen dem aktiven Resonatorbereich
und der Oberfläche
des Modulsubstrats, wobei Bumps die Anschlussflächen E3, E4 mit den Kontaktflächen E5,
E6 verbinden. Die Anschlusspads E7 und E8 befinden sich wie in 1b auf
der Unterseite des Modulsubstrats.
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2c zeigt
ein weiteres erfindungsgemäßes Bauelement
mit der Anordnung, die im Wesentlichen 1d entspricht,
unter Verwendung eines Bare Dies gemäß 2a. Die
Anschlussflächen
E3, E4 des Chipsubstrats DS sind elektrisch direkt und ohne Bumps
mit den entsprechenden Kontaktflächen E5,
E6 des Modulsubstrats MS verbunden. Durch den Dichtungsrahmen DR,
das Chipsubstrat und das Modulsubstrat ist ein geschlossener Hohlraum
gebildet, wobei die elektrische Verbindunng der beiden Substrate
DS und MS in diesem Hohlraum erfolgt. Die Anschlusspads E7, E8 befinden
sich auf der Unterseite des Modulsubstrats.
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In 2d beinhaltet
das Modulsubstrat MS zumindest im dargestellten Bereich keine integrierten elektronischen
Bauteile, die Kontaktflächen
E5, E6 auf dem Modulsubstrats MS können entweder zur Verbindung
des Bauelements mit einer externen Leiterplatte dienen oder Teile
einer Verbindungsleitung zu weiteren hier nicht gezeigten Chips
oder Bare Dies dieses Bauelements darstellen.
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Die
Anschlussflächen
E3, E4 und die entsprechenden Kontaktflächen E5, E6 sind in diesem Beispiel
außerhalb
des geschlossenen Hohlraums HR angeordnet, wobei die Anschlussflächen des Chipsubstrats
den Kontaktflächen
des Modulsubstrats direkt gegenüber
liegen.
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In
einer Variante des in 2d vorgestellten Ausführungsbeispiels
ist es möglich,
die Kontaktflächen
E5 und E6 des Modulsubstrats in der Substrat-Vertiefung anzuordnen
und die elektrische Verbindung zwischen den Anschlussflächen E3,
E4 und den Kontaktflächen
E5 bzw. E6 mittels Bumps herzustellen.
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Drittes Ausführungsbeispiel
(3a bis 3d)
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3a stellt
einen Bare Die mit einem in Dünnschichttechnologie
ausgeführten
Volumenwellenresonator, der auf dem Chipsubstrat DS angeordnet ist.
Das Chipsubstrat DS enthält
integrierte elektronische Schaltungen, die elektrisch mit dem Resonator
verbunden sind. Die Anschlussflächen
E3 und E4 liegen in dieser Variante auf der den Resonator-Elektroden
E1, E2 gegenüber
liegenden Oberfläche
des Chipsubstrats DS.
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3b zeigt
ein erfindungsgemäßes Bauelement
mit einem Bare Die gemäß 3a,
der auf einem Modulsubstrat MS mit integrierten elektronischen Schaltungskomponenten
angeordnet ist. Die Kontaktflächen
E5, E6 sind auf der Oberseite und die Außenkontakte E7, E8 auf der
Unterseite des Modulsubstrats MS angeordnet.
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Die
elektrische Verbindung zwischen den Anschlussflächen E3, E4 und den entsprechenden Kontaktflächen E5,
E6 erfolgt über
Verbindungsleitungen VL, die am Rand des Chipsubstrats DS entlang
geführt
sind. Für
eine ausreichende Kantenbedeckung der Seitenfläche des Chipsubstrats kann hier
ein gegenüber
90° abgeflachter
Kantenwinkel vorteilhaft sein, der z.B. über ein geeignetes Sägeverfahren
beim Vereinzeln der Dies erreicht werden kann.
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Im
Gegensatz zu 3b erfolgt in der in 3c vorgestellten
Variante die Verbindung zwischen den Anschlussflächen E3, E4 und den Kontaktflächen E5
bzw. E6 über
Bonddrähte
BO.
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Das
Modulsubstrat MS in 3d beinhaltet zumindest im dargestellten
Bereich keine integrierten elektronischen Bauteile. Bonddrähte BO verbinden ebenfalls
die Anschlussflächen
E3, E4 und die Kontaktflächen
E5, E6. Die weitere Verbindung des dargestellten Bereichs des Bauelements
zu weiteren (nicht dargestellten) Bauelement-Bereichen oder zu einer
externen Leiterplatte kann über
die Kontaktflächen
E5 und E6 erfolgen.
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In
allen gezeigten Ausführungsbeispielen entsteht
nach dem Verbinden von Modulsubstrat und Bare Die ein gegenüber Umwelteinflüssen geschützter, bei
entsprechender Auswahl der Verbindungstechnologie sogar hermetisch
gegenüber
der Umwelt abgedichteter Bereich mit einem Hohlraum bzw. Luftspalt
zwischen aktiver Resonatorfläche
und der Oberfläche
des Modulsubstrats.
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Die
Erfindung beschränkt
sich nicht auf die in den Figuren vorgestellten Ausführungsbeispiele,
die Form, die Funktion oder die Anzahl der darin schematisch dargestellten
Elemente.
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Bei
einem erfindungsgemäßen Modul
können
die Chips mit einer Schutzkappe bedeckt sein, die mit der Oberseite
des Modulsubstrats abschließt. Die
Schutzkappe kann einen zusätzlichen
Hohlraum bilden, in dem mehrere Chips gemeinsam angeordnet sind.
Möglich
ist aber auch, dass in der Schutzkappe für jeweils einen Chip eine entsprechende
Vertiefung vorgesehen ist. Möglich
ist es auch, dass im Modul die Chips mit einer Vergussmasse vergossen sind.
Diese zusätzlichen
Verkapselungselemente und Abdichtungen werden jedoch nicht zum Schutz offen
liegender Bauelementstrukturen des Chips, sondern zum Schutz des
Chips als Ganzes verwendet.
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Sowohl
das Modulsubstrat als auch das Chipsubstrat können mehrlagig ausgebildet
sein und mehrere dielektrische Schichten enthalten. Die dielektrischen
Schichten können
aus einem keramischen oder organischen Material, z. B. Polymer sein.