DE1018554B - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, in der eine halbleitende Oberflaechenschicht der p-Leitungsart vorkommt - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, in der eine halbleitende Oberflaechenschicht der p-Leitungsart vorkommt

Info

Publication number
DE1018554B
DE1018554B DEN8842A DEN0008842A DE1018554B DE 1018554 B DE1018554 B DE 1018554B DE N8842 A DEN8842 A DE N8842A DE N0008842 A DEN0008842 A DE N0008842A DE 1018554 B DE1018554 B DE 1018554B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconducting
type
layer
type conduction
surface layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN8842A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Hendricus Gerardus Kock
Pieter Johannes Wilhel Jochems
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1018554B publication Critical patent/DE1018554B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P95/00—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P50/613—

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Weting (AREA)
DEN8842A 1953-05-07 1954-05-03 Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, in der eine halbleitende Oberflaechenschicht der p-Leitungsart vorkommt Pending DE1018554B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1099887X 1953-05-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1018554B true DE1018554B (de) 1957-10-31

Family

ID=19869115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN8842A Pending DE1018554B (de) 1953-05-07 1954-05-03 Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, in der eine halbleitende Oberflaechenschicht der p-Leitungsart vorkommt

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE1018554B (cg-RX-API-DMAC10.html)
FR (1) FR1099887A (cg-RX-API-DMAC10.html)
NL (2) NL102310C (cg-RX-API-DMAC10.html)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1118362B (de) * 1958-07-17 1961-11-30 Siemens Edison Swan Ltd Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterflaechendiode mit geringer Kapazitaet
DE1144403B (de) * 1959-05-13 1963-02-28 Ass Elect Ind Leistungstransistor

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE554033A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1956-01-09
US3157937A (en) * 1960-09-30 1964-11-24 Honeywell Inc Method of making a semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1118362B (de) * 1958-07-17 1961-11-30 Siemens Edison Swan Ltd Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterflaechendiode mit geringer Kapazitaet
DE1144403B (de) * 1959-05-13 1963-02-28 Ass Elect Ind Leistungstransistor

Also Published As

Publication number Publication date
NL102310C (cg-RX-API-DMAC10.html)
FR1099887A (fr) 1955-09-12
NL178164C (nl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112006000175B4 (de) Graben Schottky-Sperrschichtdiode mit unterschiedlicher Oxiddicke und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1614283C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1146982B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterzonen mit genauer Dicke zwischen flaechenhaften PN-UEbergaengen in einkristallinen Halbleiterkoerpern von Halbleiterbauelementen,insbesondere von Dreizonentransistoren
DE4126955C2 (de) Verfahren zum Herstellen von elektrolumineszenten Siliziumstrukturen
DE1514842B2 (de) Transistor mit einer auf einem einkristallinen halbleitertraegerkoerper aufgebrachten epitaktischen halbleiterschicht
DE1018554B (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, in der eine halbleitende Oberflaechenschicht der p-Leitungsart vorkommt
DE1489250A1 (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3851175T2 (de) Bipolartransistor mit Heteroübergängen.
DE1293900B (de) Feldeffekt-Halbleiterbauelement
DE102016110523B4 (de) Verarbeiten einer Leistungshalbleitervorrichtung
DE112013006649T5 (de) Halbleitereinrichtung und Herstellungsverfahren derselben
DE1489193C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1171534B (de) Flaechen-Vierzonentransistor mit einer Stromverstaerkung groesser als eins, insbesondere fuer Schaltzwecke
DE1439674C3 (de) Steuerbares und schaltbares pn-Halbleiterbauelement für große elektrische Leistungen
DE1126513B (de) Verfahren zur Bearbeitung von Halbleiteranordnungen
DE1227562B (de) Verfahren zum Herstellen von Tunneldioden nach Esaki fuer hohe Frequenzen mit kleinerPN-UEbergangsflaeche und nach diesem Verfahren hergestellte Tunneldioden
DE1137078B (de) Halbleitervorrichtung mit mehreren stabilen Halbleiterelementen
DE1790173C3 (de) Verfahren zum Herstellen yon Paaren magnetfeldsteuerbarer Halbleiterbauelemente
DE1696084C (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit Hilfe selektiver elektrolytischer Ätzung
DE1103104B (de) Verfahren und Vorrichtung zur elektrolytischen Formierung eines Bandes aus filmbildendem Metall, insbesondere von Elektrodenfolien fuer Elektrolytkondensatoren
DE102009004559A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, insbesondere einer Solarzelle, auf Basis einer Halbleiterdünnschicht mit einem direkten Halbleitermaterial
DE1808666B2 (de) Halbleiterelement
EP0433476A1 (de) Thyristor mit Katodenkurzschlüssen
DE1105069B (de) AEtzverfahren eines pn-UEberganges bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung
AT247415B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen, insbesondere von Tunneldioden