DE1696084C - Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit Hilfe selektiver elektrolytischer Ätzung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit Hilfe selektiver elektrolytischer ÄtzungInfo
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Description
fläche bekommen kann, wodurch vei ^
des Elektrolytvorganges völlig ™m°™ swdse aus
Elektrolyt besteht in diesem baue: ν s sich
einer Fluor-Ionen enthaltenden Lösung
b dß ^ndere mit <Leser ^
wird die Halbleiterscheibe mit der Seite der Zone auf eine Unterstützungsfläche gelegt, die mit der
Schleiffläche einen geringen Schleifwinkel bildet. In
dieser Unterstützungsfläche sind vorzugsweise Off- einer Fluor-Ionen enthalten
nungen vorgesehen, durch die die Halbleiterscheibe 5 ergeben, daß '"f^ondere mit <Leser
auf der Unterstützungsfläche festgesogen wird. Da- passivierende Schicht aul-°"
bei wird der VorteU erreicht, daß die Scheibe infolge Z hchohmige
der Saugkraft wieder flachgezogen werden kann,
falls sie^B. durch vorhergehende Behandlungen etwas krummgezogen ist
Gemäß einer anderen Weiterbildung der Erfindung wird die verlaufende Dicke mit Hilfe eines Ätz-Vorganges
erzeugt, bei dem die Behandlung an den
am weitesten vom Anschluß liegenden Stellen langer grundmaterial vorzugsweise epitaxial au e
durchgeführt wird als an den näher zum Anschluß 1S Halbleitergrundmatenal aufgebracht wt.
liegenden Stellen. Dazu wird vorzugsweise der schräg z. B. bereits vorgeschlagen eine Zone au
zu ätzende plattenförmige Körper mit obenliegendem sulfid epitaxial auf eine ™J« Germanium-Anschluß
vertikal unter vertikalen Bewegungen, mit Germanium aufzubringen,^raur α Ätzvorgang
von unten nach oben abnehmender Ätzdauer, teil- substrat durch einen ^f^Sn kann dem
weise eingetaucht. Statt einer einmaligen allmäh- 20 entfernt wird Auch >n J°™*nJh der Erfindung
üchen Senkung in den Elektrolyten kann die Platte Substrat gemäß dem Verfahren nacnaer
auch nach dem Eintauchen allmählich aus dem eine verlaufende Dicke gegeben wcra
D Efi dd™Hände nige
passivierende Schicht aul-°" einleitendem
Zone aus hochohmigem n-iyp ouci g
Silicium erhalten werden ka?"·
Die Erfindung .st ^f^^^
und eine Zone aus gleichem Ha «g^
beschrankt, sondern ist auch bei <fmf?,bldtera
einer Zone aus verschiedenen Ha b^terg
materialien verwendbar, z. B.wodh grundmaterial vorzugsweise epitaxial au ein a
Halbleitergrundmatenal aufgebracht wt.
auf-
Fig ^^^ΐϊ^νϊ. Halb-
emanderfolgende .^en der »e^ J ^
leitennseln auf einem Träger, ausgeuc
Halbleiterscheibe; senkrechtem Schnitt
F. g4 zeigt schemaüs* η senkr dner
eine Vorrichtung zum elekiroiynsuici.
Halbleiterscheibe;
F i g. 5, 7 8 und 9 zeigen
Stadien der Herstellung von ££
f^'D'eül ^' teil-
F. g. Sctat« aus
auch nach dem Eintauchen allmählich as ne ve
Elektrolyten hochgezogen werden. Auch kann man Die Erfi ndungwird
beide Bearbeitungen abwechselnd durchführen, z.B. nungen dargestellter
nach einer periodischen Bewegung, so daß die Ge- 25 läutert. Es zeigen
schwindigkeit des Eintauchens und des Herauf- Fig. 1 Ws
Ziehens weniger kritisch ist und die Periodizität des
Eintauchens und des Heraufziehens die Dicke-
änderung bedingt. Ist einmal das gewünscht* Stärke-
profil erreicht, so wird mit untergetauchter Halb-
leiterplatte samt Anschluß weitergeätzt, wobei der
Elektrolyt die Zone zuerst an den am weitesten vom Anschluß liegenden Stellen erreicht.
Man kann vor der eigentlichen Entfernung des Stadien der Herstg
Substratnnterials durch den elektrolytischen Ätz- 35 aus einem scheibe"formiSen
vorgang das oben beschriebene Tauchverfahren zur Fig. 6 zeigt, te. weis e:in
ErzTelung eines sich ändernden Stärkeprofils auch m ht n
einem anderen Bad durchführen als das Elektrolyt-
bad, das zum endgültigen Entfernen des Substrats
verwendet wird. Dieses andere Bad kann im Prinzip ebenfalls ein chemisches Ätzbad sein. .
Die vorliegende Erfindung umfaßt auch die
Bildung von getrennten Zonenteilen ζ B. dadurch
daß in der betreffenden Zone zuvor Nuten geb.ldet
werden. Auch können in dieser Zone dadurch Trenn-
kanäle gebildet werden, daß an den Stellen de Trennkanäle eine Verunreinigung über die Tiefe der
Zone eindiffundiert wird, so daß in dieser eigenleitenden
oder hochohmigen η-leitenden Zone über
die Tiefe der Zone Bereiche des p-Typs bzw. niederohmigen
η-Typs gebildet werden, die beim elektrolyrischen
Ätzvorgang in Lösung gehen. Der Azvorgang,
insbesondere in der zweiten Phase, erfolgt vorzugsweise unter Vermeidung von Strahlung, die
photoleitende Effekte im Material der Zone erzeugen kann, z. B. im Dunkeln. Wie oben erwähnt, besteht
das zu verbleibende Zonematerial vorzugsweise aus einem eigenleitenden oder hochohmigen η-Typ-Material,
während das weggeätzte Substratmatena vorzugsweise aus einem p-Typ oder, wie in der 60 besteht.
deutschen Offenlegungsschrift 1 6% 092 beschrieben
egeben wcra
Hände nige ^
Dcibpi
Korpers.
45 M^tenals
dieses weiter Fig. 6 zg,
weise in Seitenansicht,
gen Abschleifen eines schei
weise in Seitenansicht,
gen Abschleifen eines schei
Schnitt durch eine n Typ-Silicium mit
he Widerstand des n-Typf
beträgt 0,007 Ohmcm. Der ^fiiinigen Einkristall aus
senkrecht zur Längsrichtung f die oberfläche
^^ abgeschUffen
rf der Kö in übUcher
*™S%obe\ eine Seite mit Aluminiumvorbehandelt
wod und ^
S? Wasserstoff gemischtem HCl ge-SS
S bei der zuletzt genannten
noo0 C erhitzt.
^3n sich bekannter Weise auf
s n chicht 2 epitaxial aufgebracht,
Wu P n siHdum
o« vQn Q5 ohmcm
^ Schicht 2 kann z.B. dadurch j Gasgemisch von Siliciumff
dem etwas Antimon-
durch
KnstaU
bis zuf
KnstaU
bis zuf
rührung mit dem Elektrolyten eine passivierte Ober- fortgesetzt,
halten wird. Durch Oxydation in feuchtem Sauerstoff bei einer Temperatur von 1100° C wird anschließend
eine Siliciumoxidhaut 4 gebildet, in der mit Hilfe eines geeigneten Pholo-Ätzvcrfahrens ein Netzwerk
von Kanälen 5 gebildet wird. Die Kanäle 5 haben eine Breite von 20 bis 50.// und teilen die Oxidhaut
in rechtwinklige Teile, z. B. viereckiger Form, deren Seiten etwa 350 // betragen. Anschließend wird der
Körper einer PhosphordifTusionsbehandlung unterworfen, wobei Trennbereiche 10 aus mit Phosphor
dotiertem Silicium mit niedrigem spezifischem Widersland gebildet werden (s. Fig. 2). Diese Trennbereiche
schließen an das n-Typ-Material mit niedrigem spezifischem Widerstand des ursprünglichen
Halbleiterkörper 1 an, wodurch die epitaxiale Schicht 2 in kleineren Zonen 11 geteilt wird, die aus
(lfm n-Typ-Material mit hohem spezifischem Widerstand
bestehen, wie es ursprünglich epitaxial aufgebracht war. Gegebenenfalls kann nun die als Maske
für die Phosphordiffusion verwendtie Oxidhaut 4 entfernt werden, z. B. mit einer Lösung, die durch
Mischung von 1 Volumteil konzentrierter HF-Lösung (50 Gewichtsprozent HF) mit 1 Volumteil Wasser
erhalten ist.
Der entstandene Halbleiterkörper wird nun mit der Seite 20 mittels eines geeigneten ätzbeständigen
und wasserabweisenden Kitts21, z.B. Kanadabalsam oder Kolophonium, auf einem Glasträger 22 befestigt,
wobei auch die ganze Glasoberfiäche bedeckt werden kann, z. B. mit Paraffin.
Mit Hilfe einer aus Polymethylmetacrylat bestehenden Klemme 30 wird dann ein Platinanschluß
31 gegen die Seite 3 an einer Stelle 32 geklemmt, die beim Rand des scheibenförmiiien Körpers liegt
(s. Fig. 4).
Der Siliciumkörper wird darauf einer selektiven clektrolytischen Ätzbehandlung unterworfen. Dabei
wird ein oben offener, aus Polyäthylen bestehender Behälter 36 verwendet, der eine Elektrolytflüssigkeit
37 enthält, die aus einer verdünnten wäßrigen HF-Lösung besteht, welche durch Mischung von
1 Volumteil konzentrierter Fluorwasserstoffsäure (50 Gewichtsprozent) mit 10 Volumteilen Wasser
hergestellt ist. Mittels eines nicht dargestellten Rührers kann für einen guten Umlauf des Elektrolyten
gesorgt werden. Im Bad ist noch eine Platinelcktrode 40 angebracht, die aus Platingaze viereckiger
Form mit einer Seite von 40 cm besteht und an einem Platinstiel befestigt ist. der teilweise über
den Meniskus des Elektrolyten hinaasragt und mit dem die Elektrode elektrisch verbunden ist.
Der Halbleiterkörper 1 mit der Glasplatte und dem Platinkontakt mit federnder Klemme wird nan
in vertikaler Lage mit der Kontaktklemme 30 oben und mit der Seite 3 der Platinelektrode 40 zugewendet langsam in den Elektrolyten gesenkt, wobei zwischen dem Platinkontakt 31 and der als
Kathode dienenden Platinelektrode 40 eine Spannung von 12 V angelegt wird. Der horizontale Abstand
zwischen der Platinkaöiode 40 and der Halbleiteroberfläche beträgt etwa 2 cm. Die Geschwindigkeit
mit der der Halbleiterkörper 1 abgesenkt wird, beträgt 2 mm pro Min. Sobald der Platinkontakt 31
mit dem Elektrolyten in Kontakt kommt, wird der fibrige Teil des Halbleiters 5 sofort untergetaucht.
Der Behälter 36 wird dann in entern (nicht dargestellten) dankten Raum untergebracht, am photoleitende Effekte, die hochohnnges n-Typ-Material in
Lösung bringen könnten, zu verhüten. Die Ätzgeschwindigkeit beträgt etwa 2 μ pro Min. Durch
das allmähliche Eintauchen der Halbleiterscheibe ir die Flüssigkeit 37 wird erreicht, daß die Ätzwirkung
bei denjenigen Halbleiterteilen anfängt, die an" weitesten vom Platinkontakt 31 entfernt sind. Vor
der Seite 3 her wird dann das gut leitende n-Typ-Material weggeätzt. Da die dem Anschluß air
nächsten liegenden Teile der elektrolytischen Ätz-
ίο behandlung in einem späteren Zeitpunkt unterworfer
werden als die weiter vom Kontakt liegenden Teile wird beim Eintauchen des Kontaktes 31 ein Halb
leiterscheibenprofil erhalten, dessen Dicke sich vor der Anschlußstelle bis zum zuerst eingetauchter
Scheibenteil allmählich von 290 bis 270// ändert Auf diese Weise wird vermieden, daß während dei
weiteren Ätzbehandlnng durch vollständiges Durchätzen des Halbleitermaterials nahe am Kontakt 31
die elektrische Verbindung zwischen diesem Kontaki und weiter entfernt liegenden Teilen des gut leitenden
n-Typ-Materials, die noch nicht völlig ausgeätzi sein würden, unterbrochen wird.
Wenn durch das Wegätzen des n-Typ-Materiah des ursprünglichen Körpers 1 dt. Elektrolyt 27 mi
der epitaxialen Zone 2 in Kontakt kommt, wird die Ätzwirkung auf die durch Diffusion erhaltenen gui
leitenden Trennbereiche 10 beschränkt, während dii Teile 11 an der Seite des Elektrolyten von eine:
passivierenden Haut bedeckt werden, die weitere; Wegätzen des Materials praktisch verhütet. Wcnr
die Bereiche 10 durchgeätzl sind, erhält man von einander getrennte Teile 11 etwa viereckiger Forn
mit einer Länge und Breite von etwa 350 /< unc einer Dicke von etwa 10μ (s. Fig. 3).
Die erhaltenen viereckigen Körper können in ar sich bekannter Weise zu Halbleitervorrichtungen ver
arbeitet werden. Dazu kann man die Halbleitcrkörpei durch Lösen des Klebemittels vom Glassubstrat ent
fernen. z. B. im Falle der Verwendung von Kanada
baisam oder Kolophonium durch Lösen in Tetra
chlorkohlenstoff oder Chloroform. Obzwar die er haltencn Körper äußerst dünn sind, hat es sich her
ausgestellt, daß sie sich mit Hilfe von Saugpipettei noch gut hantieren lassen.
Statt eines Substrats aus n-Typ-Material ist aucl ein Substrat aus p-Typ-Material verwendbar, vor
zugsweise mit einem niedrigen spezifischen Wider stand, auf dem ein Material des η-Typs mit hohen
spezifischem Widerstand epitaxial aufgebracht wird
Weiterhin kann man die DifJusionsbehandlung fü die Bildung von Trennkanälen durch Durchätzen de
epitaxialen Schicht auch unterlassen, wobei nacl dem Ätzvorgang die epitaxiale Zone im ganzen auf
rechterhalten bleibt.
Ein monokristalfiner scheibenfönniger Silicium
körper 50 mit einem Durchmesser von 20 mm un< einer Dicke von 300 p and bestehend aas n-Typ
Silicium mh einem spezifischen Widerstand V01 0,005 Ohmcm, wird auf einer Sehe mit eine
epitaxialen Schicht 51 aas n-Typ-Sflicium mh einen
spezifischen Widerstand von 0,5 Ohmcm bedeck (s. Fig. 5). Die Dicke der Schicht beträgt 10μ.
6s Beabsichtigt wird, die moHokristallme epitaxial
Schicht 51 nach erfolgter Teilung in eitig isolierte Halbleiterinseln, die gemeinsam auf einen
Träger gebadet sind, for den Aufbau von Halb
leilcrvorrichtungen, insbesondere Halb'^
elementen, zu verwenden, d.e zur .B'Id""g'"2'
Schaltungen elektrisch ™temandc
den. Einer der Vorgange bei der »crstcUunt,
den. Einer der Vorgange bei der »crstcUunt,
die Entfernung auf elektrischem Wege vor
«enonimen. ,..;„. Substrat-
Die flachen Seiten ^s sche.bcnform gen Substra^
körpers 50 verlaufen praktisch parajlcl. Gemäß dc
vorliegenden Erfindung wird vo. dtr S«teM
das Material derart entfernt, daß emt flache *«e »
entsteht, die mit der ««prunglichcn Oberfl ac hes*
einen geringen Winkel von «V.0'™™"^?. ,3
3,5 Min.) einschließt. Dazu wird von «ncm Sthtot_ ,a
verfahren Gebrauch gemacht, wie es im nacnloigen
dcn beschrieben wird.
lifb
lifb
wegt, wobei die Siliciumplalte 50 infolge des Ei gen-I^
des HaUcrs 60 auf die Glasplatte 70 druckt.
Der Schleifvorgang wird forlgesetzt, bis das Substrat-,
„ ^1 ^ zur Flache 55 abgeschliffen.«
p. g daß djc Schdbe bdm dünnstcn Tel cmc
n beschrieben wird. . Vr.rr:rhtun„
Für die Schleifbearbeitung wird eine Vornchg
rwendet, wie sie schematich.·" F'J *™gs1^
ao anschließend von Sch.cifrUck-
^^ ^_^ ^^ ^ gccigneten Photo
Ätzverfahrens werden in der epitaxiakn Schicht
52 ä die sich etwa bis zur Grenze mit
N SubiLtmaterial erstrecken (s. F ig. 7). Anschließend wird
in an sich bekannter Weise durch der jtaxia,cn Schicht und in dcn
Siliciumoxidhaut 80 aufgebracht, worauf
in an sich bekannter Weise auf der Oxidschicht 80
Sjlicium 81 in einer Schichtdicke von
ι ^y ^ ^ ^ abgeschieden wird, um nach Ent-
fernung des Subs.tratmaterials eine Scheibe a»s-K
g ^ ^ ^^ ^ ursprü hchc
itaxiale Schicht 51 ist jetzt in Teile 53 rechteckiger
FTgr
·><*<■ ^—— geschlossene
Ende 62 hat eine Außenfläche o», oie mit
größter Genauigkeit unter einen Winkel von etwa 0,001 Radian mit der Ebene senkrecht zur Halteachsc
flachgeschliffen wurde.
Der Halter 60 paßt genau in eine öffnung 67 einer Führung 65, durch die der Halter 60 in axialer
Richtung beweglich durchgeführt werden kann. Die Führung 65 hat an einem Ende einen verbreiterten
rohrförmigen Teil 68, in den die öffnung 67 ausmündet. Die Stirnfläche 69 des verbreiterten Teils 68
wurde senkrecht zur Achse der ZylinderöfTnung 67 genau flach geschliffen.
Im Endteil 62 des Halters 60 sind mehrere Kanäle 63 gebildet. Der Halter 60 ist mit einer i.icht dargestellten
Absaugvorrichtung verbunden.
Die Siliciumscheibe 50 wird mit der Seite der epitaxialen Schicht 51 an die Fläche 64 des Halters
60 gebracht und durch Einstellung eines Unterdrucks im rohrförmigen Halter 60 und in den
Kanälen 63 gegen diese Fläche festgesogen. Mit dicbcrn Festsaugen wird gleichzeitig der Vorteil erreicht,
daß, falls die Scheibe 50, 7. B. durch vorhergehende Bearbeitungen, etwas krummgezogen wäre,
die Scheibe infolge der Ansaugkraft durch die Öffnungen 63 flach gegen die Oberfläche 64 gezogen
werden kann. Die Führung 65 wird darauf mit ihrer Stirnfläche 69 auf eine Glasplatte 70 gesetzt, deren
obere Fläche 71 ganz plan ist. Da die Fläche 64 mit der Stirnfläche 69 einen kleinen Winkel einschließt.
entsteht ein gleicher kleiner Winkel zwischen der Fläche 54 und der Oberfläche 71 der Glasplatte.
Für die Schleifbearbeitung wird ein Schleifpulver verwendet, das aus Aluminiumoxid mit einer Kornvon 303 Mesh besteht. Mittels dieses Schleif
ers zwischen der Platte 70 und dem zu schleifen-rrt 50 wird die Silichnnscheibe an der
ι schräg abgeschliffen. Dazu werden die — - — =iu_ die
Torr Atzvorgang zum Entfernen *»**■
elektrolytischen Ätzbehandlung unterworfen ^^ ^ ^ ^ ^ ^^ ^ ^ .m Beispid {
^^ ^ ^ ^ ^ ^^ ^ ^ m Beispid {
an Hand der Fi g. 4 beschrieben wurde. Die Platin-
^ ^.^ ^^^ ^^ ^ der ^ behand ln.
den Scheibe angebracht, daß ihr Ende 32 gegen den
^n ^ Substratmaterials 50 geklemmt
der d„nnste ^ R6 des Substrat.
,^ ^ ^.^^ ^ Ansch]uß ^ t )St
Dje Schejbe kann nun sofort in
^ ^ Efektrolytbad eingetaucht werden, da durch die
vorhergehende Schleifbehandlung das gewünschte
fntstanden ist. Infolge dieses Profils wird beim
^^ ^ ^^^ ^^ ^ Zonentd,cn 53 ,uerst
g6 def ^^.^ errcicht worauf die Entfernung des
gesamten Materials des Substrats 50 all-
^ ^ djese wdse dnc Stnjktur r
Sejte mehreren voneinander isolierten einknstallinen
>>Inseln« 53, die gemeinsam auf einem Trager aus
„ polykristallinen. Silicium 81 angebracht und gegen
diesen durch die Siliciumoxidschicht 80 ,schert sind
Die freien nächen der Inseln 52 hegen
^ J^ ^ und sind für an sich bekannte
Techniken fur den Aufbau von Halble.terschaltelementen
zugänglich.
Hierbei sei ^^^, daß durch chemische E.n-
wirkung des fluorhaltigen Elektrolyten auf das Oxid
& s.^ ^ ^ dßr ^^^ wq ^ der Emw,rkung
des E,ektro!yte„ ausgesetzt wird diese Schicht insbesondere im Boden der Nuten 52 angegriffen «π η
kann: diese etwaige Beschädigung kann aber beim Aufbringen einer Maskierungsschicht auf dte freien
Oberflächentefle der Insel S3 für örthche Diffusronsbehandlungen wieder ^»geina^werdetu AuchJkam,
eine Siliciumnitridhaut angebrachtjwetdoi. wodmtA
^^ chemische Angriff verhindert wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiter- wird. Insbesondere wenn der Halbleiterkörper mehr
vorrichtungen, bei dem von einem vorzugsweise 5 oder weniger plattenförmig ist, der selektive elektroplattenförmigen
Körper aus einem Halbleiter- lytische Ätzvorgang über eine größere Oberfläche material von gegebenem Leitungstyp und ge- erfolgen muß und über eine größere Oberfläche eine
gebener Leitfähigkeit ausgegangen wird, auf dünne Zone von überall gleicher Dicke verbleiben
dessen einer Seite wenigstens eine an der Ober- soll, besteht die Gefahr, daß das 'wegzuätzende
fläche liegende dünne Zone aus Halbleiter- io Material Örtlich zurückbleibt. Weiterhin müssen
material mit von ihrem Substrat verschiedenen Maßnahmen getroffen werden, damit an der Stelle
Leitungseigenschaften gebildet ist, wobei durch des Anschlusses während des Ätzvorganges ein
eine selektive elektrolytische Ätzbehandlung das bleibender Kontakt zwischen dem Anschluß und
Material des Substrats von der der Zone gegen- dem Halbleitermaterial gewährleistet ist Um dafür
überliegenden Seite her entfernt wird, dadurch 15 zu sorgen, daß der für sinen bleibenden Kontakt mit
gekennzeichnet, daß die Dicke des Körpers dem Anschluß unvermeidlich aufrechtzuerhaltende
zwischen der Zonenoberfläche und der dieser Überrest des wegzuätzenden Materials so klein wie
gegenüberliegenden Oberfläche verlaufend ge- möglich ist, ist es erwünscht, die Kontaktfläche zwimacht
und vorher oder nachher auf der der sehen dem Anschluß und dem Halbleitermaterial
dünnen Zone gegenüberliegenden Substratober- 20 möglichst klein zu halten und auf eine bestimmte
fläche am dicksten Teil des Körpers wenigstens Stelle zu beschränken. Aus diesem Grunde ist eine
ein elektrischer Anschluß angebracht wird. Verteilung von Anschlußstellen über eine große
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Oberfläche zwecks Erhaltung einer konstanteren Ätzkennzeichnet,
daß die verlaufende Dicke durch geschwindigkeit weniger geeignet.
Abschleifen an der der dünnen Zone gegenüber- 25 Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zuliegenden
Seite erzeugt wird. gründe, diesen Nachteil des bekannten Verfahrens
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- zu vermeiden.
kennzeichnet, daß die verlaufende Dicke mit Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der einHilfe
eines Ätzvorganges erzeugt wird, bei dem gangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gedie
Behandlung an den am weitesten vom An- 30 löst, daß die Dicke des Körpers zwischen der Zonenschluß
liegenden Stellen langer durchgeführt wird oberfläche und der dieser gegenüberliegenden Oberais
an den näher zum Anschluß liegenden Stellen. fläche verlaufend gemacht und vorher oder nachher
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch ge- auf der der dünnen Zone gegenüberliegenden
kennzeichnet, daß der schräg zu ätzende platten- Substratoberfläche am dicksten Teil des Körpers
förmige Körper mit obenliegendem Anschluß 35 wenigstens ein elektrischer Anschluß angebracht
vertikal unter vertikalen Bewegungen, mit von wird.
unten nach oben abnehmender Ätzdauer, teil- Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung wird
weise eingetaucht wird. die verlaufende Dicke durch Abschleifen an der der
dünnen Zone gegenüberliegenden Seite erzeugt. 40 Dieses Abschleifen erfolgt vorzugsweise unter einem
solchen geringen Winkel mit der Fläche an der Seite
der dünnen Zone, daß eine allmähliche Änderung der Dicke vom Anschluß her zu den am weitesten
von diesem Anschluß liegenden Teilen entsteht, ohne
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Her- 45 daß beim Schleifen die dünne Zone erreicht wird,
stellung von Halbleitervorrichtungen, bei dem von Bei Halbleiterscheiben mit größeren Abmessungen
einem vorzugsweise plattenförmigen Körper aus und geringerer Dicke, wie sie z. B. durch Sägen eines
einem Halbleitermaterial von gegebenem Leitungs- Halbleiterkristalls erhalten werden können, läßt sich
typ und gegebener Leitfähigkeit ausgegangen wird, z. B. ein Schleifwinkel in der Größenordnung von
auf dessen einer Seite wenigstens eine an der Ober- 50 0,5 X 10~3 bis 2 X IO-3 Radian verwenden,
fläche liegende dünne Zone aus Halbleitermaterial Da unter dem Anschluß bzw. den Anschlüssen
fläche liegende dünne Zone aus Halbleitermaterial Da unter dem Anschluß bzw. den Anschlüssen
mit von ihrem Substrat verschiedenen Leitungs- wenig Halbleitermaterial entfernt wird, da der Aneigenschaften
gebildet ist, wobei durch eine selektive schluß die Oberfläche des Halbleitermaterials örtlich
elektrolytische Ätzbehandlung das Material des gegen die Einwirkung des Ätzmittels schützt, wird
Substrats von der der Zone gegenüberliegenden Seite 55 im allgemeinen die Kontaktfläche mit dem Anschluß
her entfernt wird. für einen wirksamen Ätzvorgang vorzugsweise ver-
Solche Ätzungen sind in der Halbleitertechnik hältnismäßig klein gewählt. Wählt man die Stelle
bereits bekannt, wobei an einer Seite eines p-n-Uber- für den Anschluß in der Mitte der Halbleiterplatte
ganges Halbleitermaterial elektrolytisch weggeätzt so wird man den Schleif Vorgang vorzugsweise durcl
wurde und die Ätzwirkung beim p-n-Übergang prak- 60 Rotation um eine zu dieser Mitte senkrechte Achs<
tisch aufhörte. Dazu wurde der Bereich mit dem gegen eine schräge Schleiffläche durchführen. Wähl
wegzuätzenden Material mit einem elektrischen An- man die Stelle für den Anschluß am Rand eine
schluß versehen, damit an diesen Bereich die er- Halbleiterplatte, so schleift man keilförmig in de
forderliche Spannung angelegt werden kann. Die Weise, daß die Platte an den am weitesten vom An
Schwierigkeit dabei ist, daß die Ätzgescbwindigkeit 65 schluß entfernten Stellen am dünnsten wird. Weiter
in der Umgebung des erwähnten Anschlusses im all- hin ist es bei Anwendung von Schleifbearbeitungei
gemeinen höher ist als an weiter von diesem An- für die Formgabe am einfachsten, den Anschlu
schluß liegenden Stellen. Dies kann zur Folge haben, nach dem Schleifvorgang anzubringen. Vorzugsweis
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL676703013A NL153947B (nl) | 1967-02-25 | 1967-02-25 | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze. |
NL6703014A NL6703014A (de) | 1967-02-25 | 1967-02-25 | |
NL6703014 | 1967-02-25 | ||
DEN0032174 | 1968-02-23 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1696084A1 DE1696084A1 (de) | 1972-03-09 |
DE1696084B2 DE1696084B2 (de) | 1972-12-28 |
DE1696084C true DE1696084C (de) | 1973-08-09 |
Family
ID=
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