DE1514842B2 - Transistor mit einer auf einem einkristallinen halbleitertraegerkoerper aufgebrachten epitaktischen halbleiterschicht - Google Patents

Transistor mit einer auf einem einkristallinen halbleitertraegerkoerper aufgebrachten epitaktischen halbleiterschicht

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Description

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Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistor mit einer auf einem einkristallinen Halbleiterträgerkörper aufgebrachten epitaktischen Halbleiterschicht, dessen Basiszone in der epitaktischen Halbleiterschicht und dessen Emitterzone innerhalb der Basiszone durch Diffusion derart gebildet sind, daß sie sich bis zu der ebenen Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschicht erstrecken, an der der Emitter- und der Basiskontakt angebracht sind und dessen Kollektorzone ebenfalls in der epitaktischen Halbleiterschicht enthalten* ist.
Es ist ein Transistor bekannt, bei welchem durch Diffusion gebildete Basis- und Emitterzonen in einer epitaktischen Halbleiterschicht auf einem einkristallinen Halbleiterträgerkörper angebracht sind und bei welchem die Kollektorzone gleichfalls in der epitaktischen Halbleiterschicht enthalten ist. Bei diesem Transistor bildet die Basiszone eine mesaförmige Erhebung, und die Kollektorzone umfaßt eine dünne Schicht zwischen dieser mesaförmigen Erhebung und dem einkristallinen Halbleiterträgerkörper. Der Kollektorkontakt ist an der Unterseite des Halbleiterträgerkörpers angebracht, was wiederum erfordert, daß dieser Halbleiterträgerkörper einen niedrigen Widerstand hat, damit sich ein niedriger Kollektorsättigungswiderstand ergibt. Für das Herstellungsverfahren ergibt dies den Nachteil, daß der Kollektorkontakt in einem getrennten Arbeitsgang und auf andere Weise als die Basis- und Emitterkontakte gebildet werden muß.
Andererseits ist ein Epitaxialtransistor bekannt, bei welchem eine schichtförmige epitaktische Kollektorzone, eine schichtförmige epitaktische Basiszone und eine schichtförmige epitaktische Emitterzone mit abnehmenden Breiten aufeinandergestapelt sind, so daß Stufen zur Anbringung der Elektrodenkontakte entstehen. Diese bekannte Schichtenanordnung ergibt jedoch keinen Transistor, dessen Transistoreigenschaften im wesentlichen nur durch eine einzige epitaktische Halbleiterschicht bestimmt sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Transistor der eingangs angegebenen Art, bei dem alle Zonen in einer einzigen epitaktischen Halbleiterschicht enthalten sind, so auszubilden, daß alle seine Elektrodenkontakte in gleicher Weise zugänglich sind und in einem Arbeitsgang auf die gleiche Weise gebildet werden können. Die Erfindung, die diese Aufgabe löst, besteht darin, daß sich die Kollektorzone bis zur gleichen Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschicht erstreckt, zu der sich die Basiszone und die Emitterzone erstrecken, und daß der Kollektorkontakt an dieser Oberfläche angebracht ist.
Bei dem nach der Erfindung ausgebildeten Transistor liegen alle seine Elektrodenkontakte, einschließlich des Kollektorkontakts, an der gleichen Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschicht, wodurch die Herstellung der Anschlüsse erleichtert wird. Ferner können diese Elektrodenkontakte alle gleichzeitig in einem Arbeitsgang gebildet werden. Schließlich sind die Transistoreigenschaften im wesentlichen nur durch die einzige epitaktische Halbleiterschicht bestimmt, unabhängig von den Eigenschaften des einkristallinen Halbleiterträgerkörpers, dessen Beschaffenheit entsprechend den sonstigen Anforderungen gewählt werden kann, ohne auf die Transistoreigenschaften Rücksicht nehmen zu müssen.
Ein Ausführungsbeispiel eines Transistors nach der Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung beschrieben. Darin zeigt
F i g. 1 eine perspektivische Ansicht einer integrierten Halbleiterschaltung mit einem Transistor nach der Erfindung,
Fig.2 das Schaltbild der integrierten Halbleiterschaltung nach F i g. 1,
F i g. 3 einen Querschnitt durch ein Halbleiterträgerplättchen mit einer epitaktischen Halbleiterschicht zur Darstellung einer Zwischenstufe der Herstellung der integrierten Halbleiterschaltung nach F i g. 1 und
F i g. 4 einen Querschnitt durch die fertige integrierte Halbleiterschaltung nach F i g. 1 entlang der Linie 4-4 in F i g. 1.
Fig. 1 zeigt in perspektivischer Darstellung eine integrierte Halbleiterschaltung mit einem Transistor und einem Widerstand, die in der in F i g. 2 gezeigten Weise.geschaltet sind. Der Aufbau des Transistors in dieser integrierten Halbleiterschaltung wird am besten aus einer Schilderung der einzelnen Schritte bei der Herstellung dieser integrierten Halbleiterschaltung verständlich.
F i g. 3 zeigt die integrierte Halbleiterschaltung in einer Zwischenstufe der Herstellung. Es wird ein Einkristall aus Halbleitermaterial mit hohem spezifischem Widerstand in Form eines Plättchens 29 hergestellt. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel hat das Halbleiterplättchen 29 einen spezifischen Wider-
stand von 100 Ohm · cm und den Leitungstyp n. In der oberen Fläche des Halbleiterplättchens 29 werden nahe den beiden Schmalseiten zwei stark dotierte η-leitende Bereiche 31 und 32 (etwa 0,1 Ohm · cm oder weniger) durch Diffusion gebildet. Auf das Halbleiterplättchen 29, das als Halbleiterträgerkörper dient, wird durch Kristallwachstum eine epitaktische Halbleiterschicht 33 aufgebracht. Die epitaktische Halbleiterschicht 33 setzt den Halbleiterträgerkörper 29 einkristallin fort. Zur Bildung der epitaktischen Halbleiterschicht 33 kann auf das Halbleiterträgerplättchen 29 Halbleitermaterial nach den Verfahren aufgebracht werden, die in den zwei Veröffentlichungen »Epitaxial growth of silicon« von E. S. Wa j da u. a. und »Impurity introduction during epitaxial growth of silicon« von R. Glang und B. W. Kippenhau in der Zeitschrift »IBM Journal of Research and Development«, Bd. 4 (1960), Nr. 3 (Juli), S. 288 bis 295 bzw. S. 299 bis 301 beschrieben sind.
Die Eigenschaften der epitaktischeri Halbleiterschicht 33 einschließlich des spezifischen Widerstands und des Leitungstyps, können frei gewählt werden. Bei der Ausführungsform nach Fi g. 3 ist die epitaktische Halbleiterschicht 33 η-leitend, und der spezifische Widerstand ist verhältnismäßig niedrig gewählt, vorzugsweise zwischen 0,5 und 1,0 Ohm-cm. In der η-leitenden epitaktischen Halbleiterschicht 33 ist durch Feststoffdiffusion eine p-leitende Zone 35 gebildet. Diese Zone 35 befindet sich über dem stark dotierten η-leitenden Bereich31 imHalbleiterträgerplättchen 29. In der p-leitenden Zone 35 ist mittels Feststoffdiffusion eine stark dotierte η-leitende Zone 37 gebildet. Ein stark dotierter η-leitender Bereich 39 ist auch in der η-leitenden epitaktischen Halbleiterschicht 33 neben der Zone 35 durch Feststoff diffusion hergestellt, und ein schwach dotierter η-leitender Bereich 41 ist in der epitaktischen Halbleiterschicht 33 über dem stark dotierten η-leitenden Bereich 32 gleichfalls durch Feststoffdiffusion gebildet. Die epitaktische Halbleiterschicht 33 wird dann derart geätzt, daß die in den Fig. 1 und4 mit den Bezugszahlen 43 bzw. 45 bezeichneten mesaförmigen Erhebungen stehenbleiben. An den geätzten Stellen wird das Halbleitermaterial der epitaktischen Halbleiterschicht 33 vollständig entfernt, so daß die mesaförmige Erhebung 43 und 45 lediglich über das Halbleiterträgerplättchen 29 miteinander verbunden sind. Das Ätzen wird derart durchgeführt, daß die mesaförmige Erhebung 43 die p-leitende Zone 35 mit der darin befindlichen η-leitenden Zone 37 und ferner den stark dotierten η-leitenden Bereich 39 enthält, und daß die mesaförmige Erhebung 45 den schwach dotierten n-leitenden Bereich 41 enthält. Die Zonen in der mesaförmigen Erhebung 43 bilden einen Transistor mit der n-leitenden Zone 37 als Emitterzone, der p-leitenden Zone 35 als Basiszone und dem verbleibenden n-leitenden Material der epitaktischen Halbleiterschicht 33 in der mesaförmigen Erhebung 43 als Kollektorzone. Der stark dotierte η-leitende Bereich 39 in der mesaförmigen Erhebung 43 dient der Anbringung des Kollektorkontakts. An der stark dotierten η-leitenden Zone 37 wird ein ohmscher Kontakt 49 angebracht, der die Emitterelektrode bildet, während an der p-leitenden Zone 35 ein ohmscher Kontakt 47 gebildet wird, der die Basiselektrode darstellt. Ein weiterer ohmscher Kontakt 48 an dem Bereich 39 ergibt die Kollektorelektrode. Außerdem ist ein ohmscher Kontakt 50 an dem stark dotierten Bereich 41 vorhanden. Alle diese ohmschen Kontakte liegen in der gleichen Ebene und sind auf gleiche Weise gebildet.
Die in den F i g. 1 und 4 dargestellte integrierte Halbleiterschaltung entspricht der in Fig.2 dargestellten Schaltung, wobei die mesaförmige Erhebung 43 den Transistor 27 bildet und das Halbleitermaterial des Halbleiterträgerplättchens 29 zwischen der mesaförmigen Erhebung 45 und der mesaförmigen
ίο Erhebung 43 den Widerstand 25 darstellt. Die Klemmen 18, 20, 22 und 24 entsprechen den Kontakten 50, 48, 47 bzw. 49 in der angegebenen Reihenfolge. Da für das Halbleiterträgerplättchen 29 ein Material von hohem spezifischem Widerstand verwendet wird, kann ein Widerstand 25 mit großem Widerstandswert gebildet werden, ohne daß das Halbleiterträgerplättchen 29 sehr lang sein muß. Andererseits ist der spezifische Widerstand der Kollektorzone des Transistors 27 verhältnismäßig klein, da die Kollektorzone aus der epitaktischen Halbleiterschicht 33 gebildet wird, welche einen verhältnismäßig kleinen spezifischen Widerstand aufweist. Der Transistor 27 hat somit eine kleine Sättigungsspannung, so daß er im stärkeren Maße als Kurzschluß wirkt, wenn er eingeschaltet ist, und auch die Kollektorladungsträgerspeicherung ist bei ihm stark herabgesetzt, was zu einer erheblich kürzeren Schaltzeit des Transistors 27 führt. Außerdem gestattet der stark dotierte Bereich 41 in der epitaktischen Halbleiterschicht 33 von niedrigem spezifischem Widerstand in der mesaförmigen Erhebung 45, die sich auf dem stark dotierten Bereich 32 in dem hochohmigen Halbleiterträgerplättchen 29 befindet, die Herstellung eines guten ohmschen Kontaktes an dem hochohmigen Halbleiterträgerplättchen 29. In gleicher Weise stellt der stark dotierte Bereich 31 einen guten ohmschen Kontakt zwischen der Kollektorzone des Transistors 27 und dem hochohmigen Halbleiterträgerplättchen 29 her, und sie begrenzt auch die Breite der Verarmungsschicht in der Kollektorzone, wodurch die Schalteigenschaften des Transistors merklich verbessert werden.
Wie aus F i g. 3 zu ersehen ist, ermöglicht es die epitaktische Halbleiterschicht 33, stark dotierte Bereiche, wie die Bereiche 31 und 32, in einem einkristallinen Gefüge vollständig in einem Halbleitermaterial einzuschließen, das leichter dotiert ist. Bei der Ausführungsform nach F i g. 1 und 4 gestatten diese eingeschlossenen Bereiche 31 und 32 die Herstellung eines guten ohmschen Kontaktes an dem hochohmigen Material des Halbleiterträgerplättchens 29. Eine solche Anordnung ist offensichtlich bei integrierten Halbleiterschaltungen in vielfacher Hinsicht von Vorteil.
Wenn eine weitere Vergrößerung der Transistor-Schaltgeschwindigkeit erforderlich ist, kann die epitaktische Halbleiterschicht während des Kristallwachsens mit einem die Lebensdauer verkürzenden Störstellenstoff, beispielsweise mit Gold, dotiert werden. Das Dotieren während des Kristallwachstums ergibt im Inneren der gesamten epitaktischen Halbleiterschicht ein nahezu konstantes Dotierungsniveau. Dies stellt eine erhebliche Verbesserung gegenüber der Fehlerfunktionsverteilung der Dotierung dar, die man derzeit bei dem üblichen Feststoffdiffusionsverfahren erhält. Diese Dotierungsweise ist in gleicher Weise für Einzeltransistoren und für integrierte Halbleiterschaltungen von beträchtlichem Wert.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Transistor mit einer auf einem einkristallinen Halbleiterträgerkörper aufgebrachten epitaktisehen Halbleiterschicht, dessen Basiszone in der epitaktischen Halbleiterschicht und dessen Emitterzone innerhalb der Basiszone durch Diffusion derart gebildet sind, daß sie sich bis zu der ebenen Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschicht erstrecken, an der der Emitter- und der Basiskontakt angebracht sind, und dessen Kollektorzone ebenfalls in der epitaktischen Halbleiterschicht enthalten ist, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Kollektorzone bis zur gleichen Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschicht (33) erstreckt, zu der sich die Basiszone (35) und die Emitterzone (37) erstrecken,, und daß der Kollektorkontakt (48) an dieser Oberfläche angebracht ist.
2. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektorkontakt (48) an einem stark dotierten Oberflächenbereich (39) der Kollektorzone angebracht ist.
3. Transistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß unter der Kollektorzone ein stark dotierter Bereich (31) des einkristallinen Halbleiterträgerkörpers (29) angeordnet ist.
4. Transistor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß er als Schaltungselement einer integrierten Halbleiterschaltung in einer von mehreren auf dem einkristallinen Halbleiterträgerkörper im Abstand voneinander liegenden epitaktischen Halbleiterschichten gebildet ist.
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NL (2) NL123416C (de)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE623677A (de) * 1961-10-20
NL128995C (de) * 1962-08-03
NL301883A (de) * 1962-12-17
US3271633A (en) * 1963-01-29 1966-09-06 Motorola Inc Integrated field effect device with series connected channel
US3243732A (en) * 1963-02-19 1966-03-29 Rca Corp Semiconductor circuits exhibiting nshaped transconductance characteristic utilizing unipolar field effect and bipolar transistors
FR1358573A (fr) * 1963-03-06 1964-04-17 Csf Circuit électrique intégré
GB1093124A (en) * 1963-07-26 1967-11-29 Texas Instruments Ltd Field-effect transistor switches
NL143074B (nl) * 1963-12-13 1974-08-15 Philips Nv Transistor.
US3327181A (en) * 1964-03-24 1967-06-20 Crystalonics Inc Epitaxial transistor and method of manufacture
US3455748A (en) * 1965-05-24 1969-07-15 Sprague Electric Co Method of making a narrow base transistor
US3363154A (en) * 1965-06-28 1968-01-09 Teledyne Inc Integrated circuit having active and passive components in same semiconductor region
US3489961A (en) * 1966-09-29 1970-01-13 Fairchild Camera Instr Co Mesa etching for isolation of functional elements in integrated circuits
US3488564A (en) * 1968-04-01 1970-01-06 Fairchild Camera Instr Co Planar epitaxial resistors
US3573573A (en) * 1968-12-23 1971-04-06 Ibm Memory cell with buried load impedances
US3654530A (en) * 1970-06-22 1972-04-04 Ibm Integrated clamping circuit
US4068255A (en) * 1975-10-16 1978-01-10 Dionics, Inc. Mesa-type high voltage switching integrated circuit
US4685203A (en) * 1983-09-13 1987-08-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Hybrid integrated circuit substrate and method of manufacturing the same
US4873497A (en) * 1988-10-03 1989-10-10 Motorola, Inc. Wide band voltage controlled R-C oscillator for use with MMIC technology
DE19703780A1 (de) * 1997-02-01 1998-08-06 Thomas Frohberg Trinom-Transistor

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE527524A (de) * 1949-05-30
US2840494A (en) * 1952-12-31 1958-06-24 Henry W Parker Manufacture of transistors
US2816228A (en) * 1953-05-21 1957-12-10 Rca Corp Semiconductor phase shift oscillator and device
US2894221A (en) * 1955-10-11 1959-07-07 Carl E Coy Artificial transmission lines
US2897295A (en) * 1956-06-28 1959-07-28 Honeywell Regulator Co Cascaded tetrode transistor amplifier
US2967277A (en) * 1958-07-29 1961-01-03 Hahnel Alwin Frequency divider
US3035186A (en) * 1959-06-15 1962-05-15 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor switching apparatus
US3089794A (en) * 1959-06-30 1963-05-14 Ibm Fabrication of pn junctions by deposition followed by diffusion
NL268758A (de) * 1960-09-20

Also Published As

Publication number Publication date
NL123416C (de)
MY6900294A (en) 1969-12-31
US3130377A (en) 1964-04-21
LU41205A1 (de) 1962-04-05
DE1514842A1 (de) 1970-11-26
GB988902A (en) 1965-04-14
NL274363A (de)
GB988903A (en) 1965-04-14
US3211972A (en) 1965-10-12
FR1313638A (fr) 1962-12-28
DE1207014C2 (de) 1976-06-10
DE1207014B (de) 1965-12-16
CH428008A (fr) 1967-01-15
MY6900289A (en) 1969-12-31
CH400370A (fr) 1965-10-15

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