FR1099887A - Procédé de fabrication de systèmes d'électrodes comportant une couche superficielle du type p de conduction - Google Patents
Procédé de fabrication de systèmes d'électrodes comportant une couche superficielle du type p de conductionInfo
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- H10P95/00—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H10P50/613—
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1099887X | 1953-05-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR1099887A true FR1099887A (fr) | 1955-09-12 |
Family
ID=19869115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR1099887D Expired FR1099887A (fr) | 1953-05-07 | 1954-05-05 | Procédé de fabrication de systèmes d'électrodes comportant une couche superficielle du type p de conduction |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1018554B (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| FR (1) | FR1099887A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| NL (2) | NL102310C (cg-RX-API-DMAC10.html) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1080692B (de) * | 1956-01-09 | 1960-04-28 | Int Standard Electric Corp | Halbleiterdiode, insbesondere Schaltdiode, mit einem Halbleiterkoerper aus vier Schichten abwechselnd entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps |
| US3157937A (en) * | 1960-09-30 | 1964-11-24 | Honeywell Inc | Method of making a semiconductor device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB860400A (en) * | 1958-07-17 | 1961-02-01 | Ass Elect Ind | Improvements relating to semi-conductor diodes |
| GB871161A (en) * | 1959-05-13 | 1961-06-21 | Ass Elect Ind | Improvements relating to the production of junction transistors |
-
0
- NL NLAANVRAGE8102472,A patent/NL178164C/xx active
- NL NL102310D patent/NL102310C/xx active
-
1954
- 1954-05-03 DE DEN8842A patent/DE1018554B/de active Pending
- 1954-05-05 FR FR1099887D patent/FR1099887A/fr not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1080692B (de) * | 1956-01-09 | 1960-04-28 | Int Standard Electric Corp | Halbleiterdiode, insbesondere Schaltdiode, mit einem Halbleiterkoerper aus vier Schichten abwechselnd entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps |
| US3157937A (en) * | 1960-09-30 | 1964-11-24 | Honeywell Inc | Method of making a semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL102310C (cg-RX-API-DMAC10.html) | |
| DE1018554B (de) | 1957-10-31 |
| NL178164C (nl) |
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