FR1086596A - Procédé de fabrication des dispositifs semi-conducteurs comportant une ou plusieurs jonctions p-n - Google Patents

Procédé de fabrication des dispositifs semi-conducteurs comportant une ou plusieurs jonctions p-n

Info

Publication number
FR1086596A
FR1086596A FR1086596DA FR1086596A FR 1086596 A FR1086596 A FR 1086596A FR 1086596D A FR1086596D A FR 1086596DA FR 1086596 A FR1086596 A FR 1086596A
Authority
FR
France
Prior art keywords
junctions
semiconductor devices
manufacturing semiconductor
manufacturing
devices
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Compagnie Francaise Thomson Houston SA
Original Assignee
Compagnie Francaise Thomson Houston SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Compagnie Francaise Thomson Houston SA filed Critical Compagnie Francaise Thomson Houston SA
Application granted granted Critical
Publication of FR1086596A publication Critical patent/FR1086596A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B15/04Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
FR1086596D 1952-08-22 1953-08-19 Procédé de fabrication des dispositifs semi-conducteurs comportant une ou plusieurs jonctions p-n Expired FR1086596A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US305838A US2765245A (en) 1952-08-22 1952-08-22 Method of making p-n junction semiconductor units

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1086596A true FR1086596A (fr) 1955-02-14

Family

ID=23182579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1086596D Expired FR1086596A (fr) 1952-08-22 1953-08-19 Procédé de fabrication des dispositifs semi-conducteurs comportant une ou plusieurs jonctions p-n

Country Status (4)

Country Link
US (1) US2765245A (fr)
DE (1) DE961913C (fr)
FR (1) FR1086596A (fr)
GB (1) GB740655A (fr)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1045550B (de) * 1956-09-03 1958-12-04 Siemens Ag Fadenhalbleiteranordnung mit zwei sperrfreien Basiselektroden und mindestens einer Emitterelektrode mit stetiger oder stufenweiser Zunahme der Feldstaerke
DE1081572B (de) * 1955-12-19 1960-05-12 Gen Electric Co Ltd Verfahren zur Herstellung von Legierungsuebergaengen in einem Silizium-Halbleiterkoerper
DE1118360B (de) * 1955-08-04 1961-11-30 Gen Electric Co Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines einlegierten Kontaktes an einem Siliziumkoerper

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE522837A (fr) * 1952-09-16
US2849341A (en) * 1953-05-01 1958-08-26 Rca Corp Method for making semi-conductor devices
US2861017A (en) * 1953-09-30 1958-11-18 Honeywell Regulator Co Method of preparing semi-conductor devices
DE975772C (de) * 1953-12-19 1962-08-30 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung von Legierungsflaechengleichrichtern oder -transistoren
BE553205A (fr) * 1955-03-10
BE546128A (fr) * 1955-03-18 1900-01-01
US2871149A (en) * 1955-05-02 1959-01-27 Sprague Electric Co Semiconductor method
NL216614A (fr) * 1956-05-15
DE1064641B (de) * 1956-07-03 1959-09-03 Siemens Ag Legierungsverfahren zur Herstellung elektrischer Halbleiterelemente mit pn-UEbergaengen
US2893901A (en) * 1957-01-28 1959-07-07 Sprague Electric Co Semiconductor junction
NL108282C (fr) * 1957-03-05
DE1104068B (de) * 1957-03-30 1961-04-06 Bosch Gmbh Robert Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkoerper aus Germanium und einer Anschluss-elektrode aus Aluminium
DE1075223B (de) * 1957-05-03 1960-02-11 Telefunken GmbH Berlin Verfahren zum Auflegicren ^mcs eutektischen Legierungsmatenals auf einen Halbleiterkörper
NL228981A (fr) * 1957-06-25
BE571409A (fr) * 1957-09-23 1900-01-01
NL106425C (fr) * 1958-01-14
DE1067935B (fr) * 1958-01-17 1959-10-29
NL121500C (fr) * 1958-09-02
DE1121735B (de) * 1958-09-10 1962-01-11 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einlegierten UEbergaengen zwischen Bereichen verschiedener Leitfaehigkeit oder verschiedenen Leitfaehigkeitstyps
CH377448A (de) * 1958-10-17 1964-05-15 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zum Herstellen von Halbleitergleichrichtern
NL247735A (fr) * 1959-01-28
NL256342A (fr) * 1959-09-29
NL258171A (fr) * 1959-11-27
NL259311A (fr) * 1959-12-21
NL270339A (fr) * 1960-10-20
NL270684A (fr) * 1960-11-01
NL278654A (fr) * 1961-06-08
US3192081A (en) * 1961-07-20 1965-06-29 Raytheon Co Method of fusing material and the like
NL270874A (fr) * 1961-10-31
DE1163977B (de) * 1962-05-15 1964-02-27 Intermetall Sperrfreier Kontakt an einer Zone des Halbleiterkoerpers eines Halbleiterbauelementes
DE1189657B (de) * 1962-07-17 1965-03-25 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit legierten Elektroden
DE1213057B (de) * 1964-10-17 1966-03-24 Telefunken Patent Halbleiteranordnung mit legierten Elektroden
DE19531369A1 (de) * 1995-08-25 1997-02-27 Siemens Ag Halbleiterbauelement auf Siliciumbasis mit hochsperrendem Randabschluß

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2629672A (en) * 1949-07-07 1953-02-24 Bell Telephone Labor Inc Method of making semiconductive translating devices

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1118360B (de) * 1955-08-04 1961-11-30 Gen Electric Co Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines einlegierten Kontaktes an einem Siliziumkoerper
DE1081572B (de) * 1955-12-19 1960-05-12 Gen Electric Co Ltd Verfahren zur Herstellung von Legierungsuebergaengen in einem Silizium-Halbleiterkoerper
DE1045550B (de) * 1956-09-03 1958-12-04 Siemens Ag Fadenhalbleiteranordnung mit zwei sperrfreien Basiselektroden und mindestens einer Emitterelektrode mit stetiger oder stufenweiser Zunahme der Feldstaerke

Also Published As

Publication number Publication date
US2765245A (en) 1956-10-02
DE961913C (de) 1957-04-11
GB740655A (en) 1955-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR1086596A (fr) Procédé de fabrication des dispositifs semi-conducteurs comportant une ou plusieurs jonctions p-n
FR1078708A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs
FR1079960A (fr) Procédé de fabrication de corps semi-conducteurs
FR1107536A (fr) Jonctions p nu de semi-conducteurs
CH331036A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs
FR1105531A (fr) Dispositifs semi-conducteurs, et procédés de fabrication de ceux-ci
FR1386964A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs intégrés
FR1313638A (fr) Procédé de fabrication de réseaux semi-conducteurs et réseaux obtenus
FR65388E (fr) Procédé de préparation de dispositifs utilisant des couches de transition entre semiconducteurs des types p et n
FR1106990A (fr) Dispositifs semi-conducteurs en silicium, et procédés de fabrication de ceux-ci
FR1113385A (fr) Procédé de formation des jonctions p-n
FR1162834A (fr) Fabrication de dispositifs semi-conducteurs
FR1089900A (fr) Appareil à semi-conducteur comportant des jonctions p-n et méthode de fabrication
FR71164E (fr) Semi conducteur contenant du silicium et méthode de fabrication pour celui-ci
FR1088371A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs électriques à jonction p-n
FR71626E (fr) Fabrication de dispositifs semi-conducteurs
FR1112727A (fr) élément semi-conducteur et procédé de fabrication dudit élément
FR1179023A (fr) Procédé de formation de jonctions dans les dispositifs semi-conducteurs
FR1066234A (fr) Procédé de fabrication de redresseurs à cristaux semi-conducteurs et redresseurs correspondants ainsi fabriqués
FR1086903A (fr) Procédé de fabrication de monocristaux de semi-conducteurs comprenant une ou plusieurs jonctions p-n
FR1378542A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs et dispositifs ainsi obtenus
FR1098372A (fr) Dispositifs semi-conducteurs
FR1148323A (fr) Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs
FR978296A (fr) Gaufrette fourrée et son procédé de fabrication
FR1094267A (fr) Procédé de fabrication de monocristaux semi-conducteurs