DE1163977B - Sperrfreier Kontakt an einer Zone des Halbleiterkoerpers eines Halbleiterbauelementes - Google Patents

Sperrfreier Kontakt an einer Zone des Halbleiterkoerpers eines Halbleiterbauelementes

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DE1163977B DEJ21774A DEJ0021774A DE1163977B DE 1163977 B DE1163977 B DE 1163977B DE J21774 A DEJ21774 A DE J21774A DE J0021774 A DEJ0021774 A DE J0021774A DE 1163977 B DE1163977 B DE 1163977B
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. KL: HOIl
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1163 977
Aktenzeichen: J 21774 VIII c / 21 g
Anmeldetag: 15. Mai 1962
Auslegetag: 27. Februar 1964
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen haben zunehmend sperrfreie Kontakte und ihre Herstellung Bedeutung erlangt. Sperrfreie Kontakte sind besonders für solche Halbleiterbauelemente erforderlich, deren elektrische Werte durch nicht rein ohmsche Kontakte in unerwünschter Weise geändert werden. Die unerwünschten Effekte beruhen darauf, daß nicht sperrfreie Kontakte an einer Zone bestimmten Leitungstyps eines Halbleiterbauelementes bei einer Spannung entsprechender Polarität Minoritätsträger in diese Zone injizieren. Dieser Vorgang wird bekanntlich in den Ersatzschaltbildern der Halbleiterbauelemente durch die Einführung von zusätzlichen Diffusionskapazitäten beschrieben, die eine Anwendung des Bauelementes bei hohen Frequenzen begrenzen. So wird beispielsweise die Grenzfrequenz eines Hochfrequenztransistors dadurch erniedrigt. Außerdem kann dieser Vorgang zu Stromspannungskennlinien mit einem Bereich negativen Innenwiderstandes führen, welcher die Ursache für unerwünschte Schwingungsvorgänge und Unstabilitäten sein kann.
In der Halbleitertechnik hat eine Gruppe von Transistoren Bedeutung erlangt, zu denen die sogenannten Mesa- und Planartransistoren gehören. Bei der Herstellung dieser Transistoren werden die Basiszonen unter Verwendung von dotierenden Verunreinigungen in einen plattenförmigen Halbleiterkörper diffundiert, dessen Leitfähigkeitstyp demjenigen der diffundierten Basiszone entgegengesetzt ist. Die F i g. 4 zeigt beispielsweise im Schnitt einen auf einen Sockel 18 aufgebauten Planartransistor 4 mit einer pnp-Zonenfolge. Er hat eine diffundierte Basis 5, eine Emitterelektrode 6, eine Basiselektrode 7 und einen Kollektorkörper 8. Die mit 9 bezeichneten Kontaktelektroden zur Emitter- und Basiselektrode werden beispielsweise streifenförmig in bekannter Weise unter Verwendung einer Maske auf den mit einer isolierenden Schicht 10 bedeckten Kollektorkörper aufgedampft.
Bei einem bekannten Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von pnp-Transistoren werden in plattenförmigen Halbleiterkörpern aus p-Germanium η-Zonen von wenigen μ Dicke durch Diffusion von Antimon und danach auf der Oberfläche der Basiszonen eine Vielzahl von nebeneinanderliegenden Basis- und Emitterelektroden durch Aufdampfen und Legieren von Aluminium und Gold-Antimon erzeugt.
Die Kontaktierung der aufgedampften Emitter- und Basiselektroden der Planartransistoren erfolgt nach einem weiteren bekannten Verfahren durch Aufdampfen von Leitbahnen auf die Halbleiterplatte. Zwischen den Leitbahnen und der Halbleiterplatte wird eine isolierende Schicht angeordnet. Die Her-Sperrfreier Kontakt an einer Zone des Halbleiterkörpers eines Halbleiterbauelementes
Anmelder:
Intermetall Gesellschaft für Metallurgie
und Elektronik m. b. H.,
Freiburg (Breisgau), Hans-Bunte-Str. 19
Als Erfinder benannt:
Dr. Reinhard Dahlberg,
Gundelfingen bei Freiburg
stellung der Kontaktierungen, der Elektroden und der isolierenden Schicht kann unter Anwendung des photolithographischen Verfahrens und von Aufdampfprozessen erfolgen. Diese Verfahren sind ausgesprochene Massenverfahren, da die behandelten Halbleiterplatten eine große Anzahl von Halbleiterbauelementen bzw. -anordnungen enthalten. Die Kontaktierung der Kollektoren erfolgt jedoch einzeln durch Legieren auf Blechstreifen bei einigen hundert Grad Celsius nach der Aufteilung der Halbleiterplatte in einzelne Transistoren.
Diese Aufteilung der Halbleiterplatte in einzelne Halbleiteranordnungen kann nach einem bekannten Verfahren dadurch erfolgen, daß die Halbleiterplatte zunächst auf der Seite der Emitter- und Basiselektroden mit rasterartigen Vertiefungen versehen wird.
Dabei entstehen Erhöhungen, auf denen je eine Basis- und Emitterelektrode angebracht ist. Darauf wird die mit den Elektroden versehene Seite der Halbleiterplatte unter Ausfüllung der rasterartigen Vertiefungen mit einem ätzfesten Material überzogen. Zur Trennung der Platte in einzelne Halbleiteranordnungen wird schließlich die nicht überzogene Plattenseite so lange geätzt, bis die mit dem ätzfesten Material ausgefüllten rasterartigen Vertiefungen erreicht sind. Schließlich wird das ätzfeste Material, beispielsweise Pizein, in einem geeigneten Lösungsmittel aufgelöst. Auch dieses Verfahren ist ein ausgesprochenes Massenverfahren, da alle Arbeitsgänge an der eine Vielzahl von Halbleiteranordnungen enthaltenden Platte durchgeführt werden. Ein weiterer Vorteil
dieses Verfahrens besteht darin, daß es die Herstellung von sehr dünnen plättchenförmigen Halbleiteranordnungen erleichtert. Die Herstellung der Kon-
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takte an den Emitter- und Basiselektroden in Form von aufgedampften streifenförmigen Kontaktelektroden kann bereits vor dem Aufteilen der Halbleiterplatte unter Verwendung einer Aufdampfmaske ohne größeren Zeitaufwand bei sämtlichen auf der Halbleiterplatte befindlichen Transistoren erfolgen. Die Herstellung der Kontakte an den p-Zonen der Kollektoren mußte jedoch noch einzeln nach dem Auflösen des ätzfesten Materials vorgenommen werden, da ein Legierungsprozeß bei mehreren 100° C erforderlich war, bei dem das ätzfeste Material flüssig wird, verdampft und sich zersetzen kann. Die Einzelherstellung der sperrfreien Kontakte an den p-Zonen der Kollektoren erforderte deshalb noch einen relativ großen Aufwand von Arbeitszeit und Sorgfalt. Um die Herstellung aller sperrfreien Kontakte an den Kollektorzonen sämtlicher Transistoren der HaIbleiterplatte in einem Arbeitsgang zu ermöglichen, ist deshalb ein Elektrodenmaterial erforderlich, das bereits unterhalb 100° C einen sperrfreien Kontakt ergibt.
Durch die Erfindung soll das Problem gelöst werden, sperrfreie Kontakte an Zonen von Halbleiteranordnungen bei Temperaturen unterhalb 100° C herzustellen. Ein derartiges Problem liegt immer dann vor, wenn es aus technologischen Gründen unmöglich oder von Nachteil ist, die Kontakte bei einer höheren Temperatur herzustellen. Es hat sich nämlich ergeben, daß das zur Herstellung der sperrfreien Kontakte verwendete Elektrodenmaterial erst dann sperrfrei kontaktiert, wenn es geschmolzen ist. Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, daß zur Herstellung eines sperrfreien Kontaktes bei einer Temperatur unter 100° C ein Elektrodenmaterial erforderlich ist, das bei der Temperatur der Herstellung bereits geschmolzen ist. Durch die Anwesenheit des geschmolzenen Elektrodenmaterials auf der sperrfrei zu kontaktierenden Zone des Halbleiterkörpers werden die Benetzungsverhältnisse so verbessert, daß sich bereits etwas Material des Halbleiterkörpers in dem geschmolzenen Elektrodenmaterial auflöst. Im Interesse einer mechanischen Stabilität ist jedoch ein bei Temperaturen unter 100° C flüssig werdendes Elektrodenmaterial nicht ohne zusätzliche Maßnahmen brauchbar.
Ein Problem der beschriebenen Art liegt bei dem obengenannten Verfahren zur Aufteilung einer diffundierten und mit einer Vielzahl von Elektroden versehenen Halbleiterplatte in einzelne Halbleiteranordnungen vor. Wird dieses Verfahren beispielsweise bei der Herstellung von pnp-Planartransistoren angewandt, so müssen die sperrfreien Kontakte an den p-Zonen der Kollektoren noch vor dem Auflösen des ätzfesten Materials hergestellt werden, wenn der für die Einzelherstellung der sperrfreien Kontakte erforderliche große Arbeitsaufwand vermieden werden soll. Da als ätzfestes Material praktisch nur organische und relativ niedrigschmelzende Kunststoffe, beispielsweise Pizein, zur Verfügung stehen, scheidet ein normaler Legierungsprozeß zur Herstellung der sperrfreien Kontakte an den p-Zonen der Kollektoren aus, da ein derartiger Prozeß bei einigen 100° C durchgeführt werden muß, um sperrfreie Kontakte zu erhalten.
Durch die Erfindung werden die genannten Schwierigkeiten überwunden und die Herstellung von Halbleiterbauelementen mit sperrfreien, auch bei Temperaturen über 100° C noch mechanisch und elektrisch stabilen Kontakten in einem Massenverfahren ermöglicht.
Ein bekanntes Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen besteht darin, daß auf die Oberfläche eines Halbleiterkörpers eine kleine Menge einer geschmolzenen Legierung aus einer Halbleitersubstanz mit Dotierungsmaterial und gegebenenfalls einer elektrisch neutralen Verunreinigung, z. B. Zinn oder Gold, gebracht werden.
ίο Elektrodenmaterial aus einer Mehrstofflegierung wird bekanntlich bei dem MehrstofFemitter eines Transistors zur Verbesserung der Stromverstärkung als Legierungsmaterial verwendet. Dabei werden solche Zusammensetzungen vorgezogen, die eine über 100° C liegende Schmelztemperatur aufweisen. Unterhalb 100° C schmelzende Elektrodenmaterialien werden selten verwendet, da die Halbleiterbauelemente sich im Betrieb oft auf Temperaturen oberhalb 100° C erhitzen, so daß eine mechanische Stabiao lität nicht gewährleistet ist. So wurde beispielsweise reines Gallium als nicht brauchbar angesehen, da es bei Zimmertemperatur flüssig ist. Bei einem bekannten Verfahren zum Herstellen von pn-Schichten wurde deshalb eine Gallium-Aluminiumlegierung mit einem überwiegenden Anteil von Aluminium in einen Halbleiterkörper einlegiert.
Ein unter 100° C schmelzendes Elektrodenmaterial, welches bei mehreren 100° C in einen Halbleiterkörper einlegiert wird, ist ferner bekannt bei einem Verfahren zur Erzeugung größerer defektleitender Bereiche in den Außenschichten von überschußleitenden Germanium-Kristallen. Dabei wird auf die Oberfläche des umzuwandelnden Bereiches flüssiges Gallium bzw. eine flüssige Gallium-Indium- oder Gallium-Zinnlegierung aufgebracht und der umzuwandelnde Bereich auf eine Temperatur von mindestens 600° C gebracht.
Es ist ferner ein Verfahren zur sperrfreien Kontaktierung der Zonen von Flächengleichrichtern oder Transistoren bekannt, bei dem die Zonen über halbleitende Zwischenschichten, welche Dotierungen vom Leitfähigkeitstyp der zu kontaktierenden Zone enthalten, mit einem zum Anbringen der elektrischen Zuleitung dienenden Kontaktlot kontaktiert werden. Zwischen Kontaktlot und halbleitender Zwischenschicht wird eine Schicht Elektrodenmaterial in Form eines Kontaktmetalls mit Donator- bzw. Akzeptorstörstellen angeordnet. Dieses bekannte Verfahren ergibt jedoch erst einwandfreie Kontakte, wenn die noch vorgesehene Temperaturbehandlung nach der Kontaktierung so durchgeführt wird, daß das Elektrodenmaterial geschmolzen ist. Bei der Anwendung dieses Verfahrens treten unter Bedingungen der bereits geschilderten Art die erwähnten Schwierigkeiten auf.
Die Erfindung betrifft einen sperrfreien Kontakt an einer Zone bestimmten Leitungstyps des Halbleiterkörpers eines Halbleiterbauelementes, der aus einer auf den Halbleiterkörper aufgebrachten und Dotierungsmaterial vom Leitungstyp der kontaktierten Zone enthaltenden Schicht Elektrodenmaterial und einer auf diese Schicht aufgebrachten metallischen Schutzschicht besteht, so daß das Elektrodenmaterial zwischen dem Halbleiterkörper und der Schutzschicht eingeschlossen ist. Der sperrfreie Kontakt zeichnet sich erfindungsgemäß dadurch aus, daß das Elektrodenmaterial einen Schmelzpunkt unter 100° C besitzt und die Dicke der Schutzschicht so bemessen ist, daß sie
durch ein Legieren mit dem Elektrodenmaterial oder mit dem zum Anbringen der elektrischen Zuleitung dienenden Material nicht aufgelöst werden kann.
Es ist zwar bekannt, gleichrichtende Legierungskontakte mit einer metallischen Schutzschicht zu versehen. Die Schutzschicht dient bei dem bekannten Verfahren jedoch zum Schutz der Legierungskontakte gegen einen Ätzangriff.
Der sperrfreie Kontakt nach der Erfindung ermöglicht ein Verfahren, bei dem die Kontaktierung der Zone flächenhaft an der Schutzschicht ohne sonderliche Sorgfalt erfolgen kann. Zur Kontaktierung der Schutzschicht kann ein niedrigschmelzendes Lot oder ein Leitlack verwendet werden. Die Schutzschicht verhindert, daß die zur Kontaktierung verwendeten Materialien mit dem Elektrodenmaterial legieren und eine Verschlechterung des sperrfreien Kontaktes ergeben. Die beste Schutzwirkung der Schutzschicht ist dann gewährleistet, wenn das Material der Schutzschicht weder mit dem Elektrodenmaterial noch mit dem zur Kontaktierung verwendeten Material legiert. In diesem Fall kann die Dicke der Schutzschicht weniger als 1 μ betragen.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Beispiel an Hand der Zeichnung in Anlehnung an das eingangs erwähnte Verfahren zur Trennung einer Halbleiterplatte in einzelne Halbleiteranordnungen erläutert.
Fig. 1 zeigt ausschnittsweise eine auf einem Trägerkörper mittels eines ätzfesten Materials aufgeklebte Halbleiterplatte mit einer Vielzahl von Planartransistoren;
F i g. 2 zeigt die Halbleiterplatte in Aufsicht nach dem Ätzen;
F i g. 3 zeigt ausschnittsweise die in F i g. 1 dargestellte Halbleiterplatte nach dem Ätzen und der Herstellung der sperrfreien Kontakte nach der Erfindung;
Fig. 4 zeigt einen auf einen Sockel aufgebauten Planartransistor.
In der Fig. 1 bedeutet 1 der Trägerkörper aus einem ätzfesten Material, beispielsweise Aluminiumoxyd. Die Halbleiterplatte 3 enthält eine Vielzahl von Planartransistoren 4 und ist mittels Pizein2 auf den Trägerkörper 1 aufgeklebt. Vor der Herstellung der sperrfreien Kontakte nach der Erfindung an den p-Zonen der Kollektoren wird die Halbleiterplatte 3 bis zu der gestrichelten Linie 11 abgeätzt. Dabei werden die Transistoren elektrisch getrennt, bleiben jedoch zur Herstellung der sperrfreien Kontakte auf dem Trägerkörper 1 aufgeklebt. Die F i g. 2 zeigt in Aufsicht die in Pizein 2 eingebetteten Transistoren 4 nach Durchführung des Ätzprozesses.
Der sperrfreie Kontakt nach der Erfindung ermöglicht ein Verfahren, bei dem das Elektrodenmaterial im Vakuum auf die p-Zonen der Kollektoren 8 aufgedampft wird, ohne das Pizein aufzuweichen. Vorzugsweise findet dabei als Elektrodenmaterial Gallium oder eine unterhalb 100° C schmelzende Legierung mit Gallium Verwendung. Dem Gallium kann beispielsweise Indium, Blei, Kadmium, Zink, Wismut und/oder Zinn zugefügt werden.
Sollen an den η-Zonen der Kollektoren von npn-Transistoren sperrfreie Kontakte hergestellt werden, so findet vorzugsweise ein η-dotierendes und unterhalb 100° C schmelzendes Elektrodenmaterial aus einer Legierung von Arsen oder Phosphor mit Indium, Blei, Kadmium, Zink, Wismut und/oder Zinn Verwendung.
Die aufgedampfte Schicht des Elektrodenmaterials ist in der F i g. 3 mit 12 bezeichnet. Über der Schicht 12 wird eine metallische Schutzschicht 13 aufgebracht. Vorzugsweise erfolgt das Aufbringen der Schichten im Vakuum durch Aufdampfen. Als Schutzschicht kann auch ein Halbleitermaterial verwendet werden, das den gleichen Leitfähigkeitstyp wie die zu kontaktierende Zone besitzt. Um die Wirksamkeit der Schutzschicht 13 auch noch bei der im Betrieb oder
ίο bei der Weiterbehandlung der Halbleiteranordnungen auftretenden Maximaltemperatur zu gewährleisten, wird die Dicke der Schutzschicht so bemessen, daß sie bei dieser Maximaltemperatur noch nicht durch einen Legierungsvorgang aufgelöst werden kann. Eine Mindestdicke der Schutzschicht darf also nicht unterschritten werden. Bei der Herstellung von pnp-Germanium-Planartransistoren, bei der als Elektrodenmaterial Gallium in einer Dicke von einigen μ aufgedampft wurde, war eine Schutzschicht aus p-Germanium in der gleichen Größenordnung bereits ausreichend.
Nach dem Aufdampfen der Schutzschicht 13 der sperrfreien Kontakte nach der Erfindung wird das Pizein 2 in einem geeigneten Lösungsmittel aufgelöst.
Damit erhält man eine größere Anzahl von Planartransistoren, deren sämtliche Zonen und Elektroden bereits mit sperrfreien Kontakten versehen sind. Jeder einzelne der Transistoren kann ohne sonderliche Sorgfalt, beispielsweise unter Verwendung eines Leitlackes 14, auf ein Kollektorblech 15 als Kollektor-Kontaktelektrode aufgeklebt werden. Zu diesem Zweck kann auch ein niedrigschmelzendes Lot verwendet werden. Um die Schutzwirkung der Schutzschicht zu gewährleisten, muß die Dicke der letzteren so gewählt werden, daß bei Erreichen der Maximaltemperatur der Halbleiteranordnung die Schutzschicht auch nicht durch Legierungsbildung mit dem niedrigschmelzenden Lot aufgelöst werden kann. Die Kollektor-Kontaktelektrode kann auch gleichzeitig Teil eines Gehäuses sein.
Die Fig. 4 veranschaulicht die Herstellung der elektrisch leitenden Verbindung der Kontaktelektroden 9 und 15 mit den Sockeldrähten 16 und 17 eines Sockels 18. Eine bekannte Halbleiteranordnung hat bereits den Vorteil, daß bei der Herstellung der elektrisch leitenden Verbindungen der Sockeldrähte 17 mit den Leitbahnen 9 keine sonderliche Sorgfalt aufgewendet werden muß, da der zu diesem Zweck durchzuführende Arbeitsgang in einem relativ großen Abstand von den Elektroden 6 und 7 und den pn-Ubergängen erfolgen kann. Die elektrisch leitende Verbindung des Kollektorbleches 15 mit dem Sockeldraht 16 ist gleichfalls ohne Schwierigkeiten durchführbar. Lediglich die sperrfreie Verbindung des Kollektorbleches 15 mit der Kollektorzone 8 ist aufwendig, weil sie an jedem Transistor einzeln und mit großer Sorgfalt mit Hilfe eines Legierungsvorganges bei mehreren 100° C erfolgen muß. Demgegenüber wird durch die Erfindung die Möglichkeit geschaffen, auch die Verbindung zwischen der Kollektorzone 8 und dem Kollektorblech 15 ohne Schwierigkeiten und Sorgfalt durchzuführen, da der sperrfreie Kontakt bereits vor der Herstellung der elektrisch leitenden Verbindung in einem Massenverfahren hergestellt werden kann.
Die Erfindung hat allgemein bei solchen Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen ihre Vorteile, bei denen die Anwendung von höheren Legie-
rungstemperaturen bei der Herstellung der sperrfreien Kontakte nicht möglich oder von Nachteil auf die elektrischen Eigenschaften der Halbleiterbauelemente ist. Sie kann beispielsweise bei der Herstellung der sperrfreien Kontakte an hochsperrenden Halbleiterdioden mit hoher Sperrspannung angewendet werden, da deren Verhalten in Sperrichtung durch Anwendung von Temperaturen von mehreren hundert Grad Celsius zur Herstellung der üblichen sperrfreien Kontakte bereits verschlechtert werden kann.

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Sperrfreier Kontakt an einer Zone bestimmten Leitungstyps des Halbleiterkörpers eines Halbleiterbauelementes, der aus einer auf den Halbleiterkörper aufgebrachten und Dotierungsmaterial vom Leitungstyp der kontaktierten Zone enthaltenden Schicht Elektrodenmaterial und einer auf diese Schicht aufgebrachten metallischen Schutzschicht besteht, so daß das Elektrodenmaterial zwischen dem Halbleiterkörper und der Schutzschicht eingeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Elektrodenmaterial einen Schmelzpunkt unter 100° C besitzt und die Dicke der Schutzschicht so bemessen ist, daß sie durch ein Legieren mit dem Elektrodenmaterial oder mit dem zum Anbringen der elektrischen Zuleitung dienenden Material nicht aufgelöst werden kann.
2. Kontakt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an Stelle einer metallischen Schutzschicht eine halbleitende Schutzschicht mit dem Leitungstyp der kontaktierten Zone verwendet ist.
3. Sperrfreier Kontakt nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das unter 100° C schmelzende Elektrodenmaterial eines oder mehrere der Metalle Indium, Blei, Kadmium, Zink, Wismut und Zinn und als Dotierungsmaterial Gallium, Aluminium, Arsen oder Phosphor enthält.
4. Sperrfreier Kontakt nach Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß. das Elektrodenmaterial an einer Zone aus p-Germanium aus Gallium oder einer unter 100° C schmelzenden Legierung mit Gallium und die Schutzschicht aus p-Germanium besteht.
5. Sperrfreier Kontakt nach Ansprüchen 1 und/oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem schichtförmigen Elektrodenmaterial eine metallische Schutzschicht aus Nickel, Palladium, Eisen, Platin, Gold oder Chrom angeordnet ist.
ίο
6. Verfahren zur Herstellung eines sperrfreien
Kontaktes nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Elektrodenmaterial und die Schutzschicht nacheinander im Vakuum aufgedampft werden und daß die Kontaktierung der Zone fiächenhaft an der Schutzschicht erfolgt.
7. Verfahren zur Herstellung eines sperrfreien Kontaktes nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die flächenhafte Kontaktierung der metallischen oder p-halbleitenden Schutzschicht durch Aufbringen eines Metalls oder eines niedrigschmelzenden Lotes erfolgt.
8. Verfahren zur Herstellung eines sperrfreien Kontaktes nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die flächenhafte Kontaktierung der Schutzschicht unter Verwendung eines Leitlackes erfolgt.
9. Anwendung des Verfahrens nach einem oder zwei der Ansprüche 6 bis 8 zur Kontaktierung der Kollektorzonen einer Mehrzahl von Mesa- oder Planartransistoren, welche nebeneinander in Kunststoff derartig eingebettet sind, daß die Oberflächen der Kollektorzonen von Kunststoff unbedeckt bleiben und in einer Ebene angeordnet
sind.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 906 455, 961 913;
deutsche Auslegeschriften Nr. 1 029 936,
1036 392;
deutsche Patentanmeldung S 32974 VIIIc/21g
(bekanntgemacht am 8. 7. 1954);
britische Patentschrift Nr. 776 301.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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