DE1045550B - Fadenhalbleiteranordnung mit zwei sperrfreien Basiselektroden und mindestens einer Emitterelektrode mit stetiger oder stufenweiser Zunahme der Feldstaerke - Google Patents

Fadenhalbleiteranordnung mit zwei sperrfreien Basiselektroden und mindestens einer Emitterelektrode mit stetiger oder stufenweiser Zunahme der Feldstaerke

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DE1045550B
DE1045550B DES50222A DES0050222A DE1045550B DE 1045550 B DE1045550 B DE 1045550B DE S50222 A DES50222 A DE S50222A DE S0050222 A DES0050222 A DE S0050222A DE 1045550 B DE1045550 B DE 1045550B
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Germany
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electrode
semiconductor wafer
semiconductor
emitter electrode
blocking
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Dr Heinz Henker
Dr Heinz Dorendorf
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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Description

  • Fadenhalbleiteranordnung mit zwei sperrfreien Basiselektroden und mindestens einer Emitterelektrode mit stetiger oder stufenweiser Zunahme der Feldstärke In der Patentanmeldung S 47 472 VIIIc:/21g ist eine Fadenhalbleiteranordnung mit zwei sperrfreien Basisanschlüssen verschiedenen Potentials und mindestens einer als Emitter dienenden. sperrenden, Elektrode, sowie gegebenenfalls mindestens einer als Kollektor dienenden sperrenden Elektrode, bei der eine über den Weg der Minoritätsladungsträger stetig oder stufenweise verteilte Zunahme der Feldstärke in Richtung des iJinoritätsladungsträgerflusses vorgesehen ist, die durch Ausbildung des Halbleiterkörpers und/oder der Basiselektroden bewirkt ist.
  • Die Erfindung betrifft eine weitere Verbesserung der in der vorgenannten Anmeldung beschriebenen Halbleiteranordnung.
  • Gemäß der Erfindung soll die Fadendiode eine solche Forte besitzen, daß an Stelle des Fadenhalbleiters eine Halbleiterscheibe verwendet ist, daß .die eine Basiselektrode länglich und in sich geschlossen, vorzugsweise als Umrandung einer Halbleiterscheibe ausgebildet ist, daß die andere Basiselektrode wesentlich kleiner, vorzugsweise in Form eines Drahtes, im Inneren dieser Scheibe angeordnet ist und daß mindestens eine, vorzugsweise in sich geschlossene sperrende oder gleichrichtend wirkende Emitterzone zwischen den beiden Basiselektroden vorhanden ist.
  • Aus der Zeichnung sind weitere Einzelheiten der Erfindung beispielsweise zu entnehmen. Eine kreisförmige Halbleiterscheibe ist an der äußeren Umrandung durch eine geschlossene Basiselektrode Bz sperrfrei kontaktiert. Im Inneren, insbesondere zentrisch, ist eine kleine Basiselektrode Bi angebracht, die beispielsweise aus einem Draht bestehen kann. Zwischen .den Basiselektroden B1 und B2 befindet sich eine gleichrichtend oder sperrend wirkende Emitterzone D, die einen anderen Leitungstypus als der übrige Teil der Scheibe aufweist.
  • Die Erfindung beschränkt sich jedoch nicht auf die Verwendung einer kreisförmigen Halbleiterscheibe. Für manche Fälle wird es zweckmäßig sein, der Halbleiteranordnung beispielsweise eine elliptische Umrandung zu geben oder sie in der Form den jeweils zweckmäßigen Gegebenheiten anzupassen.
  • Die Feldeinwirkung, insbesondere die Zunahme der Feldstärke in radialer Richtung kann noch dadurch vergrößert werden, daß die Dicke der Scheibe von außen nach innen sich verändert, vorzugsweise abnimmt. Weiterhin kann es in manchen Fällen zweckmäßig sein, wenn in Richtung des Minoritätsträgerflusses im Halbleiterkörper Zonen unterschiedlicher Dotierung und/oder eine stetige, vorzugsweise monoton, abnehmende Dotierung vorgesehen sind.
  • Eine weitere Ausbildung des Erfindungsgedankens besteht darin, daß im Zentrum, also zwischen Emitterelektrode und Basiselektrode B" ein Magnetfeld, insbesondere senkrecht zur Scheibenfläche und insbesondere innerhalb des von der inneren Emittergrenze umschlossenen Gebietes angeordnet ist. Auf diesem Wege läßt sich eine große Widerstandsänderung des Gebietes zwischen Bi und D hervorrufen, wodurch beispielsweise Schaltvorgänge in gewünschter Weise gesteuert werden können.
  • In manchen Fällen kann es auch vorteilhaft sein, wenn der Abstand der Basis zum Emitter an einer oder an mehreren Stellen kleiner ist als im übrigen Bereich. Beispielsweise kann die äußere Basiselektrode mit einem nach innen gerichteten Sporn oder einer Spitze versehen sein. Es bildet sich dort beim Anlegen einer Spannung eine Stelle besonders hoher Feldstärke aus. Dies bewirkt, daß der Stromdurchbruch hier bevorzugt erfolgen kann.

Claims (6)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Fadenhalbleiteranordnung mit zwei sperrfreien Basiselektroden verschiedenen Potentials und mindestens einer als Emitter dienenden sperrenden Elektrode, sowie gegebenenfalls mindestens einer als Kollektor dienenden sperrenden Elektrode, bei der eine über den Weg der Minoritätsladungsträger stetig oder stufenweise verteilte Zunahme der Feldstärke in Richtung des Minoritätsladungsträgerflusses vorgesehen ist, die durch Ausbildung des Halbleiterkörpers und/oder' der Basiselektroden bewirkt ist, nach Patentanmeldung S 47472 VIIIc/21g, dadurch gekennzeichnet, daß an Stelle des Fadenhalbleiters eine Halbleiterscheibe verwendet ist, daß die eine Basiselektrode länglich und in sich geschlossen, vorzugsweise als Umrandung einer Halbleiterscheibe, ausgebildet ist, daß die andere Basiselektrode wesentlich kleiner, vorzugsweise in Form eines Drahtes, im Innern dieser Halbleiterscheibe angeordnet ist und daß mindestens eine, vorzugsweise in sich geschlossene, sperrende oder gleichrichtend wirkende Emitterelektrode zwischen den beiden Basiselektroden vorhanden ist.
  2. 2. Scheibenförmige Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe kreisförmig oder elliptisch ausgebildet ist und daß die Emitterelektrode ebenfalls kreisförmig oder elliptisch ausgebildet und die innere, punktförmige Basiselektrode zentrisch angeordnet ist.
  3. 3. Scheibenförmige Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Halbleiterscheibe von außen nach innen sich verändert, vorzugsweise abnimmt.
  4. 4. Scheibenförmige Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß in Richtung des Minoritätsladungsträgerflusses in der Halbleiterscheibe Zonen unterschiedlicher Dotierung und/oder eine stetig, vorzugsweise monoton, abnehmende Dotierung vorgesehen sind.
  5. 5. Scheibenförmige Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zur Erzeugung eines Magnetfeldes senkrecht oder schräg zur Fläche der Halbleiterscheibe angeordnet sind, welches innerhalb der Emitterelektrode und/oder außerhalb der Emitterelektrode mit gleicher oder verschiedener Feldstärke wirkt.
  6. 6. Scheibenförmige Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Stelle auf der Halbleiterscheibe vorhanden ist, an der der Abstand zwischen der Emitterelektrode und einer Basiselektrode kleiner, vorzugsweise wesentlich kleiner als im übrigen Bereich ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Schweizerische Patentschrift Nr. 282 857; französische Patentschrift Nr. 1086 596.
DES50222A 1956-09-03 1956-09-03 Fadenhalbleiteranordnung mit zwei sperrfreien Basiselektroden und mindestens einer Emitterelektrode mit stetiger oder stufenweiser Zunahme der Feldstaerke Pending DE1045550B (de)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH282857A (de) * 1948-09-24 1952-05-15 Western Electric Co In einer elektrischen Schaltung angeordnetes Stromkreiselement aus Halbleitermaterial.
FR1086596A (fr) * 1952-08-22 1955-02-14 Thomson Houston Comp Francaise Procédé de fabrication des dispositifs semi-conducteurs comportant une ou plusieurs jonctions p-n

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH282857A (de) * 1948-09-24 1952-05-15 Western Electric Co In einer elektrischen Schaltung angeordnetes Stromkreiselement aus Halbleitermaterial.
FR1086596A (fr) * 1952-08-22 1955-02-14 Thomson Houston Comp Francaise Procédé de fabrication des dispositifs semi-conducteurs comportant une ou plusieurs jonctions p-n

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