DE2422748A1 - Thyristor - Google Patents
ThyristorInfo
- Publication number
- DE2422748A1 DE2422748A1 DE2422748A DE2422748A DE2422748A1 DE 2422748 A1 DE2422748 A1 DE 2422748A1 DE 2422748 A DE2422748 A DE 2422748A DE 2422748 A DE2422748 A DE 2422748A DE 2422748 A1 DE2422748 A1 DE 2422748A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- emitter
- edge
- control electrode
- electrode
- straight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42308—Gate electrodes for thyristors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT München 2, 1 CLMA11974
Berlin und München Witteisbacherplatz 2
Berlin und München Witteisbacherplatz 2
74/1077
Thyristor
Thyristoren für hohe di/dt-Werte erfordern einen Aufbau, der eine schnelle Ausbreitung des Zündvorgangs zuläßt. Die Ausbreitung
des Zündvorgangs wird unter anderem von der Lage und Form der Steuerelektrode des Thyristors bestimmt.
In der deutschen Patentschrift 1 254 326 ist ein Thyristor beschrieben
worden, der eine streifenförmig^, in einer streifenförmigen
Ausnehmung der Emitterelektrode liegende Steuerelektrode aufweist. Die Steuerelektrode, die Ausnehmung der Emitterelektrode
und die Emitterelektrode weisen jeweils zwei parallel zueinander liegende Kanten auf und sind im übrigen so
geformt, daß die Steuerelektrode überall den gleichen Abstand von der Emitterzone und der Kante der Ausnehmung in der Emitterelektrode hat.
geformt, daß die Steuerelektrode überall den gleichen Abstand von der Emitterzone und der Kante der Ausnehmung in der Emitterelektrode hat.
Experimente mit Thyristoren, bei denen der Steuerkontakt überall den gleichen Abstand vom Emitterrand hat, haben gezeigt,
daß die Zündung häufig an bevorzugten Stellen einsetzt, deren Lage an die Kristallorientierung gebunden ist. Diese Stellen haben anfangs eine sehr kleine Ausdehnung und werden, da sie vom Laststrom durchflossen werden, unter Umständen überhitzt. Der Thyristor kann dadurch zerstört werden.
daß die Zündung häufig an bevorzugten Stellen einsetzt, deren Lage an die Kristallorientierung gebunden ist. Diese Stellen haben anfangs eine sehr kleine Ausdehnung und werden, da sie vom Laststrom durchflossen werden, unter Umständen überhitzt. Der Thyristor kann dadurch zerstört werden.
In Pig. 1 ist dargestellt, an welchen bevorzugten Stellen die Zündung für den Pail einsetzt, daß der Halbleiterkörper aus *
einem Halbleiterstab hergestellt wurde, der in /11 γ-Richtung
gezogen wurde. Die Steuerelektrode ist mit 12 und der an die
VPA 9/190/4002 ' - 2 -
Hab/Dx
509847/0610
Oberfläche des Halbleiterkörpers tretende Emitterrand mit 13
bezeichnet. Es ist ersichtlich, daß die Zündung zunächst an bevorzugten Stellen H einsetzt, die der [θΤΐ]-, der [jioj-
und der [iOTJ-Richtung etwa parallel liegen.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Thyristor mit einem mindestens vier Zonen abwechselnden Leitungstyps aufweisenden
Halbleiterkörper mit einer Emitterelektrode auf einer der äußeren als Emitter wirkenden Zonen und mit einer in einer
Ausnehmung der Emitterelektrode liegenden, auf der der äußeren Zone benachbarten inneren Zone angeordneten Steuerelektrode,
wobei der Rand des Emitters innerhalb der Ausnehmung an die Oberfläche des Halbleiterkörpers tritt und die Steuerelektrode,
die Ausnehmung und der Emitterrand wenigstens eine gerade Kante aufweisen, die zueinander parallel liegen.
Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, einen solchen Thyristor so weiterzubilden, daß
die bevorzugt zündenden Bereiche möglichst groß werden.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine
der geraden Kanten der Steuerelektrode einen Abstand zur gegenüberliegenden geraden Kante des Emitterrandes hat, der
kleiner als der Abstand zwischen der Steuerelektrode und dem Emitterrand an den übrigen Teilen des Umfangs ist.
Eine besonders einfache Lösung ergibt sich, wenn der Emitterrand .die Form eines Kreissegments und die Steuerelektrode die
Form eines Rechtecks hat. Eine Vergrößerung des bevorzugten Bereiches erhält man dann, wenn der Emitterrand und die Steuerelektrode
die Form eines Kreissektors mit jeweils einer gekrümmten und zwei geraden Kanten haben, wobei die geraden Kanten
miteinander einen Winkel von 60 einschließen und die Abstände der geraden Kanten untereinander gleich und kleiner alsdie
der gekrümmten Kanten sind.
VPA 9/190/4002 - 3 -
509847/0610
Eine Ausführungsform mit einer weiteren Vergrößerung des "bevorzugten
Bereichs erhält man, wenn die Steuerelektrode, der Emitterrand und die Ausnehmung der Elektrode die Form eines
gleichseitigen Dreiecks haben und die Abstände zwischen allen geraden Kanten des Steuerkontakts und des Emitterrandes gleich
und kleiner als die Abstände der Eckpunkte der Dreiecke untereinander sind.
Eine minimale Zündverzögerungszeit und damit ein optimales Zünden erhält man bei allen drei Ausführungsformen dann, wenn
die geraden Kanten parallel zu den kristallographischen [j1Oj-Richtungen
eines in <y111^-Richtung gezogenen Haltleiterkörpers
liegen.
Die Erfindung wird an Hand von Ausführungsbeispielen in Verbindung
mit den Fig. 2 bis 5 näher erläutert. Es zeigen die Fig. 2 und 3 ein erstes Ausführungsbeispiel in der Aufsicht
beziehungsweise im Schnitt, Fig. 4 die ausschnittsweise Aufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel und Fig. 5 die
ausschnittsweise Aufsicht auf .ein drittes Ausführungsbeispiel.
In den Fig. 2 und 3 ist ausschnittsweise ein Halbleiterelement
eines Thyristors mit innerer Zündverstärkung gezeigt. Dieses weist mehrere Zonen abwechselnden Leitungstyps auf, von denen
die erste, die Emitterzone, mit 1 und die darunterliegende Basiszone mit 2 bezeichnet ist. Eine dritte und vierte Zone des
Halbleiterkörpers sind mit 3- und 4 bezeichnet. Die Emitterzone
1 ist-mit einer Emitterelektrode 5 verbunden. Im Halbleiterkörper ist eine Hilfsemitterzone 6 vorgesehen, die mit einer
Hilfsemitterelektrode 7 elektrisch verbunden ist. Mit der Basiszone
2 ist eine Steuerelektrode 8 verbunden. Zwischen der Steuerelektrode 8 und der Emitterelektrode 7 tritt der Emitterrand
J_2 des Hilfsemitters 6 an die Oberfläche des Halbleiterkörpers. "
VPA 9/190/4002 - 4 -
509847/0610
Die Steuerelektrode 8 hat eine gerade Kante 10 und sitzt in einer Ausnehmung der Hilfsemitterelektrode 7. Die Ausnehmung
der Hilfsemitterelektrode 7 und der an die Oberfläche des Halbleiterkörpers tretende Rand _1_2 des Hilfsemitters 6 haben
die Form eines Kreissegments mit je einer geraden Kante. Die gerade Kante des Emitterrandes ist mit 11 bezeichnet. Die Kanten
10 und 11 liegen einander parallel im Abstand A gegenüber.
Die Abstände zwischen den übrigen Teilen des Umfangs der Steuerelektrode
8 und des Emitterrandes Jj? sind mit B und C bezeichnet.
Der Abstand A ist kleiner als die Abstände B und C.
Durch diese Anordnung wird erreicht, daß der Zündvorgang bevorzugt
an dem der Kante 10 gegenüberliegenden Teil der Kante 11 stattfindet. Da entlang dieses Teils jeder Punkt in bezug
auf seine Orientierung zu den Kristallachsen gleichwertig ist,·
setzt die Zündung entlang einer langen Linie ein, und der Thyristor wird nicht überlastet und nicht zerstört. An den übrigen
Stellen des Emitterrandes des Hilfsemitters 6 setzt zunächst keine Zündung ein, da diese wegen der gegenüber dem Abstand
A größeren Abstände B, C benachteiligt sind.
In Pig. 4 ist die Steuerelektrode mit 15 bezeichnet. Sie hat die Form eines Kreissegments mit zwei geraden Kanten 17 und
und einer gekrümmten Kante 23. Die geraden Kanten 17 und 18
schließen zwischen sich einen Winkel von 60 ein. Ebenso weist der an die Oberfläche des Halbleiterkörpers tretende
Emitterrand j[6 zwei gerade Kanten 19 und 20 und eine gekrümmte
Kante 24 auf. Die Steuerelektrode 15 und der Emitterrand _1_6
sitzen in einer kreissektorförmigen Aussparung einer Emitterelektrode 21. Der Abstand zwischen den geraden Kanten 17 und
19 einerseits und 18 und 20 andererseits ist wiederum mit A bezeichnet. Der Abstand zwischen den gekrümmten Kanten 24 und
23 ist größer als der Abstand A und ist mit B bezeichnet. In diesem Fall wird die Zündung bevorzugt entlang der Kanten 19
VPA 9/190/4002 - 5 -
509847/0610
und 20 an denjenigen Stellen einsetzen, die den geraden Kanten
17 und 18 gegenüberliegen, da hier der Abstand zwischen der Steuerelektrode und dem Emitterrand am geringsten ist. Der
Winkel zwischen den geraden Kanten von 60 ° trägt der Tatsache Rechnung, daß die in Fig. 1 dargestellten kristallοgraphischen
Achsen "bei Verwendung eines in ^11i}-Richtung gezogenen Halbleiterkristalls
ebenfalls einen Winkel von 60 ° miteinander einschließen.
Im Ausführungsbeispiel nach Mg. 5 sind die Steuerelektrode mit 26, der Emitterrand mit 23 und die Emitterelektrode mit 28
bezeichnet. Die Steuerelektrode 26 und der Emitterrand 2j>
haben die Form eines gleichseitigen Dreiecks und sitzen in einer Aussparung der Emitterelektrode, die ebenfalls die Form eines
gleichseitigen Dreiecks hat. Der Abstand der Kanten der Steu- · erelektrode 26 von den Kanten 27 des Emitterrandes £5>
ist wiederrum mit. A bezeichnet. Der Abstand A ist kleiner als der Abstand
zwischen den Spitzen der Dreiecke, der mit B bezeichnet ist. Eine Zündung setzt in diesem Fall bevorzugt an denjenigen
Stellen des Emitterrandes 2j> ein, die den Kanten des Steuerkontakts
gegenüberliegen, das heißt auf einem Großteil des Umfangs des Emitterrandes 25.
Die Orientierung der geraden Kanten der Steuerelektrode und der ihnen gegenüberliegenden geraden Kanten des Emitterrandes
relativ zu den kristallοgraphischen Achsen spielt im Hinblick
auf die Ausdehnung der primär zündenden Bereiche zunächst keine Rolle. Die kürzesten Zündverzugszeiten erhält man jedoch,
wenn man die geraden Kanten von Steuerelektrode und Emitterrand parallel zu einer der kristallographisehen Achsen nach
Fig. 1 ausrichtet.
5 Patentansprüche
5 Figuren
5 Figuren
VPA 9/190/4002 - 6 -
509847/0610
Claims (5)
- Patentansprüche1· jThyristor mit einem mindestens vier Zonen abwechselnden Leitungstyps aufweisenden Halbleiterkörper mit einer Emitterelektrode auf einer der äußeren als Emitter wirkenden Zonen und mit einer in einer Ausnehmung der Emitterelektrode liegenden, auf der der äußeren Zone benachbarten inneren Zone angeordneten Steuerelektrode, wobei der Rand des Emitters innerhalb der Ausnehmung an die Oberfläche des Halbleiterskörpers tritt und die Steuerelektrode, die Ausnehmung und der Emitterrand wenigstens eine gerade Kante aufweisen, die zueinander parallel liegen, dadurch gekennzeichnet , daß wenigstens eine der geraden Kanten (TO, 17, 18) der Steuerelektrode (8, 15, 26) einen Abstand zur gegenüberliegenden geraden Kante (11, 19» 20,· 27)- des Emitterrandes Q£, _H), 23) hat, der kleiner als der Abstand zwischen der Steuerelektrode und dem Emitterrand an den übrigen Teilen des Umfangs ist.
- 2. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch g'e kennzeichnet, daß der Emitterrand (J_2) die Form eines Kreissegments und die Steuerelektrode (8) die Form eines Rechtecks hat.
- 3. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Emitterrand (_1_6) und die Steuerelektrode (15) die Form eines Kreissektors mit jeweils einer gekrümmten (23, 24). und zwei geraden (17, 19» 18, 20) Kanten haben, daß die geraden Kanten miteinander einen Winkel von 60 ° einschließen und daß die Abstände der- geraden Kanten untereinander gleich und kleiner als die der gekrümmten Kanten sind.VPA 9/190/4002 - 7 -509847/0 610
- 4. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Steuerelektrode (26), der Emitterrand (23) und die. Ausnehmung in der Emitterelektrode die Form eines gleichseitigen Dreiecks haben, und daß die Abstände zwischen allen geraden Kanten des Steuerkontakts und des Emitterrandes gleich und kleiner als die Abstände der Eckpunkte der Dreiecke untereinander sind.
- 5. Thyristor nach einem der Ansprüche 1 bis 4> dadurch g e k e η η ζ e i c h η e t , daß die geraden Kanten parallel zu den kristallographischen Pl lO^-Richtungen des in \111/-Richtung gezogenen Halbleiterkörpers liegen.VPA 9/190/4002509847/0610Leerseite
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2422748A DE2422748C3 (de) | 1974-05-10 | 1974-05-10 | Thyristor |
US05/575,665 US3999211A (en) | 1974-05-10 | 1975-05-08 | Thyristor |
JP50055883A JPS50156886A (de) | 1974-05-10 | 1975-05-08 | |
CA226,992A CA1036714A (en) | 1974-05-10 | 1975-05-09 | Thyristor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2422748A DE2422748C3 (de) | 1974-05-10 | 1974-05-10 | Thyristor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2422748A1 true DE2422748A1 (de) | 1975-11-20 |
DE2422748B2 DE2422748B2 (de) | 1978-02-16 |
DE2422748C3 DE2422748C3 (de) | 1978-10-19 |
Family
ID=5915217
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2422748A Expired DE2422748C3 (de) | 1974-05-10 | 1974-05-10 | Thyristor |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3999211A (de) |
JP (1) | JPS50156886A (de) |
CA (1) | CA1036714A (de) |
DE (1) | DE2422748C3 (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3137695A1 (de) * | 1981-09-22 | 1983-04-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Thyristor mit einem mehrschichten-halbleiterkoerper mit pnpn-schichtfolge und verfahren zu seiner herstellung |
JPS60253268A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-13 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JPS60253269A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-13 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ |
DE102004040524B4 (de) * | 2004-08-20 | 2006-06-29 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Thyristor mit gleichmäßigem Zündverhalten |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1234326B (de) * | 1963-08-03 | 1967-02-16 | Siemens Ag | Steuerbarer Gleichrichter mit einem einkristallinen Halbleiterkoerper und mit vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps |
NL296392A (de) * | 1963-08-07 | |||
US3585714A (en) * | 1965-09-28 | 1971-06-22 | Chou H Li | Method for making solid-state devices |
US3761785A (en) * | 1971-04-23 | 1973-09-25 | Bell Telephone Labor Inc | Methods for making transistor structures |
JPS4898784A (de) * | 1972-03-29 | 1973-12-14 |
-
1974
- 1974-05-10 DE DE2422748A patent/DE2422748C3/de not_active Expired
-
1975
- 1975-05-08 US US05/575,665 patent/US3999211A/en not_active Expired - Lifetime
- 1975-05-08 JP JP50055883A patent/JPS50156886A/ja active Pending
- 1975-05-09 CA CA226,992A patent/CA1036714A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1036714A (en) | 1978-08-15 |
DE2422748C3 (de) | 1978-10-19 |
JPS50156886A (de) | 1975-12-18 |
DE2422748B2 (de) | 1978-02-16 |
US3999211A (en) | 1976-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3002526C2 (de) | ||
DE7239217U (de) | Schneideinsatz | |
DE1906479C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1094370B (de) | Symmetrisch aufgebaute, flaechenhafte Halbleiteranordnung, insbesondere Transistor | |
DE1208411B (de) | Durchschlagsunempfindlicher Halbleitergleichrichter mit einer Zone hoeheren spezifischen Widerstands | |
DE2422748A1 (de) | Thyristor | |
DE2142204A1 (de) | Thyristor | |
DE2506102C3 (de) | Halbleitergleichrichter | |
DE2329872C3 (de) | Thyristor | |
DE2756514A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1251440C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2520134A1 (de) | Thyristor | |
DE2346237A1 (de) | Thyristor | |
DE3017584C2 (de) | Thyristor | |
DE2209518B2 (de) | Zweirichtungsthyristor | |
DE2246979C3 (de) | Thyristor | |
DE2537984C3 (de) | Thyristor | |
DE2157091C3 (de) | Thyristor mit integrierter Diode | |
DE1514817C3 (de) | Transistor | |
DE3000804A1 (de) | Thyristor mit kurzgeschlossenem emitter fuer kurze stromflussdauer | |
DE1209211B (de) | Steuerbares Halbleiterbauelement mit mindestens drei pn-UEbergaengen und mit einer Steuerelektrode | |
DE2323613A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2341211A1 (de) | Thyristor | |
DE1614026C3 (de) | Transistor | |
DE2161893A1 (de) | Antennensystem mit gleicher charakteristik in der e- und h-ebene |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |