DE2329872C3 - Thyristor - Google Patents

Thyristor

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DE2329872C3
DE2329872C3 DE2329872A DE2329872A DE2329872C3 DE 2329872 C3 DE2329872 C3 DE 2329872C3 DE 2329872 A DE2329872 A DE 2329872A DE 2329872 A DE2329872 A DE 2329872A DE 2329872 C3 DE2329872 C3 DE 2329872C3
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    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
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    • H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit mindestens vier Zonen abwechselnden Leitungstyps, von denen die erste eine Emitterzone bildet und mit einer Emitterelektrode versehen ist, und die zweite eine Basiszone bildet und mit einer Steuerelektrode versehen ist, mit einer Hilfsemitterzone und einer Hilfsemitterelektrode, die mit der Basiszone verbunden ist, mit mindestens einem pn-Ubergang zwischen Emitterzone und Basiszone, mit einem in der Basiszone oder der Emitterzone an der Oberfläche des Halbleiterkörpers liegenden, als Kurzschluß wirkenden Strompfad, der nicht durch einen pn-Übergang unterbrochen ist und der die Emitterelektrode und die Hilfsemitterelektrode direkt verbindet.
Ein solcher Thyristor ist beispielsweise in der US-PS 86 927 beschrieben worden. Bei diesem Thyristor sind mehrere Strompfade vorhanden. Diese Strompfade werden durch einen Teil der Basiszone gebildet, der zwischen mit der Basiszone verbundenen Teilen der Emitterlektrode einerseits und der Hilfsemitterzone anderer&eiis iiegi. Die Emiüereiekirude des bekannten Thyristors weist Vorsprünge auf, die den pn-Übergang zwischen der Emitterzone und der Basiszone überdekken und so eine ohmsche Verbindung zwischen der Emitterelektrode und der Hilfsemitterelektrode herstellt Beim bekannten Thyristor ist die Länge des nicht durch die Emitterelektrode überdeckten pn-Übergangs im Verhältnis zur Länge des kurzgeschlossenen pn-Übergangs klein. Damit wird der zum Zünden des Hauptthyristors erforderliche Strom sehr hoch.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Thyristor der beschriebenen Art so weiterzubilden, daß der Zündstrom für den Hauptthyristor klein gehalten werden kann.
M) Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterelektrode und die Emitterzone einerseits und die Hilfsemitterelektrode andererseits aus mehreren parallelen, leitend miteinander verbundenen Streifen bestehen, daß die Streifen der Emitterelektrode und der Emitterzone zwischen denen der Hilfsemitterelektrode liegen und daß der Strompfad zwischen einem freien Ende eines Streifens der Emitterelektrode und der Hilfsemitterelektrode liegt
Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß mindestens ein Streifen der Emitterzone an seinem freien Ende unter die Hilfsemitterelektrode greift.
Ein Vorteil der Erfindung besteht darin, daß der Widerstand des Strompfades durch Verlängerung oder Verkürzung des freien Endes der Emitterelektrode sehr genau eingestellt werden kann.
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung in Verbindung mit der Figur näher erläutert.
In der Figur ist der Halbleiterkörper eines Thyristors mit 1 bezeichnet. Der Halbleiterkörper 1 weist eine Basiszone 2, eine Hilfsemitterzone 3 und eine Emitterzone 4 auf. Die Hilfsemitterzone 3 ist ringförmig ausgebildet, während die Emitterzone 4 Streifenform hat. Zwischen der Basiszone 2 und der Hilfsemitterzone 3 liegen pn-Übergänge 8,9. Zwischen der Emitterzone 4 und der Basiszone 2 liegt ein pn-Übergang 5. Die Basiszone 2 ist mit einer Steuerelektrode 7 verbunden. Die Hilfsemitterzone 3 ist mit einer Hilfsemitterzone 10 elektrisch verbunden, die streifenförmige Teile aufweist Die streifenförmigen Teile der Hilfsemitterelektrode 10, der Emitterzone 4 und der Emitterelektrode 6 greifen ineinander, wobei die streifenförmigen Teile der Hiifsemittereiektrode 10 mit der Basiszone 2 des Halbleiterkörpers 1 verbunden sind.
Die Emitterzone 4 ist an einem Ende 11 eines streifenförmigen Teils unter die Hilfsemitterelektrode 10 gelegt, so daß eine elektrisch leitende Brücke 12 zwischen der Emitterelektrode und der Hilfsemitterelektrode entsteht. Diese hat die Funktion eines elektrischen Kurzschlusses, der in bekannter Weise zur Erhöhung des du/dt-Wertes des Thyristors dient.
Bei der gezeigten Anordnung mit streifenförmigen Zonen und Elektroden kann unter Umständen ganz auf die bekannten Kurzschlußlöcher verzichtet werden. Es ist auch möglich, mehrere Brücken nach Art der Brücke 12 vorzusehen. Dies empfiehlt sich zum Beispiel, wenn das Ende 11 der Emitterzone 4 nicht beliebig verbreitert werden kann.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit mindestens vier Zonen abwechselnden Leitungstyps, von denen die erste eine Emitterzone bildet und mit einer Emitterelektrode versehen ist, und die zweite eine Basiszone bildet und mit einer Steuerelektrode versehen ist, mit einer Hilfsemitterzone und einer Hilfsemitterelektrode, die mit der Basiszone verbunden ist, mit mindestens einem pn-Obergang zwischen Emitterzone und Basiszone, mit einem in der Basiszone oder der Emitterzone an der Oberfläche des Haibleiterkörpers liegenden, als Kurzschluß wirkenden Strompfad, der nicht durch einen pn-Obergang unterbrochen ist und der die Emitterelektrode und die Hilfsemitterelektrode direkt verbindet, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterelektrode (6) und die Emitterzone (4) einerseits und die Hilfsemitterelektrode (10) andererseits aus mehreren parallelen, leitend miteinander verbundenen Streifen bestehen, daß die Streifen der Emitterelektrode (6) und der Emitterzone (4) zwischen denen der Hilfsemitterelektrode liegen und daß der Strompfad zwischen einem freien Ende eines Streifens der Emitterelektrode (6) und der Hilfsemitterelektrode (10) liegt.
2. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Streifen der Emitterzone (4) an seinem freien Ende (11) unter die Hilfsemitterelektrode (10) greift.
DE2329872A 1973-06-12 1973-06-12 Thyristor Expired DE2329872C3 (de)

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NL7404409A NL7404409A (de) 1973-06-12 1974-04-01
AT368374A AT330297B (de) 1973-06-12 1974-05-03 Thyristor
CH691574A CH572279A5 (de) 1973-06-12 1974-05-20
GB2560274A GB1477513A (en) 1973-06-12 1974-06-10 Unidirectional thyristors
FR7420143A FR2233716B1 (de) 1973-06-12 1974-06-11
BE145329A BE816223A (fr) 1973-06-12 1974-06-12 Thyristor
SE7407777A SE406841B (sv) 1973-06-12 1974-06-12 Tyristor
JP49067002A JPS587068B2 (ja) 1973-06-12 1974-06-12 サイリスタ
US05/665,654 US4086612A (en) 1973-06-12 1976-03-10 Thyristor

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DE2329872A1 DE2329872A1 (de) 1975-01-09
DE2329872B2 DE2329872B2 (de) 1978-08-24
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AT (1) AT330297B (de)
BE (1) BE816223A (de)
CH (1) CH572279A5 (de)
DE (1) DE2329872C3 (de)
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GB (1) GB1477513A (de)
NL (1) NL7404409A (de)
SE (1) SE406841B (de)

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NL7404409A (de) 1974-12-16
SE406841B (sv) 1979-02-26
FR2233716A1 (de) 1975-01-10
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DE2329872B2 (de) 1978-08-24
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CH572279A5 (de) 1976-01-30
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