DE2146178C3 - Thyristor mit Steuerstromverstärkung - Google Patents
Thyristor mit SteuerstromverstärkungInfo
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 title claims description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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- H01L29/7428—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action having an amplifying gate structure, e.g. cascade (Darlington) configuration
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Thyristor mit Steuerstromverstärkung mit in einem Halbleiterkörper
aus mindestens vier Zonen abwechselnden Leitungstyps integriertem Haupt- und Hüfsthyristor mit gemeinsamer
Anode, wobei die Steuerelektrode auf der Basiszone kleinflächig in einer zentralen Aussparung
der Emitterzone kontaktiert ist und innerhalb dieser Aussparung um die kleinflächige Kontaktierung herum
eine Ringzone angeordnet ist, welche Ringzone den gleichen Leitungstyp aufweist wie die Emitterzone und
welche Ringzone teilweise, unter Bildung eines kurzgeschlossenen Hilfsemitters, von einer Metallelektrode
kontaktiert ist.
Bei einem derartigen bekannten Thyristor (US-PS 76 989) mit Steuerstromverstärkung (»amplifying
gate«; der Begriff ist in »The Amplifying Gate« SCR Publication 671.95; März 1969 der Fa. General Electric
Comp, erläutert) ist die Kathode (Hilfsemitter) des Hilfsthyristors mit der zentralen Steuerelektrode des
Hauptthyristors mittelbar verbunden. Der Vorteil dieser Maßnahme liegt weniger in der Erhöhung der
Zündausbreitimgsgeschwindigkeit, als vielmehr in der
Verringerung des Steuerstrom-Bedarfs.
Es ist allgemein bekannt, daß beim Durchschalten bzw. Zünden eines Thyristors die Stromanstiegsgeschwindigkeiten
dadurch begrenzt sind, daß sich die Entladung innerhalb eines Thyristors von der Steuerelektrode
aus mit endlicher Geschwindigkeit ausbreitet
ίο Dadurch entstehen Einschaltverluste, die insbesondere
bei höheren Frequenzen erhebliche Werte annehmen können. Bei höheren Frequenzen können daher die
Thyristoren nicht mehr mit ihrer vollen Nennleistung betrieben werden.
Zur Verbesserung der Einschalteigenschaften von Thyristoren, insbesondere im Hinblick auf eine kürzere
Zündausbreitungszeit, hat die im Mittelpunkt der Kathode in einer Aussparung derselben angeordnete
Steuerelektrode die günstigste Lage (W. Gerlach u.
A.C. Stumpe, »Das Schalt verhalten von Thyristoren«
in Energieelektronik und geregelte elektrische Antriebe, VDE-Buchreihe, Bd. 11, 1966, S. 32 bis 51,
insbesondere S. 42). Durch G e r 1 a c h ist auch bekannt,
zur Verkürzung der Zündausbreitungszeit mehrere Steuerelektroden anzubringen und parallel zu schalten.
Allerdings ist dabei der Steuerleistungsaufwand größer. Der erhöhte Steuer'eistungsbedarf ist unter anderen
eine der Ursachen für die Unwirtschaftlichkeit einer ringförmigen Anordnung der Steuerelektrode. Eine
μ Parallelschaltung mehrerer Steuerelektroden führt im
allgemeinen nicht zu einer entsprechenden Vervielfachung der zulässigen Durchschaltverlustarbeit Jeweils
die Steuerelektrode, die die kürzeste Einschaltverzugszeit ergibt, bestimmt mit ihrem zuerst gezündeten Kanal
im wesentlichen das Volumen, in dem die Einschaltverluste auftreten und damit die Höhe der zulässigen
Einschaltverlustarbeit. Mit dem Durchschalten der ersten Stelle wird die Anodenspannung stark reduziert,
so daß die anderen Stellen fasi vollständig von
Eine Möglichkeit, den zuerst zu zündenden Bereich entscheidend zu vergrößern, bietet das ursprünglich von
Gerlach (VDE-Buchreihe, BdH, 1966, S.32 bis 51)
gefundene Prinzip des »Querfeldemitters«. Dabei wird ein der zentralen, an sich kleinflächigen Steuerelektrode
benachbarter Bereich hochohmig mit dem Emitteranschluö
(Kathode) verbunden. Mit anderen Worten: ein ringförmiger Emitterbereich wird von der Kathode
nicht kontaktiert Dies zeigt auch die Fig. 1 der FR-PS
5ß 20 70 288, wobei die Kathode einen ringförmigen
Emitterbereich in der Nähe der Steuerelektrode freiläßt Dieses Prinzip soll auch bei vorliegender
Erfindung realisiert, jedoch nicht als solches zum Schutz beansprucht werden.
Verbindet man nach G e r I a c h bei einem Thyristor
mit Querfeldemitter weitere Steuerelektroden mit dem Emitterrand des Querfeldemitters, so liefert der
Spannungsabfall am Querfeldemitter die Zündspannung für die weiteren Steuerelektroden.
Der Nachteil dieser Lösung besteht darin, daß die zusätzlichen Steuerelektrode™ erst nach einer gewissen
Verzögerung von einigen Mikrosekunden angesteuert werden, so daß während der ersten Mikrosekunden
nach dem Einschalten, in denen die Haupteinschaltver-
Μ luste entstehen, die Stromdichten bzw. Verlustdichten
genau so groß sind wie bei einem normalen Thyristor mit Querfeldemitter. Eine Vergrößerung der Flächen
der Steuerelektroden verbietet sich wegen des dann zu
hohen Bedarfs an Steuerstrom.
Der Erfindung liegt, ausgehend vom eingangs
beschriebenen Thyristor mit Steuerstromverstärkung, die Aufgabe zugrunde, erstrangig den Zündvorgang an
verschiedenen Stellen etwa gleichzeitig einzuleiten und zweitrangig für eine gleichmäßige Verteilung des
Zündvorganges zu sorgen.
Die Lösung dieser Aufgabe besteht darin, daß erfindungsgemäß die Emitterzone mit mindestens einer
zusätzlichen Aussparung versehen ist, durch die hindurch die Basiszone des Thyristors zusätzlich
kleinflächig kontaktiert ist und daß die an ihrem äußeren Rand von der Metallelektrode kontaktierte
Ringzone und die zusätzliche oder die zusätzlichen Kontaktierungen der Basiszone über eine Leitung
sperrschichtfrei miteinander verbunden sind.
Bei mehreren solchen zusätzlichen kleinflächigen Kontaktk:rungen der Basiszone sind diese natürlich
über die Emitterfläche verteilt, so daß ihnen etwa gleiche zu zündende Emitterzonenbereiche zugeordnet
sind wie der Ringzone.
Die Ringzone bildet mit der umgebenden Halbleiter-Struktur
einen Hilfsthyristor, der den Steuerstrom an die zusätzlichen kleinflächigen Kontaktierungen (Hilfssteuerelektroden)
der Basiszone liefert, so daß das Durchschalten des Thyristors praktisch gleichzeitig an
mehreren Stellen eingeleitet wird. Eine erhebliche Steigerung der Zündausbreitungsgeschwindigkeit ist die
Folge, so daß die Einschaltverluste stark herabgesetzt werden. Das macht sich besonders bei höheren
Frequenzen bemerkbar. Der Steuersatz für den Thyristor braucht nur den Steuerstrom für den kleinen
Hilfsthyristor zu liefern, während der Steuerstrom für die zusätzlichen Kontaktierungen der Basiszone aus
dem Hauptstromkreis entnommen wird. Die von G e r I a c h angesprochene und vorstehend erwähnte
wirtschaftliche Grenze (Steuerleistungsbedarf) ist daher verschoben. Es ist wesentlich, daß durch die Parallelarbeit
der Hilfssteuerelektroden und durch ihre Verteilung nicht iur die Zündausbreitungsgeschwindigkeit
erhöht ist, sondern daß auch die Zündung, die von jeder Hilfssteuerelektrode ausgeht, in etwa gleicher Zeit
beendet ist. Diese simultane Zündung wird erzwungen, weil die Zündenergie vom Hauptstromkreis entnommen
wird. Der Spannungsabfall an der Ringzone ist abhängig vom d/7dr im Hauptstromkreis. Wenn diese Stromanstiegswerte
hoch sind, werden die Hilfselektroden mit größerer Energie versorgt Wegen dieser Abhängigkeit
schützt sich der Thyristor auch bis zu sehr hohen di/dl·Werten selbst
Steigende Steuerströme und d/7d<-Werte verschieben
die Steuerrpannungen auf der Zeitachse zu kleineren zeitlichen Werten für die Einleitung und Beendigung des
Zündvorganges. Die Spannung bricht beim Zünden also schneller zusammen als bei bekannten Thyristoren, so
daß, wie bereits gesagt, die Einschaltverluste herabgesetzt sind.
Auf die Geometrie der zusätzlichen, als Hilfselektroden wirkenden Kontaktierungen kommt es nicht an.
Man kann also solche Geometrien wählen, die bisher wegen des zu hohen Steuerstrombedarfs nicht angewendet
wurden. Günstig ist es, die Aussparung für die zusätzlichen Kontaktierungen ringförmig auszubilden
oder mehrere kleinflächige kreisförmige Aussparungen für die Kontaktierungen vorzusehen.
Zweckmäßig ist die Emitterzone unterhalb der Hauptelektrode (Kathode) mit Durchbrüchen versehen,
durch die hindurch die darunterliegende Basiszone bis zur Hauptelektrode reicht, so daß sich ein »kurzgeschlossener
Emitter« ergibt Durch diese an sich bekannte Maßnahme wird die kritische Spannungssteilheit(d;7d<)
erhöht
einem p+-Gebiet der p-leitenden Basiszone, was den
ίο kleinflächigen zusätzlichen Kontaktierungen zusätzlich
nach außen an einen besonderen Anschluß des Thyristors geführt Damit läßt sich vorteilhaft ein
Informationssignal über den Zündvorgang gewinnen und weiterverarbeiten oder eine Ansteuerung über
diese Leitung bewirken, falls man ohne innere Zündstromverstärkung, aber mit extrem kleiner Zündverzugszeit
arbeiten wilL
Im folgenden soll ein Ausführungsheispiel der Erfindung in Verbindung mit der Zeichnung beschrieben
werden, die einen Schnitt durch einen Thyristor darstellt
Der als Ausführungsbeispiel dargestttlte Thyristor
weist eine npnp-Struktur auf. Die obere η-dotierte Zone
1 dient als Emitter. Sie ist auf bekannte Weise mit Durchbrüchen 2 versehen, durch die die darunterliegende
p-dotierte Basiszone 3 bis zur metallischen Hauptelektrode 4 (Kathode) hindurchragt so daß sich
der bekannte »kurzgeschlossene Emitter« ergibt
Die Emitterzone 1 und die Kathode 4 weisen in der Mitte eine Aussparung auf, in der die Basiszone 3 mit einer kleinflächig ausgebildeten, ρ+-dotierten Kontaktierung 5 nebst Metallelektrode 6 versehen ist Dieses ist die Steuerelektrode. Um diese kleinflächig ausgebildete Kontaktierung 5 herum ist innerhalb der Aussparung eine Ringzone 7 angeordnet die genauso wie die Emitterzone 1 η-dotiert ist und als Emitter des Hilfsthyristors wirkt Ein Teil der Ringzone 7 ist mit dem danebenliegenden Gebiet der Basiszone 3 innerhalb der Aussparung mittels einer Metallelektrode 8 verbunden, so daß auch hier ein kurzgeschlossener Emitterübergang gebildet ist Die Metallelektrode 8 ist über Leitungen 9 und 10 p+-dotierten Gebieten 11 bzw. 12 der Basiszone 3 verbunden, die sich in zusätzlichen Aussparungen 17 der Emitterzone 1 befinden und zum Anschluß der Leitungen 9, 10 mi* zusätzlichen Kontaktierungen 18 (Hilfselektroden) versehen sind.
Die Emitterzone 1 und die Kathode 4 weisen in der Mitte eine Aussparung auf, in der die Basiszone 3 mit einer kleinflächig ausgebildeten, ρ+-dotierten Kontaktierung 5 nebst Metallelektrode 6 versehen ist Dieses ist die Steuerelektrode. Um diese kleinflächig ausgebildete Kontaktierung 5 herum ist innerhalb der Aussparung eine Ringzone 7 angeordnet die genauso wie die Emitterzone 1 η-dotiert ist und als Emitter des Hilfsthyristors wirkt Ein Teil der Ringzone 7 ist mit dem danebenliegenden Gebiet der Basiszone 3 innerhalb der Aussparung mittels einer Metallelektrode 8 verbunden, so daß auch hier ein kurzgeschlossener Emitterübergang gebildet ist Die Metallelektrode 8 ist über Leitungen 9 und 10 p+-dotierten Gebieten 11 bzw. 12 der Basiszone 3 verbunden, die sich in zusätzlichen Aussparungen 17 der Emitterzone 1 befinden und zum Anschluß der Leitungen 9, 10 mi* zusätzlichen Kontaktierungen 18 (Hilfselektroden) versehen sind.
Der übrige Aufbau des Thyristors ist üblich. Auf die Basiszone 3 folgt eine η-dotierte Schicht 13, an die sich
wieder eine p-dotierte Schicht 14 anschließt. Über eine ρ+-dotierte Schicht 15 ist die zweite Hauptelektrode 16
(Anode) am Thyristor angebracht
Zur Ansteuerung wird der Thyristor in an sich bekannter Weise mit sei.ier Steuerelektrode 6 und der
Hilfskathode 8 oder der Kathode 4 an einem Steuersatz
(nicht dargestellt) angeschlossen. Wird über die Steuerelektrode 6 der Kontaktierung 5 ein Steuerimpuls
zugeführt, so bildet sich zuerst ein stromführender Kanal aus, der von der Ringzone 7 ausgeht Es stellt sich
dabei zwischen der Ringzone 7 and der Kathode 4 ein
w> Spannungsabfall ein, der bekanntlich vom d/7df-Wert im
Hauptstromkreis derart abhängig ist, daß bei steigenden di/dt-Werten den zusätzlichen Kontaktierungen 18 und
den ρ+-Gebieten 11 und 12 höhere Zündleistungen angeboten werden können. Hierdurch kann die
hr· Zündung überall gleichzeitig und schnell erfolgen, so
daß sich der Thyristor bis zu sehr hohen d;7dr-Werten
selbst vor Durchschlagen schützt.
Durch die besonders hohen Zündgeschwindigkeiten,
Durch die besonders hohen Zündgeschwindigkeiten,
die man mit diesem Thyristor erzielen kann, werden auch seine Einschaltverluste kleiner als bei Thyristoren
bekannter Bauart, so daß er besonders gut als Frequenzthyristor brauchbar ist
Häufig kann es vorteilhaft sein, die Zündleistung, die an der Ringzone 7 abgenommen werden kann, nicht nur
den zusätzlichen ρ+-Gebieten 11 und 12 zuzuführen, sondern sie auch an anderer Stelle zu verwenden. Dann
wird man zweckmäßigerweise die Elektrode 8 beziehungsweise die Leitungen 9 und 10 mit einem
besonderen Anschluß des kompletten Thyristors verbinden. Das ist der Übersichtlichkeit wegen nicht,
dargestellt worden. Das ist immer dann von Vorteil, wenn irgendwelche Steuerungen vorgenommen werden
sollen, die vom d//df-Wert im Hauptstromkreis abhängig
sind. Durch eine Verstärkung des ursprünglich der Steuerelektrode 6 zugeführten Steuerimpulses durch
einen gesonderten Thyristor läßt sich dies nicht
erreichen.
Der Thyristor kann nach bekannten Verfahren hergestellt werden. Die verschiedenen Zonen können
unter Verwendung von Maskentechniken diffundiert werden, und die Leitungen 9 und 10 kann man auf
κ Schutzstreifen aus Siliziumdioxid aufdampfen. Hierzu
kann man beispielsweise Aluminium oder ein anderes Metall verwenden. Auch das Siliziumdioxid kann
aufgedampft werden.
Claims (6)
1. Thyristor mit Steuerstromverstärkung mit in einem Halbleiterkörper aus mindestens vier Zonen
abwechselnden Leitungstyp.s integriertem Haupt- und Hüfsthyristor mit gemeinsamer Anode, wobei
die Steuerelektrode auf der Basiszone kleinflächig in einer zentralen Aussparung der Emitterzone kontaktiert
ist und innerhalb dieser Aussparung um die kleinflächige Kontaktierung herum eine Ringzone
angeordnet ist, welche Ringzone den gleichen Leitungstyp aufweist wie die Emitterzone und
weiche Ringzone teilweise, unter Bildung eines kurzgeschlossenen Hilfsemitters, von einer Metallelektrode
kontaktiert ist, dadurch gekennzeichnet,
daß die Emitterzone (1) mit mindestens einer zusätzlichen Aussparung (17) versehen ist,
durch die hindurch die Basiszone (3) des Thyristors zusätzlich kleinflächig kontaktiert ist und daß die an
ihrem äußeren Rand von der Metallelektrode (8) kontaktiertt Ringzone (7) und die zusätzliche oder
die zusätzlichen Kontaktierungen (18) der Basiszone (3) über eine Leitung (9 bzw. 10) sperrschichtfrei
miteinander verbunden sind.
2. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Aussparung (17)
ringförmig ausgebildet ist.
3. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere zusätzliche Aussparungen
(17) kreisförmig ausgebildet sind.
4. Thyristor nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone (1) unterhalb
der Hauptelektrode (Kathode -4) mit Durchbrüchen
(2) versehen ist, durch die hindurch die darunterliegende
Basiszone (3) bis zur Haup elektrode reicht.
5. Thyristor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungen
(18) der Leitungen (9 bzw. 10) in den zusätzlichen Aussparungen (17) jeweils auf einem p+-Gebiet (12
bzw. 11) der p-leitenden Basiszone (3) erfolgen.
6. Thyristor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitung (9,10) von
der Ringzone (7) zu den kleinflächigen zusätzlichen Kontaktierungen (18) zusätzlich nach außen an einen
besonderen Anschluß des Thyristors geführt ist.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2146178A DE2146178C3 (de) | 1971-09-15 | 1971-09-15 | Thyristor mit Steuerstromverstärkung |
JP47073892A JPS4881489A (de) | 1971-09-15 | 1972-07-25 | |
FR7232386A FR2155942B1 (de) | 1971-09-15 | 1972-09-13 | |
SE7211803A SE378709B (de) | 1971-09-15 | 1972-09-13 | |
GB4249072A GB1359076A (en) | 1971-09-15 | 1972-09-13 | Thyristor with firing current amplification |
CH538198D CH538198A (de) | 1971-09-15 | 1972-09-13 | Thyristor mit Zündstromverstärkung |
US3794890D US3794890A (en) | 1971-09-15 | 1972-09-14 | Thyristor with amplified firing current |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2144617 | 1971-09-15 | ||
DE2146178A DE2146178C3 (de) | 1971-09-15 | 1971-09-15 | Thyristor mit Steuerstromverstärkung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2146178A1 DE2146178A1 (de) | 1973-03-22 |
DE2146178B2 DE2146178B2 (de) | 1979-02-01 |
DE2146178C3 true DE2146178C3 (de) | 1979-09-27 |
Family
ID=25761696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2146178A Expired DE2146178C3 (de) | 1971-09-15 | 1971-09-15 | Thyristor mit Steuerstromverstärkung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3794890A (de) |
CH (1) | CH538198A (de) |
DE (1) | DE2146178C3 (de) |
FR (1) | FR2155942B1 (de) |
GB (1) | GB1359076A (de) |
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- 1972-09-14 US US3794890D patent/US3794890A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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