DE2346256C3 - Thyristor - Google Patents

Thyristor

Info

Publication number
DE2346256C3
DE2346256C3 DE19732346256 DE2346256A DE2346256C3 DE 2346256 C3 DE2346256 C3 DE 2346256C3 DE 19732346256 DE19732346256 DE 19732346256 DE 2346256 A DE2346256 A DE 2346256A DE 2346256 C3 DE2346256 C3 DE 2346256C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
emitter
thyristor
recess
nose
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19732346256
Other languages
English (en)
Other versions
DE2346256B2 (de
DE2346256A1 (de
Inventor
Peter Dipl.-Ing. Dr. 8000 Muenchen Voss
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19732346256 priority Critical patent/DE2346256C3/de
Priority to JP10545574A priority patent/JPS5538834B2/ja
Publication of DE2346256A1 publication Critical patent/DE2346256A1/de
Publication of DE2346256B2 publication Critical patent/DE2346256B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2346256C3 publication Critical patent/DE2346256C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H01L29/7428—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action having an amplifying gate structure, e.g. cascade (Darlington) configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
    • H01L29/0642—Isolation within the component, i.e. internal isolation
    • H01L29/0646—PN junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1012—Base regions of thyristors
    • H01L29/102—Cathode base regions of thyristors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H01L29/7424—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action having a built-in localised breakdown/breakover region, e.g. self-protected against destructive spontaneous, e.g. voltage breakover, firing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
    • H01L29/0692—Surface layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1012—Base regions of thyristors
    • H01L29/1016—Anode base regions of thyristors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit mindestens vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps, von denen die ersten drei Zonen eine Emitterzone, eine erste und eine zweite Basiszone bilden, mit einer Steuerelektrode auf der ersten Basiszone und mit einem zwischen Emitter und Steuerelektrode in der ersten Basiszone liegenden, mindestens eine Ausnehmung aufweisenden Ballastsegment vom Leitungstyp der ersten Emitterzone.
Ein solcher Thyristor ist beispielsweise in der DE-OS 47 342 beschrieben worden. Die Ballastsegmente haben hier den Zweck, die Steuerempfindlichkeit so stark wie möglich zu erhöhen.
Demgegenüber liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen Thyristor der eingangs erwähnten Art so weiterzubilden, daß beim Überkopfzünden des Thyristors (Zünden durch Überschreiten der Nullkippspannung) eine hohe Einschaltbelastung zugelassen werden kann.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper einen Bereich aufweist, dessen Durch-■ > bruchspannung niedriger ist als die des übrigen Halbleiterkörpers, daß dieser Bereich innerhalb des Ballastsegmentes liegt, daß der Emitter mit einer Nase versehen ist, die in die Ausnehmung des Ballastsegmentes hineinragt, daß die Nase des Emitters den Bereich κι überlappt und daß die Zündelektrode den Bereich weitgehend überdeckt
In der DE-OS 21 42 204 ist zwar ein Thyristor
beschrieben worden, der einen Bereich mit geringerer Durchbruchspannung aufweist In der DE-OS 21 40 700
ι ί ist weiterhin ein Thyristor beschrieben worden, dessen Emitterzone mit einer Nase versehen ist Diese Nase hat jedoch den Zweck, den Thyristor mit geringen Steuerströmen einzuschalten sowie die di/dt-Belastbarkeit zu steigern. Hinweise auf die dem Anmeldungsgegenstand zugrunde liegende Aufgabenstellung sind beiden Vorveröffentlichungen nicht zu entnehmen.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Die Erfindung wird an Hand zweier Ausführungsbei- >i spiele in Verbindung mit den F i g. 1 bis 4 näher erläutert. Es zeigen
F i g. 1 und 2 das Halbleiterelement eines ersten Ausführungsbeispiels im Schnitt und in der Aufsicht und Fig.3 und 4 das Halbleiterelement eines zweiten in Ausführungsbeispiels im Schnitt und in der Aufsicht.
Das Halbleiterelement nach F i g. 1 weist vier Zonen 1, 2, 3 und 4 mit abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyp auf. Die Zone 1 bildet den Emitter, die Zone 2 eine erste Basis, die Zone 3 die zweite Basis und die Zone 4 einen weiteren Emitter. Der Emitter 1 ist mit einer Emitterelektrode 5 und die erste Basiszone 2 mit einer Zündelektrode 6 versehen. Der weitere Emitter 4 ist mit einer weiteren Emitterelektrode 7 verbunden. In der zweiten Basiszone 3 ist ein Bereich 9 vorgesehen, dessen Durchbruchspannung durch höhere Dotierung niedriger als die Durchbruchspannung außerhalb des Bereiches 9 ist. Der Bereich 9 wird von der Zündelektrode 6 weitgehend überdeckt. In der ersten Basiszone 2 ist ein Ballastsegment 8 vorgesehen, das die Ii Zündelektrode 6 teilweise umschließt. Das Ballastsegment 8 weist eine Ausnehmung 13 (F i g. 2) auf. In diese Ausnehmung ragt eine Nase 10 des zwischen dem Emitter 1 und der ersten Basis 2 liegenden pn-Überganges 14 hinein. Die Nase 10 überlappt innerhalb der Ausnehmung 13 den Bereich 9 etwas. Das Ballastsegment 8 weist den gleichen Leitungstyp wie der Emitter 1 auf und kann gleichzeitig mit diesem z. B. durch Diffusion hergestellt werden. Die der Ausnehmung 13 zugekehrten Enden des Ballastsegmentes 8 sind mit Fortsätzen 11,12 versehen, die zwischen der Zündelektrode 6 und denjenigen Stellen der Nase 10 liegen, die bezüglich der Zündelektrode konvex ausgebildet sind.
Zur Erläuterung der Wirkungsweise wird angenommen, daß an der Hauptstrecke des Thyristors, d. h. an den Elektroden 5 und 7 des Thyristors eine die Durchbruchspannung des aus der Basis 2, dem Bereich 9 in der zweiten Basis 3 und der weiteren Emitterzone 4 bestehenden Elementes übersteigende Spannung angelegt wird. Der beim Durchbruch fließende Lawinenstrom fließt in der Richtung des Pfeils von der Elektrode 7 in Richtung der Zündelektrode 6. Diese überdeckt den Bereich 9 weitgehend und bewirkt, daß der erwähnte Lawinenstrom, der das Überkopfzünden einleitet, zuerst
zur Zündelektrode 6 und nicht direkt zum Emitter 1 fließt Das die Zündelektrode 6 teilweise umgebende Ballastsegment 8 bildet einen so hohen Widerstand für diesen Strom, daß er praktisch nur noch durch die Ausnehmung 13 zur Nase 10 des Emitters 1 abfließen kann. Er wird durch das Ballastsegment 8 auf eine relativ kleine Fläche konzentriert und fließt durch den Innenrand des pn-Oberganges 14 zur Emitter-Elektrode 5. Der spezifisch hohe Zündstrom führt daher an der Nase 10 des pn-Oberganges 14 von vorneherein zu einem reiativ gleichmäßigen, linienförmigen Durchsteuern des Emitters. Entlang dieser Linie beginnt der Laststrom zu fließen. Die Nase 10 des Emitters 1 überlappt den Bereich 9 geringfügig. Die Überlappung beträgt zweckmäßigerweise nicht mehr als 1 mm. Durch die Überlappung wird erreicht, daß die vom Innenrand des Emitters 14 emittierten Elektronen innerhalb des Bereiches 9 in die in den Zonen 2 und 3 liegende Raumladungszone fließen. Diese Ladungsträger werden wegen der in der Raumladungszone im Bereich 9 herrschenden hohen Feldstärke stark beschleunigt und erzeugen dort aufgrund hoher Ladungsträgermultiplikationen einen Strom, der schnell ansteigt und in kurzer Zeit die Basiszonen 2 und 3 in der Nähe des Innenrandes des pn-Überganges 14 mit Ladungsträgern überschwemmt. Damit bleibt ein relativ großflächiger Zündbereich erhalten.
Die Fortsätze U und 12 des Ballastsegments 8 umgeben die Nase 10 des Emitters 1 an denjenigen Stellen, an denen sie bezüglich der Zündelektrode 6 zu gerichtete Ecken aufweist. Damit wird eine Zündung an den Kanten oder konvexen Stellen des pn-Überganges 14 infolge Spitzenwirkung vermieden. Durch die Spitzenwirkung würde nämlich der primäre Einschaltvorgang wiederum in einem sehr kleinen Bereich stattfinden, was zur Überlastung dieses Bereichs infolge hoher spezifischer Belastung durch den Laststrom führen würde. Die Breite der Ausnehmung beträgt zweckmäßigerweise nicht weniger als etwa 1 mm. Wird die Ausnehmung kleiner gemacht, so wird entsprechend die Länge der zündenden Linie zu stark verringert, um noch hohe Einschaltbelastungen zuzulassen.
Die in Verbindung mit den F i g. 1 und 2 beschriebenen Merkmale können auch bei einem Thyristor mit innerer Zündstromverstärkung Anwendung finden, wie er beispielsweise in den F i g. 3 und 4 dargestellt ist. Teile mit gleicher Funktion, wie in den F i g. 1 und 2, sind mit gleichen Bezugszeichen versehen. Der Thyristor nach den F i g. 3 und 4 unterscheidet sich von dem nach den F i g. 1 und 2 im wesentlichen dadurch, daß er einen Hilfsemitter 16 und eine Hilfsemitter-Elektrode 18 aufweist. Der pn-Ubergang des Hilfsemitters ist mit 19 bezeichnet. Der eigentliche Emitter, auch Hauptemitter genannt, ist hier mit 15 bezeichnet, der pn-übergang zwischen dem Hauptemitter 15 und der ersten Basis 2 trägt das Bezugszeichen 20. Der Hauptemitter 15 ist mit einer Hauptemitter-Elektrode 17 versehen. Die Zündelektrode 21 ist im wesentlichen kreisförmig ausgebildet und in der Nähe der Ausnehmung 13 abgeflacht. Dadurch wird eine große Überdeckung des Bereiches 9 erzielt, ohne die Nase 10 zu berühren. Die Zündelektrode kann jedoch auch hier kreisförmig ausgebildet sein. Die Zündelektrode im Ausführungsbeispiel nach F i g. 2 kann auch die Form der Zündelektrode 21 aufweisen.
Die Funktionsweise des aus dem Hilfsemitter 16, der ersten Basis 2, der zweiten Basis 3 und des weiteren Emitter 4 bestehenden Hilfsthyristors und des aus den Zonen 2, dem Bereich 9 und der Zone 4 bestehenden Elements ist mit dem Thyristor nach den F i g. 1 und 2 identisch. Der aus der Zündelektrode 6 in den Hilfsemitter 16 fließende Durchbruchsstrom zündet den Hilfsthyristor am Innenrand des pn-Überganges. Damit fließt ein Laststrom ausgehend von der Elektrode 7 über den Hilfsemitter 16 zur Hilfsemitter-Elektrode 18. Dieser Laststrom fließt zum Hauptemitter 15 und dient als Zündstrom für den aus den Zonen 1, 2, 3 und 4 bestehenden Hauptthyristor.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit mindestens vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps, von denen die ersten drei Zonen eine Emitterzone, eine erste und eine zweite Basiszone bilden, mit einer Steuerelektrode auf der ersten Basiszone und einem zwischen Emitter und Steuerelektrode in der ersten Basiszone liegenden, mindestens eine Ausnehmung aufweisenden Ballastsegment vom Leitungstyp der ersten Emitterzone, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper einen Bereich (9) aufweist, dessen Durchbruchspannung niedriger ist als die des übrigen Halbleiterkörpers, daß dieser Bereich (9) innerhalb des Ballastsegmentes (8) liegt, daß der Emitter (1) mit einer Nase (10) versehen ist, die in die Ausnehmung (13) des Ballastsegmentes hineinragt, daß die Nase (10) des Emitters (1) den Bereich (9) überlappt und daß die Zündelektrode (6, 21) den Bereich (9) weitgehend überdeckt.
2. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Nase (10) den Bereich (9) um höchstens 1 mm überlappt.
3. Thyristor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmung (13) mindestens 1 mm breit ist
4. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Ballastsegment (8) an seinen der Ausnehmung (13) zugekehrten Enden mit Fortsätzen (11, 12) versehen ist, die zwischen der Zündelektrode (6) und denjenigen Stellen der Nase (10) liegen, die bezüglich der Zündelektrode (6) konvex sind oder auf die Zündelektrode zu gerichtete Ecken aufweisen.
5. Thyristor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der spezifische Widerstand in dem Bereich (9) 10 bis 40% niedriger als außerhalb des Bereiches ist.
6. Thyristor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Zündelektrode (6) im wesentlichen kreisförmig ausgebildet und in der Nähe der Ausnehmung (13) abgeflacht ist.
7. Verwendung des Thyristors nach einem der Ansprüche 1 bis 6 als Hilfsthyristor in einem Thyristor mit innerer Zündverstärkung.
DE19732346256 1973-09-13 1973-09-13 Thyristor Expired DE2346256C3 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19732346256 DE2346256C3 (de) 1973-09-13 1973-09-13 Thyristor
JP10545574A JPS5538834B2 (de) 1973-09-13 1974-09-12

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19732346256 DE2346256C3 (de) 1973-09-13 1973-09-13 Thyristor

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2346256A1 DE2346256A1 (de) 1975-03-27
DE2346256B2 DE2346256B2 (de) 1980-11-27
DE2346256C3 true DE2346256C3 (de) 1981-11-05

Family

ID=5892517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19732346256 Expired DE2346256C3 (de) 1973-09-13 1973-09-13 Thyristor

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPS5538834B2 (de)
DE (1) DE2346256C3 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS584467B2 (ja) * 1975-05-23 1983-01-26 三菱電機株式会社 ハンドウタイソウチ
JPS51142983A (en) * 1975-06-04 1976-12-08 Hitachi Ltd Scr
DE2538549C2 (de) * 1975-08-29 1985-06-13 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Mit Licht steuerbarer Thyristor
ZA775629B (en) * 1976-10-29 1978-08-30 Westinghouse Electric Corp An improvement in or relating to thyristor fired by collapsing voltage

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3731162A (en) * 1969-09-25 1973-05-01 Tokyo Shibaura Electric Co Semiconductor switching device
JPS5021346B1 (de) * 1970-08-14 1975-07-22
BE787597A (fr) * 1971-08-16 1973-02-16 Siemens Ag Thyristor

Also Published As

Publication number Publication date
DE2346256B2 (de) 1980-11-27
JPS5538834B2 (de) 1980-10-07
JPS5057583A (de) 1975-05-20
DE2346256A1 (de) 1975-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69302244T2 (de) Halbleiter-Schutzkomponente
DE2511281C2 (de) Fotothyristor
DE2107564B2 (de) Durch Lichteinfall steuerbarer Thyristor
DE7010576U (de) Gesteuerter gleichrichter.
DE2141627C3 (de) Thyristor
DE3024939C2 (de)
DE2407696C3 (de) Thyristor
EP0002840A1 (de) Kathodenseitig steuerbarer Thyristor mit einer Anodenzone aus zwei aneinandergrenzenden Bereichen mit unterschiedlicher Leitfähigkeit
DE2238564C3 (de) Thyristor
DE2346256C3 (de) Thyristor
DE1228343B (de) Steuerbare Halbleiterdiode mit stellenweise negativer Strom-Spannungs-Kennlinie
DE2146178B2 (de) Thyristor mit Steuerstromverstärkung
DE2142204A1 (de) Thyristor
DE2625009A1 (de) Thyristor
EP0222280A2 (de) Thyristor mit steuerbaren Emitter-Basis-Kurzschlüssen
EP0310836A2 (de) Halbleiterbauelement mit einem planaren pn-Übergang
DE1210490B (de) Steuerbares Halbleiterbauelement mit einer pnpn- oder npnp-Zonenfolge und Verfahren zum Herstellen
DE4439012A1 (de) Zweirichtungsthyristor
DE2853292C2 (de)
DE2356906A1 (de) Thyristor
DE1489809B2 (de) Symmetrisch arbeitende Spannungsbegrenzungsvorrichtung mit einem Halbleiterkörper
DE2241217C3 (de) Thyristor mit erhöhter Ein- und Durchschaltgeschwindigkeit
DE2139559C3 (de)
DE2346205B2 (de) Thyristor
DE3932490C2 (de) Thyristor mit großer Sperrfähigkeit in Blockierrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee