DE1925765A1 - Thyristor - Google Patents
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Description
PATENTANWALT
. DIPL-ING.
. DIPL-ING.
6 Frankfurt am Main 70
Gzx/Ra.
National .Electronics, Inc., Geneva, Illinois, U.S.A.
Thyristor
Die Erfindung "betrifft als Thyristoren bekannte Halbleitereinrichtungen.
Thyristoren sind nach den JEDEG-Normen bistabile Halbleitereinrichtungen mit drei oder mehr Übergängen, die von
einem AUS-Zustand in einen AN-Zustand oder umgekehrt geschaltet werden können, wobei das Umschalten in wenigstens einem
Quadranten der Hauptstromspannungscharakteristik liegt.
Wenn ein Thyristor anfänglich angeschaltet wird, wird nur ein kleiner Bereich an der Steuerelektrode leitend. Dieser AN-Zustand
des Thyristors breitet sich allmählich aus, bis der gesamte Übergang angeschaltet ist.
Da nur. ein sehr geringer Bereich des Thyristors anfänglich angeschaltet
ist, ist die Stromdichte in diesem Bereich hoch, was
die Wahrscheinlichkeit eines Brennschlusses erhöht. Ein Brennschluß kann auftreten, wenn ein Thyristor aus dem vorherigen
Sperrzustand angeschaltet wird und der Stromanstieg in der Vorrichtung nicht begrenzt ist. Die meisten der zur Zeit ex'hältlichen
Leistungsthyristoren besitzen hohe Schaltverzögerungen, da sie sich mit einer relativ langsamen Geschwindigkeit über den
gesamten Bereich anschalten.
Gleichgültig, ob ein Thyristor für niedrige oder hohe Ströme vorgesehen ist, läßt er im allgemeinen nur einen relativ niedri-
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gen zeitlichen Stromanstieg (di/dt) im Hinblick auf die industriellen
Erfordernisse zu. Wenn der Stromanstieg di/dt die Vorrichtungstoleranzen übersteigt, kann ein verhängnisvoller
Ausfall auftreten. Auch bei zeitlichen Stromanstiegen di/dt unterhalb" des Ausfallpunktes begrenzt die in der Vorrichtung
erzeugte Schaltwärme ihre Brauchbarkeit, insbesondere bei hohen Sehaltraten.
Sättigungsfähige und nicht-sättigungefähige Drosselspulen zur
Begrenzung des Stromes nach dem Einschalten wurden benutzt, um die Schwierigkeiten bei ungünstigem Stromanstieg di/dt und
schlechter Bereichsausnutzung zu verringern. Die sättigungsfähige Drosselspule gibt dem Leitiangsbereich die Gelegenheit,
in β einer Ausdehnung zuzunehmen, bevor der steile Stromanstieg erfolgt. Eines der Probleme bei einer solchen Anordnung ist,
daß das Stromausbreiten nicht eintritt, wenn die Stromdichte während der Drosselspulen-Verzögerungsperiode zu niedrig ist.
Außerdem variieren die Anschaltcharakteristiken der Vorrichtung
über einen weiten Bereich, so daß es schwierig ist, vorauszusagen, wie eine bestimmte Vorrichtung in dieser Schaltung arbeitet.
Daher sind der Strom während der Drosselspulenverzögerung, die Verzögerungszeitbeziehung an der Drosselspule und
die Eignung der Vorrichtung zum Ausbreiten des Leitfähigkeitsbereiches
bei niedrigen Strömen Variable, die bei dieser Art der Anwendung bedacht werden müssen. Ein großer Vorteil dieser
Art der Strombegrenzung liegt darin, daß sie einen angemessenen Schutz der Vorrichtung für Spanmangsdurchschläge zuläßt»
Nicht-sättigungsfähige Luftdrosselkerne wurden ebenfalls häufig·
benutzt, um den Strom auf sichere di/dt-Werte zu begrenzen. Diese Art der Drossel ist einfacher in den Schaltkreis einzubauen"5
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die Vorrichtung in diesem Schaltkreis kann vorher besser bestimmt
werden; diese Art der Drossel begrenzt jedoch den Stromanstieg
di/dt bei allen Stromwerten,
Diese zusätzlichen Schaltungselemente und Schaltungskompromisse
stellen eine Anpassung der Schalteinrichtung an die Vorrichtung und keine Verbesserung des GnM&täyristors selbst dar. Veränderungen
in dem Thyristorauf'öQt·: reifest wurden bereits vorgeschlagen.
Spezielle S teuer sy pt 01Se3 die sicli von der Seitenzündausführung
unterseheielsn, wwrflen s'ar Verbesserung das Stromanstiegee
di/dt vorgesehlagsn« /Dis zentrale glMsteuerelektrode
wurde ebenfalls vorgeeohlager^ "aci bei üblichen Vorrichtungen
benutzt, um hohe Stramanstieg® äi/öt zu erreichen. Bei einer
gantralen ZÜndsteuereXektrodo schaltet sieb, jsdceh die Vorrichtung
nicht überall gleichmäßig ei?«B Im Gegeiisat-s dazu liegt
immer noch ein begrenzter Bersial^ mit hoher StroMichte am
jknaehaltfleok mit der eefahr otiien BurchbsfSBaeas "tqt.
Es wurden auch mehrere St euere! stet roden in let^&aai; gezogen, um
den Stromanstieg di/dt zu vergrößern und dis insülialtVerzögerungen
zu vermindern. Die Ausführungen mit mehreren Stsuerelektroden
weisen bei nied^igon StroESsistiegen di/dt eine Verminderung
der AnechaltverzSgoEimg auf, nnä wenn die Anschaltflecke'auf
einander gegenüberliegeaden Sotten des Emitters liegen, kann
die gesamte An'schaltseit bei aolchen Werten um nahezu die Hälfte
reduziert werden. Die Ausführungen mit mehreren Steuerelektroden
arbeiten am besten, wenn eine Isolierung zwischen den Steuerelektroden vorliegt oder wenn getrennte Steuerelektrodenversorgungen
vorgesehen sind. Es wurde jedoch gefunden, daß Ausführungen mit mehreren Steuerelektroden den Stromanstieg di/dt
nicht wesentlich erhöhen, da eine der Steuerelektroden jeweils
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zuerst zündet und die Stufe für den im folgenden auf den Anschaltpunkt
zu konzentrierenden Strom einstellt.
Eine ringförmige Steuerelektrode wurde ebenfalls benutzt. Diese Anordnung weist jedoch gegenüber der Seitenzündsteuerelektrode
eine geringe Empfindlichkeit auf und wurde auch nur in geringem Maße benutzt.
Thyristoren mit verlängerten Emitterenden wurden ebenfalls als ψ Alternative zu den sättigungsfähigen und nicht-sättigungsfähigen
Drosseln zum Zwecke der Strombegrenzung nach dem Anschalten benutzt.
Die vorliegende Erfindung sieht einen neuen Thyristoraufbau vor-
und es ist Hauptgegenstand der Erfindung, eine Thyristorvorrichtung
zu schaffen, welche erheblich verbesserte Stromanstiegswerte di/dt aufweist, welche mit erheblich verminderter Steuerleistung
arbeitet und welche höchste Ausnutzbarkeit des zugänglichen Vorrichtungsbereiches bewerkstelligt.
Es ist ein weiterer Gegenstand dieser Erfindung, Mittel zur Betätigung
von Thyristorvorrichtungen zu schaffen, welche eine ™ sichere Betriebsweise zulassen,wenn die Vorrichtungen übermäßiger
Spannung ausgesetzt· werden.
Weitere Merkmale, Vorteile und Anwendungsmöglichkeiten der neuen Erfindung ergeben sich aus den beiliegenden Darstellungen
von Ausführungsbeispielen sowie aus der folgenden Beschreibung.
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Es zeigen:
Fig. 1 die schematische Darstellung eines Querschnittes eines üblichen Thyristors, der mit Prüfleitungen ausgestattet
ist,
Pig. 2 die schematische Ansicht eines Querschnittes eines erfindungsgemäßen
Thyristors,
Fig. 3 eine Draufsicht eines speziellen Verbindungsaufbaues, f
welcher bei einem erfindungsgemäßen Thyristor Anwendung finden kann,
Fig. 4 die schematische Darstellung eines Querschnittes eines Thyristors nach Fig. 3>
Fig. 5, 6 und 7 die schematischen Darstellungen von Querschnitten von Thyristoren, die entsprechend einer Ausführungs-
[Einsenkung) form der. Erfindung "dip^-Emittereigenschaften aufweisen,
(ineinandergreifende) Fig. 8 und 9 "interdigitated'y^-Thyristoren entsprechend einer
weiteren Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 10 ein Sehaltdiagramm, welches bestimmte Grundzüge des
erfindungsgemäßen Aufbaues darstellt,
Fig. 11 ein Sehaltdiagramm, welches parallel geschaltete,
übliche Thyristoren darstellt, die entsprechend den Grundzügen der Erfindung verändert sind, und
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Pig. 12 und 13 Draufsichten veränderter Ausführungsformen der
Erfindung.
Die Erfindung wird in Bezug auf umgekehrt sperrende Triodenthyristoren
beschrieben. Es ist Jedoch klar, daß alle Thyristorenarten, die unter die oben angeführte Definition fallen, betrachtet
werden. Es wird hier Bezug genommen auf vertikal geschichtete Vorrichtungen. Alle Thyristorenformen, z.B. ein
Planarthyristor mit Anoden- und Kathodenkontakten auf derselben
Seite, können entsprechend der Erfindung hergestellt werden«,
10 Der in Pig. 1 gezeigte Thyristorenaufbau /enthält einen pnpn-Körper
12 mit einem anliegenden Anodenkontakt 14 und einem anliegenden
Kathodenkontakt 16 auf einander gegenüberliegenden flächen des Körpers. Eine Seitensteuerelektrode 18 liegt an dem
Kathodenemitter 19 in üblicher Weise.
Der Emitter 19 bildet einen Randteil 20, der sich seitlich außerhalb
des Kontaktes 16 erstreckt. Wenn ein Steuersignal die Vorrichtung triggert, fließt der Kathodenstrom durch diesen Randteil.
Ein Stromfluß durch diesen Randteil erzeugt eine Spannung über dem Randteil, die mit Hilfe der Leitungen 24 und 26
gemessen werden kann. Wie man sehen wird, stellt die Ausnutzung dieser Spannung, die an dem Randteil 20 auftritt, einen bedeutenden
Paktor bei der Schaffung der erfindungsgemäßen Verbesserungen dar.
Die Lage des anfänglichen Anschaltens ist in Pig. 1 für einen üblichen Thyristor bei 22 dargestellt. Wie erwähnt, wurden verschiedene
Mittel angewendet, um den Strom zu begrenzen, bis die
Anschaltfläche genügend groß ist, daß ein Durchbrennen venaie-
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den wird. Das tatsächliche anfängliche Einsehaltgeriet ist
äußerst schmal und die Wiedergabe bei 22 sollte nicht als maßstäbliche
Darstellung dieses Gebietes angesehen werden. Wegen des äußerst schmalen Bereiches des Anschaltstromes muß dieser
ziemlich niedrig gehalten werden, da sonst die Stromdichte gefährlich hoch werden könnte.
Pig. 2 stellt einen Aufbau dar, welcher ebenfalls einen Halblei terkörper 12, Kontakte 14 und 16 und eine Steuerelektrode 18
einschließt. Dieser Aufbau enthält aber gleichzeitig Mittel zur Vermeidung der oben erwähnten Probleme. Im speziellen ist bei
diesem Aufbau eine Leitung 30 an dem Emitterrand angebracht. Diese Leitung führt zu einer Verbindung 32 an einer getrennten
Stelle auf der Oberfläche. Es hat sich gezeigt, daß diese Anordnung erhebliche Verbesserungen der Einschaltcharakteristiken
aufweist, wenn der Einschaltvorgang bei 34 in üblicher Weise
eintritt. Die Verbindung 32 sorgt jedoch für einen zusätzlichen
Bereich 36, welcher im wesentlichen zugleich mit dem Gebiet 34 ausgelöst wird.
Die Pig. 3 und 4 zeigen einen Thyristor 40, welcher eine prakti
sche Ausführungsform der Erfindung darstellt, In diesem Pail
ist die Steuerelektrode 42 gegenüber dem Emitterrandteil 44 angebracht. Ein Drahtleiter ist bei 46 mit dem Emitterrandteil
verbunden. Diese Leitung ist dann an mehreren Punkten 48 auf dem Umfang der Vorrichtung angebracht. In diesem Pail sind
zehn Kontaktpunkte 48 um die Vorrichtung herum angebracht, wodurch zehn zusätzliche Auslösebereiche gleichzeitig auf die
Erzeugung des rückkoppelnden Steuersignales/bei 46 erhalten
werden. Die Emitterrandteile 50 sind jeweils gegenüber den Kontaktpunkten 48 ausgebildet.
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Pig. 10 sieht ein Schaltdiagramm vor, welches zur Erläuterung
der grundlegenden Arbeitsweise der rückkoppelnden Steuerung dienen kann.
Das Schaltdiagramm zeigt einen Anodenkontakt 14» einen Kathodenkontakt
16 und einen Ans ehalt st euerkont akt 18. "Der Widerstandeweg
52 stellt den Emitterrandteil-Widerstandswert, der in Fig.
bei 20 angedeutet ist, dar. Der mit 54 bezeichnete Thyristor soll den Bereich darstellen, der durch das Steuersignal anfäng-
W ' lieh angeschaltet wird, was in Pig. 1 bei 22 und in Pig. 2 bei
34 gezeigt ist. Die Thyristoren 56 sollen entsprechend die Bereiche 36 von Pig. 2 darstellen, die durch die rückkoppelnden
Steuersignale angeschaltet werden. Die Widerstände 58 entsprechen den Widerständen der einzelnen Emitterrandteile 50 nach
Pig. 3. Somit stellt die gesamte Schaltung der Pig. 10 einen einzigen rückkoppelnden Steuerthyristor dar.
Pig. 10 zeigt außerdem eine Steuerrückführungsleitung 53. Solche Leitungen werden häufig bei üblichen Vorrichtungen angewendet.
Die Benutzung solcher Leitungen geschieht vorzugsweise für einen Thyristor mit hohen di/dt-Sehaltzustanden.
" Der Widerstand 52 ist vorzugsweise höher als der Widerstand
Wenn das Ansehaltsteuereignal angelegt wird, fließt ein Strom
sofort von der Kathode über den Widerstand 52 zu dem Thyristorgebiet
54, um diesen Bereich anzuschalten. Der Strom durch das Thyristorgebiet 54 erzeugt eine positive Spannung an dem Widerstand
52, welcher ebenfalls sofort die Thyristorgebiete 56 an den Widerständen 58 auslöst. Wo der Widerstandswert des Widerstandes
58 niedriger als der Widerstandswert 52 ist, wird die Möglichkeit einer Überlastung des anfänglichen Anschaltbereiches
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verringert. Das rückkoppelnde Steuersystem sieht somit eine Vielzahl von Ansehaltpunkten vor, welche sehr schnell ein vollständiges
Schalten des !Thyristors entwickelt, während gleichzeitig die Gefahr eines Durchbrennens erheblich vermindert wird.
Die rückkoppelnde Arbeitsweise beruht auf der Gegenwart eines gewissen Widerstandswertes zwischen dem Punkt, wo das rückkoppelnde
Signal erscheint, und dem angrenzenden Emitterteil. Die Schaffung von Randteilen 50, die über den Kontakt 16 hinausragen,
bewirkt dieses, da der Kontakt das Signal nicht kurzschließt und ein Zünden des Emitters verhindert.
Die Anordnung dieser Erfindung sieht eine zusätzliche rückkoppelnde
Steuerversorgung vor, die in die Vorrichtung eingebaut ist, die sich sofort auf die di/dt-Belastung der Schaltung, die
an die Vorrichtung angelegt wird, anpassen kann. Mit dieser Vorrichtung ist es für das anschaltende Steuersignal nur notwendig,
die leitfähigkeit zu beginnen, da die rückkoppelnde Steuerelektrode die grundsätzliche Steuerfunktion ausführen kann. Der
rückkoppelnde Steuerthyristor kann untergeschobene Steuersignale vertragen oder auch ohne Schaden sinuswellenförmiges Zünden.
Diese Vorrichtung weist darüber hinaus eine hohe di/dt-Verträglichkeit
auf, verminderte Verluste während des Schaltens und verminderte Einschaltzeit bis zum vollen Leiten.
Die rückkoppelnde Vorrichtung benutzt die Anschaltsteuerelektrode nur, um den geeigneten Fleck zur Anschaltung der Vorrichtung
festzulegen. Daher treten Probleme, die normalerweise mit der Steuerung verbunden sind, wie z.B. die Anstiegsgeschwindigkeit,
■die Impulsbreite und die Impulshöhe, hier nicht auf; Der anschaltende Steuerstrom kann, nachdem die Vorrichtung angeschal-
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- ίο -
tet wurde, umgedreht werden, da die grundlegende Hochleistungssteuerfunktion
durch die rückkoppelnden Steuerelektroden ausgeführt wird.
Wenn der rückkoppelnde Thyristor durch die Steuerversorgung in dem geeigneten Fleck ausgelöst ist, lüegt die Stromauslösung an
der Steuerkante des Emitterrandtefles.Wie bereits erwähnt, kann der
Widerstandswert dieses Randteiles durch geeignete Geometrie und Diffusionsweise gesteuert werden, so daß eine gewisse Strombegrenzung
eintritt. Wenn der anfängliche Randteil-Widerstandswert höher als der Widerstandswert der Randteile gemacht wird, die
durch die rückkoppelnden Steuerelektroden gesteuert werden,nimmt
der Strom einen neuen, einfacheren Weg und führt den Anodenstrom von dem auslösenden Fleck weg. Da der Stromfluß ausgelöst
wird, wenn der erste Fleck angeschaltet ist, werden die Randteile, die von den rückkoppelnden Steuerelektroden gesteuert
werden, bei einer Spannung angeschaltet, die von der anfänglich an der Vorrichtung liegenden zurückgeführt wird. Auf diese Weise
kann die maximale Temperatur, die an irgendeinem Fleck in der Vorrichtung erreicht wird, gesteuert und gleichzeitig vermindert
werden. Es ist wichtig, darauf hinzuweisen, daß, nachdem das Anschalten ausgeführt wurde, die verschiedenen Randteil-Widerstände
automatisch aus der Schaltung genommen werden, wodurch die Verluste weiter vermindert werden. Ein Anschalten über
mehrere Flecke vermindert die Stromdichte in der Vorrichtung und die Zeit bis zur Leitung über den vollen Bereich wird erheblich
vermindert.
Thyristoren mit bis zu zehn rüekkoppelnden Steuerelektroden
wurden bereits hergestellt und Messungen zeigen, daß erreicht
werden kann, daß alle nahezu zur gleichen Zeit zünden. Eine
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gute Ladungsaufteilung wird durch die Benutzung des Emitterquerwiderstandes
an jedem zusätzlichen Fleck, der angeschaltet wird, erreicht. Dies vermindert die augenblickliche Temperatur
und die Impedanz der Vorrichtung mit der Zahl der angeschalteten Flecken.
Vorrichtungen mit zehn rückkoppelnden Steuerelektroden für 100 Ampere und 1000 Volt nach der in Fig. 3 gezeigten Art wurden
gebaut. Die Vorrichtungen wurden bei 500 Ampere pro Mikrosekunde und 1000 Volt, 2500 Ampere Spitzenstrom und 115°C Einsatztem- *
peratur mit einer Frequenz von 6O- Hertz betrieben.
Es wurde festgestellt, daß die Vorrichtungen völlig unempfindlich
auf die Beschaffenheit des AnsehaltSteuersignals sind und
bei Schaltungen mit hohen di/dt-Werten und einer großen Verschiedenheit
von Steuersignalen sicher funktionieren. Das rückkoppelnde Steuersignal ist eine Funktion der äußeren Lastschaltung
und der besonderen Vorrichtungsgeometrie, kann aber ein äußerst schneller Impulsanstieg auf 50 Volt in dem Bruchteil
einer Mikrosekunde sein. Wenn somit der di/dt-Wert zunimmt, steigt das rüekkoppelnde Steuersignal an, welches für einen
vorzüglichen Schutz der Vorrichtung sorgt. Die Leistung, die durch die rückkoppelnden Steuerelektroden geliefert wird, welche
beispielsweise tausende von Watt in einer sehr kurzen Zeit sein kann, ist eine Wiederverteilung eines inneren Vorrichtungsverlustes
zu einem nützlichen Zweck. Bei bekannten Vorrichtungen wurde diese Leistung verbraucht, ohne zu einem nützlichen Zweck
zu dienen.
Die rückkoppelnden Steuerelektroden führen eine wesentlich geringere
Belastung zu, wo sie weit auseinanderliegende Bereiche
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anschalten, da diese Bereiche vergleichsweise weit von dem Stromauslösezentralfleck liegen und da sie unter verminderter
Anodenspannung angeschaltet werden. Die gesamten Schaltungsverluste in der Vorrichtung sind wesentlich geringer als bei herkömmlichen
Vorrichtungen.
Wenn ein üblicher Thyristor durch Überschreiten der vorwärts blockierenden Spannung angeschaltet wird, so muß er bei einem
viel niedrigeren Stromanstieg di/dt arbeiten, um einen Ausfall zu vermeiden, als wenn die Vorrichtung durch ein leistungsstarkes
Steuersignal angeschaltet wird. Die oben beschriebene rückkoppelnde Vorrichtung besitzt ebenfalls eine viel niedrigere
di/dt-Fähigkeit, wenn sie in Vorwärtsrichtung mit einer Überschußspannung
angeschaltet wird. Typischerweise tritt das Anschalten durch eine Überschußspannung an einem zufälligen Ort
auf, der durch einen Defekt in dem Aufbau bewirkt wird. Wenn jedoch erreicht werden kann, daß der Durchbruch zuerst an dem
■J-pi 1
rückkoppelnden Quellenemitterrand-/auftritt, so erzeugt die Vorrichtung
ihr eigenes rückkoppelndes Steuersignal und ist in der Lage, hohe di/dt-Werte auszuhalten.
Die Fig. 5» 6 und 7 zeigen drei Wege, auf denen erreicht werden kann, daß eine Vorrichtung an einem gewünschten Ort'zündet, indem
eine schwache Stelle in die Vorrichtung an dem Fleck eingebaut wird.
In Fig. 5 bildet die Vorrichtung 70 eine verdünnte Fläche mit
teiles
einer Einsenkung 74» die an dem Ende des Emitterrand-/ 20 ausgebildet
ist. Die Einsenkung wird geschaffen, indem eine Vertiefung in den Kristall gebildet wird, bevor der Emitter eindiffundiert
wird, um dadurch die Entfernung zwischen dem Emitter-
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η-Bereich und dem Basis-n-Bereich zu verringern. Diese Anordnung
sorgt für höhere Anschaltverstärkung und stellt sicher, daß der Durchbruch zuerst an dem Emitterrandteil auftritt, so daß ein
rückkoppelndes Steuersignal am Punkt 32 auftritt. In der in Fig. 6 gezeigten Anordnung ist eine Vertiefung vor der Diffusion
des ursprünglichen Siliziumkristalls ausgebildet, wodurch dieser gleiche verdünnte Zustand auf den angrenzenden pn-übergang bei
76 übertragen wird.
Fig. 7 zeigt eine weitere Möglichkeit, in der die schwache Stelle in den Thyristor eingebaut werden kann. In diesem Falle ist der
Basis-n-Teil so abgeschrägt, daß der dünne Abschnitt 78 in dem Bereich unterhalb des rückkoppelnden Steuerabgriffs 30 liegt.
Die "dip"- oder mit einer schwachen Stelle versehene Emitter-Anordnung
kann durch beliebige Mittel erreicht werden, die sicherstellen, daß die Yorrichtungsanschaltverstärkung entlang
einer Linie, die angenähert von der rückkoppelnden Steuerquelle ausgeht und parallel mit der Thyristorachse verläuft, am größten
ist. Die schwache Stelle könnte in dem Anodenemitter ausgebildet sein und genausogut das erwünschte Ergebnis bringen. Selektive
Diffusion von Verunreinigungen in den Bereich der rückkoppelnden ( Steuerquelle bildet eine weitere Maßnahme, dieses Ergebnis zu
erreichen.
Wie angedeutet, kann ein Durchbruch bei den Vorrichtungen der Fig. 5, 6 und 7 durch Überschußspannung von dem vorwärts
blockierenden Zustand ohne Verlust in der di/dt-Verträglichtedt erreicht
werden. Ineinandergreifen üblicher Leistungsthyristoren, 'um ein Anschalten mit hoher Geschwindigkeit zu erreichen, wurde
wegen grundlegender Einschränkungen, insbesondere Stromkon-
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-H-
zentration an dem Auslösepunkt und verminderte Steuerempfindlichkeit, nicht ausgeführt. Bei Benutzung des rückkoppelnden Steuerprinzips
werden diese Einschränkungen überwunden.
Fig. 8 zeigt eine Form eines sogenannten ineinandergreifenden
(interdigitated) Thyristors. Die Vorrichtung enthält einen
Emitterkontakt 80, der drei Finger 82 ausbildet. Der Randteil des Emitters erstreckt sich über die Kathodenkontaktfinger hinaus,
wie bei 84 gezeigt. Der-rückkoppelnde Streifen oder- Emitterrandteil
ist bei 86 gezeigt. Die auslösende Steuerelektrode ist bei 88 angeschlossen.
Das Element 90 enthält den rückkoppelnden Steuerkontakt. Ein Mittelteil 92 dieses Kontaktes ist mit dem Emitterrandteil verbunden,
während die vier Finger 94 sich in Bezug auf die Peripherie 84 des Emitters entgegengesetzt erstrecken. Bei der Betriebsweise
dieser Vorrichtung beginnt die zusätzliche Auslösung, die durch die Finger 94 auf das leistungsstarke anliegende
rückkoppelnde Steuersignal hin geschaffen wird, zusätzliche Leitungsflecken und läßt das Ausbreiten mit wesentlich höherer
Geschwindigkeit auftreten, als wenn das Signal nicht vorliegt.
Vorrichtungen der Art, wie sie in Fig. 9 gezeigt ist, sind ebenfalls durch das Ineinandergreifen ausgezeichnet. Bei dieser Vorrichtung
wird das Auslösesignal durch die Steuerelektrode 100 zugeführt und das rückkoppelnde Steuersignal wird über den
Emitter 102 geliefert, welcher über die Leitung 104 mit der Kathode 106 verbunden ist. Wenn das auslösende Steuersignal
angelegt wird, führt die Rückkopplung der positiven Vorspannung· auf die Leitung 108 zum Anlegen des Signals an die ineinandergreifende
Steuerelektrode 110, was zum Anschalten der Emitter ·
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112 führt. In dem in Fig. 9 gezeigten Aufbau entspricht der Bereich
des Emitters 102 in der Leitung des Stromflusses von dem Kathodenkontakt 104 durch die Vorrichtung in der Funktion dem
Widerstand 52 nach Fig. 10. Somit schaltet das Arbeitsprinzip
einer rückkoppelnden Steuerelektrode die ineinandergreifende Vorrichtung an und überwindet die Einschränkungen einer verminderten
Steuerempfindlichkeit.
Prüfungsergebnisse zeigen, daß die zusätzlichen Bereiche 112 schnell angeschaltet werden können und daß ein rasches Schalten
erfolgt. Der Strom steigt auf 1000 Ampere bei diesem Aufbau in 3/10 Mikrosekunden an. Anwendungen, die Vorrichtungen mit hohem
Strom erfordern, und Megahertz-Schaltgeschwindigkeiten sind beabsichtigt.
Die Fig. 12 und 13 zeigen.zwei weitere Ausbildungen der Erfindung.
Der Aufbau von Fig. 12 ist ähnlich dem von Fig. 3, in dem der Thyristor- 130 einen Kathodenkontakt 16, eine Steuerelektrode 18
und Emitterrandteile 44 und 50 aufweist. Bei diesem Aufbau enthält
der Startbereich 132 von dem Emitterrandteil 44 ein leitendes Material, welches in die Oberfläche der Vorrichtung diffundiert
wurde. Dieses Material erstreckt sich in Form eines Ringes 134 um die gesamte Vorrichtung. Das rückgekoppelte Signal zündet
die Vorrichtung an einer Vielzahl von Emitterrandteilen 50.
In Fig· 13 enthält die Vorrichtung 140 einen Kathodenkontakt
142, welcher einen Ausschnitteil 144 mit einem darin angeordneten Emitterrandteil 146 ausbildet. Der Hauptemitterkörper
liegt vollständig unter dem Kontakt mit Ausnahme von diesem Rand-/und zwei weiteren Ansätzen 148. Eine Steuerelektrode 150
ist zur Auslösung der Vorrichtung vorgesehen.
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Wegen der Nähe der Ansätze 148 zu dem Emitterrändteil tritt
das rückkoppelnde Zünden bei den Ansätzen auf. Übertragung und Mehrfachanschalten kann somit ohne einen Drahtleiter oder eine
andere Leitung, die von dem Emitterrandteil ausgeht, erreicht werden. Es ist klar, daß ein oder mehrere Ansätze bei
148 anstelle der speziellen gezeigten Ausbildung angewendet werden können.
Die Anordnungen der Fig. 5 bis 7 mit einer Emittereinsenkung
können in Verbindung mit den in den Fig. 2, 3> 4, 8, 9> 12 und
13 gezeigten Aufbauten benützt werden. In allen Fällen kann eine schwache Stelle unter dem Emitterrandteil ausgebildet werden,
um einen Punkt bevorzugter Zündung zu schaffen.
Das Grundprinzip der rückkoppelnden Vorrichtung kann mit Vorteil angewendet werden, wenn übliche Thyristoren entsprechend
der Fig. 11 parallel geschaltet werden. In diesem Fall ist der Thyristor 117 mit einer Anschaltsteuerelektrode 118 und einer
Steuerrückführungsieitung 123 versehen; außerdem ist ein Widerstand
119 zwischen diesen Thyristor und eine Kathode 121 ge·"
schaltet. Das Signal, welches durch den gesteuerten Thyristor erzeugt wird, wird über die Leitung 120 zu einer Vielzahl von
Thyristoren 122 zurückgeführt, was analog zu dem ursprünglichen
Eückführungssteuerkonzept ist. Anordnungen wurden,hergestellt,
die zeigen, daß dies eine nützliche Technik ist, um insbesondere beim Arbeiten mit kurzen Impulsen und hohen WMerholungsraten
angewendet zu werden. Diese Methode hat den Vorteil, höhere Schaltkreisstromanstiege di/dt zuzulassen und die Wärme
proportional zu der Zahl der benutzten Vorrichtungen abzuführen. Gute Lastaufteilung wird mit parallelen Vorrichtungen erreicht,
da das sehr leistungsstarke rückkoppelnde Signal Anschaltveränderungen der Vorrichtungen verringert. Eine Anordnung
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von sechs 35 Ampere, 1000 Volt Steuervorrichtungen üblicher Art mit Seitenzündung und einem 3-Ohm-Widerstand bei 119 wurde gebaut,
um die Nützlichkeit dieser .Erfindung zu verwirklichen.
Anstiegszeiten- von 2/10 Mikrosekunden auf 1000 Ampere wurden mit dieser Anordnung auf einfache Weise erreicht.
In der Anordnung von lig. 11 wird der Strom durch den Thyristor
117 schnell reduziert, sobald ein Signal erzeugt wird, welches
das Anschalten der Thyristoren 122 über die Leitung 120 bewirkt. Das Element 119 kann eine beliebige Impedanz sein.
Die Schaltung von Pig. 11 kann darüber hinaus so aufgebaut sein, daß die Vorteile analog zu den beschriebenen Emittern mit Einsenkung
erreicht werden. Speziell kann der Thyristor 117 so ausgewählt werden, daß er eine niedrigere Durchbruchspannung
als eine der Thyristoren 122 hat. In einem solchen Fall wird eine Überschußspannung vorzugsweise den Thyristor 117 anschalten.
Dies wird ein Signal hervorrufen, welches jeden der anderen Thyristoren in normaler Weise anschaltet, so daß sie nicht
durchbrennen. Darüber hinaus ist der Thyristor 117 gegen Durchbrennen gesichert, da sein Strom rasch vermindert wird, wenn
die Thyristoren 122 -angeschaltet werden.
Eine Parallelanordnung von Vorrichtungen mit wenigstens einer rückkoppelnden Vorrichtung ist vorteilhaft, da das rückkoppelnde
Spannungssignal aus der anfänglich ausgelösten Vorrichtung geführt
und zur Auslösung der anderen Vorrichtungen in der Anordnung benutzt werden kann. Wo eine rückkoppelnde Vorrichtung
diejenige ist, die in der Anordnung ausgelöst wird, ist der Widerstand 119 nicht notwendig.
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Wenn z.B. eine Vorrichtung entsprechend der Pig. 2 als anfänglich ausgelöste Vorrichtung angewendet wird, dient der Emitterrandteil
20 dieser Vorrichtung als ein Startpunkt ,· wobei die Leitung 20 mit den Steuerelektroden der anderen Vorrichtungen
in der Anordnung verbunden ist.
In einer Parallelanordnung wie der in Fig. 11, kann der Endthyristor 117 vorteilhafterweise ein Thyristor mit einer Emittereinsenkung,
z.B. entsprechend den Pig. 5» 6 und 7, sein. Der Thyristor 117 muß außerdem durch die niedrigste Durchbruchsspannung
in Bezug auf die anderen Thyristoren in der Anordnung ausgezeichnet
/sein. In diesem Pail wird das Anlegen einer uberschußspannung an die Anordnung die Vorrichtung 117 auslösen. Hierdurch wird ein Signal geliefert, welches jeden der anderen Thyristoren zündet. Diese Anordnung vermindert somit wesentlich die Wahrscheinlichkeit, daß die Vorrichtungen unter Beschädigung durchbrennen.
/sein. In diesem Pail wird das Anlegen einer uberschußspannung an die Anordnung die Vorrichtung 117 auslösen. Hierdurch wird ein Signal geliefert, welches jeden der anderen Thyristoren zündet. Diese Anordnung vermindert somit wesentlich die Wahrscheinlichkeit, daß die Vorrichtungen unter Beschädigung durchbrennen.
Es ist wichtig zu erwähnen, daß die vorliegende Erfindung ein vorhandenes Signal benutzt, welches für Rückkopplungszwecke
äußerst brauchbar ist. Das Signal steht jedoch auch für andere Zwecke zur Verfügung, da es als Zeitgebersignal, als Quelle zur
Anregung von Schwingkreisen oder für eine Vielzahl anderer Anwendungen benutzt werden kann. Thyristoren entsprechend der
Fig. 2 können eine freistehende Klemme aufweisen, die mit der Leitung 30 verbunden ist, so daß die Benutzung dieses Signals
auf einfache Weise erreicht werden kann.
Pig. 1 zeigt eine weitere Verbesserung im Zusammenhang mit der Benutzung eines Signals, welches zur Verfügung steht, wenn die
Leitung durch eine Vorrichtung ausgelöst wurde. Insbesondere kann die Leitung 26 an einem üblichen Thyristor, wie gezeigt,
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angebracht werden und die Klemme der Leitung steht dann für die
Benutzung des erzeugten Signals zur Verfügung.
Wenn übliche Thyristoren in Reihe zu Schaltkreisen mit hohen
di/dt-Werten geschaltet sind, ist es notwendig, nicht nur die Anordnung mit Kondensator-Widerstand-Netzwerken abzustimmen,
damit gleichmäßige Spannungsteilung erreicht wird, sondern auch sicherzustellen, daß alle Vorrichtungen gleichzeitig mit leistungsstarken
und komplexen Steuerelektroden-Zuführungen gesteuert werden. Es ist außerdem notwendig, Vorrichtungen für
identische Anschaltcharakteristiken auszuwählen, so daß sie alle zum gleichen Zeitpunkt anschalten. Wird eine genaue Synchronisation
während des Anschaltzeitpunktes nicht erreicht, so treten hohe Spannungen an der letzten anzuschaltenden Vorrichtung
auf. Das Ergebnis ist ein Auslösen mit Überschußspannungen, welches einen verhängnisvollen Ausfall der letzten zu
zündenden Vorrichtung verursacht. Tatsächlich ist eine/Reihe
in Betriebsweise bei hohen di/dt-Werten eine derart beanspruchte Anwendung, daß es für übliche Thyristoren unpassend ist,
wenn sie nicht durch geeignete Drosseln geschützt sind.
Die Benutzung von Vorrichtungen, welche den Aufbau mit Emittereinsenkung
besitzen, wie z.B. die in den Fig. 5, 6 und 7 gezeigten, führt zu einer Reihenschaltung, in welcher ein Abstimmen
der AnschaltCharakteristiken nicht mehr notwendig ist,
da entweder Steuerelektroden- oder Spannungsdurchbruch sie sicher in Schaltungen mit hohen di/dt-Werten auslösen. Ein
weiterer Vorteil ist der, daß nur eine genügend große Zahl von Steuerelektroden gezündet werden muß, um die übrigen der Reihen
kette zu zünden. Tatsächlich benötigt diese Reihenkette kein Ansteuern, um ein Zünden auszulösen, und kann durch das Anlegen
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einer Überschußspannung ausgelöst werden»
Es
/sollte außerdem bemerkt werden, daß die Erfindung nicht auf Vorrichtungen beschränkt ist, die eine räumlich angebrachte Steuerelektrode aufweisen. Andere Auslösemittel bestehen z.B. in lichtbetätigten Vorrichtungen.
/sollte außerdem bemerkt werden, daß die Erfindung nicht auf Vorrichtungen beschränkt ist, die eine räumlich angebrachte Steuerelektrode aufweisen. Andere Auslösemittel bestehen z.B. in lichtbetätigten Vorrichtungen.
Es liegt eine Grundeigenschaft aller Thyristoraufbauten vor,
die in den Bereich der Erfindung fallen. In allen Fällen wird
P ' eine beim ersten Anschalten einer Vorrichtung erzeugten Spannung an einen getrennten Emitterteil angelegt, so daß wenigstens
zwei Zündpunkte entstehen. Bei den bevorzugten Ausfüh— rungsformen der Erfindung liegt ein Basis-Bereich (ein p-Bereich
im Pail kathodengesteuerter Vorrichtungen)vor, der zwischen
der Abnahme an dem Emitterrandteil und den zusätzlichen Zündpunkten auf dem Emitter liegt.
Wo zusätzliche Emitterteile verwendet werden, so sind dies Teile, welche ein Auslösen bei Anlegen eines Zündsignals bewirken.
Diese zusätzlichen Emitterteile können sich räumlich unter die zugeordnete Elektrode erstrecken. Emitterteile unter der Blektro-
^ de können jedoch ebenfalls gezündet werden, wenn die Elektrode ™ das Zündsignal durch Kurzschließen nicht völlig ausschaltet.
Solche Emitterteile. können als "zusätzliche" Emitterteile in
Übereinstimmung mit der Erfindung angesehen werden.
In dem Fall einer Konstruktion nach Fig. 3 erstreckt sich der p-Bereich zwischen den Kontaktpunkten 48 und der angrenzenden
Emitterkante. In dem Fall eines Aufbaues nach Fig. 13 erstreckt sich der p-Bereich von den Seiten des Emitterrandteiles zu den
Zündpunkten auf den Ansätzen 148. Wo davon die Rede ist, daß
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sich ein Basis-Bereich zwischen der ,Abnahme und dem zusätzlichen
Emitΐerteil "erstreckt", so ist. das so zu verstehen, daß dies
auf die Anwesenheit eines gewissen Basis-Bereichs in dem elektrischen Weg zwischen der Abnahme und dem zusätzlichen Emitterteil
hinweist. So kann anderes Material oder eine Öffnung in diesem Gebiet dazwischenliegen, aber dieses wird nicht gänzlich unterbrochen
und kann darüber hinaus vorteilhaft sein, wenn nicht eine völlige Isolierung zwischen der Abnahme und dem zusätzlichen
Emitterteil vorliegt.
Wo ein rückkoppelndes Steuerelektrodensignal an einen Emitterrandteil
gelegt wird, wird die Spannung an diesem Randteil aufgebaut, wenn der Randteil beginnt, sich anzuschalten. Wie in
Pig. 3 mit gepunkteten Linien gezeigt ist, kann dieser Spannungsaufbau an dem Randteil 50 zur Zündung an zusätzlichen
Punkten an Stelle der Zündung aller Punkte von dem ursprünglich angesteuerten Randteil benutzt werden. Diese Anordnung
ist besonders bei der Benutzung in Betracht zu ziehen, wo eine große Zahl von Punkten auf dem Emitter gezündet werden muß. Auf
diese Weise wird eine rückkoppelnde Steuerelektrode benutzt, um eine rückkoppelnde Steuerelektrode in einer "Kaskaden"-Anordnung
zu zünden. Die Kaskadenanordnung kann mehrere Schritte aufweisen anstatt gerade swei, wo eine große Zahl von Zündpunkten beteiligt
ist. '
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung besteht in der Benutzung
eines Emittergebietes, welches von dem Hauptemittergebiet isoliert ist. Es ist jedoch mit dem Hauptemittergebiet
durch ein Widerstandselement verbunden,. Bei einer solchen Vorrichtung
wird ein Steuerelektrodensignal benutzt, um das isolierte Emittergebiet auszulösen. Wenn dieses Gebiet angeschaltet
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oben beschrieben, mit dem isolierten Emittergebiet verbunden
sein oder mit einem Teil des Wider st andselements. Diese Startleitung
kann benutzt werden, um den Hauptemitter auszulösen, indem dieser in enger Nachbarschaft zu einem angrenzenden Emitterteil
oder zu angrenzenden Emitterteilen angeordnet ist. Das erwähnte Widerstands element kann als Teil der Vorrichtung ausgebildet
sein oder kann außerhalb des aktiven Gebietes der Vor-P richtung liegen. Im letzteren lalle kann das Element entweder
innerhalb oder außerhalb des Vorrichtungsgehäuses 21 liegen. Über das Auslösen des Hauptemitters hinaus kann die Startleitung
zur Erzeugung eines Spannungssignals benutzt werden, das aus der Vorrichtung herausgeführt werden und zu anderen Zwecken
verwendet werden kann.
Fig. 2 dient zur Erläuterung dieser weiteren Form der Erfindung. So kann der dargestellte Widerstand durch ein Widerstands element
anstatt durch einen Emitterrandteilwiderstand gebildet werden. Der Endteil des Emitterrandteiles wird der einzige
tatsächliche Emitterteil sein und dieser Endteil wird von dem t Hauptemitter isoliert sein.
In einer Vorrichtung, die entsprechend der Fig. 2 aufgebaut ist, bildet das Widerstandselement ein Seil des aktiven Gebietes
der Vorrichtung. Diese Anordnung kann durch Diffusion oder anderes Einbringen eines widerstandsfähigen Materials auf die
Stirnfläche der Vorrichtung zwischen dem isolierten Emittergebiet und dem Hauptemittergebiet erreiclit werden» Sine äußere ·
Verbindung kann dadurch vorgesehen sein, daß Leitungen an dem isolierten Emittergebiet und dem Hauptemittergebiet angebracht
sind, oder ein Kontakt 16 mit dem Widerstands element zwischen
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den Leitungen befestigt ist. In diesem Falle kann das Widerstandselement
innerhalb des Vorrichtungsgehäuses liegen oder die Leitungen können aus dem Gehäuse zur Anbringung an dem
Widerstandselement herausgeführt sein.
übliche Verfahren zur Herstellung von Thyristoren können angewendet werden, um Vorrichtungen entsprechend der Erfindung herzustellen.
Leiter können, wenn sie keine Drahtleitungen darstellen,
durch Diffusion, Epitaxie, Dampfablagerung, Plattiertechnik,
Drucktechnik, Legierungstechnik oder andere Methoden gebildet werden. Widerstandswerte können durch die Anwendung
der Säureätztechnik geändert werden, um die gewünschten Werte zu erhalten. Die Einsenkungen, die· im Fall der Fig. 5 und 6
vorgesehen sind, können durch chemisches oder physikalisches Entfernen des Materials gebildet sein.
Bei der Erläuterung der gesteuerten Vorrichtungen wurde Bezug auf kathodengeeteuerte Vorrichtungen genommen, welche die üblicheren
Typen sind. Die Erfindung ist jedoch auch auf anodengesteuerte Vorrichtungen und Vorrichtungen anwendbar, welche
Steuerelektroden sowohl auf der Anode als auch auf der Kathode zum wechselnden Gebrauch aufweisen. Die Erfindung ist außerdem
anwendbar auf nichtgesteuerte Vorrichtungen, z.B. Vorrichtungen, welche durch Überspannung geschaltet werden.
Weiterhin ist eine große Vielzahl von Aufbaumöglichkeiten und Ausbildungen möglich, die von den speziellen Ausführungsbeispielen
der Figuren abweichen. Dies bezieht sich insbesondere auf die Aufbauten der Fig. 2, 3, 4, 12 und 13, die Aufbauten
mit "geschwächten" Stellen in den Fig. 5, 6 und 7 und den ineinandergreifenden
Aufbauten der Fig. 8 und 9. Es sind weiterhin zahlreiche Veränderungen der Aufbauten möglich, ohne daß
von dem Umfang der Erfindung abgewichen wird.
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BAD ORiGiNAL
Claims (1)
- Patentansprüche:Thyristor mit Kathode und Anode und zugeordneten Emitterteilen in Verbindung mit diesen Elektroden und Mitteln für Auslösung wenigstens eines Emitterteils, gekennzeichnet durch eine Abnahmeeinrichtung zugeordnet einem Emitterteil, der . an den Stromkreis von dem einen Emi-tterteil zu der Steuerelektrode führt, durch Mittel zur Entwicklung eines Auslösesignals in einem zusätzlichen Emitterteil, einem Basis-Bereich, der sich zwischen den Abnahmemitteln und dem zusätzlichen Emitterteil erstreckt, wodurch ein Zünden an dem W ' Übergang stattfindet, der zwischen dem Basis-Bereich und dem zusätzlichen Emitterteil gebildet wird.2. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abnahmeeinrichtung einen Stromträger enthält, der ah dem ersten Emitterteil angebracht ist und sich zu wenigstens einem zusätzlichen Verbindungspunkt auf der Stirnfläche des Thyristors erstreckt, und daß der zusätzliche Verbindungspunkt an dem zusätzlichen Emitterteil angeordnet ist, wobei der Basis-Bereich dazwischenliegt.3. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Emitterteil dicht an dem ersten Emitterteil* liegt, wobei der Basis-Bereich die Emitterteile.trennt und wobei die Abnahmeeinrichtung das Gebiet auf dem ersten Emitterteil enthält, welches dem zusätzlichen Emitterteil am nächsten liegt.4. Thyristor nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Emitterrandteil, der sich nach außen von dem Emitter erstreckt, und dadurch gekennzeichnet, daß der Emitterrandteil den ersten Emitterteil bildet.009839/1200- ar-5. Thyristor nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Emitterrandteil, der sich nach außen von dem Emitter erstreckt, und dadurch gekennzeichnet, daß der Emitterrandteil den zusätzlichen Emitterteil bildet.6. Thyristor nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Vielzahl von Emitterrandteilen, die sich nach außen von dem Emitter um seinen Umfang herum erstrecken, wobei einer der Eäitterrandteile den ersten Emitterteil und die übrigen Emitterrandteile zusätzliche Emitterteile bilden, und durch einen Stromträger, der mit dem ersten Emitterrandteil verbunden ist und sich in Berührung mit Bsd.s-Bereichen in der Nähe der zusätzlichen Emitterrandteile erstreckt.7. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstandswert in dem Stromkreis" zwischen dem Abnahmeeinrichtung und der Elektrode den Widerstandswert des zusätzlichen Emitterteils zwischen dem Übergang und der Elektrode übersteigt.8. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine schwache Stelle in dem Gebiet des ersten Emitterteiles entlang des Stromflußweges ausgebildet ist, und daß die schwache Stelle die Fähigkeit der Vorrichtung verringert, in Bezug auf andere Gebiete der Vorrichtung einen Spannungsdurchbruch zu widerstehen, wodurch der Thyristor vorzugsweise in dem Gebiet der schwachen Stelle beim Anlegen einer Überschußspannung gezündet wird.<9, Thyristor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der - Emitter eine Vielzahl von Fingern ausbildet, daß der Abnahmeleitungsteil des Stromträgers mit einem der Finger in Eingriff steht, und daß die Fortsätze des Stromträgers eine Vielzahl von Fingern enthält, die mit den Fingern des Emitters ineinandergreifen.009833/120010. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von Emitterteilen, die voneinander isoliert sind, auf einer Stirnfläche des !Thyristors ausgebildet sind, daß die auslösende Steuerelektrode an einem der Emitterteile anliegt, daß die Abnahmeeinrichtung einen Stromträger enthält, der sich zwischen dem ersten Emitterteil und einem Kontaktstück erstreckt, daß das Kontaktstück einen zusätzlichen Verbindungspunkt bildet, der in der Hähe von Kantenteilen jedes zusätzlichen Emitterteils angeordnet ist, und daß eine Einrichtung jeden der Emitterteile mit einer Elektrode verbindet.11. Anordnung von Thyristoren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Thyristoren parallel geschaltet sind, wobei eine auslösende Steuerelektrode mit einem ersten Thyristor verbunden ist, ein Stromträger mit der Abnahmeeinrichtung des ersten Thyristors verbunden ist und sich zu jedem der anderen Thyristoren erstreckt, wobei der Stromträger an der auslösenden Steuerelektrodenlage von jedem der anderen Thyristoren für Zündung der anderen Thyristoren angeschlossen ist.12. Anordnung von Thyristoren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Thyristoren in Reihe geschaltet sind.13. Thyristor nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Leitung, die an dem ersten Emitterteil befestigt ist und sich aus dem Thyristor heraus mit einer Verbindungsklemme an der Leitung , erstreckt.009839/120014. Anordnung von Thyristoren, die jeweils eine Kathode und eine Anode und eine auslösende Steuerelektrode ausbilden, wobei die jeweiligen Elektroden der Thyristoren durch Stromträgermittel miteinander verbunden sind, wodurch die Thyristoren parallel geschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Thyristor an einem Ende der Anordnung einen Thyristor nach Anspruch 8 enthält, daß eine zusätzliche Leitungseinrichtung an dem Abnahmepunkt des Endthyristors angeschlossen ist, daß die zusätzliche Leitungseinrichtung sich zu den anderen Thyristoren in der Anordnung erstreckt und eine auslösende Steuerelektrode für jeden der* anderen Thyristoren bildet und daß der Endthyristor die niedrigste Durchbruchspannung aller Thyristoren in der Anordnung aufweist, wodurch das Anlegen einer Überschußspannung an die Anordnung ein Signal erzeugt, welches jeden der anderen Thyristoren über die zusätzliche Leitungseinrichtung zündet.15. Thyristor nach Anspruch 1, daduroh gekennzeichnet, daß der erste Emitterteil von der zugeordneten Elektrode durch ein Widerstandselement isoliert ist.16. Thyristor nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch einen zusätzlichen Stromträger, der mit einem zusätzlichen Emitterteil verbunden dst, und dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Stromträger sich zu wenigstens einem weiteren Verbindungspunkt auf der Stirnfläche des Thyristors erstreckt, daß der weitere Verbindungspunkt an einem weiteren Emitterteil angeordnet ist, wobei ein Basis-Bereich dazwischenliegt, wodurch ein Zünden des weiteren Emitterteils so eingerichtet wird, daß es an dem Übergang stattfindet, der zwischen dem Basis-Bereich und dem weiteren Emitterteil gebildet wird.009839/1200I v/ CsJ I Uv)17. Thyristor nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß sich eine Vielzahl von Emitterrandteilen von dem Emitter nach außen und auf dem Umfang von diesem erstreckt, daß einer der Emitterrandteile den ersten Emitterteil und die übrigen Emitterrandteile die zusätzlichen und weiteren Emitterteile bilden und daß der zusätzliche Str.omträger mit einem der zusätzlichen Emitterrandteile verbunden ist und sich in Berührung mit Basis-Bereichen in der Nähe weiterer Emitterrandteile erstreckt,18. Thyristor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Elektrode in Berührung mit dem Emitter wenigstens bis . zum Umfang des Emitters erstreckt, wodurch die Emitterrandteile die einzigen Teile des Emitters enthalten, die sich unter die Elektrode erstrecken.009839/1200Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US73119368A | 1968-05-22 | 1968-05-22 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1925765A1 true DE1925765A1 (de) | 1970-09-24 |
DE1925765B2 DE1925765B2 (de) | 1973-10-25 |
DE1925765C3 DE1925765C3 (de) | 1974-05-22 |
Family
ID=24938468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1925765A Expired DE1925765C3 (de) | 1968-05-22 | 1969-05-21 | Thyristor |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3486088A (de) |
JP (1) | JPS5022400B1 (de) |
CH (1) | CH509667A (de) |
DE (1) | DE1925765C3 (de) |
FR (1) | FR2009082B1 (de) |
GB (1) | GB1245674A (de) |
NL (1) | NL167550C (de) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3700982A (en) * | 1968-08-12 | 1972-10-24 | Int Rectifier Corp | Controlled rectifier having gate electrode which extends across the gate and cathode layers |
US3573572A (en) * | 1968-09-23 | 1971-04-06 | Int Rectifier Corp | Controlled rectifier having high rate-of-rise-of-current capability and low firing gate current |
US3579060A (en) * | 1969-03-21 | 1971-05-18 | Gen Electric | Thyristor with improved current and voltage handling characteristics |
US3577046A (en) * | 1969-03-21 | 1971-05-04 | Gen Electric | Monolithic compound thyristor with a pilot portion having a metallic electrode with finger portions formed thereon |
US3662250A (en) * | 1970-11-12 | 1972-05-09 | Gen Electric | Thyristor overvoltage protective circuit |
US3622845A (en) * | 1969-05-01 | 1971-11-23 | Gen Electric | Scr with amplified emitter gate |
US3688164A (en) * | 1969-10-01 | 1972-08-29 | Hitachi Ltd | Multi-layer-type switch device |
BE759754A (fr) * | 1969-12-02 | 1971-05-17 | Licentia Gmbh | Thyristor avec emetteur court-circuite a l'une des faces principales aumoins du disque de thyristor et procede de production du thyristor |
US3611066A (en) * | 1969-12-12 | 1971-10-05 | Gen Electric | Thyristor with integrated ballasted gate auxiliary thyristor portion |
US3740584A (en) * | 1971-06-08 | 1973-06-19 | Gen Electric | High arrangement frequency scr gating |
BE787597A (fr) * | 1971-08-16 | 1973-02-16 | Siemens Ag | Thyristor |
FR2254880B1 (de) * | 1973-12-12 | 1978-11-10 | Alsthom Cgee | |
US4087834A (en) * | 1976-03-22 | 1978-05-02 | General Electric Company | Self-protecting semiconductor device |
CH630491A5 (de) * | 1978-06-15 | 1982-06-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | Leistungsthyristor, verfahren zu seiner herstellung und verwendung derartiger thyristoren in stromrichterschaltungen. |
JPS5739574A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-04 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
DE3112942A1 (de) * | 1981-03-31 | 1982-10-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Thyristor und verfahren zu seinem betrieb |
DE3112941A1 (de) * | 1981-03-31 | 1982-10-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Thyristor mit innerer stromverstaerkung und verfahren zu seinem betrieb |
US4646122A (en) * | 1983-03-11 | 1987-02-24 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device with floating remote gate turn-off means |
US4779126A (en) * | 1983-11-25 | 1988-10-18 | International Rectifier Corporation | Optically triggered lateral thyristor with auxiliary region |
US4651189A (en) * | 1983-12-19 | 1987-03-17 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device provided with electrically floating control electrode |
DE3905418A1 (de) * | 1989-02-22 | 1990-08-23 | Telefunken Electronic Gmbh | Halbleiterbauelement |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL265766A (de) * | 1960-06-10 | |||
DE1202906B (de) * | 1962-05-10 | 1965-10-14 | Licentia Gmbh | Steuerbarer Halbleitergleichrichter mit einem scheibenfoermigen vierschichtigen einkristallinen Halbleiterkoerper und Verfahren zu seinem Herstellen |
US3300694A (en) * | 1962-12-20 | 1967-01-24 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor controlled rectifier with firing pin portion on emitter |
US3403309A (en) * | 1965-10-23 | 1968-09-24 | Westinghouse Electric Corp | High-speed semiconductor switch |
-
1968
- 1968-05-22 US US731193A patent/US3486088A/en not_active Expired - Lifetime
-
1969
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