DE1041161B - Flaechentransistoranordnung - Google Patents

Flaechentransistoranordnung

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DE1041161B
DE1041161B DEG17826A DEG0017826A DE1041161B DE 1041161 B DE1041161 B DE 1041161B DE G17826 A DEG17826 A DE G17826A DE G0017826 A DEG0017826 A DE G0017826A DE 1041161 B DE1041161 B DE 1041161B
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Germany
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electrode
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collector
plate
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DEG17826A
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Robert Noel Hall
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General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
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Description

DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf eine Flächentransistoranordnung mit einer Kollektorelektrode auf der einen Seite des Halbleiterplättchens, mehreren Emitter- bzw. Basiselektroden und einer neben diesen angeordneten Basis- bzw. Emitterelektrode auf der anderen Seite.
Ein halbleitender Körper mit einer Zone des einen Leitfähigkeitstyps, an die sich zwei Zonen des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps anschließen, so daß zwei p-n-Inversionsschichten entstehen, kann als Dreielektrodenverstärker, d. h. als Transistor, benutzt werden. In derartigen Vorrichtungen werden die gemeinsame Zone als Basis und die angrenzenden Zonen als Emitter und Kollektor bezeichnet. Die Arbeitsweise des Transistors hängt von einer kleinen Änderung des Stromes ab, der in den Emitter hineinfließt und eine große Änderung des Stromes verursacht, der den Kollektor verläßt. Im Grunde genommen hängt die Wirkungsweise des Transistors von der Wanderung von in der Minderheit befindlichen Stromträgern von Emitter zum Kollektor ab. Die Art des Minderheitsstromträgers hängt von der Leitfähigkeitseigenschaft des Körpers ab, in dem sich der Stromträger befindet. In einem η-Halbleiter bestehen die Minderheitsstromträger aus positiven Löchern. Umgekehrt ist in einem p-Halbleiter ein Elektron ein Minderheitsstromträger. Die Zeit, während der ein Minderheitsstromträger in einem halbleitenden Körper existiert, d. h. seine Lebensdauer, ist sehr kurz und hängt von vielen Faktoren ab. Die kurze Lebensdauer der Minderheitsstromträger bildet einen Grenzwert für die Eigenschaften und die Anwendungsmöglichkeiten des Transistors. Für die richtige Wirkungsweise des Transistors muß der Abstand zwischen dem Emitter, an dem die Minderheitsstromträger eingeführt werden, und dem Kollektor, von dem die Minderheitsstromträger aufgenommen werden, gleich einer Entfernung sein, die von einem Minderheitsstromträger durchschnittlicher Lebensdauer durchlaufen werden kann. Aus diesem Grund muß bei Transistoren der Abstand zwischen Emitter- und Kollektorelektroden notwendigerweise klein sein, wobei der günstigste Abstand von der Frequenz abhängt, bei der die Anordnung betrieben wird.
Übliche Transistoren mit Inversionsschichten kleiner Leistung, wie z. B. die in der deutschen Patentanmeldung I 4677 VIIIc/21g beschriebene, haben gewöhnlich die Form einer Anordnung mit gegenüberliegenden Pillen. Bei einer solchen Anordnung besteht die Basiszone des Halbleiters des einen Leitfähigkeitstyps aus einem dünnen kristallinen Plättchen, und der Emitter und Kollektor enthalten durch Verunreinigungen aktivierte Zonen der entgegengesetzten Leitfähigkeitsart auf einander gegenüberliegenden Seiten Flächentransistoranordnung
Anmelder:
General Electric Company,
Schenectady, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dr.-Ing. W. Reichel, Patentanwalt,
Frankiurt/M.-Eschersheim, Lichtenbergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 30. August 1954
Robert Noel Hall, Schenectady, N. Y. (V. St. A.),
ist als Erfinder genannt worden
des halbleitenden Plättchens. Bei einer solchen Anordnung kann der Abstand zwischen den Emitter-Kollektor-Elektroden genau bestimmt und durch Einhaltung einer bestimmten Dicke des Plättchens sowie durch die Eindringtiefe der Aktivatorverunreinigungen an den gegenüberliegenden Hauptflächen eingeregelt werden. Die Basisverbindung für diese Art von Transistoren kann in passender Weise am Ende oder am Rand des Halbleiterplättchens angebracht werden, weil bei Transistoren kleiner Leistung die Basisverbindung nicht in unmittelbarer Nähe der Emitter- oder Kollektorelektrode zu liegen braucht. Wenn jedoch die Leistung des Transistors erhöht wird, wird der Abstand zwischen den Basis-, Emitter- und Kollektorelektroden kritischer.
Wenn Minderheitsstromträger in den halbleitenden Körper an der Emitterelektrode eingeführt werden, entzieht der halbleitende Körper, um das elektrische Gleichgewicht aufrechtzuerhalten, Mehrheitsstromträger aus der Basiselektrode. Ein Teil der Anzahl der Minderheitsstromträger, die an der Emitterelektrode eingeführt werden, vereinigt sich mit den Mehrheitsstromträgern, die der Basiselektrode entzogen werden, und es findet ein gegenseitiger Abbau dieser Ladungen in einem Vorgang statt, der gewöhnlich als »Rekombination« bezeichnet wird. Der Strom, der durch die Rekombination von Mehrheitsstromträgern verursacht wird, welche in den halbleitenden Körper an der Basiselektrode eintreten, ist nicht nennenswert, so daß er keine zu starke Erwärmung bei Transistoren kleiner Leistung verursacht. Bei Transistoren großer Leistung jedoch macht sich dieser Strom bemerkbar,
809 655/330
und es ist notwendig und erwünscht, daß die Basiselektrode so dicht wie möglich an den Emitter- und Kollektorelektroden, insbesondere am Emitter angeordnet wird.
Ein Leistungstransistor, der so ausgebildet ist, daß sich der Basiskontakt in unmittelbarer Nähe des Emitterkontaktes befindet, während gleichzeitig der kritische und notwendigerweise kleine Abstand zwischen den Emitter- und Kollektorelektroden eingehalten wird, enthält im allgemeinen eine Basiselektrode, die an der einen Seite eines Halbleiterplättchens angeschmolzen ist, und Emitter- und Kollektorelektroden, die an der gegenüberliegenden Seite des halbleitenden Plättchens dicht nebeneinander angeschmolzen sind. Diese Art eines Transistors erfordert jedoch äußerste Sorgfalt bei der Herstellung und ist nicht für Massenherstellungsverfahren geeignet, weil der Abstand zwischen Emitter und Kollektor (der der kritischste Abstand in einem Transistor ist) nur mit großer Schwierigkeit konstant gehalten werden kann, wenn sich die Emitter- und Kollektorelektroden auf der gleichen Hauptfläche eines halbleitenden Plättchens befinden. Wenn ferner die Emitter- und Kollektorelektroden auf der gleichen Seite des Halbleiterplättchens angeordnet sind, ist es außerordentlich schwierig, wenn nicht sogar unmöglich, die Kollektorelektrode durch Leitung zu kühlen, um einen Hochleistungsbetrieb zu ermöglichen.
Eine weitere Schwierigkeit, die beim Bau von Leistungstransistoren überwunden werden muß, besteht darin, die Ausgangsleistung zu erhöhen, ohne an Wirkungsgrad einzubüßen. Diese Schwierigkeit ergibt sich daraus, daß die Leistung nicht linear mit der Flächenzunahme der Emitter- und Kollektor-Inversionsschicht ansteigt. Für eine einzelne Emitter- und Kollektor-Inversionsschicht gibt es eine bestimmte maximale Größe, über die hinaus der Wirkungsgrad abnimmt. Es kann daher ein Hochleistungstransistor nicht einfach nur durch Vergrößerung des Emitter- und Kollektorübergangs erhalten werden.
Ein Ziel der Erfindung besteht darin, einen Transistor zu schaffen, der für den Betrieb bei hoher Leistung geeignet ist.
Ein weiteres Ziel der Erfindung ist es. einen Hochleistungstransistor anzugeben, dessen Emitter-, KoI-lektor- und Basiselektrode dicht beieinander angeordnet sind.
Ein weiteres Ziel der Erfindung ist es, einen Leistungstransistor zu schaffen, dessen Kollektorelektrode leitungsgekühlt ist.
Bei der Flächentransistoranordnung gemäß der Erfindung bedeckt die Kollektorelektrode die eine Seite eines Halbleiterplättchens. während auf der anderen Seite eine mehrfach gelochte Basis- bzw. Emitterelektrode angebracht ist, in deren Lochungen jeweils eine an einen gemeinsamen Leiter angeschlossene Emitter- bzw. Basiselektrode eingebracht ist.
Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung weist die Emitterelektrode, die einen Bereich des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps erzeugt, mehrere im Abstand voneinander befindliche Öffnungen auf und steht dabei mit der anderen Seite des Plättchens in Berührung; bei dieser Ausführungsform sind die Basiskontakte in den öffnungen der Emitterelektrode angeordnet und erzeugen darin einen gut leitenden Kontakt mit den freien Oberflächenteilen des Plättchens.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der folgenden Beschreibung der Zeichnungen hervor.
Fig. 1 ist eine schaubildliche Ansicht eines p-n-Transistors gemäß der Erfindung;
Fig. 2 ist ein Querschnitt durch einen Teil des Transistors der Fig. 1.
In Fig. 1 und 2 ist ein p-n-Transistor 1 gemäß der Erfindung dargestellt. Der Transistor 1 enthält ein Plättchen 2 aus halbleitendem Material, eine Kollektorplatte 3, die an dem halbleitenden Plättchen 2 durch ein Aktivatorlötmittel 4 angelötet ist, ferner eine Basiselektrode 5, die mit dem halbleitenden Plättchen 2 durch ein Aktivatorlötmittel 6 angelötet ist, und eine Anzahl von Emitterelektroden 7, die in kreisförmigen Öffnungen 8 der Basisplatte 5 angeordnet sind. Der halbleitende Körper 2 besteht aus einem kristallinen Plättchen, dessen Länge und Breite wesentlich größer als seine Dicke ist. Das Plättchen 2 kann z. B. aus einem kristallinen Plättchen aus n-Germanium, vorzugsweise von monokristalliner Struktur, bestehen und kann in passender Weise aus einem einzelnen Kristall geschnitten sein, welcher durch Ziehen eines Samenkristalls aus einer Schmelze von Germanium hergestellt ist, das mit einer Spur eines Donatorelementes versetzt ist. Die Schmelze, aus der der Kristall gezüchtet wird, kann mit einer Spur eines Elementes, z. B. Antimon, Phosphor oder Arsen, versetzt sein, um eine geeignete negative Leitfähigkeitscharakteristik zu erhalten.
Die Kollektorelektrode 3 kann aus einem flachen Plättchen aus einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung oder Nickel oder aus einem anderen Material, das einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der gleichen Größenordnung wie Germanium hat, bestehen. Die Kollektorelektrode 3 wird mit Hilfe eines Aktivatorlötmittels 4 in gutem mechanischem Kontakt mit dem halbleitenden Plättchen 2 gehalten. Das Lötmittel 4 kann Indium oder ein anderes Akzeptorelement oder eine Legierung enthalten. Wenn das Akzeptorlötmittel 4 mit der Oberfläche des Germaniumplättchens 2 verschmolzen wird, diffundieren Aktivatoratome in das Germanium mit einer solchen Konzentration ein, daß sie die Konzentration der Donatorverunreinigungen übertrifft, die ursprünglich dem Germaniumplättchen die n-Leitfähigkeit verliehen hat. Auf diese Weise wird eine Zone 9 aus p-Germanium in der Nachbarschaft der Oberfläche des Ivristallplättchens gebildet. Die Eindringtiefe dieser Zone in den Germaniumkörper wird durch die Schmelztemperatur und die Dauer des Erwärmungsvorgangs bestimmt. Die Erwärmung kann darauf beschränkt werden, daß der Akzeptorstoff mit dem Plättchen bei dem Lötvorgang verschmolzen wird; die Erwärmung der gesamten Anordnung kann auch bei einer erhöhten Temperatur fortgesetzt werden, um die Zone des p-Materials zu vergrößern. Die angewendete Temperatur kann zwischen 300 und 700° C bei Germanium liegen und hängt von dem besonderen ausgewählten Aktivatorelement ab. Die Erwärmungszeit kann etwas weniger als 1 Sekunde bis zu mehreren Minuten betragen, wobei ein geeignetes Eindringen des Aktivatormaterials in den halbleitenden Körper stattfindet, wenn das Aktivatorlötmittel das Germaniumplättchen benetzt. Wird z.B. ein Indiumlötmittel benutzt, so sind Temperaturen in der Nähe von 400° C für einige Minuten als ausreichend befunden worden. Als Ergebnis der Diffusion und der Imprägnierung wird eine gleichrichtende Sperrschicht oder p-n-Inversionsschicht 10 an der Grenze zwischen der p-Zone 9 und dem Hauptkörper des halbleitenden Plättchens 2 gebildet. Das Verfahren zur Herstellung von p-n-Inversionsschichten durch Schmelzen eines
Verunreinigungsaktivators ist in den bekanntgemachten Unterlagen der deutschen Patentanmeldung I 4677 VIIIc/21g beschrieben worden.
Der Basiskontakt 5 kann in passender Weise eine gelochte Platte aus einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung von etwa 0,396 mm Dicke enthalten, in der eine Anzahl von kreisförmigen öffnungen 8 dicht nebeneinander angeordnet ist, wobei die Zahl der Öffnungen nur von der Zahl der gewünschten Emitterkontakte abhängt. Im allgemeinen nimmt die Zahl der Emitterkontakte mit dem Leistungswert des Transistors zu. Die Basisplatte 5 wird in elektrisch gut leitendem Kontakt mit dem n-Halbleiterkörper 2 mit Hilfe eines Donatorlötmittels 6 zwischen der Platte 5 und dem halbleitenden Plättchen 2 gehalten. Ein Donatorlötmittel 6 kann z. B. eine Legierung von Indium und etwa 1 bis 30 Gewichtsprozent eines Donatorelementes, z. B. Arsen, Antimon oder Phosphor, enthalten. Dieses Donatorlötmittel kann vorzugsweise eine Legierung sein, welche etwa 95% Indium und 5 Gewichtsprozent Arsen enthält. Das Lötmittel 6 dient dem doppelten Zweck, die Basiselektrode 5 in gut leitendem Kontakt mit dem halbleitenden Plättchen 2 zu halten und als Vorrat für negative Stromträger für das n-Halbleiterplättchen 2 zu dienen.
Der Emitter des Transistors 1 enthält eine Anzahl von Akzeptorpillen, die in den Öffnungen 8 angeordnet und mit der Oberfläche des halbleitenden Plättchens 2 dort verschmolzen sind, wo diese frei zugänglich ist, nachdem die gelochte Basiselektrode 5 an dem Halbleiterplättchen 2 befestigt ist. Die Akzeptorkontakte können in passender Weise Indium oder andere geeignete Akzeptormaterialien enthalten; diese sind mit der Oberfläche des Halbleiterplättchens 2 in derselben Weise verschmolzen und in sie eindiffundiert wie das Akzeptorlötmittel 4. In der Praxis können die Akzeptorkontakte 7 leicht in der Mitte in den Öffnungen 8 der Basiselektrode 5 angeordnet werden, indem eine kleine Führungsvertiefung 11 in die freiliegende Oberfläche des halbleitenden Plättchens 2 gebohrt wird, nachdem der Basiskontakt 5 an dem halbleitenden Plättchen 2 befestigt worden ist. Durch diese vorbereitende Bohrung wird jeder einzelne Emitterkontakt 7 in der Mitte der Vertiefung 8 in der Basiselektrode 5 angeordnet. Nachdem die Führungsvertiefung 11 in der freiliegenden Oberfläche des halbleitenden Plättchens 2 gebohrt worden ist, wird eine kleine Menge von Indium oder einem anderen Akzeptormaterial in die Vertiefung gebracht und das halbleitende Plättchen einer Temperatur ausgesetzt, die innerhalb der Grenzen von 300 bis 700° C liegen kann, aber vorzugsweise die Größenordnung von 400° C hat, und zwar für etwa 1 oder 2 Minuten. Diese Erwärmung bewirkt, daß der oberflächennahe Bereich 12 des Plättchens 2 aus η-Germanium in p-Germanium umgewandelt wird und daß ein p-n-Übergang 13 zwischen dem oberflächennahen p-Bereich 12 und dem Hauptkörper des n-Halbleiterplättchens 2 entsteht. Während des Heizvorganges kann ein Draht aus Nickel oder einer Zinn-Nickel-Kobalt-Legierung 14 in die Führungsvertiefung 11 eingeführt werden, der eine Emitterzuleitung bildet, die mit anderen Emitterzuleitungen verbunden werden kann, so daß eine Emitterleitung 15 für den Transistor 1 entsteht. Der Heizprozeß sollte so gesteuert werden, daß der p-Bereich 12 in der Nähe des Emitterkontaktes 7 sich nicht so weit ausdehnt, daß er über den Bereich hinausgeht, der nicht von der Basiselektrode 5 bedeckt ist. Auf diese Weise ist jeder Emitterkontakt 7 seitlich von der Basiselektrode 5 umgeben, und der p-Bereich 12 ist von dem n-Hauptkörper des Plättchens 2 umgeben. Wenn die Bildung des p-Bereiches 12 in dieser Art gesteuert wird, ist der p-n-Übergang 13 durch die Basiselektrode 5 nicht kurzgeschlossen, und der Emitter-, der Kollektor- und die Basisbereiche sind dicht nebeneinander angeordnet. Bei der Herstellung kann die Verschmelzung der Kollektorplatte 3, der Basisplatte 5 und der Emitterpillen 7 mit dem halbleitenden Plättchen 2 entweder einzeln oder gleichzeitig in einem Gesamterhitzungsvorgang ausgeführt werden.
Wenn der Transistor 1 in einem elektrischen Kreis als Verstärker, als Schwingungserzeuger oder als Detektor betrieben wird, werden die Spannungen so zugeführt, daß die Emitterpillen in der Durchgangsrichtung und die Kollektorplatte in der Sperrichtung betrieben werden.- Beim Betrieb wird durch den Stromfluß in der Durchlaßrichtung in dem Emitterkreis eine hohe Konzentration von Löchern und Elektronen in dem Germaniumkörper 2 erzeugt, so daß ein Teil der Löcher zu dem Kollektorkontakt 3 hin diffundiert. Dadurch, daß ein verhältnismäßig kleiner Abstand zwischen den Emitterkontakten 7 und dem Kollektorkontakt 3 vorhanden ist, ist es möglich, daß der Hauptanteil des Emitterstromes in dem Kollektorkreis auftritt. Da ferner der Basiskontakt in unmittelbarer Nachbarschaft des Emitterkontaktes liegt, ist der Weg des Stromflusses durch den halbleitenden Körper von der Basis zum Emitter kurz, und die Widerstandserhitzung infolge dieses Stromes wird auf einem Minimum gehalten. Da der Kollektor getrennt auf der einen Seite des halbleitenden Plättchens 2 angeordnet ist und keine anderen Elektroden auf dieser Fläche liegen, kann die Kollektorplatte 3 leicht durch Leitung gekühlt werden, um ihre Temperatur in dem richtigen Bereich der Betriebstemperaturen des Transistors zu halten und hierdurch den Hochleistungsbetrieb zu erleichtern.
Vorrichtungen, die gemäß der Erfindung ausgeführt wurden, sind mit Leistungen bis zu 20 Watt ohne schädliche Wirkungen betrieben worden. Außerdem sind Vorrichtungen gemäß der Erfindung in der Lage, eine Stromverstärkung von etwa einem Drittel bis zur Hälfte bei Kollektorströmen bis zu 1 Ampere zu ergeben.
Die Abmessungen eines typischen halbleitenden Körpers 2, die hier beispielsweise angegeben werden, da diese Größen je nach der gewünschten Solleistung vergrößert und verkleinert werden können, betragen etwa 6X6 mm und 3,7 mm in der Dicke. Ein halbleitendes Plättchen mit diesen Abmessungen kann bequem sieben Emitterkontakte aufnehmen, welche das Plättchen durch eine gelochte Basisplatte berühren, die sieben Öffnungen enthält, welche in einem sechseckigen Muster angeordnet und etwa 2,38 mm voneinander entfernt sind (vgl. Fig. 1).
Verschiedene gleichwertige Elemente oder auch eine Kombination von Elementen können an Stelle der in Verbindung mit Fig. 1 beschriebenen Stoffe verwendet werden. So können z. B. andere Akzeptormaterialien, z. B. Gallium oder Aluminium, an Stelle von Indium benutzt werden. Ein halbleitender Körper, der p-leitende Eigenschaften hat, kann ebenfalls verwendet werden; in diesem Fall würde das Lötmittel für den Kollektorkontakt und die Emitterkontakte ein Donatormaterial, z. B. eine Legierung von Indium und 1 bis 30% eines Donatorelementes, z. B. Antimon, Phosphor oder Arsen, enthalten. Der halbleitende Körper selbst kann aus Silizium an Stelle von Germanium hergestellt sein. In ähnlicher Weise kann natür-

Claims (8)

Hch die Zahl und Anordnung der Emitterkontaktstellen erhöht werden je nach der Solleistung, bei der der Transistor betrieben werden soll. In allen Fällen sind die Emitter- und Kollektoraktivatorelemente so gewählt, daß sie Stromträger in dem benachbarten halbleitend«! Material liefern, welche ein entgegengesetztes Vorzeichen wie die Stromträger der Zone aufweisen, die mit der Basiselektrode verbunden ist. Außerdem können, obwohl die Erfindung im Zusammenhang mit einem bevorzugten Ausführungsbeispiel beschrieben wurde, bei dem eine Anzahl von Emitterkontakten einen Oberflächenteil eines halbieitenden Plättchens berühren und ein einziger Basiskontakt den Emitter umgibt und die gleiche Oberfläche berührt, die neuartigen Eigenschaften des Erimdungsgegenstandes auch bei einem Aufbau erhalten werden, bei dem Basis- und Emitterkontakte umgekehrt angeordnet sind. Der Emitter kann eine gelochte Platte enthalten, welche die Hauptfiäche des halbleitenden Plättchens, die gegenüber dem Kollektor liegt, berührt, und er kann mit einem Akzeptorlötmittel festgelötet sein, während die Basis eine Anzahl von Donatorstellen aufweisen kann, die mit der Oberfläche des Plättchens innerhalb der Emitteröffnungen verschmolzen sind. PATENTATfSPRÜC H E
1. Flächentransistoranordnung mit einer KoI-iektorelektrode auf der einen Seite des Halbleiterplättchens, mehreren Emitter- bzw. Basiselektroden und einer neben diesen angeordneten Basis- bzw. Emitterelektrode auf der anderen Seite, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode (3) die eine Seite des Halbleiterplättchens (2) bedeckt, während auf der anderen Seite eine mehrfach gelochte Basis- bzw. Emitterelektrode (5) angebracht ist, in deren Lochungen (8) jeweils eine an einen gemeinsamen Leiter (15; angeschlossene Emitterbzw. Basiselektrode (7) eingebracht ist.
2. Flächentransistoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode auf der einen Seite des Plättchens und die Emitterelektrode auf der anderen Seite je einen entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp in dem Plättchen hervorrufen, während die dritte Elektrode, welche die Emitterelektrode seitlich umgibt, als Basiselektrode in gut leitendem Kontakt mit einem Teil der anderen Seite des Plättchens steht.
3. Flächentransistoranordnung nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektor- und die Emitterelektrode je einen oberflächennahen Bereich oder eine Schicht des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps hervorrufen.
4. Flächentransistoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kollektorkontakt an der Schicht der Kollektorelektrode, ein Emitterkontakt an dem begrenzten Bereich der Emitterelektrode und ein Basiskontakt vorgesehen sind, der den Emitterkontakt seitlich umgibt, eng benachbart dazu ist und mit dem Hauptkörper des Plättchens des einen Leitfähigkeitstyps in Berührung steht.
5. Flächentransistoranordnung nach Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterelektrode eine Anzahl von begrenzten Bereichen des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps enthält.
6. Flächentransistoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektrode mehrere im Abstand befindliche Öffnungen aufweist, welche die andere Seite des Plättchens berühren, während die Emitterelektrode mehrere begrenzte Inversionsschichtkontakte mitten in den Öffnungen der Basiselektrode enthält.
7. Flächentransistoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Plättchen aus η-Germanium besteht und daß die Emitterelektrode mehrere Akzeptorkontakte aufweist, die in den Öffnungen der Basiselektrode angeordnet sind.
8. Flächentransistoranordnung nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß das Plättchen aus η-Germanium besteht und die Emitterelektrode, die mehrere im Abstand voneinander befindliche Öffnungen aufweist, als Akzeptorelektrode ausgebildet ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Belgische Patentschrift Nr. 520 677.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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