DE10145420A1 - Verfahren zur Herstellung einer Lotverbindung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Lotverbindung

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Lotverbindung zwischen zumindest zwei Kontaktpartnern (22, 23) einer Kontaktanordnung (21), bei der ein Lotmaterialformstück (27) mit Abstand zur Kontaktanordnung angeordnet wird, ein zumindest partielles Aufschmelzen des Lotmaterialstücks erfolgt und das zumindest partiell aufgeschmolzene Lotmaterialformstück derart gegen die Kontaktanordnung geschleudert wird, dass zur Ausbildung einer elektrisch leitfähigen Verbindung in einem Verbindungsbereich eine Benetzung beider Kontaktpartner erfolgt.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Lotverbindung zwischen zumindest zwei Kontaktpartnern einer Kontaktanordnung, bei dem ein Lotmaterialformstück mit Abstand zur Kontaktanordnung angeordnet wird, ein zumindest partielles Aufschmelzen des Lotmaterialformstücks erfolgt und das zumindest partiell aufgeschmolzene Lotmaterialformstück derart gegen die Kontaktanordnung geschleudert wird, dass zur Ausbildung einer elektrisch leitfähigen Verbindung in einem Verbindungsbereich eine Benetzung beider Kontaktpartner erfolgt.
  • Aus der US 5,828,031 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Lotverbindung zwischen zwei Kontaktpartnern einer Kontaktanordnung bekannt, wobei die Kontaktpartner als Kontaktflächen ausgebildet sind und einen Winkel von 90° einschließen. Zur Herstellung dieser Lotverbindung wird beschrieben, ein als Lotkugel ausgebildetes Lotmaterialformstück mittels einer Kapillare so zwischen beiden Kontaktpartnern anzuordnen, dass sich sowohl ein Berührungskontakt zwischen beiden Kontaktflächen als auch der Kapillare ergibt. Hierzu wird die Lotkugel mittels der Kapillare gegen die Kontaktflächen gedrückt. Dieser Kontakt muss so lange aufrecht erhalten werden, bis sich infolge eines Aufschmelzens der Lotkugel mittels Laserenergie eine Benetzung der Kontaktflächen und die daraus resultierenden Haftkräfte, die das Lotmaterial in der Verbindungsposition sichern, ergeben.
  • Die vorstehend beschriebene Art der Erzeugung des Kontaktdrucks zwischen der Lotkugel und den Kontaktflächen bedingt, dass die Kapillare zur Herstellung der Lotverbindung unmittelbar im Bereich der Kontaktanordnung positioniert sein muss. Hierdurch wird zum einen eine hochgenaue Positionierung der Kapillare notwendig, zum anderen bedingt dies eine gute Zugänglichkeit der Kontaktanordnung.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Lotverbindung zwischen zwei nicht in derselben Ebene angeordneten Kontaktpartnern einer Kontaktanordnung vorzuschlagen, das zum einen einen geringeren Positionierungsaufwand zur Positionierung der Kapillare erfordert, zum anderen auch mit Abstand zur Kontaktanordnung durchführbar ist, so dass auch die Anforderungen an die Zugänglichkeit der Kontaktanordnung geringer sein können.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird zur Herstellung der Lotverbindung ein Lotmaterialformstück mit Abstand zur Kontaktanordnung angeordnet und nachfolgend einem zumindest partiellen Aufschmelzen des Lotmaterialformstücks gegen die Kontaktanordnung geschleudert bzw. geschossen. Diese Schleuderbewegung oder ballistische Bewegung des zumindest teilweise aufgeschmolzenen Lotmaterialformstücks erfolgt derart, dass beim oder infolge des Auftreffens auf den bzw. die Kontaktpartner eine Benetzung beider Kontaktpartner erfolgt. Dies kann so erfolgen, dass beide Kontaktpartner gleichzeitig getroffen werden oder, dass zuerst ein Kontaktpartner getroffen wird und eine Benetzung des zweiten Kontaktpartners infolge eines Abprallvorgangs erfolgt. In jedem Fall wird durch die Benetzung beider Kontaktpartner eine elektrisch leitfähige Verbindung ausgebildet.
  • Als Lotmaterial kommen nicht nur konventionelle Materialien, wie beispielsweise metallische Lotlegierungen, sondern grundsätzlich alle Materialien in Frage, die eine elektrisch leitfähige Verbindung zwischen Kontaktpartnern ermöglichen, wie beispielsweise leitfähige Kunststoffe.
  • Gegenüber dem bekannten Verfahren ergibt sich somit eine geringere Anforderung hinsichtlich der Positionierungsgenauigkeit der Kapillare einerseits und hinsichtlich der Zugänglichkeit der Kontaktanordnung andererseits, da eine mechanische Kontaktkette zwischen der Kontaktanordnung, dem Lotmaterialformstück und der Kapillare zur Herstellung der Lotverbindung nicht mehr notwendig ist. Vielmehr kann das zumindest teilweise aufgeschmolzene Lotmaterialformstück ohne Berührungskontakt zur Kapillare im Bereich der Kontaktanordnung platziert werden. Je nach den geometrischen Gegebenheiten oder beispielsweise auch der Zusammensetzung des Lotmaterials kann das Lotmaterialformstück lediglich teilweise aufgeschmolzen oder auch vollständig aufgeschmolzen gegen die Kontaktanordnung geschleudert bzw. geschossen werden. Wesentlich ist lediglich, dass sich infolge des Aufpralls des Lotmaterials auf zumindest einen Kontaktpartner der Kontaktanordnung eine Benetzung beider Kontaktpartner ergibt.
  • Als besonders vorteilhaft erweist sich das Verfahren, wenn das zumindest partiell aufgeschmolzene Lotmaterialformstück in einen zwischen den Kontaktpartnern der Kontaktanordnung ausgebildeten Kontaktspalt geschleudert wird. Bei dieser Applikation des Verfahrens ist es möglich, einer je nach Ausbildung des Spalts einer Benetzung der gesamten Kontaktoberfläche der Kontaktanordnung entgegenwirkende Kapillarkraft die Massenkraft des Lotmaterials entgegenzusetzen, um auch bei eher ungünstig ausgebildeten Kontaktanordnungen eine zuverlässige Lotverbindung zu erreichen.
  • Insbesondere bei einem durch die Kontaktanordnung mehr oder weniger stark ausgebildeten keilförmigen Kontaktspalt wird durch Anwendung des Verfahrens eine zuverlässige Lotverbindung möglich, wenn das zumindest partiell aufgeschmolzene Lotmaterialformstück in Richtung der Winkelhalbierenden des zwischen den Kontaktpartnern im Kontaktspalt ausgebildeten Spaltwinkels geschleudert wird. Die Wahl der Schleuderrichtung entsprechend der Winkelhalbierenden des Keilspalts erweist sich als besonders vorteilhaft, wenn die zu benetzenden Kontaktpartner flächenförmig ausgebildet sind mit in etwa gleich großen Kontaktflächen.
  • Bei einer keilförmigen Ausbildung des Kontaktspaltes und als Kontaktflächen unterschiedlicher Größe ausgebildeten Kontaktpartnern erweist es sich als vorteilhaft, das zumindest partiell aufgeschmolzene Lotmaterialformstück längs einer Achse in den Kontaktspalt zu schleudern, die zwischen der Winkelhalbierenden und der größeren der beiden Kontaktflächen verläuft.
  • Bei einer Kontaktanordnung aus zwei parallel zueinander angeordneten Kontaktflächen ist es besonders vorteilhaft, das zumindest partiell aufgeschmolzene Lotmaterialformstück in Richtung der Spaltmittelachse in den zwischen den Kontaktflächen der Kontaktanordnung ausgebildeten Parallelspalt zu schleudern.
  • Bei derart relativ zueinander angeordneten Kontaktflächen bzw. ausgebildeten Kontaktspalten, wie sie z. B. bei einer sogenannten Flip-Chip- Kontaktierung eines Halbleiterbauteils, wie eines Chips, auf einem Substrat gegeben ist, ermöglicht das Verfahren somit in einem ersten Schritt eine definierte Relativanordnung der miteinander zu kontaktierenden Substrate mit einander gegenüberliegend angeordneten Anschlussflächen in einem exakt einstellbaren Substratabstand und in einem zweiten Schritt unter exakter Einhaltung des definierten Substratabstands eine Kontaktierung der Substrate durch Herstellung einer Lotverbindung mittels einer Schleuderapplikation des Lotmaterials in den zwischen den Anschlussflächen der Substrate ausgebildeten Kontaktspalt.
  • Bei einer Kontaktanordnung aus einer Kontakthülse und einem in der Kontakthülse verlaufenden Drahtleiter erweist es sich als vorteilhaft, bei Durchführung des Verfahrens das zumindest partiell aufgeschmolzene Lotmaterialformstück in Richtung des Drahtleiterverlaufs in den Kontaktspalt zu schleudern. Diese Applikation des Verfahrens erscheint besonders vorteilhaft bei einer Substratbestückung mit elektronischen Bauteilen in SMD-Technik, bei der die Anschlussleiter der Bauteile in Durchkontaktierungen des Substrats aufgenommen und mit diesen verlötet werden.
  • Bei einer Kontaktanordnung aus einer Kontaktfläche und einem auf der Kontaktfläche angeordneten Drahtleiter wird infolge des Aufprallens des Lotmaterials auf den Drahtleiter der Drahtleiter in Berührungskontakt mit der Kontaktfläche gezwungen. Auf diese Art und Weise ist es auch möglich, bei einer Drahtleiterverbindung auf einen Berührungskontakt zwischen Verbindungswerkzeug und Drahtleiter während der Verbindungsherstellung zu verzichten.
  • Nachfolgend werden bevorzugte Varianten des Verfahrens anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • Fig. 1 bis 6 eine Prinzipdarstellung der einander nachfolgenden Verfahrensschritte bei Durchführung des Verfahrens zur Herstellung einer Lotverbindung zwischen zwei Kontaktflächen einer einen Kontaktspalt bildenden Kontaktanordnung;
  • Fig. 7 eine einen Kontaktspalt bildende Kontaktanordnung mit Kontaktflächen unterschiedlicher Größe;
  • Fig. 8 die Anwendung des Verfahrens zur Herstellung einer Lotverbindung zwischen Kontaktflächen einer einen Parallelspalt bildenden Kontaktanordnung mit Darstellung einer Seitenansicht der hierbei verwendeten Anordnung;
  • Fig. 9 die in Fig. 8 dargestellte Anordnung in einer Draufsicht;
  • Fig. 10 die Anwendung des Verfahrens zur Herstellung einer Lotverbindung bei einer einen Ringspalt bildenden Kontaktanordnung;
  • Fig. 11 die Anwendung des Verfahrens zur Herstellung einer Lotverbindung bei einer aus einer Kontaktfläche und einem Drahtleiter gebildeten Kontaktanordnung.
  • In der Figurenfolge der Fig. 1 bis 6 ist zum einen eine zur Durchführung des Verfahrens einsetzbare Lotmaterialapplikationseinrichtung 20 und zum anderen die Anwendung des Verfahrens zur Herstellung einer Lotverbindung bei einer Kontaktanordnung 21 dargestellt, deren als Kontaktflächen 22, 23 ausgebildete Kontaktpartner so zueinander angeordnet sind, dass sie einen Keilspalt 24 bilden. Im vorliegenden Fall beträgt der Spaltwinkel α des Keilspalts 24 etwa 90°.
  • Fig. 1 zeigt die Lotmaterialapplikationseinrichtung 20 mit einem in einem Applikationsmundstück 25 ausgebildeten Führungskanal 26, der zur Aufnahme und Führung eines hier in Kugelform ausgebildeten Lotmaterialformstücks 27 dient. Das Lotmaterialformstück 27 wird durch Schwerkraft oder aktive Beaufschlagung, beispielsweise mittels Druckgas, in einen trichterförmig ausgebildeten Ausgabebereich 28 des Führungskanals 26 bewegt und dort zur Anlage an einen Öffnungsrand 29 des Ausgabebereichs 28 gebracht. Der Öffnungsrand 29 ist im vorliegenden Fall ventilsitzartig ausgebildet und bildet zusammen mit dem gegenliegenden Lotmaterialformstück 27 einen im Wesentlichen fluiddichten Verschluss des Ausgabebereichs 28. Infolge der trichterförmigen Ausbildung des Ausgabebereichs 28 wird bei entsprechender Positionierung des Applikationsmundstücks 25 oberhalb der Kontaktanordnung 21 eine definierte Ausrichtung des Lotmaterialformstücks 27 in einer im Wesentlichen senkrecht zur Längsachse des Führungskanals 26 verlaufenden Ebene möglich.
  • Nachdem, wie in Fig. 1 dargestellt, das Lotmaterialformstück 27 in den Führungskanal 26 des Applikationsmundstücks 25 gelangt ist, kommt es, wie in Fig. 2 dargestellt, am Öffnungsrand 29 des Ausgabebereichs zur Anlage.
  • Nach der in Fig. 3 dargestellten Positionierung des Lotmaterialformstücks 27 gegenüber der Kontaktanordnung 21 erfolgt eine Energiebeaufschlagung des Lotmaterialformstücks, beispielsweise mittels Laserenergie, die ein zumindest partielles Aufschmelzen des Lotmaterialformstücks 27 bewirkt.
  • Ein nach dem zumindest partiellen Aufschmelzen des Lotmaterialformstücks 27 zeitweise oder auch konstant im Führungskanal 26 anliegender Fluiddruck, der vorzugsweise mittels eines Schutzgases erzeugt wird, bewirkt ein Ausstoßen des zumindest teilweise aufgeschmolzenen Lotmaterialformstücks 27 aus dem Ausgabebereich 28.
  • Wie Fig. 5 zeigt, bewirkt der Ausstoßvorgang eine projektilartige Bewegung des zumindest teilweise aufgeschmolzenen Lotmaterialformstücks 27 in Richtung auf die Kontaktanordnung 21 längs der Mittelachse 31 des Führungskanals 26, wobei im hier dargestellten Ausführungsbeispiel die Mittelachse 31 in etwa mit der Winkelhalbierenden des Spaltwinkels α zusammenfällt.
  • Wie Fig. 6 zeigt, ergibt sich nachfolgend dem Aufprall des im dargestellten Fall schon vor dem Aufprall vollständig aufgeschmolzenen Lotmaterialformstücks 27 eine vollständige Benetzung der Kontaktflächen 22, 23. Dabei wird die Ausbildung der Benetzung durch die kinetische Energie des Aufpralls gefördert.
  • Für den Fall, dass das Lotmaterialformstück 27 in lediglich teilweise aufgeschmolzenem Zustand auf die Kontaktflächen 22, 23 der Kontaktanordnung 21 auftrifft, erfolgt zunächst eine zumindest teilweise Benetzung der Kontaktflächen 22, 23 entsprechend dem Anteil des aufgeschmolzenen Volumens des Lotmaterialformstücks 27. In diesem Fall kann eine vollständige Benetzung der Kontaktflächen 22, 23 dadurch sichergestellt werden, dass nachfolgend dem Aufprall des Lotmaterialformstücks 27 auf die Kontaktanordnung 21 eine wiederholte Energiebeaufschlagung des Lotmaterialformstücks 27 bis hin zum vollständigen Aufschmelzen erfolgt.
  • Fig. 7 zeigt, wie in Abhängigkeit von der Orientierung der Mittelachse 31, die im vorliegenden Fall mit der Ejektionsachse übereinstimmt, eine Anpassung des Verfahrens an die besonderen geometrischen Verhältnisse einer Kontaktanordnung 32 möglich ist, die über Kontaktflächen 33, 34 unterschiedlicher Größe verfügt. Hierzu wird die Ejektionsachse abweichend von einer Winkelhalbierenden 35 eines durch die Kontaktanordnung 32 gebildeten Keilspalts 36 zur größeren Kontaktfläche 34 hin geneigt, so dass sich infolge des Aufpralls des zumindest teilweise aufgeschmolzenen Lotmaterialformstücks 27 eine hinsichtlich der Benetzungsfläche entsprechend unterschiedliche auf die jeweilige Größe der Kontaktflächen 33, 34 abgestimmte Benetzung ergibt.
  • Fig. 8 zeigt die Anwendung des Verfahrens zur Herstellung einer Lotverbindung zwischen Kontaktflächen 37, 38 einer Kontaktanordnung 39, die einen Parallelspalt 40 bildet.
  • Der in Fig. 8 und 9 dargestellte Anwendungsfall betrifft beispielhaft die Kontaktierung eines Chips 41 mit peripher angeordneten Kontaktflächen 37 auf einem Substrat 42 mit ebenfalls peripher angeordneten Kontaktflächen 38. Im vorliegenden Fall befindet sich das Substrat 42 mit den dem Chip 41 zugewandten Kontaktflächen 38 auf einer Unterlage 43. Der Chip 41 ist oberhalb des Substrats 42 und mit einem definierten Abstand a zu diesem angeordnet, wobei die Kontaktflächen 37 des Chips sich in einer Überdeckung mit den zugeordneten Kontaktflächen 38 des Substrats befindet. Der Chip 41 wird in dieser definierten Relativposition gegenüber dem Substrat 42 durch eine Unterdruckplatte 42 gehalten, die in ihrer Ansaugfläche 44 mit Saugöffnungen 45 versehen ist und mittels eines an einer Anschlussöffnung 46 der Unterdruckplatte 43 anliegenden Vakuums ein Haften des Chips 41 an der Unterdruckplatte 43 bewirkt.
  • Zur Herstellung von Lotverbindungen zwischen den Kontaktflächen 37, 38 der einzelnen Kontaktanordnungen 39 wird die aus dem Chip 41 und dem Substrat 42 bestehende Substratanordnung 47, wie vorstehend beschrieben, in ihrer Relativpositionierung definiert. Anschließend wird, wie insbesondere in Fig. 9 dargestellt, die Substratanordnung 47 durch eine Lotmaterialapplikationseinrichtung 48 umgeben, derart, dass den einzelnen Kontaktanordnungen 39 jeweils zugeordnete Applikationsbereiche 49 zugeordnet sind, die in ihrem Aufbau jeweils der in den Fig. 1 bis 7 dargestellten Lotmaterialapplikationseinrichtung 20 entsprechen. Dabei sind die Mittelachsen 31 der Applikationsbereiche 49 im Wesentlichen parallel und mittig zu den Kontaktflächen 37, 38 ausgerichtet, also etwa koaxial zu Spaltmittelachsen 62 der Kontaktanordnungen 39 angeordnet.
  • Aus dieser Position erfolgt, wie vorstehend bereits unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 6 ausführlich erläutert, eine Ejektion der zumindest teilweise aufgeschmolzenen Lotmaterialformstücke 27, so dass sich nachfolgend einem in Fig. 8 rechts dargestellten Aufprall des zumindest teilweise aufgeschmolzenen Lotmaterialformstücks 27 die in Fig. 8 links dargestellte Benetzung der Kontaktflächen 37, 38 zur Ausbildung einer Lotverbindung 50 ergibt.
  • Fig. 10 zeigt eine Anwendung des Verfahrens zur Herstellung einer Lotverbindung bei einer Kontaktanordnung 51 aus einer Kontakthülse 52 und einem Drahtleiter 53, die zusammen einen Ringspalt 63 bilden. Bei der Kontakthülse 52 kann es sich um eine fachsprachlich als "via" bezeichnete Durchkontaktierung in einem Substrat 54 handeln, in die ein als Drahtleiter 53 ausgebildeter Anschlussleiter eines elektronischen Bauteils, wie beispielsweise eines Halbleiterbauteils 55, eingeführt ist. Die in Fig. 10 dargestellte Verbindungsanordnung zwischen dem Halbleiterbauteil 55 und dem Substrat 54 entspricht somit den in sogenannter SMD (Surface-Mounted-Device)-Technik hergestellten Verbindungen zur Erzeugung von Bauteilgruppen.
  • Zur Herstellung einer in Fig. 10 strichpunktiert angedeuteten Lotverbindung 56 im Ringspalt 63 zwischen der Kontakthülse 52 und dem Drahtleiter 53 wird die Lotmaterialapplikationseinrichtung 20 mit der Mittelachse 31 des Führungskanals 26 im Wesentlichen so gegenüber der Kontakthülse 52 positioniert, dass die Mittelachse 31 im Wesentlichen koaxial mit einer Mittelachse 57 der Kontakthülse 52 verläuft. Im vorliegenden Fall stimmt die Mittelachse 57 im Wesentlichen mit dem Drahtleiterverlauf des Drahtleiters 53 in der Kontakthülse 52 überein.
  • Fig. 11 zeigt die Herstellung einer gestrichelt dargestellten Lotverbindung 64 bei einer Kontaktanordnung 58 aus einer Kontaktfläche 59 eines Substrats 60 und einem Drahtleiter 61. Dabei erfolgt die Beaufschlagung der Kontaktanordnung 58 mit dem zumindest teilweise aufgeschmolzenen Lotmaterialformstück 27 aus einer Position der Lotmaterialapplikationseinrichtung 20, bei der die mit der Ejektionsrichtung zusammenfallende . Mittelachse 31 des Applikationsmundstücks 25 den Drahtleiter schneidet und quer zur Kontaktfläche 59 angeordnet ist. Aus dieser Positionierung des Applikationsmundstücks 25 ergibt sich eine zwischenliegende Anordnung des Drahtleiters 61, so dass der Drahtleiter 61 durch den Aufprall des zumindest teilweise aufgeschmolzenen Lotmaterialformstücks 27 gegen die Kontaktfläche 59 gedrückt wird und ein im Wesentlichen spaltfreier Berührungskontakt zwischen dem Drahtleiter und der Kontaktfläche 59 ermöglicht wird.

Claims (7)

1. Verfahren zur Herstellung einer Lotverbindung zwischen zumindest zwei Kontaktpartnern (22, 23; 33, 34; 37, 38; 52, 53; 61, 59) einer Kontaktanordnung (21, 32, 39, 51, 58), bei dem ein Lotmaterialformstück (27) mit Abstand zur Kontaktanordnung angeordnet wird, ein zumindest partielles Aufschmelzen des Lotmaterialformstücks erfolgt und das zumindest partiell aufgeschmolzene Lotmaterialformstück derart gegen die Kontaktanordnung geschleudert wird, dass zur Ausbildung einer elektrisch leitfähigen Verbindung in einem Verbindungsbereich eine Benetzung beider Kontaktpartner erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruchs 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zumindest partiell aufgeschmolzene Lotmaterialformstück (27) in einen zwischen den Kontaktpartnern (22, 23; 33, 34; 37, 38; 52, 53) der Kontaktanordnung (21, 32, 39, 51) ausgebildeten Kontaktspalt (24, 36, 40, 63) geschleudert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer keilförmigen Ausbildung des Kontaktspaltes (24, 36) das zumindest partiell aufgeschmolzene Lotmaterialformstück (27) in Richtung der Winkelhalbierenden (31, 35) des zwischen den Kontaktpartnern (22, 23; 33, 34) im Kontaktspalt ausgebildeten Spaltwinkels α geschleudert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer keilförmigen Ausbildung des Kontaktspaltes (24, 36) und als Kontaktflächen (33, 34) unterschiedlicher Größe ausgebildeten Kontaktpartnern das zumindest partiell aufgeschmolzene Lotmaterialformstück (27) längs einer Achse (31) in den Kontaktspalt geschleudert wird, die zwischen der Winkelhalbierenden (35) und der größeren der beiden Kontaktflächen verläuft.
5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer Kontaktanordnung (39) aus zwei parallel zueinander angeordneten Kontaktflächen (37, 38) das zumindest partiell aufgeschmolzene Lotmaterialformstück (27) in Richtung einer Spaltmittelachse (62) in einen zwischen den Kontaktflächen der Kontaktanordnung ausgebildeten Parallelspalt (40) geschleudert wird.
6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer Kontaktanordnung (51) aus einer Kontakthülse (52) und einem in der Kontakthülse verlaufenden Drahtleiter (53) das zumindest partiell aufgeschmolzene Lotmaterialformstück (27) in Richtung des Drahtleiterverlaufs innerhalb der Kontakthülse in den Kontaktspalt (63) geschleudert wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer Kontaktanordnung (58) aus einer Kontaktfläche (59) und einem auf der Kontaktfläche angeordneten Drahtleiter (61) das zumindest partiell aufgeschmolzene Lotmaterialformstück (27) unter zwischenliegender Anordnung des Drahtleiters auf die Kontaktfläche geschleudert wird.
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