DE19522338A1 - Verfahren zur Herstellung einer Durchkontaktierung sowie Chipträger und Chipträgeranordnung mit einer Durchkontaktierung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel­ lung einer Durchkontaktierung bei einem verformbaren Substrat, an dem zumindest im Bereich einer Durchkontaktierungsstelle beidseitig Metallisierungslagen angeordnet sind, wobei zumin­ dest eine Metallisierungslage verformbar ausgebildet ist. Des weiteren betrifft die Erfindung einen Chipträger sowie eine Chipträgeranordnung mit einem Substrat, das Durchkontaktierun­ gen aufweist gemäß den Oberbegriffen der Ansprüche 10 bzw. 11.

Substrate, die zur Bestückung mit elektronischen Bauelementen dienen, sind in der Regel mit sogenannten Durchkontaktierungen versehen, die auf gegenüberliegenden Oberflächen des Substrats angeordnete Leiterbahnstrukturen zur Erzielung einer höheren Integration miteinander verbinden. Derartige Substrat-Durch­ kontaktierungen gewinnen aufgrund der zunehmenden Integration im Schaltungsaufbau bis hin zu sogenannten "Multi-Layer-Modu­ len", bei denen mehrere bestückte Substrate in Schichttechnik aufeinander angeordnet sind, zunehmend an Bedeutung.

Der Herstellungsaufwand bei Substraten, die mit Durchkontak­ tierungen versehen sind, wird wesentlich durch den Aufwand zur Herstellung der eigentlichen Durchkontaktierungen bestimmt. Bei den bekannten Verfahren zur Herstellung einer Durchkontak­ tierung werden die auf gegenüberliegenden Oberflächen mit Lei­ terbahnstrukturen versehenen Substrate an den Durchkontaktie­ rungsstellen durchbohrt oder geätzt, um anschließend den der­ art geschaffenen Durchgang auf galvanischem oder chemischem Wege zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen den Leiterbahnstrukturen metallisch auszukleiden. Da­ her sind die bekannten Verfahren zeitaufwendig und mit ent­ sprechend hohen Investitionskosten zur Bereitstellung der not­ wendigen Herstellungseinrichtungen verbunden. Dies wirkt ins­ besondere einer weiteren Entwicklung der Multi-Layer-Technik entgegen.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren vorzuschlagen, das eine kostengünstige Herstel­ lung von Durchkontaktierungen bei einem Substrat ermöglicht. Des weiteren liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen Chipträger bzw. eine Chipträgeranordnung unter Verwendung ei­ nes Substrats bereitzustellen, das mit geringem Aufwand her­ stellbare Durchkontaktierungen aufweist.

Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 bzw. einem Chipträger und eine Chipträgeran­ ordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 10 bzw. 11 gelöst.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird zur Herstellung der Durchkontaktierung die verformbare Metallisierungslage bei gleichzeitiger Verdrängung des Substrats im Bereich der Durch­ kontaktierungsstelle gegen die gegenüberliegende Metallisie­ rungslage gedrängt, wobei unter Einwirkung von Druck und Tem­ peratur eine Verbindung von Kontaktbereichen der Metallisie­ rungslagen im Bereich der Durchkontaktierungsstelle erfolgt.

Im Gegensatz zu den vorstehend erwähnten bekannten Verfahren zur Herstellung einer Durchkontaktierung, bei denen in zwei aufeinanderfolgenden Arbeitsschritten zunächst eine Durch­ gangsverbindung in das Substrat eingebracht und in einem nach­ folgenden Arbeitsschritt eine metallische Auskleidung zur Her­ stellung einer elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen auf gegenüberliegenden Oberflächen des Substrats angeordneten Me­ tallisierungen hergestellt werden muß, wird bei dem erfin­ dungsgemäßen Verfahren sowohl die Durchgangsverbindung zwi­ schen den Oberflächen des Substrats als auch deren metallische Auskleidung gleichzeitig in einem einzigen Arbeitsschritt er­ zeugt. Hierdurch läßt sich eine Durchkontaktierung entspre­ chend dem erfindungsgemäßen Verfahren in wesentlich kürzerer Zeit herstellen als bei den bekannten Verfahren.

Darüber hinaus werden bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die metallischen Auskleidungen der Durchgangsverbindungen im Sub­ strat durch einen an sich einfach durchführbaren Verformungs­ vorgang mindestens einer Metallisierungslage ausgebildet. Dem­ gegenüber ist der verfahrenstechnische Aufwand bei Herstellung der metallischen Auskleidungen durch galvanische oder chemi­ sche Abscheidungstechniken beträchtlich.

Besonders einfach und kostengünstig wird die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, wenn zur Verformung der Metallisierungslage ein stempelartiges Formwerkzeug verwendet wird.

Wenn das stempelartige Formwerkzeug mit Wärme und/oder Ultra­ schall beaufschlagt wird, kann unmittelbar über das Formwerk­ zeug selbst die zur Herstellung der elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen den Metallisierungslagen notwendige Ener­ gie eingebracht werden. Dabei kann die Beaufschlagung mit Wärme und/oder Ultraschall nicht nur zur Herstellung der eigentlichen Verbindung der Metallisierungslagen, sondern auch bereits zuvor unterstützend bei der Verformung einer Metallisierungslage eingesetzt werden.

Eine weitere Möglichkeit des Energieeintrags in die Durchkon­ taktierungsstelle besteht darin, das stempelartige Formwerk­ zeug zur Übertragung von Laserenergie an die Durchkontaktierungsstelle zu verwenden. Hierzu bietet sich insbesondere eine Ausbildung des stempelartigen Formwerkzeugs als Lichtleitfaser zumindest in einem Kernbereich an.

Wenn das stempelartige Formwerkzeug zur Übertragung von elek­ trischem Strom an die Durchkontaktierungsstelle verwendet wird, kann die Verbindung zwischen den Kontaktbereichen der Metallisierungslagen auch als Widerstandsschweißung ausgeführt werden.

Wenn beide im Bereich der Durchkontaktierungsstelle gegenüber­ liegend angeordneten Metallisierungslagen verformbar ausgebil­ det sind und zur Herstellung der Durchkontaktierung beide Me­ tallisierungslagen unter Verdrängung des zwischenliegend ange­ ordneten Substrats gegeneinander gedrängt werden, werden auf beiden Seiten der Durchkontaktierungsstelle muldenförmige Ver­ tiefungen gebildet, die vorteilhaft zur Aufnahme eines Lotde­ potauftrags dienen können, ohne daß damit eine Querschnitts­ verdickung des Substrats im Bereich der Durchkontaktierungs­ stelle verbunden wäre. Eine derartige beidseitige Verformung der Metallisierungslagen kann durch zwei beidseitig auf die Durchkontaktierungsstelle einwirkende stempelartige Formwerk­ zeuge bewirkt werden.

Bei Anwendung des Verfahrens zur Herstellung eines Chipträgers mit einer Chipkontaktseite zur Verbindung mit einem Chip, ei­ ner Gegenseite mit einer Anschlußflächenanordnung und minde­ stens einer erfindungsgemäß hergestellten Durchkontaktierung zwischen der Chipkontaktseite und der Anschlußflächenanordnung erweist es sich als vorteilhaft, wenn zur Ausbildung diskreter Anschlußflächen der Anschlußflächenanordnung nach Herstellung der Durchkontaktierung auf der Gegenseite ein Abtrag der Metallisierungslage zwischen den Durchkontaktierungsstellen erfolgt.

Hierdurch kann, ausgehend von einer in sich geschlossen aus­ gebildeten Metallisierungslage auf der Gegenseite des Chipträ­ gers nach Herstellung der Durchkontaktierungen die Ausbildung einer Anschlußflächenanordnung aus einzelnen, diskreten Anschlußflächen, beispielsweise auf an sich bekanntem fotolithographischem Wege erfolgen. Übereinstimmend mit der Strukturierung von Anschlußflächen auf der Gegenseite kann auch auf der Chipkontaktseite nach Herstellung der Durchkon­ taktierungen eine Strukturierung von Leiterbahnen auf fotoli­ thographischem Wege oder nach einem anderen Verfahren erfol­ gen. Die Strukturierung der Metallisierungslagen auf der Ge­ genseite und der Chipkontaktseite nach Herstellung der Durch­ kontaktierungen weist den besonderen Vorteil auf, daß bei der Verformung mindestens einer Metallisierungslage zur Her­ stellung der Durchkontaktierungen die relativ große Verfor­ mungskapazität der anfangs geschlossenen, im Vergleich zu den Anschlußflächen großflächigen Metallisierungslage genutzt wer­ den kann.

Wenn zur Ausbildung erhöhter Kontaktmetallisierungen die auf der Gegenseite angeordneten Anschlußflächen mit einem Lotde­ potauftrag versehen werden, kann auf besonders einfache Art und Weise, insbesondere durch Ausnutzung der positionierenden Wirkung der im Bereich der Durchkontaktierungsstellen durch Verformung der Metallisierungslage gebildeten muldenförmigen Vertiefungen eine unter der Bezeichnung "Ball-Grid-Array" be­ kannte Anschlußflächenanordnung zur Kontaktierung des Chipträ­ gers mit weiteren Bauelementen auf seiner Gegenseite erzeugt werden.

Eine alternative Vorgehensweise zur Erzeugung eines Ball-Grid- Array besteht darin, den vorstehend beschriebenen Abtrag der Metallisierungslage zwischen den Durchkontaktierungsstellen erst nach dem Lotdepotauftrag auf die Durchkontaktierungen durchzuführen.

Erfindungsgemäß weist ein Chipträger mit einem verformbaren Substrat, das mit geringem Aufwand herstellbare Durch­ kontaktierungen aufweist, die Merkmale des Anspruchs 10 auf.

Bei dem erfindungsgemäßen Chipträger besteht eine Durchkontak­ tierung aus einem unter Verdrängung eines Substratbereichs einwärts verformten Bereich der Metallisierungslage auf der Chipkontaktseite oder der Gegenseite, die mit einer gegenüber­ liegenden Metallisierungslage auf der Gegenseite bzw. der Chipkontaktseite verbunden ist.

Die erfindungsgemäße Chipträgeranordnung weist die Merkmale des Anspruchs 11 auf.

Bei dieser Chipträgeranordnung sind zur Verbindung der Me­ tallisierungslagen mit den Anschlußflächen des Chips Durchkon­ taktierungen mit einem unter Verdrängung eines Substratbe­ reichs einwärts verformten Bereich der Metallisierungslagen vorgesehen. Dabei können die verformten Bereiche der Metalli­ sierungslagen je nach Materialbeschaffenheit unmittelbar mit den Anschlußflächen des Chips oder über zuvor als Verbindungs­ medium auf die Anschlußflächen des Chips aufgebrachte Kontakt­ metallisierungen, die verbindungskompatibel mit dem Material der Metallisierungslagen sind, mit den Chip-Anschlußflächen verbunden sein.

Bevorzugte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens sowie Ausführungsbeispiele für einen durch Anwendung des Ver­ fahrens hergestellten Chipträger bzw. eine Chipträgeranordnung werden unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen nach­ folgend näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 die Herstellung einer Durchkontaktierung mit ei­ nem Formwerkzeug;

Fig. 2 die Herstellung einer Durchkontaktierung mit beidseitig wirkenden Formwerkzeugen in einer Anfangs­ phase;

Fig. 3 die Herstellung einer Durchkontaktierung mit beidseitig wirkenden Formwerkzeugen in einer Endphase;

Fig. 4 einen Chipträger mit einer als Ball-Grid-Array bezeichneten Anschlußflächenanordnung;

Fig. 5 eine vergrößerte Teildarstellung des in Fig. 4 gezeigten Chipträgers;

Fig. 6 ein Zwischenstadium bei der Herstellung des in Fig. 4 dargestellten Chipträgers;

Fig. 7 eine Chipträgeranordnung;

Fig. 8 eine Variante der in Fig. 7 dargestellten Chip­ trägeranordnung.

Fig. 1 zeigt eine mögliche Verfahrensweise zur Herstellung ei­ ner Durchkontaktierung 10, bei der ein Substrat 11 mit einer hier als Polyimid-Folie ausgebildeten flexiblen Trägerschicht 12, die beidseitig mit Metallisierungslagen 13, 14 versehen ist, mit einem stempelförmigen Formwerkzeug 15 beaufschlagt wird.

Die Metallisierungslagen 13, 14 bestehen bei dem hier darge­ stellten Ausführungsbeispiel aus Kupfer-Folien, die auf hier nicht näher dargestellte Art und Weise mit der Trägerschicht 12 verklebt sind. Die Kupferfolien weisen bei diesem Ausfüh­ rungsbeispiel eine Stärke von etwa 18 µm auf. Die Träger­ schicht ist etwa 25 µm stark.

Zur Herstellung der Durchkontaktierung 10, die aus miteinander verbundenen Kontaktbereichen 16, 17 der Metallisierungslagen 13, 14 besteht, wird das hier nadelförmig ausgebildete, in seiner Stempelfläche 18 einen Durchmesser von etwa 80 µm auf­ weisende Formwerkzeug 15, ausgehend von einer hier nicht näher dargestellten Ausgangslage, in der sich die Stempelfläche 18 oberhalb der oberen Metallisierungslage 13 befindet, in Rich­ tung des Pfeils 19 nach unten bewegt. Dabei erfolgt nach dem Kontakt der Stempelfläche 18 mit der oberen Metallisierungs­ lage 13 ein unter dem Begriff "Tiefziehen" aus der Blechverar­ beitung bekannter plastischer Verformungsvorgang im Kontaktbe­ reich mit der Stempelfläche 18.

Gleichzeitig mit der plastischen Verformung der Metallisie­ rungslage 13 erfolgt eine, bezogen auf eine Mittelachse 20 des Formwerkzeugs 15 nach außen gerichtete, radiale Verdrängung der Trägerschicht 12 im Bereich der Durchkontaktierung 10. Je nach Beschaffenheit der Trägerschicht 12 kann sich diese Ver­ drängung in einer hier nicht näher dargestellten kraterrandar­ tigen Aufwerfung der Trägerschicht 12 um die Durchkontaktie­ rung 10 herum äußern.

Bei der in Fig. 1 dargestellten Herstellung der Durchkontak­ tierung 10 stützt sich das Substrat 11 über die untere Metal­ lisierungslage 14 an einem Gegenhalter 21 ab, so daß die Ober­ fläche der Metallisierungslage 14 im wesentlichen unverformt und eben bleibt.

Bei der in Fig. 1 dargestellten Verfahrensweise wird durch das Formwerkzeug 15 sowohl Druck als auch Wärme auf das Substrat 11 zur Erzeugung der Durchkontaktierung 10 übertragen. Dabei dienen Druck und Wärme sowohl zur plastischen Verformung der oberen Metallisierungslage 13 als auch zur Verbindung des Kon­ taktbereichs 16 der oberen Metallisierungslage 13 mit dem Kon­ taktbereich 17 der unteren Metallisierungslage 14. So kann zwischen den Kontaktbereichen 16, 17 eine Verschweißung zur Ausbildung der Durchkontaktierung 10 erfolgen.

Durch die Wärmebeaufschlagung der oberen Metallisierungslage 13 während des Verformens wird verhindert, daß die durch den Verformungsvorgang in der Metallisierungslage 13 wirkenden Zugspannungen so weit nach außen übertragen werden, daß sie zu Verwerfungen in der Oberfläche der Metallisierungslage 13 oder auch zu Ablösungen der Metallisierungslage 13 von der Träger­ schicht 12 führen.

Bei den in Fig. 1 dargestellten Metallisierungslagen 13, 14 kann es sich um strukturierte Leiterbahnen oder um im wesent­ lichen großflächige, möglicherweise nachfolgend zu strukturie­ rende, leitende Beschichtungen der Trägerschicht 12 handeln.

In den Fig. 2 und 3 ist in aufeinanderfolgenden Verfahrens­ schritten eine Verfahrensweise zur Herstellung einer Durchkon­ taktierung 22 dargestellt, bei der von beiden Seiten des Sub­ strats 11 zwei Formwerkzeuge 15, 23 zum Einsatz kommen. Dabei übernimmt das untere Formwerkzeug 23 die Funktion des in Fig. 1 dargestellten Gegenhalters 21. Darüber hinaus dient, wie insbesondere aus Fig. 3 zu ersehen ist, die beidseitige Beauf­ schlagung des Substrats 11 mit den Formwerkzeugen 15, 23 zur Ausbildung der Durchkontaktierung 22 in einer Symmetrieebene 24 des Substrats 11.

Ausgehend von einer in Fig. 2 dargestellten Kontaktlage, in der beide Formwerkzeuge 15, 23 mit ihren Stempelflächen 18 an der oberen Metallisierungslage 13 bzw. der unteren Metallisie­ rungslage 14 anliegen, erfolgt, wie in Fig. 3 dargestellt, eine bereichsweise Verformung der Metallisierungslagen 13, 14 bis die Kontaktbereiche 16, 17 in der Symmetrieebene 24 des Substrats 11 aneinander anliegen und unter weiterer Einwirkung von Druck und Temperatur miteinander verschweißt werden kön­ nen. Um die Ausbildung der Durchkontaktierung 22 in der Symme­ trieebene 24 des Substrats 11 auch unabhängig von idealen Be­ dingungen, also gleichhohe Druckbeaufschlagung des Substrats 11 von beiden Seiten durch die Formwerkzeuge 15 und 23 sowie übereinstimmende Materialeigenschaften der Materiallagen 13, 14 zu erzielen, können beidseitig des Substrats 11 Gegenhalter 25, 26 vorgesehen sein, die das Substrat 11 relativ zu den Stempelwerkzeugen 15, 23 fixieren. Diese Gegenhalter 22, 23 können beispielsweise aus hier nicht näher dargestellten, die Stempelwerkzeuge 15, 23 konzentrisch umgebenden Stützhülsen bestehen.

Bezüglich der Verformungsvorgänge der Metallisierungslagen 13, 14 und der Trägerschicht 12 wird auf die vorstehenden Erläute­ rungen zu Fig. 1 verwiesen.

Die in den Fig. 1 und 3 beispielhaft dargestellten, mit Durch­ kontaktierungen 10 bzw. 22 versehenen Substrate 11 können, wie in den Fig. 4 und 5 dargestellt, als Chipträger 27 verwendet werden, der in dem in den Fig. 4 und 5 dargestellten Fall mit einer unter der Bezeichnung Ball-Grid-Array bekannten An­ schlußflächenanordnung 28 auf einer einer Chipkontaktseite 44 gegenüberliegenden Gegenseite 45 versehen ist.

Fig. 6 zeigt in einer vergrößerten Ausschnittdarstellung den in Fig. 4 dargestellten Chipträger 27 in einem Herstellungs- Zwischenstadium vor Aufbringung von in Fig. 4 dargestellten Lotdepotaufträgen 29 zur Ausbildung eines Ball-Grid-Array.

In seiner Ausgangsform besteht der in Fig. 6 dargestellte Chipträger 27 aus einem mit einer Mehrzahl von Durchkontaktie­ rungen 10 oder 22 versehenen Substrat 11, das, wie in Fig. 1 bzw. 3 dargestellt, beidseitig großflächige Metallisierungsla­ gen 13, 14 aufweist. Um ausgehend von etwa flächendeckend auf der Trägerschicht 12 des Substrats 11 angeordneten Metallisie­ rungslagen 13, 14 zu der in Fig. 6 dargestellten Leiterbahn­ strukturierung auf beiden Seiten der Trägerschicht 12 zu ge­ langen, wird das Substrat 11 auf an sich bekannte Art und Weise fotolithographisch behandelt, derart, daß von den Metal­ lisierungslagen 13, 14 Anschlußflächen 30 auf der Oberseite der Trägerschicht 12 und strukturierte Leiterbahnen 31 auf der Unterseite der Trägerschicht 12 zurückbleiben. Dabei sind dann jeweils aneinander zugeordnet die Anschlußflächen 30 und die Leiterbahnen 31 über die Durchkontaktierungen 10 oder 22 elek­ trisch leitend miteinander verbunden. Nach Aufbringen des vor­ zugsweise kugelförmigen Lotdepotauftrags 29 auf die einzelnen Anschlußflächen 30 und anschließendem Umschmelzvorgang erhält man den in Fig. 4 dargestellten Chipträger 27, der hier in seiner Anordnung auf einem Chip 32 gezeigt ist.

Die Darstellung in Fig. 5 verdeutlicht, wie durch den Chipträ­ ger 27, der über seine Leiterbahnen 31 mit Anschlußflächen 33 verbunden ist, ausgehend von den sehr dicht angeordneten An­ schlußflächen 33 des Chips 32 durch die Anschluß­ flächenanordnung 28 eine in ihrer Auflösung wesentlich vergrö­ ßerte Anschlußflächenverteilung erreicht wird, die ein Kontak­ tieren des Chips 32 mit weiteren Bauelementen über die Lotdepotaufträge 29 wesentlich vereinfacht.

Ein zwischen der Oberfläche des Chips 32 und den Leiterbahnen 31 bzw. der Trägerschicht 12 des Substrats 11 verbleibender Freiraum 43 kann durch eine beispielsweise aus einer Kleber­ masse gebildete Unterfüllung verfüllt werden.

Fig. 7 zeigt eine Chipträgeranordnung 34 mit einem aus einer Trägerfolie 35 gebildeten Substrat, die oberseitig mit als An­ schlußflächen ausgebildeten Metallisierungslagen 36 versehen ist. Die Metallisierungslagen 36 sind über Durchkon­ taktierungen 37 unmittelbar mit weiteren Anschlußflächen 39 bildenden Metallisierungslagen eines Chips 40 verbunden.

Zur Herstellung der Durchkontaktierungen 37 wird, wie vorste­ hend bereits unter Bezugnahme auf die Fig. 1 erläutert, ein Formwerkzeug 15 auf die im Ausgangszustand eben ausgebildeten Metallisierungslagen 36 aufgesetzt, um diese durch Verformung und bei gleichzeitiger Verdrängung der im Ausgangszustand ge­ schlossen ausgebildeten Trägerfolie 35 mit den Anschlußflächen 39 des Chips 40 zu verbinden.

Fig. 8 zeigt in einer Variante eine Chipträgeranordnung 41, bei der im Bereich von Durchkontaktierungen 38 die Metallisie­ rungslagen 36 nicht unmittelbar mit den Anschlußflächen 39 des Chips 40, sondern über erhöhte Kontaktmetallisierungen 42 mit den Anschlußflächen 39 verbunden sind. Zum einen ermöglichen die erhöhten Kontaktmetallisierungen 42 bei geeigneter Materi­ alzusammensetzung eine Verbindung zwischen ansonsten nicht verbindungskompatiblen Materialien der Metallisierungslagen 36 und der Anschlußflächen 39 des Chips 40. Zum anderen verrin­ gern sie aufgrund ihrer Höhe h den durch die Verformung der Metallisierungen 36 zu überbrückenden Kontaktabstand d zwi­ schen der Oberfläche der Trägerfolie 35 und den An­ schlußflächen 39 des Chips.

Die in den Fig. 7 und 8 dargestellten Durchkontaktierungen 37, 38 können nicht nur zur elektrisch leitfähigen Verbindung zwi­ schen den Metallisierungslagen 36 und den Anschlußflächen 39 des Chips 40 dienen, sondern gleichzeitig auch zur Verbindung der Trägerfolie 35 mit dem Chip 40 genutzt werden, derart, daß die Trägerfolie zwischen den Metallisierungslagen 36 und der Oberfläche des Chips 40 gehalten wird.

Die in den Fig. 7 und 8 dargestellten Chipträgeranordnungen 34 und 41 eignen sich in besonderer Weise zur Verwendung bei der Herstellung von hier nicht näher dargestellten Chipkarten, bei denen sich der Chip 40 zwischen Laminatschichten angeordnet befindet, wobei die in den Fig. 7 und 8 dargestellte Trägerfo­ lie 35 gleichzeitig eine Decklaminatschicht bildet.

Claims (11)

1. Verfahren zur Herstellung einer Durchkontaktierung bei einem verformbaren Substrat, an dem zumindest im Bereich einer Durchkontaktierungsstelle beidseitig Metallisierungslagen angeordnet sind, wobei zumindest eine Metallisierungslage verformbar ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung der Durchkontaktierung (10, 22, 37, 38) die verformbare Metallisierungslage (13, 14, 36) bei gleichzeitiger Verdrängung des Substrats (11, 35) im Be­ reich der Durchkontaktierungsstelle gegen die gegenüber­ liegende Metallisierungslage (13, 14, 39) gedrängt wird und unter Einwirkung von Druck und Temperatur eine Ver­ bindung von Kontaktbereichen (16, 17) der Me­ tallisierungslagen (13, 14, 36, 39) im Bereich der Durchkontaktierungsstelle erfolgt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verformung der Metallisierungslage (13, 14; 36) ein stempelartiges Formwerkzeug (15) verwendet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das stempelartige Formwerkzeug (15) mit Wärme und/oder Ultraschall beaufschlagt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das stempelartige Formwerkzeug (15) zur Übertragung von Laserenergie an die Durchkontaktierungsstelle dient.

5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das stempelartige Formwerkzeug (15) zur Übertragung von elektrischem Strom an die Durchkontaktierungsstelle dient.

6. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß beide zumindest im Bereich der Durchkontaktierungs­ stelle gegenüberliegend angeordnete Metallisierungslagen (13, 14) verformbar ausgebildet sind und zur Herstellung der Durchkontaktierung (22) beide Metallisierungslagen (13, 14) unter Verdrängung des Substrats (11) gegeneinan­ der gedrängt werden.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verformung der Metallisierungslagen (13, 14) zwei beidseitig auf die Durchkontaktierungsstelle einwirkende stempelartige Formwerkzeuge (15, 23) verwendet werden.

8. Verfahren zur Herstellung eines Chipträgers mit einer Chip­ kontaktseite zur Verbindung mit einem Chip, einer Gegen­ seite mit einer Anschlußflächenanordnung und mindestens einer nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprü­ che hergestellten Durchkontaktierung zwischen der Chip­ kontaktseite und der Anschlußflächenanordnung, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ausbildung diskreter Anschlußflächen (30) der An­ schlußflächenanordnung (28) nach Herstellung der Durch­ kontaktierung (10, 22) auf der Gegenseite (45) ein Abtrag der Metallisierungslage (13) zwischen den Durchkontaktierungsstellen erfolgt.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ausbildung erhöhter Kontaktmetallisierungen die auf der Gegenseite (45) angeordneten Anschlußflächen (30) mit einem Lotdepotauftrag (29) versehen werden.

10. Chipträger mit einem verformbaren Substrat, das zur Ver­ bindung einer Leiterbahnstruktur auf einer Chipkontakt­ seite mit einer Anschlußflächenanordnung auf einer Gegen­ seite mit einer Durchkontaktierung versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchkontaktierung (10, 22) aus einem unter Verdrängung eines Substratbereichs einwärts verformten Bereich der Metallisierungslage (13) auf der Chipkontakt­ seite (44) oder der Gegenseite (45) gebildet ist, die mit einer gegenüberliegenden Metallisierungslage (14) auf der Gegenseite bzw. der Chipkontaktseite verbunden ist.

11. Chipträgeranordnung mit einem verformbaren Substrat, das mit einer einem Chip zugewandten Vorderseite auf einer mit Anschlußflächen versehenen Oberseite eines Chips an­ geordnet ist und im Bereich der Anschlußflächen auf der Gegenseite Metallisierungslagen aufweist, die mit den An­ schlußflächen des Chips verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung der Metallisierungslagen (36) mit den Anschlußflächen (39) durch Durchkontaktierungen (37, 38) aus einem unter Verdrängung eines Substratbereichs ein­ wärts verformten Bereich der Metallisierungslagen (36) gebildet ist.