DE07017349T1 - Epitaxialer Wafer und Herstellungsverfahren dafür - Google Patents

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Sakai Masato
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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers, umfassend:
Durchführung epitaktischen Wachstums von Silicium auf einer Hauptoberfläche eines Wafers, hergestellt aus einem Siliciumeinkristall;
Durchführen einer Vorbehandlung zur Oberflächenglättung einer Hauptoberfläche des Wafers unter Verwendung einer Behandlungsflüssigkeit aus einer vorbestimmten Zusammensetzung bei einer Temperatur von 100°C oder weniger, wobei dadurch ein Oxidfilm vorbestimmter Dicke gebildet wird, während die auf der Hauptoberfläche des Wafers adhärierten Partikel entfernt werden; und
Durchführen eines Oberflächenpolierschritts, wobei die Hauptoberfläche des Wafers spiegelpoliert wird.

Claims (11)

  1. Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers, umfassend: Durchführung epitaktischen Wachstums von Silicium auf einer Hauptoberfläche eines Wafers, hergestellt aus einem Siliciumeinkristall; Durchführen einer Vorbehandlung zur Oberflächenglättung einer Hauptoberfläche des Wafers unter Verwendung einer Behandlungsflüssigkeit aus einer vorbestimmten Zusammensetzung bei einer Temperatur von 100°C oder weniger, wobei dadurch ein Oxidfilm vorbestimmter Dicke gebildet wird, während die auf der Hauptoberfläche des Wafers adhärierten Partikel entfernt werden; und Durchführen eines Oberflächenpolierschritts, wobei die Hauptoberfläche des Wafers spiegelpoliert wird.
  2. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumwafers gemäß Anspruch 1, wobei die vorbestimmte Dicke des Oxidfilms in einem Bereich von 5 bis 30 Å liegt.
  3. Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers gemäß Anspruch 1, wobei die Behandlungsflüssigkeit aus einer vorbestimmten Zusammensetzung eine Flüssigkeit ist, die ein Oxidationsmittel enthält.
  4. Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers gemäß Anspruch 3, wobei das Oxidationsmittel Ozon ist und/oder eine wässrige Lösung von Wasserstoffperoxid.
  5. Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 4, des Weiteren umfassend Durchführung einer Entfernung eines natürlichen Oxidfilms des Wafers vor der Vorbehandlung zur Oberflächenglättung.
  6. Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Wafer, hergestellt aus einem Siliciumeinkristall, ein zweiseitig polierter {110}-Wafer ist.
  7. Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 6, wobei nur die Hauptoberfläche oder sowohl die Hauptoberfläche und eine Rückoberfläche des Wafers im Oberflächenpolierschritt spiegelpoliert werden.
  8. Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 7, des Weiteren umfassend einen Kantenpolierschritt vor dem Oberflächenpolierschritt zum Spiegelpolieren einer Oberfläche eines Kantenteils des Wafers.
  9. Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers gemäß Anspruch 8, wobei die Vorbehandlung zur Oberflächenglättung bei mindestens einer Stufe durchgeführt wird, ausgewählt aus einer Stufe zwischen dem epitaktischen Wachstum und dem Kantenpolieren und einer Stufe zwischen dem Kantenpolierschritt und dem Oberflächenpolierschritt.
  10. Epitaktischer Wafer, hergestellt durch das Verfahren gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 4, wobei die geringste bestimmte Größe von LPD, detektiert auf der Hauptoberfläche des epitaktischen Wafers, 100 nm oder weniger beträgt.
  11. Epitaktischer Wafer, hergestellt durch das Verfahren gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 4, wobei die bestimmte Größe von LPD, vorliegend auf der Hauptoberfläche des epitaktischen Wafers, 100 nm oder weniger beträgt.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112013002901B4 (de) 2012-06-12 2024-05-02 Sumco Techxiv Corporation Herstellungsverfahren für Halbleiterwafer

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5479390B2 (ja) 2011-03-07 2014-04-23 信越半導体株式会社 シリコンウェーハの製造方法
KR101235419B1 (ko) * 2011-05-26 2013-02-20 주식회사 엘지실트론 에피택셜 웨이퍼의 표면 처리방법
CN104576350B (zh) * 2013-10-23 2018-06-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆减薄方法
JP6157381B2 (ja) * 2014-03-04 2017-07-05 信越半導体株式会社 エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ
JP6380582B1 (ja) * 2017-03-08 2018-08-29 株式会社Sumco エピタキシャルウェーハの裏面検査方法、エピタキシャルウェーハ裏面検査装置、エピタキシャル成長装置のリフトピン管理方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0817163B2 (ja) * 1990-04-12 1996-02-21 株式会社東芝 エピタキシャルウェーハの製造方法
US5837662A (en) * 1997-12-12 1998-11-17 Memc Electronic Materials, Inc. Post-lapping cleaning process for silicon wafers
JP3319397B2 (ja) * 1998-07-07 2002-08-26 信越半導体株式会社 半導体製造装置およびこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2000077372A (ja) * 1998-08-31 2000-03-14 Sumitomo Metal Ind Ltd 気相成長用半導体ウェーハの製造方法
JP3888416B2 (ja) * 2000-03-09 2007-03-07 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ
JP2006100799A (ja) * 2004-09-06 2006-04-13 Sumco Corp シリコンウェーハの製造方法
CN1779909A (zh) * 2004-11-25 2006-05-31 中国科学院半导体研究所 制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法
JP5023900B2 (ja) * 2006-09-05 2012-09-12 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルシリコンウェーハ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112013002901B4 (de) 2012-06-12 2024-05-02 Sumco Techxiv Corporation Herstellungsverfahren für Halbleiterwafer

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