CZ20001915A3

CZ20001915A3 - Tenkovrstvý kondenzátor a způsob jeho výroby

Info

Publication number: CZ20001915A3
Application number: CZ20001915A
Authority: CZ
Inventors: Gennady Retseptor
Original assignee: Avx Corporation
Priority date: 1997-11-24
Filing date: 1998-11-23
Publication date: 2001-08-15
Also published as: CN1283138A; KR20010032411A; US6144547A; WO1999026731A1; AU1468399A; CN1203926C; JP2001523898A; EP1042079A4; CN100378878C; EP1042079A1; CN1538467A

Description

(57) Anotace:

Tenkovrstvý kondenzátor (10), upravený k povrchové montáži na desku (12), mající extrémně malé rozměry na délku, šířku i výšku, například s rozměrem 0402 a menším.Kondenzátor (10) na těle (14) zakončení (16, 18) ve tvaru písmene L, která vytvářejí spodní kontaktní plochy (28, 30) pro montáž na desku (12) s plošnými spoji, dále horní kontaktní plochy (32, 24) zanedbatelné velikosti pro vytvoření velké šířky mezery mezi zakončeními přes horní povrch těla (14). V některých provedeních horní povrch může obsahovat orientační značku. Způsob vytvoření zakončení kondenzátoru (10) zahrnující vytvoření plátku (70) a jeho montáž na nosič (72), řezání řady paralelních kanálků (78) v prvním směru v místech aplikace zakončení (16, 18), aplikaci materiálu zakončení (16, 18) a vytvoření řady řezů ve druhém směru kolmém k prvnímu směru.

• · ♦· ·· ·· ·· • · · · · · · ♦ · · · • · » · · t · · · · · • ···· · · · ··· · · · · · • · · · ··<»·· ··· 9 99 99 99 99

Tenkovrstvý kondenzátor a způsob jeho výroby

Oblast techniky

Předkládaný vynález se týká obecně malých elektronických součástek, upravených k povrchové montáži na 5 větší obvodové desce. Vynález se přitom zejména týká kondenzátorového zařízení montovaného na povrch pro použití v množství aplikací.

Dosavadní stav techniky

Podle průmyslové praxe je rozměr povrchově montované součástky obecně vyjadřován jako číslo XXYY, kde XX a YY je délkou respektive šířkou v setinách palce (palec je přibližně

2,54 cm). V důsledku tlaku obecných miniaturizačních trendů v elektronických zařízeních bylo během let vyvinuto značné 15 úsilí pro vytvoření povrchově montovaných součástek s co nejmenšími rozměry. Například trh v současnosti nabízí povrchově montované RF/mikrovlnné kondenzátory (RF vysokofrekvenční) s rozměry o velikosti 0402.

2Q Bez ohledu na miniaturizaci, ke které j.iž došlo, existuje stále potřeba vytvářet zařízení dokonce ještě menší. Například by bylo žádoucí vytvářet kondenzátory rozměrů 0402, které mají menší výšku než kondenzátory v současnosti dostupné na trhu. Navíc by byly rovněž velmi žádoucí

RF/mikrovlnné kondenzátory menších rozměrů šířka-délka.

Podstata vynálezu

Předkládaný vynález uvažuje různé nevýhody konstrukcí podle dosavadního stavu techniky a způsobů jejich výroby.

Cílem předkládaného vynálezu je tudíž vytvořit nové povrchově montované součástky.

«••ft · • · • ft ft · • · ft · • ftft ftftft ftft • ft ftft ftft ♦ • · · • · 9 • ftft · • ft ftft

Speciálním cílem předkládaného vynálezu je vytvořit velmi malá, povrchově montovaná kondenzátorová zařízení.

Dalším důležitým cílem předkládaného vynálezu je vytvořit velmi malá, povrchově montovaná kondenzátorová zařízení mající zlepšenou cerminační strukturu.

Ještě dalším cílem předkládaného vynálezu je navrhnout nové techniky pro výrobu povrchově montovaných elektronických součástek.

Některé ze shora uvedených cílů jsou dosaženy prostřednictvím povrchově montovaného kondenzátorového zařízení zahrnujícího tělo zařízení, mající na sobě umístěné zakončení v podstatě ve tvaru písmene L. Tělo zařízení obsahuje izolační substrát, jako je hlazený oxid hlinitý, mající horní povrch a spodní povrch. První vodivý obrazec ve formě první desky kondenzátoru je definován nad horním povrchem substrátu. Dielektrická vrstva je umístěna vršku tohoto vodivého obrazce. Druhý vodivý obrazec, definující druhou desku kondenzátoru v zákrytu s první deskou kondenzátoru, je umístěn na této dielektrické vrstvě. Nad druhou deskou kondenzátoru je umístěna krycí vrstva, která je k této desce utěsněna.

Další cíle předkládaného vynálezu jsou dosaženy prostřednictvím zlepšeného způsobu ukončení množství povrchově montovaných součástek, jako jsou kondenzátory. Je vytvořen plátek, ze kterého může být vyrobeno množství součástek prostřednictvím dělení ve vzájemně kolmých směrech. Plátek je namontován na nosiči prostřednictvím jakékoliv vhodné techniky, jako například prostřednictvím vhodného lepidla. Řady paralelních kanálků jsou vyříznuty skrz plátek • · ·· ·· ·· ·* 99 9 9 9 9 9 9 9 9 9

9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 • ···· · · 9 999 99 99 9

9 9 9 9 9 9 9 9

999 9 99 99 99 99 v prvním směru v místech, kde budou aplikována zakončení. Potom jsou aplikována zakončení, načež je provedena další řada řezů skrz plátek v druhém směru, kolmém vzhledem k prvnímu směru. Jednotlivá součástková zařízení jsou potom odebírána z nosiče.

Další cíle, znaky a aspekty předkládaného vynálezu jsou zajištěny prostřednictvím různých kombinací a podkombinací popisovaných prvků a rovněž postupů pro jejich výrobu, jak je podrobněji diskutováno níže.

V následujícím popisu je předkládaný vynález podrobněji popsán prostřednictvím příkladných a nej výhodnějších provedení ve spojení s odkazy na připojené výkresy tak, aby osoba s průměrnými znalostmi v oboru byla schopná vynález realizovat.

Přehled obrázků na výkresech

Obr.l znázorňuje perspektivní pohled na povrchově montované kondenzátorové zařízení podle předkládaného vynálezu, jak je namontováno na desce s plošnými spoji;

Obr. 2 znázorňuje zvětšený perspektivní pohled na povrchově montované kondenzátorové zařízení podle obr. 1;

Obr. 3 znázorňuje pohled v řezu vedeném rovinou 3-3 na obr. 2;

Obr. 4 znázorňuje pohled v řezu, podobný pohledu na obr. 3, na kondenzátorové zařízení podle dosavadního stavu techniky;

• · 44 44 44 44 • 44 · 4 4 4 4444

444 4444 4444

4444 44 4 444 44 44 4

4 44 4 4444

444 4 44 44 44 44

Obr.5A až obr. 5D schematicky znázorňují různé kroky zakončování množství povrchově montovaných součástkových zařízení podle předkládaného vynálezu; a

Obr.6 znázorňuje zvětšený pohled v půdorysu na část stínící masky pro použití -při zakončování množství povrchově montovaných součástkových zařízení podle předkládaného vynálezu.

Příklady provedení vynálezu

Opakované použití vztahových značek v předkládaném popisu a na výkresech je určeno pro označení stejných nebo analogických znaků nebo prvků předkládaného vynálezu.

Osobám v oboru znalým by mělo být zcela zřejmé, že předkládaná diskuse je popisem pouze příkladných provedení a není určena pro omezení širších aspektů předkládaného vynálezu, které jsou realizovány v těchto příkladných provedeních.

Předkládaný vynález vytváří povrchově montovaná součástková zařízení mající různé výhodné znaky ve srovnání s dosavadním stavem techniky. Například tenkovrstvá kondenzátorová zařízení mohou být vyráběna s menšími rozměry a s menší výškou, než bylo doposud možné. Navíc zařízení podle předkládaného vynálezu mohou vykazovat vysoce jednotné (rovnoměrné) rozměrové charakteristiky. Konstrukce zakončení ve tvaru písmene L, použitá v příkladných provedeních, omezuje zkratování, ke kterému by jinak mohlo docházet během procesu povrchové montáže.

• ·

4444 4

44 44 44

44 4 4 44 4

444444 44 4

4 44 4 4444

444 4 44 44 44 44

Ve spojení s odkazy na obr. 1 je znázorněn kondenzátor 10 tak, jak může vypadat, když je povrchově namontován na desku 12 s plošnými spoji. Kondenzátor 10 obsahuje tělo 14 zařízení, mající zakončení 16 a 18 aplikovaná na jeho opačných koncích. Zakončení 16 a 18 jsou upevněna k desce 12 v příslušných montážních ploškách, jako je ploška 20. Vodivé cesty, jako je cesta 22, mohou být definovány na horním povrchu desky 12 s plošnými spojí s použitím známých technik pro výrobu takových desek. Jak je znázorněno, vodivé cesty vycházejí od příslušných montážních plošek, aby tak zajišťovaly elektrické spojení s dalšími obvody.

Jak je znázorněno na obr. 2, bude tělo 14 zařízení často obdélníkové, definující delší délkový rozměr a kratší

-i c _v šířkový rozměr. Výhodně tělo 14 zařízení bude rovněž mít výškový rozměr menší, než je jeho šířka, jak může být patrné, zakončení 16 a 18 neprocházejí kolem bočních stran těla 14. zařízení.

Struktura zakončení a různé další aspekty kondenzátoru 10 mohou být nejsnáze vysvětleny ve spojení s odkazy na obr. 3. Jak je znázorněno, mají zakončení 16 a 18. příslušné hlavní plochy 24 a 26, umístěné na koncových čelech těla 14 zařízení. Když je nainstalován, spočívá kondenzátor na příslušných montážních (nebo spodních) plochách 2J3 a

30, které integrálně procházejí pod tělo 14 zařízení, jak je dobře patrné na obrázku. Horní plochy 32 a 34 jsou způsobeny tečením materiálu při pájení během výrobního procesu a obvykle nebudou mít šířku překračující 0,05 mm.

Jako takové, mohou být horní plochy obecně zanedbány.

· • Ml

0 0 • 000 ·· ·»

0 « « 9 0 9 · • 9 9 0 «

9 0 · 9 090* g 000 * 00 00 90 0«

Během výrobního procesu je kondenzátor 10 sestavován v orientaci obrácené, než je orientace, ve které je obvykle instalován. Tělo 14 zařízení tedy obsahuje tuhou základní vrstvu 36 z oxidu hlinitého nebo podobně. V takovýchto provedeních může být těsně u základní vrstvy 36 umístěna hlazená vrstva 38 pro vytvoření substrátového základu. První elektroda 40 je vytvořena v sousedství hlazené vrstvy 38.

Druhá elektroda 42 je vytvořena naproti první elektrodě 42 v sousedství vložené dielektrické vrstvy 44 . Jak může být patrné, první elektroda 40 prochází k zakončení 18 , zatímco druhá elektroda 42 prochází k zakončení 16. Na výslednou strukturu je aplikována krycí vrstva 4 6, výhodně vytvořená z oxidu hlinitého nebo podobného tuhého materiálu, prostřednictvím vrstvy 48 epoxidu nebo jiného vhodného lepidla.

Kromě různých vrstev, popisovaných výše, bude kondenzátor 10 výhodně obsahovat první pasivační vrstvu mezi hlazenou vrstvou 38 a první elektrodou 40 pro podporu jejich přilnutí. Druhá pasivační vrstva může být rovněž aplikována mezi druhou elektrodu 42 a vrstvu 48 lepidla. Výhodně může být pro vytvoření těchto pasivačních vrstev použit oxynitrid křemičitý nebo oxid křemičitý. Ve výhodném provedení mohou být elektrody 40 a 42 z hliníku a dielektrická vrstva 44 je tvořena oxidem křemičitým nebo oxynitridem křemičitým.

Obr. 4 ilustruje strukturu, která byla využívána při výrobě miniaturních kondenzátorových zařízení podle dosavadního stavu techniky. Jak může být patrné, obsahuje kondenzátor 50 tělo 52 kondenzátoru, které má na každém svém konci aplikováno zakončení 54 a 56 ve tvaru písmene U. Tělo 52 kondenzátoru obsahuje skleněný substrát 58, na kterém je • · 99 ·· 99 99

99» 9··· 99*9 «99 999« ·99*

9999 99 9 999 99 99 9

9 9 9 · 9 · 9 9

999 9 99 99 99 99 umístěna první elektroda 60 z hliníku. Druhá elektroda 62 z hliníku je umístěna přes vloženou dielektrickou vrstvu 64 z oxidu křemičitého nebo oxynítridu křemičitého. Pasívační vrstva z oxynítridu křemičitého (není znázorněna) může být potom aplikována přes druhou elektrodu 62. Nakonec je nanesena vrstva 66 epoxidu pro přidržení skleněného krytu 68.

Pro účely srovnání Tabulka I níže. ilustruje různé tloušťky vrstev v příkladném kondenzátoru rozměrů 0402 podle předkládaného vynálezu, jak je znázorněn na obr. 3, a θ kondenzátoru s rozměry 0603 podle dosavadního stavu techniky, jak je znázorněn na obr. 4.

Tabulka I

Obr. 3 - vynález	Obr. 4 - dosavadní stav
základní vrstva 36 plus hlazená vrstva 3.8: 0,3 mm	Skleněný substrát 58 : 0,4 mm
První pasivační vrstva: 0,3 pm	není použitelná
První elektroda 4.0: 2,5 pm	První elektroda 60.: 2,5 pm
Dielektrická vrstva 44: 0,9 - 3,0 pm	Dielektrická vrstva 64 : 0,9 - 3,0 pm
Druhá elektroda 42 : 3,0 pm	Druhá elektroda 62 : 3,0 pm
Druhá pasivační vrstva: 1,5 pm	Pasivační vrstva: 1,5 pm
Vrstva 48 lepidla: 2,0 - 10,0 pm	Vrstva 66 epoxidu: 5,0 - 2 0,0 pm
Krycí vrstva 4 6: 0,1 mm	Skleněný kryt 68 : 0,21 mm

φφφφ φφ ·» φ* φφ * φ · φ φφφφ • ΦΦΦ φ φ φ φ φ φ · φφφ φ φ «φ φ φ φφ φ φφφφ

Obvykle kondenzátorové zařízení podle předkládaného vynálezu bude jedním z mnoha, vyrobených ve větším plátku vytvořeném prostřednictvím tenkovrstvých technik. Například mohou být různé elektrody vytvořeny prostřednictvím fotolitografie, když je plátek vytvářen. Tenkovrstvé techniky pro vytváření takového plátku jsou popsány, například, v US patentu č. 4,453,199 (Ritchie a kol.), jehož obsah je tímto začleněn do tohoto popisu prostřednictvím odkazu.

V důsledku přirozené tuhosti plátků vyráběných podle θ předkládaného vynálezu může být dokončený plátek lapován pro dosažení požadované finální tloušťky. Tento lapovací krok může vytvořit kondenzátor, který má menší výšku, než jiné kondenzátory, jež byly vyrobeny v minulosti se stejným rozměrem součástky. Například mnoho tenkovrstvých kondenzátorů s rozměrem 0402 podle dosavadního stavu techniky bude mít výšku až kolem 0,55 mm. Podle předkládaného vynálezu mohou být vyráběny kondenzátory s tímto rozměrem, které ale mají jmenovitou výšku pouze kolem 0,40 mm (obvykle 0,40 ±

0,05 mm). Kondenzátory mohou být vyráběny v rozměru 0201, θ které pak mají extrémně malou výšku pouze kolem 0,16 mm (obvykle 0,16 ± 0,02 mm) nebo menší.

Vzhledem ke struktuře zakončení ve tvaru písmene U, která je využívána kondenzátorem podle dosavadního stavu techniky, jak je znázorněn na obr. 4; je vyžadována orientace výška-šířka v páskovacích a navíjecích balících procesech. Kromě orientace výška-šířka vyžadující zakončení ve tvaru písmene L podle předkládaného vynálezu orientaci vršek-spodek. Vršek jednotlivých kondenzátorů tudíž obsahuje orientační znak, který může být například vytvořen potiskem na této straně plátku.

·· ·· » · · ·

I · · « , · ··'

I · 4 • · · ·

Předkládaný vynález dále navrhuje nový způsob aplikace zakončená na jednotlivé kondenzátory plátku, jak je patrné z obr. 5A, je takový plátek 70 nejprve uchycen k většímu nosiči 72, kterým může být skleněná vrstva. Plátek 70. je výhodně připojen k nosiči 72 s použitím dočasného lepidla 74, jako je lepidlo vytvrzované prostřednictvím UV světla. Může být patrné, že plátek 70. je orientován tak, že vrchní orientační značky, například značka 7 6, budou obráceny během aplikace zakončení.

Dále, jak je znázorněno na obr. 5B, je definována řada řezů prostřednictvím běžných technik skrz plátek 70 v prvním směru. Důsledkem je, že na nosiči 72 se vytvoří řada pásů s polem kondenzátorů, jako je pás 8 0. Kanálky 78 mezi pásy polí mohou potom být zdrsněny, například prostřednictvím pískování, pro zlepšení přilnavosti zakončení k oblastem hlavních ploch (to jest ke stěnám kanálků, a následně čištěny prostřednictvím chemické úpravy.

Jak je nyní patrné na obr. 5C, je dále přes řadu pásů polí, namontovaných k nosiči 72., umístěna stínící maska 82. Jak může být patrné na obr. 6, tato stínící maska 82 obsahuje paralelní maskovací prvky 84 mající šířku v podstatě stejnou, jako je požadovaná mezera mezi plochami zakončení na spodku výsledného kondenzátorů.

Se stínící maskou umístěnou do správné polohy jsou hlavní a spodní plochy zakončení aplikovány v jednom pokovovacím kroku, jak je naznačeno nanesenými plochami 86. Výhodně je pokovování prováděno vakuovým zařízením prostřednictvím ukládání dvou vrstev, jako je Cr a Cu, přičemž tloušťka spodní plochy je dosažena prostřednictvím přímého pokovování a přičemž tloušťka hlavní plochy je • · »

• · • · • · ··· · · důsledkem rozptýlení do kanálku. Pro vytvoření bariérové vrstvy přes aplikací pájky může být ze směsi NiB nanesen bezproudový niklový potah.

Poté, co jsou zakončení aplikována, jsou pásy polí rozděleny v druhém směru, kolmém vzhledem k prvnímu směru, aby se získaly jednotlivé kondenzátory 10. Jak je patrné z obr. 5D, jsou potom kondenzátory 10 odebrány z nosiče 72 prostřednictvím rozpuštění nebo rozlepení dočasného lepidla 74. Obvykle tento krok bude proveden s využitím speciálního rozpouštědla, které působí na lepidlo požadovaným způsobem. Potom může být použito hromadného pokovení v bubnech nebo jiného pájecí procesu niklu a SnPb.

Pro účely srovnání uvádí Tabulka II níže různé detaily výhodné struktury zakončení v příkladném kondenzátoru s rozměrem 0402 podle předkládaného vynálezu, jak je znázorněn na obr. 3, a v kondenzátoru s rozměrem 0603 podle dosavadního stavu techniky, jak je znázorněn na obr. 4.

Tabulka II

Vrstva	Obr. 3 - vynález	Obr. 4 - dosavadní stav
Flash I	není použitelná	hliník 0,01 pm
Flash II	chrom 0,1 - 0,4 pm	chrom 0,1 pm
Tvarovací vrstva	měď 1,0 - 4,0 pm	měď 1,0 pm
Bariérová I	nikl-bor 1,0 - 2,5 pm	nikl-bor 1,0 pm
Bariérová II	Nikl 2,0 - 8,0 pm	není použitelná
Pá j ka	cín-olovo 3,0 - 12,0 pm	cín-olovo 10,0 - 50,0 pm

• ·

Mělo by být zcela zřejmé, že způsob, popisovaný výše, poskytuje povrchově montované součástky, které jsou účinně zakončeny a mají menší rozměry. Často bylo velmi obtížné účinně zakončit součástky menších rozměrů prostřednictvím pokovování jednotlivých pásů, protože úzké pásy se stávaly křehkými a byly tudíž náchylné k rozbití. Zakončení prostřednictvím ponořování do stříbrné pasty a slinování při teplotě kolem 700°C není použitelné pro tenkovrstvou strukturu hliník-dielektrikum-hliník.

~ ~ Metodologie podle předkládaného vynálezu rovněž obecně vytváří zakončení se zlepšenou rozměrovou tolerancí ve srovnání s dosavadním stavem techniky. Zejména kontaktní plochy mohou mít zlepšenou jednotnost a rovnoměrnost, pokud se týká šířky, oproti strukturám podle dosavadního stavu

-i c techniky se stejnými rozměry, přičemž současné výhodné zajišťují větší mezeru mezi kontaktními plochami.

Například kondenzátory, vytvořené v rozměru 0402 podle předkládaného vynálezu, mohou mít spodní kontaktní plochy se jmenovitou šířkou přibližně 0,20 mm (obvykle 0,20 ±

0,10 mm). V takové struktuře, mohou být tyto spodní kontaktní plochy odděleny jmenovitou mezerou o velikosti kolem 0,35 mm nebo větší, se zanedbatelnými horními kontaktními plochami majícími jmenovitou mezeru o velikosti alespoň kolem 0,85 mm (obvykle 0,80 až 1,05 mm). To je 25 zlepšení ve srovnání se součástkami podle dosavadního stavu techniky o stejném rozměru, kde šířka kontaktní plochy může jmenovitě být kolem 0,25 mm se jmenovitou šířkou mezery přibližně 0,30 mm.

Ještě další výhoda ve srovnání s dosavadním stavem techniky je dosažena prostřednictvím příkladných kondenzátorů • · ··· · · vytvořených podle předkládaného vynálezu. Přesněji zmenšená výška a extrémně jednotná tenká krycí vrstva, jak bylo popsáno výše, mají za následek tenkovrstvou strukturu, která je velmi blízko u desky s plošnými spoji, když je toto kondenzátorové zařízení na ní namontováno. Výsledkem je, že zařízení bude vykazovat vynikající jednotnost vlastní resonanční frekvence (SRF).

Může být tudíž patrné, že předkládaný vynález poskytuje nové struktury upravené pro použití jako povrchově θ montované součástky. Ačkoliv výše byla ilustrována a popsána výhodná provedení vynálezu, mohou být osobami v oboru znalými snadno nahlédnuty a učiněny modifikace a změny, aniž by byla opuštěna podstata vynálezu či překročen jeho rozsah.

Například mohou být zařízení vyráběna v různých velikostech c součástek, jiných než bylo specificky diskutováno, jako jsou rozměry například 1206, 0805 a 0603. Navíc, ačkoliv výše byly popisovány specificky kondenzátory, popsaná zakončovací technika může být rovněž použita s jinými povrchově montovanými součástkami, jako jsou induktory, rezistory, θ pojistky a podobně.

mělo by být rovněž zcela zřejmé, že aspekty různých provedení mohou být vzájemně zaměňovány jak v celku tak i částečně. Navíc osoby s běžnými znalostmi v oboru snadno nahlédnou, že předcházející popis jepouze příkladným a neni 5 určen jako omezující pro předkládaný vynález, který je definován v připojených patentových nárocích.

Claims

PATENTOVÉ NÁROKY

1. Tenkovrstvé kondenzátorové zařízení pro montáž na povrch, které zahrnuje tělo zařízení, mající na sobě umístěná zakončení v podstatě ve tvaru písmene L, vyznačující se tím, že tělo zařízení zahrnuje:

izolační substrát, mající horní povrch a spodní povrch;

první vodivý obrazec, umístěný nad uvedeným horním povrchem uvedeného substrátu, a definující první polarizační desku kondenzátoru;

dielektrickou vrstvu, umístěnou na vršku uvedeného prvního vodivého obrazce;

druhý vodivý obrazec, umístěný na uvedené dielektrické vrstvě, přičemž tento druhý vodivý obrazec definuje druhou desku kondenzátoru v zákrytu s uvedenou první deskou kondenzátoru; a rovinnou krycí vrstvu, umístěnou nad uvedeným druhým vodivým obrazcem,

2. Tenkovrstvé kondenzátorové zařízení podle nároku 1, vyznačující se tím, že spodní kontaktní plochy uvedených zakončení ve tvaru písmene L procházejí přes spodní povrch uvedeného těla zařízení.

3. Tenkovrstvé kondenzátorové zařízení podle nároku 2, vyznačující se tím, že dále zahrnuje orientační značku, umístěnou na horním povrchu uvedeného těla zařízení.

4. Tenkovrstvé kondenzátorové zařízení podle nároku 2, vyznačující se tím, že uvedené tělo zařízení má rozměr 0402 nebo menší.

5. Tenkovrstvé kondenzátorové zařízení podle nároku 4, vyznačující se tím, že uvedené tělo zařízení má jmenovitou výšku ne větší než kolem 0,40 mm.

6. Tenkovrstvé kondenzátorové zařízení podle nároku 1, vyznačující se tím, ze krycí vrstva zahrnuje tuhou vrstvu izolačního materiálu 'utěsněnou k uvedenému druhému vodivému obrazci.

7. Tenkovrstvé kondenzátorové zařízení podle nároku 6,

20 vyznačující se tím, že uvedená krycí vrstva má tloušťku kolem

0,1 mm.

8. Tenkovrstvé kondenzátorové zařízení podle nároku 6, vyznačující se tím, že uvedená krycí vrstva je utěsněna k uvedenému druhému vodivému obrazci prostřednictvím vložené epoxidové vrstvy.

9. Tenkovrstvé kondenzátorové zařízení podle nároku 8, vyznačující se tím, že uvedený izolační substrát zahrnuje rovinný substrát z oxidu hlinitého.

20

10. Tenkovrstvé kondenzátorové zařízení podle nároku 9, vyznačující se tím, že uvedený rovinný substrát z oxidu hlinitého zahrnuje substrát z hlazeného oxidu hlinitého.

11. Tenkovrstvé kondenzátorové zařízení podle nároku 1, vyznačující se tím, že uvedený první.vodivý obrazec a uvedený druhý vodivý obrazec každý zahrnuje hliník.

12. Tenkovrstvé kondenzátorové zařízení podle nároku 11, vyznačující se tím, že uvedená dielektrická vrstva zahrnuje materiál zvolený ze skupiny sestávající z oxidu křemičitého a

30 oxynitridu křemičitého.

• · • ftftft · • ft • · • ft • · · ftft · • · · • ftft · • ft ftft

13. Kondenzátorové zařízení pro montáž na povrch, vyznačující se tím, že zahrnuje:

tělo zařízení o rozměru ne větším než 0402 a jmenovité výšce ne větší než kolem 040 mm;

přičemž uvedené tělo zařízení má kondenzátorovou strukturu vytvořenou z alespoň jedné první polarizační elektrody a alespoň jedné druhé polarizační elektrody, které jsou oddělené vloženou vrstvou dielektrika; a zakončení v podstatě ve tvaru písmene L, umístěná na opačných koncových površích uvedeného těla zařízení.

14. Kondenzátorové zařízení podle nároku 13, vyznačující se tím, že montážní kontaktní plochy uvedených zakončení jsou umístěny na spodním povrchu uvedeného těla zařízení a že navíc zahrnuje orientační značku, umístěnou na horním povrchu uvedeného těla zařízení.

15. Kondenzátorové zařízení tím, že uvedené tělo zařízení 0201 • 16. Kondenzátorové zařízení tím, že uvedené tělo zařízení než kolem 0,16 mm.

podle nároku 13, vyznačující se má rozměr ne větší než kolem podle nároku 15, vyznačující se má jmenovitou výšku ne větší vyznačující se zakončeními než kolem vyznačující se zakončeními

17. Kondenzátorové zařízení podle nároku 13, tím, že jmenovitá šířka mezery, mezi uvedenými přes horní povrch uvedeného těla zařízení je menší 0,85 mm.

18. Kondenzátorové zařízení podle nároku 13, tím, že jmenovitá šířka mezery mezi uvedenými * · • · • · • 9 · ·

9 9

9 9 přes spodní povrch uvedeného těla zařízení je alespoň kolem 0,35 mm.

19. Kondenzátorové zařízení podle nároku 13, vyznačující se tím, že uvedená kondenzátorová struktura je vytvořena jako tenkovrstvá struktura hliník-dielektrikum-hlinik.

20. Způsob zakončení množství povrchově montovaných součástech, vyznačující se tím, že zahrnuje kroky:

(a) vytvoření plátku, ze kterého množství uvedených součástek může být vytvořeno dělením v prvním a druhém směru;

(b) montáže uvedeného plátku na nosič;

(c) řezání řady paralelních kanálků skrz uvedený plátek v uvedeném prvním směru v místech, ve kterých budou aplikována zakončení;

(d) aplikace materiálu zakončení v uvedených paralelních kanálcích pro vytvoření zakončení; a (e) vytvoření řady řezů skrz uvedený plátek v uvedeném druhém směru.

21. Způsob podle nároku 20, vyznačující se tím, že dále zahrnuje krok odstranění jednotlivých součástek z uvedeného nosiče.

22. Způsob podle nároku 21, vyznačující se tím, že uvedený plátek je namontován na uvedeném nosiči s použitím dočasného lepidla.

23. Způsob podle nároku 22, vyznačující se tím, že uvedené jednotlivé součástky jsou odstraňovány z uvedeného nosiče prostřednictvím ovlivnění uvedeného dočasného lepidla tak, že tyto jednotlivé součástky mohou být oddělovány od uvedeného nosiče.

• · ·· » · · · • 9 ··

24. Způsob podle nároku 22, vyznačující se tím, že uvedené dočasné lepidlo zahrnuje lepidlo vytvrzované UV světlem.

25. Způsob podle nároku 20, vyznačující se tím, že materiál zakončen se aplikuje do uvedených paralelních kanálků v kroku (d) prostřednictvím pokovovací techniky skrz stínící masku.

26. Způsob podle nároku 25, vyznačující se tím, že základní a spodní kontaktní plochy zakončení na jednotlivých součástkách se vytvářejí současně v pokovovacím kroku.

27. Způsob podle nároku 25, vyznačující se tím, že uvedená pokovovací technika výhodně aplikuje uvedený materiál zakončení ve dvou vrstvách různorodého materiálu.

28. Způsob podle nároku 20, vyznačující se tím, že uvedené na povrch montované součástky zahrnují na povrch montované kondenzátory.

29. Způsob výroby množství na povrch montovaných součástek, vyznačující se tím, že zahrnuje kroky:

(a) vytvoření plátku, ze kterého může být množství uvedených součástek vytvořeno dělením v prvním a druhém směru, přičemž tento plátek zahrnuje horní a spodní vrstvu tuhého izolačního materiálu, které mají mezi sebou umístěné elektrické obvody;

(b) lapování uvedeného plátku pro dosažení předem stanovené a v podstatě jednotné jeho tloušťky;

(c) montáže uvedeného plátku na nosič;

(d) řezání řady paralelních kanálků skrz uvedený plátek v uvedeném prvním směru v místech, ve kterých budou aplikována zakončení;

(e) aplikace materiálu zakončení v uvedených

4 ·

4444 zakončení; a uvedený plátek v uvedeném paralelních kanálcích pro vytvoření (f) vytvoření řady řezů skrz druhém směru.