CZ162899A3 - Niobové prášky a niobové elektrolytické kondenzátory - Google Patents

Niobové prášky a niobové elektrolytické kondenzátory Download PDF

Info

Publication number
CZ162899A3
CZ162899A3 CZ19991628A CZ162899A CZ162899A3 CZ 162899 A3 CZ162899 A3 CZ 162899A3 CZ 19991628 A CZ19991628 A CZ 19991628A CZ 162899 A CZ162899 A CZ 162899A CZ 162899 A3 CZ162899 A3 CZ 162899A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
powder
niobium
ppm
niobium powder
capacitor
Prior art date
Application number
CZ19991628A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ295984B6 (cs
Inventor
James A. Fife
Jane Jia Liu
Roger W. Steele
Original Assignee
Cabot Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26705079&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CZ162899(A3) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Cabot Corporation filed Critical Cabot Corporation
Publication of CZ162899A3 publication Critical patent/CZ162899A3/cs
Publication of CZ295984B6 publication Critical patent/CZ295984B6/cs

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • H01G9/0525Powder therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/045Alloys based on refractory metals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy

Description

Niobové prášky a niobové elektrolytické kondenzátory
Oblast techniky
Předložený vynález se týká niobových prášků a elektrolytických kondensátorů používajících niobové prášky, stejně jako způsobů přípravy prášků a elektrolytických kondenzátorů.
Dosavadní stav techniky:
Po mnoho let bylo cílem řady výzkumných pracovníků vyvinout niobové elektrolytické kondenzátory vzhledem k vysoké dielektrické konstantě jeho oxidu a relativně nízké ceně niobu ve srovnání s řadou jiných kovů. Původně zvažovali pracovníci v této oblasti možnost použití niobu jako náhrady pro tantalové kondenzátory. Proto bylo mnoho studií vedeno na stanovení výhodnosti náhrady tantalu niobem.
V některých z těchto studií však bylo uvedeno, že niob má vážné zásadní nedostatky, které je třeba vyřešit, a vyvozuje se, že niob není vhodnou náhradou za tantal . (viz J. Electrochem. Soc. str. 408 C, prosinec 1977). V jiné studii bylo dospěno k názoru, še použití niobu v pevných elektrolytických kondenzátorech se zdá být nevhodné vzhledem k různým fyzikálním a mechanickým problémům, jako je oblast krystalizace. (Electrocomponent Science and Technology, Vol.
1, str. 27-37 (1974)). Dále, v jiné studii, výzkumní pracovníci zjistili, že anodicky vytvořené pasivní filmy na niobu byly odlišné od elektrických vlastností spojených s tantalem, a že použití niobu vede ke komplikacím, které s tantalem nenastávají. (Viz Electrochimica Act., Vol. 40, č.16, str. 2623-26 (1995)). Jak je patrné, zatímco byly původně určité naděje, že by mohl být niob náhradou za tantal, prokázalo se, že niob není schopný na trhu nahradit • · · · · « · ·· ·· • · · · · · · · · · · fc fcfc fc · fcfc fc · fcfc fc • · fcfcfc · fcfcfc · fcfcfc fcfcfc ··· «· · · · fcfcfc fcfc fcfc fcfc fcfc ·· v elektrolytických kondensátorech tantal.
Kromě tantalových elektrolytických kondensátorů existuje trh s hliníkovými elektrolytickými kondensátory. Hliníkové elektrolytické kondensátory však mají dramaticky rosdílné charakteristiky účinnosti od tantalových elektrolytických kondensátorů.
Řídící silou v elektronických obvodech dnes je rostoucí pohyb směrem k nižšímu “ekvivalentnímu sériovému odporu (ESR) a ekvivalentní sériové induktanci (ESL). Jak se IC účinnost svyšuje se submikronovou geometrií, je potřeba nižší napětí proudového sdroje a okrajového šumu. Současně svyšování IC rychlostí vyžaduje vyšší potřeby energie. Tyto prot i chůdné energet i ckém požadavky uspořádání poptávku po lepším se dosáhne rosdělenými vytvářej í Toho proudovými sdroji, které potřebují větší proudy pro srušení šumu. Zvýšené IC rychlosti také snamenají nižší doby spínání a vyšší proudové přechody. Elektrický obvod tudíž musí být také určen k redukci přechodové sátěžové charakteristiky. Toto široké rospětí požadavků může být splněno, pokud má obvod dostatečně velkou kapací tanei ale níské ESR a ESL.
Hliníkové kondensátory typicky poskytují největší kapací tanei se všech typů kondensátorů. ESR se svyšuje se snižováním kapací tance. Proto se pro splnění výše uvedených požadavků běžně používají velké skupiny vysokokapacitních hliníkových kondensátorů. Nicméně hliníkové kondensátory neuspokojují opravdu požadavky projektantů na níské ESR a ESL. Jejich mechanická konstrukce s kapalným elektrolytem inherentně produkuje ESR v lOOs miliohmů spolu s vysokou impedancí.
Podstata vynálezu:
vločkovité prášky s niobu.
Hlavním znakem předloženého vynálezu je poskytnout
• · · ·· · · · ·
Dalším znakem předloženého vynálezu je poskytnout niobové prášky, přednostně s velkou plochou povrchu a fyzikálními charakteristikami, které umožňují, aby byly niobové prášky formovány do kondenzátorů s vysokou kapací tanei.
Dalším znakem předloženého vynálezu je poskytnout niobové prášky, které, pokud jsou formovány do kondenzátorů, máji nízké propouštění DC (direct current) tedy stejnosměrného proudu.
Další znaky a výhody předloženého vynálezu budou uvedeny dále v následující části popisu, a částečně budou zřejmé z popisu nebo mohou být zjištěny při provádění předloženého vynálezu.
Předložený vynález se týká vločkovitého prášku niobu. Jiný předmět vynálezu popisuje jakýkoliv niobový prášek, který má BET plochu povrchu alespoň asi 0,15 m2/g.
Předložený vynález se také týká niobového prášku, kde, pokud se tvaruje na anodu e1ektrolytického kondenzátorů, má anoda kapací tane i 30 000 CV/g až asi 61 000 CV/g.
Předložený vynález se dále týká niobových prášků, které mají obsah kyslíku alespoň asi 2000 ppm.
Předložený vynález se také týká způsobu redukce propouštění DC v niobové anodě vyrobené z niobového prášku, který zahrnuje krok dopování niobového prášku dostatečným množstvím kyslíku k redukci propouštění DC.
Je zřejmé, že jak předchozí obecný popis i následující podrobný popis jsou pouze příkladné a vysvětlující a jsou uvažovány k poskytnutí dalšího vysvětlení předloženého vynálezu, jak je popsán v patentových nárocích.
• · ·· ·· ·· • · 4 · ♦ · ·· «
4444 4 4 4 4 • 4 4 4 444 .4 444 444 • 4 4 4 · ·
44 44 44
Popis obrázku na výkresech:
Obr.1 je graf znázorňující BET plochy povrchu niobových prášků a jejich konkrétní kapací tanci, když tvoří anody a jsou sintrovány při teplotě 1750 °C.
Obr.2 je graf znázorňující BET plochy povrchů niobových prášků a jejich konkrétní kapicitanci, když tvoří anody a jsou sintrovány při teplotě 1600 °C.
Obr.3 je graf znázorňující BET plochy povrchu niobových prášků a jejich konkrétní kapací tanci, když tvoří anody a jsou sintrovány při teplotě 1450 °C.
Obr.4 je graf znázorňující BET plochy povrchu niobových prášků a jejich konkrétní kapacitanci, když tvoří anody a jsou sintrovány při teplotě 1300 °C.
Obr.5 je graf niobových anod a kapac i tane i .
znázorňující různé j e j i ch j ednot1 i vě teploty vypočí tané sintrování maximální
Obr. 6 n i obových DC, když teplotách je graf znázorňující obsah dopovaného prášcích, stejně jako jednotlivě jejich jsou zformovány do anod a sintrovány a s použitím napětí 50 V.
kyslíku v propouštění př i různých
Obr. 7 je graf znázorňující niobové prášky, které mají různá množství dopovaného kyslíku, stejně jako jednotlivě jej ích propouštění DC, když jsou zformovány do anod a sintrovány při různých teplotách a s použitím napětí 30 V.
Obr.8 je graf znázorňující účinky různých hladin dopování fosforem v niobových prášcích a jejich jednotlivé kapaci tance, když se formují do anod.
Obr. 9. je graf znázorňující účinky různých hladin dopování fosforem v niobových prášcích a jejich jednotlivé • · • · · · · · • · • · · * ··· • · ' propouštění DC, když jsou formovány do anod.
Podrobný popis vynálezu:
Jeden předmět předloženého vynálezu se týká vločkovitého niobového prášku. Vločkovitý niobový prášek lze charakterizovat jako plochý, deskovitý a/nebo jako destička. Vločkovitý niobový prášek má stranový poměr (poměr průměru ku tloušťce) od asi 3 do asi 300, a přednostně od asi 3 do asi 30. Vločkovitý niobový prášek vykazuje díky své morfologii zvýšenou plochu povrchu. Přednostně je BET plocha povrchu vločkovitého niobového prášku alespoň 0,15 m2/g a ještě výhodněji alespoň asi 1,0 m3/g a dokonce nejvýhodněji je alespoň 2,0 m3/g. Preferované rozmezí BET plochy povrchu pro vločkovitý niobový prášek je od asi 1,0 m3/g do asi 5,0 m2/g a ještě výhodněji od asi 2,0 m3/g do asi 5,0 m2/g nebo od asi 2,0 m3/g do asi 4,0 m3/g. BET rozmezí jsou vztažena na předem aglomerované vločkovité niobové prášky.
Vločkovitý niobový prášek může být aglomerován. Vločkovitý niobový prášek může také být hydří dován nebo nehydridován. Vločkovitý niobový prášek má přednostně Scott hustotu menší než asi 35 g/in3, a výhodněji menší než asi 12, a nejvýhodnějí nižší než asi 5 g/in3. Přednostně má aglomerovaný niobový prášek tok vyšší než 80 mg/s, výhodněji od asi 80 mg/s až asi 500 mg/s.
Vločkovitý niobový prášek může být připraven tak, že se vezme niobový ingot a připraví se z něj křehký ingot tím, že se na něj působí plynným vodíkem k hydřídači. Hydridováný ingot může být rozdrcen na angulární prášek, například použitím čelisťovébo drtiče. Vodík se potom může odstranit ohřevem ve vakuu a odplyněný angulární prášek potom může být podroben mletí, jako s použitím míchaného kulového mlýnu, kde je prášek dispergován ve fluidním mediu (vodném nebo nevodném), jako je ethanol, za vzniku vločkovitých prášků, nárazy koulí z nerezové oceli pohybujících se působením
rotujících tyčí. Křehnutím pomocí vodíku, po němž následuje podrobení vloček nárazovému mletí, například s použitím fluidního lože tryskového mletí, Vortec mletí, nebo jiných vhodných kroků mletí, lze vyrobit různé velikosti vloček.
Vločkovitý niobový prášek má výhodně vysoký obsah kyslíku, jako např. dopováním. Obsah dopovaného kyslíku může být alespoň asi 2000 ppm. Výhodněji má vločkovitý niobový prášek obsah kyslíku od asi 2000 ppm a výhodněji od asi 2750 ppm do asi 10000 ppm, a nejvýhodněji od asi 4000 ppm do asi 9000 ppm. Dopování niobového prášku kyslíkem se může provádět různými postupy, včetně , ale neomezujíc se na ně, opakujícího se ohřevu ve vakuu při 900 °C a chlazení ve vzduchu.
Vločkový niobový prášek může být také dopován samotným fosforem, nebo s kyslíkem. Dopování niobového prášku s fosforem je také optimální. V jednom provedení předloženého vynálezu je množství fosforu dopujícího niobový prášek menší než asi 400 ppm a výhodněji méně než asi 100 ppm, a nejvýhodněji menší než asi 25 ppm.
S ohledem na zde uvedené příklady nemusí být množství dopujícího fosforu důležité vzhledem na propouštění DC (stejnosměrného proudu) a kapací tanei anody vytvořené z niobového prášku majícího různé obsahy fosforu jako dopantu. Proto je v jednom provedení přítomno nízké množství fosforu a dokonce zanedbatelné množství nebo žádný fosfor, neboť fosfor má malé nebo žádné výhody pro propouštění DC a kapací tanci vzhledem ke konkrétním anodám vytvořeným z niobových prášků.
V ji ném vynález týká hrudkového, přítomného v proveden í niobového a jejich niobovém předloženého vynálezu se předložený prášku (tedy vločkového, angulárního, směsí) s výrazným obsahem kyslíku prášku. Hladiny kyslíku může být dosaženo stejným způsobem, jako je popsáno výše. Výhodně je • fc • fcfc · • · · fcfcfc obsah kyslíku v niobovém prášku alespoň asi 2000 ppm, a výhodněji od asi 2000 ppm do asi 20 000 ppm. Jiná výhodná rozmezí obsahu kyslíku v niobovém prášku jsou od asi 2 750 ppm do asi 10 000 ppm a obsahy od asi 4000 ppm do asi 9000 ppm. S ohledem na tyto niobové prášky podobně jako v provedeních týkajících se pouze vločkového niobového prášku, mohou být množství fosforu v niobových prášcích pro některá provedení podstatně nižší. Výhodně, v takových provedeních, je obsah fosforu (jako dopantu) menší než asi 400 a výhodněji menší než asi 100 ppm, a nejvýhodněji menší než asi 25 ppm.
V jiném provedení se předložený vynález týká niobových prášků (tedy vločkového, angulárního, hrudkového a jejich směsí) s BET plochou povrchu alespoň 0,5 m2/g a výhodně alespoň asi 1,0 m2/g , a výhodněji od asi 1,0 do asi 5,0 m2/g a nejvýhodněji od asi 2,0 do asi 5,0 m2/g. Rozmezí BRT jsou vztažena na předem aglomerované niobové prášky. Niobový prášek může být hydridován nebo nehydri dován. Rovněž můše být niobový prášek aglomerován. Niobový prášek v tomto provedení může být dopován dusíkem. Rovněž může mít, pro některá provedení, niobový prášek obsah kyslíku pod asi 2000 ppm.
S ohledem na přípravu vločkového niobového prášku nebo niobového prášku s jakoukoliv morfologií s BET plochou povrchu, příklady ukazují výhodné kroky vzniku niobového prášku, které se potom provádějí postupně při tvorbě vloček nebo jiné morfologie. Obecně je postup následující a příklady poskytují specifické detaily jako výhodná provedení přípravy niobových prášků podle předloženého vynálezu.
Obvykle je při přípravě niobových prášků s BET plochou povrchu alespoň 0,5 m2/g niobový ingot hydridován zahříváním ve vakuu za vzniku křehkého ingotu, který je drcen na prášek. Vodík v prášcích se výhodně odstraní zahříváním částice ve vakuu. Různých BET ploch povrchu lze dosáhnout mletím prášku, výhodně roztíračím mlecím postupem. Vyšší BET plocha povrchu ·· · ·«9 • 9 · 9 9 9 9 « *94 ·· ·· ·· *· 99 prášku obvykle vyžaduje delší dobu mletí. Například dobou mletí přibližně 60 minut lze dosáhnout BET plochy povrchu přibližně 1,0 m2/g. K získání dokonce vyšších BET ploch povrchu jsou potřebné delší doby mletí a k získání BET plochy povrchu od asi 4 m2/g nebo vyšších jsou jednou cestou přípravy takových niobových prášku s rozmezími vysokých BET ploch povrchu doby mletí řádově přibližně 24 hodin nebo více v roztíračím mlýnu. Při přípravě takto vysokých ploch povrchu je výhodné použít 30-SL Union Process roztírací mlýn při použití 1000 lbs 3/16 SS media, a přibližně 80 liber ( asi 36,3 kg) niobového prášku mlecím setem při rotaci přibližně 130 otáček za minutu. Mlýn má také obsahovat dostatečné množství media jako je ethanol v množství 13 nebo více galonů (asi 49 litrů nebo více). Po mletí jsou niobové prášky podrobeny tepelnému zpracování a přednostně mohou mít niobové prášky obsah fosforu, který napomáhá minimalizaci redukce plochy povrchu během tepelného zpracování. Tepelné zpracování může být při jakékoliv teplotě obecně dostatečné ke vzniku aglomerace a přednostně bez snižování povrchové plochy. Teplota tepelného zpracování, kterou lze použít, je přibližně 1100 °C po 30 min. Nicméně teplota a čas mohou být modifikovány k zajištění toho, aby vysoká BET plocha povrchu nebyla snižována. Různé niobové prášky popsané výše mohou být dále charakterizovány elektrickými vlastnostmi, které vyplývají z vytvoření kondenzátoru použitím niobových prášků podle předloženého vynálezu. Obvykle mohou být niobové prášky podle předloženého vynálezu testovány na elektrické vlastnosti slisováním niobového prášku do anody a sintrováním slisovaného niobového prášku při příslušných teplotách a potom anodickým okysličováním anody za vzniku anody elektrolytického kondenzátoru, u níž potom mohou být postupně testovány elektrické vlastnosti.
Proto se kondenzátorů předloženého prášků podle další provedení předloženého vynálezu týká vytvořených z niobových prášků podle vynálezu. Anody vyrobené z některých niobových předloženého vynálezu mají kapacitanci od 30 000 ·· · · ·· ··
CV/g. Při tvorbě anod kondensátoru podle předloženého vynálezu se používá teplota sintrování, která zajistí vznik kondenzátorové anody s požadovanými vlastnostmi. Přednostně je teplota sintrování od asi 1200 °C do asi 1750 °C, a výhodněji od asi 1200 °C do asi 1400 °C, a nejvýhodněji od asi 1250 °C do asi 1350 °C.
Anody vyrobené z niobových prášků podle předloženého vynálezu jsou výhodně vyrobeny při napětí menším než asi 60 voltů, a výhodně od asi 39 do asi 50 voltů a ještě výhodněji asi 40 voltech. Přednostně jsou pracovní napětí anod vytvořených z niobových prášků podle předloženého vynálezu od asi 4 do asi 16 voltů a výhodněji od asi 4 do asi 10 voltů. Anody vytvořené z niobových prášků podle předloženého propouštění stejnosměrného proudu (DC) na/CV. V provedení podle předloženého vytvořené z některých niobových prášků podle předloženého vynálezu propouštění DC od asi 5,0 na/CV do asi 0,50 na/CV, vynálezu mají také menší než asi 5,0 vynálezu mají anody
Předložený vynález se také týká kondenzátoru v souladu s předloženým vynálezem, který má film z oxidu niobu na svém povrchu. Výhodně obsahuje film z oxidu niobu film z oxidu niobičného.
Kondenzátory podle předloženého vynálezu mohou být použity v řadě konečných aplikací, jako je elektronika pro automobily, telefony, počátače, jako monitory, motheboardy, a podobné, spotřební elektronika včetně TV a CRT, tiskárny/kopírky, náhradní zdroje, modemy, počítačové noteboky, a diskové cesty.
Předložený vynález bude dále objasněn následujícími příklady, které jsou uvažovány jako dokládající vynález.
• · « · « · · · * · · ♦ · · · · ♦ · · · · · · · * · · ♦ · · ·»· ··· « · · · · • · * · · · fcfc
TESTOVACÍ METODY
Výroba anody:
velikost - 0,197 dia 3,5 Dp hmotnost prášku = 341 mg
Sintrování anody=
1300 °C 10
1450 °C 10
1600 °c 10
1750 °c 10
30V Ef ftnodizace:
30V Ef i 60 °C /0,í% H3PO4 Elektrolyt 20 mA/g konstantní proud
Propouštěni DC/Kapací tance - ESR testováni'
Testování propouštění DC -70% Ef (21 VDC) Test. napětí 60 sekund doba nabíjení 10% H3PO4 i 21 °C
Kapací tance -DF testování:
18% H2SO4 ; 21 °C 120Hz
SOV Ef Reformní anodizace:
50V Ef ; 60 °C /0,1% H3PO4 Elektrolyt 20 mA/g konstantní proud •0 9 9 99 99 9 9
9 9 9 9 9 9 9 9 9
9 9 9 9 9 9 9 9 « · · · · · 9 9 » ·· 9 · 9 9
9 9 9 9 · 9 • 9 9 99 99 9 9 9 · · ·
Propouštění DC/Kapací tance - ESR testování:
Testování propouštění DC -70% Ef (35 VDC) Test. napětí 60 sekund doba nabíjení 10% H3PO4 ; 21 °C
Kapací tance -DF testování:
18% H2SO4 ; 21 °C 120Hz
75V Ef Reformní anodizace:
75V Ef : 60 °C /0,1% H3PO4 Elektrolyt 20 mA/g konstantní proud
Propouštění DC/Kapací tance - ESR testování:
Testování propouštění DC -70% Ef (52,5 VDC) Test. napětí 60 sekund doba nabíjení 10% H3PO4 ; 21 °C
Kapací tance -DF testování:
18% H2SO4 ; 21 °C 120Hz
Scott hustota, analýza kyslíku, analýza fosforu, a BET analýzy byly stanoveny postupy uvedenými v patentech US 5 011 742; 4 960 471 a 4 964 906, přičemž všechny jsou zde jako celky uvedeny jako odkaz.
Příklady provedeni vynálezu:
Přiklad 1
Tento příklad ilustruje provedení tohoto vynálezu • · • · «
999 9 999 9 999
obsahující angulární niobový prášek. Elektronovým paprskem produkovaný niobový ingot byl hydridován zahříváním ingotu ve vakuu 10 ~4 torru na 850 °C po 120 min. Vakuum bylo nahrazeno proplachem plynným vodíkem při 21 kPa po dobu dostatečnou ke zkřehnutí ingotu. Potom bylo vakuum odčerpáno na -28 rtuti a potom zpět naplněno argonem na -5 Hg. Tlak byl udržován, až se teplota, měřena pracovním termočlánkem, stabilizovala. Postupně se zaváděl při zvýšeném tlaku vzduch tak, že pracovní teplota nestoupala. Křehký ingot byl rozdrcen v čelisťovém drtiči na angulární prášek a roztříděn extrahováním prášku, který prochází sítovým třídičem č. 325 (odpovídá velikosti částic 44 mikrometrů). Vodík byl z částic se sníženou velikostí a obsahujících vodík odstraněn zahříváním částic na 850 °C ve vakuu, až dále nepůsobil tlak vodíku uvolňovaného z částic, za vzniku angulárního prášku s kovem niobem, který má velikost Fisher Sub Sieve Size 10,6 mikrometrů, Scott hustotu 2,67 g/cc (43,8 g/in3), předem agl omerovanou BET plochu povrchu 0,17 m2/g a 1770 ppm kyslíku; poměr kyslíku k BET ploše povrchu byl 10400 ppm 0/m3/g, a tok byl 19 mg/s. Kolem 0,34 g vzorků neaglomerovaného angulárného niobového prášku bylo slisováno do anodové formy 5 mm v průměru, okolo olověného drátu 0,6 mm niobu v průměru na hustotu 3,5 g /cc. Vzorky slisovaného niobového prášku byly sintrovány ve vakuu (méně než 10 “3 Pa) při čtyřech různých teplotách, a to 1300, 1450, 1600 a 1750 °C po 10 minut, potom anodizovány aplikací stejnosměrného proudu 20 mA/g při 50 V na anodu ponořenou do 0,1 procenta hmotnostního kyseliny fosforečné k produkci anod elektrolytického kondenzátoru, které byly promyty a sušeny. Charakteristiky kondenzátoru, zjištěné měřeními na anodách ponořených do 18 % hmotn. kyseliny sírové, jsou uvedeny v tabulce 1. Kapacitance, stanovená při frekvenci 120 Hz je uvedena v jednotkách mikrofarad.vol ty na gram (CV/g) a mikrofarad.vol ty na centimetr krychlový (kubický centimetr cc) objemu anody (CV/cc): propouštění DC (stejnosměrného proudu), měřeno po 1 minutě nabíjení 35 voltů; je uvedeno v jednotkách nanoamperů na mikrofarad-volt (nA/CV).
999 9 999 999
9 9 •9 99 99
Přiklad 2
Tento příklad dokládá provedení z prášku podle předloženého vynálezu obsahující aglomerovanou směs z angulárního a vločkového prášku. 2,5 liber (asi 1,13 kg) angulárního prášku zbaveného plynu připraveného v podstatě způsobem v příkladu 1, bylo zpracováno v míchaném roztíracím kulovém mlýnu 1-S Union Process (285 otáček za min. po 90 min) , kdy byl prášek, dispergovaný ve 2400 ml prostředí ethanolu a 40 librách 3/16 440SS prostředí, formován na vločkový prášek nárazy koulí z nerezové oceli pohybujícími se působením rotujících tyčí. Po požadované deformaci na vločky byl niobový prášek odebrán a promyt, aby se odstranil všechen přítomný alkohol. Potom byl niobový prášek promyt směsí deionizované vody, kyseliny fluorovodíkové a kyseliny chlorovodíkové v množstvích 500 ml/lb, 4 ml/lb a 250 ml/lb niobu (18,6% HCl obsahující 22 ml/kg HF) k odstranění kovových kontaminantů (jako železa, niklu, chrómu a podobných vnesených díky kontaktu s koulemi z nerezové oceli). Potom byl niobový prášek opět promyt deionizovanou vodou a potom sušen. Kyselinou promytý vločkový prášek byl sušen ve vzduchu při 85 °F (30 °C) a měl poměr stran (stanovený pozorováním mikrografů) v rozmezí 50 až 70. Vločkový prášek byl smísen s výchozím angulárním práškem ( v hmotnostním poměru 30:70) a práškem obsahujícím fosfor, např. NH4PF6, v množství , které poskytne 60 ppm fosforu, který slouží jako retardační činidlo pro tvorbu zrna, tedy k minimalizaci redukce povrchové plochy během následného tepelného zpracování pro aglomeraci. Předem aglomerovaná BET plocha povrchu byla 0,31 m2/g. Smíšené prášky byly aglomerovány ohřevem ve vakuu při 1100 °C po 30 minut za vzniku aglomerované hmoty. Aglomerační postup byl prováděn takovým postupem, že materiál byl odpumpován na vysoké vakuum a ohříván rostoucí rychlostí 3 °C/minutu na 700 °C a udržován pro odplynění, dokud nebylo dosaženo vysokého tlaku. Zahřívání pokračovalo v peci rostoucí rychlostí 8 °C/ minutu na 1100 °C pod vysokým tlakem a udržováno po 30 minut. Potom byl materiál ponechán v peci
00 » · « 0 » « 0 0
000 000
0
00 • 0
O 00 ♦ · *
0 t
0 0 0
0 0 ·· 00 ochladit a manuálně byl materiál pasivován vystavením působení vzduchu. Potom byl materiál rozmnělněn na menší aglomerované částice v čelisťovém drtiči; rozdrcené částice procházející velikostí síta č.50 (odpovídá maximální velikosti aglomerovaných částic 300 mikrometrů) vykazovaly Scott hustotu 1,3 g/cc (21,7 g/in3), BET plochu povrchu 0,26m3/g, obsah kyslíku 3693 ppm a obsah fosforu 25 ppm; poměr kyslíku ku BET ploše povrchu byl 14 000 ppm 0/m2/g a průtok 22 mg/s. Aglomerovaný prášek byl zpracován na anodu a byly testovány její elektrické vlastnosti podobně jako v příkladu 1, které jsou uvedeny v tabulce 1.
Příklad 3
Tento příklad ilustruje provedení prášku podle tohoto vynálezu, obsahujícího aglomerovaný vločkový prášek. Kyselinou loušený vločkový prášek, mající poměr stran asi 50 ku 70 byl připraven v podstatě tak, jak je uvedeno v příkladu 2 (doba cyklu 60 minut) s tím rozdílem, še niobový prášek byl hydri dován druhým časem exponováním vodíku při 20,7 kPa (3 psig) a 850 °C k poskytnutí křehkých vloček, které byly ochlazeny a jejich velikost redukována vložením do fluidního loše Jet mlýnu ( získaného od Hosokawa Micron Powder Systems, Summit, NJ) , a byl vyroben vločkový prášek se střední velikostí částic 6 mikrometrů (jak je stanoveno laserovým skenováním velikosti částic). Předem aglomerovaná BET plocha povrchu byla 0,62 m3/g. Vločkový prášek s redukovanou velikostí byl aglomerován ohřevem v atmosféře vodíku ohříváním pece rychlostí 10 °C/minutu na 1050 °C ve vakuové peci a udrěováním této teploty, dokud se tlak v peci nesníšil pod 100 mikronů. Jako kyslíkový getr byly poušity surové plátky tantalu (10 - 20 mesh), v hmotnostním poměru 1 Nb ku 1-1,5 Ta. Potom byla pec opětovně naplněna vodíkem k získání tlaku 360 mm Hg a potom byla teplota peci zvýšena na 1200 °C a udršována po 1 hodinu. Potom byl vodík evakuován, aš do sníšení tlaku v peci na méně neš 1 mikron, a pec byla ponechána ochladit na teplotu místnosti. Prášek niobu byl fl · ··· · · flflfl · flfl · . . · · · flfl*· flfl··
IJ *fl · · · · flflfl fl flflfl flfl· • · · · · fl fl fl ··· ·· ·· flfl flfl flfl potom pasivován na vzduchu po 30 cyklů, přičemž operační tlak byl zvýšen o 20 torr v každém cyklu a udržován 2 minuty před začátkem dalšího doplňování vzduchu. Aglomerovaný niobový prášek byl rozmělněn na velikost aglomerovaných částic v čelisťovém drtiči; rozdrcený aglomerovaný vločkový niobový prášek byl rozdělen prosíváním přes síto o velikosti ok č.50 (odpovídá maximální velikosti aglomerovaných vločkových částic 300 mikrometrů) a vykazoval Scott hustotu 1,21 g/cc (20,4 g/in3), BET plochu povrchu 0,46 m2/g, obsah kyslíku
8760 ppm, poměr kyslíku k BET ploše povrchu byl 19 000 ppm
O/M2/g, a průtok menší než 1 mg/sekundu. Aglomerovaný prášek byl zpracován na anody a byly testovány jeho elektrické vlastnosti způsobem uvedeným v příkladu las výsledky uvedenými v tabulce 1
Příklad 4
Tento příklad ilustruje další provedení prášku podle předloženého vynálezu: s velkou povrchovou plochou a nízkým obsahem kyslíku aglomerovaný vločkový niobový prášek. Niobový prášek byl připraven stejným způsobem, jako v přikladu 3, s tím rozdílem, že niobový prášek byl mlet roztíráním 90 minut, a zpracování teplem probíhalo ve vakuu při 1150 °C po 30 minut. Předem aglomerovaná BET plocha povrchu byla 0,85 m2/g. Obsah kyslíku v množstvích vločkového niobového prášku, připraveného v podstatě způsobem z příkladu 3, byl snížen zahřátím niobového prášku smíšeného se 4 až 5 % hmotnostními magnesiového prášku pod argonem při teplotě v rozmezí 750 až 850 °C po 2 hodiny. Obsah hořčíku byl stanoven jako hodnota v rozmezí 2 až 3násobku stechiometrického množství kyslíku v niobovém prášku. Po ochlazení byly zbytkový hořčík a oxidy z aglomerovaného vločkového niobu odstraněny loužením kyselinou dusičnou. Deoxi dováný vločkový niob byl promyt vodou, sušen a rozdělen prosíváním přes síto s velikostí částic č.50. Prošité niobové vločky vykazovaly Scott hustotu 1,47 g/cc (24,1 g/in3), BET plochu povrchu 0,96 m2/g, obsah kyslíku 3130 ppm, poměr kyslíku k BET ploše povrchu byl 3260 ** 44 44 44 ·· 4444 4444
4444 4444
444 4 444 4 444 444 •4444 4 4 4 • 44 44 44 44 4« 44 ppm O/m2/g, průtok 76 mg/sekundu. Aglomerovaný prášek byl zpracován na anody a byly testovány jeho elektrické vlastnosti způsobem jako v příkladu las výsledky v tabulce 1 .
TABULKA 1
Teplota sintrování
1300°C 1450°C 1600°C 1750°C
příklad 1 Kapac i tance (CV/g) 8400 7500 6400 5500
(CV/cc) 40900 37000 33400 30000
Propouštění DC (na/CV) 53 2, 8 2, 3 2, 4
Hustota sintrování
(g/cc) 4, 9 5, 0 5, 2 5, 5
příklad 2 Kapac i tance (CV/g) 13600 11900 10000 8200
(CV/cc) 46000 41600 36900 33400
Propouštění DC (na/CV) 25 1.7 2, 1 2. 5
Hustota sintrování
(g/cc) 3.4 3, 5 3, 7 4, 1
příklad 3 Kapací tance (CV/g) 32500 21400 13400 7100
(CV/cc) 114100 94300 73600 45800
Propouštění DC (na/CV) 5, 8 • 4, 1 2,4 2, 0
Hustota sintrování (g/cc) 3, 5 4.4 5, 5 6,4
• · « • · · «<· • · · · · · · * · · · · · • · · · · · • · · 4 9 4
4 9 9 44 4 4
4 • · 44 příklad 4 Kapaci tance
(CV/g) 31589 21059 12956 7254
(CV/cc) 110562 88448 64780 42799
Propouštění DC
(na/CV) 5, 8 5,3 2, 6 1,4
Hustota sintrování
( g/cc) 3, 5 4, 2 5, 0 5,9
Přiklad 5
Niobový- prášek byl připraven stejným způsobem jako v příkladu 4 s tou výjimkou, ěe tepelné zpracování probíhá ve vakuu při 1250 °C po 30 minut. Předem aglomerovaná BET plocha povrchu byla 0,78 m2/g. Prášek byl formován do anody jako v příkladu 1 a měl následující charakteristiky postupu:
Cv/g: 50 Vf
Hustota sintr., g/cc Propouštění DC, na/Cv BET. m2/g
Kys1í k, ppm
Scott hustota, G/in3 Tok, mg/sek.
19600 (1450°C) 4, 8 ( 1450 °C) 2,33 (1450 °C) 0, 80
2, 815
24, 0
31040 (1300 °C)
Příklad 6 postupem jako v prášek byl mlet
Niobový prášek byl připraven stejným příkladu 4 s tím rozdílem, ěe niobový roztíráním po 150 minut a zpracování teplem bylo ve vakuové peci, kde byl tlak odčerpán na 1 mikron a potom byla teplota zvýšena po 50 °C/minutu na 950 °C a udržována, aš bylo dosaženo vysokého vakua. Potom byla zvyšována teplota v krocích po 15 °C, až bylo dosaženo teploty 1250 °C, a tato teplota byla potom udržována po 30 minut. Potom byl materiál • *· ·* »· ·« ·· ·· · · · · · · ···· • · · «··· ···· • · · · · · ·** · ··· ·*· ««·«« · · · ·· · ·· ·· ·· · · ·· ponechán ochladit na teplotu místnosti za vakua a pasivován 30 cyklu, přičemž tlak byl zvyšován o 20 torů po každém cyklu a udržován 2 minuty před začátkem dalšího plnění vzduchem. Potom byl prášek rozemlet v čelisťovém drtiči -50mesh, a deoxidován smísením prášku se 4 % hmotn./hmotn. kovu hořčíku a vložením materiálu do retortové pece a odčerpáním na 100 mikronů. Předem aglomerovaná BET plocha povrchu byla 1,05 m2/g. Potom byla pec opět naplněna argonem na tlak 800 torů a teplota zvýšena na 800 °C a udržována po 2 hodiny. Potom byl materiál ponechán ochladit na teplotu místnosti a pasivován na vzduchu po 30 cyklů stejným způsobem, jak bylo uvedeno výše v příkladu 3. Potom byl materál promyt směsí deionizované vody (500 ml/lb), kyseliny fluorovodíkové (4 ml/lb) a kyseliny dusičné (250 ml/lb). Potom byl prášek zkropen deionizovanou vodou a sušen. Potom byl niobový prášek zpracován na anodu jako v příkladu 1 a měl následující prováděcí charakteristiky:
Cv/g; 50 Vf(Teplota sintr.) Hustota sintr., g/cc Propouštění DC, na/Cv BET, m3/g
Kyslík, ppm
Scott hustota, G/in3 Tok, mg/sek.
24300 (1450°C) 41700 (1300 °C)
4, 0 ( 1450 °C)
1,5 (1450 °C)
1, 11
3, 738
24, 4
112
Přiklad 7
Niobový prášek byl připraven stejným postupem jako v příkladu 6 s tím rozdílem, že niobový prášek byl smíchán před tepelným zpracováním s fosforem a byl získán obsah fosforu 56 ppm. Předem aglomerovaná BET plocha povrchu byla 1,05 m3/g. Materiál byl hydridován jako v příkladu 3 a rozemlet, tepelně zpracován a deoxidován jako v příkladu 6. Potom byl niobový prášek zpracován do formy anody jako v příkladu 1 a měl následující prováděcí charakteristiky:
ί ·· ΒΒ ΒΒ ·Β • ΒΒΒΒ ΒΒΒΒ
Β Β » Β Β Β ΒΒ Β
ΒΒΒ Β ΒΒΒΒ ·ΒΒ ΒΒΒ
ΒΒΒΒ Β ·
ΒΒ ΒΒ ΒΒ ΒΒ
BB
Cv/g: 50 Vf(Teplota sintr.) Hustota sintr., g/cc Propouštění DC, na/Cv BET, m2/g
Kys1í k, ppm
Scott hustota, G/in3 Tok, mg/sek.
29900 (1450°C) 3,7 (1450 °C) 1,3 (1450 °C) 1,07
3, 690 23, 2 76
45400 (1300 °C)
Přiklad 8
Niobový prášek byl připraven stejným způsobem, jako v příkladu 4 s tím rozdílem, že niobový prášek byl mlet v 30 S roztíracím mlýnu (130 otáček za minutu) po 8 hodin použitím 1000 liber 3/16 SS media, 80 liber niobového prášku , a 13 galonů ethanolu (1 libra = asi 0,45kg, 1 galon = asi 3,785 1). Rozemletý prášek byl loušen kyselinou a promyt stejným způsobem jako je popsáno výše, a materiál měl následující charakter i st i ky:
BET, m2/g
Kys1í k, ppm
Hustota Scott, g/in3
1,39 8, 124 3
Přiklad 9
Obrázky 1, 2, 3 a 4 ukazují CV/g proti BET pro různé Nb prášky s rozmezím BET. Každý obrázek znázorňuje měření CV/g u prášků vymezených specifickou teplotou sintrování. Jak znázorňují obrázky, čím vyšší je teplota sintrování, tím ztráta plochy povrchu anody a také dochází snížení CV/g u zvláštních práškových vzorků při testování vzorků při vyšší teplotě sintrování (CV/g je úměrné zbytkové specifické ploše povrchu anody po sintrování).
vyšš í je k obecnému
Jak dokládají obrázky 1 až 4 pro danou teplotu sintrování, má dosažený CV/g vztah k výchozímu BET vzorku.
Jak je uvedeno, nízký BET produkuje nízkou čistotu CV/g, a
0 0 0 0 0
0 0 0 0 0
000 e 000 ·
0*0 0 ·· • · • · • ·
0
0 0 0 0 0
jak se zvyšuje BET, stoupá CV/g. U materiálů, které mají vysoké BET je stupeň ztrát plochy povrchu během sintrování tak vysoký, še vymaže tolik plochy povrchu, še zůstane pouze malá frakce původního vysokého BET, vyjádřená jako CV/g po sintrování jako CV/g kapky s nejvyšší mi BET. Z tohoto důvodu ukazuje křivka CV/g proti BET maximum při hodnotě BET, která chrání nejčistší specifickou plochu povrchu po sintrování. Obecně, jak je znázorněno na obrázcích, nižší teplota sintrování dosáhne optimum CV/g s vyšším BET materiálem, zatímco vyšší teploty sintrování, které jsou velice destruktivní k malým, vysoce BET částicím, dosáhnou optima CV/g práškem s nižším BET.
Obecně existuje optimální BET pro použití při dané teplotě, a řada optimálních BET tvoří odpovídající povrch ve vztahu k teplotám sintrování. Jak je znázorněno na obrázcích, CV/g je obvykle úměrné BET, a CV/g vykazuje vztah k teplotám sintrování. Obrázek 5 tedy znázorňuje CV/g pro každou teplotu sintrování z obr. 1 až 3 vynesených proti teplotě sintrování. Obr. 5 ukazuje CV/g, kterého lze dosáhnout při 1300 °C sintrování, které je řádově asi 61000.
Příprava z obr. 5 je založena na objektivně i matematicky správném postupu stanovení mexima CV/g z každého z obr. 1 až 3. Jelikož je pozorováno, še odezva CV/g proti BET na všech obr. 1 až 3 vykazuje maximum, byl požadavek vyřešen nalezením maxima nej lepšího proložení funkcí dat pro každý obrázek. Skutečná odezva CV/g na BET je komplexní funkce proměnných, nicméně Taylorova řada expanze funkcí uvádí, še všechny funkce mohou být aproximovány prvními třemi členy Taylořovy řady s limitovanou hlavní nezávislou proměnnou ( v tomto případě BET). To znamená aproximaci funkce jako kvadratické (F(x)=ax3+bx+c) platné v omezení na nejbližší vybrané hodnoty pro x. Tento výpočet je platný potud, pokud jsou hodnoty x v nejblišším okolí. Optimum BET bylo použito v každém případě jako střed nejbližšího okolí BET domény, takže aproximace je nejsprávnější pro BET nejblíže této hodnotě, • 4 44 44 44
4444 444 444 a tudíž vybere maximum kvadratické rovnice 2 dat, nej lepší stanovení píku CV/g, z dat na obr. 1 až 3. důvodu byla nej lepší funkce dat provedena na obr. kvadratické rovnice s použitím křivky z vhodného Excelu 5,0, které když je Z tohoto až 3 do vybavení v Microsoft založené na proložené paraboly na data pro přípravu obr vytváří parabolické křivky naměřených datech na obr. 1 až 3. Maxima obr. 1 až 3 byla použita jako vstupní 5.
řada dat maxim CV/g proti teplotě sintrování proložena exponenciální rozpadovou funkcí použitím souboru pro proložení křivky na Microsoft Excelu 5,0. Důvodem pro provádění výběru exponenciální rozpadové funkce jako nej lepší aproximace odezvy maxima CV/g na teplotě sintrování je, jak je znázorněno na obrázcích, že CV/g se bude snižovat s rostoucí teplotu sintrování, ale CV/g nemůže být z principu nikdy nižší než 0,0 jelikož specifická plocha povrchu nemůže než nula (nemůže být negativní).
je na
Na obr. 5 byla být vyrobena menší
Exponenciální funkce, která asymptoticky klesá k nule, nejprostší formou funkce, kterou lze použít s hodnotami obr.5, která nepředpovídá exponenciální křivky, jak v.5,0, byl vložen do dat na obr.5, maxima CV/g, kterého lze dosáhnout 1300 °C na základě všech vysvětleno výše.
negativní CV/g. Nej lepší průběh je stanoven Microsoftem Excel a to umožnilo výpočet při teplotě sintrování obr. 1 až 3, jak bylo dat
Obr. 4 uvádí reálné hodnoty dostupných Nb vzorků, testovaných při sintrování při 1300 °C, nicméně, jak je zřejmé z obr.4, data nevykazují pík, protože žádný ze vzorků neměl optimum BET při sintrování 1300 °C. Data byla vložena do kvadratické funkce, jak bylo použito na obr. 1 až 3, a superponovaný výsledek znázorněný na obr.4 vykazuje pík, který by měl podle zjištění píků na obr. 1 až 3 existovat; a je ukázáno, že pík má CV/g > 55 000, BET >1,7. Je dobře viditelné, že v případě obr. 4 pík CV/g předpověděný použitím stejné analýzy použité při přípravě dat na obr.5 popisuje • ·· · · · · ·» · · • · · · · ·· · · · · · • · · · · · · · · · · • · · · · · fcfcfc · ··· ··· fcfc··· · · · • fcfc ·· fcfc fc· fcfc fcfc maximum CV/g velice blízko k nezávisle odvozenému maximu stanovenému obr.5. Shoda mezi dvěma samostatnými stanoveními maxima CV/g při sintrování 1300 °C souhlasí, a činí zřejmým, še materiály, vyrobené s BET > 1,7 (BRT v řadě 2 nebo více), pokud se budou testovat při podmínkách sintrování 1300 °C, budou vykazovat CV/g > 55 000 (CV/g v řadě 60 000).
TABULKA 2
Exemplární data použitá pro obrázky 1 až 4
1300 1300 1450 1450 . 1600 1600 1750 1750
BET CV/g BET CV/g BET cv/g BET cv/g
0.8 30,302 0.8 22,757 0.8 14,433 0.8 7,972
0.8 30,423 0.8 22,982 0.8 14,754 0.8 8,517
1.16 45,440 1.16 29,916 1.16 16,495 1.16 7,785
0.96 40,797 0.96 29,868 0.96 18,480 0.96 9,958
0.96 35,350 0.96 27,959 · 0.96 17,742 0.96 9,611
0.96 40,235 0.96 30,147 0.96 18,707 0.96 9,989
0.96 35,481 0.96 27,667 0.96 17,977 0.96 9,611
Přiklad 10
Byly studovány účinky kyslíku na niobový prášek. Bylo testováno pět vzorků vločkového niobového prášku (připraveného jako v příkladu 5), každý vážící 1 libru (asi 454 g). Jeden ze vzorků byl kontrolní a čtyři zbývající vzorky byly zpracovány takovým způsobem, aby se zvyšoval obsah kyslíku v niobovém prášku. Konkrétně, čtyři vzorky byly tepelně zpracovány v peci při 900 °C po dobu 30 minut. Potom byly prášky pasivovány na vzduchu postupem, podobným vzdušné pasivaci, diskutovaným v předchozích příkladech. Potom byl jeden ze čtyř vzorků odebrán a tři zbývající vzorky byly tepelně zpracovány a posivovány opět stejným způsobem, jak • · · · • · · ·· · ·· · · byl popsán výše. Stejně jako dříve, jeden ze tří vzorků byl opět odebrán a postup se opakoval opět se dvěma zbývajícími vzorky. Potom byl opět jeden vzorek odebrán a konečný zbývající vzorek byl opět tepelně zpracován a pasivován, jako předtím. Takto bylo získáno 5 vzorků připravených buď 0, 1, 2, 3 nebo 4 cykly tepelného zpracování. Před testováním na obsah kyslíku v každém z těchto vzorků, byly vzorky jednotlivě prošity přes síto 40 mesh.
Potom byly prášky aglomerovány a sintrovány při různých teplotách a formovány do anod na bázi třech rozdílných napětí, jak je znázorněno v tabulce 3. Výsledky propouštění DC jsou také uvedeny v tabulce 3. Jak z výsledků v tabulce 3 a na obr. 6 a 7 zřejmé, propouštění DC se postupně snižuje tak, jak se snižuje obsah kyslíku v niobu. Snižování propouštění DC je zejména zřejmé při vytvořených nižších napětích, jako je 30 a 50 Voltů.
·· · » · · · · • · · · · · · • « « · · · · · · · • · · « · ·»· · ··· ··· • · · · · * · ·· «« ·· 4» Μ
TABULKA 3
Údaje dokládající účinek O2 na na/CV při 30, 50 a 60 Voltech
Vf
1300 1450 1600 1750
na/CV na/CV na/CV na/CV
2725 4.47 1.86 0.89 0.47
4074 3.96 1.41 0.62 0.47
4870 3.49 1.29 0.58 0.45
5539 2.7 1.04 0.55 0.45
6499 2.38 0.95 0.54 0.45
8909 2.25 0.88 0.57 0.54
na/CV 50 Vf na/CV 1600 na/CV 1750 na/CV
2725 4.31 3.07 1.84 1.08
4074 4.47 2.55 1.46 1.01
4870 3.96 2.51 1.42 0.99
5539 3.26 2.21 1.29 0.97
6499 3.5 2.09 1.23 0.97
8909 3.85 2.02 1.26 -0.97
na/CV 60 Vf na/CV 1600 na/CV 1750 na/CV
.2725 · 22.16 25.06 28.64 27.08
4074 19.78 24.07 28.51 28.78
4870 19.11 24.71 28.51 27.67
5539 . 17.84 21.75 26.62 27.37
6499 17.88 22.37 24.88 25.69
8909 25.2 29.67 33.2 28.99
Přiklad 11
Potom byl testován vliv fosforu na niobový prášek. Bylo testováno šest vzorků niobového prášku připraveného postupem jako v příkladu 5. Jeden vzorek byl použit jako kontrolní a zbývajících pět vzorků obsahovalo vhodné množství kyseliny • · • · · · · · · · · • · · · ft ftft · · ftft · ftft ft * ftft ft * · ♦ · · · ·*· · ··· · ····*· ·* ft*·*· · · · «·· ·· ·· ·* ·· ·♦ fosforečné, přidané k dosažení hladin fosforu 5 ppm, 10 ppm, 30 ppm, 100 ppm a 500 ppm. Kyselina fosforečná byla přidána jako zředěný roztok 150 ml deionizované vody. Roztok kyseliny fosforečné a prášek byly smíseny a vzorky byly sušeny ve vakuové peci. Po usušení byly vzorky individuálně smíseny a testovány na obsah kyseliny fosforečné. Výsledky jsou uvedeny v tabulce 4. Jak je z tabulky 4 a obrázků 8a 9 zřejmé, vykazuje se malý vliv dopování fosforu a bylo zaznamenáno, še vyšší množství dopovaného fosforu nezvyšuje nezbytně vlastnosti propouštění DC.
TABULKA 4
Hodnoty P dopovaných vzorků niobu.
dopovaný P (ppm) anoda P (ppm) CV/g í 13OO°C) na/CV (1300 °C)
16 13 33009 22, 96
26 13 33614 21,27
69 100 33676 19, 53
200 58 33915 21,83 i
400 204 34213 20,65 i 1
CV/g (1450 °C) 1 na/CV (1420 °C)
16 0 24095 25,06
26 20 24375 23, 4
62 72 24459 24, 33
200 50 25348 26,09 |
400 339 25664 24,69 |
• ·· ·· ·· ·· ·· *· · · · · · · · *· ·
·. · · · · · · · · · • · · « · · ······· ··· • · · ·· · · « *·· ·« · · · «· · · pokračování tabulky 4
CV/g (1600 °C) na/CV ( 1600 °C)
16 0 15757 25, 51
26 0 15974 24, 82
62 0 16131 24, 57
200 56 16736 25, 83
400 415 17011 27, 18
CV/g (1750 °C) na/CV ( 1750 °C)
16 8575 16,39
26 9176 16, 69
62 9315 17, 35
200 9551 16,54
400 9670 18,74
Další provedení předloženého vynálezu budou odborníkovi ze stavu techniky zřejmé na základě popisu a uskutečnění vynálezu, jak je zde popsán. Předpokládá se, že popis a příklady budou považovány pouze jako exemlární, přičemž skutečný rozsah a podstata vynálezu jsou dány následujícími patentovými nároky.

Claims (42)

1. Vločkovitý niobový prášek.
2. Niobový prášek podle nároku 1, kde je uvedený prášek aglomerován.
3. Prášek podle nároku 1, kde uvedený prášek má BET plochu povrchu alespoň 0,15 m2/g.
4. Niobový prášek podle nároku 1, kde uvedený prášek má BET plochu povrchu alespoň asi 1,0 m2/g.
5. Niobový prášek podle nároku 1, kde uvedený prášek má BET plochu povrchu alespoň asi 2,0 m2/g.
6. Prášek podle nároku 1, kde uvedený prášek má BET plochu povrchu od asi 1,0 do asi 5,0 m2/g.
7. Prášek podle nároku 1, kde uvedený prášek má BET plochu povrchu od asi 2,0 do asi 5,0 m2/g.
8. Niobový prášek podle nároku 1, kde uvedený prášek není hydr i dován.
9. Prášek podle nároku 1, kde uvedený prášek má hustotu Scott menší než asi 35 g/in3.
10. Prášek podle nároku 1, kde uvedený prášek je vytvořen na anodě elektrolytického kondensátoru, přičemž uvedená anoda má kapací tane i od asi 30 000 CV/g do asi 61 000 CV/g.
11. Kondensátor vyrobený z niobového prášku podle nároku 1.
12. Niobový prášek, kde uvedený prášek je formován do anody elektrolytického kondensátoru, přičemž uvedená anoda má kapacitaci od asi 30 000 CV/g do asi 61 000 CV/g.
. .. 770«
0 0 0 · 0 0 0 0 0 00 0 « 0 0 0 * 0 000 0 000 0·0 0 00 0 0 « 0 0
000 00 ·0 00 00 00
13. Niobový prášek podle nároku 12, kde uvedený prášek je hydridován.
14. Niobový prášek s BET plochou ; povrchu alespoň 0,50 m3/g. 15. Niobový prášek podle nároku 14 s BET plochou povrchu alespoň asi 1,0 m3/g. 16. Niobový prášek podle nároku 14 s BET plochou povrchu od asi 1,0 do asi 5,0 m3/g. 17. Niobový prášek podle nároku 14 s BET plochou povrchu
alespoň asi 2,0 m3/g.
18. Niobový prášek podle nároku 14 s BET plochou povrchu od asi 2,0 m3/g do asi 4,0 m3/g.
19. Niobový prášek podle nároku 14 s BET plochou povrchu od asi 2,0 do asi 5,0 m3/g.
20. Niobový prášek podle nároku 14, kde uvedený niobový prášek není hydri dován.
21. Niobový prášek podle nároku 14, kde je uvedený niobový prášek aglomerován.
22. Kondensátor připravený z prostředku obsahujícího niobový prášek podle nároku 14.
23. Kondensátor podle nároku 22 vyznačující se t í m, še uvedený prášek je sintrován při teplotě od asi 1200 °C do asi 1750 °C.
24. Kondensátor podle nároku s e t í m, še uvedený prášek as i 1200 do asi 1450 °C.
22 vyznačuj í c í je sintrován při teplotě od
25.
Kondensátor podle nároku 22 vyznačuj ící • · ♦ · ·
• · · · · · · · · · • · · ·» « · ·· se t í m, že uvedený prášek je sitrován při teplotě od asi 1250 °C do asi 1350 °C.
26. Kondenzátor připravený z prostředku obsahujícího prášek niobu podle nároku 15.
27. Kondenzátor připravený z prostředku obsahujícího niobový prášek podle nároku 16.
28. Kondenzátor připravený prášek podle nároku 17.
prostředku obsahuj ícího n i obový
29. Kondenzátor připravený prášek podle nároku 21.
prostředku obsahuj ícího n i obový
30. než N i obový as i 400 prášek ppm. podle nároku 14 s obsahem fosforu menš í m 31 . N i obový prášek podle nároku 14 s obsahem fosforu menš í m než asi 100 ppm. 32. N i obový prášek : pod 1 e nároku 14 s obsahem fosforu menším než as i 25 ppm.
33. Kondenzátor podle nároku 22 vyznačující se t í m, že uvedený kondenzátor je vyroben při napětí od asi 30 do asi 50 voltů.
34. Kondenzátor podle nároku 22 vyznačující se tím, že uvedený kondenzátor má propouštění stejnosměrného proudu menši než asi 5,0 na/CV.
35. Kondenzátor podle nároku 22 vyznačující se tím, že uvedený kondenzátor má propouštění stejnosměrného proudu od asi 5,0 na/CV do asi 0,50 na/CV.
36. Kondenzátor podle nároku 26 vyznačuj ící i
···* ··· · ’ » · · · ο· · · · se t í m, že uvedený kondenzátor je vytvořen při napětí od asi 30 do asi 50 voltů.
37. Způsob snižování propouštění stejnosměrného proudu v niobové anodě vyrobené z niobového prášku zahrnující krok dopování uvedeného niobového prášku dostatečným množstvím kyslíku ke snížení propouštění stejnosměrného proudu.
38. Způsob podle nároku 37 v y znač u j í c í s e tím, ž e uvedený niobový prášek je dopován alespoň asi 2000 ppm kyslíku. 39. Způsob podle nároku 37 v y znač u j í c í s e t í m,
ž e uvedený niobový prášek je dopován kyslíkem v množství od as i 2000 ppm do as i 10 000 ppm.
40. Způsob podle nároku 37 vyznačující se tím. ž e uvedený niobový prášek je dopován kyslíkem v množství od asi 3000 ppm do asi 7000 ppm.
41. Způsob podle nároku 37 vyznačující se tím, ž e uvedená anoda je vytvořena při napětí od asi 30 do asi 50 voltú.
42. Způsob podle nároku 37 vyznačující se tím, ž e uvedená anoda je vytvořena při napětí asi 40 voltů.
43. Způsob podle nároku 37 vyznačující se tím, ž e uvedený niobový prášek má obsah fosforu menší než asi 400 ppm.
44. Způsob podle nároku 37 vyznačující se tím, ž e uvedený niobový prášek má obsah fosforu menší než asi 100 ppm.
45. Způsob podle nároku 37 vyznačující se tím, ž e uvedený niobový prášek má obsah fosforu menší než asi 25 ppm
...
fe · · ♦ · ··.♦'· fefe · • · « fefefefe · · fe » fefe «fefe · ··· fe fe·· fefefe • · · · · · · fe • · · fefe fefe fefe fefe fefe
46. Způsob podle nároku 37 v y z n ž e uvedená anoda je sintrována př i as i 1750 °C. 47. Způsob pod1e nároku 37 v y z n ž e uvedená anoda je sintrována př i as i 1450 °C. 48. Způsob podle nároku 37 v y z n ž e uvedená anoda je sintrována př i as i 1350 °C.
ačující se tím, teplotě od asi 1200 °C do ačující se tím, teplotě od asi 1200 °C do ačující se tím, teplotě od asi 1250 °C do
49. Niobový prášek s obsahem dopovaného kyslíku alespoň asi 2000 ppm.
50. Niobový prášek podle nároku 49 s obsahem dopovaného kyslíku od asi 2000 ppm do asi 20 000 ppm.
51. Niobový prášek podle nároku 49 s obsahem dopovaného kyslíku od asi 2750 ppm do asi 10 000 ppm.
52. Niobový prášek podle nároku 49 s obsahem dopovaného kyslíku od asi 4000 ppm do asi 9000 ppm.
53. Elektrolytický kondensátor vyznačuj ící se t í m, že je vytvořen z niobového prášku podle nároku 49.
54. Kondensátor podle nároku 25 vyznačující se t i m , že dále obsahuje na svém povrchu film z oxidu niobu.
55. Kondensátor podle nároku 54 vyznačující se tím, že uvedený film obsahuje film z oxidu niobičného.
56. Niobový prášek podle nároku 14 s obsahem kyslíku ne menším než asi 2000 ppm.
CZ19991628A 1996-11-07 1997-11-05 Anoda elektrolytického kondenzátoru a způsob její výroby a elektrolytický kondenzátor CZ295984B6 (cs)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US2956196P 1996-11-07 1996-11-07
US08/962,830 US6165623A (en) 1996-11-07 1997-11-03 Niobium powders and niobium electrolytic capacitors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ162899A3 true CZ162899A3 (cs) 2000-05-17
CZ295984B6 CZ295984B6 (cs) 2005-12-14

Family

ID=26705079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ19991628A CZ295984B6 (cs) 1996-11-07 1997-11-05 Anoda elektrolytického kondenzátoru a způsob její výroby a elektrolytický kondenzátor

Country Status (12)

Country Link
US (2) US6165623A (cs)
EP (1) EP0946323B2 (cs)
JP (1) JP4213222B2 (cs)
AU (1) AU5162798A (cs)
BR (1) BR9712906A (cs)
CA (1) CA2271780A1 (cs)
CZ (1) CZ295984B6 (cs)
DE (1) DE69725880T3 (cs)
EE (1) EE9900189A (cs)
IL (1) IL129832A0 (cs)
PT (1) PT946323E (cs)
WO (1) WO1998019811A1 (cs)

Families Citing this family (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6338832B1 (en) * 1995-10-12 2002-01-15 Cabot Corporation Process for producing niobium and tantalum compounds
US6165623A (en) * 1996-11-07 2000-12-26 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
JP3254163B2 (ja) 1997-02-28 2002-02-04 昭和電工株式会社 コンデンサ
US6444008B1 (en) 1998-03-19 2002-09-03 Cabot Corporation Paint and coating compositions containing tantalum and/or niobium powders
US6051044A (en) 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
BRPI9917635B1 (pt) * 1998-05-06 2017-06-06 Starck H C Gmbh Co Kg pó de nióbio na forma de partículas aglomeradas primárias e método para a obtenção de um anodo de capacitor
CN105033283A (zh) 1998-05-06 2015-11-11 H.C.施塔克公司 用气态镁还原有关氧化物制备的金属粉末
US6576038B1 (en) 1998-05-22 2003-06-10 Cabot Corporation Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties
WO2000008662A1 (fr) 1998-08-05 2000-02-17 Showa Denko Kabushiki Kaisha Agglomere de niobium pour condensateur et procede de production
DE19983543T1 (de) * 1998-08-28 2001-10-18 Kemet Electronics Corp Phosphateloxierelektrolyt und dessen Verwendung zur Herstellung von Kondensatoren aus aus sehr feinen Metallpulvern hergestellten Ventilmetallanoden
BRPI9913540B1 (pt) * 1998-09-10 2016-04-19 Starck H C Gmbh Co Kg pasta para a produção de camadas sinterizadas de metal refratário e processo para a produção de anodos
US6416730B1 (en) 1998-09-16 2002-07-09 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
US6322912B1 (en) 1998-09-16 2001-11-27 Cabot Corporation Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2000036617A1 (fr) 1998-12-15 2000-06-22 Showa Denko Kabushiki Kaisha Condensateur au niobium et procede de fabrication correspondant
TW460883B (en) * 1999-02-16 2001-10-21 Showa Denko Kk Niobium powder, niobium sintered body, capacitor comprised of the sintered body, and method for manufacturing the capacitor
AU2571200A (en) * 1999-02-16 2000-09-04 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder, niobium sintered body, capacitor comprised of the sintered body,and method for manufacturing the capacitor
BR0009107A (pt) 1999-03-19 2002-12-31 Cabot Corp Método para produzir pó de nióbio e outros pós metálicos através de moagem
US6558447B1 (en) 1999-05-05 2003-05-06 H.C. Starck, Inc. Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium
US6375704B1 (en) * 1999-05-12 2002-04-23 Cabot Corporation High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes
TW479262B (en) 1999-06-09 2002-03-11 Showa Denko Kk Electrode material for capacitor and capacitor using the same
US6600646B1 (en) * 1999-08-11 2003-07-29 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using same
US6960237B2 (en) 1999-07-15 2005-11-01 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using the same
US6660057B1 (en) 1999-10-01 2003-12-09 Showa Denko K.K. Powder composition for capacitor, sintered body using the composition and capacitor using the sintered body
US6358625B1 (en) * 1999-10-11 2002-03-19 H. C. Starck, Inc. Refractory metals with improved adhesion strength
DE19953946A1 (de) 1999-11-09 2001-05-10 Starck H C Gmbh Co Kg Kondensatorpulver
US6563695B1 (en) * 1999-11-16 2003-05-13 Cabot Supermetals K.K. Powdered tantalum, niobium, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the powdered tantalum or niobium
US6423110B1 (en) 1999-12-08 2002-07-23 Showa Denko K.K. Powder composition for capacitor and sintered body using the composition, and capacitor using the sintered body
US6480371B1 (en) 2000-02-01 2002-11-12 Kemet Electronics Corporation Alkanolamine-phosphoric acid anodizing electrolyte
WO2001071738A2 (en) * 2000-03-23 2001-09-27 Cabot Corporation Oxygen reduced niobium oxides
US6540810B2 (en) 2000-04-21 2003-04-01 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder for capacitor, sintered body using the powder and capacitor using the same
EP1281460B1 (en) 2000-04-24 2008-03-12 Showa Denko K.K. Niobium powder, sintered compact thereof and capacitor
US6643120B2 (en) * 2000-04-28 2003-11-04 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder for capacitor, sintered body using the powder and capacitor using the same
US6436268B1 (en) 2000-08-02 2002-08-20 Kemet Electronics Corporation Non-aqueous electrolytes for anodizing
US6652619B2 (en) 2000-08-10 2003-11-25 Showa Denko K.K. Niobium powder, sintered body thereof, and capacitor using the same
AU2001277734B2 (en) * 2000-08-10 2007-01-04 Showa Denko K.K. Niobium powder, sinter thereof, and capacitor using the body
DE10041901A1 (de) * 2000-08-25 2002-03-07 Starck H C Gmbh Kondensatoranode auf Basis Niob
JP2002093666A (ja) * 2000-09-20 2002-03-29 Showa Denko Kk ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ
MXPA03003968A (es) * 2000-11-06 2004-05-24 Cabot Corp Oxidos de metal para valvulas, reducidos en oxigeno, modificados.
AU2002224129A1 (en) 2000-11-30 2002-06-11 Showa Denko K K Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body
US7149074B2 (en) 2001-04-19 2006-12-12 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide
AU2008200187B2 (en) * 2001-05-15 2010-02-18 Showa Denko K.K. Niobium powder, niobium sintered body and capacitor using the sintered body
US7737066B2 (en) * 2001-05-15 2010-06-15 Showa Denko K.K. Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body
KR100524166B1 (ko) * 2001-05-15 2005-10-25 쇼와 덴코 가부시키가이샤 일산화 니오브분말, 일산화 니오브 소결체 및 일산화니오브 소결체를 사용한 콘덴서
US6780218B2 (en) * 2001-06-20 2004-08-24 Showa Denko Kabushiki Kaisha Production process for niobium powder
JP4187953B2 (ja) 2001-08-15 2008-11-26 キャボットスーパーメタル株式会社 窒素含有金属粉末の製造方法
KR100422594B1 (ko) * 2001-09-12 2004-03-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 커패시터 및 제조방법
JP2004143477A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Cabot Supermetal Kk ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ
DE10304756B4 (de) * 2003-02-05 2005-04-07 W.C. Heraeus Gmbh Sauerstoffangereicherter Niob-Draht
US7655214B2 (en) * 2003-02-26 2010-02-02 Cabot Corporation Phase formation of oxygen reduced valve metal oxides and granulation methods
US7235118B2 (en) * 2003-04-16 2007-06-26 National Research Council Of Canada Process for agglomeration and densification of nanometer sized particles
US7445679B2 (en) 2003-05-16 2008-11-04 Cabot Corporation Controlled oxygen addition for metal material
WO2004103906A2 (en) * 2003-05-19 2004-12-02 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US7142409B2 (en) * 2003-07-28 2006-11-28 Cabot Corporation Nitrided valve metal material and method of making same
DE102004032128B4 (de) * 2003-10-17 2010-10-14 W.C. Heraeus Gmbh Metallischer Werkstoff, Herstellverfahren und Verwendung
US6965510B1 (en) * 2003-12-11 2005-11-15 Wilson Greatbatch Technologies, Inc. Sintered valve metal powders for implantable capacitors
DE102004011214A1 (de) * 2004-03-04 2005-10-06 W.C. Heraeus Gmbh Hochtemperaturbeständiger Niob-Draht
DE102004024026A1 (de) 2004-03-11 2005-09-29 W.C. Heraeus Gmbh Katalysator zur N2O-Zersetzung beim Ostwaldprozess
US20050202966A1 (en) * 2004-03-11 2005-09-15 W.C. Heraeus Gmbh Catalyst for the decomposition of N2O in the Ostwald process
US20050225927A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-13 Tagusagawa Solon Y Processes for the production of niobium oxides with controlled tantalum content and capacitors made therefrom
JP4743507B2 (ja) 2004-11-29 2011-08-10 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサ用多孔質陽極体、その製造方法、及び固体電解コンデンサ
JP2006206428A (ja) * 2004-12-27 2006-08-10 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd ニオブ酸化物及びその製造方法
US7099143B1 (en) * 2005-05-24 2006-08-29 Avx Corporation Wet electrolytic capacitors
WO2007020464A1 (en) * 2005-08-19 2007-02-22 Avx Limited Solid state capacitors and method of manufacturing them
GB0517952D0 (en) * 2005-09-02 2005-10-12 Avx Ltd Method of forming anode bodies for solid state capacitors
US8257463B2 (en) * 2006-01-23 2012-09-04 Avx Corporation Capacitor anode formed from flake powder
US7511943B2 (en) 2006-03-09 2009-03-31 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a cathode coating
US7480130B2 (en) 2006-03-09 2009-01-20 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor
WO2007130483A2 (en) * 2006-05-05 2007-11-15 Cabot Corporation Tantalum powder with smooth surface and methods of manufacturing same
JPWO2008001774A1 (ja) * 2006-06-26 2009-11-26 三井金属鉱業株式会社 ニオブ酸化物の製造方法及び一酸化ニオブ
JP4884108B2 (ja) * 2006-06-30 2012-02-29 三洋電機株式会社 電解コンデンサ
GB0622463D0 (en) * 2006-11-10 2006-12-20 Avx Ltd Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes
US7554792B2 (en) 2007-03-20 2009-06-30 Avx Corporation Cathode coating for a wet electrolytic capacitor
US7649730B2 (en) 2007-03-20 2010-01-19 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes
US7460356B2 (en) 2007-03-20 2008-12-02 Avx Corporation Neutral electrolyte for a wet electrolytic capacitor
US7760487B2 (en) * 2007-10-22 2010-07-20 Avx Corporation Doped ceramic powder for use in forming capacitor anodes
US7768773B2 (en) * 2008-01-22 2010-08-03 Avx Corporation Sintered anode pellet etched with an organic acid for use in an electrolytic capacitor
US7760488B2 (en) * 2008-01-22 2010-07-20 Avx Corporation Sintered anode pellet treated with a surfactant for use in an electrolytic capacitor
US7852615B2 (en) * 2008-01-22 2010-12-14 Avx Corporation Electrolytic capacitor anode treated with an organometallic compound
CN102203890B (zh) 2008-10-29 2013-03-20 昭和电工株式会社 电容器元件的制造方法
US8430944B2 (en) * 2008-12-22 2013-04-30 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Fine particle recovery methods for valve metal powders
US8203827B2 (en) * 2009-02-20 2012-06-19 Avx Corporation Anode for a solid electrolytic capacitor containing a non-metallic surface treatment
JP2010261106A (ja) * 2010-06-11 2010-11-18 Showa Denko Kk コンデンサ用ニオブ焼結体の製造方法
US9548163B2 (en) 2012-07-19 2017-01-17 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages
US10329644B2 (en) 2014-09-11 2019-06-25 Ishihara Chemical Co., Ltd. Ta—Nb alloy powder and anode element for solid electrolytic capacitor
US20180144874A1 (en) 2016-10-21 2018-05-24 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Tantalum Powder, Anode, And Capacitor Including Same, And Manufacturing Methods Thereof
CA3091448C (en) 2018-03-05 2024-03-19 Craig Sungail Spherical tantalum powder, products containing the same, and methods of making the same
WO2019173087A1 (en) 2018-03-05 2019-09-12 Global Advanced Metals Usa, Inc. Anodes containing spherical powder and capacitors
JP7250374B2 (ja) 2018-12-12 2023-04-03 グローバル アドバンスト メタルズ ユー.エス.エー.,インコーポレイティド 球状ニオブ合金粉末、それを含有する製品、及びその作製方法

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1415516A (en) * 1919-05-29 1922-05-09 Bridge Arthur Method of and apparatus for reducing metals, etc.
US2242759A (en) * 1938-03-02 1941-05-20 Walter H Duisberg Reduction of difficultly reducible oxides
CH396213A (de) 1961-01-10 1965-07-31 Ciba Geigy Verfahren zur Herstellung von Anoden für Elektrolytkondensatoren
GB1123015A (en) * 1964-08-07 1968-08-07 Union Carbide Corp A process for producing sintered anodes
US3417106A (en) * 1964-11-16 1968-12-17 Syntex Corp 4-oxa-19-nor-delta1,5(10)-pregnadiene-3,20-dione steroids and their preparation
US3630718A (en) * 1965-06-25 1971-12-28 Starck Hermann C Fa NONPYROPHORIC METAL POWDER OF A METAL FROM THE GROUP IVb, Vb AND VIb OR THE ACTINIUM SERIES OF THE PERIODIC TABLE
US3496076A (en) * 1968-03-28 1970-02-17 Sprague Electric Co Niobium anodizing electrolyte and anodizing process
CH515996A (de) * 1968-06-06 1971-11-30 Starck Hermann C Fa Verfahren zur Herstellung von hochreinem Niob und/oder Tantal
US3635693A (en) * 1969-01-27 1972-01-18 Starck Hermann C Fa Method of producing tantalum or niobium powder from compact bodies
US3849124A (en) 1969-12-05 1974-11-19 Norton Co Capacitor powder
DE2517180C3 (de) * 1975-04-18 1979-04-19 Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von feinem hochkapazitiven Erdsäuremetallpulver für Elektrolytkondensatoren
US4009007A (en) * 1975-07-14 1977-02-22 Fansteel Inc. Tantalum powder and method of making the same
US4017302A (en) * 1976-02-04 1977-04-12 Fansteel Inc. Tantalum metal powder
US4164455A (en) 1976-04-05 1979-08-14 Corning Glass Works Process of forming a solid tantalum capacitor
GB1549702A (en) * 1976-07-08 1979-08-08 Ncr Inc Metal powder production
JPS5345660A (en) * 1976-10-05 1978-04-24 Starck Hermann C Fa Tantalum and niobium powder manufacture
US4084965A (en) * 1977-01-05 1978-04-18 Fansteel Inc. Columbium powder and method of making the same
US4141720A (en) * 1978-05-16 1979-02-27 Nrc, Inc. Tantalum powder reclaiming
US4149876A (en) * 1978-06-06 1979-04-17 Fansteel Inc. Process for producing tantalum and columbium powder
JPS5739043A (en) * 1980-08-19 1982-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Changeover metallic mold
US4406699A (en) * 1981-06-09 1983-09-27 Beck David E High-temperature electrically conductive ceramic composite and method for making same
DE3130392C2 (de) * 1981-07-31 1985-10-17 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Herstellung reiner agglomerierter Ventilmetallpulver für Elektrolytkondensatoren, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung von Sinteranoden
US4356028A (en) * 1981-08-24 1982-10-26 Fansteel Inc. In situ phosphorus addition to tantalum
DE3140248C2 (de) * 1981-10-09 1986-06-19 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verwendung von dotiertem Ventilmetallpulver für die Herstellung von Elektrolytkondensatoranoden
SU1057995A1 (ru) * 1981-12-05 1983-11-30 Предприятие П/Я А-3529 Способ изготовлени объемно-пористого анода электролитического конденсатора
JPS58154221A (ja) * 1982-03-10 1983-09-13 株式会社東芝 ニオブ電解コンデンサの製造方法
DE3232245A1 (de) * 1982-08-30 1984-03-01 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verbesserung der fliessfaehigkeit und erhoehung der schuettdichte von hochkapazitiven ventilmetallpulvern
US4441927A (en) * 1982-11-16 1984-04-10 Cabot Corporation Tantalum powder composition
DE3309891A1 (de) * 1983-03-18 1984-10-31 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur herstellung von ventilmetallanoden fuer elektrolytkondensatoren
DE3336453C2 (de) * 1983-10-06 1985-11-28 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Oberflächenvergrößerung von Niob und Tantal in Form von agglomerierten oder nicht agglomerierten Pulvern
JPS60121207A (ja) 1983-12-01 1985-06-28 Toyo Soda Mfg Co Ltd 超微粒子の製造方法
US4544403A (en) * 1984-11-30 1985-10-01 Fansteel Inc. High charge, low leakage tantalum powders
US4555268A (en) * 1984-12-18 1985-11-26 Cabot Corporation Method for improving handling properties of a flaked tantalum powder composition
US4748737A (en) * 1985-11-27 1988-06-07 Westinghouse Electric Corp. Method of removing surface oxidation from particulates
US4684399A (en) * 1986-03-04 1987-08-04 Cabot Corporation Tantalum powder process
DE3779870T2 (de) * 1986-11-08 1992-12-24 Showa Denko Kk Festelektrolytkondensator und verfahren zu seiner herstellung.
US4722756A (en) * 1987-02-27 1988-02-02 Cabot Corp Method for deoxidizing tantalum material
US4740238A (en) * 1987-03-26 1988-04-26 Fansteel Inc. Platelet-containing tantalum powders
JPH0727851B2 (ja) 1987-07-08 1995-03-29 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0770438B2 (ja) 1987-07-08 1995-07-31 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0640538B2 (ja) 1987-07-15 1994-05-25 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0777180B2 (ja) 1987-08-20 1995-08-16 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPS6484656A (en) * 1987-09-28 1989-03-29 Toshiba Corp Semiconductor device capacitor
JPH063786B2 (ja) 1987-10-21 1994-01-12 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH01124214A (ja) 1987-11-10 1989-05-17 Showa Denko Kk 固体電解コンデンサの製造方法
US5211741A (en) * 1987-11-30 1993-05-18 Cabot Corporation Flaked tantalum powder
US4940490A (en) * 1987-11-30 1990-07-10 Cabot Corporation Tantalum powder
US5261942A (en) * 1987-11-30 1993-11-16 Cabot Corporation Tantalum powder and method of making same
US5580367A (en) * 1987-11-30 1996-12-03 Cabot Corporation Flaked tantalum powder and method of using same flaked tantalum powder
JPH01241813A (ja) 1988-03-23 1989-09-26 Nec Corp オープン機構付き固体電解コンデンサ
JPH01241110A (ja) 1988-03-23 1989-09-26 Asahi Glass Co Ltd 電気二重層コンデンサ
JPH01319921A (ja) 1988-06-21 1989-12-26 Seiko Electronic Components Ltd 電気二重層コンデンサ
DE3820960A1 (de) * 1988-06-22 1989-12-28 Starck Hermann C Fa Feinkoernige hochreine erdsaeuremetallpulver, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung
JPH02123724A (ja) 1988-11-02 1990-05-11 Elna Co Ltd 固体電解コンデンサの製造方法
JPH02298013A (ja) 1989-05-12 1990-12-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ
US5242481A (en) * 1989-06-26 1993-09-07 Cabot Corporation Method of making powders and products of tantalum and niobium
US5011742A (en) 1989-09-26 1991-04-30 Fife James A Article for controlling the oxygen content in tantalum material
US4964906A (en) 1989-09-26 1990-10-23 Fife James A Method for controlling the oxygen content of tantalum material
US4960471A (en) 1989-09-26 1990-10-02 Cabot Corporation Controlling the oxygen content in tantalum material
US5050034A (en) 1990-01-22 1991-09-17 Endress U. Hauser Gmbh U. Co. Pressure sensor and method of manufacturing same
US5234491A (en) * 1990-05-17 1993-08-10 Cabot Corporation Method of producing high surface area, low metal impurity
JPH04271106A (ja) 1990-12-26 1992-09-28 Tama Electric Co Ltd コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗コンデンサネットワーク
JPH05129160A (ja) 1991-10-30 1993-05-25 Ryuichi Yamamoto 固体電解コンデンサおよびその製造方法
US5245514A (en) * 1992-05-27 1993-09-14 Cabot Corporation Extruded capacitor electrode and method of making the same
JP2923391B2 (ja) 1992-06-03 1999-07-26 富士通東和エレクトロン株式会社 電解コンデンサの製造方法
US5284531A (en) * 1992-07-31 1994-02-08 Cabot Corporation Cylindrical metal fibers made from tantalum, columbium, and alloys thereof
JP3281658B2 (ja) 1992-11-30 2002-05-13 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサとその製造方法
US5448447A (en) * 1993-04-26 1995-09-05 Cabot Corporation Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom
US5412533A (en) * 1993-06-22 1995-05-02 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof
JPH07153650A (ja) 1993-11-26 1995-06-16 Elna Co Ltd 固体電解コンデンサの製造方法
JPH07220982A (ja) 1994-01-31 1995-08-18 Elna Co Ltd 固体電解コンデンサの製造方法
JP3199096B2 (ja) 1994-02-15 2001-08-13 エルナー株式会社 固体電解コンデンサ
JPH0897096A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Sutaruku Buitetsuku Kk タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ
JP3504058B2 (ja) 1996-03-19 2004-03-08 株式会社東芝 薄膜キャパシタおよび半導体記憶装置
JPH10135080A (ja) 1996-10-31 1998-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US6165623A (en) * 1996-11-07 2000-12-26 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
US6007597A (en) * 1997-02-28 1999-12-28 Teledyne Industries, Inc. Electron-beam melt refining of ferroniobium
JP3254163B2 (ja) 1997-02-28 2002-02-04 昭和電工株式会社 コンデンサ
JPH11312628A (ja) 1998-04-30 1999-11-09 Nec Corp 固体電解コンデンサ及び製造方法
US6051044A (en) * 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
JP3196832B2 (ja) 1998-05-15 2001-08-06 日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP3973299B2 (ja) 1998-08-26 2007-09-12 昭和電工株式会社 コンデンサ
JP4263795B2 (ja) 1998-12-22 2009-05-13 昭和電工株式会社 コンデンサ
JP2000188241A (ja) 1998-12-22 2000-07-04 Nec Corp 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2000269091A (ja) 1999-03-17 2000-09-29 Showa Kyabotto Super Metal Kk 電解コンデンサ用金属粉末ならびにこれを用いた電解コンデンサ用陽極体および電解コンデンサ
JP3907358B2 (ja) 1999-11-04 2007-04-18 日本ケミコン株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JP2001172701A (ja) 1999-12-14 2001-06-26 Showa Kyabotto Super Metal Kk ニオブ粉末およびその製造方法と、このニオブ粉末を用いた多孔質焼結体および固体電解コンデンサー
JP4422258B2 (ja) 1999-11-30 2010-02-24 昭和電工株式会社 コンデンサ

Also Published As

Publication number Publication date
WO1998019811A1 (en) 1998-05-14
EE9900189A (et) 1999-12-15
DE69725880T2 (de) 2004-05-13
EP0946323A1 (en) 1999-10-06
PT946323E (pt) 2004-03-31
EP0946323B1 (en) 2003-10-29
IL129832A0 (en) 2000-02-29
JP4213222B2 (ja) 2009-01-21
CA2271780A1 (en) 1998-05-14
CZ295984B6 (cs) 2005-12-14
DE69725880T3 (de) 2012-01-19
BR9712906A (pt) 2002-01-02
US6165623A (en) 2000-12-26
EP0946323B2 (en) 2011-06-15
JP2002507247A (ja) 2002-03-05
AU5162798A (en) 1998-05-29
US6420043B1 (en) 2002-07-16
DE69725880D1 (de) 2003-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CZ162899A3 (cs) Niobové prášky a niobové elektrolytické kondenzátory
US6051044A (en) Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
RU2247630C2 (ru) Ниобиевый порошок с высокой емкостью и анод для электролитического конденсатора
CZ20013359A3 (cs) Způsob výroby niobu a jiných kovových práąků mletím
WO2010099701A1 (en) Tantalum powder, preparation method thereof and electrolytic capacitor anode made of tantalum powder
EP1075884A2 (en) Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
MXPA00010826A (es) Polvos de niobio nitrurado y capacitores electroliticos de niobio
MXPA99004261A (en) Niobium powders and niobium electrolytic capacitors

Legal Events

Date Code Title Description
PD00 Pending as of 2000-06-30 in czech republic
MM4A Patent lapsed due to non-payment of fee

Effective date: 20131105