JP3504058B2 - 薄膜キャパシタおよび半導体記憶装置 - Google Patents
薄膜キャパシタおよび半導体記憶装置Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 70
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 61
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 17
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 8
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical group [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 7
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 229910001029 Hf alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 3
- IGUHATROZYFXKR-UHFFFAOYSA-N [W].[Ir] Chemical compound [W].[Ir] IGUHATROZYFXKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020684 PbZr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002839 Pt-Mo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- -1 composed of alloy Chemical compound 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
び薄膜キャパシ夕を具備する半導体記憶装置に係り、特
に、薄膜キャパシ夕の下部電極の改良に関する。
ますます小形化しており、これに伴い、各種電子回路に
必須の回路素子であるキャパシタの小形化も、一段と重
要になっている。このような状況において、誘電体薄膜
を用いた薄膜キャパシタ素子が、トランジスタ等の能動
素子と同一の基板上に形成されて用いられているが、能
動素子の小型化が急速に進む中で、薄膜キャパシタの小
形化は遅れており、より一層の高集積化を阻む大きな要
因になっている。
料が、Si02 、Si3 N4 などのような誘電率が高々
10以下の材料に限られているためであり、従って、薄
膜キャパシタを小形化するために、誘電率の大きな誘電
体薄膜材料を開発することが必要になっている。
型酸化物であるBaTi03 、SrTi03 、PbZr
03 等、及び層状ペロブスカイト型酸化物であるBi4
Τi3 012等の高誘電体酸化物、上記酸化物の単一組成
並びに相互の固溶体組成の単結晶又はセラミックスは、
100以上10000にも及び誘電率を有することが知
られており、これらはセラミック・コンデンサに広く用
いられている。これら材料の薄膜化は、薄膜キャパシタ
の小形化にかなり有効であり、かなり以前から研究が行
われている。
ャパシタの下部電極としては、貴金属、貴金属の酸化
物、貴金属のケイ化物からなるものが知られている。下
部電極としてこのような材料を用いるのは、ペロブスカ
イト型高誘電体酸化物薄膜で大きな誘電率を得るために
は、高温の酸化性雰囲気で作成する必要があり、その
際、下部電極も高温の酸化性雰囲気にさらされるためで
ある。従って、金、白金、パラジウムなどの酸化されに
くい貴金属や、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロ
ジウム、イリジウムなどの、酸化しても導電性が保たれ
る貴金属およびその酸化物が専ら使用されてきた。
た貴金属薄膜においても、通常多結晶の形態で使用さ
れ、高温にさらされるために再結晶なども生じるため、
結晶粒の大きさに依存した電極表面荒れを生じる。この
ような貴金属薄膜からなる電極上に形成された誘電体膜
は膜厚が一様でなく、電圧を印加したときに膜厚の薄い
部分や、電極の突起部分近傍に電界が強くかかるため、
絶縁特性に問題がある。すなわち、初期ショートによる
不良や、電界印加時のリーク電流の増大などの問題があ
る。
であり、高誘電率材料の薄膜を用いて、高い容量密度と
優れた絶縁特性を有し、シリコン集積回路に適用可能な
薄膜キャパシタ、及びかかる薄膜キャパシタを有する半
導体記憶装置を提供することを目的とする。
め、本発明(請求項1)は、基板上に、下部電極、誘電
体層、及び上部電極を順次積層してなる薄膜キャパシタ
であって、前記下部電極が、レニウム、ルテニウム、オ
スミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、
及び金からなる群から選ばれる少なくとも1種の貴金属
元素と、ハフニウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、
及びタングステンからなる群から選ばれる少なくとも1
種の高融点金属元素とを含む非晶質合金を主体とし、前
記誘電体層が、ペロブスカイト構造を有する酸化物誘電
体からなることを特徴とする薄膜キャパシタを提供す
る。
に、下部電極、誘電体層、及び上部電極を順次積層して
なる薄膜キャパシタと、この薄膜キャパシタに接続さ
れ、情報の読みだしを行うスイッチング素子とを具備す
る半導体記憶装置であって、前記下部電極が、レニウ
ム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、
パラジウム、白金、及び金からなる群から選ばれる少な
くとも1種の貴金属元素と、ハフニウム、ニオブ、タン
タル、モリブデン、及びタングステンからなる群から選
ばれる少なくとも1種の高融点金属元素とを含む非晶質
合金を主体とし、前記誘電体層が、ペロブスカイト構造
を有する酸化物誘電体からなることを特徴とする半導体
記憶装置を提供する。
て特性の優れた材料を、とくに貴金属の合金という観点
から検討し、実験を重ねた結果、貴金属と高融点金属と
の合金系がとくに優れていることを見いだした。その理
由は、スパッタ法により貴金属と高融点金属の合金を作
成した場合には、殆どの合金が結晶粒界のない非晶質の
膜を形成し、しかもその結晶化温度がペロブスカイト系
誘電体膜の作成温度である600℃近傍より高いため、
非常に平滑な表面形状をしているからである。また、万
一、熱処理により結晶化した場合でも、非常に微細で固
い金属間化合物相を生成するため、粗大結晶粒を生成す
ること無く、やはり表面が平滑なまま保たれるためであ
る。
は、耐酸化性に優れており、また、主として非晶質のた
めに粒界が選択的に酸化されることもなく、また、表面
層が酸化された場合でも酸化物が導電性を保ち、低誘電
率の絶縁層を形成しないことである。
その下の下地膜材料と、その上に形成される誘電体材料
との間の相互拡散を防ぐためのバリア−膜としての役割
も期待されていた。例えば、誘電体としてチタン酸ジル
コン酸鉛(PZT)を使用した場合には、誘電体に通常
含まれる鉛はシリコンや酸化シリコン中に拡散し易いた
め、比較的厚い(200〜300nm)白金電極や酸化
イリジウム電極等をバリア−膜を兼ねて使用し、下地中
への拡散を軽減していた。
拡散の経路となる粒界が存在しないため、相互拡散を大
幅に阻止することが出来、また下部電極の膜厚を従来よ
りも減少させることが可能であるという大きな利点があ
る。
主体としているため、結晶方位を持たず、組織が均一で
あることから、反応性イオンエッチング等のドライエッ
チングによる加工に際し、均一かつ精度よく微細加工す
ることが可能であるという他の利点もある。
する合金に含まれる貴金属元素としては、周期律表で V
IIA族、VIIIA族、IB族に属する、レニウム、ルテニ
ウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウ
ム、白金、及び金の中から選ばれた少なくとも1種を挙
げることが出来る。また、高融点金属元素としては、周
期律表でIVA族、VA族、VIA族に属し、2000℃以
上の融点を有する、ハフニウム、ニオブ、タンタル、モ
リブデン、タングステンの中から選ばれた少なくとも1
種を挙げることが出来る。このような貴金属元素と高融
点金属とを合金化することによって、薄膜キャパシタと
して優れた下部電極を得ることができる。
金属と高融点金属との組合せは、Au−Ta、Pt−T
a、Ir−Ta、Ir−Nb、Rh−Ta、Rh−N
b、Os−W、Os−Mo、Os−Ta、Os−Nb、
Re−W合金である。
含有量は、好ましくは10〜90原子%、より好ましく
は15〜85原子%である。高融点金属の含有量が10
原子%以下では、貴金属中に高融点金属が固溶して結晶
質となり、所望の非晶質相が得られない場合がある。一
方、90原子%を越えると、逆に高融点金属中に貴金属
が固溶して結晶質となり、やはり所望の非晶質相が得ら
れない場合がある。
の含有量のうち、非晶質を形成する範囲と、特に非晶質
が安定な範囲(括弧内)を示す。
nmが好ましい。
る合金について説明したが、かかる合金により上部電極
を構成することも可能である。
からなる下部電極を具備する薄膜キャパシタでは、下部
電極の結晶粒径に起因した電極の表面荒れのために絶縁
性不良を生じやすいが、本発明の薄膜キャパシタでは、
下部電極表面が非常に平滑であるため、絶縁性に優れ、
また誘電体層の薄膜化により蓄積電荷量を増大した薄膜
キャパシタを作成することが可能になる。
電極を構成する合金は非晶質を主体としているため、耐
酸化性の向上、下地と誘電体との相互拡散に対するバリ
ア性の向上、及び加工に対する均一性の向上を同時に達
成することが可能である。
発明をより具体的に説明する。
キャパシタの構造を示す断面図である。図1において、
シリコン基板1の表面に酸化シリコンからなる絶縁層2
が形成され、この絶縁層2上に下部電極3が形成され、
この下部電極3上にチタン酸ストロンチウムからなる高
誘電率薄膜4が形成され、更にその上に白金からなる上
部電極5が形成されている。
は、次のように作製される。まず、熱酸化法により、単
結晶シリコン基板1の表面に酸化シリコンからなる絶縁
層2を500nmの厚さに形成した。次いで、貴金属お
よび高融点金属それぞれのターゲットを使用したコスパ
ッタ法により、DCマグネトロンスパッタ装置を用い
て、アルゴンガス雰囲気中無加熱で、貴金属と高融点金
属との合金を100nmの厚さに成膜し、下部電極3を
形成した。
電体膜4を形成した。この誘電体膜4は、化学量論組成
のセラミックターゲットを用い、RFマグネトロンスパ
ッタ法によりアルゴンー酸素混合雰囲気中で、基板温度
600℃にて、500nmの厚さに成膜することにより
得た。その後、メタルマスクを介して30Onmの厚さ
の白金をDCマグネトロンスパッタ法により無加熱で成
膜し、上部電極5を形成した。以上のように作製された
薄膜キャパシタの有効面積は、100μm×100μm
である。
バにより電流一電圧(I−V)特性を計測し、絶縁耐圧
を求めた。また、上部電極および誘電体膜を一部剥離
し、X線回折法により下部電極の結晶性を調べるととも
に、ICP−MASS法により下部電極の組成を正確に
求めた。
ウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、ィリジウ
ム、パラジウム、白金、及び金を選び、また高融点金属
としてハフニウム、ニオブ、夕ンタル、モリブデン、及
びタングステンを選び、それらの間の合金からなる12
種の下部電極を形成し、薄膜キャパシタを作製した。ま
た、比較例として、白金単体、パラジウム単体からなる
下部電極を形成し、薄膜キャパシタを作製した。
部電極の組成、X線回折結果、及び薄膜キャパシタの絶
縁破壊強度をまとめて示した。
る下部電極についてのX線回折結果は、いずれも非晶質
を示すハローパターンが主体で、わずかに金属間化合物
と考えられるピークが弱くみられるのみである。これに
対し、比較例に係る下部電極では、いずれもfcc型結
晶の回析ピ−クがみられ、結晶質であることがわかる。
破壊強度は、比較例に係る薄膜キャパシタの絶縁破壊強
度に比べはるかに高く、優れていることがわかる。
例と同様の構造、製法により薄膜キャパシタを作製し
た。
グステンを含有するイリジウム−タングステン合金から
なる2種の下部電極を形成し、薄膜キャパシタを作製し
た。また、第2の比較例として、5原子%および95原
子%のタングステンを含有するイリジウム−タングステ
ン合金からなる2種の下部電極を形成し、薄膜キャパシ
タを作製した。
較例に係る下部電極の組成、X線回折結果、及び薄膜キ
ャパシタの絶縁破壊強度をまとめて示した。
る下部電極についてのX線回折結果は、いずれも非晶質
を示すハローパターンが主体であるが、比較例に係る下
部電極では、いずれもイリジウム単体と同様のfcc型
結晶の回析ピ−クがみられ、結晶質であることがわか
る。
破壊強度は、比較例に係る薄膜キャパシタの絶縁破壊強
度に比べはるかに高く、優れていることがわかる。
ッチングトランジスタとを同一の基板に形成した半導体
記憶装置について説明する。
路図である。図示されるように、ここでは1ビットのメ
モリセルが1つのスイッチングトランジスタ24と1つ
の薄膜キャパシタ25とからなり、マトリッスク状に配
置される。スイッチングトランジスタ24のゲート電極
はワード線13と接続され、ソース領域及びドレイン領
域の一方がビット線15に接続する。
が、それぞれスイッチングトランジスタ24のソース領
域及びドレイン領域の他方及びドライブ線22と接続さ
れる。このとき、ワード線13とドライブ線22とが互
いに直交して、それぞれワード線選択回路26及びドラ
イブ線駆動回路27と接続し、ビット線15は2本一組
でビット線対を形成し、1本のドライブ線22を挟んで
その両側に配置されるとともに、センスアンプ28と接
続されている。
は、例えばワード線選択回路26により所定のロウアド
レスのワード線13を選択し、選択されたワード線13
を活性化して、これと接続するスイッチングトランジス
タ24をON状態にした後、所定のカラムアドレスにつ
いてビット線15に“1”或いは“0”の情報に対応す
る電位を付与するとともに、ドライブ線駆動回路27に
よりドライブ線22を活性化して書き込み信号を伝達す
る。
て、スイッチングトランジスタ24をOFF状態に戻せ
ば、上述したようなロウアドレス及びカラムアドレスの
積によって選択されるメモリセル内の薄膜キャパシタ2
5に、“1”或いは“0”の情報が蓄積、保持されて、
情報の書き込みが行われる。この後は、情報が書き込ま
れたメモリセルのスイッチングトランジスタ24や薄膜
キャパシタ25と接続するワード線13及びドライブ線
22の一方が活性化されても、書き込まれた情報が消失
することはない。
は、まず、ワード線選択回路26により所定のロウアド
レスのワード線13を選択し、選択されたワード線13
を活性化してこれと結合するスイッチングトランジスタ
24をON状態にする。続いて、所定のカラムアドレス
についてビット線対をプリチャージしてフローティング
状態とした後、ドライブ線駆動回路27によりドライブ
線22を活性化して所定の電位を付与する。ここで、上
述したようなロウアドレス及びカラムアドレスの積によ
って選択されるメモリセルの薄膜キャパシタ25に蓄
積、保持されていた情報は、スイッチングトランジスタ
24を通してプリチャージされたビット線対のうちの一
方のビット線15に取り出され、取り出された情報に応
じた微小な電位差がビット線対間に形成される。従っ
て、この電位差をセンスアンプ28で増幅することで、
メモリセル内の薄膜キャパシタ25に蓄積、保持されて
いた情報の読み出しを行うことが可能となる。
されたメモリセル内の薄膜キャパシタ25に対しては、
その後所定の動作によって読み出す前と同様の情報が書
き込まれて、情報の再書き込みが行われる。
いて不揮発性の強誘電体メモリを構成した例であるが、
本発明の薄膜キャパシタは、DRAM等の揮発性の半導
体記憶装置に用いることもできる。図3に、このような
本発明の別の半導体記憶装置の等価回路図を示す。図示
される通り、ここでは薄膜キャパシタ25における一対
の電極側が全て所定の電位に設定されればよく、一般的
には、例えば薄膜キャパシタ25の下部電極を全面に形
成する以外は、図2と全く同様に半導体記憶装置を構成
して、全メモリセルにおいて薄膜キャパシタ25の下部
電極が共有化される。
下部電極を貴金属と高融点金属の合金により構成してい
るので、絶縁特性に優れた高誘電率の薄膜キャパシタを
得ることが可能である。また、このような薄膜キャパシ
タをスイッチング素子とともにシリコン基板上に形成す
ることにより、高集積化した半導体記憶装置の実現が可
能となり、本発明の工業的価値は非常に高い。
断面図。
憶装置の等価回路図。
体記憶装置の等価回路図。
Claims (2)
- 【請求項1】 基板上に、下部電極、誘電体層、及び上
部電極を順次積層してなる薄膜キャパシタであって、前
記下部電極が、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロ
ジウム、イリジウム、パラジウム、白金、及び金からな
る群から選ばれる少なくとも1種の貴金属元素と、ハフ
ニウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、及びタングス
テンからなる群から選ばれる少なくとも1種の高融点金
属元素とを含む非晶質合金を主体とし、前記誘電体層
が、ペロブスカイト構造を有する酸化物誘電体からなる
ことを特徴とする薄膜キャパシタ。 - 【請求項2】 基板上に、下部電極、誘電体層、及び上
部電極を順次積層してなる薄膜キャパシタと、この薄膜
キャパシタに接続され、情報の読みだしを行うスイッチ
ング素子とを具備する半導体記憶装置であって、前記下
部電極が、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウ
ム、イリジウム、パラジウム、白金、及び金からなる群
から選ばれる少なくとも1種の貴金属元素と、ハフニウ
ム、ニオブ、タンタル、モリブデン、及びタングステン
からなる群から選ばれる少なくとも1種の高融点金属元
素とを含む非晶質合金を主体とし、前記誘電体層が、ペ
ロブスカイト構造を有する酸化物誘電体からなることを
特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06353996A JP3504058B2 (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 薄膜キャパシタおよび半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06353996A JP3504058B2 (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 薄膜キャパシタおよび半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09260603A JPH09260603A (ja) | 1997-10-03 |
JP3504058B2 true JP3504058B2 (ja) | 2004-03-08 |
Family
ID=13232133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06353996A Expired - Fee Related JP3504058B2 (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 薄膜キャパシタおよび半導体記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3504058B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102292814A (zh) * | 2009-02-02 | 2011-12-21 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储元件、非易失性存储装置、非易失性半导体装置和非易失性存储元件的制造方法 |
US9779797B2 (en) | 2014-03-17 | 2017-10-03 | Toshiba Memory Corporation | Non-volatile memory device |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6165623A (en) | 1996-11-07 | 2000-12-26 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
JP3169866B2 (ja) | 1997-11-04 | 2001-05-28 | 日本電気株式会社 | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
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US6051044A (en) | 1998-05-04 | 2000-04-18 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
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JP2002141483A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-05-17 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011258992A (ja) * | 2000-08-24 | 2011-12-22 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US6806553B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-10-19 | Kyocera Corporation | Tunable thin film capacitor |
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CN102842489A (zh) * | 2012-09-10 | 2012-12-26 | 西安电子科技大学 | 低偏移平带电压SiC MOS电容制备方法 |
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- 1996-03-19 JP JP06353996A patent/JP3504058B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US9779797B2 (en) | 2014-03-17 | 2017-10-03 | Toshiba Memory Corporation | Non-volatile memory device |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09260603A (ja) | 1997-10-03 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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