CN210781600U - 多层基板 - Google Patents

Abstract

多层基板(101)具备层叠多个绝缘基材层(11a、12a、13a)而形成的层叠体(10A)、具有多个安装电极(MP4、MP5、MP9、MP11)等的驱动器IC(1)、线圈(3A、3B)、和磁传感器(2A、2B)。驱动器IC(1)以及磁传感器(2A、2B)安装于层叠体(10A)。线圈(3A、3B)的第1端以及第2端经由导电性接合材料(4)而与驱动器IC(1)导通。经由导电性接合材料(4)的第1端(线圈导体(31A)的一端)与安装电极(MP5)之间的连接部位是一个部位。

Description

多层基板

技术领域

本实用新型涉及多层基板，特别涉及具备IC和形成于层叠体的线圈的多层基板。

背景技术

以往，已知有具备线圈、驱动器IC以及磁传感器等且通过电磁力来驱动的各种致动器。例如，在专利文献1中，公开了一种线圈、驱动器IC 以及磁传感器安装于基板而成的致动器。在上述致动器中，通过从线圈产生的磁场，能够移动设置有磁铁的可动体的位置。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2016-224262号公报

实用新型内容

实用新型要解决的课题

但是，在专利文献1所示的致动器中，由于如下那样的问题，有可能在致动器的特性中产生偏差。

(a)上述致动器是将线圈以及驱动器IC分别安装于基板的结构，因此驱动器IC相对于线圈的安装位置在安装时容易偏离。驱动器IC与线圈之间的布线中流过的电流，在上述致动器内也特别大，从上述布线也产生比较大的磁场。因此，若驱动器IC的安装位置偏离而在上述布线的路径中产生变化，则由于来自上述布线的磁场，从线圈产生的磁场有可能变化。

(b)此外，驱动器IC与磁传感器连接，基于从磁传感器得到的信息 (来自磁传感器的信号)来控制线圈中流过的电流。将驱动器IC与磁传感器之间连接的布线中流过的电流，与将线圈与驱动器IC之间连接的布线中流过的电流相比极其微小，容易受到噪声的影响。因此，受到从驱动器IC产生的磁场以及从将驱动器IC与线圈之间连接的布线产生的磁场的影响，驱动器IC有可能对来自磁传感器的信号进行误识别。

(c)进而，若驱动器IC相对于线圈的安装位置偏离，则由于来自该安装位置发生了偏离的驱动器IC的磁场，对磁铁的作用也有可能从规定状态变化。

本实用新型的目的在于，提供一种在具备线圈和驱动器IC的多层基板中，通过抑制驱动器IC相对于线圈的位置关系的偏离从而抑制了产生磁场的每个个体的偏差的多层基板。

用于解决课题的手段

(1)本实用新型的多层基板的特征在于，具备：

层叠体，层叠多个绝缘基材层而形成；

驱动器IC，安装于所述层叠体，具有多个安装电极；

线圈，形成于所述层叠体，具有经由导电性接合材料而与所述多个安装电极分别导通的第1端以及第2端；和

磁传感器，安装于所述层叠体，与所述驱动器IC连接，

经由所述导电性接合材料的所述第1端与所述安装电极之间的连接部位是一个部位。

通过该结构，较之于经由导电性接合材料的线圈的第1端与安装电极的连接部位有两个部位以上的情况，驱动器IC与线圈的位置关系不易偏离。因此，能够抑制驱动器IC相对于线圈的位置关系的偏离所引起的产生磁场的偏差。

(2)在上述(1)中，也可以是，所述导电性接合材料形成在将所述多个绝缘基材层的任意一者贯通的孔内。

(3)在上述(1)或(2)中，优选的是，经由所述导电性接合材料的所述第2端与所述安装电极之间的连接部位是一个部位。在该结构中，经由导电性接合材料的线圈的第1端与安装电极的连接部位、以及经由导电性接合材料的线圈的第2端与安装电极的连接部位均成为一个部位。因此，可进一步抑制驱动器IC相对于线圈的位置关系的偏离。

(4)在上述(1)至(3)的任一者中，优选的是，所述磁传感器具有第1磁传感器以及第2磁传感器，所述第1磁传感器以及第2磁传感器配置在相对于所述驱动器IC的中心成为对称的位置。通过该结构，即使在从驱动器IC等产生的磁场叠加了噪声，也能够使从驱动器IC等产生的磁场对第1磁传感器以及第2磁传感器的影响成为大致均等(同等程度)。因此，通过相加来自第1磁传感器以及第2磁传感器的信号从而噪声成分被消除，能够提高磁传感器对磁铁的位置检测精度。

(5)在上述(4)中，优选的是，所述驱动器IC与所述第1磁传感器之间的布线、以及所述驱动器IC与所述第2磁传感器之间的布线，相对于所述驱动器IC的中心对称。通过该结构，即使在从驱动器IC等产生的磁场叠加了噪声，也能够使从驱动器IC等产生的磁场对驱动器IC与磁传感器(第1磁传感器以及第2磁传感器)之间的布线的影响为大致均等 (同等程度)。因此，通过相加来自第1磁传感器以及第2磁传感器的信号从而噪声成分被消除，结果能够提高磁传感器对磁铁的位置检测精度。

(6)在上述(4)或(5)中，优选的是，所述线圈是单个的，所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器配置在相对于所述线圈的卷绕轴成为对称的位置。通过该结构，即使在从线圈辐射的磁场叠加了噪声，也能够使从线圈产生的磁场对第1磁传感器以及第2磁传感器的影响为大致均等 (同等程度)。因此，通过相加来自第1磁传感器以及第2磁传感器的信号从而噪声成分被消除，能够提高磁传感器对磁铁的位置检测精度。

(7)在上述(1)至(6)的任一者中，优选的是，还具备：第1连接电极以及第2连接电极，形成于所述绝缘基材层，经由所述导电性接合材料而与所述多个安装电极分别连接；第1连接导体，形成于所述绝缘基材层，将所述线圈的所述第1端与所述第1连接电极之间连接；和第2连接导体，形成于所述绝缘基材层，将所述线圈的所述第2端与所述第2连接电极之间连接，所述第1连接导体以及所述第2连接导体具有并行以使得电流的方向成为相反方向的并行部分。在该结构中，在上述并行部分，从对与磁铁相互作用的线圈的磁场的形成实质上没有贡献的第1连接导体以及第2连接导体所产生的磁通被抵消。因此，通过该结构，能够抑制来自线圈以外的部分(第1连接导体以及第2连接导体)的不必要的辐射。

实用新型效果

根据本实用新型，能够实现一种在具备线圈和驱动器IC的多层基板中，通过抑制驱动器IC相对于线圈的位置关系的偏离从而抑制了特性的偏差的多层基板。

附图说明

图1是第1实施方式涉及的多层基板101的俯视图。

图2(A)是图1中的A-A剖视图，图2(B)是图1中的B-B剖视图。

图3是多层基板101的分解俯视图。

图4是表示多层基板101的使用状态的剖视图。

图5是依次表示多层基板101的制造工序的剖视图。

图6是第2实施方式涉及的多层基板102的俯视图。

图7(A)是图6中的C-C剖视图，图7(B)是图6中的D-D剖视图。

图8是多层基板102的分解俯视图。

图9是依次表示多层基板102的制造工序的剖视图。

图10(A)是第3实施方式涉及的多层基板103的俯视图，图10(B) 是图10(A)中的E-E剖视图。

图11是多层基板103的分解俯视图。

图12(A)是第4实施方式涉及的多层基板104的立体图，图12(B) 是多层基板104的分解立体图。

图13(A)是多层基板104的俯视图，图13(B)是图13(A)中的 F-F剖视图。

图14是多层基板104的分解俯视图。

图15是表示多层基板104的使用状态的剖视图。

图16是依次表示多层基板104的制造工序的剖视图。

图17(A)是第5实施方式涉及的多层基板105的俯视图，图17(B) 是图17(A)中的G-G剖视图。

图18是多层基板105的分解俯视图。

图19是表示多层基板105的使用状态的剖视图。

图20是依次表示多层基板105的制造工序的剖视图。

具体实施方式

以下，参照图并列举几个具体的例子，来示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中对相同部位标注了相同符号。考虑到要点的说明或理解的容易性，为方便起见将实施方式分开示出，但能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合。在第2实施方式以后省略关于与第 1实施方式共同的事项的记述，仅针对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式逐次提及。

《第1实施方式》

图1是第1实施方式涉及的多层基板101的俯视图。图2(A)是图1 中的A-A剖视图，图2(B)是图1中的B-B剖视图。图3是多层基板 101的分解俯视图。在图2(A)以及图2(B)中，各部分的厚度夸大地进行了图示。这关于以后的各实施方式中的剖视图也是同样的。此外，在图3中，为了使构造易懂，用阴影线示出了线圈导体31A、31B、32A、 32B。

多层基板101具备层叠体10A、驱动器IC1、磁传感器2A、2B、和形成于层叠体10A的线圈3A、3B(后面详述)。驱动器IC1以及磁传感器2A、2B安装于层叠体10A。

驱动器IC1通过对线圈的供电进行控制，由此进行装配于可动体的磁铁(后面详述)的移动。如图1所示，驱动器IC1具有多个安装电极MP1、 MP2、MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8、MP9、MP10、MP11、MP12。多个安装电极MP1～MP12是形成于驱动器IC1的安装面(图2(A)以及图2(B)中的驱动器IC1的下表面)的矩形的电极。

磁传感器2A、2B是主要感测来自外部的磁场的元件，对装配于可动体的磁铁(后面详述。)的移动量进行检测。磁传感器2A、2B例如是利用了霍尔效应的霍尔元件。

层叠体10A是长边方向与X轴方向一致的大致长方体，具有相互对置的第1主面VS1以及第2主面VS2。在层叠体10A的第1主面VS1，形成有四个外部电极P1、P2、P3、P4。在多层基板101中，该第1主面 VS1是安装面。

层叠体10A依次层叠由树脂材料(热塑性树脂)构成的多个绝缘基材层11a、12a、13a而形成。多个绝缘基材层11a、12a、13a分别是长边方向与X轴一致的矩形的平板。多个绝缘基材层11a、12a、13a例如是以液晶聚合物为主材料的片材。

在绝缘基材层11a的表面，形成有导体21A、21B、22A、22B。导体 21A是配置在绝缘基材层11a的第1角(图3中的绝缘基材层11a的左下角)附近的L字形的导体。导体21B是配置在绝缘基材层11a的第2角(图 3中的绝缘基材层11a的右下角)附近的L字形的导体。导体22A是配置在绝缘基材层11a的第3角(图3中的绝缘基材层11a的左上角)附近的 L字形的导体。导体22B是配置在绝缘基材层11a的第4角(图3中的绝缘基材层11a的右上角)附近的L字形的导体。导体21A、21B、22A、 22B例如是Cu箔等的导体图案。

此外，在绝缘基材层11a的背面，形成有外部电极P1、P2、P3、P4。外部电极P1、P2、P3、P4是配置在绝缘基材层11a的中央附近的矩形的导体。外部电极P1、P2、P3、P4例如是Cu箔等的导体图案。

进而，在绝缘基材层11a，形成有层间连接导体V1、V2、V3、V4。

在绝缘基材层12a的表面，形成有线圈导体31A、31B、连接导体61A、 61B、63A、63B以及导体41、42、43、44、51A、51B、52A、52B。线圈导体31A是配置在绝缘基材层12a的比中央更靠第1边(图3中的绝缘基材层12a的左边)的位置的约1.5匝的矩形旋涡状的导体。线圈导体31B 是配置在绝缘基材层12a的比中央更靠第2边(图3中的绝缘基材层12a 的右边)的位置的约1.5匝的矩形旋涡状的导体。连接导体61A、61B是配置在绝缘基材层12a的第3边(图3中的绝缘基材层12a的下边)附近且在X轴方向上延伸的线状的导体。连接导体63A、63B是配置在绝缘基材层12a的第4边(图3中的绝缘基材层12a的上边)附近且在X轴方向上延伸的线状的导体。导体41、42、43、44、51A、51B、52A、52B是配置在绝缘基材层12a的中央附近的矩形的导体。线圈导体31A、31B、连接导体61A、61B、63A、63B以及导体41、42、43、44、51A、51B、52A、 52B例如是Cu箔等的导体图案。

此外，在绝缘基材层12a，连接有层间连接导体V21A、V21B、V22A、V22B、V41、V42、V43、V44以及开口AP3A、AP3B。开口AP3A是配合磁传感器2A的平面形状的贯通孔。开口AP3B是配合磁传感器2B的平面形状的贯通孔。开口AP3A、AP3B例如通过激光加工等形成。或者，开口AP3A、AP3B也可以通过冲压等进行起模而形成。

在绝缘基材层13a的表面，形成有线圈导体32A、32B以及连接导体 62A、62B。线圈导体32A是配置在绝缘基材层13a的比中央更靠第1边 (图3中的绝缘基材层13a的左边)的位置的约2匝的矩形旋涡状的导体。线圈导体32B是配置在绝缘基材层13a的比中央更靠第2边(图3中的绝缘基材层13a的右边)的位置的约2匝的矩形旋涡状的导体。连接导体62A、62B是在Y轴方向上延伸的线状的导体。线圈导体32A、32B以及连接导体62A、62B例如是Cu箔等的导体图案。

此外，在绝缘基材层13a，形成有层间连接导体V31A、V31B、V32A、 V32B以及开口AP1、AP2A、AP2B。开口AP1是配合驱动器IC1的平面形状的贯通孔。开口AP2A是配合磁传感器2A的平面形状的贯通孔。开口AP2B是配合磁传感器2B的平面形状的贯通孔。开口AP1、AP2A、AP2B例如通过激光加工等而形成。或者，开口AP1、AP2A、AP2B也可以通过冲压等进行起模而形成。

在本实施方式中，如图2(A)以及图2(B)所示，驱动器IC1的一部分埋设于层叠体10A，驱动器IC1的安装面(图2(A)中的驱动器IC1 的下表面)与绝缘基材层12a的表面(图2(A)中的绝缘基材层12a的上表面)对置。驱动器IC1的多个安装电极(图1所示的安装电极MP1～ MP12)经由导电性接合材料4而与形成于绝缘基材层12a的表面的导体 (图3所示的连接电极CP1A、CP1B、CP2A、CP2B以及导体41、42、 43、44、51A、51B、52A、52B)分别连接。导电性接合材料4例如是焊料等。

如图2(A)、图2(B)以及图3等所示，线圈导体31A的一端经由层间连接导体V31A而与线圈导体32A的一端连接。像这样，包含分别形成于多个绝缘基材层12a、13a的线圈导体31A、32A以及层间连接导体 V31A而构成约3.5匝的线圈3A。如图2(B)所示，线圈3A具有沿着多个绝缘基材层11a、12a、13a的层叠方向(Z轴方向)的卷绕轴AX1A。

线圈3A的第1端E1A以及第2端E2A分别与驱动器IC1的安装电极导通。具体来说，线圈3A的第1端E1A(线圈导体31A的另一端)与连接导体61A的一端连接。连接导体61A的另一端(连接电极CP1A)经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图1所示的安装电极MP5)连接。此外，线圈3A的第2端E2A(线圈导体32A的另一端)与连接导体62A的一端连接，连接导体62A的另一端经由层间连接导体 V32A而与连接导体63A的一端连接。连接导体63A的另一端(连接电极 CP2A)经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图1中的安装电极MP6)连接。如图2(A)等所示，经由导电性接合材料4的线圈 3A的第1端E1A与安装电极(MP5)之间的连接部位是一个部位。

此外，如图2(A)、图2(B)以及图3等所示，线圈导体31B的一端经由层间连接导体V31B而与线圈导体32B的一端连接。像这样，包含分别形成于多个绝缘基材层12a、13a的线圈导体31B、32B以及层间连接导体V31B而构成约3.5匝的线圈3B。如图2(B)所示，线圈3B具有沿着Z轴方向的卷绕轴AX1B。

此外，线圈3B的第1端E1B以及第2端E2B分别与驱动器IC1的安装电极导通。具体来说，线圈3B的第1端E1B(线圈导体31B的另一端) 与连接导体61B的一端连接。连接导体61B的另一端(连接电极CP1B) 经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图1所示的安装电极 MP7)连接。此外，线圈3B的第2端E2B(线圈导体32B的另一端)与连接导体62B的一端连接，连接导体62B的另一端经由层间连接导体V32B 而与连接导体63B的一端连接。连接导体63B的另一端(连接电极CP2B) 经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图1中的安装电极 MP8)连接。如图2(A)等所示，经由导电性接合材料4的线圈3B的第 1端E1B与安装电极(MP7)之间的连接部位是一个部位。

另外，在本实施方式中，示出了线圈3A的卷绕轴AX1A、线圈3B的卷绕轴AX1B与Z轴方向一致的例子，但并不限定于线圈3A的卷绕轴 AX1A(或线圈3B的卷绕轴AX1B)与Z轴方向严密地一致的结构。在本说明书中，所谓“沿着多个绝缘基材层的层叠方向的卷绕轴”例如包含线圈3A的卷绕轴AX1A(或线圈3B的卷绕轴AX1B)相对于Z轴方向为- 30°至+30°的范围的情况。

磁传感器2A与驱动器IC1连接。具体来说，磁传感器2A在安装面 (图2(A)中的磁传感器2A的下表面)具有端子，该磁传感器2A的端子经由导电性接合材料4而与导体21A、22A的一端分别连接。导体21A 的另一端经由导体51A、层间连接导体V21A以及导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图1中的安装电极MP9)连接。此外，导体22A 的另一端经由导体52A、层间连接导体V22A以及导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图1中的安装电极MP10)连接。

此外，磁传感器2B与驱动器IC1连接。具体来说，磁传感器2B在安装面(图2(A)中的磁传感器2B的下表面)具有端子，该磁传感器2B 的端子经由导电性接合材料4而与导体21B、22B的一端分别连接。导体 21B的另一端经由导体51B、层间连接导体V21B以及导电性接合材料4 而与驱动器IC1的安装电极(图1中的安装电极MP11)连接。此外，导体22B的另一端经由导体52B、层间连接导体V22B以及导电性接合材料 4而与驱动器IC1的安装电极(图1中的安装电极MP12)连接。

另外，在本说明书中，将磁传感器具有的端子记载为两个，但也可以为三个或四个。

此外，外部电极P1、P2、P3、P4分别与驱动器IC1的安装电极连接。具体来说，外部电极P1经由层间连接导体V1、V41而与导体41连接，该导体41经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图1所示的安装电极MP1)连接。外部电极P2经由层间连接导体V2、V42而与导体42连接，该导体42经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极 (图1所示的安装电极MP2)连接。外部电极P3经由层间连接导体V3、 V43而与导体43连接，该导体43经由导电性接合材料4而与驱动器IC1 的安装电极(图1所示的安装电极MP3)连接。外部电极P4经由层间连接导体V4、V44而与导体44连接，该导体44经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图1中的安装电极MP4)连接。

多层基板101例如如下这样使用。图4是表示多层基板101的使用状态的剖视图。

图4所示的磁铁5A、5B装配于可动体(未图示)。若在线圈3A、3B流过给定的电流，则由于从线圈3A、3B辐射的磁场，磁铁5A、5B在层叠方向(Z轴方向)的正交方向(Y轴方向)上发生位移(参照图4中的空白箭头。)。磁传感器2A、2B对磁铁5A、5B发生了位移时的磁场的变化进行感测。

根据本实施方式涉及的多层基板101，发挥如下那样的效果。

(a)在多层基板101中，如图2(A)所示，线圈3A、3B形成于层叠体10A，经由导电性接合材料4的线圈3A的第1端E1A(线圈导体31A 的另一端)与安装电极(MP5)的连接部位是一个部位。此外，经由导电性接合材料4的线圈3B的第1端E1B(线圈导体31B的另一端)与安装电极(MP7)的连接部位是一个部位。通过该结构，较之于经由导电性接合材料4的线圈的第1端与安装电极的连接部位有两个部位以上的情况 (例如，经由导电性接合材料而将驱动器IC和作为芯片部件的线圈分别安装于基板等的情况)，驱动器IC1与线圈3A、3B的位置关系变得不易偏离。因此，通过该结构，能够抑制驱动器IC1相对于线圈的位置关系的偏离所引起的产生磁场的偏差。

(b)此外，在多层基板101中，形成层叠体10A的多个绝缘基材层 11a、12a、13a由树脂材料构成。如图1以及图2(B)所示，驱动器IC1 的至少一部分配置在线圈形成区域CE1A(线圈3A的形成区域)与线圈形成区域CE1B(线圈3B的形成区域)之间。一般来说，线圈等导体与由树脂材料构成的绝缘基材层相比刚性相对较高。即，在多层基板101中，驱动器IC1被与由树脂材料构成的绝缘基材层相比刚性相对较高的构件夹着(包围)，因此即使在对层叠体10A施加了外力的情况下也可抑制驱动器IC1和线圈的位置关系的偏离。

(c)在多层基板101中，多个绝缘基材层11a、12a、13a由热塑性树脂的树脂材料构成。此外，驱动器IC1收纳在由多个绝缘基材层11a、12a、 13a形成的空腔(后面详述。)内，但通过该结构，在形成层叠体10A时的加热加压时，流动的绝缘基材层的一部分会流入空腔内。因此，可抑制上述空腔内的间隙的产生，不易发生一部分埋设于层叠体10A内部的驱动器IC1的固定不良。因此，驱动器IC1和层叠体10A内的导体的电连接可靠性提高。

此外，根据该结构，如后面详述的那样，通过对层叠的多个绝缘基材层11a、12a、13a进行一并压制，从而能够容易地形成多层基板101(层叠体10A)，因此可削减制造工序的工时，能够将成本抑制得较低。

另外，在多层基板101中，示出了驱动器IC1的一部分以及磁传感器 2A、2B的一部分埋设于层叠体10A的内部的例子，但并非限定于该结构。驱动器IC1以及磁传感器2A、2B也可以在形成了层叠体10A后进行安装。例如，在由刚性低的封装件形成的磁传感器埋设于层叠体10A的内部的情况下，由于对层叠体10A施加外力而产生的应力容易传递，磁传感器的特性有可能变化。因此，还存在最好不将驱动器IC或磁传感器埋设于层叠体以使得应力不易传递的情况。

本实施方式涉及的多层基板101例如通过如下的工序来制造。图5是依次表示多层基板101的制造工序的剖视图。另外，在图5中，为了说明的方便而以单个芯片(单片)时的制造工序进行说明，但安装的多层基板的制造工序以集合基板状态来进行。

如图5中的(1)所示，首先准备多个绝缘基材层11a、12a、13a。绝缘基材层11a、12a、13a例如是液晶聚合物(LCP)或聚醚醚酮(PEEK) 等的热塑性树脂片。

然后，在绝缘基材层11a、12a、13a形成线圈导体31A、31B、32A、 32B等、连接导体、外部电极P2、P4等以及导体21A、21B、42、44等。

具体来说，在集合基板状态的绝缘基材层11a的两主面层压金属箔(例如Cu箔)，然后，通过光刻对该金属箔进行图案化，由此形成外部电极 P2、P4等以及导体21A、21B等。此外，在集合基板状态的绝缘基材层12a的一个主面层压金属箔(例如Cu箔)，然后，通过光刻对该金属箔进行图案化，由此形成线圈导体31A、31B等、连接导体以及导体42、44 等。此外，在集合基板状态的绝缘基材层13a的一个主面层压金属箔(例如Cu箔)，然后，通过光刻对该金属箔进行图案化，由此形成线圈导体 32A、32B以及连接导体。

接着，在绝缘基材层12a安装驱动器IC1、磁传感器2A、2B。具体来说，驱动器IC1在安装面(图5中的驱动器IC1的下表面)具有多个安装电极，将这些多个安装电极经由导电性接合材料4而与形成于绝缘基材层12a的表面的导体(图3所示的连接电极CP1A、CP1B、CP2A、CP2B以及导体41、42、43、44、51A、51B、52A、52B)连接。此外，磁传感器 2A、2B在安装面(图5中的磁传感器2A、2B的下表面)具有端子，将这些端子经由导电性接合材料4而与形成于绝缘基材层12a的表面的导体连接。另外，导电性接合材料4有可能在后面的加热加压时熔融而引起连接不良，因此优选为熔点(熔融温度)比加热加压时的温度高的材料。

驱动器IC1通过对线圈的供电进行控制，由此进行装配于可动体的磁铁的移动。磁传感器2A、2B例如是利用了霍尔效应的霍尔元件。

另外，在多个绝缘基材层11a、12a、13a形成层间连接导体V2、V4、 V31A、V31B、V42、V44等。层间连接导体通过如下方式来设置，即，在绝缘基材层11a、12a、13a利用激光等设置了贯通孔之后，配设(填充) 包含Cu、Ag、Sn、Ni、Mo等之中的一种以上或者它们的合金的导电性膏，并在后面的加热加压中使其硬化(固化)。因此，层间连接导体采用熔点 (熔融温度)比后面的加热加压时的温度低的材料。

此外，在绝缘基材层12a、13a形成开口AP1、AP2A、AP2B、AP3A、 AP3B。开口AP1是配合驱动器IC1的平面形状的贯通孔。开口AP2A、 AP3A是配合磁传感器2A的平面形状的贯通孔。开口AP2B、AP3B是配合磁传感器2B的平面形状的贯通孔。开口AP1、AP2A、AP2B、AP3A、AP3B例如通过激光加工等而形成。或者，开口AP1、AP2A、AP2B、AP3A、 AP3B也可以通过冲压等进行起模而形成。

接着，如图5中的(2)(3)所示，依次层叠绝缘基材层11a、12a、 13a。此时，在所层叠的多个绝缘基材层11a、12a、13a的内部构成沿着驱动器IC1的形状的空腔，在该空腔内收纳驱动器IC1。此外，在所层叠的多个绝缘基材层11a、12a、13a的内部构成沿着磁传感器2A、2B的形状的空腔，在该空腔内收纳磁传感器2A、2B。

在层叠了多个绝缘基材层11a、12a、13a之后，对所层叠的绝缘基材层11a、12a、13a进行加热加压，由此形成集合基板状态的层叠体10A。在层叠体10A的形成时(加热加压时)，绝缘基材层12a、13a的一部分流入上述空腔内，驱动器IC1的一部分、磁传感器2A、2B的一部分被热塑性树脂覆盖。

最后，从集合基板分离为各个单片，得到多层基板101。

通过上述制造方法，能够容易地制造抑制了驱动器IC1相对于线圈的位置关系的偏离所引起的产生磁场的偏差的多层基板。

此外，根据上述制造方法，通过对所层叠的多个绝缘基材层11a、12a、 13a进行一并压制，从而能够容易地形成多层基板101(层叠体10A)，因此可削减制造工序的工时，能够将成本抑制得较低。

另外，在上述制造方法中，在进行加热加压之前的绝缘基材层12a安装了驱动器IC1以及磁传感器2A、2B，但并不限定于该制造方法。驱动器IC1以及磁传感器2A、2B也可以在形成了层叠体10A之后进行安装。

《第2实施方式》

在第2实施方式中，示出将驱动器IC的安装电极经由焊料以外的导电性接合材料而与形成于绝缘基材层的导体连接的多层基板的例子。

图6是第2实施方式涉及的多层基板102的俯视图。图7(A)是图6 中的C-C剖视图，图7(B)是图6中的D-D剖视图。图8是多层基板 102的分解俯视图。此外，在图8中，为了使构造易懂，用阴影线示出了线圈导体31A、31B、32A、32B。

多层基板102具备层叠体10B、驱动器IC1、磁传感器2A、2B、和形成于层叠体10B的线圈3A、线圈3B(后面详述)。

多层基板102的层叠体10B的层叠数以及形成于多个绝缘基材层的导体的结构与第1实施方式涉及的多层基板101不同。关于其他的结构，与多层基板101实质上相同。

以下，针对与第1实施方式涉及的多层基板101不同的部分进行说明。

层叠体10B依次层叠由树脂材料(热塑性树脂)构成的多个绝缘基材层11b、12b、13b、14b而形成。多个绝缘基材层11b、12b、13b、14b与在第1实施方式中说明的绝缘基材层11a、12a、13a相同，例如是以液晶聚合物为主材料的片材。

在绝缘基材层11b的背面，形成有外部电极P1、P2、P3、P4以及导体21A、21B、22A、22B。外部电极P1、P2、P3、P4以及导体21A、21B、 22A、22B的结构与在第1实施方式中说明的结构实质上相同。

此外，在绝缘基材层11b，形成有层间连接导体V1、V2、V3、V4、V11A、V11B、V12A、V12B、V13A、V13B、V14A、V14B。

在绝缘基材层12b的背面，形成有线圈导体31A、31B、连接导体61A、 61B、63A、63B以及导体41、42、43、44、51A、51B、52A、52B。线圈导体31A、31B、连接导体61A、61B、63A、63B以及导体41、42、43、 44、51A、51B、52A、52B的结构与在第1实施方式中说明的结构实质上相同。

此外，在绝缘基材层12b，形成有层间连接导体V21A、V21B、V22A、 V22B、V31A、V31B、V32A、V32B、V33A、V33B、V34A、V34B、V41、 V42、V43、V44以及开口AP3A、AP3B。开口AP3A、AP3B的结构与在第1实施方式中说明的结构相同。

在绝缘基材层13b的背面，形成有线圈导体32A、32B以及连接导体 62A、62B。线圈导体32A、32B以及连接导体62A、62B的结构与在第1 实施方式中说明的结构实质上相同。

此外，在绝缘基材层13b，形成有开口AP1、AP2A、AP2B。开口AP1、 AP2A、AP2B的结构与在第1实施方式中说明的结构相同。

在本实施方式中，如图7(A)以及图7(B)所示，驱动器IC1的一部分埋设于层叠体10B，驱动器IC1的安装面(图7(A)中的驱动器IC1 的下表面)与绝缘基材层12b的表面(图7(A)中的绝缘基材层12b的上表面)对置。驱动器IC1的多个安装电极(图6所示的安装电极MP1～MP12)经由层间连接导体V21A、V21B、V22A、V22B、V31A、V31B、 V34A、V34B、V41、V42、V43、V44而与形成于绝缘基材层12b的背面的导体(图8所示的连接导体61A、61B、63A、63B以及导体41、42、 43、44、51A、51B、52A、52B)分别连接。

如图7(A)、图7(B)以及图8等所示，线圈导体31A的一端经由层间连接导体V32A而与线圈导体32A的一端连接。像这样，包含分别形成于多个绝缘基材层12b、13b的线圈导体31A、32A以及层间连接导体 V32A而构成约3.5匝的线圈3A。

线圈3A的第1端E1A以及第2端E2A分别与驱动器IC1的安装电极导通。具体来说，线圈3A的第1端E1A(线圈导体31A的另一端)与连接导体61A的一端连接。连接导体61A的另一端(连接电极CP1A)经由层间连接导体V31A而与驱动器IC1的安装电极(图6所示的安装电极MP5)连接。此外，线圈3A的第2端E2A(线圈导体32A的另一端)与连接导体62A的一端连接，连接导体62A的另一端经由层间连接导体 V33A而与连接导体63A的一端连接。连接导体63A的另一端(连接电极 CP2A)经由层间连接导体V34A而与驱动器IC1的安装电极(图6中的安装电极MP6)连接。

此外，如图7(A)、图7(B)以及图8等所示，线圈导体31B的一端经由层间连接导体V32B而与线圈导体32B的一端连接。像这样，包含分别形成于多个绝缘基材层12b、13b的线圈导体31B、32B以及层间连接导体V32B而构成约3.5匝的线圈3B。

此外，线圈3B的第1端E1B以及第2端E2B分别与驱动器IC1的安装电极导通。具体来说，线圈3B的第1端E1B(线圈导体31B的另一端) 与连接导体61B的一端连接。连接导体61B的另一端(连接电极CP1B) 经由层间连接导体V31B而与驱动器IC1的安装电极(图1所示的安装电极MP7)连接。此外，线圈3B的第2端E2B(线圈导体32B的另一端) 与连接导体62B的一端连接，连接导体62B的另一端经由层间连接导体 V33B而与连接导体63B的一端连接。连接导体63B的另一端(连接电极 CP2B)经由层间连接导体V34B而与驱动器IC1的安装电极(图1中的安装电极MP8)连接。

层间连接导体V31A、V31B、V34A、V34B如后面详述的那样是在贯通绝缘基材层12b的孔内填充的导电性接合材料。如图7(A)等所示，经由层间连接导体(导电性接合材料)的线圈3A的第1端E1A与安装电极MP5之间的连接部位是一个部位。此外，经由层间连接导体(导电性接合材料)的线圈3B的第1端E1B与安装电极MP7之间的连接部位是一个部位。

磁传感器2A的端子与驱动器IC1连接。具体来说，磁传感器2A的端子经由层间连接导体V11A、V13A而与导体21A、22A的一端分别连接。导体21A的另一端经由导体51A以及层间连接导体V12A、V21A而与驱动器IC1的安装电极(图6中的安装电极MP9)连接。此外，导体22A的另一端经由导体52A以及层间连接导体V14A、V22A而与驱动器IC1 的安装电极(图6中的安装电极MP10)连接。

此外，磁传感器2B的端子与驱动器IC1连接。具体来说，磁传感器 2B的端子经由层间连接导体V11B、V13B而与导体21B、22B的一端分别连接。导体21B的另一端经由导体51B以及层间连接导体V12B、V21B 而与驱动器IC1的安装电极(图6中的安装电极MP11)连接。此外，导体22B的另一端经由导体52B以及层间连接导体V14B、V22B而与驱动器IC1的安装电极(图6中的安装电极MP12)连接。

此外，外部电极P1、P2、P3、P4分别与驱动器IC1的安装电极连接。具体来说，外部电极P1经由导体41以及层间连接导体V1、V41而与驱动器IC1的安装电极(图6所示的安装电极MP1)连接。外部电极P2经由导体42以及层间连接导体V2、V42而与驱动器IC1的安装电极(图6 所示的安装电极MP2)连接。外部电极P3经由导体43以及层间连接导体 V3、V43而与驱动器IC1的安装电极(图6所示的安装电极MP3)连接。外部电极P4经由导体44以及层间连接导体V4、V44而与驱动器IC1的安装电极(图6中的安装电极MP4)连接。

本实施方式涉及的多层基板102例如通过如下那样的工序来制造。图 9是依次表示多层基板102的制造工序的剖视图。另外，在图9中，为了说明的方便而以单个芯片(单片)时的制造工序进行说明，但安装的多层基板的制造工序以集合基板状态来进行。

如图9中的(1)所示，首先准备多个绝缘基材层11b、12b、13b、14b。绝缘基材层11b、12b、13b、14b例如是液晶聚合物(LCP)或聚醚醚酮 (PEEK)等的热塑性树脂片。

然后，在绝缘基材层11b、12b、13b形成线圈导体31A、31B、32A、 32B等、连接导体、外部电极P2、P4等以及导体21A、21B、42、44等。

具体来说，在集合基板状态的绝缘基材层11b的另一个主面层压金属箔(例如Cu箔)，然后，通过光刻对该金属箔进行图案化，由此形成外部电极P2、P4等以及导体21A、21B等。此外，在集合基板状态的绝缘基材层12b的另一个主面层压金属箔(例如Cu箔)，然后，通过光刻对该金属箔进行图案化，由此形成线圈导体31A、31B等、连接导体以及导体42、44等。此外，在集合基板状态的绝缘基材层13b的另一个主面层压金属箔(例如Cu箔)，然后，通过光刻对该金属箔进行图案化，由此形成线圈导体32A、32B、连接导体。

另外，在多个绝缘基材层11b、12b，形成层间连接导体V2、V4、V11A、 V11B、V32A、V32B、V42、V44等。层间连接导体通过如下方式来设置，即，在绝缘基材层11b、12b利用激光等设置了贯通孔之后，配设(填充) 包含Cu、Ag、Sn、Ni、Mo等之中的一种以上或者它们的合金的导电性膏，并在后面的加热加压中使其硬化(固化)。因此，层间连接导体采用熔点 (熔融温度)比后面的加热加压时的温度低的材料。

此外，在绝缘基材层12b、13b形成开口AP1、AP2A、AP2B、AP3A、 AP3B。开口AP1是配合驱动器IC1的平面形状的贯通孔。开口AP2A、 AP3A是配合磁传感器2A的平面形状的贯通孔。开口AP2B、AP3B是配合磁传感器2B的平面形状的贯通孔。

接着，如图9中的(2)所示，依次层叠绝缘基材层11b、12b、13b、 14b。此时，通过形成于绝缘基材层13b的开口AP1和多个绝缘基材层12b、 14b，在所层叠的多个绝缘基材层11b、12b、13b、14b的内部构成沿着驱动器IC1的形状的空腔，在该空腔内收纳驱动器IC1。此外，通过形成于绝缘基材层12b、13b的开口AP2A、AP3A、AP2B、AP3B和多个绝缘基材层11b、14b，在所层叠的多个绝缘基材层11b、12b、13b、14b的内部构成沿着磁传感器2A、2B的形状的空腔，在该空腔内收纳磁传感器2A、 2B。

然后，如图9中的(2)(3)所示，通过对所层叠的绝缘基材层11b、 12b、13b、14b进行加热加压(一并压制)，由此形成集合基板状态的层叠体10B。在层叠体10B的形成时(加热加压时)，绝缘基材层12b、13b、 14b的一部分流入上述空腔内，驱动器IC1整体、磁传感器2A、2B整体被热塑性树脂覆盖。

最后，从集合基板分离为各个单片，得到图9中的(3)所示的多层基板102。另外，在层叠体10B的第2主面VS2，也可以形成覆盖导体21A、 21B等导体的保护膜(例如，阻焊膜、覆盖膜等)。

根据本实施方式涉及的多层基板102，除了在第1实施方式中叙述的效果以外，还发挥如下的效果。

(a)在多层基板102中，驱动器IC1整体被热塑性树脂覆盖。因此，与驱动器IC1的一部分被热塑性树脂覆盖的结构相比，可进一步抑制收纳驱动器IC1的空腔内的间隙的产生。因此，通过该结构，驱动器IC1与层叠体10B内的导体的电连接可靠性进一步提高。

(b)此外，在多层基板102中，磁传感器2A、2B整体被热塑性树脂覆盖。因此，与磁传感器2A、2B的一部分被热塑性树脂覆盖的结构相比，可进一步抑制收纳磁传感器2A、2B的空腔内的间隙的产生。因此，通过该结构，磁传感器2A、2B和层叠体10B内的导体的电连接可靠性进一步提高。

(c)在多层基板102中，不需要经由焊料等导电性接合材料对驱动器IC1、磁传感器2A、2B进行连接。因此，根据上述制造方法，与在第1实施方式中说明的制造方法相比，可进一步削减制造工序的工时，能够将成本抑制得更低。

《第3实施方式》

在第3实施方式中，示出线圈的结构与第1实施方式不同的例子。

图10(A)是第3实施方式涉及的多层基板103的俯视图，图10(B) 是图10(A)中的E-E剖视图。图11是多层基板103的分解俯视图。

多层基板103具备层叠体10C、驱动器IC1、磁传感器2A、2B、和形成于层叠体10C的多个线圈3A、线圈3B(后面详述)。

多层基板103的线圈3A、3B的结构与第1实施方式涉及的多层基板 101不同。关于其他的结构，与多层基板101实质上相同。

以下，针对与第1实施方式涉及的多层基板101不同的部分进行说明。

层叠体10C依次层叠由树脂材料(热塑性树脂)构成的多个绝缘基材层11c、12c、13c而形成。多个绝缘基材层11c、12c、13c的结构与在第 1实施方式中说明的绝缘基材层11a、12a、13a相同。

在绝缘基材层11c的表面，形成导体21A、21B、22A、22B。在绝缘基材层11c的背面，形成外部电极P1、P2、P3、P4。导体21A、21B、22A、 22B以及外部电极P1、P2、P3、P4的结构与在第1实施方式中说明的结构相同。

此外，在绝缘基材层11c形成有层间连接导体V1、V2、V3、V4。

在绝缘基材层12c的表面，形成有线圈导体30A、30B(线圈3A、3B)、连接导体61A、61B、62A、62B以及导体41、42、43、44、51A、51B、 52A、52B。线圈导体30A、30B是沿着绝缘基材层12c的长边方向形成为曲折线状的导体。线圈导体30A配置在绝缘基材层12c的比中央更靠第1 边(图11中的绝缘基材层12c的左边)的位置。线圈导体30B配置在绝缘基材层12c的比中央更靠第2边(图11中的绝缘基材层12c的右边) 的位置。连接导体61A、61B是配置在绝缘基材层12c的第3边(图11 中的绝缘基材层12c的下边)附近且在X轴方向上延伸的线状的导体。连接导体62A、62B是配置在绝缘基材层12c的第4边(图11中的绝缘基材层12c的上边)附近且简要来说在X轴方向上延伸的线状的导体。导体 41、42、43、44、51A、51B、52A、52B的结构与在第1实施方式中说明的结构相同。

此外，在绝缘基材层12c形成有层间连接导体V21A、V21B、V22A、 V22B、V41、V42、V43、V44以及开口AP3A、AP3B。开口AP3A、AP3B 的结构与在第1实施方式中说明的结构相同。

在绝缘基材层13c，形成有开口AP1、AP2A、AP2B。开口AP1、AP2A、 AP2B的结构与在第1实施方式中说明的结构相同。

在本实施方式中，如图10(B)所示，驱动器IC1的一部分埋设于层叠体10C，驱动器IC1的安装面(图10(B)中的驱动器IC1的下表面) 与绝缘基材层12c的表面(图10(B)中的绝缘基材层12c的上表面)对置。驱动器IC1的多个安装电极(图10所示的安装电极MP1～MP12)经由导电性接合材料4而与形成于绝缘基材层12c的表面的导体(图11所示的连接电极CP1A、CP1B、CP2A、CP2B以及导体41、42、43、44、 51A、51B、52A、52B)分别连接。

线圈3A(线圈导体30A)的第1端E1A以及第2端E2A分别与驱动器IC1的安装电极导通。具体来说，线圈3A的第1端E1A(线圈导体30A 的一端)经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图10(A) 所示的安装电极MP5)连接。此外，线圈3A的第2端E2A(线圈导体30A 的另一端)经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图10中的安装电极MP6)连接。如图10(B)以及图11所示，经由导电性接合材料4的线圈3A的第1端E1A与安装电极(MP5)之间的连接部位是一个部位。此外，经由导电性接合材料4的线圈3A的第2端E2A与安装电极(MP6)之间的连接部位是一个部位。

此外，线圈3B(线圈导体30B)的第1端E1B以及第2端E2B分别与驱动器IC1的安装电极导通。具体来说，线圈3B的第1端E1B(线圈导体30B的一端)经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图 10(A)所示的安装电极MP7)连接。此外，线圈3B的第2端E2B(线圈导体30B的另一端)经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极 (图10(B)中的安装电极MP8)连接。如图10(B)以及图11所示，经由导电性接合材料4的线圈3B的第1端E1B与安装电极(MP7)之间的连接部位是一个部位。此外，经由导电性接合材料4的线圈3B的第2 端E2B与安装电极(MP8)之间的连接部位是一个部位。

根据本实施方式涉及的多层基板103，除了在第1实施方式中叙述的效果以外，还发挥如下的效果。(a)在多层基板103中，经由导电性接合材料4的线圈3A的第2端E2A(线圈导体30A的另一端)与安装电极 (MP6)的连接部位是一个部位。此外，经由导电性接合材料4的线圈3B 的第2端E2B(线圈导体30B的另一端)与安装电极(MP8)的连接部位是一个部位。在该结构中，经由导电性接合材料的线圈的第1端与安装电极的连接部位、以及经由导电性接合材料的线圈的第2端与安装电极的连接部位均成为一个部位。因此，可进一步抑制驱动器IC1相对于线圈3A、 3B的位置关系的偏离。

《第4实施方式》

在第4实施方式中，示出线圈的结构与以上所示的各实施方式不同的例子。

图12(A)是第4实施方式涉及的多层基板104的立体图，图12(B) 是多层基板104的分解立体图。图13(A)是多层基板104的俯视图，图 13(B)是图13(A)中的F-F剖视图。图14是多层基板104的分解俯视图。另外，在图14中，为了使构造易懂，用阴影线示出了第1线圈部LP1(线圈导体31A、32A)，用交叉阴影线示出了第2线圈部LP2(线圈导体31B、32B)。

多层基板104具备层叠体10D、驱动器IC1、磁传感器2A、2B、和形成于层叠体10D的线圈3(后面详述)。

多层基板104的线圈3的结构与第1实施方式涉及的多层基板101不同。此外，多层基板104与多层基板101的不同点在于，驱动器IC1、磁传感器2A、2B安装于层叠体10D的第2主面VS2。关于其他的结构，与多层基板101实质上相同。

以下，针对与第1实施方式涉及的多层基板101不同的部分进行说明。

层叠体10D依次层叠由树脂材料(热塑性树脂)构成的多个绝缘基材层11d、12d以及保护层6而形成。多个绝缘基材层11d、12d的结构与在第1实施方式中说明的绝缘基材层11a、12a、13a相同。保护层6例如是阻焊膜、覆盖膜等。

在绝缘基材层11d的表面，形成线圈导体32A、32B以及连接导体62。线圈导体32A是配置在绝缘基材层11d的比中央更靠第1边(图14中的绝缘基材层11d的左边)的位置的约2匝的矩形旋涡状的导体。线圈导体 32B是配置在绝缘基材层11d的比中央更靠第2边(图14中的绝缘基材层11d的右边)的位置的约2匝的矩形旋涡状的导体。线圈导体32A以及线圈导体32B的卷绕方向相反。连接导体62是线状的导体。如图14所示，线圈导体32A的一端经由连接导体62而与线圈导体32B的一端连接。线圈导体32A、32B以及连接导体62例如是Cu箔等的导体图案。

在绝缘基材层11d的背面，形成有外部电极P1、P2、P3、P4。外部电极P1、P2、P3、P4是配置在绝缘基材层11d的第1角(图14中的绝缘基材层11d的左下角)附近的矩形的导体。

此外，在绝缘基材层11d形成有层间连接导体V1、V2、V3、V4。

在绝缘基材层12d的表面，形成有线圈导体31A、31B、连接导体61、 63以及导体41、42、43、44、21A、21B、22A、22B。线圈导体31A是配置在绝缘基材层12d的比中央更靠第1边(图14中的绝缘基材层12d 的左边)的位置的约1.5匝的矩形旋涡状的导体。线圈导体31B是配置在绝缘基材层12d的比中央更靠第2边(图14中的绝缘基材层12d的右边) 的位置的约1.5匝的矩形旋涡状的导体。连接导体61、63是线状的导体。导体21A、22A是配置在绝缘基材层12d的第1角(图14中的绝缘基材层12d的左下角)附近的L字形的导体。导体21A、22A简要来说并行。导体21B、22B是配置在绝缘基材层12d的第2角(图14中的绝缘基材层 12d的右下角)附近的L字形的导体。导体21B、22B简要来说并行。导体41、42、43、44是配置在绝缘基材层12d的第1角附近的矩形的导体。线圈导体31A、31B以及导体21A、21B、22A、22B、41、42、43、44例如是Cu箔等的导体图案。

在本实施方式中，该连接导体61相当于本实用新型中的“第1连接导体”。

保护层6是形成在绝缘基材层12d的表面(第2主面VS2侧的面)的大致整面，且覆盖形成于绝缘基材层12d的表面的导体的树脂膜。

保护层6在与连接导体61的一端(连接电极CP1)、连接导体63的一端(连接电极CP2)、导体21A的一端(电极部71A)、导体22A的一端(电极部81A)、导体21B的一端(电极部71B)、导体22B的一端 (电极部81B)、以及导体41、42、43、44相应的位置具有多个开口部OP1。因此，通过在绝缘基材层12d的上表面形成保护层6，从而连接电极CP1、CP2、电极部71A、71B、81A、81B以及导体41、42、43、44 从第2主面VS2露出。

此外，保护层6在与导体21A的另一端(电极部72A)以及导体22A 的另一端(电极部82A)相应的位置具有多个开口部OP2，在与导体21B 的另一端(电极部72B)以及导体22B的另一端(电极部82B)相应的位置具有多个开口部OP3。因此，通过在绝缘基材层12d的上表面形成保护层6，从而电极部72A、72B、82A、82B从第2主面VS2露出。

在本实施方式中，如图12(A)、图12(B)以及图13(B)所示，驱动器IC1安装于层叠体10D的第2主面VS2。驱动器IC1的多个安装电极(图13(A)所示的安装电极MP1～MP10)经由导电性接合材料4而与从第2主面VS2露出的导体(图14所示的连接电极CP1、CP2以及电极部71A、71B、81A、81B以及导体41、42、43、44)分别连接。

如图14等所示，线圈导体31A的一端经由层间连接导体V31A而与线圈导体32A的另一端连接。在本实施方式中，包含分别形成于多个绝缘基材层11d、12d的线圈导体31A、32A而构成约3.5匝的第1线圈部LP1。此外，线圈导体31B的一端经由层间连接导体V31B而与线圈导体32B的另一端连接。在本实施方式中，包含分别形成于多个绝缘基材层11d、12d 的线圈导体31B、32B而构成约3.5匝的第2线圈部LP2。第1线圈部LP1 的一端(线圈导体32A的一端)经由连接导体62而与第2线圈部LP2的一端(线圈导体32B的一端)连接。像这样，在本实施方式中，第1线圈部LP1和第2线圈部LP2被串联连接。

如图13(B)等所示，在本实施方式中，由第1线圈部LP1、第2线圈部LP2以及连接导体62构成线圈3。

如图14所示，线圈3的第1端E1(线圈导体31A的另一端)与连接导体61的一端连接。连接导体61的另一端(连接电极CP1)经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图13(A)所示的安装电极MP5) 连接。即，连接导体61将线圈3的第1端E1与连接电极CP1之间连接。

在本实施方式中，该连接电极CP1相当于本实用新型中的“第1连接电极”，连接导体61相当于本实用新型中的“第1连接导体”。

此外，线圈3的第2端E2(线圈导体31B的另一端)与连接导体63 的一端连接。连接导体63的另一端(连接电极CP2)经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图13(A)所示的安装电极MP6)连接。即，连接导体63将线圈3的第2端E2与连接电极CP2之间连接。

在本实施方式中，连接电极CP2相当于本实用新型中的“第2连接电极”，连接导体63相当于本实用新型中的“第2连接导体”。

如图14所示，连接导体61(第1连接导体)以及连接导体63(第2 连接导体)具有并行以使得电流的方向成为相反方向的并行部分CML。

磁传感器2A的端子与驱动器IC1连接。具体来说，磁传感器2A的端子经由导电性接合材料4而与导体21A、22A的一端分别连接。导体21A 的另一端经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图13(A) 中的安装电极MP7)连接。此外，导体22A的另一端经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图13(A)中的安装电极MP8)连接。

此外，磁传感器2B的端子与驱动器IC1连接。具体来说，磁传感器 2B的端子经由导电性接合材料4而与导体21B、22B的一端分别连接。导体21B的另一端经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图13(A)中的安装电极MP9)连接。此外，导体22B的另一端经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图13(A)中的安装电极MP10) 连接。

此外，外部电极P1、P2、P3、P4分别与驱动器IC1的安装电极连接。具体来说，外部电极P1经由层间连接导体V1、V41而与导体41连接，该导体41经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图13(A) 所示的安装电极MP1)连接。外部电极P2经由层间连接导体V2、V42而与导体42连接，该导体42经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图13(A)所示的安装电极MP2)连接。外部电极P3经由层间连接导体V3、V43而与导体43连接，该导体43经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图13(A)所示的安装电极MP3)连接。外部电极P4经由层间连接导体V4、V44而与导体44连接，该导体44经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极(图13(A)中的安装电极 MP4)连接。

多层基板104例如如下这样来使用。图15是表示多层基板104的使用状态的剖视图。

图15所示的磁铁5A、5B装配于可动体7。若在线圈(参照图13(B) 中的线圈3)流过给定的电流，则由于从线圈辐射的磁场，磁铁5A、5B 在层叠方向(Z轴方向)的正交方向(Y轴方向)上发生位移(参照图15 中的空白箭头。)。磁传感器2A、2B对磁铁5A、5B发生了位移时的磁场的变化进行感测。

根据本实施方式涉及的多层基板104，除了在第1实施方式中叙述的效果以外，还发挥如下的效果。

(a)在多层基板104中，连接导体61(第1连接导体)以及连接导体63(第2连接导体)具有并行以使得电流的方向成为相反方向的并行部分CML。在该结构中，在上述并行部分CML，从对与磁铁相互作用的线圈3的磁场的形成实质上没有贡献的连接导体(连接导体61、63)产生的磁通被抵消。因此，能够抑制来自线圈以外的部分(第1连接导体以及第 2连接导体)的不必要的辐射。

另外，在本实施方式中，连接导体63在线圈导体31A的-Y方向侧并行，因此在连接导体63和线圈导体31A的接近部AC，在相同方向上流动电流。因此，在与线圈导体31A的接近部，能够抑制线圈3(第1线圈部LP1)的电感的下降。假设连接导体63在线圈导体31A的+Y方向以及-X方向侧接近的情况下，在连接导体63与线圈导体31A的接近部在相反方向上流动电流，因此在连接导体63与线圈导体31A的接近部，线圈的电感会下降。

本实施方式涉及的多层基板104例如通过如下的工序来制造。图16 是依次表示多层基板104的制造工序的剖视图。另外，在图16中，为了说明的方便而以单个芯片(单片)时的制造工序进行说明，但安装的多层基板的制造工序以集合基板状态来进行。

如图16中的(1)所示，首先准备多个绝缘基材层11d、12d。绝缘基材层11d、12d的结构与在第1实施方式中说明的结构相同。

然后，在绝缘基材层11d、12d形成线圈导体31A、31B、32A、32B、连接导体62、63等、导体21A、21B、22A、22B等以及外部电极。

具体来说，在集合基板状态的绝缘基材层11d的两主面层压金属箔(例如Cu箔)，然后，通过光刻对该金属箔进行图案化，由此形成外部电极、线圈导体32A、32B以及连接导体62。此外，在集合基板状态的绝缘基材层12d的一个主面层压金属箔(例如Cu箔)，然后，通过光刻对该金属箔进行图案化，由此形成线圈导体31A、31B、连接导体63等以及导体 21A、21B、22A、22B等。

另外，在多个绝缘基材层11d、12d，形成层间连接导体V31A、V31B 等。层间连接导体通过如下方式来设置，即，在绝缘基材层11d、12d利用激光等设置了贯通孔之后，配设(填充)包含Cu、Ag、Sn、Ni、Mo 等之中的一种以上或者它们的合金的导电性膏，并在后面的加热加压中使其硬化(固化)。因此，层间连接导体采用熔点(熔融温度)比后面的加热加压时的温度低的材料。

接着，如图16中的(1)(2)所示，依次层叠绝缘基材层11d、12d，并对所层叠的绝缘基材层11d、12d进行加热加压(一并压制)，由此形成集合基板状态的层叠体10DP。

然后，如图16中的(3)所示，在层叠体10DP的一个主面(图16 中的(3)所示的层叠体10D的上表面)侧形成保护层6。保护层6例如是阻焊膜、覆盖膜等。

保护层6在与形成于绝缘基材层12d的表面的导体的一部分(图14 所示的连接电极CP1、CP2、电极部71A、71B、72A、72B、81A、81B、 82A、82B以及导体41、42、43、44)相应的位置具有开口部。因此，通过在绝缘基材层12d的上表面形成保护层6，从而上述导体的一部分从第 2主面VS2露出。

接着，如图16中的(4)所示，将驱动器IC(未图示)以及磁传感器 2A、2B安装于层叠体10D的第2主面VS2。具体来说，将驱动器IC所具有的多个安装电极经由导电性接合材料而与从第2主面VS2露出的导体 (图14所示的连接电极CP1、CP2、电极部71A、71B、81A、81B以及导体41、42、43、44)连接。此外，将磁传感器2A、2B经由导电性接合材料4而与从第2主面VS2露出的导体(图14所示的电极部72A、72B、 82A、82B)连接。导电性接合材料4例如是焊料等。

最后，从集合基板分离为各个单片，得到多层基板104。

《第5实施方式》

在第5实施方式中，示出在多个磁传感器的配置中具有特征的多层基板的例子。

图17(A)是第5实施方式涉及的多层基板105的俯视图，图17(B) 是图17(A)中的G-G剖视图。图18是多层基板105的分解俯视图。此外，在图18中，为了使构造易懂，用阴影线示出了线圈导体31、32。

多层基板105具备层叠体10E、驱动器IC1、磁传感器2A、2B、和形成于层叠体10E的线圈3(后面详述)。

多层基板105与第1实施方式涉及的多层基板101的不同点在于，线圈是单个的。此外，多层基板105与多层基板101的不同点在于，驱动器 IC1、磁传感器2A、2B安装于层叠体10E的第2主面VS2。关于其他的结构，与多层基板101实质上相同。

以下，针对与第1实施方式涉及的多层基板101不同的部分进行说明。

本实施方式涉及的磁传感器2A、2B受到来自驱动器IC1的磁场而产生的电压的极性彼此相反。另外，在本实施方式中，该磁传感器2A相当于本实用新型中的“第1磁传感器”，磁传感器2B相当于本实用新型中的“第2磁传感器”。

层叠体10E依次层叠由树脂材料(热塑性树脂)构成的多个绝缘基材层11e、12e以及保护层6而形成。多个绝缘基材层11e、12e的结构与在第1实施方式中说明的绝缘基材层11a、12a相同。保护层6例如是阻焊膜、覆盖膜等。

在绝缘基材层11e的表面，形成线圈导体32。线圈导体32是配置在绝缘基材层11e的中央附近的约2.5匝的矩形旋涡状的导体。

在绝缘基材层11e的背面，形成外部电极P1、P2、P3、P4。外部电极P1、P2、P3、P4是配置在绝缘基材层11e的第3边(图18中的绝缘基材层11e的下边)中央附近的矩形的导体。

此外，在绝缘基材层11e，形成层间连接导体V1、V2、V3、V4。

在绝缘基材层12e的表面，形成有线圈导体31、连接导体61、62以及导体21A、21B、22A、22B、41、42、43、44。线圈导体31是配置在绝缘基材层12e的中央附近的约2匝的矩形旋涡状的导体。连接导体61、 62是配置在绝缘基材层12e的中央附近且在Y轴方向上延伸的线状的导体。导体21A、22A是配置在绝缘基材层12e的第1角(图18中的绝缘基材层12e的左下角)附近的L字形的导体。导体21B、22B是配置在绝缘基材层12e的第2角(图18中的绝缘基材层12e的右下角)附近的L 字形的导体。导体41、42、43、44是配置在绝缘基材层12e的第3边(图 18中的绝缘基材层12e的下边)附近的矩形的导体。

此外，在绝缘基材层12e，形成层间连接导体V31、V32、V41、V42、 V43、V44。

保护层6是形成在绝缘基材层12e的表面(第2主面VS2侧的面)的大致整面，且覆盖形成于绝缘基材层12e的表面的导体的树脂膜。

保护层6在与连接导体61的一端(连接电极CP1)、连接导体62的一端(连接电极CP2)、导体21A的一端(电极部71A)、导体22A的一端(电极部81A)、导体21B的一端(电极部71B)、导体22B的一端 (电极部81B)、以及导体41、42、43、44相应的位置具有多个开口部OP1。因此，通过在绝缘基材层12e的上表面形成保护层6，从而连接电极CP1、CP2、电极部71A、71B、81A、81B以及导体41、42、43、44 从第2主面VS2露出。

此外，保护层6在与导体21A的另一端(电极部72A)以及导体22A 的另一端(电极部82A)相应的位置具有多个开口部OP2。因此，通过在绝缘基材层12e的上表面形成保护层6，从而电极部72A、82A从第2主面VS2露出。

进而，保护层6在与导体21B的另一端(电极部72B)以及导体22B 的另一端(电极部82B)相应的位置具有多个开口部OP3。因此，通过在绝缘基材层12e的上表面形成保护层6，从而电极部72B、82B从第2主面VS2露出。

在本实施方式中，如图17(B)等所示，驱动器IC1安装于层叠体10E 的第2主面VS2。驱动器IC1的多个安装电极经由导电性接合材料4而与在第2主面VS2露出的导体(图18所示的连接电极CP1、CP2、电极部 71A、71B、81A、81B以及导体41、42、43、44)分别连接。

此外，在本实施方式中，如图17(B)等所示，磁传感器2A、2B安装于层叠体10E的第2主面VS2。磁传感器2A、2B的端子经由导电性接合材料4而与在第2主面VS2露出的导体(图18所示的电极部72A、72B、 82A、82B)分别连接。

如图18等所示，线圈导体31的一端经由层间连接导体V31而与线圈导体32的一端连接。像这样，包含分别形成于多个绝缘基材层11e、12e 的线圈导体31、32以及层间连接导体V31而构成约4.5匝的线圈3。如图 17(A)所示，线圈3具有沿着Z轴方向的卷绕轴AX。

线圈3的第1端E1(线圈导体31的另一端)与连接导体61的另一端连接。连接导体61的一端(连接电极CP1)经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极连接。此外，线圈3的第2端E2(线圈导体32 的另一端)经由层间连接导体V32而与连接导体62的另一端连接。连接导体62的一端(连接电极CP2)经由导电性接合材料4而与驱动器IC1 的安装电极连接。

此外，外部电极P1、P2、P3、P4分别与驱动器IC1的多个安装电极连接。具体来说，外部电极P1经由层间连接导体V1、V41而与导体41 连接，该导体41经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极连接。此外，外部电极P2经由层间连接导体V2、V42而与导体42连接，该导体42经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极连接。外部电极 P3经由层间连接导体V3、V43而与导体43连接，该导体43经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极连接。此外，外部电极P4经由层间连接导体V4、V44而与导体44连接，该导体44经由导电性接合材料4 而与驱动器IC1的安装电极连接。

磁传感器2A的端子与驱动器IC1连接。具体来说，磁传感器2A的端子经由导电性接合材料4而与导体21A、22A的另一端(电极部72A、 82A)分别连接。导体21A、22A的一端(电极部71A、81A)经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极分别连接。

此外，磁传感器2B的端子与驱动器IC1连接。具体来说，磁传感器 2B的端子经由导电性接合材料4而与导体21B、22B的另一端(电极部 72B、82B)分别连接。导体21B、22B的一端(电极部71B、81B)经由导电性接合材料4而与驱动器IC1的安装电极分别连接。

如图17(A)所示，磁传感器2A、2B(第1磁传感器以及第2磁传感器)配置在相对于驱动器IC1的中心DCP成为对称的位置。具体来说，磁传感器2A、2B配置为围绕穿过驱动器IC1的中心DCP的Y轴CYL呈 180°旋转对称。

此外，如图17(A)以及图18所示，驱动器IC1与磁传感器2A(第1磁传感器)之间的布线(导体21A、22A)、以及驱动器IC1与磁传感器2B(第2磁传感器)之间的布线(导体21B、22B)，相对于驱动器IC1 的中心DCP而对称。具体来说，驱动器IC1与磁传感器2A之间的布线(导体21A、22A)、以及驱动器IC1与磁传感器2B之间的布线(导体21B、 22B)配置为围绕穿过驱动器IC1的中心DCP的Y轴CYL呈180°旋转对称。

进而，磁传感器2A、2B(第1磁传感器以及第2磁传感器)配置在相对于线圈3的卷绕轴AX成为对称的位置。具体来说，磁传感器2A、 2B配置为围绕线圈3的卷绕轴AX呈180°旋转对称。

多层基板105例如如下这样使用。图19是表示多层基板105的使用状态的剖视图。

图19所示的磁铁5装配于可动体7。若在线圈(参照图17(B)中的线圈3)流过给定的电流，则由于从线圈辐射的磁场，磁铁5在层叠方向 (Z轴方向)的正交方向(Y轴方向)上发生位移(参照图19中的空白箭头。)。磁传感器2A、2B对磁铁5发生了位移时的磁场的变化进行感测。

根据本实施方式涉及的多层基板105，除了在第1实施方式中叙述的效果以外，还发挥如下的效果。

(a)在多层基板105中，磁传感器2A、2B受到来自驱动器IC1的磁场而产生的电压的极性彼此相反。此外，在多层基板105中，磁传感器2A、 2B(第1磁传感器以及第2磁传感器)配置在相对于驱动器IC1的中心 DCP成为对称的位置。通过该结构，即使在从驱动器IC1等产生的磁场叠加了噪声，也能够使从驱动器IC1等产生的磁场对磁传感器2A、2B的影响为大致均等(同等程度)。因此，通过相加来自磁传感器2A、2B的信号从而噪声成分被消除，能够提高磁传感器2A、2B对磁铁的位置检测精度。

另外，在本实施方式中，示出了磁传感器2A、2B受到来自驱动器IC1 的磁场而产生的电压的极性彼此相反的例子，但并不限定于此。受到来自驱动器IC的磁场而在“第1磁传感器”以及“第2磁传感器”产生的电压的极性不需要一定彼此相反。

(b)此外，在多层基板105中，驱动器IC1与磁传感器2A(第1磁传感器)之间的布线(导体21A、22A)、以及驱动器IC1与磁传感器2B (第2磁传感器)之间的布线(导体21B、22B)，相对于驱动器IC1的中心DCP而对称。通过该结构，即使在从驱动器IC1等产生的磁场叠加了噪声，也能够使从驱动器IC1等产生的磁场对驱动器IC1与磁传感器2A、 2B之间的布线的影响为大致均等(同等程度)。因此，通过相加来自磁传感器2A、2B的信号从而噪声成分被消除，结果能够提高磁传感器2A、 2B对磁铁的位置检测精度。

(c)进而，在多层基板105中，磁传感器2A、2B(第1磁传感器以及第2磁传感器)配置在相对于线圈3的卷绕轴AX成为对称的位置。通过该结构，即使在从线圈3辐射的磁场叠加了噪声，也能够使从线圈3产生的磁场对磁传感器2A、2B的影响为大致均等(同等程度)。因此，通过相加来自磁传感器2A、2B的信号从而噪声成分被消除，能够提高磁传感器2A、2B对磁铁的位置检测精度。

本实施方式涉及的多层基板105例如通过如下的工序来制造。图20 是依次表示多层基板105的制造工序的剖视图。另外，在图20中，为了说明的方便而以单个芯片(单片)时的制造工序进行说明，但安装的多层基板的制造工序以集合基板状态来进行。

如图20中的(1)所示，首先准备多个绝缘基材层11e、12e。绝缘基材层11e、12e的结构与在第1实施方式中说明的结构相同。

然后，在绝缘基材层11e、12e形成线圈导体31、32、导体21A、21B、 22A、22B、41、42、43、44以及外部电极P1、P2、P3、P4(参照图18)。

具体来说，在集合基板状态的绝缘基材层11e的两主面层压金属箔(例如Cu箔)，然后，通过光刻对该金属箔进行图案化，由此形成线圈导体 32以及外部电极P1、P2、P3、P4。此外，在集合基板状态的绝缘基材层 12e的一个主面层压金属箔(例如Cu箔)，然后，通过光刻对该金属箔进行图案化，由此形成线圈导体31以及导体21A、21B、22A、22B、41、 42、43、44。

另外，在多个绝缘基材层11e、12e，形成层间连接导体V1、V2、V3、 V4、V31、V32、V41、V42、V43、V44。层间连接导体通过如下方式来设置，即，在绝缘基材层11e、12e利用激光等设置了贯通孔之后，配设 (填充)包含Cu、Ag、Sn、Ni、Mo等之中的一种以上或者它们的合金的导电性膏，并在后面的加热加压中使其硬化(固化)。因此，层间连接导体采用熔点(熔融温度)比后面的加热加压时的温度低的材料。

接着，如图20中的(1)(2)所示，依次层叠绝缘基材层11e、12e，并对所层叠的绝缘基材层11e、12e进行加热加压(一并压制)，由此形成集合基板状态的层叠体10EP。

然后，如图20中的(3)所示，在层叠体10EP的一个主面(图20中的(3)所示的层叠体10E的上表面)侧形成保护层6。保护层6例如是阻焊膜、覆盖膜等。

保护层6在与形成于绝缘基材层12e的表面的导体的一部分(图18 所示的连接导体61的一端(连接电极CP1)、连接导体62的一端(连接电极CP2)、导体21A的一端以及另一端(电极部71A、72A)、导体22A 的一端以及另一端(电极部81A、82A)、导体21B的一端以及另一端(电极部71B、72B)、导体22B的一端以及另一端(电极部81B、82B)以及导体41、42、43、44)相应的位置具有开口部。因此，通过在绝缘基材层 12e的上表面形成保护层6，从而上述导体的一部分从层叠体10E的第2 主面VS2露出。

接着，如图20中的(4)所示，将驱动器IC(未图示)以及磁传感器 2A、2B安装于层叠体10E的第2主面VS2。具体来说，将驱动器IC所具有的多个安装电极经由导电性接合材料而与从第2主面VS2露出的导体的一部分(图18所示的连接电极CP1、CP2、电极部71A、71B、81A、81B、导体41、42、43、44)连接。此外，将磁传感器2A、2B经由导电性接合材料4而与从第2主面VS2露出的导体(图18所示的电极部72A、72B、 82A、82B)连接。导电性接合材料4例如是焊料等。

最后，从集合基板分离为各个单片，得到多层基板105。

此外，在本实施方式中，示出了磁传感器2A、2B(第1磁传感器以及第2磁传感器)配置为围绕穿过驱动器IC1的中心DCP的Y轴CYL呈 180°旋转对称的例子，但不限定于该结构。本实用新型中的所谓“第1 磁传感器以及第2磁传感器相对于驱动器IC的中心而对称”，例如包含磁传感器2A、2B配置为围绕穿过驱动器IC1的中心DCP的Y轴CYL以 180°以外的角度(例如120°)旋转对称。进而，还包含磁传感器2A、 2B相对于驱动器IC1的中心DCP配置为点对称。

在本实施方式中，示出了驱动器IC1与磁传感器2A(第1磁传感器) 之间的布线(导体21A、22A)、以及驱动器IC1与磁传感器2B(第2磁传感器)之间的布线(导体21B、22B)围绕穿过驱动器IC1的中心DCP 的Y轴CYL呈180°旋转对称的例子，但不限定于该结构。本实用新型中的所谓“驱动器IC与第1磁传感器之间的布线、以及驱动器IC与第2 磁传感器之间的布线，相对于驱动器IC的中心而对称”，例如包含驱动器IC1与第1磁传感器之间的布线、以及驱动器IC1与第2磁传感器之间的布线配置为围绕穿过驱动器IC1的中心DCP的Y轴CYL以180°以外的角度(例如120°)旋转对称。进而，还包含驱动器IC1与第1磁传感器之间的布线、以及驱动器IC1与第2磁传感器之间的布线相对于驱动器 IC1的中心DCP配置为点对称。

《其他的实施方式》

在以上所示的各实施方式中，示出了层叠体为大致长方体的例子，但不限定于该结构。层叠体的形状能够在发挥本实用新型的作用、效果的范围内适当变更，例如也可以为立方体、多棱柱、圆柱、椭圆柱等，层叠体的平面形状也可以为L字形、曲柄形、T字形、Y字形等。

此外，在以上所示的各实施方式中，示出了具备层叠两个至四个绝缘基材层而形成的层叠体的多层基板，但不限定于该结构。形成层叠体的绝缘基材层的层数能够在发挥本实用新型的作用、效果的范围内适当变更。另外，在第4、第5实施方式中示出的保护层6在本实用新型中并非是必须的结构。

在以上所示的各实施方式中，示出了层叠体是层叠由热塑性树脂构成的多个绝缘基材层而形成的例子，但不限定于该结构。层叠体例如也可以是层叠由热硬化性树脂构成的多个绝缘基材层而形成的结构。

此外，关于本实用新型中的线圈的形状、个数、卷绕数，并不限定于以上所示的各实施方式的结构，能够在发挥本实用新型的作用、效果的范围内适当变更。线圈例如也可以为平面环状、平面旋涡状、以及螺旋状。此外，线圈的个数也不限定于一个或两个，也可以为三个以上。线圈可以构成为包含形成于一个绝缘基材层的线圈导体，也可以构成为包含形成于三个以上的绝缘基材层的多个线圈导体。

在以上所示的各实施方式中，示出了平面形状为矩形的四个外部电极 P1、P2、P3、P4形成于层叠体的第1主面VS1的例子，但并不限定于该结构。外部电极的形状、个数、位置能够在发挥本实用新型的作用、效果的范围内适当变更。外部电极的个数能够根据多层基板所具有的电路结构适当变更。另外，在以上所示的各实施方式中，示出了具备驱动器IC、线圈、磁传感器的多层基板，但除此以外的电子部件(例如，片式电感器、片式电容器)等也可以安装于多层基板。

最后，上述的实施方式的说明在所有方面均为例示，而不是限制性的。能够由本领域技术人员适当进行变形以及变更。本实用新型的范围并非由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，在本实用新型的范围中，包含从与权利要求书均等的范围内的实施方式进行的变更。

符号说明

AP1、AP2A、AP2B、AP3A、AP3B…开口；

AX、AX1A、AX1B…线圈的卷绕轴；

CE1A…线圈形成区域；

CE1B…线圈形成区域；

1…驱动器IC；

CML…第1线圈导体和第2线圈导体并行以使得电流的方向成为相反方向的并行部分；

DCP…驱动器IC的中心；

CYL…穿过驱动器IC的中心的Y轴；

MP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8、MP9、MP10、 MP11、MP12…安装电极；

OP1、OP2、OP3…开口部；

V1、V2、V3、V4、V11A、V11B、V12A、V12B、V13A、V13B、 V14A、V14B、V21A、V21B、V22A、V22B、V31、V31A、V31B、V32、 V32A、V32B、V33A、V33B、V34A、V34B、V41、V42、V43、V44…层间连接导体；

P1、P2、P3、P4…外部电极；

VS1…层叠体的第1主面；

VS2…层叠体的第2主面；

CP1、CP1A…连接电极；

CP2、CP2A…连接电极；

2A…磁传感器(第1磁传感器)；

2B…磁传感器(第2磁传感器)；

3…线圈；

3A…线圈(第1线圈)；

3B…线圈(第2线圈)；

4…导电性接合材料；

5、5A、5B…磁铁；

6…保护层；

7…可动体；

10A、10B、10C、10D、10DP、10E、10DP…层叠体；

11a、11b、11c、11d、11e、12a、12b、12c、12d、12e、13a、13b、 13c、14b…绝缘基材层；

21A、21B、22A、22B、41、42、43、44、51A、51B、52A、52B…导体；

31、32…线圈导体；

30A、30B…线圈导体；

31A、32A…线圈导体；

31B、32B…线圈导体；

61、61A、61B、62、62A、62B、63、63A、63B…连接导体；

71A、71B、72A、72B、81A、81B、82A、82B…电极部；

101、102、103、104、105…多层基板。

Claims (7)

1.一种多层基板，其特征在于，具备：

层叠体，层叠多个绝缘基材层而形成；

驱动器IC，安装于所述层叠体，具有多个安装电极；

线圈，形成于所述层叠体，具有经由导电性接合材料而与所述多个安装电极分别导通的第1端以及第2端；和

磁传感器，安装于所述层叠体，与所述驱动器IC连接，

经由所述导电性接合材料的所述第1端与所述安装电极之间的连接部位是一个部位。

2.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，

所述导电性接合材料形成在将所述多个绝缘基材层的任意一者贯通的孔内。

3.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，

经由所述导电性接合材料的所述第2端与所述安装电极之间的连接部位是一个部位。

4.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，

所述磁传感器具有第1磁传感器以及第2磁传感器，

所述第1磁传感器以及第2磁传感器配置在相对于所述驱动器IC的中心成为对称的位置。

5.根据权利要求4所述的多层基板，其特征在于，

所述驱动器IC与所述第1磁传感器之间的布线、以及所述驱动器IC与所述第2磁传感器之间的布线，相对于所述驱动器IC的中心对称。

6.根据权利要求4所述的多层基板，其特征在于，

所述线圈是单个的，

所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器配置在相对于所述线圈的卷绕轴成为对称的位置。

7.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，

还具备：

第1连接电极以及第2连接电极，形成于所述绝缘基材层，经由所述导电性接合材料而与所述多个安装电极分别连接；

第1连接导体，形成于所述绝缘基材层，将所述线圈的所述第1端与所述第1连接电极之间连接；和

第2连接导体，形成于所述绝缘基材层，将所述线圈的所述第2端与所述第2连接电极之间连接，

所述第1连接导体以及所述第2连接导体具有并行以使得电流的方向成为相反方向的并行部分。

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