JP6665965B2 - 多層基板 - Google Patents

Description

本発明は、多層基板に関し、特にＩＣと、積層体に形成されるコイルとを備える多層基板に関する。

従来、コイル、ドライバーＩＣおよび磁気センサ等を備え、電磁力によって駆動する各種アクチュエータが知られている。例えば、特許文献１には、コイル、ドライバーＩＣ、および磁気センサが、基板に実装されたアクチュエータが開示されている。上記アクチュエータでは、コイルから生じる磁界によって、磁石が設けられた可動体の位置を移動することができる。

特開２０１６−２２４２６２号公報

しかし、特許文献１に示されるアクチュエータでは、次のような問題によって、アクチュエータの特性にばらつきが生じる虞がある。

（ａ）上記アクチュエータは、コイルおよびドライバーＩＣをそれぞれ基板に実装する構成のため、コイルに対するドライバーＩＣの実装位置は実装時にずれやすい。ドライバーＩＣとコイルとの間の配線に流れる電流は、上記アクチュエータ内でも特に大きく、上記配線からも比較的大きな磁界が生じる。そのため、ドライバーＩＣの実装位置がずれて上記配線の経路に変化が生じると、上記配線からの磁界によって、コイルから生じる磁界が変化する虞がある。

（ｂ）また、ドライバーＩＣは、磁気センサに接続され、磁気センサから得られる情報（磁気センサからの信号）を基にコイルに流れる電流を制御する。ドライバーＩＣと磁気センサとの間を接続する配線に流れる電流は、コイルとドライバーＩＣとの間を接続する配線に流れる電流に比べて極めて微小であり、ノイズの影響を受けやすい。そのため、ドライバーＩＣから発生する磁界、およびドライバーＩＣとコイルとの間を接続する配線から発生する磁界の影響を受けて、ドライバーＩＣが磁気センサからの信号を誤認識する虞がある。

（ｃ）さらに、コイルに対するドライバーＩＣの実装位置がずれると、その実装位置のずれたドライバーＩＣからの磁界により、磁石に対する作用が規定状態から変化する虞もある。

本発明の目的は、コイルとドライバーＩＣとを備える多層基板において、コイルに対するドライバーＩＣの位置関係のずれを抑制することにより、発生磁界の個体ごとのばらつきを抑制した多層基板を提供することにある。

（１）本発明の多層基板は、
複数の絶縁基材層が積層されて形成される積層体と、
前記積層体に実装され、複数の実装電極を有するドライバーＩＣと、
前記積層体に形成され、導電性接合材を介して前記複数の実装電極にそれぞれ導通する第１端および第２端を有するコイルと、
前記積層体に実装され、前記ドライバーＩＣに接続される磁気センサと、
を備え、
前記導電性接合材を介する前記第１端と前記実装電極との間の接続箇所は、一箇所であることを特徴とする。

この構成により、導電性接合材を介するコイルの第１端と実装電極との接続箇所が二箇所以上ある場合に比べ、ドライバーＩＣとコイルとの位置関係はずれ難くなる。そのため、コイルに対するドライバーＩＣの位置関係のずれに起因する、発生磁界のばらつきを抑制できる。

（２）上記（１）において、前記導電性接合材は、前記複数の絶縁基材層のいずれかを貫通する孔内に形成されていてもよい。

（３）上記（１）または（２）において、前記導電性接合材を介する前記第２端と前記実装電極との間の接続箇所は、一箇所であることが好ましい。この構成では、導電性接合材を介するコイルの第１端と実装電極との接続箇所、および導電性接合材を介するコイルの第２端と実装電極との接続箇所が、いずれも一箇所となる。そのため、コイルに対するドライバーＩＣの位置関係のずれがさらに抑制される。

（４）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記磁気センサは、第１磁気センサおよび第２磁気センサを有し、前記第１磁気センサおよび第２磁気センサは、前記ドライバーＩＣの中心に対して対称となる位置に配置されることが好ましい。この構成により、ドライバーＩＣ等から発生する磁界にノイズが重畳されても、第１磁気センサおよび第２磁気センサに対するドライバーＩＣ等から発生する磁界の影響を略均等（同程度）にできる。そのため、第１磁気センサおよび第２磁気センサからの信号を加算することでノイズ成分がキャンセリングされ、磁気センサによる磁石の位置検出精度を高めることができる。

（５）上記（４）において、前記ドライバーＩＣと前記第１磁気センサとの間の配線、および前記ドライバーＩＣと前記第２磁気センサとの間の配線は、前記ドライバーＩＣの中心に対して対称であることが好ましい。この構成により、ドライバーＩＣ等から発生する磁界にノイズが重畳されても、ドライバーＩＣと磁気センサ（第１磁気センサおよび第２磁気センサ）との間の配線に対する、ドライバーＩＣ等から発生する磁界の影響を略均等（同程度）にできる。そのため、第１磁気センサおよび第２磁気センサからの信号を加算することでノイズ成分がキャンセリングされ、結果的に磁気センサによる磁石の位置検出精度を高めることができる。

（６）上記（４）または（５）において、前記コイルは単一であり、前記第１磁気センサおよび前記第２磁気センサは、前記コイルの巻回軸に対して対称となる位置に配置されることが好ましい。この構成により、コイルから放射される磁界にノイズが重畳されても、第１磁気センサおよび第２磁気センサに対するコイルから発生する磁界の影響を略均等（同程度）にできる。そのため、第１磁気センサおよび第２磁気センサからの信号を加算することでノイズ成分がキャンセリングされ、磁気センサによる磁石の位置検出精度を高めることができる。

（７）上記（１）から（６）のいずれかにおいて、前記絶縁基材層に形成され、前記導電性接合材を介して前記複数の実装電極にそれぞれ接続される第１接続電極および第２接続電極と、前記絶縁基材層に形成され、前記コイルの前記第１端と前記第１接続電極との間を接続する第１接続導体と、前記絶縁基材層に形成され、前記コイルの前記第２端と前記第２接続電極との間を接続する第２接続導体と、をさらに備え、前記第１接続導体および前記第２接続導体は、電流の向きが逆向きになるように並走する並走部分を有することが好ましい。この構成では、上記並走部分において、磁石と相互に作用するコイルの磁界の形成に実質的に寄与していない第１接続導体および第２接続導体から生じる磁束が打ち消される。したがって、この構成により、コイル以外の部分（第１接続導体および第２接続導体）からの不要輻射を抑制できる。

本発明によれば、コイルとドライバーＩＣとを備える多層基板において、コイルに対するドライバーＩＣの位置関係のずれを抑制することにより、特性のばらつきを抑制した多層基板を実現できる。

図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の平面図である。 図２（Ａ）は図１におけるＡ−Ａ断面図であり、図２（Ｂ）は図１におけるＢ−Ｂ断面図である。 図３は多層基板１０１の分解平面図である。 図４は、多層基板１０１の使用状態を示す断面図である。 図５は多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。 図６は、第２の実施形態に係る多層基板１０２の平面図である。 図７（Ａ）は図６におけるＣ−Ｃ断面図であり、図７（Ｂ）は図６におけるＤ−Ｄ断面図である。 図８は、多層基板１０１の分解平面図である。 図９は多層基板１０２の製造工程を順に示す断面図である。 図１０（Ａ）は第３の実施形態に係る多層基板１０３の平面図であり、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）におけるＥ−Ｅ断面図である。 図１１は、多層基板１０３の分解平面図である。 図１２（Ａ）は第４の実施形態に係る多層基板１０４の斜視図であり、図１２（Ｂ）は多層基板１０４の分解斜視図である。 図１３（Ａ）は多層基板１０４の平面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ｂ）におけるＦ−Ｆ断面図である。 図１４は、多層基板１０４の分解平面図である。 図１５は、多層基板１０４の使用状態を示す断面図である。 図１６は多層基板１０４の製造工程を順に示す断面図である。 図１７（Ａ）は第５の実施形態に係る多層基板１０５の平面図であり、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）におけるＧ−Ｇ断面図である。 図１８は、多層基板１０５の分解平面図である。 図１９は、多層基板１０５の使用状態を示す断面図である。 図２０は多層基板１０５の製造工程を順に示す断面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の平面図である。図２（Ａ）は図１におけるＡ−Ａ断面図であり、図２（Ｂ）は図１におけるＢ−Ｂ断面図である。図３は多層基板１０１の分解平面図である。図２（Ａ）および図２（Ｂ）において、各部の厚みは誇張して図示している。このことは、以降の各実施形態における断面図についても同様である。また、図３では、構造を分かりやすくするため、コイル導体３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂをハッチングで示している。

多層基板１０１は、積層体１０Ａと、ドライバーＩＣ１と、磁気センサ２Ａ，２Ｂと、積層体１０Ａに形成されるコイル３Ａ，３Ｂ（後に詳述する）と、を備える。ドライバーＩＣ１および磁気センサ２Ａ，２Ｂは積層体１０Ａに実装されている。

ドライバーＩＣ１は、コイルの給電を制御することにより、可動体に取り付けられた磁石（後に詳述する）の可動を行うものである。ドライバーＩＣ１は、図１に示すように、複数の実装電極ＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３，ＭＰ４，ＭＰ５，ＭＰ６，ＭＰ７，ＭＰ８，ＭＰ９，ＭＰ１０，ＭＰ１１，ＭＰ１２を有する。複数の実装電極ＭＰ１〜ＭＰ１２は、ドライバーＩＣ１の実装面（図２（Ａ）および図２（Ｂ）におけるドライバーＩＣ１の下面）に形成される矩形の電極である。

磁気センサ２Ａ，２Ｂは、主に外部からの磁界をセンシングする素子であり、可動体に取り付けられた磁石（後に詳述する。）の移動量を検出する。磁気センサ２Ａ，２Ｂは、例えばホール効果を利用したホール素子である。

積層体１０Ａは、長手方向がＸ軸方向に一致する略直方体であり、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。積層体１０Ａの第１主面ＶＳ１には、４つの外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４が形成されている。多層基板１０１では、この第１主面ＶＳ１が実装面である。

積層体１０Ａは、樹脂材料（熱可塑性樹脂）からなる複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａの順に積層されて形成される。複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａは、それぞれ長手方向がＸ軸に一致する矩形の平板である。複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａは、例えば液晶ポリマーを主材料とするシートである。

絶縁基材層１１ａの表面には、導体２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂが形成される。導体２１Ａは、絶縁基材層１１ａの第１角（図３における絶縁基材層１１ａの左下角）付近に配置されるＬ字形の導体である。導体２１Ｂは、絶縁基材層１１ａの第２角（図３における絶縁基材層１１ａの右下角）付近に配置されるＬ字形の導体である。導体２２Ａは、絶縁基材層１１ａの第３角（図３における絶縁基材層１１ａの左上角）付近に配置されるＬ字形の導体である。導体２２Ｂは、絶縁基材層１１ａの第４角（図３における絶縁基材層１１ａの右上角）付近に配置されるＬ字形の導体である。導体２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂは、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、絶縁基材層１１ａの裏面には、外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４が形成されている。外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、絶縁基材層１１ａの中央付近に配置された矩形の導体である。外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

さらに、絶縁基材層１１ａには、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４が形成されている。

絶縁基材層１２ａの表面には、コイル導体３１Ａ，３１Ｂ、接続導体６１Ａ，６１Ｂ，６３Ａ，６３Ｂおよび導体４１，４２，４３，４４，５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂが形成されている。コイル導体３１Ａは、絶縁基材層１２ａの中央よりも第１辺（図３における絶縁基材層１２ａの左辺）寄りの位置に配置された約１．５ターンの矩形スパイラル状の導体である。コイル導体３１Ｂは、絶縁基材層１２ａの中央よりも第２辺（図３における絶縁基材層１２ａの右辺）寄りの位置に配置された約１．５ターンの矩形スパイラル状の導体である。接続導体６１Ａ，６１Ｂは、絶縁基材層１２ａの第３辺（図３における絶縁基材層１２ａの下辺）付近に配置され、Ｘ軸方向に延伸する線状の導体である。接続導体６３Ａ，６３Ｂは、絶縁基材層１２ａの第４辺（図３における絶縁基材層１２ａの上辺）付近に配置され、Ｘ軸方向に延伸する線状の導体である。導体４１，４２，４３，４４，５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂは、絶縁基材層１２ａの中央付近に配置された矩形の導体である。コイル導体３１Ａ，３１Ｂ、接続導体６１Ａ，６１Ｂ，６３Ａ，６３Ｂおよび導体４１，４２，４３，４４，５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂは、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、絶縁基材層１２ａには、層間接続導体Ｖ２１Ａ，Ｖ２１Ｂ，Ｖ２２Ａ，Ｖ２２Ｂ，Ｖ４１，Ｖ４２，Ｖ４３，Ｖ４４および開口ＡＰ３Ａ，ＡＰ３Ｂが形成されている。開口ＡＰ３Ａは、磁気センサ２Ａの平面形状に合わせた貫通孔である。開口ＡＰ３Ｂは、磁気センサ２Ｂの平面形状に合わせた貫通孔である。開口ＡＰ３Ａ，ＡＰ３Ｂは、例えばレーザー加工等によって形成される。あるいは、開口ＡＰ３Ａ，ＡＰ３Ｂは、パンチング等によって型抜きして形成してもよい。

絶縁基材層１３ａの表面には、コイル導体３２Ａ，３２Ｂおよび接続導体６２Ａ，６２Ｂが形成されている。コイル導体３２Ａは、絶縁基材層１３ａの中央よりも第１辺（図３における絶縁基材層１３ａの左辺）寄りの位置に配置された約２ターンの矩形スパイラル状の導体である。コイル導体３２Ｂは、絶縁基材層１３ａの中央よりも第２辺（図３における絶縁基材層１３ａの右辺）寄りの位置に配置された約２ターンの矩形スパイラル状の導体である。接続導体６２Ａ，６２Ｂは、Ｙ軸方向に延伸する線状の導体である。コイル導体３２Ａ，３２Ｂおよび接続導体６２Ａ，６２Ｂは、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、絶縁基材層１３ａには、層間接続導体Ｖ３１Ａ，Ｖ３１Ｂ，Ｖ３２Ａ，Ｖ３２Ｂおよび開口ＡＰ１，ＡＰ２Ａ，ＡＰ２Ｂが形成されている。開口ＡＰ１は、ドライバーＩＣ１の平面形状に合わせた貫通孔である。開口ＡＰ２Ａは、磁気センサ２Ａの平面形状に合わせた貫通孔である。開口ＡＰ２Ｂは、磁気センサ２Ｂの平面形状に合わせた貫通孔である。開口ＡＰ１，ＡＰ２Ａ，ＡＰ２Ｂは、例えばレーザー加工等によって形成される。あるいは、開口ＡＰ１，ＡＰ２Ａ，ＡＰ２Ｂは、パンチング等によって型抜きして形成してもよい。

本実施形態では、図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、ドライバーＩＣ１の一部が積層体１０Ａに埋設されており、ドライバーＩＣ１の実装面（図２（Ａ）におけるドライバーＩＣ１の下面）が、絶縁基材層１２ａの表面（図２（Ａ）における絶縁基材層１２ａの上面）に対向している。ドライバーＩＣ１の複数の実装電極（図１に示す実装電極ＭＰ１〜ＭＰ１２）は、導電性接合材４を介して、絶縁基材層１２ａの表面に形成された導体（図３に示す接続電極ＣＰ１Ａ，ＣＰ１Ｂ，ＣＰ２Ａ，ＣＰ２Ｂおよび導体４１，４２，４３，４４，５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂ）にそれぞれ接続される。導電性接合材４は、例えばはんだ等である。

図２（Ａ）、図２（Ｂ）および図３等に示すように、コイル導体３１Ａの一端は、層間接続導体Ｖ３１Ａを介して、コイル導体３２Ａの一端に接続される。このように、複数の絶縁基材層１２ａ，１３ａにそれぞれ形成されるコイル導体３１Ａ，３２Ａ，３３Ａを含んで約３．５ターンのコイル３Ａが構成される。コイル３Ａは、図２（Ｂ）に示すように、複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａの積層方向（Ｚ軸方向）に沿った巻回軸ＡＸ１Ａを有する。

コイル３Ａの第１端Ｅ１Ａおよび第２端Ｅ２Ａは、ドライバーＩＣ１の実装電極にそれぞれ導通している。具体的には、コイル３Ａの第１端Ｅ１Ａ（コイル導体３１Ａの他端）は、接続導体６１Ａの一端に接続される。接続導体６１Ａの他端（接続電極ＣＰ１Ａ）は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１に示す実装電極ＭＰ５）に接続される。また、コイル３Ａの第２端Ｅ２Ａ（コイル導体３３Ａの他端）は、接続導体６２Ａの一端に接続され、接続導体６２Ａの他端は、層間接続導体Ｖ３２Ａを介して接続導体６３Ａの一端に接続される。接続導体６３Ａの他端（接続電極ＣＰ２Ａ）は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１における実装電極ＭＰ６）に接続される。図２（Ａ）等に示すように、導電性接合材４を介するコイル３Ａの第１端Ｅ１Ａと実装電極（ＭＰ５）との間の接続箇所は、一箇所である。

また、図２（Ａ）、図２（Ｂ）および図３等に示すように、コイル導体３１Ｂの一端は、層間接続導体Ｖ３１Ｂを介して、コイル導体３２Ｂの一端に接続される。このように、複数の絶縁基材層１２ａ，１３ａにそれぞれ形成されるコイル導体３１Ｂ，３２Ｂ，３３Ｂを含んで約３．５ターンのコイル３Ｂが構成される。図２（Ｂ）に示すように、コイル３ＢはＺ軸方向に沿った巻回軸ＡＸ１Ｂを有する。

また、コイル３Ｂの第１端Ｅ１Ｂおよび第２端Ｅ２Ｂは、ドライバーＩＣ１の実装電極にそれぞれ導通している。具体的には、コイル３Ｂの第１端Ｅ１Ｂ（コイル導体３１Ｂの他端）は、接続導体６１Ｂの一端に接続される。接続導体６１Ｂの他端（接続電極ＣＰ１Ｂ）は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１に示す実装電極ＭＰ７）に接続される。また、コイル３Ｂの第２端Ｅ２Ｂ（コイル導体３３Ｂの他端）は、接続導体６２Ａの一端に接続され、接続導体６２Ｂの他端は、層間接続導体Ｖ３２Ｂを介して、接続導体６３Ｂの一端に接続される。接続導体６３Ｂの他端（接続電極ＣＰ２Ｂ）は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１における実装電極ＭＰ８）に接続される。図２（Ａ）等に示すように、導電性接合材４を介するコイル３Ｂの第１端Ｅ１Ｂと実装電極（ＭＰ７）との間の接続箇所は、一箇所である。

なお、本実施形態では、コイル３Ａの巻回軸ＡＸ１Ａ、コイル３Ｂの巻回軸ＡＸ１Ｂが、Ｚ軸方向に一致する例を示したが、コイル３Ａの巻回軸ＡＸ１Ａ（またはコイル３Ｂの巻回軸ＡＸ１Ｂ）とＺ軸方向とが厳密に一致する構成に限定されるものではない。本明細書において「複数の絶縁基材層の積層方向に沿った巻回軸」とは、例えば、コイル３Ａの巻回軸ＡＸ１Ａ（または、コイル３Ｂの巻回軸ＡＸ１Ｂ）がＺ軸方向に対して−３０°から＋３０°の範囲である場合を含む。

磁気センサ２Ａは、ドライバーＩＣ１に接続される。具体的には、磁気センサ２Ａは、実装面（図２（Ａ）における磁気センサ２Ａの下面）に端子を有しており、この磁気センサ２Ａの端子が、導電性接合材４を介して、導体２１Ａ，２２Ａの一端にそれぞれ接続される。導体２１Ａの他端は、導体５１Ａ、層間接続導体Ｖ２１Ａおよび導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１における実装電極ＭＰ９）に接続される。また、導体２２Ａの他端は、導体５２Ａ、層間接続導体Ｖ２２Ａおよび導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１における実装電極ＭＰ１０）に接続される。

また、磁気センサ２Ｂは、ドライバーＩＣ１に接続される。具体的には、磁気センサ２Ｂは、実装面（図２（Ａ）における磁気センサ２Ｂの下面）に端子を有しており、この磁気センサ２Ｂの端子が、導電性接合材４を介して、導体２１Ｂ，２２Ｂの一端にそれぞれ接続される。導体２１Ｂの他端は、導体５１Ｂ、層間接続導体Ｖ２１Ｂおよび導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１における実装電極ＭＰ１１）に接続される。また、導体２２Ｂの他端は、導体５２Ｂ、層間接続導体Ｖ２２Ｂおよび導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１における実装電極ＭＰ１２）に接続される。

なお、本明細書では、磁気センサが有する端子を２つで記載しているが、３つまたは４つであってもよい。

また、外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、それぞれドライバーＩＣ１の実装電極に接続されている。具体的には、外部電極Ｐ１は、層間接続導体Ｖ１，Ｖ４１を介して導体４１に接続され、この導体４１が、導電性接合材４を介してドライバーＩＣ１の実装電極（図１に示す実装電極ＭＰ１）に接続される。外部電極Ｐ２は、層間接続導体Ｖ２，Ｖ４２を介して導体４２に接続され、この導体４２が、導電性接合材４を介してドライバーＩＣ１の実装電極（図１に示す実装電極ＭＰ２）に接続される。外部電極Ｐ３は、層間接続導体Ｖ３，Ｖ４３を介して導体４３に接続され、この導体４３が、導電性接合材４を介してドライバーＩＣ１の実装電極（図１に示す実装電極ＭＰ３）に接続される。外部電極Ｐ４は、層間接続導体Ｖ４，Ｖ４４を介して導体４４に接続され、この導体４４が、導電性接合材４を介してドライバーＩＣ１の実装電極（図１における実装電極ＭＰ４）に接続される。

多層基板１０１は、例えば次のように用いられる。図４は、多層基板１０１の使用状態を示す断面図である。

図４に示す磁石５Ａ，５Ｂは、可動体（不図示）に取り付けられている。コイル３Ａ，３Ｂに所定の電流を流すと、コイル３Ａ，３Ｂから放射される磁界によって、磁石５Ａ，５Ｂは積層方向（Ｚ軸方向）の直交方向（Ｙ軸方向）に変位する（図４における白抜き矢印参照。）。磁気センサ２Ａ，２Ｂは、磁石５Ａ，５Ｂが変位したときの磁界の変化をセンシングする。

本実施形態に係る多層基板１０１によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）多層基板１０１では、図２（Ａ）に示すように、コイル３Ａ，３Ｂが積層体１０Ａに形成され、導電性接合材４を介するコイル３Ａの第１端Ｅ１Ａ（コイル導体３１Ａの他端）と実装電極（ＭＰ５）との接続箇所は、一箇所である。また、導電性接合材４を介するコイル３Ｂの第１端Ｅ１Ｂ（コイル導体３１Ｂの他端）と実装電極（ＭＰ７）との接続箇所は、一箇所である。この構成により、導電性接合材４を介するコイルの第１端と実装電極との接続箇所が二箇所以上ある場合（例えば、導電性接合材を介して、ドライバーＩＣとチップ部品であるコイルとをそれぞれ基板等に実装する場合）に比べ、ドライバーＩＣ１とコイル３Ａ，３Ｂとの位置関係はずれ難くなる。したがって、この構成により、コイルに対するドライバーＩＣ１の位置関係のずれに起因する、発生磁界のばらつきを抑制できる。

（ｂ）また、多層基板１０１では、積層体１０Ａを形成する複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａが、樹脂材料からなる。図１および図２（Ｂ）に示すように、ドライバーＩＣ１の少なくとも一部は、コイル形成領域ＣＥ１Ａ（コイル３Ａの形成領域）とコイル形成領域ＣＥ１Ｂ（コイル３Ｂの形成領域）との間に配置されている。一般的にコイル等の導体は、樹脂材料からなる絶縁基材層よりも相対的に剛性が高い。すなわち、多層基板１０１では、ドライバーＩＣ１が、樹脂材料からなる絶縁基材層よりも相対的に剛性の高い部材で挟まれる（囲まれる）ため、積層体１０Ａに外力が加わった場合でもドライバーＩＣ１とコイルとの位置関係のずれは抑制される。

（ｃ）多層基板１０１では、複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａが熱可塑性樹脂の樹脂材料からなる。また、ドライバーＩＣ１は、複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａによって形成されるキャビティ（後に詳述する。）内に収納されるが、この構成により、積層体１０Ａを形成する際の加熱加圧時に、流動した絶縁基材層の一部がキャビティ内に流入する。そのため、上記キャビティ内の隙間の発生が抑制され、一部が積層体１０Ａの内部に埋設されるドライバーＩＣ１の固定不良は生じ難い。したがって、ドライバーＩＣ１と積層体１０Ａ内の導体との電気的な接続信頼性は高まる。

また、この構成によれば、後に詳述するように、積層した複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａを一括プレスすることにより、多層基板１０１（積層体１０Ａ）を容易に形成できるため、製造工程の工数が削減され、コストを低く抑えることができる。

なお、多層基板１０１では、ドライバーＩＣ１の一部および磁気センサ２Ａ，２Ｂの一部が、積層体１０Ａの内部に埋設される例を示したが、この構成に限定されるものではない。ドライバーＩＣ１および磁気センサ２Ａ，２Ｂは、積層体１０Ａを形成した後に実装してもよい。例えば、剛性の低いパッケージで形成される磁気センサが積層体１０Ａの内部に埋設されている場合には、積層体１０Ａに外力が加わることで生じる応力が伝わりやすくなり、磁気センサの特性が変化する虞がある。そのため、応力が伝わり難いように、ドライバーＩＣまたは磁気センサを積層体に埋設しない方が良い場合もある。

本実施形態に係る多層基板１０１は、例えば次のような工程で製造される。図５は多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。なお、図５では、説明の都合上ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実装の多層基板の製造工程は集合基板状態で行われる。

図５中の（１）に示すように、まず複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａを準備する。絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等の熱可塑性樹脂シートである。

その後、絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａに、コイル導体３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ等、接続導体、外部電極Ｐ２，Ｐ４等および導体２１Ａ，２１Ｂ，４２，４４等を形成する。

具体的には、集合基板状態の絶縁基材層１１ａの両主面に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その後、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、外部電極Ｐ２，Ｐ４等および導体２１Ａ，２１Ｂ等を形成する。また、集合基板状態の絶縁基材層１２ａの一方主面に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その後、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、コイル導体３１Ａ，３１Ｂ等、接続導体および導体４２，４４等を形成する。また、集合基板状態の絶縁基材層１３ａの一方主面に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その後、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、コイル導体３２Ａ，３２Ｂおよび接続導体を形成する。

次に、絶縁基材層１２ａに、ドライバーＩＣ１、磁気センサ２Ａ，２Ｂを実装する。具体的には、ドライバーＩＣ１は実装面（図５におけるドライバーＩＣ１の下面）に複数の実装電極を有しており、これら複数の実装電極を、導電性接合材４を介して、絶縁基材層１２ａの表面に形成された導体（図３に示す接続電極ＣＰ１Ａ，ＣＰ１Ｂ，ＣＰ２Ａ，ＣＰ２Ｂおよび導体４１，４２，４３，４４，５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂ）に接続する。また、磁気センサ２Ａ，２Ｂは実装面（図５における磁気センサ２Ａ，２Ｂの下面）に端子を有しており、これら端子を、導電性接合材４を介して、絶縁基材層１２ａの表面に形成された導体に接続する。なお、導電性接合材４は、後の加熱加圧時に溶融して接続不良を起こす虞があるため、加熱加圧時の温度よりも融点（溶融温度）が高い材料であることが好ましい。

ドライバーＩＣ１は、コイルの給電を制御することにより、可動体に取り付けられた磁石の可動を行うものである。磁気センサ２Ａ，２Ｂは、例えばホール効果を利用したホール素子である。

なお、複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａには、層間接続導体Ｖ２，Ｖ４，Ｖ３１Ａ，Ｖ３１Ｂ，Ｖ４２，Ｖ４４等が形成される。層間接続導体は、絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａにレーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｍｏ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱加圧で硬化（固化）させることによって設けられる。そのため、層間接続導体は、後の加熱加圧時の温度よりも融点（溶融温度）が低い材料とする。

また、絶縁基材層１２ａ，１３ａには、開口ＡＰ１，ＡＰ２Ａ，ＡＰ２Ｂ，ＡＰ３Ａ，ＡＰ３Ｂを形成する。開口ＡＰ１はドライバーＩＣ１の平面形状に合わせた貫通孔である。開口ＡＰ２Ａ，ＡＰ３Ａは磁気センサ２Ａの平面形状に合わせた貫通孔である。開口ＡＰ２Ｂ，ＡＰ３Ｂは磁気センサ２Ｂの平面形状に合わせた貫通孔である。開口ＡＰ１，ＡＰ２Ａ，ＡＰ２Ｂ，ＡＰ３Ａ，ＡＰ３Ｂは、例えばレーザー加工等によって形成される。あるいは、開口ＡＰ１，ＡＰ２Ａ，ＡＰ２Ｂ，ＡＰ３Ａ，ＡＰ３Ｂは、パンチング等によって型抜きして形成してもよい。

次に、図５中の（２）（３）に示すように、絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａの順に積層する。このとき、積層した複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａの内部にドライバーＩＣ１の形状に沿ったキャビティが構成され、このキャビティ内にドライバーＩＣ１が収納される。また、積層した複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａの内部に、磁気センサ２Ａ，２Ｂの形状に沿ったキャビティが構成され、このキャビティ内に磁気センサ２Ａ，２Ｂが収納される。

複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａを積層した後に、積層した絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａを加熱加圧することにより、集合基板状態の積層体１０Ａを形成する。積層体１０Ａの形成時（加熱加圧時）に、絶縁基材層１２ａ，１３ａの一部は、上記キャビティ内に流入し、ドライバーＩＣ１の一部、磁気センサ２Ａ，２Ｂの一部は、熱可塑性樹脂によって覆われる。

最後に、集合基板から個々の個片に分離して、多層基板１０１を得る。

上記製造方法により、コイルに対するドライバーＩＣ１の位置関係のずれに起因する、発生磁界のばらつきを抑制した多層基板を容易に製造できる。

また、上記製造方法によれば、積層した複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａを一括プレスすることにより、多層基板１０１（積層体１０Ａ）を容易に形成できるため、製造工程の工数が削減され、コストを低く抑えることができる。

なお、上記製造方法では、加熱加圧する前の絶縁基材層１２ａに、ドライバーＩＣ１および磁気センサ２Ａ，２Ｂを実装したが、この製造方法に限定されるものではない。ドライバーＩＣ１および磁気センサ２Ａ，２Ｂは、積層体１０Ａを形成した後に実装してもよい。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、ドライバーＩＣの実装電極を、はんだ以外の導電性接合材を介して、絶縁基材層に形成される導体に接続した多層基板の例を示す。

図６は、第２の実施形態に係る多層基板１０２の平面図である。図７（Ａ）は図６におけるＣ−Ｃ断面図であり、図７（Ｂ）は図６におけるＤ−Ｄ断面図である。図８は、多層基板１０１の分解平面図である。また、図８では、構造を分かりやすくするため、コイル導体３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂをハッチングで示している。

多層基板１０２は、積層体１０Ｂと、ドライバーＩＣ１と、磁気センサ２Ａ，２Ｂと、積層体１０Ｂに形成されるコイル３Ａ，コイル３Ｂ（後に詳述する）と、を備える。

多層基板１０２は、積層体１０Ｂの積層数、および複数の絶縁基材層に形成される導体の構成が、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。その他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

積層体１０Ａは、樹脂材料（熱可塑性樹脂）からなる複数の絶縁基材層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂの順に積層されて形成される。複数の絶縁基材層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂは、第１の実施形態で説明した絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａと同じく、例えば液晶ポリマーを主材料とするシートである。

絶縁基材層１１ｂの裏面には、外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４および導体２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂが形成される。外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４および導体２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂの構成は、第１の実施形態で説明したものと実質的に同じである。

また、絶縁基材層１１ｂには、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１Ａ，Ｖ１１Ｂ，Ｖ１２Ａ，Ｖ１２Ｂ，Ｖ１３Ａ，Ｖ１３Ｂ，Ｖ１４Ａ，Ｖ１４Ｂが形成されている。

絶縁基材層１２ｂの裏面には、コイル導体３１Ａ，３１Ｂ、接続導体６１Ａ，６１Ｂ，６３Ａ，６３Ｂおよび導体４１，４２，４３，４４，５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂが形成されている。コイル導体３１Ａ，３１Ｂ、接続導体６１Ａ，６１Ｂ，６３Ａ，６３Ｂおよび導体４１，４２，４３，４４，５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂの構成は、第１の実施形態で説明したものと実質的に同じである。

また、絶縁基材層１２ｂには、層間接続導体Ｖ２１Ａ，Ｖ２１Ｂ，Ｖ２２Ａ，Ｖ２２Ｂ，Ｖ３１Ａ，Ｖ３１Ｂ，Ｖ３２Ａ，Ｖ３２Ｂ，Ｖ３３Ａ，Ｖ３３Ｂ，Ｖ３４Ａ，Ｖ３４Ｂ，Ｖ４１，Ｖ４２，Ｖ４３，Ｖ４４および開口ＡＰ３Ａ，ＡＰ３Ｂが形成されている。開口ＡＰ３Ａ，ＡＰ３Ｂの構成は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

絶縁基材層１３ｂの裏面には、コイル導体３２Ａ，３２Ｂおよび接続導体６２Ａ，６２Ｂが形成されている。コイル導体３２Ａ，３２Ｂおよび接続導体６２Ａ，６２Ｂの構成は、第１の実施形態で説明したものと実質的に同じである。

また、絶縁基材層１３ｂには、開口ＡＰ１，ＡＰ２Ａ，ＡＰ２Ｂが形成されている。開口ＡＰ１，ＡＰ２Ａ，ＡＰ２Ｂの構成は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

本実施形態では、図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示すように、ドライバーＩＣ１の一部は積層体１０Ｂに埋設されており、ドライバーＩＣ１の実装面（図７（Ａ）におけるドライバーＩＣ１の下面）が、絶縁基材層１２ｂの表面（図７（Ａ）における絶縁基材層１２ｂの上面）に対向している。ドライバーＩＣ１の複数の実装電極（図６に示す実装電極ＭＰ１〜ＭＰ１２）は、層間接続導体Ｖ２１Ａ，Ｖ２１Ｂ，Ｖ２２Ａ，Ｖ２２Ｂ，Ｖ３１Ａ，Ｖ３１Ｂ，Ｖ３４Ａ，Ｖ３４Ｂ，Ｖ４１，Ｖ４２，Ｖ４３，Ｖ４４を介して、絶縁基材層１２ｂの裏面に形成された導体（図８に示す接続導体６１Ａ，６１Ｂ，６３Ａ，６３Ｂおよび導体４１，４２，４３，４４，５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂ）にそれぞれ接続される。

図７（Ａ）、図７（Ｂ）および図８等に示すように、コイル導体３１Ａの一端は、層間接続導体Ｖ３２Ａを介して、コイル導体３２Ａの一端に接続される。このように、複数の絶縁基材層１２ｂ，１３ｂにそれぞれ形成されるコイル導体３１Ａ，３２Ａ，３３Ａを含んで約３．５ターンのコイル３Ａが構成される。

コイル３Ａの第１端Ｅ１Ａおよび第２端Ｅ２Ａは、ドライバーＩＣ１の実装電極にそれぞれ導通している。具体的には、コイル３Ａの第１端Ｅ１Ａ（コイル導体３１Ａの他端）は、接続導体６１Ａの一端に接続される。接続導体６１Ａの他端（接続電極ＣＰ１Ａ）は、層間接続導体Ｖ３１Ａを介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図６に示す実装電極ＭＰ５）に接続される。また、コイル３Ａの第２端Ｅ２Ａ（コイル導体３３Ａの他端）は、接続導体６２Ａの一端に接続され、接続導体６２Ａの他端（接続電極ＣＰ２Ａ）は、層間接続導体Ｖ３３Ａを介して接続導体６３Ａの一端に接続される。接続導体６３Ａの他端は、層間接続導体Ｖ３４Ａを介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図６における実装電極ＭＰ６）に接続される。

また、図７（Ａ）、図７（Ｂ）および図８等に示すように、コイル導体３１Ｂの一端は、層間接続導体Ｖ３２Ｂを介して、コイル導体３２Ｂの一端に接続される。このように、複数の絶縁基材層１２ｂ，１３ｂにそれぞれ形成されるコイル導体３１Ｂ，３２Ｂ，３３Ｂを含んで約３．５ターンのコイル３Ｂが構成される。

また、コイル３Ｂの第１端Ｅ１Ｂおよび第２端Ｅ２Ｂは、ドライバーＩＣ１の実装電極にそれぞれ導通している。具体的には、コイル３Ｂの第１端Ｅ１Ｂ（コイル導体３１Ｂの他端）は、接続導体６１Ｂの一端に接続される。接続導体６１Ｂの他端（接続電極ＣＰ１Ｂ）は、層間接続導体Ｖ３１Ｂを介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１に示す実装電極ＭＰ７）に接続される。また、コイル３Ｂの第２端Ｅ２Ｂ（コイル導体３３Ｂの他端）は、接続導体６２Ｂの一端に接続され、接続導体６２Ｂの他端は、層間接続導体Ｖ３３Ｂを介して接続導体６３Ｂの一端に接続される。接続導体６３Ｂの他端（接続電極ＣＰ２Ｂ）は、層間接続導体Ｖ３４Ｂを介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１における実装電極ＭＰ８）に接続される。

層間接続導体Ｖ３１Ａ，Ｖ３１Ｂ，Ｖ３４Ａ，Ｖ３４Ｂは、後に詳述するように、絶縁基材層１２ｂを貫通する孔内に充填される導電性接合材である。図７（Ａ）等に示すように、層間接続導体（導電性接合材）を介するコイル３Ａの第１端Ｅ１Ａと実装電極ＭＰ５との間の接続箇所は、一箇所である。また、層間接続導体（導電性接合材）を介するコイル３Ｂの第１端Ｅ１Ｂと実装電極ＭＰ４との間の接続箇所は、一箇所である。

磁気センサ２Ａの端子は、ドライバーＩＣ１に接続される。具体的には、磁気センサ２Ａの端子が、層間接続導体Ｖ１１Ａ，Ｖ１３Ａを介して、導体２１Ａ，２２Ａの一端にそれぞれ接続される。導体２１Ａの他端は、導体５１Ａおよび層間接続導体Ｖ１２Ａ，Ｖ２１Ａを介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図６における実装電極ＭＰ９）に接続される。また、導体２２Ａの他端は、導体５２Ａおよび層間接続導体Ｖ１４Ａ，Ｖ２２Ａを介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図６における実装電極ＭＰ１０）に接続される。

また、磁気センサ２Ｂの端子は、ドライバーＩＣ１に接続される。具体的には、磁気センサ２Ｂの端子が、層間接続導体Ｖ１１Ｂ，Ｖ１３Ｂを介して、導体２１Ｂ，２２Ｂの一端にそれぞれ接続される。導体２１Ｂの他端は、導体５１Ｂおよび層間接続導体Ｖ１２Ｂ，Ｖ２１Ｂを介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図６における実装電極ＭＰ１１）に接続される。また、導体２２Ｂの他端は、導体５２Ｂおよび層間接続導体Ｖ１４Ｂ，Ｖ２２Ｂを介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図６における実装電極ＭＰ１２）に接続される。

また、外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、それぞれドライバーＩＣ１の実装電極に接続されている。具体的には、外部電極Ｐ１は、導体４１および層間接続導体Ｖ１，Ｖ４１を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図６に示す実装電極ＭＰ１）に接続される。外部電極Ｐ２は、導体４２および層間接続導体Ｖ２，Ｖ４２を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図６に示す実装電極ＭＰ２）に接続される。外部電極Ｐ３は、導体４３および層間接続導体Ｖ３，Ｖ４３を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図６に示す実装電極ＭＰ３）に接続される。外部電極Ｐ４は、導体４４および層間接続導体Ｖ４，Ｖ４４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図６における実装電極ＭＰ４）に接続される。

本実施形態に係る多層基板１０２は、例えば次のような工程で製造される。図９は多層基板１０２の製造工程を順に示す断面図である。なお、図９では、説明の都合上ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実装の多層基板の製造工程は集合基板状態で行われる。

図９中の（１）に示すように、まず複数の絶縁基材層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂを準備する。絶縁基材層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等の熱可塑性樹脂シートである。

その後、絶縁基材層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂに、コイル導体３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ等、外部電極Ｐ２，Ｐ４等および導体２１Ａ，２１Ｂ，４２，４４等を形成する。

具体的には、集合基板状態の絶縁基材層１１ｂの他方主面に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その後、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、外部電極Ｐ２，Ｐ４等および導体２１Ａ，２１Ｂ等を形成する。また、集合基板状態の絶縁基材層１２ｂの他方主面に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その後、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、コイル導体３１Ａ，３１Ｂ等、接続導体および導体４２，４４等を形成する。また、集合基板状態の絶縁基材層１３ｂの他方主面に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その後、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、コイル導体３２Ａ，３２Ｂ、接続導体を形成する。

なお、複数の絶縁基材層１１ｂ，１２ｂには、層間接続導体Ｖ２，Ｖ４，Ｖ１１Ａ，Ｖ１１Ｂ，Ｖ３２Ａ，Ｖ３２Ｂ，Ｖ４２，Ｖ４４等が形成される。層間接続導体は、絶縁基材層１１ｂ，１２ｂにレーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｍｏ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱加圧で硬化（固化）させることによって設けられる。そのため、層間接続導体は、後の加熱加圧時の温度よりも融点（溶融温度）が低い材料とする。

また、絶縁基材層１２ｂ，１３ｂには、開口ＡＰ１，ＡＰ２Ａ，ＡＰ２Ｂ，ＡＰ３Ａ，ＡＰ３Ｂを形成する。開口ＡＰ１はドライバーＩＣ１の平面形状に合わせた貫通孔である。開口ＡＰ２Ａ，ＡＰ３Ａは磁気センサ２Ａの平面形状に合わせた貫通孔である。開口ＡＰ２Ｂ，ＡＰ３Ｂは磁気センサ２Ｂの平面形状に合わせた貫通孔である。

次に、図９中の（２）に示すように、絶縁基材層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂの順に積層する。このとき、絶縁基材層１３ｂに形成された開口ＡＰ１と複数の絶縁基材層１２ｂ，１４ｂとによって、積層した複数の絶縁基材層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂの内部にドライバーＩＣ１の形状に沿ったキャビティが構成され、このキャビティ内にドライバーＩＣ１が収納される。また、絶縁基材層１２ｂ，１３ｂに形成された開口ＡＰ２Ｂ，ＡＰ３Ｂと複数の絶縁基材層１１ｂ，１４ｂによって、積層した複数の絶縁基材層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂの内部に、磁気センサ２Ａ，２Ｂの形状に沿ったキャビティが構成され、このキャビティ内に磁気センサ２Ａ，２Ｂが収納される。

その後、図９中の（２）（３）に示すように、積層した絶縁基材層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂを加熱加圧（一括プレス）することにより、集合基板状態の積層体１０Ｂを形成する。積層体１０Ｂの形成時（加熱加圧時）に、絶縁基材層１２ｂ，１３ｂ，１４ｂの一部は、上記キャビティ内に流入し、ドライバーＩＣ１全体、磁気センサ２Ａ，２Ｂ全体は熱可塑性樹脂によって覆われる。

最後に、集合基板から個々の個片に分離して、図９中の（３）に示す多層基板１０２を得る。なお、積層体１０Ｂの第２主面ＶＳ２には、導体２１Ａ，２１Ｂ等の導体を被覆する保護膜（例えば、ソルダーレジスト膜やカバーレイフィルム等）を形成してもよい。

本実施形態に係る多層基板１０２によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ａ）多層基板１０２では、ドライバーＩＣ１全体が熱可塑性樹脂によって覆われている。そのため、ドライバーＩＣ１の一部が熱可塑性樹脂で覆われる構成に比べて、ドライバーＩＣ１を収納するキャビティ内の隙間の発生はさらに抑制される。したがって、この構成により、ドライバーＩＣ１と積層体１０Ｂ内の導体との電気的な接続信頼性がさらに高まる。

（ｂ）また、多層基板１０２では、磁気センサ２Ａ，２Ｂ全体が熱可塑性樹脂によって覆われている。そのため、磁気センサ２Ａ，２Ｂの一部が熱可塑性樹脂で覆われる構成に比べて、磁気センサ２Ａ，２Ｂを収納するキャビティ内の隙間の発生はさらに抑制される。したがって、この構成により、磁気センサ２Ａ，２Ｂと積層体１０Ｂ内の導体との電気的な接続信頼性がさらに高まる。

（ｃ）多層基板１０２では、はんだ等の導電性接合材を介して、ドライバーＩＣ１、磁気センサ２Ａ，２Ｂを接続する必要がない。したがって、上記製造方法によれば、第１の実施形態で説明した製造方法と比べて、製造工程の工数がさらに削減され、コストをより低く抑えることができる。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、コイルの構成が第１の実施形態とは異なる例を示す。

図１０（Ａ）は第３の実施形態に係る多層基板１０３の平面図であり、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）におけるＥ−Ｅ断面図である。図１１は、多層基板１０３の分解平面図である。

多層基板１０３は、積層体１０Ｃと、ドライバーＩＣ１と、磁気センサ２Ａ，２Ｂと、積層体１０Ｂに形成される複数のコイル３Ｂ，コイル３Ｂ（後に詳述する）と、を備える。

多層基板１０２は、コイル３Ａ，３Ｂの構成が、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。その他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

積層体１０Ｃは、樹脂材料（熱可塑性樹脂）からなる複数の絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃの順に積層されて形成される。複数の絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃの構成は、第１の実施形態で説明した絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａと同じである。

絶縁基材層１１ｃの表面には、導体２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂが形成される。絶縁基材層１１ｃの裏面には、外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４が形成される。導体２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂおよび外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の構成は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

また、絶縁基材層１１ｃには、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４が形成されている。

絶縁基材層１２ｃの表面には、コイル導体３０Ａ，３０Ｂ（コイル３Ａ，３Ｂ）、接続導体６１Ａ，６１Ｂ，６２Ａ，６２Ｂおよび導体４１，４２，４３，４４，５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂが形成されている。コイル導体３０Ａ，３０Ｂは、絶縁基材層１２ｃの長手方向に沿ってミアンダライン状に形成された導体である。コイル導体３０Ａは、絶縁基材層１２ｃの中央より第１辺（図１１における絶縁基材層１２ｃの左辺）寄りの位置に配置されている。コイル導体３０Ｂは、絶縁基材層１２ｃの中央より第２辺（図１１における絶縁基材層１２ｃの右辺）寄りの位置に配置されている。接続導体６１Ａ，６１Ｂは、絶縁基材層１２ｃの第３辺（図１１における絶縁基材層１２ｃの下辺）付近に配置され、Ｘ軸方向に延伸する線状の導体である。接続導体６２Ａ，６２Ｂは、絶縁基材層１２ｃの第４辺（図１１における絶縁基材層１２ｃの上辺）付近に配置され、概略的にＸ軸方向に延伸する線状の導体である。導体４１，４２，４３，４４，５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂの構成は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

また、絶縁基材層１２ｃには、層間接続導体Ｖ２１Ａ，Ｖ２１Ｂ，Ｖ２２Ａ，Ｖ２２Ｂ，Ｖ４１，Ｖ４２，Ｖ４３，Ｖ４４および開口ＡＰ３Ａ，ＡＰ３Ｂが形成されている。開口ＡＰ３Ａ，ＡＰ３Ｂの構成は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

絶縁基材層１３ｃには、開口ＡＰ１，ＡＰ２Ａ，ＡＰ２Ｂが形成されている。開口ＡＰ１，ＡＰ２Ａ，ＡＰ２Ｂの構成は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

本実施形態では、図１０（Ｂ）に示すように、ドライバーＩＣ１の一部が積層体１０Ｃに埋設されており、ドライバーＩＣ１の実装面（図１０（Ｂ）におけるドライバーＩＣ１の下面）が、絶縁基材層１２ｃの表面（図１０（Ｂ）における絶縁基材層１２ｃの上面）に対向している。ドライバーＩＣ１の複数の実装電極（図１０に示す実装電極ＭＰ１〜ＭＰ１２）は、導電性接合材４を介して、絶縁基材層１２ｃの表面に形成された導体（図１１に示す接続電極ＣＰ１Ａ，ＣＰ１Ｂ，ＣＰ２Ａ，ＣＰ２Ｂおよび導体４１，４２，４３，４４，５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂ）にそれぞれ接続される。

コイル３Ａ（コイル導体３０Ａ）の第１端Ｅ１Ａおよび第２端Ｅ２Ａは、ドライバーＩＣ１の実装電極にそれぞれ導通している。具体的には、コイル３Ａの第１端Ｅ１Ａ（コイル導体３０Ａの一端）は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１０（Ａ）に示す実装電極ＭＰ５）に接続される。また、コイル３Ａの第２端Ｅ２Ａ（コイル導体３０Ａの他端）は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１０における実装電極ＭＰ６）に接続される。図１０（Ｂ）および図１１に示すように、導電性接合材４を介するコイル３Ａの第１端Ｅ１Ａと実装電極（ＭＰ５）との間の接続箇所は、一箇所である。また、導電性接合材４を介するコイル３Ａの第２端Ｅ２Ａと実装電極（ＭＰ６）との間の接続箇所は、一箇所である。

また、コイル３Ｂ（コイル導体３０Ｂ）の第１端Ｅ１Ｂおよび第２端Ｅ２Ｂは、ドライバーＩＣ１の実装電極にそれぞれ導通している。具体的には、コイル３Ｂの第１端Ｅ１Ｂ（コイル導体３０Ｂの一端）は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１０（Ａ）に示す実装電極ＭＰ７）に接続される。また、コイル３Ｂの第２端Ｅ２Ｂ（コイル導体３０Ｂの他端）は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１０（Ｂ）における実装電極ＭＰ８）に接続される。図１０（Ｂ）および図１１に示すように、導電性接合材４を介するコイル３Ｂの第１端Ｅ１Ｂと実装電極（ＭＰ７）との間の接続箇所は、一箇所である。また、導電性接合材４を介するコイル３Ｂの第２端Ｅ２Ｂと実装電極（ＭＰ８）との間の接続箇所は、一箇所である。

本実施形態に係る多層基板１０３によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。（ａ）多層基板１０３では、導電性接合材４を介するコイル３Ａの第２端Ｅ２Ａ（コイル導体３０Ａの他端）と実装電極（ＭＰ６）との接続箇所が、一箇所である。また、導電性接合材４を介するコイル３Ｂの第２端Ｅ２Ｂ（コイル導体３０Ｂの他端）と実装電極（ＭＰ８）との接続箇所が、一箇所である。この構成では、導電性接合材を介するコイルの第１端と実装電極との接続箇所、および導電性接合材を介するコイルの第２端と実装電極との接続箇所が、いずれも一箇所となる。そのため、コイル３Ａ，３Ｂに対するドライバーＩＣ１の位置関係のずれがさらに抑制される。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、コイルの構成が以上の示した各実施形態とは異なる例を示す。

図１２（Ａ）は第４の実施形態に係る多層基板１０４の斜視図であり、図１２（Ｂ）は多層基板１０４の分解斜視図である。図１３（Ａ）は多層基板１０４の平面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ｂ）におけるＦ−Ｆ断面図である。図１４は、多層基板１０４の分解平面図である。なお、図１４では、構造を分かりやすくするため、第１コイル部ＬＰ１（コイル導体３１Ａ，３２Ａ）をハッチングで示しており、第２コイル部ＬＰ２（コイル導体３１Ｂ，３２Ｂ）をクロスハッチングで示している。

多層基板１０４は、積層体１０Ｄと、ドライバーＩＣ１と、磁気センサ２Ａ，２Ｂと、積層体１０Ｄに形成されるコイル３（後に詳述する）と、を備える。

多層基板１０４は、コイル３の構成が、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。また、多層基板１０４は、ドライバーＩＣ１、磁気センサ２Ａ，２Ｂが、積層体１０Ｄの第２主面ＶＳ２に実装されている点で、多層基板１０１と異なる。その他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

積層体１０Ｄは、樹脂材料（熱可塑性樹脂）からなる複数の絶縁基材層１１ｄ，１２ｄおよび保護層６の順に積層されて形成される。複数の絶縁基材層１１ｄ，１２ｄの構成は、第１の実施形態で説明した絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａと同じである。保護層６は、例えばソルダーレジスト膜やカバーレイフィルム等である。

絶縁基材層１１ｄの表面には、コイル導体３２Ａ，３２Ｂおよび接続導体６２が形成される。コイル導体３２Ａは、絶縁基材層１１ｄの中央よりも第１辺（図１４における絶縁基材層１１ｄの左辺）寄りの位置に配置された約２ターンの矩形スパイラル状の導体である。コイル導体３２Ｂは、絶縁基材層１１ｄの中央よりも第２辺（図１４における絶縁基材層１１ｄの右辺）寄りの位置に配置された約２ターンの矩形スパイラル状の導体である。コイル導体３２Ａおよびコイル導体３２Ｂの巻回方向は逆である。接続導体６２は、線状の導体である。図１４に示すように、コイル導体３２Ａの一端は、接続導体６２を介して、コイル導体３２Ｂの一端に接続されている。コイル導体３２Ａ，３２Ｂおよび接続導体６２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

絶縁基材層１１ｄの裏面には、外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４が形成されている。外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、絶縁基材層１１ｄの第１角（図１４における絶縁基材層１１ｄの左下角）付近に配置される矩形の導体である。

また、絶縁基材層１１ｄには、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４が形成されている。

絶縁基材層１２ｄの表面には、コイル導体３１Ａ，３１Ｂ、接続導体６１，６３および導体４１，４２，４３，４４，２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂが形成されている。コイル導体３１Ａは、絶縁基材層１２ｄの中央より第１辺（図１４における絶縁基材層１２ｄの左辺）寄りの位置に配置された約１．５ターンの矩形スパイラル状の導体である。コイル導体３１Ｂは、絶縁基材層１２ｄの中央より第２辺（図１４における絶縁基材層１２ｄの右辺）寄りの位置に配置された約１．５ターンの矩形スパイラル状の導体である。接続導体６１，６３は、線状の導体である。導体２１Ａ，２２Ａは、絶縁基材層１２ｄの第１角（図１４における絶縁基材層１２ｄの左下角）付近に配置されるＬ字形の導体である。導体２１Ａ，２２Ａは、概略的に並走している。導体２１Ｂ，２２Ｂは、絶縁基材層１２ｄの第２角（図１４における絶縁基材層１２ｄの右下角）付近に配置されるＬ字形の導体である。導体２１Ｂ，２２Ｂは、概略的に並走している。導体４１，４２，４３，４４は、絶縁基材層１２ｄの第１角付近に配置される矩形の導体である。コイル導体３１Ａ，３１Ｂおよび導体２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ，４１，４２，４３，４４は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

本実施形態では、この接続導体６１が本発明における「第１接続導体」に相当する。

保護層６は、絶縁基材層１２ｄの表面（第２主面ＶＳ２側の面）の略全面に形成され、絶縁基材層１２ｄの表面に形成される導体を被覆する樹脂膜である。

保護層６は、接続導体６１の一端（接続電極ＣＰ１）、接続導体６３の一端（接続電極ＣＰ２）、導体２１Ａの一端（電極部７１Ａ）、導体２２Ａの一端（電極部８１Ａ）、導体２１Ｂの一端（電極部７１Ｂ）、導体２２Ｂの一端（電極部８１Ｂ）、および導体４１，４２，４３，４４に応じた位置に複数の開口部ＯＰ１を有する。そのため、絶縁基材層１２ｄの上面に保護層６が形成されることにより、接続電極ＣＰ１，ＣＰ２、電極部７１Ａ，７１Ｂ，８１Ａ，８１Ｂおよび導体４１，４２，４３，４４が第１主面ＶＳ１から露出する。

また、保護層６は、導体２１Ａの他端（電極部７２Ａ）および導体２２Ａの他端（電極部８２Ａ）に応じた位置に複数の開口部ＯＰ２を有し、導体２１Ｂの他端（電極部７２Ｂ）および導体２２Ｂの他端（電極部８２Ｂ）に応じた位置に複数の開口部ＯＰ３を有する。そのため、絶縁基材層１２ｄの上面に保護層６が形成されることにより、電極部７２Ａ，７２Ｂ，８２Ａ，８２Ｂが第１主面ＶＳ１から露出する。

本実施形態では、図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）および図１３（Ｂ）に示すように、ドライバーＩＣ１が積層体１０Ｄの第２主面ＶＳ２に実装されている。ドライバーＩＣ１の複数の実装電極（図１３（Ａ）に示す実装電極ＭＰ１〜ＭＰ１０）は、導電性接合材４を介して、第２主面ＶＳ２から露出する導体（図１４に示す接続電極ＣＰ１，ＣＰ２および電極部７１Ａ，７１Ｂ，８１Ａ，８１Ｂおよび導体４１，４２，４３，４４）にそれぞれ接続される。

図１４等に示すように、コイル導体３１Ａの一端は、層間接続導体Ｖ３１Ａを介して、コイル導体３２Ａの他端に接続される。本実施形態では、複数の絶縁基材層１１ｄ，１２ｄにそれぞれ形成されるコイル導体３１Ａ，３２Ａを含んで約３．５ターンの第１コイル部ＬＰ１が構成される。また、コイル導体３１Ｂの一端は、層間接続導体Ｖ３１Ｂを介して、コイル導体３２Ｂの他端に接続される。本実施形態では、複数の絶縁基材層１１ｄ，１２ｄにそれぞれ形成されるコイル導体３１Ｂ，３２Ｂを含んで約３．５ターンの第２コイル部ＬＰ２が構成される。第１コイル部ＬＰ１の一端（コイル導体３２Ａの一端）は、接続導体６２を介して、第２コイル部ＬＰ２の一端（コイル導体３２Ｂの一端）に接続されている。このように、本実施形態では、第１コイル部ＬＰ１と第２コイル部ＬＰ２とが直列に接続されている。

図１３（Ｂ）等に示すように、本実施形態では、第１コイル部ＬＰ１、第２コイル部ＬＰ２および接続導体６２によってコイル３が構成される。

図１４に示すように、コイル３の第１端Ｅ１（コイル導体３１Ａの他端）は、接続導体６１の一端に接続される。接続導体６１の他端（接続電極ＣＰ１）は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１３（Ａ）に示す実装電極ＭＰ５）に接続される。すなわち、接続導体６１は、コイル３の第１端Ｅ１と接続電極ＣＰ１との間を接続している。

本実施形態では、この接続電極ＣＰ１が本発明における「第１接続電極」に相当し、接続導体６１が本発明における「第１接続導体」に相当する。

また、コイル３の第２端Ｅ２（コイル導体３１Ｂの他端）は、接続導体６３の一端に接続される。接続導体６３の他端（接続電極ＣＰ２）は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１３（Ａ）に示す実装電極ＭＰ６）に接続される。すなわち、接続導体６３は、コイル３の第２端Ｅ２と接続電極ＣＰ２との間を接続している。

本実施形態では、接続電極ＣＰ２が本発明における「第２接続電極」に相当し、接続導体６３が本発明における「第２接続導体」に相当する。

図１４に示すように、接続導体６１（第１接続導体）および接続導体６３（第２接続導体）は、電流の向きが逆向きになるように並走する並走部分ＣＭＬを有する。

磁気センサ２Ａの端子は、ドライバーＩＣ１に接続される。具体的には、磁気センサ２Ａの端子は、導電性接合材４を介して導体２１Ａ，２２Ａの一端にそれぞれ接続される。導体２１Ａの他端は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１３（Ａ）における実装電極ＭＰ７）に接続される。また、導体２２Ａの他端は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１３（Ａ）における実装電極ＭＰ８）に接続される。

また、磁気センサ２Ｂの端子は、ドライバーＩＣ１に接続される。具体的には、磁気センサ２Ｂの端子は、導電性接合材４を介して、導体２１Ｂ，２２Ｂの一端にそれぞれ接続される。導体２１Ｂの他端は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１３（Ａ）における実装電極ＭＰ９）に接続される。また、導体２２Ｂの他端は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極（図１３（Ａ）における実装電極ＭＰ１０）に接続される。

また、外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、それぞれドライバーＩＣ１の実装電極に接続されている。具体的には、外部電極Ｐ１は、層間接続導体Ｖ１，Ｖ４１を介して導体４１に接続され、この導体４１が、導電性接合材４を介してドライバーＩＣ１の実装電極（図１３（Ａ）に示す実装電極ＭＰ１）に接続される。外部電極Ｐ２は、層間接続導体Ｖ２，Ｖ４２を介して導体４２に接続され、この導体４２が、導電性接合材４を介してドライバーＩＣ１の実装電極（図１３（Ａ）に示す実装電極ＭＰ２）に接続される。外部電極Ｐ３は、層間接続導体Ｖ３，Ｖ４３を介して導体４３に接続され、この導体４３が、導電性接合材４を介してドライバーＩＣ１の実装電極（図１３（Ａ）に示す実装電極ＭＰ３）に接続される。外部電極Ｐ４は、層間接続導体Ｖ４，Ｖ４４を介して導体４４に接続され、この導体４４が、導電性接合材４を介してドライバーＩＣ１の実装電極（図１３（Ａ）における実装電極ＭＰ４）に接続される。

多層基板１０４は、例えば次のように用いられる。図１５は、多層基板１０４の使用状態を示す断面図である。

図１５に示す磁石５Ａ，５Ｂは、可動体７に取り付けられている。コイル（図１３（Ｂ）におけるコイル３Ａ，３Ｂを参照）に所定の電流を流すと、コイルから放射される磁界によって、磁石５Ａ，５Ｂは積層方向（Ｚ軸方向）の直交方向（Ｙ軸方向）に変位する（図１５における白抜き矢印参照。）。磁気センサ２Ａ，２Ｂは、磁石５Ａ，５Ｂが変位したときの磁界の変化をセンシングする。

本実施形態に係る多層基板１０４によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ａ）多層基板１０４では、接続導体６１（第１接続導体）および接続導体６３（第２接続導体）が、電流の向きが逆向きになるように並走する並走部分ＣＭＬを有する。この構成では、上記並走部分ＣＭＬにおいて、磁石と相互に作用するコイル３の磁界の形成に実質的に寄与しない接続導体（接続導体６１，６３）から生じる磁束が打ち消される。したがって、コイル以外の部分（第１接続導体および第２接続導体）からの不要輻射を抑制できる。

なお、本実施形態では、接続導体６３が、コイル導体３１Ａの−Ｙ方向側で並走するため、接続導体６３とコイル導体３１Ａとの近接部ＡＣでは同じ方向に電流が流れる。そのため、コイル導体との近接部において、コイル３（第１コイル部ＬＰ１）のインダクタンスの低下を抑制できる。仮に、接続導体６３が、コイル導体３１Ａの＋Ｙ方向および−Ｘ方向側で近接する場合には、接続導体６３とコイル導体３１Ａとの近接部では逆方向に電流が流れるため、接続導体６３とコイル導体との近接部において、コイルのインダクタンスが低下してしまう。

本実施形態に係る多層基板１０４は、例えば次のような工程で製造される。図１６は多層基板１０４の製造工程を順に示す断面図である。なお、図１６では、説明の都合上ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実装の多層基板の製造工程は集合基板状態で行われる。

図１６中の（１）に示すように、まず複数の絶縁基材層１１ｄ，１２ｄを準備する。絶縁基材層１１ｄ，１２ｄの構成は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

その後、絶縁基材層１１ｄ，１２ｄに、コイル導体３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ、接続導体６２，６３等、導体２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ等および外部電極を形成する。

具体的には、集合基板状態の絶縁基材層１１ｄの両主面に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その後、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、外部電極、コイル導体３２Ａ，３２Ｂおよび接続導体６２を形成する。また、集合基板状態の絶縁基材層１２ｄの一方主面に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その後、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、コイル導体３１Ａ，３１Ｂ、接続導体６３等および導体２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ等を形成する。

なお、複数の絶縁基材層１１ｄ，１２ｄには、層間接続導体Ｖ３１Ａ，Ｖ３１Ｂ等が形成される。層間接続導体は、絶縁基材層１１ｄ，１２ｄにレーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｍｏ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱加圧で硬化（固化）させることによって設けられる。そのため、層間接続導体は、後の加熱加圧時の温度よりも融点（溶融温度）が低い材料とする。

次に、図１６中の（１）（２）に示すように、絶縁基材層１１ｄ，１２ｄの順に積層し、積層した絶縁基材層１１ｄ，１２ｄを加熱加圧（一括プレス）することにより、集合基板状態の積層体１０ＤＰを形成する。

その後、図１６中の（３）に示すように、積層体１０ＤＰの一方主面（図１６中の（３）に示す積層体１０Ｄの上面）側に保護層６を形成する。保護層６は、例えばソルダーレジスト膜やカバーレイフィルム等である。

保護層６は、絶縁基材層１２ｄの表面に形成された導体の一部（図１４に示す接続電極ＣＰ１，ＣＰ２、電極部７１Ａ，７１Ｂ，７２Ａ，７２Ｂ，８１Ａ，８１Ｂ，８２Ａ，８２Ｂおよび導体４１，４２，４３，４４）に応じた位置に開口部を有する。そのため、絶縁基材層１２ｄの上面に保護層６が形成されることにより、上記導体の一部が、第２主面ＶＳ２から露出する。

次に、図１６中の（４）に示すように、ドライバーＩＣ（不図示）および磁気センサ２Ａ，２Ｂを積層体１０Ｄの第２主面ＶＳ２に実装する。具体的には、ドライバーＩＣが有する複数の実装電極を、導電性接合材を介して、第２主面ＶＳ２から露出する導体（図１４に示す接続電極ＣＰ１，ＣＰ２、電極部７１Ａ，７１Ｂ，８１Ａ，８１Ｂおよび導体４１，４２，４３，４４）に接続する。また、磁気センサ２Ａ，２Ｂを、導電性接合材４を介して、第２主面ＶＳ２から露出する導体（図１４に示す電極部７２Ａ，７２Ｂ，８２Ａ，８２Ｂ）に接続する。導電性接合材４は例えばはんだ等である。

最後に、集合基板から個々の個片に分離して、多層基板１０４を得る。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、複数の磁気センサの配置に特徴を有する多層基板の例を示す。

図１７（Ａ）は第５の実施形態に係る多層基板１０５の平面図であり、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）におけるＧ−Ｇ断面図である。図１８は、多層基板１０５の分解平面図である。また、図１８では、構造を分かりやすくするため、コイル導体３１，３２をハッチングで示している。

多層基板１０５は、積層体１０Ｅと、ドライバーＩＣ１と、磁気センサ２Ａ，２Ｂと、積層体１０Ｄに形成されるコイル３（後に詳述する）と、を備える。

多層基板１０５は、コイルが単一である点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。また、多層基板１０５は、ドライバーＩＣ１、磁気センサ２Ａ，２Ｂが、積層体１０Ｄの第２主面ＶＳ２に実装されている点で、多層基板１０１と異なる。その他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

本実施形態に係る磁気センサ２Ａ，２Ｂは、ドライバーＩＣ１からの磁界を受けて発生する電圧の極性が互いに逆である。なお、本実施形態では、この磁気センサ２Ａが本発明における「第１磁気センサ」に相当し、磁気センサ２Ｂが本発明における「第２磁気センサ」に相当する。

積層体１０Ｅは、樹脂材料（熱可塑性樹脂）からなる複数の絶縁基材層１１ｅ，１２ｅおよび保護層６の順に積層されて形成される。複数の絶縁基材層１１ｅ，１２ｅの構成は、第１の実施形態で説明した絶縁基材層１１ａ，１２ａと同じである。保護層６は、例えばソルダーレジスト膜やカバーレイフィルム等である。

絶縁基材層１１ｅの表面には、コイル導体３２が形成される。コイル導体３２は、絶縁基材層１１ｅの中央付近に配置された約２．５ターンの矩形スパイラル状の導体である。

絶縁基材層１１ｅの裏面には、外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４が形成される。外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、絶縁基材層１１ｅの第３辺（図１８における絶縁基材層１１ｅの下辺）中央付近に配置される矩形の導体である。

また、絶縁基材層１１ｅには、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４が形成される。

絶縁基材層１２ｅの表面には、コイル導体３１、接続導体６１，６２および導体２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ，４１，４２，４３，４４が形成されている。コイル導体３１は、絶縁基材層１２ｅの中央付近に配置された約２ターンの矩形スパイラル状の導体である。接続導体６１，６２は、絶縁基材層１２ｅの中央付近に配置され、Ｙ軸方向に延伸する線状の導体である。導体２１Ａ，２２Ａは、絶縁基材層１２ｅの第１角（図１８における絶縁基材層１２ｅの左下角）付近に配置されるＬ字形の導体である。導体２１Ｂ，２２Ｂは、絶縁基材層１２ｅの第２角（図１８における絶縁基材層１２ｅの右下角）付近に配置されるＬ字形の導体である。導体４１，４２，４３，４４は、絶縁基材層１２ｅの第３辺（図１８における絶縁基材層１２ｅの下辺）付近に配置される矩形の導体である。

また、絶縁基材層１２ｅには、層間接続導体Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ４１，Ｖ４２，Ｖ４３，Ｖ４４が形成される。

保護層６は、絶縁基材層１２ｅの表面（第２主面ＶＳ２側の面）の略全面に形成され、絶縁基材層１２ｅの表面に形成される導体を被覆する樹脂膜である。

保護層６は、接続導体６１の一端（接続電極ＣＰ１）、接続導体６２の一端（接続電極ＣＰ２）、導体２１Ａの一端（電極部７１Ａ）、導体２２Ａの一端（電極部８１Ａ）、導体２１Ｂの一端（電極部７１Ｂ）、導体２２Ｂの一端（電極部８１Ｂ）、および導体４１，４２，４３，４４に応じた位置に複数の開口部ＯＰ１を有する。そのため、絶縁基材層１２ｅの上面に保護層６が形成されることにより、接続電極ＣＰ１，ＣＰ２、電極部７１Ａ，７１Ｂ，８１Ａ，８１Ｂおよび導体４１，４２，４３，４４が第２主面ＶＳ２から露出する。

また、保護層６は、導体２１Ａの他端（電極部７２Ａ）および導体２２Ａの他端（電極部８２Ａ）に応じた位置に複数の開口部ＯＰ２を有する。そのため、絶縁基材層１２ｅの上面に保護層６が形成されるもことにより、電極部７２Ａ，８２Ａが第２主面ＶＳ２から露出する。

さらに、保護層６は、導体２１Ｂの他端（電極部７２Ｂ）および導体２２Ｂの他端（電極部８２Ｂ）に応じた位置に複数の開口部ＯＰ３を有する。そのため、絶縁基材層１２ｅの上面に保護層６が形成されることにより、電極部７２Ｂ，８２Ｂが第２主面ＶＳ２から露出する。

本実施形態では、図１７（Ｂ）等に示すように、ドライバーＩＣ１が、積層体１０Ｅの第２主面ＶＳ２に実装されている。ドライバーＩＣ１の複数の実装電極（図１７（Ａ）に示す実装電極ＭＰ１〜ＭＰ１０）は、導電性接合材４を介して、第２主面ＶＳ２に露出する導体（図１８に示す接続電極ＣＰ１，ＣＰ２、電極部７１Ａ，７１Ｂ，８１Ａ，８１Ｂおよび導体４１，４２，４３，４４）にそれぞれ接続される。

また、本実施形態では、図１７（Ｂ）等に示すように、磁気センサ２Ａ，２Ｂが、積層体１０Ｅの第２主面ＶＳ２に実装されている。磁気センサ２Ａ，２Ｂの端子は、導電性接合材４を介して、第２主面ＶＳ２に露出する導体（図１８に示す電極部７２Ａ，７２Ｂ，８２Ａ，８２Ｂ）にそれぞれ接続される。

図１８等に示すように、コイル導体３１の一端は、層間接続導体Ｖ３１を介して、コイル導体３２の一端に接続される。このように、複数の絶縁基材層１１ｅ，１２ｅにそれぞれ形成されるコイル導体３１，３２，３３を含んで約４．５ターンのコイル３が構成される。図１７（Ａ）に示すように、コイル３はＺ軸方向に沿った巻回軸ＡＸ１Ｂを有する。

コイル３の第１端Ｅ１（コイル導体３１の他端）は、接続導体６１の他端に接続される。接続導体６１の一端（接続電極ＣＰ１）は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極に接続される。また、コイル３の第２端Ｅ２（コイル導体３３の他端）は、層間接続導体Ｖ３２を介して、接続導体６２の他端に接続される。接続導体６２の一端は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極に接続される。

また、外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、ドライバーＩＣ１の複数の実装電極にそれぞれ接続される。具体的には、外部電極Ｐ１が、層間接続導体Ｖ１，Ｖ４１を介して導体４１に接続され、この導体４１が、導電性接合材４を介してドライバーＩＣ１の実装電極に接続される。また、外部電極Ｐ２は、層間接続導体Ｖ２，Ｖ４２を介して導体４２に接続され、この導体４２が、導電性接合材４を介してドライバーＩＣ１の実装電極に接続される。外部電極Ｐ３は、層間接続導体Ｖ３，Ｖ４３を介して導体４３に接続され、この導体４３が、導電性接合材４を介してドライバーＩＣ１の実装電極に接続される。また、外部電極Ｐ４は、層間接続導体Ｖ４，Ｖ４４を介して導体４４に接続され、この導体４４が、導電性接合材４を介してドライバーＩＣ１の実装電極に接続される。

磁気センサ２Ａの端子は、ドライバーＩＣ１に接続される。具体的には、磁気センサ２Ａの端子が、導電性接合材４を介して導体２１Ａ，２２Ａの他端（電極部７２Ａ，８２Ａ）にそれぞれ接続される。導体２１Ａ，２２Ａの一端（電極部７１Ａ，８１Ａ）は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極にそれぞれ接続される。

また、磁気センサ２Ｂの端子は、ドライバーＩＣ１に接続される。具体的には、磁気センサ２Ｂの端子は、導電性接合材４を介して、導体２１Ｂ，２２Ｂの他端（電極部７２Ｂ，８２Ｂ）にそれぞれ接続される。導体２１Ｂ，２２Ｂの一端（電極部７１Ｂ，８１Ｂ）は、導電性接合材４を介して、ドライバーＩＣ１の実装電極にそれぞれ接続される。

図１７（Ａ）に示すように、磁気センサ２Ａ，２Ｂ（第１磁気センサおよび第２磁気センサ）は、ドライバーＩＣ１の中心ＤＣＰに対して対称となる位置に配置されている。具体的には、磁気センサ２Ａ，２Ｂは、ドライバーＩＣ１の中心ＤＣＰを通るＹ軸ＣＹＬ回りに１８０°回転対称に配置されている。

また、図１７（Ａ）および図１８に示すように、ドライバーＩＣ１と磁気センサ２Ａ（第１磁気センサ）との間の配線（導体２１Ａ，２２Ａ）、およびドライバーＩＣ１と磁気センサ２Ｂ（第２磁気センサ）との間の配線（導体２１Ｂ，２２Ｂ）は、ドライバーＩＣ１の中心ＤＣＰに対して対称である。具体的には、ドライバーＩＣ１と磁気センサ２Ａとの間の配線（導体２１Ａ，２２Ａ）、およびドライバーＩＣ１と磁気センサ２Ｂとの間の配線（導体２１Ｂ，２２Ｂ）は、ドライバーＩＣ１の中心ＤＣＰを通るＹ軸ＣＹＬ回りに１８０°回転対称に配置されている。

さらに、磁気センサ２Ａ，２Ｂ（第１磁気センサおよび第２磁気センサ）は、コイル３の巻回軸ＡＸに対して対称となる位置に配置されている。具体的には、磁気センサ２Ａ，２Ｂは、コイル３の巻回軸ＡＸ回りに１８０°回転対称に配置されている。

多層基板１０５は、例えば次のように用いられる。図１９は、多層基板１０５の使用状態を示す断面図である。

図１９に示す磁石５は、可動体７に取り付けられている。コイル（図１７（Ｂ）におけるコイル３を参照）に所定の電流を流すと、コイルから放射される磁界によって、磁石５は積層方向（Ｚ軸方向）の直交方向（Ｙ軸方向）に変位する（図１９における白抜き矢印参照。）。磁気センサ２Ａ，２Ｂは、磁石５が変位したときの磁界の変化をセンシングする。

本実施形態に係る多層基板１０５によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ａ）多層基板１０５では、磁気センサ２Ａ，２Ｂが、ドライバーＩＣ１からの磁界を受けて発生する電圧の極性が互いに逆である。また、多層基板１０５では、磁気センサ２Ａ，２Ｂ（第１磁気センサおよび第２磁気センサ）が、ドライバーＩＣ１の中心ＤＣＰに対して対称となる位置に配置されている。この構成により、ドライバーＩＣ１等から発生する磁界にノイズが重畳されても、磁気センサ２Ａ，２Ｂに対するドライバーＩＣ１等から発生する磁界の影響を略均等（同程度）にできる。そのため、磁気センサ２Ａ，２Ｂからの信号を加算することでノイズ成分がキャンセリングされ、磁気センサ２Ａ，２Ｂによる磁石の位置検出精度を高めることができる。

なお、本実施形態では、磁気センサ２Ａ，２Ｂが、ドライバーＩＣ１からの磁界を受けて発生する電圧の極性が互いに逆である例を示したが、これに限定されるものではない。ドライバーＩＣからの磁界を受けて「第１磁気センサ」および「第２磁気センサ」に発生する電圧の極性は、必ずしも互いに逆になっている必要はない。

（ｂ）また、多層基板１０５では、ドライバーＩＣ１と磁気センサ２Ａ（第１磁気センサ）との間の配線（導体２１Ａ，２２Ａ）、およびドライバーＩＣ１と磁気センサ２Ｂ（第２磁気センサ）との間の配線（導体２１Ｂ，２２Ｂ）は、ドライバーＩＣ１の中心ＤＣＰに対して対称である。この構成により、ドライバーＩＣ１等から発生する磁界にノイズが重畳されても、ドライバーＩＣ１と磁気センサ２Ａ，２Ｂとの間の配線に対する、ドライバーＩＣ１等から発生する磁界の影響を略均等（同程度）にできる。そのため、磁気センサ２Ａ，２Ｂからの信号を加算することでノイズ成分がキャンセリングされ、結果的に磁気センサ２Ａ，２Ｂによる磁石の位置検出精度を高めることができる。

（ｃ）さらに、多層基板１０５では、磁気センサ２Ａ，２Ｂ（第１磁気センサおよび第２磁気センサ）が、コイル３の巻回軸ＡＸに対して対称となる位置に配置されている。この構成により、コイル３から放射される磁界にノイズが重畳されても、磁気センサ２Ａ，２Ｂに対するコイル３から発生する磁界の影響を略均等（同程度）にできる。そのため、磁気センサ２Ａ，２Ｂからの信号を加算することでノイズ成分がキャンセリングされ、磁気センサ２Ａ，２Ｂによる磁石の位置検出精度を高めることができる。

本実施形態に係る多層基板１０５は、例えば次のような工程で製造される。図２０は多層基板１０５の製造工程を順に示す断面図である。なお、図２０では、説明の都合上ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実装の多層基板の製造工程は集合基板状態で行われる。

図２０中の（１）に示すように、まず複数の絶縁基材層１１ｅ，１２ｅを準備する。絶縁基材層１１ｅ，１２ｅの構成は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

その後、絶縁基材層１１ｅ，１２ｅに、コイル導体３１，３２，３３、導体２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ，４１，４２，４３，４４および外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を形成する。

具体的には、集合基板状態の絶縁基材層１１ｅの両主面に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その後、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、コイル導体３２および外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を形成する。また、集合基板状態の絶縁基材層１２ｅの一方主面に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その後、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、コイル導体３１，３３および導体２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ，４１，４２，４３，４４を形成する。

なお、複数の絶縁基材層１１ｅ，１２ｅには、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ４１，Ｖ４２，Ｖ４３，Ｖ４４が形成される。層間接続導体は、絶縁基材層１１ｅ，１２ｅにレーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｍｏ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱加圧で硬化（固化）させることによって設けられる。そのため、層間接続導体は、後の加熱加圧時の温度よりも融点（溶融温度）が低い材料とする。

次に、図２０中の（１）（２）に示すように、絶縁基材層１１ｅ，１２ｅの順に積層し、積層した絶縁基材層１１ｅ，１２ｅを加熱加圧（一括プレス）することにより、集合基板状態の積層体１０ＥＰを形成する。

その後、図２０中の（３）に示すように、積層体１０ＥＰの一方主面（図２０中の（３）に示す積層体１０Ｅの上面）側に保護層６を形成する。保護層６は、例えばソルダーレジスト膜やカバーレイフィルム等である。

保護層６は、絶縁基材層１２ｅの表面に形成された導体の一部（図１８に示す接続導体６１の一端（接続電極ＣＰ１）、接続導体６２の一端（接続電極ＣＰ２）、導体２１Ａの一端および他端（電極部７１Ａ，７２Ａ）、導体２２Ａの一端および他端（電極部８１Ａ，８２Ａ）、導体２１Ｂの一端および他端（電極部７１Ｂ，７２Ｂ）、導体２２Ａの一端および他端（電極部８１Ａ，８２Ａ）、導体２２Ｂの一端および他端（電極部８１Ｂ，８２Ｂ）および導体４１，４２，４３，４４）に応じた位置に開口部を有する。そのため、絶縁基材層１２ｅの上面に保護層６が形成されることにより、上記導体の一部が、積層体１０Ｅの第２主面ＶＳ２から露出する。

次に、図２０中の（４）に示すように、ドライバーＩＣ（不図示）および磁気センサ２Ａ，２Ｂを積層体１０Ｅの第２主面ＶＳ２に実装する。具体的には、ドライバーＩＣが有する複数の実装電極を、導電性接合材を介して、第２主面ＶＳ２から露出する導体の一部（図１８に示す接続電極ＣＰ１，ＣＰ２、電極部７１Ａ，７１Ｂ，８１Ａ，８１Ｂ、導体４１，４２，４３，４４）に接続する。また、磁気センサ２Ａ，２Ｂを、導電性接合材４を介して、第２主面ＶＳ２から露出する導体（図１８に示す電極部７２Ａ，７２Ｂ，８２Ａ，８２Ｂ）に接続する。導電性接合材４は例えばはんだ等である。

最後に、集合基板から個々の個片に分離して、多層基板１０５を得る。

また、本実施形態では、磁気センサ２Ａ，２Ｂ（第１磁気センサおよび第２磁気センサ）が、ドライバーＩＣ１の中心ＤＣＰを通るＹ軸ＣＹＬ回りに１８０°回転対称に配置されている例を示したが、この構成に限定されるものではない。本発明における「第１磁気センサおよび第２磁気センサは、ドライバーＩＣの中心に対して対称である」とは、例えば、磁気センサ２Ａ，２Ｂが、ドライバーＣＩ１の中心ＤＣＰを通るＹ軸ＣＹＬ回りに１８０°以外の角度（例えば、１２０°）で回転対称に配置されているものを含む。さらに、磁気センサ２Ａ，２Ｂが、ドライバーＩＣ１の中心ＤＣＰに対して点対称に配置されているものも含む。

本実施形態では、ドライバーＩＣ１と磁気センサ２Ａ（第１磁気センサ）との間の配線（導体２１Ａ，２２Ａ）、およびドライバーＩＣ１と磁気センサ２Ｂ（第２磁気センサ）との間の配線（導体２１Ｂ，２２Ｂ）が、ドライバーＩＣ１の中心ＤＣＰを通るＹ軸ＣＹＬ回りに１８０°回転対称である例を示したが、この構成に限定されるものではない。本発明における「ドライバーＩＣと第１磁気センサとの間の配線、およびドライバーＩＣと第２磁気センサとの間の配線は、ドライバーＩＣの中心に対して対称である」とは、例えば、ドライバーＩＣ１と第１磁気センサとの間の配線、およびドライバーＩＣ１と第２磁気センサとの間の配線が、ドライバーＩＣ１の中心ＤＣＰを通るＹ軸ＣＹＬ回りに１８０°以外の角度（例えば１２０°）で回転対称に配置されているものを含む。さらに、ドライバーＩＣ１と第１磁気センサとの間の配線、およびドライバーＩＣ１と第２磁気センサとの間の配線が、ドライバーＩＣ１の中心ＤＣＰに対して点対称に配置されているものも含む。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、積層体が略直方体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば立方体、多角柱、円柱、楕円柱等であってもよく、積層体の平面形状がＬ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。

また、以上に示した各実施形態では、２つから４つの絶縁基材層を積層して形成される積層体を備える多層基板について示したが、この構成に限定されるものではない。積層体を形成する絶縁基材層の層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。なお、第４・第５の実施形態で示した保護層６は、本発明において必須の構成ではない。

以上に示した各実施形態では、積層体が、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体は、例えば熱硬化性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成される構成であってもよい。

また、本発明におけるコイルの形状・個数・巻回数については、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。コイルは、例えば平面ループ状、平面スパイラル状、およびヘリカル状であってもよい。また、コイルの個数も１つまたは２つに限定されず、３つ以上であってもよい。コイルは、１つの絶縁基材層に形成されるコイル導体を含んで構成されていてもよく、３つ以上の絶縁基材層に形成される複数のコイル導体を含んで構成されていてもよい。

以上に示した各実施形態では、平面形状が矩形である４つの外部電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，が、積層体の第１主面ＶＳ１に形成された例を示したが、この構成に限定されるものではない。外部電極の形状・個数・位置は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。外部電極の個数は、多層基板が有する回路構成によって適宜変更可能である。なお、以上に示した各実施形態では、ドライバーＩＣ１、コイル、磁気センサを備える多層基板について示したが、これ以外の電子部品（例えば、チップインダクタやチップキャパシタ）等が多層基板に実装されていてもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＡＰ１，ＡＰ２Ａ，ＡＰ２Ｂ，ＡＰ３Ａ，ＡＰ３Ｂ…開口
ＡＸ，ＡＸ１Ａ，ＡＸ１Ｂ…コイルの巻回軸
ＣＥ１Ａ…コイル形成領域
ＣＥ１Ｂ…コイル形成領域
１…ドライバーＩＣ
ＣＭＬ…第１コイル導体と第２コイル導体とが、電流の向きが逆向きになるように並走する並走部分
ＤＣＰ…ドライバーＩＣの中心
ＣＹＬ…ドライバーＩＣの中心を通るＹ軸
ＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３，ＭＰ４，ＭＰ５，ＭＰ６，ＭＰ７，ＭＰ８，ＭＰ９，ＭＰ１０，ＭＰ１１，ＭＰ１２…実装電極
ＯＰ１，ＯＰ２，ＯＰ３…開口部
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１Ａ，Ｖ１１Ｂ，Ｖ１２Ａ，Ｖ１２Ｂ，Ｖ１３Ａ，Ｖ１３Ｂ，Ｖ１４Ａ，Ｖ１４Ｂ，Ｖ２１Ａ，Ｖ２１Ｂ，Ｖ２２Ａ，Ｖ２２Ｂ，Ｖ３１，Ｖ３１Ａ，Ｖ３１Ｂ，Ｖ３２，Ｖ３２Ａ，Ｖ３２Ｂ，Ｖ３３Ａ，Ｖ３３Ｂ，Ｖ３４Ａ，Ｖ３４Ｂ，Ｖ４１，Ｖ４２，Ｖ４３，Ｖ４４…層間接続導体
ＶＳ１…積層体の第１主面
ＶＳ２…積層体の第２主面
ＣＰ１，ＣＰ１Ａ…接続電極
ＣＰ２，ＣＰ２Ａ…接続電極
２Ａ…磁気センサ（第１磁気センサ）
２Ｂ…磁気センサ（第２磁気センサ）
３…コイル
３Ａ…コイル（第１コイル）
３Ｂ…コイル（第２コイル）
４…導電性接合材
５，５Ａ，５Ｂ…磁石
６…保護層
７…可動体
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０ＤＰ，１０Ｅ，１０ＤＰ…積層体
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１４ｂ…絶縁基材層
２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ，４１，４２，４３，４４，５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂ…導体
３１，３２，３３…コイル導体
３１Ａ，３２Ａ，３３Ａ…コイル導体
３１Ｂ，３２Ｂ，３３Ｂ…コイル導体６１，６１Ａ，６１Ｂ，６２，６２Ａ，６２Ｂ，６３，６３Ａ，６３Ｂ…接続導体
７１Ａ，７１Ｂ，７２Ａ，７２Ｂ，８１Ａ，８１Ｂ，８２Ａ，８２Ｂ…電極部
１０１，１０２，１０３，１０４，１０５…多層基板

Claims (7)

1. 複数の絶縁基材層が積層されて形成される積層体と、
   前記積層体に実装され、複数の実装電極を有するドライバーＩＣと、
   前記積層体に形成され、導電性接合材を介して前記複数の実装電極にそれぞれ導通する第１端および第２端を有するコイルと、
   前記積層体に実装され、前記ドライバーＩＣに接続される磁気センサと、
   を備え、
   前記磁気センサは、第１磁気センサおよび第２磁気センサを有し、
   前記第１磁気センサおよび第２磁気センサは、前記ドライバーＩＣの中心に対して対称となる位置に配置される、多層基板。
2. 前記導電性接合材を介する前記第１端と前記実装電極との間の接続箇所は、一箇所である、請求項１に記載の多層基板。
3. 前記導電性接合材は、前記複数の絶縁基材層のいずれかを貫通する孔内に形成される、請求項１または２に記載の多層基板。
4. 前記導電性接合材を介する前記第２端と前記実装電極との間の接続箇所は、一箇所である、請求項１から３のいずれかに記載の多層基板。
5. 前記ドライバーＩＣと前記第１磁気センサとの間の配線、および前記ドライバーＩＣと前記第２磁気センサとの間の配線は、前記ドライバーＩＣの中心に対して対称である、請求項１から４のいずれかに記載の多層基板。
6. 前記コイルは単一であり、
   前記第１磁気センサおよび前記第２磁気センサは、前記コイルの巻回軸に対して対称となる位置に配置される、請求項１から５のいずれかに記載の多層基板。
7. 前記絶縁基材層に形成され、前記導電性接合材を介して前記複数の実装電極にそれぞれ接続される第１接続電極および第２接続電極と、
   前記絶縁基材層に形成され、前記コイルの前記第１端と前記第１接続電極との間を接続する第１接続導体と、
   前記絶縁基材層に形成され、前記コイルの前記第２端と前記第２接続電極との間を接続する第２接続導体と、
   をさらに備え、
   前記第１接続導体および前記第２接続導体は、電流の向きが逆向きになるように並走する並走部分を有する、請求項１から６のいずれかに記載の多層基板。

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