JP6610623B2 - アクチュエータ - Google Patents

Description

本発明は、アクチュエータに関し、特にコイルと磁石との相互作用により一方を移動させるアクチュエータに関する。

従来、コイルを備え、電磁力によって駆動する各種アクチュエータが知られている。例えば、特許文献１には、コイルが形成されたコイル基板部と、このコイル基板部が接合されるベース基板部と、ベース基板部に実装される磁気センサと、を備えるアクチュエータが開示されている。このアクチュエータは、コイルから生じる磁界によって、磁石が設けられた可動体を移動させる。

特開２０１６−１９１８４９号公報

上記アクチュエータでは、磁気センサがコイル基板部に実装されることがある。しかし、磁気センサがコイル基板部に実装される構造のアクチュエータでは、次のような現象によって、アクチュエータの特性にばらつきが生じる虞がある。

（ａ）コイルに接続される配線に流れる電流は、上記アクチュエータ内で特に大きく、上記配線から比較的大きな磁界が生じる。また、磁気センサに接続される配線に流れる電流は、コイルに接続される配線に流れる電流に比べて極めて微笑である。そのため、磁気センサ、またはそれに接続される配線が、コイルに接続される配線の近くに位置していると、コイルに接続される配線から発生する磁界の影響を受け、磁気センサに基づく磁気検出を謝ったり誤差が生じたりする。

（ｂ）コイルに接続されるドライバーＩＣは、磁気センサから得られる情報（磁気センサからの信号）を基にコイルに流れる電流を制御する場合、磁気センサからの信号がノイズの影響を受けると、磁石に対する作用が規定状態から変化する虞がある。

本発明の目的は、コイル基板部がベース基板部に実装される構成において、異なる２つの配線間のアイソレーションを高めることにより、特性のばらつきを抑制したアクチュエータを提供することにある。

（１）本発明のアクチュエータは、
実装面を有する基材、および前記基材に形成されるコイルを有するコイル基板部と、
コイル駆動回路が形成されるベース基板部と、
前記コイルが発生する磁界を受ける磁石と、
前記実装面と前記ベース基板部とを接続する、第１配線の第１接続部と、
屈曲部を有し、前記コイル基板部と前記ベース基板部とを接続する、第２配線の第２接続部と、
を備え、
前記第２接続部は、信号線およびグランド導体を有することを特徴とする。

この構成では、コイル基板部とベース基板部とが、それぞれ離間して配置される２つの接続部（第１接続部および第２接続部）で接続される。そのため、コイル基板部とベース基板部とを接続する異なる２つの配線（第１配線および第２配線）を、異なる配線経路で接続できる。したがって、この構成により、第１配線と第２配線との間のアイソレーションを高めることができ、結果的に特性のばらつきを抑制したアクチュエータを実現できる。

また、この構成では、第２接続部がグランド導体を有するため、グランド導体によるシールド効果により、一方の配線（第１配線または第２配線の一方）に対する、他方の配線（第１配線または第２配線の他方）から発生するノイズの影響を抑制できる。

第１接続部で接続された「第１配線」は、屈曲部を有する第２接続部で接続された「第２配線」に比べ、コイル基板部とベース基板部との間の配線長が短い。つまり、この構成によれば、第２配線よりも短い配線長で、第１配線をベース基板部に接続できるため、第１配線のインダクタンスや導体抵抗を低減できる。

（２）上記（１）において、前記グランド導体の少なくとも一部は、前記信号線と前記第１接続部との間に配置されることが好ましい。この構成によれば、信号線と第１接続部との間に配置されるグランド導体によって、第１配線から発生するノイズが遮蔽されるため、第２配線に対する、第１配線から発生するノイズの影響を効果的に抑制できる。または、この構成によれば、第１配線に対する、第２配線からのノイズの輻射を効果的に抑制できる。

（３）上記（１）または（２）において、前記コイル基板部、前記ベース基板部および前記第２接続部は、一体形成されることが好ましい。この構成では、コイル基板部とベース基板部との間を、プラグおよびレセプタクル等によって接続する必要がないため、第２接続部での伝送損失が低減できる。

（４）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記コイル基板部に設けられる磁気センサを備え、前記コイル駆動回路は、前記磁気センサに接続され、前記磁気センサからの信号に基づいて前記コイルに流れる電流を制御するドライバーＩＣを有していてもよい。

（５）上記（４）において、前記磁石は、前記コイル基板部を挟んで、前記ベース基板部とは反対側に配置され、前記磁気センサは、前記実装面よりも前記磁石に近接する位置に配置されることが好ましい。この構成によれば、ベース基板部や実装面に磁気センサを実装する場合に比べて、磁気センサと磁石との間の距離が短いため、磁石に対する磁気センサの磁界検出精度を高めることができる。

（６）上記（４）または（５）において、前記第１配線は、前記ドライバーＩＣと前記コイルとの間を接続するコイル用配線、または、前記ドライバーＩＣと前記磁気センサとの間を接続するセンサ用配線の一方であり、前記第２配線は、前記コイル用配線、または前記センサ用配線の他方であることが好ましい。この構成により、コイル用配線とセンサ用配線との間のアイソレーションを高めたアクチュエータを実現できる。

（７）上記（６）において、前記第１配線は、前記コイル用配線であり、前記第２配線は、前記センサ用配線であることが好ましい。この構成では、配線長が短い第１配線がコイル用配線であるため、コイル用配線のインダクタンスや導体抵抗を低減でき、低損失のアクチュエータを実現できる。また、この構成により、ノイズの影響を受けやすいセンサ用配線に対する、第１接続部以外の部分（例えば、ベース基板部）からのノイズの影響を抑制できる。

本発明によれば、コイル基板部がベース基板部に実装される構成において、異なる２つの配線間のアイソレーションを高めることにより、特性のばらつきを抑制したアクチュエータを実現できる。

図１は第１の実施形態に係るアクチュエータ５０１の断面図である。 図２（Ａ）は第１の実施形態に係るコイル基板１０１の平面図であり、図２（Ｂ）はコイル基板１０１の断面図である。 図３はコイル基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。 図４は、第２の実施形態に係るアクチュエータ５０２の断面図である。 図５は、第２の実施形態に係る複合基板４０２の断面図である。 図６は、第３の実施形態に係るアクチュエータ５０３の断面図である。 図７（Ａ）はコイル基板１０３の断面図であり、図７（Ｂ）は接続基板３０３の断面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係るアクチュエータ５０１の断面図である。図２（Ａ）は第１の実施形態に係るコイル基板１０１の平面図であり、図２（Ｂ）はコイル基板１０１の断面図である。図１および図２（Ｂ）において、各部の厚みは誇張して図示している。このことは以降に示す各断面図でも同様である。また、図２（Ｂ）では、構造を分かりやすくするため、磁気センサ１の図示を省略している。

本発明の「アクチュエータ」は、後に詳述するように、コイルを有するコイル基板とベース基板とを備え、コイルが発生する磁界によって、磁石が設けられた可動体を移動させるものである。

アクチュエータ５０１は、コイル基板１０１、磁気センサ１、ベース基板２０１、ドライバーＩＣ２、磁石４、第１配線の第１接続部ＷＰ１（後に詳述する）、および第２配線の第２接続部ＷＰ２（後に詳述する）等を備える。図１に示すように、磁気センサ１はコイル基板１０１に設けられ、ドライバーＩＣ２はベース基板２０１に設けられる。

コイル基板１０１は、図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、基材１０、コイルＬ１、キャビティＣＶ、接続用電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ３１，Ｐ３２、信号線４１、グランド導体５１，５２およびプラグ５等を有する。

基材１０は、長手方向がＸ軸方向に一致する略直方体である。基材１０は、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成された積層体である。基材１０は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とする略直方体である。

基材１０は、第１領域Ｆ１および第２領域Ｆ２を有する。第２領域Ｆ２の絶縁基材層の積層数は、第１領域Ｆ１の絶縁基材層の積層数よりも少ない。そのため、基材１０の第２領域Ｆ２は、第１領域Ｆ１よりも曲がり易く、可撓性を有する。

また、基材１０は、互いに対向する第１主面ＶＳ１Ａ，ＶＳ１Ｂと、第２主面ＶＳ２とを有する。図２（Ｂ）に示すように、第１主面ＶＳ１Ａは、第１領域Ｆ１に形成される面であり、第１主面ＶＳ１Ｂは、第２領域Ｆ２に形成される面である。第２主面ＶＳ２は、第１領域Ｆ１と第２領域Ｆ２に亘って形成される面である。

本実施形態では、第１領域Ｆ１が本発明における「コイル基板部」に相当し、第１主面ＶＳ１Ａが本発明における「実装面」に相当する。また、本実施形態では、基材１０のうち第１領域Ｆ１の部分が、本発明における「基材」に相当する。

コイルＬ１は、基材１０のうち第１領域Ｆ１の内部に形成される約４ターンのコイルである。図２（Ｂ）に示すように、コイルＬ１は、複数の絶縁基材層の積層方向（Ｚ軸方向）に沿った巻回軸ＡＸを有する。具体的には、コイルＬ１は、コイル導体３１，３２および層間接続導体（不図示）によって構成される。これらコイル導体３１，３２は、それぞれ異なる絶縁基材層に形成される約２ターンの矩形スパイラル状の導体パターンである。コイル導体３１の第１端は、層間接続導体（不図示）を介してコイル導体３２の第１端に接続されている。コイル導体３１，３２は例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

接続用電極Ｐ１，Ｐ２は、基材１０の第１主面ＶＳ１Ａに形成される矩形の導体パターンである。接続用電極Ｐ１は、コイルＬ１の第１端（コイル導体３１の第２端）に接続され、接続用電極Ｐ２は、コイルＬ１の第２端（コイル導体３２の第２端）に接続されている。接続用電極Ｐ１，Ｐ２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

キャビティＣＶは、基材１０の第１領域Ｆ１の第２主面ＶＳ２から内側（−Ｚ方向に向かって）形成される開口である。キャビティＣＶの平面形状は、磁気センサ１の平面形状に合わせた形状となっている。後に詳述するように、キャビティＣＶ内には、磁気センサ１が配置される。図２（Ｂ）に示すように、キャビティＣＶの底面には、接続用電極Ｐ１１，Ｐ１２が形成されている。接続用電極Ｐ１１，Ｐ１２は、矩形の導体パターンであり、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

磁気センサ１は、コイルＬ１に電流が流れたときに生じる磁界、または外部からの磁界をセンシングする素子であり、磁石４の移動量を検出する。磁気センサ１は、例えばホール効果を利用したホール素子である。

磁気センサ１は、キャビティＣＶの底面に実装されている。具体的には、磁気センサ１の端子が、はんだ等の導電性接合材を介して、接続用電極Ｐ１１，Ｐ１２にそれぞれ接続される。図１に示すように、磁気センサ１は、コイルＬ１のコイル開口の内側に配置され、且つ、コイルＬ１の巻回軸ＡＸに重なる位置に配置されている。

信号線４１およびグランド導体５１，５２は、基材１０のうち第２領域Ｆ２の内部に形成される導体パターンである。なお、第２領域Ｆ２の内部には、信号線４１以外の信号線も形成されるが、図１および図２（Ｂ）では図示を省略している。信号線４１は、磁気センサ１の一方の端子に接続されている。信号線４１およびグランド導体５１，５２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

図２（Ｂ）に示すように、第２領域Ｆ２には、信号線４１、グランド導体５１，５２、信号線４１とグランド導体５１とで挟まれる基材１０の一部、信号線４１とグランド導体５２とで挟まれる基材２０の一部とで、ストリップライン構造の伝送線路が形成されている。

接続用電極Ｐ２１，Ｐ３１，Ｐ３２は、第１主面ＶＳ１Ｂに形成される導体パターンである。接続用電極Ｐ２１は、層間接続導体を介して、信号線４１の一端に接続される。接続用電極Ｐ３１は、層間接続導体を介して、グランド導体５１に接続される。接続用電極Ｐ３２は、層間接続導体を介して、グランド導体５２に接続される。接続用電極Ｐ２１，Ｐ３１，Ｐ３２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

プラグ５は、第１主面ＶＳ１Ｂに実装され、基材１０の長手方向の第１端（図２（Ａ）における基材１０の右端）付近に配置されている。プラグ５は、はんだ等の導電性接合材を介して、接続用電極Ｐ２１，Ｐ３１，Ｐ３２に接続される。プラグ５は、例えば多極のプラグである。

ベース基板２０１は、基材２０、接続用電極ＥＰ１，ＥＰ２，ＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ２１，ＥＰ３１，ＥＰ３２、導体パターン６１，６２およびレセプタクル６等を有する。

ベース基板２０１には、コイルＬ１を駆動するためのコイル駆動回路が形成されている。このコイル駆動回路は、ドライバーＩＣ２、ドライバーＩＣ２とコイルＬ１とを接続する配線等で構成される。

本実施形態では、ベース基板２０１が本発明における「ベース基板部」に相当する。

基材２０は、長手方向がＸ軸方向に一致する直方体である。基材２０は、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成される積層体である。基材２０は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とする直方体である。

接続用電極ＥＰ１，ＥＰ２，ＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ２１，ＥＰ３１，ＥＰ３２は、基材２０の表面（図１における基材２０の上面）に形成される導体パターンである。導体パターン６１，６２は、基材２０の内部に形成される導体パターンである。接続用電極ＥＰ１，ＥＰ２，ＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ２１，ＥＰ３１，ＥＰ３２および導体パターン６１，６２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

レセプタクル６は、基材２０の表面（図１における基材２０の上面）に実装されている。レセプタクル６は、はんだ等の導電性接合材を介して、接続用電極ＥＰ２１，ＥＰ３１，ＥＰ３２に接続される。レセプタクル６は、例えば多極のレセプタクルである。

ドライバーＩＣ２は、磁気センサ１に接続され、磁気センサ１からの信号に基づいてコイルＬ１に流れる電流を制御するものである。図１に示すように、ドライバーＩＣ２は、基材２０に実装されている。具体的には、ドライバーＩＣ２の端子が、はんだ等の導電性接合材を介して、接続用電極ＥＰ１１，ＥＰ１２に接続されている。

図１に示すように、コイル基板１０１は、ベース基板２０１に実装されている。

具体的には、コイル基板１０１の接続用電極Ｐ１，Ｐ２が、導電性接合材３を介して接続用電極ＥＰ１，ＥＰ２に接続される。本実施形態では、第１主面ＶＳ１Ａ（実装面）とベース基板２０１（ベース基板部）とを接続する部分が、第１接続部ＷＰ１である。また、プラグ５は、第２領域Ｆ２の可撓性を利用して、第２領域Ｆ２を曲げた状態で、ベース基板２０１に実装されたレセプタクル６に接続される。本実施形態では、第１領域Ｆ１（コイル基板部）とベース基板２０１（ベース基板部）とを接続し、屈曲部を有する部分が、第２接続部ＷＰ２である。

第１配線の第１接続部ＷＰ１は、例えば、ドライバーＩＣ２とコイルＬ１との間を接続するコイル用配線の接続箇所である。第２配線の第２接続部ＷＰ２は、例えば、ドライバーＩＣ２と磁気センサ１との間を接続するセンサ用配線の接続箇所である。

このコイル用配線は、本発明における「第１配線」の一例であり、このセンサ用配線は、本発明における「第２配線」の一例である。

磁石４は、可動体（不図示）に取り付けられている。磁石４は、コイル基板１０１を挟んで、ベース基板２０１とは反対側（＋Ｚ方向）に配置されている。磁石は例えば永久磁石である。

本実施形態では、第２接続部ＷＰが、信号線４１およびグランド導体５１，５２を有する。より具体的には、図１に示すように、グランド導体５１の少なくとも一部は、信号線４１と第１接続部ＷＰ１との間に配置されている。グランド導体５１は、平面視で（Ｚ軸方向から視て）信号線４１を覆うように、信号線４１に対してベース基板部（ベース基板２０１）側に設けられている。さらに、本実施形態では、磁気センサ１が、第１主面ＶＳ１（実装面）よりも磁石４に近接する位置（実装面よりも＋Ｚ方向の位置）に配置されている。

アクチュエータ５０１は、例えば次のように用いられる。コイルＬ１に所定の電流を流すと、コイルＬ１から放射される磁界によって、磁石４は平面方向（例えば、Ｘ軸方向）に変位する（図１における白抜き矢印参照。）。磁気センサ１は、磁石４が変位したときの磁界の変化をセンシングする。

本実施形態に係るアクチュエータ５０１によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）本実施形態では、コイル基板部（第１領域Ｆ１）とベース基板部（ベース基板２０１）とが、それぞれ離間して配置される第１接続部ＷＰ１と第２接続部ＷＰ２とで接続されている。そのため、コイル基板部とベース基板部とを接続する２つの配線（第１配線および第２配線）を、異なる配線経路で接続できる。したがって、この構成により、第１配線と第２配線との間のアイソレーションを高めることができ、結果的に特性のばらつきを抑制したアクチュエータを実現できる。

（ｂ）本実施形態では、第２接続部ＷＰ２がグランド導体５１，５２を有するため、グランド導体５１，５２のシールド効果により、一方の配線（第１配線または第２配線の一方）に対する、他方の配線（第１配線または第２配線の他方）から発生するノイズの影響を抑制できる。

（ｃ）また、本実施形態では、グランド導体５１の少なくとも一部が、信号線４１と第１接続部ＷＰ１との間に配置されている。この構成によれば、信号線４１と第１接続部ＷＰ１との間に配置されるグランド導体５１で、第１配線から発生するノイズが遮蔽されるため、第２配線に対する、第１配線から発生するノイズの影響を効果的に抑制できる。または、この構成によれば、第１配線に対する、第２配線からのノイズの輻射を効果的に抑制できる。

さらに、本実施形態では、グランド導体５１が、平面視で（Ｚ軸方向から視て）信号線４１を覆うように、信号線４１に対してベース基板部（ベース基板２０１）側に設けられている。この構成により、第２接続部ＷＰ２に対する、ベース基板部からのノイズの影響を抑制できる。

（ｄ）本実施形態では、磁気センサ１が、実装面（第１主面ＶＳ１Ａ）よりも磁石４に近接する位置に配置されている。この構成によれば、ベース基板部（ベース基板２０１）や実装面に磁気センサ１を実装する場合に比べて、磁気センサ１と磁石４との距離が短いため、磁石４に対する磁気センサ１の磁界検出精度を高めることができる。

（ｅ）また、本実施形態では、磁気センサ１が、コイルＬ１の巻回軸ＡＸに重なる位置に配置されている。この構成では、コイルＬ１から生じる磁界の影響が少ないコイルＬ１の巻回軸ＡＸ上に、磁気センサ１を配置するため、コイルＬ１から生じる磁界の影響を受け難くできる。そのため、磁気センサ１の磁界検出精度は高まる。

（ｆ）また、本実施形態では、磁気センサ１が、キャビティＣＶ内に配置され、且つ、コイルＬ１のコイル開口の内側に配置されている。この構成によれば、磁気センサ１が実装されたコイル基板部（コイル基板１０１）を小型化（特に、Ｚ軸方向の厚みを低背化）できる。

なお、磁気センサ１は、基材１０の第２主面ＶＳ２（コイル基板１０１の天面）に実装されていてもよい。その場合には、磁気センサ１と磁石４との距離をさらに短くでき、磁石４に対する磁気センサ１の磁界検出精度をさらに高めることができる。

（ｇ）図１に示すように、第１接続部で接続された「第１配線」は、屈曲部を有する第２接続部ＷＰ２で接続された「第２配線」に比べ、コイル基板部とベース基板部との間の配線長が短い。つまり、本実施形態によれば、第２配線よりも短い配線長で、第１配線をベース基板部に接続できるため、第１配線のインダクタンスや導体抵抗を低減できる。

（ｈ）なお、本実施形態では、第１配線がコイル用配線であり、第２配線がセンサ用配線である。この構成により、コイル用配線とセンサ用配線との間のアイソレーションを高めたアクチュエータを実現できる。また、この構成では、第２配線よりも短い配線長でベース基板部に接続できる第１配線が、コイル用配線である。そのため、コイル用配線のインダクタンスや導体抵抗を低減でき、低損失のアクチュエータを実現できる。また、この構成により、ノイズの影響を受けやすいセンサ用配線に対する、第１接続部ＷＰ１以外の部分（例えば、ベース基板部）からのノイズの影響を抑制できる。

（ｉ）本実施形態では、コイル基板部（第１領域Ｆ１）の基材１０、およびベース基板部（ベース基板２０１）の基材２０が、同一主成分の材料（液晶ポリマー）からなる。この構成により、コイル基板部とベース基板部との線膨張係数が略一致する。そのため、コイル基板部をベース基板部に実装するとき（または実装後）の温度変化による、コイル基板部とベース基板部との線膨張係数差に起因した反りは抑制される。したがって、この構成により、コイル基板１０１の接続用電極Ｐ１，Ｐ２と、ベース基板２０１の接続用電極ＥＰ１，ＥＰ２との間の接合不良は抑制される。

（ｊ）さらに、本実施形態では、ドライバーＩＣ２が、コイル駆動回路が形成されたベース基板部（ベース基板２０１）に実装されている。この構成により、ドライバーＩＣ２をコイル基板部（第１領域Ｆ１）に実装する場合に比べて、ドライバーＩＣ２への電源用配線の配線長を短くできるため、低損失のコイル駆動回路を実現できる。また、この構成により、ドライバーＩＣ２をコイル基板部に実装する場合に比べて、ドライバーＩＣ２のグランド電位が安定しやすい。

本実施形態に係るコイル基板１０１は、例えば次のような工程で製造される。図３はコイル基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。なお、図３では、説明の都合上ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実装の多層基板の製造工程は集合基板状態で行われる。

図３中の（１）に示すように、まず複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５ａ，１５ｂ準備する。絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５ａ，１５ｂは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等の熱可塑性樹脂シートである。

その後、複数の絶縁基材層１２，１３，１４，１５ａ、１５ｂに、コイル導体３１，３２、接続用電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ２１，Ｐ３１，Ｐ３２、信号線４１およびグランド導体５１，５２等を形成する。

具体的には、集合基板状態の絶縁基材層１２，１３，１４，１５ａ，１５ｂの片面に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その後、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングする。これにより、集合基板状態の絶縁基材層１２にコイル導体３２およびグランド導体５２を形成し、集合基板状態の絶縁基材層１３にコイル導体３１および信号線４１を形成する。また、集合基板状態の絶縁基材層１４に接続用電極Ｐ１１，Ｐ１２およびグランド導体５１を形成し、集合基板状態の絶縁基材層１５ａ，１５ｂに接続用電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ２１，Ｐ３１，Ｐ３２を形成する。

また、複数の絶縁基材層１２，１３，１４，１５ｂには、層間接続導体が形成される。層間接続導体は、絶縁基材層１２，１３，１４，１５ｂにレーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ，Ｓｎ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱加圧で硬化させることによって設けられる。そのため、層間接続導体は、後の加熱加圧時の温度よりも融点（溶融温度）が低い材料とする。

さらに、絶縁基材層１１，１２，１３には、開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成される。開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３は磁気センサ１の平面形状に合わせた貫通孔である。開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３は、例えばレーザー加工等によって形成される。あるいは、開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３は、パンチング等によって型抜きして形成してもよい。

次に、図３中の（２）に示すように、絶縁基材層１５ａ，１５ｂを最下層とし、その上に絶縁基材層１４，１３，１２，１１の順に積層する。

その後、積層した絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５ａ，１５ｂを加熱加圧することにより、集合基板状態の基材１０を形成する。このとき、開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３と、開口が形成されていない絶縁基材層１４との積層により、基材１０の第２主面ＶＳ２から第１主面ＶＳ１Ａに向かって形成されるキャビティＣＶが形成される。また、この工程により、コイル導体３１，３２が層間接続導体（不図示）を介して接続され、これらコイル導体３１，３２および層間接続導体によるコイルＬ１が構成される。

次に、基材１０に磁気センサ１を実装する。具体的には、磁気センサ１をキャビティＣＶ内に配置した後、はんだ等の導電性接合材を介して、磁気センサ１の端子を接続用電極Ｐ１１，Ｐ１２に接続する。また、基材１０の第１主面ＶＳ１Ｂに、プラグ５を実装する。具体的には、プラグ５は、はんだ等の導電性接合材を介して、接続用電極Ｐ２１，Ｐ３１，Ｐ３２に接続される。磁気センサ１は例えばホール効果を利用したホール素子である。磁気センサ１は、例えばリフロープロセスによって基材１０に実装される。プラグ５は、例えば多極のプラグである。

最後に、集合基板から個々の個片に分離して、図３中の（３）に示すコイル基板１０１を得る。

上記製造方法により、異なる２つの配線間のアイソレーションを高めたコイル基板１０１を容易に製造できる。

また、上記製造方法によれば、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５ａ，１５ｂを一括プレスすることにより、コイル基板１０１（基材１０）を容易に形成できるため、製造工程の工数が削減され、コストを低く抑えることができる。

なお、上記製造方法では、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５ａ，１５ｂを積層して加熱加圧した後に、磁気センサ１を実装したが、この製造方法に限定されるものではない。磁気センサ１は、例えば、加熱加圧前の絶縁基材層１４に実装してもよい。すなわち、磁気センサ１の端子を、導電性接合材を介して、加熱加圧前の絶縁基材層１４の接続用電極Ｐ１１，Ｐ１２に接続してもよい。その場合、導電性接合材が、後の加熱加圧時に溶融して接続不良を起こす虞があるため、導電性接合材は、加熱加圧時の温度よりも融点（溶融温度）が高い材料であることが好ましい。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、コイル基板部、ベース基板部および第２接続部が、一体形成される例を示す。

図４は、第２の実施形態に係るアクチュエータ５０２の断面図である。図５は、第２の実施形態に係る複合基板４０２の断面図である。なお、図５では、構造を分かりやすくするため、磁気センサ１の図示を省略している。

アクチュエータ５０２は、複合基板４０２、磁気センサ１および磁石４、第１接続部ＷＰ１および第２接続部ＷＰ２等を備える。アクチュエータ５０２は、コイル基板部、ベース基板部および第２接続部が一体形成された複合基板４０２を備える点で、第１の実施形態に係るアクチュエータ５０１と異なる。

以下、第１の実施形態に係るアクチュエータ５０１と異なる部分について説明する。

複合基板４０２は、基材１０Ａ、コイルＬ１、キャビティＣＶ、接続用電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，ＥＰ１，ＥＰ２、導体パターン６１，６２、信号線４１、グランド導体５１，５２等を有する。コイルＬ１、キャビティＣＶ、接続用電極Ｐ１，Ｐ２、信号線４１、グランド導体５１，５２は、第１の実施形態で説明したものと実質的に同じである。

基材１０Ａは、長手方向がＸ軸方向に一致する略直方体である。基材１０Ａは、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成された積層体である。基材１０Ａは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とする略直方体である。

基材１０Ａは、第１領域Ｆ１、第２領域Ｆ２および第３領域Ｆ３を有する。第２領域Ｆ２の絶縁基材層の積層数は、第１領域Ｆ１および第３領域Ｆ３の絶縁基材層の積層数よりも少ない。そのため、基材１０Ａの第２領域Ｆ２は、第１領域Ｆ１および第３領域Ｆ３よりも曲がり易く、可撓性を有する。第３領域Ｆ３には、コイルＬ１を駆動するためのコイル駆動回路が形成されている。

本実施形態では、第１領域Ｆ１が本発明における「コイル基板部」に相当し、第１主面ＶＳ１Ａが本発明における「実装面」に相当する。本実施形態では、第３領域Ｆ３が本発明における「ベース基板部」に相当する。また、本実施形態では、第２領域Ｆ２が本発明における「第２接続部」に相当する。

また、基材１０Ａは、互いに対向する第１主面ＶＳ１Ａ，ＶＳ１Ｂ，ＶＳ１Ｃと、第２主面ＶＳ２とを有する。図５に示すように、第１主面ＶＳ１Ｃは、第３領域Ｆ３に形成される面である。第２主面ＶＳ２は、第１領域Ｆ１、第２領域Ｆ２および第３領域Ｆ３に亘って形成される面である。

接続用電極ＥＰ１，ＥＰ２は、基材１０Ａの第１主面ＶＳ１Ｃに形成される導体パターンである。導体パターン６１，６２は、基材１０Ａの第３領域Ｆ３の内部に形成される導体パターンである。

図４に示すように、第１領域Ｆ１（コイル基板部）は、第３領域Ｆ３（ベース基板部）に実装されている。

具体的には、第１主面ＶＳ１Ａに形成された接続用電極Ｐ１，Ｐ２が、第２領域Ｆ２を曲げた状態で、導電性接合材３を介して、第１主面ＶＳ１Ｃに形成された接続用電極ＥＰ１，ＥＰ２に接続される。本実施形態では、第１主面ＶＳ１Ａ（実装面）と第３領域Ｆ３（ベース基板部）とを接続する部分が、第１接続部ＷＰ１である。また、第１領域Ｆ１は、曲げた状態の第２領域Ｆ２を介して、第３領域Ｆ３に接続されている。本実施形態では、第１領域Ｆ１（コイル基板部）と第３領域Ｆ３（ベース基板部）とを接続し、屈曲部を有する部分が、第２接続部ＷＰ２である。

磁気センサ１は、キャビティＣＶ内に配置され、キャビティＣＶの底面に実装されている。また、磁石４は、第１領域Ｆ１（コイル基板部）を挟んで、第３領域Ｆ３（ベース基板部）とは反対側（＋Ｚ方向）に配置されている。

本実施形態に係るアクチュエータ５０２によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｋ）本実施形態では、コイル基板部（第１領域Ｆ１）、ベース基板部（第３領域Ｆ３）および第２接続部（第２領域Ｆ２）が、一体形成される。この構成によれば、コイル基板部とベース基板部との間を、プラグおよびレセプタクル等によって接続する必要がないため、第２接続部での伝送損失が低減できる。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、コイル基板が第２領域を有していない例を示す。

図６は、第３の実施形態に係るアクチュエータ５０３の断面図である。図７（Ａ）はコイル基板１０３の断面図であり、図７（Ｂ）は接続基板３０３の断面図である。なお、図７（Ａ）では、構造を分かりやすくするため、磁気センサ１の図示を省略している。

アクチュエータ５０３は、コイル基板１０３、ベース基板２０１、接続基板３０３、ドライバーＩＣ２、磁気センサ１および磁石４、第１接続部ＷＰ１および第２接続部ＷＰ２等を備える。アクチュエータ５０３は、コイル基板が、接続基板を介してベース基板に接続される点で、第１の実施形態に係るアクチュエータ５０１と異なる。ベース基板２０１は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

以下、第１の実施形態に係るアクチュエータ５０１と異なる部分について説明する。

コイル基板１０３は、基材１０Ｂ、コイルＬ１、キャビティＣＶ、接続用電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ４１，Ｐ５１，Ｐ５２等を有する。

基材１０Ｂは、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有し、長手方向がＸ軸方向に一致する略直方体である。基材１０Ｂは、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成された積層体である。基材１０Ｂは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とする略直方体である。

本実施形態では、コイル基板１０１が本発明における「コイル基板部」に相当し、第１主面ＶＳ１が本発明における「実装面」に相当する。

コイルＬ１は、基材１０Ｂに形成される約４ターンのコイルである。接続用電極Ｐ１，Ｐ２は、基材１０Ｂの第１主面ＶＳ１に形成される矩形の導体パターンである。コイルＬ１および接続用電極Ｐ１，Ｐ２の構成については、第１の実施形態で説明したものと実質的に同じである。

キャビティＣＶは、基材１０Ｂの第２主面ＶＳ２から内側（−Ｚ方向に向かって）形成される開口である。接続用電極Ｐ１１，Ｐ１２は、キャビティＣＶの底面に形成される矩形の導体パターンである。磁気センサ１は、このキャビティＣＶ内に配置され、キャビティＣＶの底面に実装されている。キャビティＣＶ、接続用電極Ｐ１１，Ｐ１２および磁気センサ１の構成については、第１の実施形態で説明したものと実質的に同じである。

接続用電極Ｐ４１，Ｐ５１，Ｐ５２は、基材１０Ｂの第２主面ＶＳ２に形成される導体パターンである。接続用電極Ｐ４１は、接続用電極Ｐ１１，Ｐ１２のいずれか一方に接続されている。すなわち、接続用電極Ｐ４１は、磁気センサ１の一方の端子に電気的に接続される。接続用電極Ｐ４１，Ｐ５１，Ｐ５２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

接続基板３０３は、基材１０Ｃ、信号線４１、グランド導体５１，５２、接続用電極ＣＰ２１，ＣＰ３１，ＣＰ３２，ＣＰ４１，ＣＰ５１，ＣＰ５２およびプラグ５等を有する。

基材１０Ｃは、互いに対向する第１主面ＶＳ１Ｂおよび第２主面ＶＳ２Ｂを有し、長手方向がＸ軸方向に一致する略直方体である。基材１０Ｂは、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成された積層体である。基材１０Ｂは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とする略直方体である。

基材１０Ｃ（接続基板３０３）の絶縁基材層の積層数は、基材１０Ｃ（コイル基板１０３）の絶縁基材層の積層数よりも少ない。そのため、基材１０Ｃは、基材１０Ｂよりも曲がり易く、可撓性を有する。

信号線４１およびグランド導体５１，５２は、基材１０Ｃの内部に形成される導体パターンである。なお、基材１０Ｃの内部には、信号線４１以外の信号線も形成されるが、図６および図７（Ｂ）では図示を省略している。信号線４１およびグランド導体５１，５２の構成については、第１の実施形態で説明したものと実質的に同じである。

接続用電極ＣＰ２１，ＣＰ３１，ＣＰ３２，ＣＰ４１，ＣＰ５１，ＣＰ５２は、第１主面ＶＳ１Ｂに形成される導体パターンである。接続用電極ＣＰ２１，ＣＰ３１，ＣＰ３２は、基材１０Ｃの長手方向の第１端（図７（Ｂ）における基材１０Ｃの右端）付近に配置され、接続用電極ＣＰ４１，ＣＰ５１，ＣＰ５２は、基材１０Ｃの長手方向の第２端（図７（Ｂ）における基材１０Ｃの左端）付近に配置されている。接続用電極ＣＰ２１は、層間接続導体を介して、信号線４１の一端に接続される。接続用電極ＣＰ４１は、層間接続導体を介して、信号線４１の他端に接続される。接続用電極ＣＰ３１，ＣＰ３２は、層間接続導体を介して、それぞれグランド導体５１，５２の一端に接続される。接続用電極ＣＰ５１，ＣＰ５２は、層間接続導体を介して、それぞれグランド導体５１，５２の他端に接続される。接続用電極ＣＰ２１，ＣＰ３１，ＣＰ３２，ＣＰ４１，ＣＰ５１，ＣＰ５２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

プラグ５は、第１主面ＶＳ１Ｂに実装され、基材１０Ｃの長手方向の第１端（図７（Ａ）における基材１０Ｃの右端）付近に配置されている。プラグ５は、はんだ等の導電性接合材を介して、接続用電極ＣＰ２１，ＣＰ３１，ＣＰ３２に接続される。

ドライバーＩＣ２は、図７に示すように、ベース基板２０１（基材２０）に実装されている。ドライバーＩＣ２は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

図６に示すように、コイル基板１０３はベース基板２０１に実装され、接続基板３０３はコイル基板１０３およびベース基板２０１にそれぞれ接続されている。

具体的には、コイル基板１０１の接続用電極Ｐ１，Ｐ２が、導電性接合材３を介して接続用電極ＥＰ１，ＥＰ２に接続される。本実施形態では、第１主面ＶＳ１（実装面）とベース基板２０１（ベース基板部）とを接続する部分が、第１接続部ＷＰ１である。

また、接続基板３０３の接続用電極ＣＰ４１，ＣＰ５１，ＣＰ５２は、導電性接合材を介して、コイル基板１０３の接続用電極Ｐ４１，Ｐ５１，Ｐ５２にそれぞれ接続される。プラグ５は、基材１０Ｃを曲げた状態で、ベース基板２０１に実装されたレセプタクル６に接続される。本実施形態では、コイル基板１０３（コイル基板部）とベース基板２０１（ベース基板部）とを接続し、屈曲部を有する部分が、第２接続部ＷＰ２である。

磁石４は、コイル基板１０３（コイル基板部）を挟んで、ベース基板２０１（ベース基板部）とは反対側（＋Ｚ方向）に配置されている。

このような構成でも、アクチュエータ５０１と同様の作用・効果を奏する。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、コイル基板１０１，１０３の基材１０，１０Ｂ、ベース基板２０１の基材２０、複合基板４０２の基材１０Ａ、および接続基板３０３の基材１０Ｃが、略直方体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。コイル基板、ベース基板、複合基板および接続基板の基材の形状は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。また、基材の平面形状は、矩形に限定されるものではなく、例えば多角形、円形、楕円形、クランク形、Ｌ字形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。

以上に示した各実施形態では、コイル基板、ベース基板、複合基板および接続基板の基材が、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層した積層体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。コイル基板、ベース基板、複合基板および接続基板の基材は、積層体に限定されるのではなく、例えば、単一層でもよい。また、基材を形成する複数の絶縁基材層の積層数は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。また、基材は、例えば熱硬化性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成されてもよい。

以上に示した各実施形態では、コイル基板部に形成されるコイルＬ１が、Ｚ軸方向に沿った巻回軸ＡＸを有する約４ターンのコイルである例を示したが、コイルの個数、位置、形状、構造、大きさ、ターン数等はこれに限定されるものではない。コイルの個数、形状、構造およびターン数は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。コイルは、例えばループ状の複数のコイル導体パターンを層間接続導体で接続するヘリカル状であってもよい。また、コイルの外形（巻回軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）から視たコイルの外形）は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば多角形、円形、楕円形等であってもよい。また、コイルの巻回軸ＡＸはＺ軸方向に完全に一致している必要はない。

以上に示した各実施形態では、コイルＬ１が、基材の内部に形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。コイルの一部が基材の表面に形成されていてもよい。

また、以上に示した各実施形態では、２つの絶縁基材層１２，１３にそれぞれ形成されたコイル導体３１，３２を含んでコイルＬ１が形成される例を示したが（図３を参照）、この構成に限定されるものではない。コイルは、例えば単一のコイル導体で構成されていてもよい。また、コイルは、例えば単一の絶縁基材層の両面にそれぞれ形成される、２つのコイル導体を含んで構成されていてもよい。さらに、コイルは、例えば、３以上の複数の絶縁基材層にそれぞれ形成される、３以上のコイル導体を含んで構成されていてもよい。

また、コイル基板部の回路構成、およびベース基板部の回路構成は、上述した各実施形態で説明した構成に限定されるものではない。コイル基板部の回路構成、およびベース基板部の回路構成は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

なお、以上に示した各実施形態では、コイル基板部に磁気センサ１を実装する例を示したが、この構成に限定されるものではない。コイル基板部には、例えば、磁気センサ１以外の表面実装部品が実装されていてもよい。なお、磁気センサ１はベース基板部に実装されていてもよいが、上記（ｄ）（ｆ）等の作用効果の点で、磁気センサ１はコイル基板部に実装される構造が好ましい。また、ベース基板部には、例えば、ドライバーＩＣ２以外の表面実装部品が実装されていてもよい。なお、ドライバーＩＣ２はコイル基板部に実装されていてもよいが、上記（ｊ）に示した作用効果の点で、ドライバーＩＣ２はベース基板部に実装される構造が好ましい。

さらに、コイル基板部およびベース基板部には、例えば、導体パターンで形成されたキャパシタや各種伝送線路（ストリップライン、マイクロストリップライン、ミアンダ、コプレーナ等）が、形成されていてもよい。

以上に示した各実施形態では、第２接続部ＷＰ２にストリップライン構造の伝送線路が形成された例を示したが、この構成に限定されるものではない。第２接続部ＷＰ２には、ストリップライン以外の伝送線路（例えば、マイクロストリップライン、コプレーナ等）が形成されていてもよい。また、以上に示した各実施形態では、信号線４１およびグランド導体５１，５２が、第２接続部ＷＰ２の基材の内部に形成されている例を示したが、この構成に限定されるものではない。例えば、信号線４１およびグランド導体５１，５２の一部が、第２接続部ＷＰ２の基材の表面から露出していてもよい。

また、以上に示した各実施形態では、コイル基板の基材とベース基板の基材とが、同一主成分の材料からなる例を示したが、この構成に限定されるものではない。コイル基板の基材とベース基板の基材とが異なる主成分の材料からなる構成でもよい。但し、上記（ｄ）に示す作用効果の点で、コイル基板の基材とベース基板の基材とが、同一主成分の材料からなることが好ましい。

以上に示した各実施形態では、第１接続部ＷＰ１が、導電性接合材を介して接続用電極同士を接続する部分である例を示したが、この構成に限定されるものではない。例えば、コイル基板部の実装面が、プラグとレセプタクルによってベース基板部に接続されていてもよい。すなわち、第１接続部ＷＰ１が、コイル基板部の実装面とベース基板部とを、プラグとレセプタクルで接続する部分でもよい。

また、以上に示した各実施形態では、「第１配線」がコイル用配線であり、「第２配線」がセンサ用配線である例を示したが、この構成に限定されるものではない。例えば、「第１配線」がセンサ用配線であり、「第２配線」がコイル用配線であってもよい。但し、上記（ｈ）に示した作用効果の点から、「第１配線」がコイル用配線であり、「第２配線」がセンサ用配線であることが好ましい。

なお、コイル基板、ベース基板、複合基板および接続基板の接続用電極の形状・個数・位置は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。接続用電極の個数は、コイル基板部またはベース基板部に形成される回路構成によって適宜変更可能である。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
ＡＸ…コイルの巻回軸
ＣＶ…キャビティ
Ｆ１…第１領域
Ｆ２…第２領域
Ｆ３…第３領域
Ｌ１…コイル
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ３１，Ｐ３２，Ｐ４１，Ｐ５１，Ｐ５２，ＥＰ１，ＥＰ２，ＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ２１，ＥＰ３１，ＥＰ３２…接続用電極
ＣＰ２１，ＣＰ３１，ＣＰ３２，ＣＰ４１，ＣＰ５１，ＣＰ５２…接続基板の接続用電極
ＶＳ１，ＶＳ１Ａ，ＶＳ１Ｂ，ＶＳ１Ｃ…第１主面
ＶＳ２，ＶＳ２Ｂ…第２主面
ＷＰ１…第１接続部
ＷＰ２…第２接続部
１…磁気センサ
２…ドライバーＩＣ
３…導電性接合材
４…磁石
５…プラグ
６…レセプタクル
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，２０…基材
１１，１２，１３，１４，１５ａ，１５ｂ…絶縁基材層
２０…ベース基板の基材
３１，３２…コイル導体
４１…信号線
５１，５２…グランド導体
６１，６２…導体パターン
１０１，１０３…コイル基板
２０１…ベース基板
３０３…接続基板
４０２…複合基板
５０１，５０２，５０３…アクチュエータ

Claims (7)

1. 実装面を有する基材、および前記基材に形成されるコイルを有するコイル基板部と、
   コイル駆動回路が形成されるベース基板部と、
   前記コイルが発生する磁界を受ける磁石と、
   前記実装面と前記ベース基板部とを接続する、第１配線の第１接続部と、
   屈曲部を有し、前記コイル基板部と前記ベース基板部とを接続する、第２配線の第２接続部と、
   を備え、
   前記第２接続部は、信号線およびグランド導体を有する、アクチュエータ。
2. 前記グランド導体の少なくとも一部は、前記信号線と前記第１接続部との間に配置される、請求項１に記載のアクチュエータ。
3. 前記コイル基板部、前記ベース基板部および前記第２接続部は、一体形成される、請求項１または２に記載のアクチュエータ。
4. 前記コイル基板部に設けられる磁気センサと、
   前記ベース基板部に設けられるドライバーＩＣと、
   を備える、請求項１から３のいずれかに記載のアクチュエータ。
5. 前記磁石は、前記コイル基板部を挟んで、前記ベース基板部とは
   反対側に配置され、
   前記磁気センサは、前記実装面よりも前記磁石に近接する位置に配置される、請求項４に記載のアクチュエータ。
6. 前記第１配線は、前記ドライバーＩＣと前記コイルとの間を接続するコイル用配線、または、前記ドライバーＩＣと前記磁気センサとの間を接続するセンサ用配線の一方であり、
   前記第２配線は、前記コイル用配線、または前記センサ用配線の他方である、請求項４または５に記載のアクチュエータ。
7. 前記第１配線は、前記コイル用配線であり、
   前記第２配線は、前記センサ用配線である、請求項６に記載のアクチュエータ。

Images