以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第2の実施形態以降では第1の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
《第1の実施形態》
図1は第1の実施形態に係るアクチュエータ501の断面図である。図2(A)は第1の実施形態に係るコイル基板101の平面図であり、図2(B)はコイル基板101の断面図である。図1および図2(B)において、各部の厚みは誇張して図示している。このことは以降に示す各断面図でも同様である。また、図2(B)では、構造を分かりやすくするため、磁気センサ1の図示を省略している。
本発明の「アクチュエータ」は、後に詳述するように、コイルを有するコイル基板とベース基板とを備え、コイルが発生する磁界によって、磁石が設けられた可動体を移動させるものである。
アクチュエータ501は、コイル基板101、磁気センサ1、ベース基板201、ドライバーIC2、磁石4、第1配線の第1接続部WP1(後に詳述する)、および第2配線の第2接続部WP2(後に詳述する)等を備える。図1に示すように、磁気センサ1はコイル基板101に設けられ、ドライバーIC2はベース基板201に設けられる。
コイル基板101は、図2(A)および図2(B)に示すように、基材10、コイルL1、キャビティCV、接続用電極P1,P2,P11,P12,P21,P31,P32、信号線41、グランド導体51,52およびプラグ5等を有する。
基材10は、長手方向がX軸方向に一致する略直方体である。基材10は、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成された積層体である。基材10は、例えば液晶ポリマー(LCP)またはポリエーテルエーテルケトン(PEEK)を主材料とする略直方体である。
基材10は、第1領域F1および第2領域F2を有する。第2領域F2の絶縁基材層の積層数は、第1領域F1の絶縁基材層の積層数よりも少ない。そのため、基材10の第2領域F2は、第1領域F1よりも曲がり易く、可撓性を有する。
また、基材10は、互いに対向する第1主面VS1A,VS1Bと、第2主面VS2とを有する。図2(B)に示すように、第1主面VS1Aは、第1領域F1に形成される面であり、第1主面VS1Bは、第2領域F2に形成される面である。第2主面VS2は、第1領域F1と第2領域F2に亘って形成される面である。
本実施形態では、第1領域F1が本発明における「コイル基板部」に相当し、第1主面VS1Aが本発明における「実装面」に相当する。また、本実施形態では、基材10のうち第1領域F1の部分が、本発明における「基材」に相当する。
コイルL1は、基材10のうち第1領域F1の内部に形成される約4ターンのコイルである。図2(B)に示すように、コイルL1は、複数の絶縁基材層の積層方向(Z軸方向)に沿った巻回軸AXを有する。具体的には、コイルL1は、コイル導体31,32および層間接続導体(不図示)によって構成される。これらコイル導体31,32は、それぞれ異なる絶縁基材層に形成される約2ターンの矩形スパイラル状の導体パターンである。コイル導体31の第1端は、層間接続導体(不図示)を介してコイル導体32の第1端に接続されている。コイル導体31,32は例えばCu箔等の導体パターンである。
接続用電極P1,P2は、基材10の第1主面VS1Aに形成される矩形の導体パターンである。接続用電極P1は、コイルL1の第1端(コイル導体31の第2端)に接続され、接続用電極P2は、コイルL1の第2端(コイル導体32の第2端)に接続されている。接続用電極P1,P2は、例えばCu箔等の導体パターンである。
キャビティCVは、基材10の第1領域F1の第2主面VS2から内側(−Z方向に向かって)形成される開口である。キャビティCVの平面形状は、磁気センサ1の平面形状に合わせた形状となっている。後に詳述するように、キャビティCV内には、磁気センサ1が配置される。図2(B)に示すように、キャビティCVの底面には、接続用電極P11,P12が形成されている。接続用電極P11,P12は、矩形の導体パターンであり、例えばCu箔等の導体パターンである。
磁気センサ1は、コイルL1に電流が流れたときに生じる磁界、または外部からの磁界をセンシングする素子であり、磁石4の移動量を検出する。磁気センサ1は、例えばホール効果を利用したホール素子である。
磁気センサ1は、キャビティCVの底面に実装されている。具体的には、磁気センサ1の端子が、はんだ等の導電性接合材を介して、接続用電極P11,P12にそれぞれ接続される。図1に示すように、磁気センサ1は、コイルL1のコイル開口の内側に配置され、且つ、コイルL1の巻回軸AXに重なる位置に配置されている。
信号線41およびグランド導体51,52は、基材10のうち第2領域F2の内部に形成される導体パターンである。なお、第2領域F2の内部には、信号線41以外の信号線も形成されるが、図1および図2(B)では図示を省略している。信号線41は、磁気センサ1の一方の端子に接続されている。信号線41およびグランド導体51,52は、例えばCu箔等の導体パターンである。
図2(B)に示すように、第2領域F2には、信号線41、グランド導体51,52、信号線41とグランド導体51とで挟まれる基材10の一部、信号線41とグランド導体52とで挟まれる基材20の一部とで、ストリップライン構造の伝送線路が形成されている。
接続用電極P21,P31,P32は、第1主面VS1Bに形成される導体パターンである。接続用電極P21は、層間接続導体を介して、信号線41の一端に接続される。接続用電極P31は、層間接続導体を介して、グランド導体51に接続される。接続用電極P32は、層間接続導体を介して、グランド導体52に接続される。接続用電極P21,P31,P32は、例えばCu箔等の導体パターンである。
プラグ5は、第1主面VS1Bに実装され、基材10の長手方向の第1端(図2(A)における基材10の右端)付近に配置されている。プラグ5は、はんだ等の導電性接合材を介して、接続用電極P21,P31,P32に接続される。プラグ5は、例えば多極のプラグである。
ベース基板201は、基材20、接続用電極EP1,EP2,EP11,EP12,EP21,EP31,EP32、導体パターン61,62およびレセプタクル6等を有する。
ベース基板201には、コイルL1を駆動するためのコイル駆動回路が形成されている。このコイル駆動回路は、ドライバーIC2、ドライバーIC2とコイルL1とを接続する配線等で構成される。
本実施形態では、ベース基板201が本発明における「ベース基板部」に相当する。
基材20は、長手方向がX軸方向に一致する直方体である。基材20は、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成される積層体である。基材20は、例えば液晶ポリマー(LCP)またはポリエーテルエーテルケトン(PEEK)を主材料とする直方体である。
接続用電極EP1,EP2,EP11,EP12,EP21,EP31,EP32は、基材20の表面(図1における基材20の上面)に形成される導体パターンである。導体パターン61,62は、基材20の内部に形成される導体パターンである。接続用電極EP1,EP2,EP11,EP12,EP21,EP31,EP32および導体パターン61,62は、例えばCu箔等の導体パターンである。
レセプタクル6は、基材20の表面(図1における基材20の上面)に実装されている。レセプタクル6は、はんだ等の導電性接合材を介して、接続用電極EP21,EP31,EP32に接続される。レセプタクル6は、例えば多極のレセプタクルである。
ドライバーIC2は、磁気センサ1に接続され、磁気センサ1からの信号に基づいてコイルL1に流れる電流を制御するものである。図1に示すように、ドライバーIC2は、基材20に実装されている。具体的には、ドライバーIC2の端子が、はんだ等の導電性接合材を介して、接続用電極EP11,EP12に接続されている。
図1に示すように、コイル基板101は、ベース基板201に実装されている。
具体的には、コイル基板101の接続用電極P1,P2が、導電性接合材3を介して接続用電極EP1,EP2に接続される。本実施形態では、第1主面VS1A(実装面)とベース基板201(ベース基板部)とを接続する部分が、第1接続部WP1である。また、プラグ5は、第2領域F2の可撓性を利用して、第2領域F2を曲げた状態で、ベース基板201に実装されたレセプタクル6に接続される。本実施形態では、第1領域F1(コイル基板部)とベース基板201(ベース基板部)とを接続し、屈曲部を有する部分が、第2接続部WP2である。
第1配線の第1接続部WP1は、例えば、ドライバーIC2とコイルL1との間を接続するコイル用配線の接続箇所である。第2配線の第2接続部WP2は、例えば、ドライバーIC2と磁気センサ1との間を接続するセンサ用配線の接続箇所である。
このコイル用配線は、本発明における「第1配線」の一例であり、このセンサ用配線は、本発明における「第2配線」の一例である。
磁石4は、可動体(不図示)に取り付けられている。磁石4は、コイル基板101を挟んで、ベース基板201とは反対側(+Z方向)に配置されている。磁石は例えば永久磁石である。
本実施形態では、第2接続部WPが、信号線41およびグランド導体51,52を有する。より具体的には、図1に示すように、グランド導体51の少なくとも一部は、信号線41と第1接続部WP1との間に配置されている。グランド導体51は、平面視で(Z軸方向から視て)信号線41を覆うように、信号線41に対してベース基板部(ベース基板201)側に設けられている。さらに、本実施形態では、磁気センサ1が、第1主面VS1(実装面)よりも磁石4に近接する位置(実装面よりも+Z方向の位置)に配置されている。
アクチュエータ501は、例えば次のように用いられる。コイルL1に所定の電流を流すと、コイルL1から放射される磁界によって、磁石4は平面方向(例えば、X軸方向)に変位する(図1における白抜き矢印参照。)。磁気センサ1は、磁石4が変位したときの磁界の変化をセンシングする。
本実施形態に係るアクチュエータ501によれば、次のような効果を奏する。
(a)本実施形態では、コイル基板部(第1領域F1)とベース基板部(ベース基板201)とが、それぞれ離間して配置される第1接続部WP1と第2接続部WP2とで接続されている。そのため、コイル基板部とベース基板部とを接続する2つの配線(第1配線および第2配線)を、異なる配線経路で接続できる。したがって、この構成により、第1配線と第2配線との間のアイソレーションを高めることができ、結果的に特性のばらつきを抑制したアクチュエータを実現できる。
(b)本実施形態では、第2接続部WP2がグランド導体51,52を有するため、グランド導体51,52のシールド効果により、一方の配線(第1配線または第2配線の一方)に対する、他方の配線(第1配線または第2配線の他方)から発生するノイズの影響を抑制できる。
(c)また、本実施形態では、グランド導体51の少なくとも一部が、信号線41と第1接続部WP1との間に配置されている。この構成によれば、信号線41と第1接続部WP1との間に配置されるグランド導体51で、第1配線から発生するノイズが遮蔽されるため、第2配線に対する、第1配線から発生するノイズの影響を効果的に抑制できる。または、この構成によれば、第1配線に対する、第2配線からのノイズの輻射を効果的に抑制できる。
さらに、本実施形態では、グランド導体51が、平面視で(Z軸方向から視て)信号線41を覆うように、信号線41に対してベース基板部(ベース基板201)側に設けられている。この構成により、第2接続部WP2に対する、ベース基板部からのノイズの影響を抑制できる。
(d)本実施形態では、磁気センサ1が、実装面(第1主面VS1A)よりも磁石4に近接する位置に配置されている。この構成によれば、ベース基板部(ベース基板201)や実装面に磁気センサ1を実装する場合に比べて、磁気センサ1と磁石4との距離が短いため、磁石4に対する磁気センサ1の磁界検出精度を高めることができる。
(e)また、本実施形態では、磁気センサ1が、コイルL1の巻回軸AXに重なる位置に配置されている。この構成では、コイルL1から生じる磁界の影響が少ないコイルL1の巻回軸AX上に、磁気センサ1を配置するため、コイルL1から生じる磁界の影響を受け難くできる。そのため、磁気センサ1の磁界検出精度は高まる。
(f)また、本実施形態では、磁気センサ1が、キャビティCV内に配置され、且つ、コイルL1のコイル開口の内側に配置されている。この構成によれば、磁気センサ1が実装されたコイル基板部(コイル基板101)を小型化(特に、Z軸方向の厚みを低背化)できる。
なお、磁気センサ1は、基材10の第2主面VS2(コイル基板101の天面)に実装されていてもよい。その場合には、磁気センサ1と磁石4との距離をさらに短くでき、磁石4に対する磁気センサ1の磁界検出精度をさらに高めることができる。
(g)図1に示すように、第1接続部で接続された「第1配線」は、屈曲部を有する第2接続部WP2で接続された「第2配線」に比べ、コイル基板部とベース基板部との間の配線長が短い。つまり、本実施形態によれば、第2配線よりも短い配線長で、第1配線をベース基板部に接続できるため、第1配線のインダクタンスや導体抵抗を低減できる。
(h)なお、本実施形態では、第1配線がコイル用配線であり、第2配線がセンサ用配線である。この構成により、コイル用配線とセンサ用配線との間のアイソレーションを高めたアクチュエータを実現できる。また、この構成では、第2配線よりも短い配線長でベース基板部に接続できる第1配線が、コイル用配線である。そのため、コイル用配線のインダクタンスや導体抵抗を低減でき、低損失のアクチュエータを実現できる。また、この構成により、ノイズの影響を受けやすいセンサ用配線に対する、第1接続部WP1以外の部分(例えば、ベース基板部)からのノイズの影響を抑制できる。
(i)本実施形態では、コイル基板部(第1領域F1)の基材10、およびベース基板部(ベース基板201)の基材20が、同一主成分の材料(液晶ポリマー)からなる。この構成により、コイル基板部とベース基板部との線膨張係数が略一致する。そのため、コイル基板部をベース基板部に実装するとき(または実装後)の温度変化による、コイル基板部とベース基板部との線膨張係数差に起因した反りは抑制される。したがって、この構成により、コイル基板101の接続用電極P1,P2と、ベース基板201の接続用電極EP1,EP2との間の接合不良は抑制される。
(j)さらに、本実施形態では、ドライバーIC2が、コイル駆動回路が形成されたベース基板部(ベース基板201)に実装されている。この構成により、ドライバーIC2をコイル基板部(第1領域F1)に実装する場合に比べて、ドライバーIC2への電源用配線の配線長を短くできるため、低損失のコイル駆動回路を実現できる。また、この構成により、ドライバーIC2をコイル基板部に実装する場合に比べて、ドライバーIC2のグランド電位が安定しやすい。
本実施形態に係るコイル基板101は、例えば次のような工程で製造される。図3はコイル基板101の製造工程を順に示す断面図である。なお、図3では、説明の都合上ワンチップ(個片)での製造工程で説明するが、実装の多層基板の製造工程は集合基板状態で行われる。
図3中の(1)に示すように、まず複数の絶縁基材層11,12,13,14,15a,15b準備する。絶縁基材層11,12,13,14,15a,15bは、例えば液晶ポリマー(LCP)またはポリエーテルエーテルケトン(PEEK)等の熱可塑性樹脂シートである。
その後、複数の絶縁基材層12,13,14,15a、15bに、コイル導体31,32、接続用電極P1,P2,P21,P31,P32、信号線41およびグランド導体51,52等を形成する。
具体的には、集合基板状態の絶縁基材層12,13,14,15a,15bの片面に、金属箔(例えばCu箔)をラミネートし、その後、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングする。これにより、集合基板状態の絶縁基材層12にコイル導体32およびグランド導体52を形成し、集合基板状態の絶縁基材層13にコイル導体31および信号線41を形成する。また、集合基板状態の絶縁基材層14に接続用電極P11,P12およびグランド導体51を形成し、集合基板状態の絶縁基材層15a,15bに接続用電極P1,P2,P21,P31,P32を形成する。
また、複数の絶縁基材層12,13,14,15bには、層間接続導体が形成される。層間接続導体は、絶縁基材層12,13,14,15bにレーザー等で貫通孔を設けた後、Cu,Sn等のうち1以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設(充填)し、後の加熱加圧で硬化させることによって設けられる。そのため、層間接続導体は、後の加熱加圧時の温度よりも融点(溶融温度)が低い材料とする。
さらに、絶縁基材層11,12,13には、開口AP1,AP2,AP3が形成される。開口AP1,AP2,AP3は磁気センサ1の平面形状に合わせた貫通孔である。開口AP1,AP2,AP3は、例えばレーザー加工等によって形成される。あるいは、開口AP1,AP2,AP3は、パンチング等によって型抜きして形成してもよい。
次に、図3中の(2)に示すように、絶縁基材層15a,15bを最下層とし、その上に絶縁基材層14,13,12,11の順に積層する。
その後、積層した絶縁基材層11,12,13,14,15a,15bを加熱加圧することにより、集合基板状態の基材10を形成する。このとき、開口AP1,AP2,AP3と、開口が形成されていない絶縁基材層14との積層により、基材10の第2主面VS2から第1主面VS1Aに向かって形成されるキャビティCVが形成される。また、この工程により、コイル導体31,32が層間接続導体(不図示)を介して接続され、これらコイル導体31,32および層間接続導体によるコイルL1が構成される。
次に、基材10に磁気センサ1を実装する。具体的には、磁気センサ1をキャビティCV内に配置した後、はんだ等の導電性接合材を介して、磁気センサ1の端子を接続用電極P11,P12に接続する。また、基材10の第1主面VS1Bに、プラグ5を実装する。具体的には、プラグ5は、はんだ等の導電性接合材を介して、接続用電極P21,P31,P32に接続される。磁気センサ1は例えばホール効果を利用したホール素子である。磁気センサ1は、例えばリフロープロセスによって基材10に実装される。プラグ5は、例えば多極のプラグである。
最後に、集合基板から個々の個片に分離して、図3中の(3)に示すコイル基板101を得る。
上記製造方法により、異なる2つの配線間のアイソレーションを高めたコイル基板101を容易に製造できる。
また、上記製造方法によれば、積層した複数の絶縁基材層11,12,13,14,15a,15bを一括プレスすることにより、コイル基板101(基材10)を容易に形成できるため、製造工程の工数が削減され、コストを低く抑えることができる。
なお、上記製造方法では、複数の絶縁基材層11,12,13,14,15a,15bを積層して加熱加圧した後に、磁気センサ1を実装したが、この製造方法に限定されるものではない。磁気センサ1は、例えば、加熱加圧前の絶縁基材層14に実装してもよい。すなわち、磁気センサ1の端子を、導電性接合材を介して、加熱加圧前の絶縁基材層14の接続用電極P11,P12に接続してもよい。その場合、導電性接合材が、後の加熱加圧時に溶融して接続不良を起こす虞があるため、導電性接合材は、加熱加圧時の温度よりも融点(溶融温度)が高い材料であることが好ましい。
《第2の実施形態》
第2の実施形態では、コイル基板部、ベース基板部および第2接続部が、一体形成される例を示す。
図4は、第2の実施形態に係るアクチュエータ502の断面図である。図5は、第2の実施形態に係る複合基板402の断面図である。なお、図5では、構造を分かりやすくするため、磁気センサ1の図示を省略している。
アクチュエータ502は、複合基板402、磁気センサ1および磁石4、第1接続部WP1および第2接続部WP2等を備える。アクチュエータ502は、コイル基板部、ベース基板部および第2接続部が一体形成された複合基板402を備える点で、第1の実施形態に係るアクチュエータ501と異なる。
以下、第1の実施形態に係るアクチュエータ501と異なる部分について説明する。
複合基板402は、基材10A、コイルL1、キャビティCV、接続用電極P1,P2,P11,P12,P21,EP1,EP2、導体パターン61,62、信号線41、グランド導体51,52等を有する。コイルL1、キャビティCV、接続用電極P1,P2、信号線41、グランド導体51,52は、第1の実施形態で説明したものと実質的に同じである。
基材10Aは、長手方向がX軸方向に一致する略直方体である。基材10Aは、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成された積層体である。基材10Aは、例えば液晶ポリマー(LCP)またはポリエーテルエーテルケトン(PEEK)を主材料とする略直方体である。
基材10Aは、第1領域F1、第2領域F2および第3領域F3を有する。第2領域F2の絶縁基材層の積層数は、第1領域F1および第3領域F3の絶縁基材層の積層数よりも少ない。そのため、基材10Aの第2領域F2は、第1領域F1および第3領域F3よりも曲がり易く、可撓性を有する。第3領域F3には、コイルL1を駆動するためのコイル駆動回路が形成されている。
本実施形態では、第1領域F1が本発明における「コイル基板部」に相当し、第1主面VS1Aが本発明における「実装面」に相当する。本実施形態では、第3領域F3が本発明における「ベース基板部」に相当する。また、本実施形態では、第2領域F2が本発明における「第2接続部」に相当する。
また、基材10Aは、互いに対向する第1主面VS1A,VS1B,VS1Cと、第2主面VS2とを有する。図5に示すように、第1主面VS1Cは、第3領域F3に形成される面である。第2主面VS2は、第1領域F1、第2領域F2および第3領域F3に亘って形成される面である。
接続用電極EP1,EP2は、基材10Aの第1主面VS1Cに形成される導体パターンである。導体パターン61,62は、基材10Aの第3領域F3の内部に形成される導体パターンである。
図4に示すように、第1領域F1(コイル基板部)は、第3領域F3(ベース基板部)に実装されている。
具体的には、第1主面VS1Aに形成された接続用電極P1,P2が、第2領域F2を曲げた状態で、導電性接合材3を介して、第1主面VS1Cに形成された接続用電極EP1,EP2に接続される。本実施形態では、第1主面VS1A(実装面)と第3領域F3(ベース基板部)とを接続する部分が、第1接続部WP1である。また、第1領域F1は、曲げた状態の第2領域F2を介して、第3領域F3に接続されている。本実施形態では、第1領域F1(コイル基板部)と第3領域F3(ベース基板部)とを接続し、屈曲部を有する部分が、第2接続部WP2である。
磁気センサ1は、キャビティCV内に配置され、キャビティCVの底面に実装されている。また、磁石4は、第1領域F1(コイル基板部)を挟んで、第3領域F3(ベース基板部)とは反対側(+Z方向)に配置されている。
本実施形態に係るアクチュエータ502によれば、第1の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。
(k)本実施形態では、コイル基板部(第1領域F1)、ベース基板部(第3領域F3)および第2接続部(第2領域F2)が、一体形成される。この構成によれば、コイル基板部とベース基板部との間を、プラグおよびレセプタクル等によって接続する必要がないため、第2接続部での伝送損失が低減できる。
《第3の実施形態》
第3の実施形態では、コイル基板が第2領域を有していない例を示す。
図6は、第3の実施形態に係るアクチュエータ503の断面図である。図7(A)はコイル基板103の断面図であり、図7(B)は接続基板303の断面図である。なお、図7(A)では、構造を分かりやすくするため、磁気センサ1の図示を省略している。
アクチュエータ503は、コイル基板103、ベース基板201、接続基板303、ドライバーIC2、磁気センサ1および磁石4、第1接続部WP1および第2接続部WP2等を備える。アクチュエータ503は、コイル基板が、接続基板を介してベース基板に接続される点で、第1の実施形態に係るアクチュエータ501と異なる。ベース基板201は、第1の実施形態で説明したものと同じである。
以下、第1の実施形態に係るアクチュエータ501と異なる部分について説明する。
コイル基板103は、基材10B、コイルL1、キャビティCV、接続用電極P1,P2,P41,P51,P52等を有する。
基材10Bは、互いに対向する第1主面VS1および第2主面VS2を有し、長手方向がX軸方向に一致する略直方体である。基材10Bは、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成された積層体である。基材10Bは、例えば液晶ポリマー(LCP)またはポリエーテルエーテルケトン(PEEK)を主材料とする略直方体である。
本実施形態では、コイル基板101が本発明における「コイル基板部」に相当し、第1主面VS1が本発明における「実装面」に相当する。
コイルL1は、基材10Bに形成される約4ターンのコイルである。接続用電極P1,P2は、基材10Bの第1主面VS1に形成される矩形の導体パターンである。コイルL1および接続用電極P1,P2の構成については、第1の実施形態で説明したものと実質的に同じである。
キャビティCVは、基材10Bの第2主面VS2から内側(−Z方向に向かって)形成される開口である。接続用電極P11,P12は、キャビティCVの底面に形成される矩形の導体パターンである。磁気センサ1は、このキャビティCV内に配置され、キャビティCVの底面に実装されている。キャビティCV、接続用電極P11,P12および磁気センサ1の構成については、第1の実施形態で説明したものと実質的に同じである。
接続用電極P41,P51,P52は、基材10Bの第2主面VS2に形成される導体パターンである。接続用電極P41は、接続用電極P11,P12のいずれか一方に接続されている。すなわち、接続用電極P41は、磁気センサ1の一方の端子に電気的に接続される。接続用電極P41,P51,P52は、例えばCu箔等の導体パターンである。
接続基板303は、基材10C、信号線41、グランド導体51,52、接続用電極CP21,CP31,CP32,CP41,CP51,CP52およびプラグ5等を有する。
基材10Cは、互いに対向する第1主面VS1Bおよび第2主面VS2Bを有し、長手方向がX軸方向に一致する略直方体である。基材10Bは、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成された積層体である。基材10Bは、例えば液晶ポリマー(LCP)またはポリエーテルエーテルケトン(PEEK)を主材料とする略直方体である。
基材10C(接続基板303)の絶縁基材層の積層数は、基材10C(コイル基板103)の絶縁基材層の積層数よりも少ない。そのため、基材10Cは、基材10Bよりも曲がり易く、可撓性を有する。
信号線41およびグランド導体51,52は、基材10Cの内部に形成される導体パターンである。なお、基材10Cの内部には、信号線41以外の信号線も形成されるが、図6および図7(B)では図示を省略している。信号線41およびグランド導体51,52の構成については、第1の実施形態で説明したものと実質的に同じである。
接続用電極CP21,CP31,CP32,CP41,CP51,CP52は、第1主面VS1Bに形成される導体パターンである。接続用電極CP21,CP31,CP32は、基材10Cの長手方向の第1端(図7(B)における基材10Cの右端)付近に配置され、接続用電極CP41,CP51,CP52は、基材10Cの長手方向の第2端(図7(B)における基材10Cの左端)付近に配置されている。接続用電極CP21は、層間接続導体を介して、信号線41の一端に接続される。接続用電極CP41は、層間接続導体を介して、信号線41の他端に接続される。接続用電極CP31,CP32は、層間接続導体を介して、それぞれグランド導体51,52の一端に接続される。接続用電極CP51,CP52は、層間接続導体を介して、それぞれグランド導体51,52の他端に接続される。接続用電極CP21,CP31,CP32,CP41,CP51,CP52は、例えばCu箔等の導体パターンである。
プラグ5は、第1主面VS1Bに実装され、基材10Cの長手方向の第1端(図7(A)における基材10Cの右端)付近に配置されている。プラグ5は、はんだ等の導電性接合材を介して、接続用電極CP21,CP31,CP32に接続される。
ドライバーIC2は、図7に示すように、ベース基板201(基材20)に実装されている。ドライバーIC2は、第1の実施形態で説明したものと同じである。
図6に示すように、コイル基板103はベース基板201に実装され、接続基板303はコイル基板103およびベース基板201にそれぞれ接続されている。
具体的には、コイル基板101の接続用電極P1,P2が、導電性接合材3を介して接続用電極EP1,EP2に接続される。本実施形態では、第1主面VS1(実装面)とベース基板201(ベース基板部)とを接続する部分が、第1接続部WP1である。
また、接続基板303の接続用電極CP41,CP51,CP52は、導電性接合材を介して、コイル基板103の接続用電極P41,P51,P52にそれぞれ接続される。プラグ5は、基材10Cを曲げた状態で、ベース基板201に実装されたレセプタクル6に接続される。本実施形態では、コイル基板103(コイル基板部)とベース基板201(ベース基板部)とを接続し、屈曲部を有する部分が、第2接続部WP2である。
磁石4は、コイル基板103(コイル基板部)を挟んで、ベース基板201(ベース基板部)とは反対側(+Z方向)に配置されている。
このような構成でも、アクチュエータ501と同様の作用・効果を奏する。
《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、コイル基板101,103の基材10,10B、ベース基板201の基材20、複合基板402の基材10A、および接続基板303の基材10Cが、略直方体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。コイル基板、ベース基板、複合基板および接続基板の基材の形状は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。また、基材の平面形状は、矩形に限定されるものではなく、例えば多角形、円形、楕円形、クランク形、L字形、T字形、Y字形等であってもよい。
以上に示した各実施形態では、コイル基板、ベース基板、複合基板および接続基板の基材が、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層した積層体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。コイル基板、ベース基板、複合基板および接続基板の基材は、積層体に限定されるのではなく、例えば、単一層でもよい。また、基材を形成する複数の絶縁基材層の積層数は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。また、基材は、例えば熱硬化性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成されてもよい。
以上に示した各実施形態では、コイル基板部に形成されるコイルL1が、Z軸方向に沿った巻回軸AXを有する約4ターンのコイルである例を示したが、コイルの個数、位置、形状、構造、大きさ、ターン数等はこれに限定されるものではない。コイルの個数、形状、構造およびターン数は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。コイルは、例えばループ状の複数のコイル導体パターンを層間接続導体で接続するヘリカル状であってもよい。また、コイルの外形(巻回軸AX方向(Z軸方向)から視たコイルの外形)は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば多角形、円形、楕円形等であってもよい。また、コイルの巻回軸AXはZ軸方向に完全に一致している必要はない。
以上に示した各実施形態では、コイルL1が、基材の内部に形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。コイルの一部が基材の表面に形成されていてもよい。
また、以上に示した各実施形態では、2つの絶縁基材層12,13にそれぞれ形成されたコイル導体31,32を含んでコイルL1が形成される例を示したが(図3を参照)、この構成に限定されるものではない。コイルは、例えば単一のコイル導体で構成されていてもよい。また、コイルは、例えば単一の絶縁基材層の両面にそれぞれ形成される、2つのコイル導体を含んで構成されていてもよい。さらに、コイルは、例えば、3以上の複数の絶縁基材層にそれぞれ形成される、3以上のコイル導体を含んで構成されていてもよい。
また、コイル基板部の回路構成、およびベース基板部の回路構成は、上述した各実施形態で説明した構成に限定されるものではない。コイル基板部の回路構成、およびベース基板部の回路構成は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。
なお、以上に示した各実施形態では、コイル基板部に磁気センサ1を実装する例を示したが、この構成に限定されるものではない。コイル基板部には、例えば、磁気センサ1以外の表面実装部品が実装されていてもよい。なお、磁気センサ1はベース基板部に実装されていてもよいが、上記(d)(f)等の作用効果の点で、磁気センサ1はコイル基板部に実装される構造が好ましい。また、ベース基板部には、例えば、ドライバーIC2以外の表面実装部品が実装されていてもよい。なお、ドライバーIC2はコイル基板部に実装されていてもよいが、上記(j)に示した作用効果の点で、ドライバーIC2はベース基板部に実装される構造が好ましい。
さらに、コイル基板部およびベース基板部には、例えば、導体パターンで形成されたキャパシタや各種伝送線路(ストリップライン、マイクロストリップライン、ミアンダ、コプレーナ等)が、形成されていてもよい。
以上に示した各実施形態では、第2接続部WP2にストリップライン構造の伝送線路が形成された例を示したが、この構成に限定されるものではない。第2接続部WP2には、ストリップライン以外の伝送線路(例えば、マイクロストリップライン、コプレーナ等)が形成されていてもよい。また、以上に示した各実施形態では、信号線41およびグランド導体51,52が、第2接続部WP2の基材の内部に形成されている例を示したが、この構成に限定されるものではない。例えば、信号線41およびグランド導体51,52の一部が、第2接続部WP2の基材の表面から露出していてもよい。
また、以上に示した各実施形態では、コイル基板の基材とベース基板の基材とが、同一主成分の材料からなる例を示したが、この構成に限定されるものではない。コイル基板の基材とベース基板の基材とが異なる主成分の材料からなる構成でもよい。但し、上記(d)に示す作用効果の点で、コイル基板の基材とベース基板の基材とが、同一主成分の材料からなることが好ましい。
以上に示した各実施形態では、第1接続部WP1が、導電性接合材を介して接続用電極同士を接続する部分である例を示したが、この構成に限定されるものではない。例えば、コイル基板部の実装面が、プラグとレセプタクルによってベース基板部に接続されていてもよい。すなわち、第1接続部WP1が、コイル基板部の実装面とベース基板部とを、プラグとレセプタクルで接続する部分でもよい。
また、以上に示した各実施形態では、「第1配線」がコイル用配線であり、「第2配線」がセンサ用配線である例を示したが、この構成に限定されるものではない。例えば、「第1配線」がセンサ用配線であり、「第2配線」がコイル用配線であってもよい。但し、上記(h)に示した作用効果の点から、「第1配線」がコイル用配線であり、「第2配線」がセンサ用配線であることが好ましい。
なお、コイル基板、ベース基板、複合基板および接続基板の接続用電極の形状・個数・位置は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。接続用電極の個数は、コイル基板部またはベース基板部に形成される回路構成によって適宜変更可能である。
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。