JPWO2018079110A1

JPWO2018079110A1 - 多層基板

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Publication number: JPWO2018079110A1
Application number: JP2018547184A
Authority: JP
Inventors: 邦明用水; 伊藤　慎悟; 慎悟伊藤; 勇森田; 直樹郷地
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2016-10-24
Filing date: 2017-09-12
Publication date: 2019-03-14
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Abstract

多層基板（１０１）は、可撓性を有する第１絶縁基材層（絶縁基材層（１１ａ，１２ａ，１３ａ））および第２絶縁基材層（絶縁基材層（１４ａ，１５ａ））が積層されて形成される積層体（１０Ａ）、少なくとも絶縁基材層（１２ａ，１３ａ）に形成されるアクチュエータ用導体パターン（コイル導体（３２，３３））を備える。積層体（１０Ａ）は、第１絶縁基材層および第２絶縁基材層を積層して形成される第１領域（Ｆ１）と、第２絶縁基材層を積層して形成される第２領域（Ｆ２）とを有する。第１領域（Ｆ１）は、アクチュエータ用導体パターンで形成されるアクチュエータ機能部（ＡＦＰ（コイル（３）））を一部に有する。アクチュエータ用導体パターンが形成される第１絶縁基材層（絶縁基材層（１２ａ，１３ａ））の厚みは、第２絶縁基材層の少なくとも一つの厚みよりも薄い。

Description

本発明は、多層基板に関し、特にアクチュエータ機能部を備える多層基板に関する。

従来、可撓性を有する複数の絶縁基材層を積層してなる積層体と、積層体に形成されるコイルとを備える各種多層基板が知られている。例えば、特許文献１には、厚肉部（以下、第１領域）および薄肉部（以下、第２領域）を有する積層体と、第１領域に形成されるコイルと、を備えた多層基板が開示されている。上記多層基板は、第２領域の絶縁基材層の積層数が、第１領域の絶縁基材層の積層数よりも少ないため、第２領域は可撓性を有している。

国際公開第２０１５／０８３５２５号

上記多層基板は、基板等に接続する際に、第２領域の可撓性を利用して接続することがある。すなわち、多層基板は、第２領域を曲げた状態で基板等に固定されることがある。

しかし、第２領域を曲げた状態で多層基板を基板等に固定すると、第２領域に生じる曲げ応力が第１領域にまで伝わって、第１領域に形成されたコイルが変形したり、コイル軸が傾く場合がある。そのため、コイルの特性が変動してしまう虞がある。なお、このような課題は、積層体にコイルが形成される場合に限らず、電気的エネルギーを物理的運動に変換するようなアクチュエータ機能部が積層体に形成されている場合であっても同様に生じる。

本発明の目的は、アクチュエータ機能部を備える多層基板において、可撓性を有する領域を曲げた場合でも、アクチュエータ機能部の特性変化の少ない多層基板を提供することにある。

（１）本発明の多層基板は、
可撓性を有する第１絶縁基材層および第２絶縁基材層を含んだ複数の絶縁基材層が積層されて形成され、第１領域および第２領域を有する積層体と、
少なくとも前記第１絶縁基材層に形成されるアクチュエータ用導体パターンと、
を備え、
前記第１領域の前記絶縁基材層の積層数は、前記第２領域の前記絶縁基材層の積層数よりも多く、
前記第２絶縁基材層は、前記第１領域と前記第２領域とに亘って形成され、
前記第１領域は、前記第１絶縁基材層および前記第２絶縁基材層を積層して形成され、且つ、前記アクチュエータ用導体パターンを含んで形成されるアクチュエータ機能部を一部に有し、
前記アクチュエータ用導体パターンが形成される前記第１絶縁基材層の厚みは、前記第２絶縁基材層の少なくとも一つの厚みよりも薄いことを特徴とする。

一般的に、導体パターンは、樹脂材料からなる絶縁基材層よりも相対的に剛性が高い。そのため、この構成により、アクチュエータ機能部の導体比率が高まり、アクチュエータ機能部の剛性が高まる。したがって、第２領域（可撓部）を曲げたときに生じる曲げ応力が第１領域に加わったとしても、アクチュエータ機能部の変形は抑制され、アクチュエータ機能部の特性変化が抑制される。

（２）上記（１）において、前記第２絶縁基材層の数は複数であり、前記アクチュエータ用導体パターンが形成される前記第１絶縁基材層の厚みは、複数の前記第２絶縁基材層のうち少なくとも一つの厚みよりも薄いことが好ましい。第２絶縁基材層は複数であっても、この構成により、アクチュエータ機能部の導体比率が高まり、アクチュエータ機能部の剛性が高まる。

（３）上記（１）または（２）において、前記アクチュエータ用導体パターンが形成される前記第１絶縁基材層の厚みは、前記複数の第２絶縁基材層のいずれの厚みよりも薄いことが好ましい。この構成により、複数の前記第２絶縁基材層のうち一つの厚みよりも、アクチュエータ用導体パターンが形成される第１絶縁基材層の厚みが薄い場合と比較して、アクチュエータ機能部の導体比率はさらに高まるため、アクチュエータ機能部の剛性がさらに高まる。

（４）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記アクチュエータ用導体パターンは、前記第１絶縁基材層のみに形成され、前記第１絶縁基材層と前記第２絶縁基材層との界面以外の層に配置されることが好ましい。この構成では、第１領域と第２領域とに亘って形成される第２絶縁基材層には、アクチュエータ用導体パターンが形成されていない。したがって、この構成により、アクチュエータ機能部と第２領域との独立性（応力のアイソレーション）が高まり、第２領域を曲げたときに生じる曲げ応力が第１領域に加わった場合でも、アクチュエータ機能部の変形はさらに抑制される。

（５）上記（１）から（４）のいずれかにおいて、前記第１絶縁基材層に形成され、前記複数の絶縁基材層よりも弾性率の高い補強膜をさらに備えることが好ましい。この構成により、アクチュエータ機能部の剛性がさらに高まるため、第２領域（可撓部）を曲げたときに生じる曲げ応力が第１領域に加わったとしても、アクチュエータ機能部の変形はさらに抑制され、アクチュエータ機能部の特性変化がさらに抑制される。

（６）上記（１）から（５）のいずれかにおいて、前記第１絶縁基材層に形成され、前記アクチュエータ用導体パターンに導通しないダミー導体をさらに備えることが好ましい。この構成により、アクチュエータ機能部の導体比率がさらに高まり、アクチュエータ機能部の剛性がさらに高まる。したがって、第２領域（可撓部）を曲げたときに生じる曲げ応力が第１領域に加わったとしても、アクチュエータ機能部の変形はさらに抑制され、アクチュエータ機能部の特性変化がさらに抑制される。

本発明によれば、アクチュエータ機能部を備える多層基板において、可撓性を有する領域を曲げた場合でも、アクチュエータ機能部の特性変化の少ない多層基板を実現できる。

図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の外観斜視図である。図２は多層基板１０１の分解斜視図である。図３は多層基板１０１の断面図である。図４は、多層基板１０１Ａが実装された電子機器３０１の主要部を示す断面図である。図５は第２の実施形態に係る多層基板１０２の外観斜視図である。図６は多層基板１０２の分解斜視図である。図７は多層基板１０２の断面図である。図８は、多層基板１０２Ａが実装された電子機器３０２の主要部を示す断面図である。図９（Ａ）は、アクチュエータ機能部ＡＦＰを動作させたときの多層基板１０２Ａの状態を示す、電子機器３０２の主要部を示す断面図である。図９（Ｂ）は、アクチュエータ機能部ＡＦＰを動作させたときの多層基板１０２Ａの別の状態を示す、電子機器３０２の主要部を示す断面図である。図１０は第３の実施形態に係る多層基板１０３の外観斜視図である。図１１は多層基板１０３の分解斜視図である。図１２は多層基板１０３の断面図である。図１３は第４の実施形態に係る多層基板１０４の外観斜視図である。図１４は多層基板１０４の分解斜視図である。図１５は多層基板１０４の断面図である。図１６は第５の実施形態に係る多層基板１０５の断面図である。図１７は第６の実施形態に係る多層基板１０６の外観斜視図である。図１８は多層基板１０６の分解斜視図である。図１９は多層基板１０６の断面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の外観斜視図である。図２は多層基板１０１の分解斜視図である。図３は多層基板１０１の断面図である。なお、図３において、各部の厚みは誇張して図示している。このことは、以降に示す各断面図でも同様である。

多層基板１０１は、積層体１０Ａ、コイル導体３１，３２，３３、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２等を備える。積層体１０Ａは、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有し、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２は第１主面ＶＳ１に形成される。

積層体１０Ａは、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の絶縁体平板であり、第１領域Ｆ１および第２領域Ｆ２を有する。第１領域Ｆ１は、図３に示すように、アクチュエータ機能部ＡＦＰ（後に詳述する。）を一部に有する。積層体１０Ａは、可撓性を有する複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａが積層されて形成される。絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａは、例えばポリイミド（ＰＩ）や液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の樹脂層である。

積層体１０Ａの第１領域Ｆ１は、絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａの順に積層して形成される。第２領域Ｆ２は、絶縁基材層１４ａ，１５ａの順に積層して形成される。図３に示すように、絶縁基材層１４ａ，１５ａは、第１領域Ｆ１と第２領域Ｆ２とに亘って形成される絶縁基材層である。

本実施形態では、絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａが本発明における「第１絶縁基材層」に相当し、絶縁基材層１４ａ，１５ａが本発明における「第２絶縁基材層」に相当する。

積層体１０Ａの第１領域Ｆ１の絶縁基材層の積層数（５層）は、第２領域Ｆ２の絶縁基材層の積層数（２層）よりも多い。そのため、積層体１０Ａの第１領域Ｆ１は、第２領域Ｆ２に比べて硬く、第２領域よりも曲がり難い。第２領域Ｆ２は、第１領域Ｆ１よりも可撓性を有し、第１領域Ｆ１よりも曲がり易い。

絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａは、それぞれ可撓性を有する矩形の平板である。絶縁基材層１４ａ，１５ａは、それぞれ可撓性を有する矩形の平板であり、Ｘ軸方向の長さが絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａよりも長い。絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａの平面形状は略同じであり、絶縁基材層１４ａ，１５ａの平面形状は略同じである。

絶縁基材層１２ａの下面（図２における絶縁基材層１２ａの下面）には、コイル導体３３が形成されている。コイル導体３３は、絶縁基材層１２ａの外形に沿って巻回される約１ターンの矩形ループ状の導体パターンである。また、絶縁基材層１２ａには、Ｚ軸方向に延伸する層間接続導体Ｖ４，Ｖ５が形成されている。

絶縁基材層１３ａの下面（図２における絶縁基材層１３ａの下面）には、コイル導体３２および導体２２が形成されている。コイル導体３２は、絶縁基材層１３ａの外形に沿って巻回される約１ターンの矩形ループ状の導体パターンである。導体２２は矩形の導体パターンである。また、絶縁基材層１３ａには、Ｚ軸方向に延伸する層間接続導体Ｖ３，Ｖ６が形成されている。

絶縁基材層１４ａの下面（図２における絶縁基材層１４ａの下面）には、コイル導体３１、導体２３および外部接続端子Ｐ１，Ｐ２が形成されている。コイル導体３１は、絶縁基材層１４ａの一端（図２における絶縁基材層１４ａの左側端部）付近に配置される、約１ターンの矩形ループ状の導体パターンである。導体２３は矩形の導体パターンである。外部接続端子Ｐ１，Ｐ２は、絶縁基材層１４ａの他端（図２における絶縁基材層１４ａの右側端部）付近に配置される矩形の導体パターンである。また、絶縁基材層１４ａには、Ｚ軸方向に延伸する層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ７，Ｖ８が形成されている。

絶縁基材層１５ａの下面（図２における絶縁基材層１５ａの下面）には、導体２１，２４が形成されている。導体２１，２４は、Ｘ軸方向に延伸する線状の導体パターンである。

コイル導体３１，３２，３３、導体２１，２２，２３，２４および外部接続端子Ｐ１，Ｐ２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７，Ｖ８は、例えば絶縁基材層にビアホールを形成し、導電性ペーストを充填してなるビア導体等である。

図２に示すように、外部接続端子Ｐ１は、層間接続導体Ｖ１を介して導体２１の第１端に接続される。導体２１の第２端は、層間接続導体Ｖ２を介してコイル導体３１の第１端に接続される。コイル導体３１の第２端は、層間接続導体Ｖ３を介してコイル導体３２の第１端に接続される。コイル導体３２の第２端は、層間接続導体Ｖ４を介してコイル導体３３の第１端に接続される。コイル導体３３の第２端は、層間接続導体Ｖ５を介して導体２２に接続される。導体２２は層間接続導体Ｖ６を介して導体２３に接続され、導体２３は層間接続導体Ｖ７を介して導体２４の第１端に接続される。導体２４の第２端は、層間接続導体Ｖ８を介して外部接続端子Ｐ２に接続される。

また、図２に示すように、コイル導体３１，３２，３３および層間接続導体Ｖ３，Ｖ４によって約３ターンの矩形ヘリカル状のコイル３が形成される。図３に示すように、コイル３は、複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａの積層方向（Ｚ軸方向）に沿った巻回軸ＡＸを有する。そして、コイル３の一端は外部接続端子Ｐ１に接続され、コイル３の他端は外部接続端子Ｐ２に接続される。

本実施形態では、コイル導体３１，３２，３３が本発明における「アクチュエータ用導体パターン」に相当し、コイル導体３１，３２，３３を含んで形成されるコイル３が本発明における「アクチュエータ機能部」に相当する。そのため、積層体１０Ａの第１領域Ｆ１は、図３に示すように、アクチュエータ機能部ＡＦＰ（コイル３）を一部に有する。

また、図２および図３に示すように、第１絶縁基材層（絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ）は、いずれも第２絶縁基材層（絶縁基材層１４ａ、または絶縁基材層１５ａ）の厚み（Ｚ軸方向の厚み）よりも薄い。また、図３に示すように、アクチュエータ機能部ＡＦＰの導体厚みの合計ＴＡ（コイル導体３１，３２，３３のＺ軸方向の合計厚み）は、第２領域Ｆ２の導体厚みの合計Ｔ２（導体２１または導体２２の合計厚み）よりも厚い（ＴＡ＞Ｔ２）。

本実施形態に係る多層基板１０１は、例えば次のように用いられる。図４は、多層基板１０１Ａが実装された電子機器３０１の主要部を示す断面図である。

本実施形態に係る電子機器３０１は、本発明の多層基板等を備える装置であり、例えば携帯電話端末、いわゆるスマートフォン、タブレット端末、ノートＰＣやＰＤＡ、ウェアラブル端末（いわゆるスマートウォッチやスマートグラス等）、カメラ、ゲーム機、玩具等である。

電子機器３０１は、多層基板１０１Ａ、筐体５、回路基板２０１、物品６Ａ等を備える。筐体５は例えば樹脂製の筐体であり、回路基板２０１は例えばプリント配線板である。

多層基板１０１Ａは、２つのコネクタ５１を備える点で上述した多層基板１０１と異なる。その他の構成については、多層基板１０１と同じである。２つのコネクタ５１は、積層体１０Ａの第１主面ＶＳ１に実装され、コイル３の両端にそれぞれ接続されている。物品６Ａは、振動板８と、振動板８に取り付けられた磁石４と、を有する。

多層基板１０１Ａ、回路基板２０１および物品６Ａは、筐体５の内部に収納される。図４に示すように、積層体１０Ａの第１領域Ｆ１の第２主面ＶＳ２側は、筐体５の内面に貼付されている。多層基板１０１Ａが備える２つのコネクタ５１は、回路基板２０１の表面に実装された２つのレセプタクル６１にそれぞれ接続されている。このようにして、多層基板１０１Ａは、回路基板２０１に形成される回路（例えば給電回路）に接続される。

本実施形態では、コイル３（アクチュエータ機能部ＡＦＰ）に電流を流すと、コイル３から放射される磁界によって、磁石４がＺ軸方向に変位する（図４に示す白抜き矢印参照）。

本実施形態に係る多層基板１０１によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）本実施形態では、第１絶縁基材層（絶縁基材層１２ａ，１３ａ）の厚みが、いずれも第２絶縁基材層の少なくとも一つ（絶縁基材層１５ａ）の厚みよりも薄い。また、本実施形態では、アクチュエータ機能部ＡＦＰの導体厚みの合計（コイル導体３１，３２，３３のＺ軸方向の合計厚み）が、第２領域Ｆ２の導体厚みの合計（導体２１または導体２２の合計厚み）よりも厚い。一般的に、導体パターンは、樹脂材料からなる絶縁基材層よりも相対的に剛性が高い。そのため、この構成により、アクチュエータ機能部ＡＦＰの導体比率が高まり、アクチュエータ機能部ＡＦＰの剛性が高まる。したがって、第２領域Ｆ２を曲げたときに生じる曲げ応力（例えば、図４における応力Ｓ１）が第１領域Ｆ１に加わったとしても、アクチュエータ機能部ＡＦＰの変形は抑制され、アクチュエータ機能部ＡＦＰの特性変化が抑制される。

（ｂ）なお、本実施形態では、第１絶縁基材層（絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ）の厚みが、複数の第２絶縁基材層（絶縁基材層１４ａ，１５ａ）のいずれの厚みよりも薄い。この構成により、複数の第２絶縁基材層（絶縁基材層１４ａ、または絶縁基材層１５ａ）のうち一つの厚みよりも、アクチュエータ用導体パターンが形成される第１絶縁基材層（絶縁基材層１２ａ，１３ａ）の厚みが薄い場合（第３の実施形態を参照）と比較して、アクチュエータ機能部ＡＦＰの導体比率はさらに高まるため、アクチュエータ機能部ＡＦＰの剛性がさらに高まる。

本実施形態に係る多層基板１０１は例えば次のような製造工程で製造される。

（１）まず、集合基板状態の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａに層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７，Ｖ８を形成する。層間接続導体は、レーザー等で貫通孔を設けた後、銅、銀、錫等のうち１以上を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱・加圧工程で硬化させることによって設けられる。絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａは、例えばポリイミド（ＰＩ）や液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の樹脂層である。

次に、集合基板状態の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａの片側主面に金属箔（例えば銅箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、コイル導体３１，３２，３３、導体２１，２２，２３，２４および外部接続端子Ｐ１，Ｐ２を形成する。具体的には、絶縁基材層１２ａの片側主面に、コイル導体３３を形成する。絶縁基材層１３ａの片側主面に、コイル導体３２および導体２２を形成する。また、絶縁基材層１４ａの片側主面に、コイル導体３１、導体２３および外部接続端子Ｐ１，Ｐ２を形成する。また、絶縁基材層１５ａの片側主面に、導体２１，２４を形成する。

（２）次に、絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａを積層し、加熱・加圧することで導電性ペーストを固化させるとともに、絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａを圧着し、集合基板状態の積層体１０Ａを構成する。

（３）最後に、集合基板状態の積層体１０Ａを分断することで、個別の多層基板１０１を得る。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、コイル以外のアクチュエータ機能部を備える多層基板の例を示す。

図５は第２の実施形態に係る多層基板１０２の外観斜視図である。図６は多層基板１０２の分解斜視図である。図７は多層基板１０２の断面図である。

多層基板１０２は、アクチュエータ機能部ＡＦＰがコイルではない点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。その他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

多層基板１０２は、積層体１０Ｂ、平面電極４１，４２，４３、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２等を備える。積層体１０Ｂは、可撓性を有する複数の絶縁基材層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂ，１５ｂが積層されて形成される。また、複数の絶縁基材層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂ，１５は圧電性を有する。絶縁基材層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂ，１５ｂは例えばＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）のシートである。

本実施形態では、絶縁基材層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂが本発明における「第１絶縁基材層」に相当し、絶縁基材層１４ｂ，１５ｂが本発明における「第２絶縁基材層」に相当する。

絶縁基材層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂ，１５ｂの形状は、第１の実施形態で説明した絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａと略同じである。

絶縁基材層１２ｂの下面（図６における絶縁基材層１２ｂの下面）には、平面電極４３が形成されている。平面電極４３は、矩形の導体パターンである。また、絶縁基材層１２ｂには、Ｚ軸方向に延伸する層間接続導体Ｖ４が形成されている。平面電極４３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

絶縁基材層１３ｂの下面（図６における絶縁基材層１３ｂの下面）には、平面電極４２および導体２２が形成されている。平面電極４２および導体２２は、矩形の導体パターンである。また、絶縁基材層１３ｂには、Ｚ軸方向に延伸する層間接続導体Ｖ３，Ｖ５が形成されている。平面電極４２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

絶縁基材層１４ｂの下面（図６における絶縁基材層１４ｂの下面）には、平面電極４１、導体２３および外部接続端子Ｐ１，Ｐ２が形成されている。平面電極４１は、絶縁基材層１４ｂの一端（図６における絶縁基材層１４ｂの左側端部）付近に配置される、矩形の導体パターンである。導体２３は矩形の導体パターンである。外部接続端子Ｐ１，Ｐ２は、絶縁基材層１４ｂの他端（図６における絶縁基材層１４ｂの右側端部）付近に配置される矩形の導体パターンである。また、絶縁基材層１４ｂには、Ｚ軸方向に延伸する層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ６，Ｖ７が形成されている。平面電極４１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

絶縁基材層１５ｂの下面（図６における絶縁基材層１５ｂの下面）には、導体２１，２４が形成されている。導体２１，２２は、第１の実施形態で説明した導体２１，２２と同じ構成である。

図６に示すように、外部接続端子Ｐ１は、層間接続導体Ｖ１を介して導体２１の第１端に接続される。導体２１の第２端は、層間接続導体Ｖ２を介して平面電極４１に接続される。また、平面電極４１は、導体２２および層間接続導体Ｖ３，Ｖ４を介して、平面電極４３に接続される。外部接続端子Ｐ２は、層間接続導体Ｖ７を介して導体２４の第２端に接続される。導体２４の第１端は、導体２３および層間接続導体Ｖ５，Ｖ６を介して、平面電極４２に接続される。

本実施形態では、平面電極４１，４２，４３および絶縁基材層１２ｂ，１３ｂ等によって、圧電アクチュエータが形成される。図７に示すように、積層体１０Ｂの第１領域Ｆ１は、アクチュエータ機能部ＡＦＰ（圧電アクチュエータ）を一部に有する。

具体的には、平面電極４１，４３は外部接続端子Ｐ１に接続され、平面電極４２は外部接続端子Ｐ２に接続される。図７に示すように、平面電極４１および平面電極４２は対向して配置され、平面電極４２および平面電極４３は対向して配置されている。そのため、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２にそれぞれ異なる電圧を印加することによって、平面電極４１と平面電極４２との間に電場が生じ、平面電極４１と平面電極４２とで挟まれた絶縁基材層１３ｂ（圧電体）は変形する。同様に、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２にそれぞれ異なる電圧を印加することによって、平面電極４３と平面電極４２との間に電場が生じ、平面電極４３と平面電極４２とで挟まれた絶縁基材層１２ｂ（圧電体）は変形する。

本実施形態では、平面電極４１，４２，４３が本発明における「アクチュエータ用導体パターン」に相当する。また、平面電極４１，４２，４３および絶縁基材層１２ｂ，１３ｂ等で形成される圧電アクチュエータが、本発明における「アクチュエータ機能部」に相当する。

本実施形態に係る多層基板は、例えば次のように用いられる。図８は、多層基板１０２が実装された電子機器３０２の主要部を示す断面図である。図９（Ａ）は、アクチュエータ機能部ＡＦＰを動作させたときの多層基板１０２Ａの状態を示す、電子機器３０２の主要部を示す断面図である。図９（Ｂ）は、アクチュエータ機能部ＡＦＰを動作させたときの多層基板１０２Ａの別の状態を示す、電子機器３０２の主要部を示す断面図である。

電子機器３０２は、多層基板１０２Ａ、筐体５、回路基板２０１、物品６Ｂ等を備える。筐体５および回路基板２０１は、第１の実施形態で説明した筐体５および回路基板２０１と同じものである。物品６Ｂは例えばポンプである。

多層基板１０２Ａは、２つのコネクタ５１を備える点で上述した多層基板１０２と異なる。その他の構成については、多層基板１０２と同じである。２つのコネクタ５１は、積層体１０Ｂの第１主面ＶＳ１に実装され、平面電極４１，４３および平面電極４２にそれぞれ接続されている。物品６Ｂは、筒状の枠部９と、枠部９の開口を覆う振動板８と、を有する。

多層基板１０２Ａ、回路基板２０１および物品６Ｂは、筐体５の内部に収納される。図８に示すように、積層体１０Ｂの第１領域Ｆ１の第２主面ＶＳ２側は、筐体５の内面に貼付されている。多層基板１０２Ａが備える２つのコネクタ５１は、回路基板２０１の表面に実装された２つのレセプタクル６１にそれぞれ接続されている。このようにして、多層基板１０１Ａは、回路基板２０１に形成される回路（例えば給電回路）に接続される。また、第１領域Ｆ１の第１主面ＶＳ１側は、物品６Ｂの振動板８に貼付されている。

本実施形態では、圧電アクチュエータ（アクチュエータ機能部ＡＦＰ）に電圧を印加すると、平面電極間に生じる電場によって圧電体である絶縁基材層の厚み（Ｚ軸方向の厚み）が変形し、物品６Ｂの振動板８がＺ軸方向に変位する（図９（Ａ）および図９（Ｂ）に示す白抜き矢印参照）。これにより、流体（液体または気体）等が、枠部９内に流入したり（図９（Ａ）の矢印参照）、物品６Ｂの枠部９内から流出したりする（図９（Ｂ）の矢印参照）。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、第２絶縁基材層の構成が異なる多層基板の例を示す。

図９は第３の実施形態に係る多層基板１０３の外観斜視図である。図１１は多層基板１０３の分解斜視図である。図１２は多層基板１０３の断面図である。

多層基板１０３は、絶縁基材層１４ｃ（第２絶縁基材層）の構成が、第１の実施形態に係る絶縁基材層１４ａ（第２絶縁基材層）と異なる。その他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

多層基板１０３は、積層体１０Ｃ、コイル導体３１，３２，３３、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２等を備える。積層体１０Ｃは、可撓性を有する複数の絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｃが積層されて形成される。

本実施形態では、絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃが本発明における「第１絶縁基材層」に相当し、絶縁基材層１４ｃ，１５ｃが本発明における「第２絶縁基材層」に相当する。

図１１および図１２に示すように、絶縁基材層１４ｃの厚みは、第１絶縁基材層（絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ）と略同じであり、絶縁基材層１５ｃ（他の第２絶縁基材層）の厚み（Ｚ軸方向の厚み）よりも薄い。絶縁基材層１４ｃのその他の構成については、第１の実施形態で説明した絶縁基材層１４ｃと略同じである。

なお、絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１５ｃは、第１の実施形態で説明した絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１５ａと同じものである。

本実施形態に係る多層基板１０３によれば、次のような効果を奏する。

（ｃ）本実施形態では、第１絶縁基材層（絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ）の厚みが、いずれも第２絶縁基材層の少なくとも一つ（絶縁基材層１５ｃ）の厚みよりは薄い。また、本実施形態では、アクチュエータ機能部ＡＦＰの導体厚みの合計（コイル導体３１，３２，３３のＺ軸方向の合計厚み）が、第２領域Ｆ２の導体厚みの合計（導体２１または導体２２の合計厚み）よりも厚い。このような構成でも、アクチュエータ機能部ＡＦＰの導体比率は第２領域Ｆ２の導体比率よりも高まり、アクチュエータ機能部ＡＦＰの剛性は高まる。したがって、第２領域Ｆ２を曲げたときに生じる曲げ応力（例えば、図８における応力Ｓ１）が第１領域Ｆ１に加わったとしても、アクチュエータ機能部ＡＦＰの変形は抑制され、アクチュエータ機能部ＡＦＰの特性変化が抑制される。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、アクチュエータ機能部（コイル）の構成が第３の実施形態とは異なる多層基板の例を示す。

図１３は第４の実施形態に係る多層基板１０４の外観斜視図である。図１４は多層基板１０４の分解斜視図である。図１５は多層基板１０４の断面図である。

以下、第３の実施形態に係る多層基板１０３と異なる部分について説明する。

多層基板１０４は、積層体１０Ｄ、コイル導体３１，３２，３３、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２等を備える。積層体１０Ｄは、可撓性を有する複数の絶縁基材層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄ，１４ｄ，１５ｄが積層されて形成される。絶縁基材層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄ，１４ｄ，１５ｄは、第３の実施形態で説明した絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｃと同じものである。

本実施形態では、絶縁基材層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄが本発明における「第１絶縁基材層」に相当し、絶縁基材層１４ｄ，１５ｄが本発明における「第２絶縁基材層」に相当する。

絶縁基材層１１ｄの下面（図１４における絶縁基材層１１ｄの下面）には、コイル導体３３が形成されている。コイル導体３３は、絶縁基材層１１ｄの外形に沿って巻回される約１ターンの矩形ループ状の導体パターンである。また、絶縁基材層１１ｄには、Ｚ軸方向に延伸する層間接続導体Ｖ５，Ｖ６が形成されている。

絶縁基材層１２ｄの下面（図１４における絶縁基材層１２ｄの下面）には、コイル導体３２および導体２３が形成されている。コイル導体３２は、絶縁基材層１２ｄの外形に沿って巻回される約１ターンの矩形ループ状の導体パターンである。導体２３は矩形の導体パターンである。また、絶縁基材層１２ｄには、Ｚ軸方向に延伸する層間接続導体Ｖ４，Ｖ７が形成されている。

絶縁基材層１３ｄの下面（図１４における絶縁基材層１３ｄの下面）には、コイル導体３１および導体２４が形成されている。コイル導体３１は、絶縁基材層１３ｄの外形に沿って巻回される約１ターンの矩形ループ状の導体パターンである。導体２４は矩形の導体パターンである。また、絶縁基材層１３ｄには、Ｚ軸方向に延伸する層間接続導体Ｖ３，Ｖ８が形成されている。

絶縁基材層１４ｄの下面（図１４における絶縁基材層１４ｄの下面）には、導体２２，２５および外部接続端子Ｐ１，Ｐ２が形成されている。導体２２，２５は、絶縁基材層１４ｄの一端（図１４における絶縁基材層１４ｄの左側端部）付近に配置される、矩形の導体パターンである。外部接続端子Ｐ１，Ｐ２は、絶縁基材層１４ｄの他端（図１４における絶縁基材層１４ｄの右側端部）付近に配置される矩形の導体パターンである。また、絶縁基材層１４ｄには、Ｚ軸方向に延伸する層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ９，Ｖ１０が形成されている。

絶縁基材層１５ｄの下面（図１４における絶縁基材層１５ｄの下面）には、導体２１，２６が形成されている。導体２１，２６は、Ｘ軸方向に延伸する線状の導体パターンである。

図１４に示すように、外部接続端子Ｐ１は、層間接続導体Ｖ１を介して導体２１の第１端に接続される。導体２１の第２端は、層間接続導体Ｖ２，Ｖ３および導体２２を介して、コイル導体３１の第１端に接続される。コイル導体３１の第２端は、層間接続導体Ｖ４を介してコイル導体３２の第１端に接続される。コイル導体３２の第２端は、層間接続導体Ｖ５を介してコイル導体３３の第１端に接続される。コイル導体３３の第２端は、層間接続導体Ｖ６を介して導体２３に接続される。導体２３は層間接続導体Ｖ７を介して導体２４に接続され、導体２４は層間接続導体Ｖ８を介して導体２５に接続され、導体２５は層間接続導体Ｖ９を介して導体２６の第１端に接続される。導体２６の第２端は、層間接続導体Ｖ１０を介して外部接続端子Ｐ２に接続される。

図１４に示すように、コイル導体３１，３２，３３（アクチュエータ用導体パターン）および層間接続導体Ｖ４，Ｖ５によって約３ターンの矩形ヘリカル状のコイル３（アクチュエータ機能部ＡＦＰ）が形成される。コイル３の一端は外部接続端子Ｐ１に接続され、コイル３の他端は外部接続端子Ｐ２に接続される。

本実施形態では、コイル導体３１，３２，３３が、図１４および図１５に示すように、第１絶縁基材層（絶縁基材層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄ）のみに形成されており、第１絶縁基材層（絶縁基材層１３ｄ）と第２絶縁基材層（絶縁基材層１４ｄ）との界面以外の層に配置されている。

本実施形態に係る多層基板１０４によれば、第３の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｄ）本実施形態では、アクチュエータ用導体パターン（コイル導体３１，３２，３３）が、第２絶縁基材層（絶縁基材層１５ｄ）よりも厚みが薄い第１絶縁基材層（絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ）に、形成され、且つ、第１絶縁基材層（絶縁基材層１３ｄ）と第２絶縁基材層（絶縁基材層１４ｄ）との界面以外の層に配置される。つまり、第１領域Ｆ１と第２領域Ｆ２とに亘って形成される第２絶縁基材層には、アクチュエータ用導体パターンが形成されていない。したがって、この構成により、アクチュエータ機能部ＡＦＰと第２領域Ｆ２との独立性（応力のアイソレーション）が高まり、第２領域Ｆ２を曲げたときに生じる曲げ応力が第１領域Ｆ１に加わった場合でも、アクチュエータ機能部ＡＦＰの変形はさらに抑制される。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、補強膜を備えた多層基板の例を示す。

図１６は第５の実施形態に係る多層基板１０５の断面図である。

多層基板１０５は、補強膜７をさらに備える点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。その他の構成については、多層基板１０１と同じである。

多層基板１０５は、積層体１０Ａの第１領域Ｆ１の第１主面ＶＳ１側に、補強膜７が形成されている。補強膜７は、第１絶縁基材層に形成される、絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａよりも弾性率の高い部材である。本実施形態では、補強膜７が絶縁基材層１１ａの下面（図１６における絶縁基材層１１ａの下面）全体に形成されている。補強膜７は、例えばエポキシ樹脂などの樹脂部材である。

本実施形態では、複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａよりも弾性率の高い補強膜７が、第１絶縁基材層（絶縁基材層１１ａ）に形成されている。この構成により、アクチュエータ機能部ＡＦＰの剛性がさらに高まるため、第２領域Ｆ２を曲げたときに生じる曲げ応力が第１領域Ｆ１に加わったとしても、アクチュエータ機能部ＡＦＰの変形はさらに抑制される。

なお、本実施形態では、絶縁基材層１１ａの下面全体に補強膜７が形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。補強膜７が、他の第１絶縁基材層（絶縁基材層１２ａ，１３ａ）に形成されていても、同様の作用・効果を奏する。また、補強膜７が、第１絶縁基材層の上面または下面のいずれかに形成されていてもよく、第１絶縁基材層の上面および下面両方に形成されていてもよい。また、補強膜７は、第１絶縁基材層の上面全面（または、下面全面）に形成されている必要はなく、第１絶縁基材層の上面の一部（または、下面の一部）に形成されていてもよい。さらに、補強膜７の平面形状についても、適宜変更が可能である。

また、本実施形態では、１つの補強膜７が第１絶縁基材層に形成されている例を示したが、複数の補強膜７が第１絶縁基材層に形成されていてもよい。

《第６の実施形態》
第６の実施形態では、ダミー導体を備えた多層基板の例を示す。

図１７は第６の実施形態に係る多層基板１０６の外観斜視図である。図１８は多層基板１０６の分解斜視図である。図１９は多層基板１０６の断面図である。なお、図１８では、ダミー導体７１をドットパターンで示している。

多層基板１０６は、ダミー導体７１をさらに備える点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。その他の構成については、多層基板１０１と同じである。

多層基板１０６は、積層体１０Ａの第１領域Ｆ１に、ダミー導体７１が配置されている。ダミー導体７１は、第１絶縁基材層に形成される、アクチュエータ用導体（コイル導体３１，３２，３３）に導通しない導体である。本実施形態では、ダミー導体７１が、絶縁基材層１３ａの外形に沿ったリング状の導体パターンであり、絶縁基材層１３ａの下面（図１８における絶縁基材層１３ａの下面）に形成されている。ダミー導体７１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

本実施形態に係る多層基板１０６は、ダミー導体７１が、第１絶縁基材層（絶縁基材層１１ａ）に形成されている。この構成により、アクチュエータ機能部ＡＦＰの導体比率がさらに高まり、アクチュエータ機能部ＡＦＰの剛性がさらに高まる。したがって、第２領域Ｆ２を曲げたときに生じる曲げ応力が第１領域Ｆ１に加わったとしても、アクチュエータ機能部ＡＦＰの変形はさらに抑制される。

なお、本実施形態では、絶縁基材層１１ａの下面にリング状のダミー導体７１が形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。ダミー導体７１が、他の第１絶縁基材層（絶縁基材層１１ａ，１２ａ）に形成されていても、同様の作用・効果を奏する。また、ダミー導体７１が、第１絶縁基材層の上面または下面のいずれかに形成されていてもよく、第１絶縁基材層の上面および下面両方に形成されていてもよい。また、ダミー導体７１の平面形状は、適宜変更が可能である。ダミー導体７１の平面形状は、例えば円形、楕円形、多角形、Ｃ字形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。但し、アクチュエータ用導体パターンの周囲を囲むようにダミー導体７１を形成することにより、アクチュエータ機能部ＡＦＰの変形が効果的に抑制される。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、積層体が矩形の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体の平面形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば多角形、円形、楕円形、Ｌ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。

また、以上に示した各実施形態では、５つの絶縁基材層（３つの第１絶縁基材層、２つの第２絶縁基材層）を積層して形成される積層体を備えた多層基板について示したが、この構成に限定されるものではない。積層体を形成する絶縁基材層の層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。例えば、第１絶縁基材層の数は、１つまたは４つ以上であってもよく、第２絶縁基材層の数は１つまたは３つ以上であってもよい。

なお、以上に示した各実施形態では、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して加熱加圧することにより、積層体を形成する例について示したが、この構成に限定されるものでない。例えば、熱硬化性樹脂からなる複数の絶縁基材層との間に、半硬化状態のプリプレグ樹脂を挟んで積層したものを加熱加圧することにより積層体を形成してもよい。

以上に示した第１・第３・第４・第５・第６の実施形態では、アクチュエータ機能部ＡＦＰが、約３ターンの矩形ヘリカル状のコイル３である例を示したが、アクチュエータ機能部ＡＦＰであるコイルがこの構成に限定されるものではない。コイル３のターン数および構成は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。コイル３は、例えば平面ループ状や平面スパイラル状であってもよく、平面スパイラル状のコイル導体を接続した構成であってもよい。また、コイルのターン数も適宜変更可能である。

また、以上に示した第１・第３・第４・第５・第６の実施形態では、アクチュエータ機能部ＡＦＰが、Ｚ軸方向に沿った巻回軸ＡＸを有するコイル３の例を示したが、この構成に限定されるものではない。コイル３の巻回軸ＡＸは、Ｚ軸方向に沿っている必要はなく、適宜変更可能である。コイル３の巻回軸ＡＸは、例えばＸ軸方向やＹ軸方向に沿っていてもよい。

以上に示した各実施形態では、アクチュエータ機能部ＡＦＰ（コイル、または圧電アクチュエータ）のみを備える多層基板の例を示したが、多層基板（積層体）に形成される回路構成はこれに限定されるものではない。積層体に形成される回路は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。例えば、導体パターンで形成されたキャパシタや各種伝送線路（ストリップライン、マイクロストリップライン、ミアンダ、コプレーナ等）等が、積層体に形成されていてもよい。また、例えば、チップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品が、積層体に実装されていてもよい。

なお、以上に示した第１・第２の実施形態では、多層基板が備えるコネクタを用いて、回路基板等に多層基板を接続する例を示したが、この構成に限定されるものではない。はんだ等の導電性接合材を介して、多層基板の外部接続端子を回路基板等に接続してもよい。

また、以上に示した各実施形態では、積層体の第１主面ＶＳ１に外部接続端子Ｐ１，Ｐ２が形成された多層基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。外部接続端子Ｐ１，Ｐ２の配置は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。外部接続端子は、積層体の第２主面ＶＳ２に形成されていてもよく、積層体の第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２の両方に形成されていてもよい。また、以上に示した各実施形態では、外部接続端子の個数が２つである例を示したが、外部接続端子の個数は積層体に形成される回路に応じて適宜変更可能である。さらに、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２の平面形状は矩形に限定されるものではない。外部接続端子の平面形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば正方形、多角形、円形、楕円形、Ｌ字形、Ｔ字形等であってもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＡＦＰ…アクチュエータ機能部
ＡＸ…コイルの巻回軸
Ｆ１…第１領域
Ｆ２…第２領域
Ｐ１，Ｐ２…外部接続端子
Ｓ１…応力
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７，Ｖ８，Ｖ９，Ｖ１０…層間接続導体
ＶＳ１…第１主面
ＶＳ２…第２主面
３…コイル（アクチュエータ機能部）
４…磁石
５…筐体
６Ａ，６Ｂ…物品
７…補強膜
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ…積層体
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ…絶縁基材層（第１絶縁基材層）
１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ…絶縁基材層（第２絶縁基材層）
２１，２２，２３，２４，２５，２６…導体
３１，３２，３３…コイル導体（アクチュエータ用導体パターン）
４１，４２，４３…平面電極（アクチュエータ用導体パターン）
５１…コネクタ
６１…レセプタクル
７１…ダミー導体
１０１，１０１Ａ，１０２，１０２Ａ，１０３，１０４，１０５，１０６…多層基板
２０１…回路基板
３０１，３０２…電子機器

Claims

可撓性を有する第１絶縁基材層および第２絶縁基材層を含んだ複数の絶縁基材層が積層されて形成され、第１領域および第２領域を有する積層体と、
少なくとも前記第１絶縁基材層に形成されるアクチュエータ用導体パターンと、
を備え、
前記第１領域の前記絶縁基材層の積層数は、前記第２領域の前記絶縁基材層の積層数よりも多く、
前記第２絶縁基材層は、前記第１領域と前記第２領域とに亘って形成され、
前記第１領域は、前記第１絶縁基材層および前記第２絶縁基材層を積層して形成され、且つ、前記アクチュエータ用導体パターンを含んで形成されるアクチュエータ機能部を一部に有し、
前記アクチュエータ用導体パターンが形成される前記第１絶縁基材層の厚みは、前記第２絶縁基材層の少なくとも一つの厚みよりも薄いことを特徴とする多層基板。
前記第２絶縁基材層の数は複数であり、
前記アクチュエータ用導体パターンが形成される前記第１絶縁基材層の厚みは、複数の前記第２絶縁基材層のうち少なくとも一つの厚みよりも薄い、請求項１に記載の多層基板。
前記アクチュエータ用導体パターンが形成される前記第１絶縁基材層の厚みは、前記複数の第２絶縁基材層のいずれの厚みよりも薄い、請求項２に記載の多層基板。
前記アクチュエータ用導体パターンは、前記第１絶縁基材層のみに形成され、前記第１絶縁基材層と前記第２絶縁基材層との界面以外の層に配置される、請求項１から３のいずれかに記載の多層基板。
前記第１絶縁基材層に形成され、前記複数の絶縁基材層よりも弾性率の高い補強膜をさらに備える、請求項１から４のいずれかに記載の多層基板。
前記第１絶縁基材層に形成され、前記アクチュエータ用導体パターンに導通しないダミー導体をさらに備える、請求項１から５のいずれかに記載の多層基板。