CN210641154U - 多层基板 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种多层基板，在具备多个线圈和驱动器IC的多层基板中，通过抑制驱动器IC相对于多个线圈的位置关系的偏移，从而抑制了产生磁场的每个个体的偏差。多层基板具备：层叠体，层叠多个绝缘基材层而形成，在内部具有IC配置区域；驱动器IC，至少一部分配置在所述IC配置区域；第一线圈以及第二线圈，形成在所述层叠体，在所述多个绝缘基材层分别具有沿着层叠方向的卷绕轴，且与所述驱动器IC分别连接；以及磁传感器，与所述驱动器IC连接，所述IC配置区域是被作为所述第一线圈的形成区域的第一线圈形成区域和作为所述第二线圈的形成区域的第二线圈形成区域夹着的区域。

Description

多层基板

技术领域

本实用新型涉及多层基板，特别涉及具备内置于层叠体的IC和形成在层叠体的线圈的多层基板。

背景技术

以往，已知有具备线圈、驱动器IC以及磁传感器等并通过电磁力进行驱动的各种致动器。例如，在专利文献1公开了在基板安装有多个线圈、驱动器IC、以及磁传感器的致动器。在上述致动器中，能够通过从多个线圈产生的磁场移动设置有磁铁的可动体的位置。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-224262号公报

实用新型内容

实用新型要解决的课题

但是，在专利文献1所示的致动器中，由于如下的问题，致动器的特性有可能产生偏差。

(a)因为上述致动器是将线圈以及驱动器IC安装在基板的结构，所以驱动器IC相对于线圈的安装位置在安装时容易偏移。流过驱动器IC与线圈之间的布线的电流在上述致动器内也特别大，从上述布线也产生比较大的磁场。因此，若驱动器IC的安装位置偏移而在上述布线的电流路径产生变化，则来自上述布线的磁场变化，对磁铁的作用有可能从规定状态变化。

(b)此外，驱动器IC与磁传感器连接，并基于从磁传感器得到的信息(来自磁传感器的信号)对流过线圈的电流进行控制。流过对驱动器IC与磁传感器之间进行连接的布线的电流与流过对线圈与驱动器IC之间进行连接的布线的电流相比极其微小，容易受到噪声的影响。因此，受到从驱动器IC产生的磁场、以及从对驱动器IC与线圈之间进行连接的布线产生的磁场的影响，驱动器IC有可能误识别来自磁传感器的信号。

(c)进而，若驱动器IC相对于线圈的安装位置偏移，则由于来自该安装位置偏移的驱动器IC的磁场，对磁铁的作用也有可能从规定状态变化。

本实用新型的目的在于，提供一种多层基板，在具备多个线圈和驱动器IC的多层基板中，通过抑制驱动器IC相对于多个线圈的位置关系的偏移，从而抑制了产生磁场的每个个体的偏差。

用于解决课题的技术方案

(1)本实用新型的多层基板的特征在于，具备：

层叠体，层叠多个绝缘基材层而形成，在内部具有IC配置区域；

驱动器IC，至少一部分配置在所述IC配置区域；

第一线圈以及第二线圈，形成在所述层叠体，在所述多个绝缘基材层分别具有沿着层叠方向的卷绕轴，且与所述驱动器IC分别连接；以及

磁传感器，与所述驱动器IC连接，

所述IC配置区域是被作为所述第一线圈的形成区域的第一线圈形成区域和作为所述第二线圈的形成区域的第二线圈形成区域夹着的区域。

在该结构中，驱动器IC被容纳在形成了线圈的层叠体的内部(层叠体、线圈以及驱动器IC被一体化而成为单个部件)，因此与将驱动器IC以及线圈分别安装在基板等的情况相比，在安装时驱动器IC与线圈的位置关系不易偏移。因此，通过该结构，能够实现抑制了起因于驱动器IC相对于线圈的位置关系的偏移的、产生磁场的偏差的多层基板。

(2)可以是，在上述(1)中，所述多个绝缘基材层由树脂材料构成。一般来说，线圈等的导体与由树脂材料构成的绝缘基材层相比刚性相对高。在该结构中，是驱动器IC被与由树脂材料构成的绝缘基材层相比刚性相对高的构件夹着(包围)的构造。因此，通过该结构，即使在对层叠体施加了外力的情况下也可抑制驱动器IC与线圈的位置关系的偏移。

(3)优选地，在上述(2)中，所述树脂材料是热塑性树脂。一般来说，线圈等的导体由在形成层叠体时(多个绝缘基材层的加热加压时)的温度下流动性比由热塑性树脂构成的绝缘基材层低的材料构成。在该结构中，在被第一线圈形成区域和第二线圈形成区域夹着的IC配置区域配置驱动器IC，因此可抑制加热加压时的IC配置区域中的绝缘基材层的过度的流动，驱动器IC的位置稳定化。因此，通过该结构，可抑制起因于加热加压后的驱动器IC与线圈的位置关系的偏移的、产生磁场的偏差。

此外，驱动器IC被容纳在由多个绝缘基材层形成的腔内，而通过该结构，在形成层叠体时的加热加压时，流动的绝缘基材层的一部分流入到腔内。因此，可抑制上述腔内的间隙的产生，不易产生容纳在层叠体的内部的驱动器IC的固定不良。因此，驱动器IC与层叠体内的导体的电连接可靠性提高。

(4)优选地，在上述(2)或(3)中，所述磁传感器容纳在所述层叠体的内部，且配置在所述第一线圈或所述第二线圈的卷绕区域的内侧部分。在线圈的卷绕区域的内侧部分，可抑制加热加压时的绝缘基材层的过度的流动，因此通过该结构，磁传感器的位置稳定化。此外，通过该结构，即使在对层叠体施加了外力时的情况下，也可抑制磁传感器的位置偏移。

(5)优选地，在上述(1)至(4)中任一项中，所述磁传感器配置在与所述第一线圈或所述第二线圈的所述卷绕轴重叠的位置。在该结构中，通过在从线圈产生的磁场的影响少的线圈的卷绕轴上配置磁传感器，从而能够使得不易受到线圈形成的磁场的影响。因此，能够提高磁传感器的磁场检测精度。

(6)优选地，在上述(2)至(5)中的任一项中，所述第一线圈包含多个第一线圈导体而构成，所述多个第一线圈导体分别形成在所述多个绝缘基材层中的两个以上的绝缘基材层，所述第二线圈包含多个第二线圈导体而构成，所述多个第二线圈导体分别形成在所述多个绝缘基材层中的两个以上的绝缘基材层。通过该结构，第一线圈形成区域以及第二线圈形成区域在多个绝缘基材层的层叠方向上变大，因此能够增大IC配置区域。因此，变得容易在IC配置区域内配置驱动器IC，即使在对层叠体施加了外力的情况下，也可进一步抑制驱动器IC与线圈的位置关系的偏移。此外，通过该结构，能够容易地实现具有给定的卷绕数以及电感的第一线圈以及第二线圈。

(7)优选地，在上述(6)中，所述驱动器IC被配置为整体容纳在所述IC配置区域的内部。通过该结构，与驱动器IC的一部分被容纳在IC配置区域的内部的情况相比，即使在对层叠体施加了外力的情况下，也可进一步抑制驱动器IC与线圈的位置关系的偏移。

实用新型效果

根据本实用新型，能够实现一种多层基板，在具备多个线圈和驱动器IC的多层基板中，通过抑制驱动器IC相对于多个线圈的位置关系的偏移，从而抑制了产生磁场的每个个体的偏差。

附图说明

图1是第一实施方式涉及的多层基板101的外观立体图。

图2是多层基板101的分解俯视图。

图3(A)是多层基板101的俯视图，图3(B)是图3(A)中的A-A剖视图。

图4(A)是示出第一线圈L1以及第二线圈L2的卷绕区域WE1、WE2的、多层基板101的俯视图，图4(B)是图4(A)中的B-B剖视图。

图5是示出多层基板101的使用状态的剖视图。

具体实施方式

以下，参照图并列举具体的例子示出用于实施本实用新型的方式。图1是第一实施方式涉及的多层基板101的外观立体图。图2是多层基板101的分解俯视图。图3(A)是多层基板101的俯视图，图3(B)是图3(A)中的A-A剖视图。图4(A)是示出第一线圈L1以及第二线圈L2的卷绕区域WE1、WE2的、多层基板101的俯视图，图4(B)是图4(A)中的B-B剖视图。

在图3(B)以及图4(B)中，夸张地图示了各部分的厚度。此外，在图3(A)中，为了使构造易懂，用影线示出IC配置区域AD，并用点阵图案示出了第一线圈形成区域FE1以及第二线圈形成区域FE2。在图4(A)中，用交叉影线示出了第一线圈的卷绕区域WE1以及第二线圈的卷绕区域WE2。

多层基板101具备层叠体10、驱动器IC3、两个磁传感器1、2、与驱动器IC3连接的第一线圈L1以及第二线圈L2、和四个外部电极P1、P2、P3、P4。

层叠体10是长边方向与X轴方向一致的大致长方体，具有第一主面VS1以及与第一主面VS1对置的第二主面VS2。在层叠体10的第一主面VS1形成有四个外部电极P1、P2、P3、P4。在多层基板101中，该第一主面VS1为安装面。如图3(A)等所示，层叠体10在内部具有IC配置区域AD。如图3(A)以及图3(B)等所示，IC配置区域AD是被作为第一线圈L1的形成区域的第一线圈形成区域FE1和作为第二线圈L2的形成区域的第二线圈形成区域FE2夹着的区域。

驱动器IC3的至少一部分配置在上述IC配置区域AD。另外，在多层基板101中，如图3(A)以及图3(B)所示，驱动器IC3整体配置为容纳在IC配置区域AD的内部。驱动器IC3通过控制第一线圈L1以及第二线圈L2的供电，从而进行装配在可动体的磁铁(后面详述。)的移动。

层叠体10按照由树脂材料(热塑性树脂)构成的多个绝缘基材层11、12、13、14、15、16的顺序层叠而形成。多个绝缘基材层11、12、13、14、15、16分别是长边方向与X轴一致的矩形的平板。多个绝缘基材层11、12、13、14、15、16例如是以液晶聚合物为主材料的片材。

在绝缘基材层11的背面形成有外部电极P1、P2、P3、P4。外部电极P1、P2、P3、P4是配置在绝缘基材层11的中央附近的矩形的导体。外部电极P1、P2、P3、P4例如是Cu箔等的导体图案。

此外，在绝缘基材层11形成有层间连接导体V11、V21、V31、V41。

在绝缘基材层12的背面形成有导体21、22、23、24、C12、C22、C32、C42。导体21、22、23、24是配置在绝缘基材层12的中央附近的矩形的导体。导体C12是配置在从绝缘基材层12的中央靠第一角(图2中的绝缘基材层12的左下角)的位置的L字形的导体。导体C22是配置在从绝缘基材层12的中央靠第二角(图2中的绝缘基材层12的左上角)的位置的L字形的导体。导体C32是配置在从绝缘基材层12的中央靠第三角(图2中的绝缘基材层12的右上角)的位置的L字形的导体。导体C42是配置在从绝缘基材层12的中央靠第四角(图2中的绝缘基材层12的右下角)的位置的L字形的导体。导体21、22、23、24、C12、C22、C32、C42例如是Cu箔等的导体图案。

此外，在绝缘基材层12形成有层间连接导体VC12、VC13、VC22、VC23、VC32、VC33、VC42、VC43。

在绝缘基材层13的背面形成有第一线圈导体L11、L17、第二线圈导体L21、L27、导体31、32、33、34、C11、C13、C21、C23、C31、C33、C41、C43。第一线圈导体L11是配置在从绝缘基材层13的中央靠第一角(图2中的绝缘基材层13的左下角)的位置的L字形的导体。第一线圈导体L17是配置在从绝缘基材层13的中央靠第三边(图2中的绝缘基材层13的上边)的位置的矩形的导体。第二线圈导体L21是配置在从绝缘基材层13的中央靠第四角(图2中的绝缘基材层13的右下角)的位置的L字形的导体。第二线圈导体L27是配置在从绝缘基材层13的中央靠第三边的位置的矩形的导体。导体31、32、33、34是配置在绝缘基材层13的中央附近的矩形的导体。导体C11、C41是配置在绝缘基材层13的第一边(图2中的绝缘基材层13的下边)中央附近的位置的矩形的导体。导体C21、C31是配置在绝缘基材层13的第三边中央附近的矩形的导体。导体C13、C23是配置在从绝缘基材层13的中央靠第二边(图2中的绝缘基材层13的左边)的位置的矩形的导体。导体C33、C43是配置在从绝缘基材层13的中央靠第四边(图2中的绝缘基材层13的右边)的位置的矩形的导体。第一线圈导体L11、L17、第二线圈导体L21、L27、导体31、32、33、34、C11、C13、C21、C23、C31、C33、C41、C43例如是Cu箔等的导体图案。

此外，在绝缘基材层13形成有层间连接导体V31、V32、V33、V34、VL11、VL12、VL17、VL18、VL21、VL22、VL27、VL28、VC14、VC24、VC34、VC44。

在绝缘基材层14的背面形成有第一线圈导体L12、L16、第二线圈导体L22、L26。第一线圈导体L12是配置在从绝缘基材层14的中央靠第二边(图2中的绝缘基材层14的左边)的位置的大约2匝的矩形旋涡状的导体。第一线圈导体L16是配置在绝缘基材层14的第三边(图2中的绝缘基材层14的上边)中央附近的矩形的导体。第二线圈导体L22是配置在从绝缘基材层14的中央靠第四边(图2中的绝缘基材层14的右边)的位置的大约2匝的矩形旋涡状的导体。第二线圈导体L26是配置在绝缘基材层14的第三边中央附近的矩形的导体。第一线圈导体L12、L16、第二线圈导体L22、L26例如是Cu箔等的导体图案。

此外，在绝缘基材层14形成有层间连接导体VL13、VL16、VL23、VL26以及开口AP0、AP1、AP2。开口AP0是与驱动器IC3的平面形状匹配的贯通孔。开口AP1是与磁传感器1的平面形状匹配的贯通孔，开口AP2是与磁传感器2的平面形状匹配的贯通孔。开口AP0、AP1、AP2例如通过激光加工等形成。或者，开口AP0、AP1、AP2也可以通过冲孔等进行起模而形成。

在绝缘基材层15的背面形成有第一线圈导体L13、L15、第二线圈导体L23、L25。第一线圈导体L13是配置在从绝缘基材层15的中央靠第二边(图2中的绝缘基材层15的左边)的位置的大约1.5匝的矩形旋涡状的导体。第一线圈导体L15是配置在绝缘基材层15的第三边(图2中的绝缘基材层15的上边)中央附近的矩形的导体。第二线圈导体L23是配置在从绝缘基材层15的中央靠第四边(图2中的绝缘基材层15的右边)的位置的大约1.5匝的矩形旋涡状的导体。第二线圈导体L25是配置在绝缘基材层15的第三边中央附近的矩形的导体。第一线圈导体L13、L15、第二线圈导体L23、L25例如是Cu箔等的导体图案。

此外，在绝缘基材层15形成有层间连接导体VL14、VL15、VL24、VL25以及开口AP3、AP4。开口AP3是与磁传感器1的平面形状匹配的贯通孔，开口AP4是与磁传感器2的平面形状匹配的贯通孔。开口AP3、AP4例如通过激光加工等形成。或者，开口AP3、AP4也可以通过冲孔等进行起模而形成。

在绝缘基材层16的背面形成有第一线圈导体L14以及第二线圈导体L24。第一线圈导体L14是配置在从绝缘基材层16的中央靠第二边(图2中的绝缘基材层16的左边)的位置的大约2匝的矩形旋涡状的导体。第二线圈导体L24是配置在从绝缘基材层16的中央靠第四边(图2中的绝缘基材层16的右边)的位置的大约2匝的矩形旋涡状的导体。第一线圈导体L14以及第二线圈导体L24例如是Cu箔等的导体图案。

如图2以及图3(B)等所示，第一线圈导体L11的一端经由层间连接导体VL11与驱动器IC3的端子连接。第一线圈导体L11的另一端经由层间连接导体VL12与第一线圈导体L12的一端连接。第一线圈导体L12的另一端经由层间连接导体VL13与第一线圈导体L13的一端连接。第一线圈导体L13的另一端经由层间连接导体VL14与第一线圈导体L14的一端连接。第一线圈导体L14的另一端经由层间连接导体VL15与第一线圈导体L15连接。第一线圈导体L15经由第一线圈导体L16、L17以及层间连接导体VL16、VL17、VL18与驱动器IC3的端子连接。像这样，包含分别形成在多个绝缘基材层13、14、15、16的第一线圈导体L11、L12、L13、L14、L15、L16、L17而构成大约5.5匝的第一线圈L1。第一线圈L1的两端与驱动器IC3的端子连接。如图3(B)等所示，第一线圈L1形成在层叠体10的内部，具有沿着多个绝缘基材层11、12、13、14、15、16的层叠方向(Z轴方向)的卷绕轴AX1。

此外，如图2以及图3(B)等所示，第二线圈导体L21的一端经由层间连接导体VL21与驱动器IC3的端子连接。第二线圈导体L21的另一端经由层间连接导体VL22与第二线圈导体L22的一端连接。第二线圈导体L22的另一端经由层间连接导体VL23与第二线圈导体L23的一端连接。第二线圈导体L23的另一端经由层间连接导体VL24与第二线圈导体L24的一端连接。第二线圈导体L24的另一端经由层间连接导体VL25与第二线圈导体L25连接。第二线圈导体L25经由第二线圈导体L26、L27以及层间连接导体VL26、VL27、VL28与驱动器IC3的端子连接。像这样，包含分别形成在多个绝缘基材层13、14、15、16的第二线圈导体L21、L22、L23、L24、L25、L26、L27而构成大约5.5匝的第二线圈L2。第二线圈L2的两端与驱动器IC3的端子连接。如图3(B)等所示，第二线圈L2形成在层叠体10的内部，具有沿着Z轴方向的卷绕轴AX2。

另外，虽然在本实施方式中示出了第一线圈L1的卷绕轴AX1、第二线圈L2的卷绕轴AX2与Z轴方向一致的例子，但是并不限定于第一线圈L1的卷绕轴AX1(或第二线圈L2的卷绕轴AX2)与Z轴方向严格一致的结构。在本实用新型中，所谓“沿着多个绝缘基材层的层叠方向的卷绕轴”，例如包括第一线圈L1的卷绕轴AX1(或第二线圈L2的卷绕轴AX2)相对于Z轴方向在-30°至+30°的范围内的情况。

此外，外部电极P1、P2、P3、P4分别与驱动器IC3的端子连接。具体地，外部电极P1经由导体21、31以及层间连接导体V11、V21、V31与驱动器IC3的端子连接。外部电极P2经由导体22、32以及层间连接导体V12、V22、V32与驱动器IC3的端子连接。外部电极P3经由导体23、33以及层间连接导体V13、V23、V33与驱动器IC3的端子连接。外部电极P4经由导体24、34以及层间连接导体V14、V24、V34与驱动器IC3的端子连接。

磁传感器1、2是主要感测来自外部的磁场的元件，对装配在可动体的磁铁(后面详述。)的移动量进行检测。磁传感器1、2例如是利用了霍尔效应的霍尔元件。

磁传感器1、2分别具有两个端子。磁传感器1、2的两个端子分别与驱动器IC3连接。具体地，磁传感器1的第一端子经由导体C11、C12、C13以及层间连接导体VC11、VC12、VC13、VC14与驱动器IC3的端子连接。磁传感器1的第二端子经由导体C21、C22、C23以及层间连接导体VC21、VC22、VC23、VC24与驱动器IC3的端子连接。磁传感器2的第一端子经由导体C31、C32、C33以及层间连接导体VC31、VC32、VC33、VC34与驱动器IC3的端子连接。磁传感器2的第二端子经由导体C41、C42、C43以及层间连接导体VC41、VC42、VC43、VC44与驱动器IC3的端子连接。

此外，在多层基板101中，磁传感器1、2检测的磁场的朝向是第一线圈L1或第二线圈L2的卷绕轴AX1、AX2的正交方向(与XY平面平行的方向)。如图3(A)以及图3(B)等所示，磁传感器1配置在与第一线圈L1的卷绕轴AX1重叠的位置，磁传感器2配置在与第二线圈L2的卷绕轴AX2重叠的位置。

进而，如图3(A)以及图3(B)等所示，磁传感器1容纳在层叠体10的内部，且配置在第一线圈L1的卷绕区域WE1的内侧部分。此外，磁传感器2容纳在层叠体10的内部，且配置在第二线圈L2的卷绕区域WE2的内侧部分。

多层基板101例如像以下那样使用。图5是示出多层基板101的使用状态的剖视图。

图5所示的磁铁4、5装配在可动体(未图示)。若在第一线圈L1以及第二线圈L2流过给定的电流，则由于从第一线圈L1以及第二线圈L2辐射的磁场，磁铁4、5在层叠方向(Z轴方向)的正交方向(Y轴方向)上产生位移(参照图5所示的空心箭头。)。磁传感器1、2感测磁铁4、5产生了位移时的磁场的变化。

根据多层基板101，达到如下的效果。

(a)在多层基板101中，在形成了线圈(第一线圈L1以及第二线圈L2)的层叠体10的内部容纳有磁传感器1、2以及驱动器IC3。即，在多层基板101中，层叠体10、线圈、磁传感器1、2以及驱动器IC3被一体化而成为单个部件。因此，与将驱动器IC3以及线圈分别安装在基板等的情况相比，在安装多层基板时驱动器IC3与线圈的位置关系变得不易偏移。因此，通过该结构，能够抑制起因于驱动器IC3相对于线圈的位置关系的偏移的、产生磁场的偏差。

此外，在该结构中，与将驱动器IC3以及磁传感器1、2分别安装在基板等的情况相比，在安装多层基板时驱动器IC3与磁传感器1、2的位置关系变得不易偏移。因此，通过该结构，磁传感器1、2与驱动器IC3之间的布线、以及磁传感器1、2变得不易受到从驱动器IC3产生的磁场的影响、以及从对驱动器IC与线圈之间进行连接的布线产生的磁场的影响，可抑制叠加在来自磁传感器1、2的信号的噪声。

(b)此外，在多层基板101中，形成层叠体10的多个绝缘基材层11、12、13、14、15、16由树脂材料构成。一般来说，线圈等导体与由树脂材料构成的绝缘基材层相比刚性相对高。即，在多层基板101中，因为驱动器IC3被与由树脂材料构成的绝缘基材层相比刚性相对高的构件夹着(包围)，所以即使在对层叠体10施加了外力的情况下，也可抑制驱动器IC3与线圈的位置关系的偏移。

(c)另外，在多层基板101中，多个绝缘基材层11、12、13、14、15、16由热塑性树脂的树脂材料构成。一般来说，线圈等的导体由在形成层叠体时(多个绝缘基材层的加热加压时)的温度下流动性比由热塑性树脂构成的绝缘基材层低的材料构成。在多层基板101中，在被第一线圈形成区域FE1和第二线圈形成区域FE2夹着的IC配置区域AD配置有驱动器IC3，因此可抑制加热加压时的IC配置区域AD中的绝缘基材层的过度的流动，驱动器IC3的位置稳定化。因此，通过该结构，可抑制起因于加热加压后的驱动器IC3与线圈的位置关系的偏移的、产生磁场的偏差。

此外，驱动器IC3容纳在由多个绝缘基材层11、12、13、14、15、16形成的腔(后面详述。)内，通过该结构，在形成层叠体10时的加热加压时，流动的绝缘基材层的一部分流入到腔内。因此，可抑制上述腔内的间隙的产生，不易产生容纳在层叠体10的内部的驱动器IC3的固定不良。因此，驱动器IC3与层叠体10内的导体的电连接可靠性提高。

(d)进而，在多层基板101中，磁传感器1容纳在层叠体10的内部，且配置在第一线圈L1的卷绕区域WE1的内侧区域。此外，磁传感器2容纳在层叠体10的内部，且配置在第二线圈L2的卷绕区域WE2的内侧区域。在线圈(第一线圈L1以及第二线圈L2)的卷绕区域WE1、WE2的内侧部分，可抑制加热加压时的绝缘基材层的过度的流动，因此通过该结构，磁传感器1、2的位置稳定化。此外，通过该结构，即使在对层叠体10施加了外力时的情况下，也可抑制磁传感器1、2的位置偏移。

(e)此外，在多层基板101中，磁传感器1配置在与第一线圈L1的卷绕轴AX1重叠的位置，磁传感器2配置在与第二线圈L2的卷绕轴AX2重叠的位置。在该结构中，通过在从线圈(第一线圈L1或第二线圈L2)产生的磁场的影响少的线圈的卷绕轴上配置磁传感器，从而能够使得不易受到线圈形成的磁场的影响。即，线圈形成的磁场中的线圈的卷绕轴的正交方向上的磁场被抵消，因此变得能够高精度地检测位于线圈的卷绕轴方向(Z轴方向)上的磁铁4、5形成的磁场，能够提高磁传感器的磁场检测精度。另外，该结构在磁传感器1、2检测的磁场的朝向为与第一线圈L1以及第二线圈L2的卷绕轴AX1、AX2的正交方向(XY平面上的方向)的情况下特别有效。

(f)此外，在多层基板101中，第一线圈L1包含分别形成在多个绝缘基材层13、14、15、16的多个第一线圈导体L11、L12、L13、L14、L15、L16、L17而构成。此外，第二线圈L2包含分别形成在多个绝缘基材层13、14、15、16的多个第二线圈导体L21、L22、L23、L24、L25、L26、L27而构成。通过该结构，第一线圈形成区域FE1以及第二线圈形成区域FE2在层叠方向(Z轴方向)上变大，因此能够增大IC配置区域AD。因此，变得容易在IC配置区域AD内配置驱动器IC3，即使在对层叠体10施加了外力的情况下，也可进一步抑制驱动器IC3与线圈(第一线圈L1或第二线圈L2)的位置关系的偏移。此外，通过该结构，能够容易地实现具有给定的卷绕数以及电感的线圈。

(g)另外，在多层基板101中，驱动器IC3整体被配置为容纳在IC配置区域AD的内部。通过该结构，与驱动器IC3的一部分容纳在IC配置区域AD的内部的情况相比，即使在对层叠体10施加了外力的情况下，也可进一步抑制驱动器IC3与线圈的位置关系的偏移。

本实用新型中的多层基板例如可通过以下所示的制造方法进行制造。

(1)首先，准备集合基板状态的绝缘基材层11、12、13、14、15、16。绝缘基材层11、12、13、14、15例如是以液晶聚合物为主材料的片材。

(2)接着，在集合基板状态的绝缘基材层11、12、13、14、15、16的单侧主面层压金属箔(例如，铜箔)，并通过光刻对该金属箔进行图案化，由此形成导体图案(第一线圈导体L11～L17、第二线圈导体L21～L27、外部电极P1～P4、导体21～24、31～34、41～44、C11～C13、C21～C23、C31～C34、C41～C44)。

(3)接着，在集合基板状态的绝缘基材层11、12、13、14、15形成层间连接导体(V11～V14、V21～V24、V31～V34、V41～V44、VC11～VC14、VC21～VC24、VC31～VC34、VC41～VC44、VL11～VL18、VL21～VL28)。

层间连接导体通过如下方式来设置，即，在用激光等设置了贯通孔之后，配设包含Cu、Ag、Sn、Ni、Mo等中的一种以上或它们的合金的导电性膏，并在后续的加热加压的工序中使其固化。因此，层间连接导体设为熔点比后续的加热加压时的温度低的材料。

(4)此外，在绝缘基材层14、15形成开口AP0、AP1、AP2、AP3、AP4。开口AP0是与驱动器IC3的平面形状匹配的贯通孔。开口AP1、AP2是与磁传感器1的平面形状匹配的贯通孔，开口AP3、AP4是与磁传感器2的平面形状匹配的贯通孔。开口AP0、AP1、AP2、AP3、AP4例如通过激光加工等形成。或者，开口AP0、AP1、AP2、AP3、AP4也可以通过冲孔等进行起模而形成。

(5)在上述(1)至(4)之后，对绝缘基材层11、12、13、14、15、16进行层叠。此时，在层叠的多个绝缘基材层13、14、15的内部构成按照驱动器IC3的形状的腔，并在该腔内容纳驱动器IC3。此外，在层叠的多个绝缘基材层13、14、15、16的内部构成沿着磁传感器1、2的形状的腔，并在该腔内分别容纳磁传感器1、2。驱动器IC3通过控制线圈的供电而进行装配在可动体的磁铁的移动。磁传感器1、2是主要感测来自外部的磁场的元件，例如是利用了霍尔效应的霍尔元件。

(6)在上述(5)之后，通过对层叠的绝缘基材层11、12、13、14、15、16进行加热加压，从而形成集合基板状态的层叠体10。在形成层叠体10时(加热加压时)，绝缘基材层13、14、15的一部分流入到上述腔内，驱动器IC3被热塑性树脂覆盖。此外，在形成层叠体10时(加热加压时)，绝缘基材层13、14、15、16的一部分流入到上述腔内，磁传感器1、2被热塑性树脂覆盖。

(7)最后，从集合基板分离为各个单片，得到多层基板101。

通过上述制造方法，能够容易地制造抑制了起因于驱动器IC3相对于线圈的位置关系的偏移的、产生磁场的偏差的多层基板101。

另外，虽然在多层基板101中，层叠体10为大致长方体，但是并不限定于该结构。层叠体10的形状能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更，例如，可以是立方体、多棱柱、圆柱、椭圆柱等，也可以是层叠体10的平面形状为L字形、曲柄形、T字形、Y字形等。

在多层基板101中，是如下的结构，即，将包含形成了开口的绝缘基材层的多个绝缘基材层进行层叠，在层叠的多个绝缘基材层的内部构成的腔内容纳驱动器IC3以及磁传感器1、2，但是本实用新型的多层基板并不限定于此。例如，也可以将包含在表面印刷了厚度调整用的树脂膏的绝缘基材层的多个绝缘基材层进行层叠，并在未印刷厚度调整用的树脂膏的部分配置驱动器IC以及磁传感器，由此在层叠体的内部容纳驱动器IC以及磁传感器。

此外，在多层基板101中，是具备将六个绝缘基材层11、12、13、14、15、16进行层叠而形成的层叠体10的结构，但是并不限定于此。形成层叠体10的绝缘基材层的层数能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。另外，层叠体10并不限定于将由热塑性树脂构成的多个绝缘基材层进行层叠而形成的结构。层叠体10例如也可以是将由热固化性树脂构成的多个绝缘基材层进行层叠而形成的结构。进而，层叠体10例如可以是像低温共烧陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramics)那样的介电陶瓷。

在多层基板101中，是两个磁传感器1、2容纳在层叠体10的内部的结构，但是磁传感器1、2的个数、配置能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。多层基板具备的磁传感器例如可以是一个，也可以是三个以上。此外，磁传感器也可以安装在层叠体10的第二主面VS2。但是，从在上述(d)记载的效果出发，磁传感器优选容纳在层叠体10的内部，且配置在线圈的卷绕区域的内侧区域。此外，从在上述(e)记载的效果出发，磁传感器优选配置在与线圈的卷绕轴重叠的位置。

此外，在多层基板101中具备了大约5.5匝的两个线圈(第一线圈L1以及第二线圈L2)，但是并不限定于该结构。多层基板具备线圈的个数、匝数、形状能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。多层基板例如也可以具备三个以上的线圈。此外，线圈的形状可以是螺旋状，也可以是平面旋涡状。但是，从在上述(f)记载的效果出发，线圈优选包含分别形成在多个绝缘基材层的多个线圈导体而构成。

进而，在多层基板101中具备了相互为对称形的第一线圈L1和第二线圈L2，但是并不限定于该结构。多层基板101具备的多个线圈无需相互对称。此外，在多层基板101中第一线圈L1和第二线圈L2配置在了层叠方向(Z轴方向)上的相同的层，但是多个线圈也可以配置在层叠方向(Z轴方向)上的不同的位置。

另外，形成在本实用新型的多层基板的电路并不限定于多层基板101的电路。形成在多层基板的电路能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。此外，也可以在多层基板安装有其它电子部件(例如，片式电容器、片式电感器)等。

进而，在多层基板101中，驱动器IC3整体容纳在IC配置区域AD的内部，但是并不限定于该结构。只要驱动器IC3的至少一部分配置在IC配置区域AD，就可达到本实用新型的作用、效果。但是，从在上述(g)记载的效果出发，优选驱动器IC3整体容纳在IC配置区域AD的内部。

最后，上述的实施方式的说明在全部的方面均为例示，而不是限制性的。对本领域技术人员而言，能够适当地进行变形以及变更。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，本实用新型的范围包含从与权利要求书等同的范围内的实施方式进行的变更。

附图标记说明

AD：IC配置区域；

AP0、AP1、AP2、AP3、AP4：开口；

AX1：第一线圈的卷绕轴；

AX2：第二线圈的卷绕轴；

FE1：线圈形成区域；

FE1：第一线圈形成区域；

FE2：线圈形成区域；

FE2：第二线圈形成区域；

L1：第一线圈；

L11、L12、L13、L14、L15、L16、L17：第一线圈导体；

L2：第二线圈；

L21、L22、L23、L24、L25、L26、L27：第二线圈导体；

P1、P2、P3、P4：外部电极；

21、22、23、24、31、32、33、34、41、42、43、44、C11、C12、C13、C21、C22、C23、C31、C32、C33、C41、C42、C43：导体；

V11、V12、V13、V14、V21、V22、V23、V24、V31、V32、V33、V34、V41、V42、V43、V44、VL11、VL12、VL13、VL14、VL15、VL16、VL17、VL18、VL21、VL22、VL23、VL24、VL25、VL26、VL27、VL28、VC11、VC12、VC13、VC14、VC21、VC22、VC23、VC24、VC31、VC32、VC33、VC34、VC41、VC42、VC43、VC44：层间连接导体；

VS1：层叠体的第一主面；

VS2：层叠体的第二主面；

WE1：第一线圈的卷绕区域；

WE2：第二线圈的卷绕区域；

1、2：磁传感器；

3：驱动器IC；

4、5：磁铁；

10：层叠体；

11、12、13、14、15、16：绝缘基材层；

101：多层基板。

Claims (7)

1.一种多层基板，其特征在于，具备：

层叠体，层叠多个绝缘基材层而形成，在内部具有IC配置区域；

驱动器IC，至少一部分配置在所述IC配置区域；

第一线圈以及第二线圈，形成在所述层叠体，在所述多个绝缘基材层分别具有沿着层叠方向的卷绕轴，且与所述驱动器IC分别连接；以及

磁传感器，与所述驱动器IC连接，

所述IC配置区域是被作为所述第一线圈的形成区域的第一线圈形成区域和作为所述第二线圈的形成区域的第二线圈形成区域夹着的区域。

2.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，

所述多个绝缘基材层由树脂材料构成。

3.根据权利要求2所述的多层基板，其特征在于，

所述树脂材料是热塑性树脂。

4.根据权利要求2或3所述的多层基板，其特征在于，

所述磁传感器容纳在所述层叠体的内部，且配置在所述第一线圈或所述第二线圈的卷绕区域的内侧部分。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的多层基板，其特征在于，

所述磁传感器配置在与所述第一线圈或所述第二线圈的所述卷绕轴重叠的位置。

6.根据权利要求2或3所述的多层基板，其特征在于，

所述第一线圈包含多个第一线圈导体而构成，所述多个第一线圈导体分别形成在所述多个绝缘基材层中的两个以上的绝缘基材层，

所述第二线圈包含多个第二线圈导体而构成，所述多个第二线圈导体分别形成在所述多个绝缘基材层中的两个以上的绝缘基材层。

7.根据权利要求6所述的多层基板，其特征在于，

所述驱动器IC被配置为整体容纳在所述IC配置区域的内部。

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