CN203054064U - 电流传感器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种小型且能够正确测定电流的电流传感器。电流传感器具有:排列设置的至少3个导电条;多个磁芯,平板的磁性体磁芯以U字形层叠而形成,在U槽底部一侧插通有各导电条,导电条的与AC面平行的面和磁芯的U槽侧壁的面相互平行且磁芯的层叠方向和被测定电流的流动方向一致;检测元件,配置于该U字形的开口部一侧,用于检测磁场强度;在从导电条的轴向观察时,磁芯和与插通于该磁芯的U槽中的导电条相邻的另外的导电条之间的间隙为开口部在间隔方向上的长度G的1/2,间隙的公差将上述间隙的优选值作为中央值,设定为从相互相邻的导电条之间的间隔的值减去开口部在间隔方向上的长度的3/2的值而得出的值。
Description
技术领域
本实用新型涉及测定在导体中流动的电流的电流传感器。
背景技术
近几年,正在普及将马达作为驱动源的混合动力(hybrid)车辆和电动汽车。在恰当地控制马达输出的基础上,测定在马达中流动的电流是非常重要的。作为这样的电流的测定方法,例如有如下测定方法,即,通过由磁性体形成的磁芯,对与在连接无刷直流马达和变频器(inverter)的导电条(busbar)中流动的电流相对应地在该导电条的周围产生的磁场进行聚磁,并通过霍尔元件等磁检测元件进行检测,基于该检测到的磁场来运算并求出在导电条中流动的电流。
另一方面,在考虑将电流传感器安装到混合动力车辆和电动汽车上的情况下,这样的用于测定在马达中流动的电流的电流传感器需要实现小型化、轻型化、多联化。通过实现小型化和多联化,排列设置的导电条之间的距离变短,磁芯的外形尺寸也变小。由此,导致不能确保检测灵敏度的线性度(linearity),或者磁滞特性恶化。另外,也可能使干扰增加。因此,研究了在下面表示了出处的专利文献1以及2所记载的技术。
专利文献1所记载的电流传感器具有:导体,其流动有被测定电流;环状的磁性屏蔽板,其围绕上述导体且具有间隙;磁电转换元件,其配置于上述环状的磁性屏蔽板的内侧。磁电转换元件检测电流所产生的磁场的磁通量密度。该磁电转换元件配置于上述环状的磁性屏蔽板的间隙和上述导体之间,且配置于在导体中流动的电流所产生的磁场的磁通量密度最小的位置附近。
专利文献2所记载的电流测量装置具有磁性体磁芯、第一磁传感器以及第二磁传感器、电流检测电路。磁性体磁芯包围电流流动的电流通路,并具有多个间隙。第一磁传感器以及第二磁传感器分别配置于不同的间隙中。电流检测电路在检测电流通路中流动的电流时,根据第一磁传感器的输出和第二磁传感器的输出对磁性体磁芯的残留磁通量密度进行补偿,从而消除因磁滞引起的误差。
专利文献3所记载的电流检测装置具有:多个导电条,其流动有电流;多个电流传感器,其检测在该多个导电条中流动的电流。上述多个导电条中的至少一部分相互平行,上述多个电流传感器配设在平行设置的导电条上,且位于沿着各导电条交替错开的位置。
专利文献1:日本特开2008-151743号公报
专利文献2:日本特开2006-71457号公报
专利文献3:日本特开2006-112968号公报
在专利文献1所记载的技术中,在从环状的磁性屏蔽板的间隙端面离开的位置上配置磁电转换元件,因此屏蔽板所具有的使磁通量密度增大的效果难以到达至磁电转换元件的内部,因此所检测的磁通量密度大幅减小。因此,磁电转换元件的S/N比变小。另外,由于磁通量密度减小,因此需要利用高灵敏度的磁电转换元件。
另外,在专利文献2所记载的技术中,两个U字形的磁性体磁芯的开口部相向,从而形成具有两个间隙的形状。因此,当外部磁场产生时,磁性体磁芯对该外部磁场进行聚磁,被聚磁的磁场经过两个间隙过渡到相反一侧的磁性体磁芯,因此对位于两个间隙中的第一磁传感器以及第二磁传感器带来大的影响。这样,在专利文献2所记载的技术中,对外部磁场很敏感。
另外,在专利文献3所记载的技术中,多个电流传感器的检测部以及磁屏蔽板配置在沿着各导电条交替错开的位置,即,从与导电条的延伸方向垂直的方向观察的情况下,多个电流传感器以交错状配置。但是,在专利文献3的形状中,磁屏蔽板与检测部隔开,因此屏蔽效果并不理想。另外,为了提高屏蔽效果,需要使磁屏蔽板在导电条的延伸方向上变大,但是在该情况下,装置会变大。
发明内容
鉴于上述问题,本实用新型的目的在于,提供一种小型且能够正确地测定电流的电流传感器。
为了达到上述目的,本实用新型的电流传感器的特征结构为,具有:至少3个导电条,该导电条由用于连接三相马达和对该三相马达通电的变频器的平板状的导体形成,并且沿着与上述平板状的导体的厚度平行的方向排列设置;多个磁芯,由U字形的磁性体形成的平板层叠而形成该磁芯,在平板层叠而形成的上述磁芯的U字形的槽的内侧插通有各上述导电条,该导电条的板宽方向的面和平板层叠而形成的上述磁芯的U字形的U槽内侧的侧壁的面相互平行;检测元件,其配置在上述磁芯的各开口部侧,其检测方向沿着上述开口部的间隔方向,用于检测磁场的强度;在从上述导电条的轴向观察时,上述磁芯和与插通于该磁芯的U槽中的导电条相邻的另外的导电条之间的间隙为上述开口部在间隔方向上的长度的1/2,上述间隙的公差将上述间隙作为中央值,设定为从相互相邻的导电条之间的间隔的值减去上述开口部在间隔方向上的长度的3/2的值而得出的值。
若做成这样的特征结构,则能够按照U字形的磁芯的开口部的形状来设定能够最大限度地抑制外部磁场(例如来自排列设置的导电条的磁场等干扰)的磁芯的板宽以及磁芯与相邻的导电条之间的间隙,能够针对成为目标的外部磁场的影响度,容易地确定使从磁芯的开口部到检测元件为止的深度最小的磁芯的形状,从而能够容易地设计小型的磁芯,其中,上述磁芯的板宽是磁芯在经过导电条截面且与导电条的厚度方向平行的方向上的尺寸。
另外,优选为,上述检测元件配置在从上述开口部向上述U字形的底部一侧进入至少1.5mm以上的位置。
根据这样的结构,能够使位于开口部和检测元件之间的磁芯发挥对外部磁场进行屏蔽的作用。即,在外部磁场到达检测元件之前,能够由磁芯吸引该外部磁场,因此能够减少外部磁场的影响。
另外,优选为,在上述U字形的磁芯的构成部位中,相对于经过上述导电条的截面且与导电条的宽度方向垂直的面和磁芯相交差的面的截面积,经过上述导电条截面中央且与导电条的厚度方向垂直的面和磁芯相交差的面的截面积更大。
在此,在U字形的磁芯中最容易产生磁饱和的部位是磁芯内磁通量多的底部。另一方面,经过导电条的截面且与导电条的宽度方向垂直的面和磁芯相交差的面的截面积越大,底部的磁芯内磁通量越多。因此,通过使与上述导电条的宽度方向垂直的面和磁芯相交的面的截面积变小为,该截面中的磁通量密度与经过导电条截面中央且与导电条的厚度方向垂直的面和磁芯相交的面的截面中的磁通量密度相等的程度,从而能够实现磁芯的小型化,并且将底部的磁通量密度保持得低,从而能够抑制磁饱和。
另外,优选为,以具有上述磁芯的板宽的一半以下的半径的圆的圆弧形状对上述磁芯的上述开口部一侧的外侧角部进行磨边,上述磁芯的板宽是上述开口部处的上述磁芯在与导电条的厚度方向平行的方向上的尺寸。
根据这样的结构,能够使磁芯的U槽上端的开口部的板宽维持大的值。因此,外部磁场容易被磁芯吸引,因此能够减弱到达至检测元件的外部磁场。即,能够提高磁芯对外部磁场的屏蔽效果,因此能够高精度地测定电流。
另外,在从上述间隔方向观察上述磁芯时上述导电条的与上述磁芯重叠的部分的上述开口部一侧形成有缺口。
根据这样的结构,能够将检测元件配置于更靠近磁芯的U槽的里侧的位置。因此,能够减小来自相邻的导电条的磁场对检测元件的影响。另外,通过将检测元件配置于磁芯的里侧,磁芯的磁路长度变短,因此能够使退磁磁场增加,从而能够减少磁滞。
附图说明
图1是示意性地示出电流传感器的立体图。
图2是示意性地示出电流传感器的主观图。
图3A及图3B是示意性地示出在排列设置的导电条上配设电流传感器的情况的例子的图。
图4A及图4B是示意性地示出本电流传感器的优点的图。
图5是电流传感器的侧视图。
图6是示出与磁芯的尺寸设定有关的特性的图。
图7是示出与磁芯的尺寸设定有关的特性的图。
具体实施方式
下面,对本实用新型的实施方式进行详细说明。本实用新型的电流传感器100能够测定导体中流动的被测定电流。在此,在导体中流动电流的情况下,按照该电流的大小,以导体作为轴心产生磁场(安培的右手法则)。本电流传感器100在这样的磁场中检测磁通量密度,基于检测到的磁通量密度来测定导体中流动的电流(电流值)。
图1示出了本实施方式中的电流传感器100的立体图。图1示出了由平板状的导体形成的导电条10,将该导电条10延伸的方向设为延伸方向A,将导电条10的厚度方向设为B,将导电条10的宽度方向设为C。图2是示意性地示出了从导电条10的延伸方向A观察的电流传感器100的图。下面,利用图1以及图2来进行说明。
本电流传感器100具有导电条10、磁芯20、检测元件30。如上述那样,导电条10由平板状的导体构成。该导电条10用于连接未图示的三相马达和对该三相马达进行通电的变频器。三相马达用作为混合动力车辆和电动汽车等的动力源。变频器将从电池等输出的直流电转换为交流电。导电条10将这样的通过变频器转换成交流电的电供给至三相马达。此外,如上述三相马达的再生制动那样用于发电时,电的流动会反向,但是结构与上述变频器-三相马达相同。
因此,导电条10沿着与导电条10的厚度平行的方向(图3A及图3B中的B方向)排列设置有至少3个。图3A及图3B示出了表示这样的多个导电条10排列设置的情况的图。图3B是从导电条10延伸的方向观察时的示意图,图3A是其俯视图。如图3A及图3B所示,从导电条10的上面观察时,磁芯20配置为之字状(交错状),以便即使多个导电条10彼此的间隔小,也能够将磁芯20配置在各导电条10上。即,附设在相互相邻的导电条10上的磁芯20交替错开地配置在导电条10的延伸方向的跟前侧和里侧。因此,在相邻的磁芯20之间仅配置有导电条10,附设在该导电条10上的磁芯20沿着导电条10的延伸方向错开位置而配置。
通过这样配置导电条10,能够缩短导电条10之间的间距。此外,在图1中,为了便于理解,仅示出了一个导电条10,在图2中示出了两个导电条10。在这样的导电条10中流动着要利用本电流传感器100测定的被测定电流。
返回图1以及图2,将由U字形的金属磁性体形成的平板进行层叠而形成磁芯20。上述金属磁性体是软磁性金属,电磁钢板(硅钢板)、强磁性铁镍合金(permalloy)、帕明杜尔铁钴系高磁导率合金(permendure)等相当于该软磁性金属。磁芯20的层叠面是与图1以及图2中的BC面平行的面。
另外,如图1以及图2所示,在本实施方式的磁芯20的形成U字形的U槽底部22一侧插通导电条10,其中,导电条10的与AC面平行的各面和磁芯20的U槽侧壁23的面相互平行,且磁芯的层叠方向和被测定电流的流动方向一致。插通于磁芯20的导电条10至少与磁芯20的内表面具有空隙。由此,能够使磁芯20和导电条10绝缘。另外,如上述那样,具有多个导电条10,因此,磁芯20也配置有多个(参照图3A及图3B)。
另外,就磁芯20而言,在磁芯20的构成部位之中,与侧壁部41的截面积相比,底部42的截面积更大,其中,侧壁部41的截面积是指,与经过导电条10且平行于AB面的面相交差的磁芯20的截面的一侧的面积,底部42的截面积是指,与经过导电条10的中央且平行于AC面的面相交差的磁芯20的截面的面积。在磁性体中,最容易产生磁饱和的部位是磁芯内磁通量多的底部42。另外,侧壁部41的截面积越大,底部42的磁通量密度越大。因此,使侧壁部41的截面积缩小为使侧壁部41的磁芯内磁通量密度与底部42的磁芯内磁通量密度相等的大小,由此实现小型化,而且能够将底部42的磁通量密度保持得低,从而抑制磁饱和。
检测元件30配置在U字形的开口部21侧,其检测方向沿着开口部21的间隔方向(B方向)。开口部21是指U槽的开口端部。因此,检测元件30配置于比导电条10靠近U槽的开口端部的一侧。另外,在配置于磁芯20的U槽中的检测元件30和导电条10之间具有空隙。由此,能够使检测元件30和导电条10绝缘。在此,与导电条10中流动的电流相对应地产生的磁场聚集在磁芯20。被聚集的磁场在配置有检测元件30的附近形成磁芯20的开口部21的间隔方向的磁场。
检测元件30以使检测方向与B方向一致的方式配置。因此,能够有效地检测由在导电条10中流动的被测定电流形成的磁场的强度。
在此,由于构成磁芯20的磁性体的顽磁和磁芯20的形状所引起的退磁磁场(随着磁芯20的磁化,为了消除磁芯20的磁化而在内部产生的磁场)对检测元件30要检测的磁滞带来影响,因此通过使退磁磁场变大,能够减少检测元件30要检测的磁滞。另一方面,磁导系数Pc越小,退磁磁场越大。用下面的式(1)表示,由包括检测元件30的间隙部和磁芯20形成的磁路的磁导系数Pc。磁滞现象为检测误差之一,指在对导电条10进行通电之后使电流变成0时检测元件30检测的磁场。
在此,Am是磁芯的截面积,Ag是间隙的截面积,Lm是磁芯的磁路长度,Lg是间隙长度,f是磁动势损失系数,σ是漏磁系数、μ0是间隙部的导磁率。
根据式(1),通过使磁路长度Lm变短,使磁导系数Pc变小。因此,能够使退磁磁场变大,从而能够减少磁滞。因此,通过使检测元件30靠近U槽的里侧来使由磁芯20和检测元件30形成的磁路长度变短,(参照图4A),由此能够减少磁滞。
另外,通过使检测元件30靠近U槽底部22(参照图4A),使检测元件30与磁芯20的开口部21相隔开,因此如图4B所示,外部磁场被磁芯20吸引,从而能够减少外部磁场对检测元件30的影响。这样,通过使检测元件30靠近U槽的里侧,能够提高磁芯20对外部磁场的屏蔽效果。因此,即使作为检测元件30的检测对象的导电条10(图2中的10A)和相邻的导电条10(图2中的10B)的间隔T变小从而导电条10A从相邻的导电条10B受到的磁场的强度变大,也能够高精度地测定在导电条10A中流动的电流。
图5示出了图1的V-V线截面图。如图5所示,就导电条10而言,从开口部21的间隔方向(图1中的B方向)观察磁芯20时与磁芯20重叠的部分在开口部21一侧被切开,从而形成缺口部11。由此,能够将检测元件30配置于更靠近U槽的里侧的位置。因此,即使间隔T变小而从相邻的导电条10B受到的磁场的强度变强,也能够提高屏蔽效果,因此能够高精度地测定在导电条10A中流动的电流。另外,由于由磁芯20和检测元件30形成的磁路长度变短,因此也能够减少磁滞现象。
其中,导电条10的与轴向垂直的面的截面积和缺口部11的缺口深度(图3A及图3B中的C方向上的深度),根据在导电条10中流动的电流来设定。即,用于防止由于导电条10的电阻而在电流流动时发热过多。仅使缺口部11的截面积变小,而不是整个导电条10,由此能够将因截面积变小而引起的发热增加抑制在最小程度上。由此,能够抑制导电条10发热,并且高精度地测定电流。
另外,优选使导电条10和磁芯20的内周面之间的距离短。作为这样的方法,例如,可以使磁芯20的板宽变大。由此,能够使磁路长度变短,使磁芯20的截面积变大,因此能够进一步提高减少磁滞的效果。另外,由于磁芯20的开口部21变小,因此能够进一步提高屏蔽效果。
另外,本申请实用新型的发明人发现了下面的内容。
就磁芯20而言,优选为,在从导电条10的轴向观察时,磁芯20和与插通于该磁芯20的U槽中的导电条10(图2中的10A)相邻的另外的导电条10(图2中的10B)之间的间隙S,为开口部21在间隔方向B上的长度G的1/2。磁芯20和另外的导电条10B之间的间隙S是指,由磁芯20的外表面和与该外表面相向的另外的导电条10B的外表面形成的间隙。因此,换而言之,优选为,在从导电条10的轴向观察时,磁芯20的外表面和与该外表面相向的另外的导电条10B的中心部之间的间隔E,为开口部21在间隔方向B上的长度G和导电条10的厚度L之和的1/2。
图6示出了表示这样的结果的仿真结果。图6是变更间隙的长度G来表示干扰影响达到一定的比例的情况下的间隔E和从开口部21到检测元件30为止的距离D的关系的图。也就是说,与图6所示的距离D的值相比,将磁芯20的距离D设计成大的值,由此能够将干扰影响维持在一定的比例以下。其中,导电条10的板厚为2mm。在此,干扰影响是指,从排列设置的其它相的导电条10所产生的磁场受到的检测误差。例如,可以认为干扰影响是将“在仅对相邻的导电条10B进行通电的情况下,用于检测导电条10A的磁场的检测元件30的输出”除以“在仅对导电条10A进行通电的情况下,用于检测该导电条10A的磁场的检测元件30的输出”而得的值。
如图6所示,在长度G为4mm的情况下,当检测元件30配置于距开口部21至少有1.5mm以上(距离D)的位置时,能够将干扰影响维持在一定的比例以下。另外,在长度G为5mm的情况下,当检测元件30配置于距开口部21至少有大约1.9mm以上(距离D)的位置时,能够将干扰影响维持在一定的比例以下。另外,在长度G为6mm的情况下,当检测元件30配置于距开口部21至少有2.6mm以上(距离D)的位置时,能够将干扰影响维持在一定的比例以下。同样地,在长度G为7mm的情况下,当检测元件30配置于距开口部21至少有3.6mm以上(距离D)的位置时,能够将干扰影响维持在一定的比例以下。
因此,优选为,检测元件30配置在从开口部21向U槽底部22侧进入至少1.5mm以上的位置。
另外,本申请实用新型的发明人发现了下面的内容。
上述间隙S的优选值为,能够将检测误差中的干扰影响控制在最小程度的值,但是由于检测误差除了干扰影响之外还包括磁滞和磁饱和的影响等,因此对上述间隙S的优选值设置公差,以便也能应对除了干扰之外的检测误差。将上述间隙S的优选值作为中间值,优选利用从相互相邻的导电条10(10A、10B)的间隔T的值减去开口部21在间隔方向B上的长度G的3/2的值而得到的值来设定间隙S的公差。
图7是示出了在变更间隙的长度G的情况下的间隔E和磁芯20的截面磁通量密度之间的关系的图。在此,截面磁通量密度是指,在磁芯20内部的磁通量密度最大的位置,用与经过磁芯20内部的磁通量密度的矢量垂直的面切断磁芯20时的截面的磁通量密度的平均值。若磁芯20的截面磁通量密度变大,则磁芯20磁饱和,难以确保检测值的线性度。在图7中,若将能够确保线性度的磁芯20的截面磁通量密度的允许值设为饱和磁通量密度的60%,则与该情况下的各间隙的长度G相对应的间隔E的上限允许值如下。在长度G为4mm的情况下,间隔E为4.8mm;在长度G为5mm的情况下,间隔E为4.7mm;在长度G为6mm的情况下,间隔E为4.4mm;在长度G为7mm的情况下,间隔E为4.1mm。若求出这些值和各间隔E的优选值之差,则在长度G为4mm的情况下,间隔E为1.8mm;在长度G为5mm的情况下,间隔E为1.2mm;在长度G为6mm的情况下,间隔E为0.4mm。另外,在长度G为7mm的情况下,间隔E为-0.4mm,公差为负数,因此无法得到所要求的精度。另一方面,从图6可以明确,间隙的长度G越大,相对于间隔E的变化的距离D的变化越大。根据这些,本申请的发明人发现了如下内容:在将间隙S的上限允许值设定为比从间隔T的1/2的值减去长度G的3/4的值而得出的值的绝对值小的情况下,能够高精度地进行检测。另外,上述的是间隔E的上限值,而对于下限值也同样,从图6可以明确,间隔E越小,距离D越大,因此磁芯变大,除了干扰之外的检测误差(磁滞现象、磁饱和)恶化。因此,也能够与上限值同样地求出下限值。根据这些,本申请发明人发现了如下内容:在将间隙S的优选值作为中间值,利用从间隔T的值减去长度G的3/2的值而得出的值设定了间隙S的公差的情况下,能够高精度地进行检测。
这样,根据本电流传感器100,能够按照磁芯20的开口部21的形状,设定能够最大限度地抑制外部磁场(例如来自相邻的导电条10B的磁场等的干扰)的磁芯20的侧壁部41的板宽和与磁芯20相邻的导电条10B之间的间隙E。另外,能够按照磁芯20的开口部21的形状,容易地确定使从磁芯20的开口部21到检测元件30为止的深度D最小的磁芯20的形状,因此能够容易设计小型的磁芯20。
其它实施方式
在上述实施方式中,对如下的内容进行了说明,即,使检测元件30靠近磁芯20的U槽底部22,由此磁芯20的开口部21和检测元件30之间的距离变大,因此外部磁场被磁芯20吸引,从而能够减少外部磁场对检测元件30的影响。但是,本实用新型的适用范围并不限定于此。例如,通过使从磁芯20的开口部21到底部42的前端部为止的长度变长,能够使开口部21和导电条10之间的距离变长。由此,使开口部21和检测元件30分离,因此显然可以提高磁芯20对外部磁场的屏蔽效果。
在上述实施方式中,对如下的内容进行了说明,即,就磁芯20而言,在磁芯20的构成部位之中,与侧壁部41的截面积相比,底部42的截面积更大,其中,上述侧壁部41的截面积是指,与经过导电条10且平行于AB面的面相交差的磁芯20的截面的一侧的面积,上述底部42的截面积是指,与经过导电条10的中央且平行于AC面的面相交差的磁芯20的截面的面积。但是,本实用新型的适用范围并不限定于此。可以使底部42的截面积和侧壁部41的截面积相等,也可以使侧壁部41的截面积大于底部42的截面积。
另外,例如,在对磁芯20的开口部21一侧的外侧角部进行磨边加工的情况下,优选为,以具有在开口部21处的磁芯20的板宽的一半以下的半径的圆的圆弧形状进行。根据这样的结构,能够使开口部21中的磁芯20维持大的板宽。由此外部磁场容易被磁芯20吸引,因此能够减弱到达至检测元件30的外部磁场,因此能够高精度地测定电流。
在上述实施方式中,对如下的内容进行了说明,即,就导电条10而言,从间隔方向B观察磁芯20时与磁芯20重复的部分的开口部21一侧被切开。但是,本实用新型的适用范围并不限定于此。当然也可以不切开导电条10的开口部21一侧。
在上述实施方式中,对如下的内容进行了说明,即,在从导电条10的上面观察时,磁芯20以交错状配置。但是,本实用新型的适用范围并不限定于此。只要知道3个导电条10中的两个导电条的电流值就能够控制三相马达,因此磁芯20只要配置在3个导电条10中的两个导电条上即可。若在3个导电条10中的位于两端的导电条10上配置磁芯20,则不必以交错状配置。
本实用新型能够利用于测定在导体中流动的电流的电流传感器。
Claims (5)
1.一种电流传感器,其特征在于,
具有:
至少3个导电条,该导电条由用于连接三相马达和对该三相马达通电的变频器的平板状的导体形成,并且沿着与上述平板状的导体的厚度平行的方向排列设置,
多个磁芯,由U字形的磁性体形成的平板层叠而形成该磁芯,在平板层叠而形成的上述磁芯的U字形的槽的内侧插通有各上述导电条,该导电条的板宽方向的面和平板层叠而形成的上述磁芯的U字形的U槽内侧的侧壁的面相互平行,
检测元件,其配置在上述磁芯的各开口部侧,其检测方向沿着上述开口部的间隔方向,用于检测磁场的强度;
在从上述导电条的轴向观察时,上述磁芯和与插通于该磁芯的U槽中的导电条相邻的另外的导电条之间的间隙为上述开口部在间隔方向上的长度的1/2,上述间隙的公差将上述间隙作为中央值,设定为从相互相邻的导电条之间的间隔的值减去上述开口部在间隔方向上的长度的3/2的值而得出的值。
2.根据权利要求1所述的电流传感器,其特征在于,
上述检测元件配置在从上述开口部向上述U字形的底部一侧进入至少1.5mm以上的位置。
3.根据权利要求1或者2所述的电流传感器,其特征在于,
在上述U字形的磁芯的构成部位中,相对于经过上述导电条的截面且与导电条的宽度方向垂直的面和磁芯相交差的面的截面积的一侧,经过上述导电条截面中央且与导电条的厚度方向垂直的面和磁芯相交差的面的截面积更大。
4.根据权利要求1或2所述的电流传感器,其特征在于,
以具有上述磁芯的板宽的一半以下的半径的圆的圆弧形状对上述磁芯的上述开口部一侧的外侧角部进行磨边,上述磁芯的板宽是上述开口部处的上述磁芯在与导电条的厚度方向平行的方向上的尺寸。
5.根据权利要求1或2所述的电流传感器,其特征在于,
在从上述间隔方向观察上述磁芯时上述导电条的与上述磁芯重叠的部分的上述开口部一侧形成有缺口。
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