CN1950913A - 用于减小的压控振荡器耦合的方法和电感器布局 - Google Patents

用于减小的压控振荡器耦合的方法和电感器布局 Download PDF

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Abstract

本发明公开了用于减小在VCO谐振器之间的EM互耦和用于在单个半导体芯片上实施VCO谐振器的方法和系统。该方法和系统包括使用电感器和提供电流到电感器以使得最终得到的磁场分量藉助于对称性而互相抵消。另外，两个这样的电感器可以互相靠近地放置和取向成使得由于从第一电感器发源的磁场造成的、在第二电感器中的感应电流被大大地减小。电感器可以是8字形、四叶三叶草形、单圈、多圈、互相相对旋转的、和/或互相相对偏移的。本摘要的提交应理解为它不是用来解释或限制权利要求的范围或意义。

Description

用于减小的压控振荡器耦合的方法和电感器布局
相关专利申请的相互参考
本专利申请要求2004年3月3日提交的、题目为“Inductor Designfor Reduced VCO Coupling”的美国临时专利申请No.60/549,611(承载档案号No.53807-00113USPL)的权益，该专利申请的整体公开内容在此引用以供参考。
发明领域
本发明涉及在射频(RF)收发信机中使用的那种类型的压控振荡器(VCO)，具体地涉及VCO中的改进的电感设计。
发明背景
无线通信技术的最新进展允许整个RF收发信机被实施在单个半导体管心或芯片上。然而，在单个芯片上实施整个RF收发信机遇到许多挑战。例如，在宽带码分多址(WCDMA)收发信机中，单芯片解决方案需要两个RF VCO同时运行在一个芯片上。这样的安排由于各种不同的类型的互耦机制会产生两个VCO之间不想要的交互作用，这会导致发射频谱中不想要的频率的寄生接收机响应。初级互耦机制通常是在谐振器之间，即，VCO中的大电感器结构之间的基本电磁(EM)耦合。
存在有许多用于减小由于电感造成的、在VCO之间的EM互耦的技术。一个技术牵涉到通过细心设计电感器提供最大的电感隔离而减小EM耦合。另一个技术通过以想要的频率的不同的偶次谐波操作两个VCO而调用于频率分离。再一个技术牵涉到通过使用再生VCO概念的频率分离。频率分离方法利用谐振器的滤波特性来减小干扰。然而，这些解决方案需要附加电路(功分器、混频器等等)，这会增加电流消耗，使得它们比起其它EM互耦减小替换例具有较少吸引力。
发明内容
用于减小在VCO谐振器之间的EM互耦的电感器设计和在单个半导体芯片上实施该设计的方法。方法和系统牵涉到使用关于它们的水平轴和/或它们的垂直轴基本上对称的电感器，以及提供电流到电感，以使得最终得到的磁场分量藉助于对称而趋于互相抵消。另外，两个这样的电感器可以放置成互相靠近，并且取向为使得由于从第一电感器起源的磁场造成的、在第二电感器中的感应电流被大大地减小。电感器可以是8字形、四叶三叶草形、单圈、多圈、互相相对旋转的、和/或互相相对垂直偏移的。
通常，一方面，具有减小的远场的电感器包括第一环，具有关于第一预定轴基本上对称的形状；和第二环具有基本上与第一环的尺寸和形状相同的尺寸和形状。第二环被安排成使得从其发出的磁场趋于抵消从第一环发出的磁场。
通常，另一方面，减小在半导体芯片上两个电感器之间的电磁互耦的方法包括在半导体芯片上形成具有关于第一预定轴基本上对称的形状的第一电感器的步骤，该形状使得第一电感器至少在某些方向具有减小的远场。方法还包括在半导体芯片上在离第一电感器预定的距离处形成第二电感器的步骤，其中由于第一电感器具有减小的远场的结果，在第一电感器与第二电感器之间的电磁互耦合被减小。
通常，另一方面，具有减小的电磁互耦的电感器布局包括具有关于第一预定轴基本上对称的形状的第一电感器，该形状使得第一电感器至少在某些方向具有减小的远场。电感器布局还包括被放置在离第一电感器预定的距离处的第二电感器，其中由于第一电感器具有减小的远场的结果，在第一电感器与第二电感器之间的电磁互耦合被减小。
应当强调指出，术语“包括”，当在本技术说明书中被使用时，用来规定所阐述的特性、整数、步骤或部件的存在，但不排除一个或多个其它特性、整数、步骤或部件或它们的组的存在或添加。
附图说明
从以下的详细说明和参照附图，将明白本发明的上述的和其它优点，其中：
图1显示现有技术的O形电感器；
图2显示8字形电感器；
图3显示现有技术的O形电感器安排；
图4显示8字形电感器安排；
图5显示8字形电感器安排，其中一个电感器被旋转；
图6显示距离对于使用8字形电感器安排的EM耦合的影响；
图7显示8字形电感器安排，其中一个电感器从另一个电感器偏移；
图8显示距离对于使用电感器安排的去耦合系数的影响；
图9显示其中保持对称性的VCO布局；
图10显示四叶三叶草形状的电感器；
图11显示四叶三叶草形状的电感器安排；
图12显示距离对于使用四叶三叶草形状电感器安排的EM耦合的影响；以及
图13显示两圈8字形电感器。
具体实施方式
如上所述，本发明的各种实施例提供其中EM互耦被减小的电感器设计和实施该设计的方法。电感器设计和方法用来通过使用基本上对称的电感器形状减小至少在某些方向上在离电感器的某个距离处的EM场(即，远场)。正如这里使用的，术语“对称性”是指相对于至少一个轴的对称性。这个减小的远场然后可被使用来减小在两个电感器之间的互耦。电感器设计和方法也可被使用来减小在电感器与在芯片或外部结构(例如，外部功率放大器)上另一个电感器之间的互耦。这有助于减小VCO对于来自除了在芯片上第二VCO以外的干扰信号的敏感性。
对于第一电感器选择基本上对称形状(例如，8字形或四叶三叶草形)有助于减小在远距离处的EM场。这又减小与第二电感器的EM互耦。如果第二电感器也具有类似的或基本上相同的形状，则第二电感器获取来自第一电感器的EM场的趋势也经由相同的机制被减小。因此，在两个电感器之间的总的隔离进一步提高。然而，应当指出，两个电感器不需要具有相同的尺寸或相同的形状，只要它们具有基本上对称的形状。为此，相同的电感器布局被显示在图上，这仅仅用于说明的目的。
而且，虽然本发明的各种实施例在这里主要是对于与VCO有关的隔离问题描述的，但具有调谐的LC负荷或电感性衰减的RF放大器和混频器也可以互耦或与VCO耦合以及造成干扰问题。因此，本领域技术人员将会看到，电感器设计和方法可被使用来减小在任何类型的两个功能块之间的耦合，只要每个功能块包含一个或多个电感器的话。
为了减小在两个电感器之间的EM耦合，典型地必须减小由电感线圈生成的远场。不幸地，这不是一个简单的任务，因为对于平面集成电感器有许多拓扑约束限制。例如，典型的电感设计使用两个或多个堆叠金属层。通常顶部层比起其它层厚得多(即，具有较低的电阻)。所以，为了达到最大Q因子值，希望主要使用这一层。在连线交叉的地方，通常使用较薄的金属层，以及需要仔细地设计交叉，以便组合高Q因子与最小的耦合。另外，应当避免在互相靠近的平行线段之间的负的电磁耦合，这样，每个单位线长度的电感量被最大化。然而，通过利用在一个或多个尺度上电感器的对称性以及控制从电感线圈的不同的部分发出的EM场分量，由于抵消效应，可以减小在某些方向上的远场。
现有的VCO电感器设计，在给定关于硅面积、线宽度等等的约束条件下，对于最大Q因子被最佳化。图1显示通常在RF VCO中使用的现有的电感器100。电感器100是用具有两个末端104的电感线圈102的1.25nH的差分电感。正如可以看到的，末端104a 104b的位置对于与包括可能存在的任何变容管和MOS开关(未示出)的VCO的其余部分的连接被最佳化，但很少注意EM互耦，且不说在附近区域内保持离其它金属线的某个最小距离。
图2显示电感器200的例子。电感器200具有电感线圈202和末端204a和204b，它被设计成关于水平轴X基本上对称的。在本例中，电感线圈202是具有上部环206a和下部环206b的单圈8字形结构的形式，藉助于8字形，在上部环206a中的电流沿与下部环206b中电流(例如，顺时针)相反的方向(例如逆时针，见箭头)行进。结果，在离两个基本上对称的环206a和206b某个距离处发出的EM场分量也具有相反的方向，比起趋于互相抵消。EM场分量的方向用在每个环206a和206b中间的传统的符号表示法表示。因此，电感器200被发现为在离电感线圈202某个距离处具有大大地减小的远场。因此，通过把两个环206a和206b做成基本上对称的，可以达到在水平对称轴X的任一侧处很大量的远场的抵消。然而，应当指出，在给定末端204a204b的存在下，可能很难达到在两个环206a和206b之间的完全的对称。
另外，末端204a和204b的放置，可能有助于远场的最小化。例如，把两个末端204a和204b放置成互相尽可能靠近，有助于使得来自电感器200的两个部分的场贡献是相同的。还希望使得由于与变容管和开关的连接头造成的、电感器200外部的附加环路最小化。这个额外的环路可能一定程度地损害电感器本身的对称性，以及可能降低抵消效应。在理论上，应当有可能修改电感器的几何形状(例如，使得上部环稍微更大一些)，来补偿这种影响。电感器200相对于中心垂直轴的对称性对于使得共模信号分量的生成最小化也是重要的。
其它考虑可包括基本布局参数，诸如电感线圈202的宽度和高度以及周围的连线的宽度和间隔。然而，这些参数主要由对于电感量、Q因子、芯片面积、和过程布局法则的要求被确定，以及它们对于互耦特性只有最小的影响，只要电感线圈的对称性被保持的话。
图3显示现有技术的、两个O形电感器300和302的电感器安排。两个电感器300和302并排地放置，以及具有O形电感线圈304和306。电感线圈304和306在本实施例中基本上具有与图2的8字形电感线圈(例如，350×350μm)相同的尺寸，以及是相对于它们的垂直轴Y对称的。两个电感线圈304和306的末端分别被标记为308a与308b和310a与310b。因为每个O形电感器300和302单独地很少提供或不提供EM减小，该安排作为整体很少提供或不提供EM互耦减小。
另一方面，包括如图2的那样的、两个8字形电感器的电感器安排可以进一步提供减小的EM互耦。这被显示于图4，图上显示类似于图3的安排的电感器安排，除了两个电感器400和402具有8字形电感线圈404和406而不是O形电感线圈以外。两个电感线圈404和406的末端分别被标记为408a与408b和410a与410b。每个各个电感器400和402藉助于8字形电感线圈404和406而具有减小的远场，正如以上关于图2说明的。另外，两个电感器400和402之间的互耦还有减小。这是因为使得来自第一电感器的辐射的EM场减小的相同的机制也使得第二电感器的“EM场接收灵敏度”减小。因此，两个电感器互相的组合的影响提供想要的耦合减小。
应当指出，两个电感器400和402不一定具有相同的尺寸。对于EM互耦减小所需要的全部是它们具有类似的、EM减小形状。而且，O形电感器与8字形电感器的组合仍旧可以导致互耦减小。然而，由于这样的安排只使用一个电感器的EM抵消效应(O形电感器很少提供或不提供EM抵消)，因此在两个电感器之间的总的隔离是较小的。在某些实施例中，已发现通过旋转一个电感线圈，如图5所示，可以达到甚至更大的隔离。这里，具有几乎相同的8字形电感线圈504和506的两个电感器500和502再次并排地放置。它们的末端分别被标记为508a与508b和510a与510b。然而，一个电感线圈，比如说在左面的电感线圈504，被旋转90度，进一步减小EM互耦。
除了以上的设计以外，也可以使用在一个以上尺度上对称的、其它更复杂的电感器设计，例如，四叶三叶草形状。这些复杂的电感器设计是有用的，因为较高的电感值典型地需要一个以上的圈数，以便不消耗太多的芯片面积。另外，这样的复杂的电感线圈对于次最佳放置和取向常常是不太敏感的。
为了确定以上电感器设计在减小EM互耦方面的有效性，通过使用来自Agilent Technologies(安吉伦技术公司)的Momentum 2D EMSimulatorTM(矩量二维EM仿真器)进行仿真，某些仿真也在来自Computational Prototyping Group的FastHenryTM中重复进行，以验证其结果。仿真使用简单的半导体基片模型，它描述在典型的半导体基片的顶部上的金属与介质层。两个互耦的电感器的四个末端被定义为线性四端网络的端口(见图4)。在这样的网络中在电感器之间的互相作用常常可以通过使用S参数矩阵来表示。本领域技术人员知道，S参数理论是被使用来描述信号在网络中如何被反射和传输的通用技术。下面的S参数矩阵S给出当它被连接到周围的元件时网络特性的基本上完整的描述。
S = s 11 s 12 s 13 s 14 s 21 s 22 s 23 s 24 s 31 s 32 s 33 s 34 s 41 s 42 s 43 s 44 - - - ( 1 )
然而，在两个电感器之间的互耦常常很难直接从其中，正如这里的，网络具有四个单端端口的S参数中提取。对于这种分析，通过把单端S参数矩阵变换成混合模式S参数矩阵Smm，把两个电感器作为差分二端网络来处理有时是更方便的。
Smm＝M·S·MT  (2)
其中M是从四个单端端口处的电压和电流到两个差分端口处的共模电压和电流的变换，并且被给出为：
M = 1 2 · 1 - 1 0 0 0 0 1 - 1 1 1 0 0 0 0 1 1 - - - ( 3 )
以及MT是原先的矩阵M的转置(即，行与列交换)。对于关于这个变换的更多的信息，读者可以参阅David E Bockelman等，“CombinedDifferential and Common-Mode Scattering Parameters：Theory andSimulation”，Theory and Simulation，IEEE Trans.on MicrowaveTheory and Techniques，vol.MTT-43，pp.1530-1539，July 1995。
变换的结果是：
S mm = s d 1 d 1 s d 1 d 2 s d 2 d 1 s d 2 d 2 s d 1 c 1 s d 1 c 2 s d 2 c 1 s d 2 c 2 s c 1 d 1 s c 1 d 2 s c 2 d 1 s c 2 d 2 s c 1 c 1 s c 1 c 2 s c 2 c 1 s c 2 c 2 - - - ( 4 )
正如可以看到的，左上方的2×2子矩阵包含纯差分二端口S矩阵，而其它子矩阵包含共模性能。电压传送增益Gvdd然后通过使用例如下式的标准2端口参数公式，进行计算：
G vdd = real ( s d 2 d 1 1 + s d 1 d 1 ) - - - ( 5 )
从四端口S参数仿真结果提取的这个理论的增益参数Gvdd然后被使用来比较在电感器布局的不同的组合之间的互耦。
通过使用以上的混合模式S参数，从第一电感器的端口到第二电感器的端口的差分电压增益Gvdd在3.7GHz进行计算。然后，根据对于具有两个耦合的电感器的测试电路的S参数仿真结果计算相应的耦合系数。表1显示对于1mm的中心距离的两个电感器在不同的线圈形状与取向之间的互耦的仿真结果的概要。在表1上，记号“8_shape_90”代表被旋转90度的8字形电感器，以及记号“8_shape_-90”代表被旋转-90度的8字形电感器，“Q1”是对于电感器1的Q因子，“Att”是在两个电感器之间的EM互耦的衰减，以及“k”是估计的耦合系数。
  电感1   电感2   L1[nH]   Q1   Gvdd[dB]   Att[dB]   K
  O-shape   O-shape   0.841   16.93   -54.0   参考   0.002077
  8-shape   O-shape   1.216   15.20   -75.6   21.6   0.000173
  8-shape_90   O-shape   1.216   15.63   -74.9   20.9   0.000187
  8-shape   8-shape   1.216   15.84   -86.5   32.5   0.000049
  8-shape_90   8-shape   1.216   15.19   -89.7   35.7   0.000034
  8-shape_90   8-shape_-90   1.217   15.69   -92.8   38.8   0.000024
                          表1
正如可以看到的，使得一个电感器是8字形，被显示为减小互耦达20dB。使得两个电感器是8字形，被显示为改进隔离达30dB。使得两个连接头是8字形和把它们向相反方向旋转90度，被显示为改进隔离约40dB。
对于两个8字形电感器进行了第二组仿真，其中线圈之间的中心距离从0.5mm变化到2.0mm，与两个O形电感器相比较。结果被画在图6，其中垂直轴代表差分传送增益Gvdd，以及水平轴代表在两个电感器的中心之间的距离，以毫米(mm)计。正如可以看到的，8字形电感器(曲线600)导致相对于O形电感器(曲线602)低得多的互耦。另外，8字形电感器显示谐振特性的程度，其中互耦在某个距离(取决于频率)是非常低的。对于第二组(忽略约2.0mm的急剧的最小值)的“平均”隔离改进是在30与40dB之间。
电感器互相相对地放置，也会影响互耦量。为了了解电感器的放置如何影响互耦，进行了附加仿真，其中一个电感器从理想的对称轴偏离一个变化量。这被显示于图7，图上显示具有几乎相同的8字形电感线圈704和706的两个电感器700和702。然而，正如可以看到的，在左面的连接头线圈704垂直地偏离理想对称轴X某个距离Z到新的轴X’。仿真的细节显示于下面的表2，其中Deg是恶化量，以dB计。对于这种安排，观察到电感器隔离的某些恶化，但即使在1mm偏离的情形下，相应于45度取向，对于8字形电感器仍旧达到约30dB的互耦减小的改进。
  偏差[mm]   L1[nH]   Q1   Gvdd[dB]   Att[dB]   Deg[dB]   k estim
  0.0   1.216   16.93   -54.0   35.7   参考   0.000034
  0.1   1.216   15.20   -75.6   31.3   4.4   0.000057
  0.2   1.216   15.63   -74.9   28.5   7.2   0.000078
  0.3   1.216   15.84   -86.5   27.0   8.7   0.000093
  0.5   1.216   15.19   -89.7   27.8   7.9   0.000085
  0.7   1.216   15.19   -85.8   31.8   3.9   0.000053
  1.0   1.216   15.19   -103.4   49.4   -13.7   0.000007
                         表2
为了研究在差分电压增益Gvdd与耦合系数k之间的关系，在SpectreTM中执行两个电感器的S参数仿真。此后，能够从Momentum 2DEM SimulatorTM的结果计算估值的耦合系数k，并且把它包括在表1和表2中。
为了验证耦合系数估值的结果，使用替换的工具FastHenryTM来计算k。仿真结果被画在图8上。在图8上，水平轴再次代表在两个电感器的中心之间的距离，以毫米(mm)计，但垂直轴现在代表耦合系数k，底部曲线800代表FastHenryTM结果，以及顶部曲线802代表Momentum 2D EM SimulatorTM结果。两组结果之间的一致性对于直到1.5mm的距离都呈现相当良好，但在2mm处可以注意到某些差异。对于差异的最可能的解释是Momentum 2D EM SimulatorTM结果是更可靠的。
从以上结果可以清楚地看到，互耦减小与电感器的对称性有密切关系。所以，VCO的其余部分的布局应当被设计成使得在电感器被连接到VCO部件(例如，变容管和电容性开关)时可能产生的任何附加电感环路最小化，因为来自附加环路的磁场将影响在相反正负号的上部场分量之间的平衡，并降低任何抵消效果。
图9显示对于具有可被使用来使得任何附加电感环路最小化的8字形电感器902的典型的4GHz VCO 900的示例性布局。正如可以看到的，对于谐振器(例如，开关，变容管)和有源部件的布局是关于垂直轴Y基本上对称的。电源电压(例如，偏压和去耦)也通过互相路由到顶部的连线对称地施加，这样，它们将不造成附加环路。优选地，所有的电容性谐振器部件是完全差分的以及具有对称的布局。
如上所述，也可以使用在一个以上的尺度上对称的更复杂的电感器设计，例如四叶三叶草形状设计。通常，通过把环路数目从两个增加到四个，抵消效果可以在某些方向上和对于某些距离进一步提高。这是因为通常(以及至少对于8字形电感器)，在电感器之间的隔离取决于线圈的相对布置。图10显示四叶三叶草形状电感器1000的例子。电感器1000的四个环路1002，1004，1006和1008被连接成使得从任何两个相邻的环路发出的磁场具有相反的方向以及趋于互相抵消。因此，在两个四叶三叶草形状电感器存在在同一个芯片上的情形下，不同的磁场分量的抵消是不太依赖于例如第二电感线圈的方向。
而且，如图12所示，其中一个电感器(例如，电感器1100)相对于另一个电感器(例如，电感器1102)旋转45度的配置被观察到在两个电感器1100与1102之间具有甚至更低的EM耦合。
差分传送增益Gvdd被画在图12上，对于两个四叶三叶草形状电感器安排(曲线1200)作为中心距离的函数，以及两个8字形电感器的性能(曲线1202)和两个O形电感器的性能(曲线1204)。一个四叶三叶草形状电感器被旋转约45度(由“r”表示)以及同样地一个四叶三叶草形状电感器被旋转约90度(也由“r”表示)。图上垂直轴代表差分传送增益Gvdd，以及水平轴代表中心距离。正如可以看到的，两个四叶三叶草形状电感器安排的隔离比起对于1mm以下的距离的8字形电感器安排约好10dB，以及在更大的距离上没有显示谐振特性。
四叶三叶草形状电感器安排在方向性特性的改进被显示于表3。正如可以看到的，当远离对称轴移动时，隔离没有恶化，只有由于距离增加造成的较小的改进。然而，由于更复杂的连线布局，导致每个连线长度的较小的电感量，与8字形电感器安排相比较，Q因子稍微较低的。
  偏差[mm]   L1[nH]   Q1   Gvdd[dB]   Att[dB]   Deg[dB]   k estim
  0.0   1.300   13.09   -92.5   38.5   参考   0.000025
  0.1   1.300   13.09   -92.9   38.9   -0.4   0.000024
  0.2   1.300   13.09   -92.9   38.9   -0.4   0.000024
  0.3   1.300   13.09   -93.4   39.4   -0.9   0.000022
  0.5   1.300   13.09   -94.1   40.1   -1.6   0.000021
  0.7   1.300   13.09   -94.9   40.9   -2.4   0.000019
  1.0   1.300   13.09   -97.1   43.1   -4.6   0.000015
                          表3
在其中需要较高的电感值的应用中，有可能使用具有一圈以上的电感线圈，因为单圈设计趋于占用太多的芯片面积。两圈8字形电感器1300的例子被显示于图13。正如可以看到的，
两圈8字形电感器1300基本上类似于图2的8字形电感器200，除了电感器1300的两个外部环路1302和1304每圈分别成为内部环1306和1308以外。电感器1300的末端1310a和1310b然后被连接到下部内部环1308。这样的两圈电感器1300可以提供较高的电感值，而不占用太多的芯片面积，虽然也减小Q因子。在这里显示的实施例中，Q因子在4GHz时可能减小从约15到12.5。
虽然显示了两圈8字形电感器，但本领域技术人员将会看到，也可以使用其它配置，诸如两圈四叶三叶草形状电感器，只要在给定内部环和外部环交叉和末端的布置要求的情形下保持接近对称性的话。除了至今描述的那些形状以外的其它对称形状也可以显示相同的或甚至更好的耦合减小，如果在诸如Q因子、线圈尺寸、和耦合系数那样的参数之间可以达到满意的平衡的话。
虽然本发明是相对于一个或多个具体的说明性实施例描述的，但本领域技术人员将会认识到，可以对于它们作出许多改变而不背离本发明的精神和范围。例如，虽然在上面只描述电磁耦合的减小，但
经由基片或供电线的其它耦合机制以及被放置在两个VCO之间的的部件的影响可以对于最大的可达到的隔离有重要的影响。所以，每个以上的实施例和它们的变例打算属于如在以下的权利要求中阐述的所要求的发明的精神和范围内。

Claims (24)

1.一种具有减小的相互电磁耦合的电感器布局，包括：
第一电感器，具有关于第一预定轴基本上对称的形状，所述形状使得所述第一电感器至少在某些方向上在离所述第一电感器的某个距离处具有减小的电磁场；以及
第二电感器，被布置在离所述第一电感器的预定的距离，其中在所述第一电感器与所述第二电感器之间的相互电磁耦合由于所述第一电感器具有减小的电磁场而被减小。
2.按照权利要求1的电感器布局，其中所述第一电感器与所述第二电感器被形成在单个半导体管心上。
3.按照权利要求1的电感器布局，其中所述第一电感器与所述第二电感器取向相同的方向。
4.按照权利要求1的电感器布局，其中所述第一电感器与所述第二电感器取向不同的方向。
5.按照权利要求1的电感器布局，其中所述第一电感器与所述第二电感器共享公共轴。
6.按照权利要求1的电感器布局，其中所述第一电感器与所述第二电感器不共享公共轴。
7.按照权利要求1的电感器布局，其中所述第一电感器与所述第二电感器基本上是8字形。
8.按照权利要求7的电感器布局，还包括在所述基本上8字形的第一电感器与第二电感器的每个外部环内的内部环。
9.按照权利要求1的电感器布局，其中所述第一电感器与所述第二电感器基本上是四叶三叶草形状。
10.按照权利要求1的电感器布局，其中所述第一电感器与所述第二电感器是关于第二预定轴对称的。
11.一种减小在半导体管心上两个电感器之间的相互电磁耦合的方法，包括：
在所述半导体管心上形成具有关于第一预定轴基本上对称的形状的第一电感器，所述形状使得第一电感器至少在某些方向具有减小的远场；以及
在半导体芯片上在离所述第一电感器预定的距离处形成第二电感器，其中由于所述第一电感器具有减小的远场，在第一电感器与第二电感器之间的相互电磁耦合被减小。
12.按照权利要求11的方法，其中所述第二电感器具有与所述第一电感器的所述形状基本上相同的形状。
13.按照权利要求11的方法，还包括使得所述第一电感器与所述第二电感器取向相同的方向。
14.按照权利要求11的方法，还包括使得所述第一电感器与所述第二电感器取向不同的方向。
15.按照权利要求11的方法，还包括把所述第一电感器与所述第二电感器放置在由所述第一电感器与所述第二电感器共享的公共轴上。
16.按照权利要求11的方法，还包括把所述第一电感器与所述第二电感器放置成使得它们不共享公共轴。
17.按照权利要求11的方法，其中所述形成第一与第二电感器的步骤包括以基本上8字形形成所述第一和第二电感器。
18.按照权利要求17的方法，还包括在所述基本上8字形的第一电感器与第二电感器的每个外部环内形成内部环。
19.按照权利要求11的方法，其中所述形成所述第一与第二电感器的步骤包括形成以基本上四叶三叶草形状形成所述第一和第二电感器。
20.按照权利要求11的方法，其中所述第一电感器与所述第二电感器是关于第二预定轴对称的。
21.一种具有减小的远场的电感器，包括：
第一环，具有关于第一预定轴基本上对称的形状；以及
第二环，具有基本上与所述第一环的尺寸和形状相同的尺寸和形状，所述第二环被安排成使得从它们发出的磁场趋于抵消从所述第一环发出的磁场。
22.按照权利要求21的电感器，其中所述第一环与所述第二环是关于第二预定轴基本上对称的。
23.按照权利要求21的电感器，还包括：
在所述电感器中的第三环，具有基本上与所述第一环的尺寸和形状相同的尺寸和形状，所述第三环被安排成使得从它们发出的磁场趋于抵消从所述第一环发出的磁场；以及
在所述电感器中的第四环，具有基本上与所述第二环的尺寸和形状相同的尺寸和形状，所述第四环被安排成使得从它们发出的磁场趋于抵消从所述第二环发出的磁场。
24.按照权利要求23的电感器，其中所述第三环是在所述第一环里面，以及所述第四环是在所述第二环里面。
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