CN1839141A - 全氟聚醚酰胺连接的膦酸酯、磷酸酯和其衍生物 - Google Patents

全氟聚醚酰胺连接的膦酸酯、磷酸酯和其衍生物 Download PDF

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Abstract

本发明提供全氟聚醚酰胺连接的膦酸酯和其衍生物。本发明也提供包含全氟聚醚酰胺连接的膦酸酯或者其衍生物、全氟聚醚酰胺连接的磷酸酯或者其衍生物或者其组合的组合物。另外，本发明描述了制品、制造制品的方法和减少粘合到基材上污染物的方法。

Description

全氟聚醚酰胺连接的膦酸酯、磷酸酯和其衍生物
背景
在电子仪器中当前产品的趋向是需要越来越细间距的挠性电路。在挠性电路成像步骤期间由于附着于光掩模上的微粒引起的图案重复缺陷明显减少成品率。
挠性电路的制造涉及形成几个与邻近它们的层紧密接触的介电的和导电的材料层。这些层的至少一个通过有选择地将材料引入或者从那个层中移出从而可以形成图案。所述图样可以通过光刻工艺形成。例如，光致抗蚀剂材料层可以施加在要形成图案的层的表面上。具有所述希望图样形式、透明的和不透明区的光掩模可用于有选择地使光致抗蚀剂暴露于紫外线。
所述光或者使部分光致抗蚀剂在所述裸露面经历交联反应，象在负性光致抗蚀剂场合下，或者在所述裸露面经受聚合降解反应，正性光致抗蚀剂通常就是这样。适当的溶剂用于除去希望的光致抗蚀剂部分。所述暴露的置于下面的面积可以在消去加工情况下被蚀刻掉，或者在添加加工情况下添加。在任一情况下，所述层形成图案。
光刻工艺能够形成具有优异特征分辨率的挠性电路，以及在制造过程期间实现高生产量。如果不同的图样施加到不同的层，那么所述光掩模必须恰当地在所述光致抗蚀剂层上调整好。当所述光掩模在光刻工艺期间位于与所述光致抗蚀剂接触时，所述光掩模可以通过夹紧或者通过抽真空从而使其固定到所述光致抗蚀剂上。
然而，在所述图样或者光掩模中通常发生缺陷，尤其是当反复使用所述光掩模连续地给几个基材印模而没有清洁所述光掩模时。因此，必须定期检查和清洁掩模。这影响光刻工艺的生产量，以及如果所述缺陷不能消除，所述掩模必须替换，因此引入附加成本。
常规的光掩模通常具有铬和玻璃区域。光线可以通过玻璃区域但是不能通过铬区域。玻璃和铬都是高表面能材料，这会引起光致抗蚀剂粒子或者粉末附着于光掩模上。当粒子粘住玻璃时，光线被吸收，因此，不能到达光致抗蚀剂。这导致给定区域不充分的曝光，反过来这引起缺陷。此外，附着于所述光掩模上的粒子可以在所述光掩模和光致抗蚀剂表面之间产生间隙，降低了得到图像的分辨率。
发明内容
本发明提供全氟聚醚酰胺连接的膦酸酯和其衍生物。本发明也提供包含全氟聚醚酰胺连接的膦酸酯或者其衍生物、全氟聚醚酰胺连接的磷酸酯或者其衍生物或者其组合的组合物。另外，本发明公开制品、制造制品的方法，和减少粘合到基材上污染物的方法。所述化合物和组合物可以用于例如在基材比如在光刻工艺期间的光掩模的表面上形成层。这样的层有助于使在使用光刻工艺中形成的产品缺陷最小化，可以增加光刻工艺的生产量，或者其二者的组合。
在一个方面，提供通式I的化合物：
Figure A20048002399600171
在通式I中，Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；Y等于1或者2；每一个X独立地是氢、烷基、环烷基、碱金属、铵、烷基或者环烷基取代的铵，或者具有带正电的氮原子的五到七元杂环基团；R1是氢或者烷基；和R2包括二价基团，选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或者其组合，任选的二价基团选自羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰氨基或者其组合，其中R2是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代。
在另外的方面，本发明提供一种组合物包括氢氟醚和通式I、通式II或者其组合的化合物：
其中Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；Y等于1或者2；每一个X独立地是氢、烷基、环烷基、碱金属、铵、烷基或者环烷基取代的铵，或者具有带正电的氮原子的五到七元杂环基团；R1是氢或者烷基；和R2包括二价基团，选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或者其组合，任选的二价基团选自羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰氨基或者其组合，其中R2是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代。
在第三方面，本发明提供一种组合物包括氟化硅烷和通式I、通式II或者其组合的化合物：
Figure A20048002399600182
其中Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；Y等于1或者2；每一个X独立地是氢、烷基、环烷基、碱金属、铵、烷基或者环烷基取代的铵，或者具有带正电的氮原子的五到七元杂环基团；R1是氢或者烷基；和R2包括二价基团，选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或者其组合，任选的二价基团选自羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰氨基或者其组合，其中R2是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代。
在第四方面，本发明提供一种制品包括基材和附着于所述基材表面上的通式I的化合物。
在第五方面，本发明提供一种制造制品的方法。所述方法包括在基材表面施加涂料组合物。在一个实施方式中，所述涂料组合物包括通式I的化合物。在第二实施方式中，所述涂料组合物包括选自氢氟醚、氟化硅烷或者其组合的第一组份，和选自通式I化合物、通式II化合物或者其组合的第二组份。
在第六方面，本发明提供一种减少粘合到基材上污染物的方法。所述方法包括在所述基材表面施加涂料组合物。在一个实施方式中，所述涂料组合物包括通式I的化合物。在第二实施方式中，所述涂料组合物包括选自氢氟醚、氟化硅烷或者其组合的第一组份，和选自通式I化合物、通式II化合物或者其组合的第二组份。
上述概括并非意欲描述本发明的每一个公开的实施方式或者每一个实行过程。随后的详细说明部分更加特别地举例说明这些实施方式。
附图简述
结合附图考虑以下各种各样的实施方式的详细说明可以更好地完全理解上述方面，其中：
图1是简单的光刻法设备的横断面视图。
应该理解目的不是将所述化合物和组合物的用途限制到显示的特定应用场合。与此相反，所述目的仅仅是举例说明一些所述化合物和组合物的用途。
详细说明
本发明提供全氟聚醚酰胺连接的膦酸酯和其衍生物。本发明也提供包含全氟聚醚酰胺连接的膦酸酯或者其衍生物、全氟聚醚酰胺连接的磷酸酯或者其衍生物或者其组合的组合物。另外，本发明公开制品、制造制品的方法，和减少粘合到基材上污染物的方法。所述化合物和组合物例如可以用于涂敷基材，比如在光刻工艺中的光掩模。
定义
如本发明使用，术语“a”、“an”和“the”可互换地使用，“至少一个”是指一种或多种描述的要素。
如本发明使用，术语“酰基”指通式R(CO)-的基团，其中(CO)表示碳通过双键与氧结合，R是烷基。
如本发明使用，术语“酰氧基”指通式R(CO)O-的基团，其中R是烷基。
如本发明使用，术语“碱金属”指钠离子、钾离子或者锂离子。
如本发明使用，术语“烷烃”指直链、支链、环状或者其组合的饱和烃。所述烷烃通常具有1-30个碳原子。在一些实施方式中，所述烷烃具有1-20、1-10、1-8、1-6、1-4或者1-3个碳原子。
如本发明使用，术语“烷氧基”指通式-OR的基团，其中R是烷基。
如本发明使用，术语“烷基”指通过从烷烃中除去氢原子形成的一价部分。所述烷基可以具有直链结构、支化结构、环状结构或者其组合。环烷基是环状的烷基，是烷基的亚类。
如本发明使用，术语“亚烷基”指通过从烷烃中除去两个氢原子形成的二价部分。所述亚烷基可以具有直链结构、支化结构、环状结构或者其组合。
如本发明使用，所述术语“芳基”指具有一个到五个连接的环、多个稠环或者其组合的碳环芳族化合物的一价部分。在一些实施方式中，所述芳基具有三个环、三个环、两个环或者一个环。例如芳基可以是苯基。
如本发明使用，所述术语“亚芳基”指具有一个到五个连接的环、多个稠环或者其组合的碳环芳族化合物的二价部分。在一些实施方式中，所述亚芳基具有三个环、三个环、两个环或者一个环。例如亚芳基可以是亚苯基。
如本发明使用，术语“羰基”指通式-(CO)-的二价基团，其中所述碳用双键与氧结合。
如本发明使用，术语“碳酰氧基”指通式-(CO)O-的二价基团。
如本发明使用，术语“碳酰亚氨基”指通式-(CO)NRd-的二价基团，其中Rd是氢或者烷基。
如本发明使用，术语“氟烷基”指一种烷基，其中至少一个氢原子被氟原子取代。
如本发明使用，术语“氟代醚”指一种化合物或者基团，具有两个用氧原子(即有一个连接氧原子)连接的饱和的或者不饱和烃基。至少一个烃基的至少一个氢原子被氟原子取代。所述烃基可以具有直链结构、支化结构、环状结构或者其组合。
如本发明使用，术语“氟代聚醚”指一种化合物或者基团，具有三个或更多个用氧原子(即有至少两个连接氧原子)连接的饱和的或者不饱和烃基。至少一个，通常两个或多个烃基的至少一个氢原子被氟原子取代。所述烃基可以具有直链结构、支化结构、环状结构或者其组合。
如本发明使用，术语“卤素”指氯、溴、碘或者氟。
如本发明使用，术语“杂烷烃”指一种烷烃，其中一个或多个碳原子用硫、氧或者NRd取代，其中Rd是氢或者烷基。所述杂烷烃可以是直链、支链环状或者其组合，通常包括高达约30个碳原子。在一些实施方式中，所述杂烷烃包括至多20个碳原子、至多10个碳原子、至多8个碳原子、至多6个碳原子或者至多4个碳原子。醚和聚醚是杂烷烃的亚类。
如本发明使用，术语“杂烷基”指通过从杂烷烃烷烃中除去氢原子形成的一价部分。
如本发明使用，术语“杂亚烷基”指通过从杂烷烃中除去两个氢原子形成的二价部分。
如本发明使用，术语“全氟烷烃”指一种烷烃，其中所有的氢原子被氟原子取代。
如本发明使用，术语“全氟烷撑基”指从全氟烷烃中除去两个氟原子形成的二价部分，其中基团中心位于不同的碳原子。
如本发明使用，术语“全氟三价烷基”指从全氟烷烃中除去三个氟原子形成的三价的部分。
如本发明使用，术语“全氟烷烃”指一种烷烃，其中所有的氢原子被氟原子取代。
如本发明使用，术语“全氟烷叉基”指从全氟烷烃中除去两个氟原子形成的二价部分，其中基团中心位于相同的碳原子。
如本发明使用，术语“全氟烷氧基”指一种烷氧基，其中所有的氢原子被氟原子取代。
如本发明使用，术语“全氟代醚”指一种氟代醚，其中在所有烃上所有的氢都被氟原子取代。
如本发明使用，术语“全氟聚醚”指一种氟代聚醚，其中在所有烃上所有的氢都被氟原子取代。
如本发明使用，术语“膦酸”指基团或者化合物，包括直接连接到碳原子上的通式-(P＝O)(OH)2的基团。
如本发明使用，术语“膦酸酯”指基团或者化合物，包括直接连接到碳原子上的通式-(P＝O)(OX)2的基团，其中X选自碱，或者具有带正电氮原子的五到七元杂环的基团。膦酸酯(盐)可以是所述对应膦酸的酯或者盐。
如本发明使用，术语“磷酸酯(盐)”指直接连接到碳原子上的通式-O(P＝O)(OX)2的盐或者酯。其中X选自氢、碱金属、烷基、环烷基、铵、用烷基或者环烷基取代的铵、或者具有带正电氮原子的5-7元杂环的基团。
如本发明使用，术语“光掩模”指任何类型的通过阻挡部分照射敏感材料层不受照射，用于射线照射使照射敏感材料层形成图样的掩模。
如本发明使用，所述术语“基材”指载体。所述基材可以是多孔的或者非多孔的，刚性的或者挠性的，透明的或者不透明的，明亮的或者彩色的，反射的或者非反射的。适当的基底材料包括聚合材料、玻璃、陶瓷、金属或者其组合。
如本发明使用，所述术语“亚磺酰胺基”指通式-SO2NRa-的基团，其中Ra是烷基或者芳基。
化合物
提供通式I的化合物：
其中Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；Y等于1或者2；每一个X独立地是氢、烷基、环烷基、碱金属、铵、烷基或者环烷基取代的铵，或者具有带正电的氮原子的五到七元杂环基团；R1是氢或者烷基；和R2包括二价基团，选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或者其组合，任选的二价基团选自羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰氨基或者其组合，其中R2是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代。
通式I的基团R1是氢或者烷基。在一些实施方式中，是C1-C4烷基。
通式I中的X基团独立地选自氢、碱金属、烷基、环烷基、铵、用烷基或者环烷基取代的铵、或者具有带正电氮原子的5-7元杂环的基团。当每一个X是氢时，所述通式I的化合物是膦酸。通式I的化合物当至少一个X是烷基时是一种酯。典型的烷基包括具有1-4个碳原子的那些。所述烷基可以是直链、支链或者环状的。
通式I的化合物当至少一个X是碱金属、铵、用烷基或者环烷基取代的铵，或者具有带正电氮原子5-7元杂环的基团时是一种盐。典型的碱金属包括钠、钾和锂。典型的取代铵离子包括但是不局限于四烷基铵离子。所述铵离子上的烷基取代基可以是直链、支链或者环状的。典型的五或者六元杂环的基团具有带正电的氮原子，包括但是不局限于吡咯鎓离子、吡唑鎓离子、吡咯烷鎓离子、咪唑鎓离子、三唑鎓离子、异噁唑鎓离子、噁唑鎓离子、噻唑鎓离子、异噻唑鎓离子、噁二唑鎓离子、噁三唑鎓离子、二噁唑鎓离子、噁噻唑鎓离子、吡啶鎓离子、哒嗪鎓离子、嘧啶鎓离子、吡嗪鎓离子、哌嗪鎓离子、三嗪鎓离子、噁嗪鎓离子、哌啶鎓离子、噁噻嗪鎓离子、噁二嗪鎓离子和吗啉鎓离子。
所述R2基团包括二价基团，选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或者其组合，任选的二价基团选自羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰胺基或者其组合。R2可以是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代。所述R2基团通常具有至多30个碳原子。在一些化合物中，R2基团具有至多20个碳原子、至多10个碳原子、至多6个碳原子或者至多4个碳原子。例如，R2可以是亚烷基、用芳基取代的亚烷基，或者亚烷基与亚芳基结合。在一些典型的化合物中，所述R2基团是连接到亚烷基上的亚苯基，其中所述亚烷基具有1-6个碳原子。在其他典型的化合物中，所述R2基团是未取代的或者用苯基或者烷基取代的具有1-6个碳原子的亚烷基。
所述全氟聚醚基团Rf可以是直链、支链、环状的或者其组合，可以是饱和的或者不饱和。所述全氟聚醚具有至少两个连接氧杂原子。典型的全氟聚醚包括但是不局限于具有选自如下全氟重复单元的那些：-(CpF2p)-，-(CPF2pO)-，-(CF(Z))-，-(CF(Z)O)-，-(CF(Z)CpF2pO)-，-(CpF2pCF(Z)O)-，-(CF2CF(Z)O)-，或者其组合。在这些重复单元中，p通常是1-10的整数。在一些实施方式中，p是1-8、1-6、1-4或者1-3的整数。所述Z基团可以是具有直链结构、支化结构、环状结构或者其组合的全氟烷基、全氟代醚基团、全氟聚醚或者全氟烷氧基。所述Z基团通常至多具有12个碳原子、至多10个碳原子、至多8个碳原子、至多6个碳原子、至多4个碳原子、至多3个碳原子、至多2个碳原子或者至多1个碳原子。在一些实施方式中，所述Z基团可以至多具有4、至多3、至多2、至多1或者没有氧原子。在这些全氟聚醚结构中，不同重复单元可以在嵌段中结合或者无序排列以形成Rf基团。
Rf可以是一价(即在通式I中Y是1)或者二价(即在通式I中Y是2)。如果所述全氟聚醚基团Rf是一价，那么所述所述全氟聚醚基团Rf端基可以是(CpF2p+1)-，(CpF2p+1O)-，例如其中p是1-10、1-8、1-6、1-4或者1-3的整数。一些典型的一价全氟聚醚基团Rf包括但是不局限于C3F7O(CF(CF3)CF2O)nCF(CF3)-，C3F7O(CF2CF2CF2O)nCF2CF2-和CF3O(C2F4O)nCF2-，其中n是0-50、1-50、3-30、3-15或者3-10的平均值。
一些典型的一价全氟聚醚基团Rf包括但是不局限于，其中q是0-50、1-50、3-30、3-15或者3-10的平均值。
一些典型的二价全氟聚醚基团Rf包括但是不局限于-CF2O(CF2O)q(C2F4O)nCF2-，-CF2O(C2F4O)nCF2-，-(CF2)3O(C4F8O)n(CF2)3-，和-CF(CF3)(OCF2CF(CF3))sOCtF2tO(CF(CF3)CF2O)nCF(CF3)-，其中q具有0-50、1-50、3-30、3-15或者3-10的平均值；n可以具有0-50、3-30、3-15或者3-10的平均值；s可以具有0-50、3-30、3-15或者3-10的平均值：n与s总和(即n+s)可以具有0-50或者4-40的平均值；q和n总和(即q+n)可以大于0；t可以是2-6的整数。
通式I的刚合成的全氟聚醚酰胺连接的膦酸酯和其衍生物通常是具有不同全氟聚醚基团RF的混合物(即，所述化合物不是作为单一的化合物合成，而是具有不同Rf基团的化合物的混合物。例如，q、n与s的值可以变化，只要所述混合物的数均分子量至少为400g/mole。适当的全氟聚醚酰胺连接的膦酸酯和其衍生物混合物通常的数均分子量为至少约400、至少800或者至少约1000g/mole。不同全氟聚醚酰胺连接的膦酸酯和其衍生物的混合物通常的分子量(数量平均)为400-10000g/mole，800-4000g/mole或者1000-3000g/mole。
通式I的化合物具体的例子包括：
和其衍生物，其中n的平均值为0-50、1-50、3-30、3-15或者3-10。适当的衍生物包括所述膦酸的盐和酯。
组合物
本发明提供一种组合物包括氢氟醚和通式I、通式II或者其组合的化合物：
Figure A20048002399600282
其中Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；Y等于1或者2；每一个X独立地是氢、烷基、环烷基、碱金属、铵、烷基或者环烷基取代的铵，或者具有带正电的氮原子的五到七元杂环基团；R1是氢或者烷基；和R2包括二价基团，选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或者其组合，任选的二价基团选自羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰氨基或者其组合，其中R2是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代。通式II的化合物是全氟聚醚酰胺连接的磷酸酯和其衍生物。
适当的例如具有通式III：
Figure A20048002399600291
其中a是1-3的整数；基团Rf 1是全氟烷烃、全氟代醚或者全氟聚醚的一价、二价或者三价的部分；Rh是烷基或者杂烷基。所述Rf 1基团可以具有直链结构、支化结构、环状结构或者其组合。同样，所述Rh基团可以具有直链结构、支化结构、环状结构或者其组合。基团Rf 1中碳原子数量与基团Rh碳原子数量总和通常大于或等于4。
当a等于1，Rf 1基团是一价，当等于2是二价，当等于3是三价。Rf 1基团通常包含至多30个碳原子、至多20个碳原子、至多15个碳原子、至多12个碳原子或者至多8个碳原子。所述Rf 1基团可以包括至少1、至少2、至少3或者至少4个碳原子。在一些应用场合，Rf 1包括4-9个碳原子、4-8、4-7、5-7或者5-6个碳原子。对于二价Rf 1基团，基团中心可以在相同或者不同碳原子上。对于三价的Rf 1基团，基团中心每一个可以在不同碳原子上，或者两个所述基团中心可以在相同碳原子上。
在一些通式III的化合物中，其中a等于1，所述基团Rf 1可以例如是：(1)2-约15个碳原子的直链或者支链全氟化烷基团，(2)5-约15个碳原子的含全氟环烷基的全氟烷基，或者(3)3-约12个碳原子的全氟环烷基。环状结构可以任选用1-4个碳原子的全氟烷基取代。
在一些通式III的化合物，其中a等于2，所述基团Rf 1可以是：(1)直链或者支链全氟烷撑基，(2)2-15个碳原子的全氟烷叉基，(3)含全氟环烷基或者全氟环亚烷基的5-约15个碳原子的全氟烷撑基或者全氟烷叉基，或者(4)3-约12个碳原子的全氟环烷撑基或者全氟环烷叉基。环状结构可以任选用1-4个碳原子的全氟烷基取代。
在一些通式III的化合物中，当a等于3时，基团Rf 1可以是(1)直链或者支链具有2-约15个碳原子的全氟三价烷基，(2)含全氟环烷基或者全氟环亚烷基基团的约6-15个碳原子的基团，或者(3)3-约12个碳原子的全氟环烷三价基。环状结构可以任选用1-4个碳原子的全氟烷基取代。
在通式III的化合物中，每一个Rh基团可以独立地是烷基或者杂烷基。每一个可用作Rh的基团可以具有直链结构、支化结构、环状结构或者其组合。在一些实施方式中，其中Rh是杂烷基，所述杂烷基部分可以是醚基团或者聚醚基团。用作基团Rh的烷基或者杂烷基通常具有至多20个碳原子、至多10个碳原子或者至多8个碳原子。在一些通式III的化合物中，所述Rh基团具有1到8个碳原子。例如，所述通式III化合物的基团Rh可以是含环烷基的具有4-约8个碳原子的烷基，或者具有3-约8个碳原子的环烷基。
属于通式III化合物范围的具体的典型氢氟醚包括但是不局限于甲基全氟代正丁基醚、甲基全氟代异丁基醚、乙基全氟代正丁基醚、乙基全氟代异丁基醚或者其组合。
本发明也提供一种组合物包括氟化硅烷和通式I、通式II或者其组合的化合物：
其中Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；Y等于1或者2；每一个X独立地是氢、烷基、环烷基、碱金属、铵、烷基或者环烷基取代的铵，或者具有带正电的氮原子的五到七元杂环基团；R1是氢或者烷基；和R2包括二价基团，选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或者其组合，任选的二价基团选自羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰氨基或者其组合，其中R2是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代。所述基团Rf、R1、R2和X另外在上面描述。
适当的氟化硅烷包括通式IV的化合物：
Figure A20048002399600311
其中Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；c是1-2的整数；b是0或者1的整数；R3选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基、羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰胺基或者其组合，可以是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代；R4是烷基；Y选自烷氧基或者酰氧基。
Rf具有如以上通式I相同的定义。
在通式IV中的R3基团选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基、羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰胺基或者其组合，可以是未取代的或者用烷基、芳基或者卤素基团取代。在一些实施方式中，R3是亚烷基、用芳基取代的亚烷基，或者亚烷基与亚芳基结合。所述R3基团通常具有至多30个碳原子。例如，R3基团可以具有2-20个碳原子、2-16个碳原子或者3-10个碳原子。在一些典型的氟化硅烷中，R3基团是-C(O)NH(CH2)3-或-CH2O(CH2)3-。
在通式IV中的R4是烷基。例如，R4是具有至多10个碳原子、至多6个碳原子或者至多4个碳原子的烷基。在一些例子中，R4基团是C1-C4烷基。
在通式IV中的Y基团选自烷氧基或者酰氧基。适当的烷氧基通常具有至多10、至多6、或者至多4个碳原子。
在一些例子中，Y是C1-C4烷氧基。在具体的实施例中，b等于0，Y是1-4个碳原子的烷氧基。适当的酰氧基包括通式为-OC(O)R的那些，其中R5是烷基。在一些化合物中，R5是C1-C4烷基。
适当的通式IV的氟化硅烷通常的数均分子量为至少约400或者至少约1000。使用标准技术合成通式IV的化合物。例如，市场上可买到的或者容易合成的全氟聚醚酯可以与官能化的烷氧基硅烷，比如3-氨基丙基烷氧基硅烷结合在一起，如描述在US3,810,874(见列7，行41-列8，行49)。
氟化硅烷例子包括但是不局限于以下结构：QCF2O(CF2O)q(C2F4O)nCF2Q，C3F7O(CF(CF3)CF2O)nCF(CF3)Q，QCF(CF3)(OCF2CF(CF3))sOCtF2tO(CF(CF3)CF2O)nCF(CF3)Q，QCF2O(C2F4O)nCF2Q，CF3O(C2F4O)nCF2Q，和Q(CF2)3O(C4F8O)n(CF2)3Q，其中q的平均值为0-50、1-50、3-30、3-15或者3-10；n的平均值为0-50、3-30、3-15或者3-10；s的平均值为0-50、1-50、3-30或者3-10；总和(n+s)的平均值为0-50或者4-40；总和(q+n)大于0；t是2-6的整数。Q是-R3-SiY3-bR4b，如在通式IV中的定义，或者当c等于1时为非含硅烷的端基。所述非含硅烷端基可以是((CpF2p+1)-，(X′CpF2pO)-，或(CpF2p+1O)-，其中X是H、氯或者溴)，条件是每个分子中至少一个Q基团是硅烷。
在其他氟化硅烷中，R3基团包括氮。在一些实施方式中，每个分子至少一个Q基团是-C(O)NH(CH2)3Si(OR)3(其中R是甲基、乙基或者其混合物)，和其他Q基团，如果不是硅烷，是OCF3或者OC3F7。
制品和方法
本发明另外的方面提供一种制品，包括基材和附着于所述基材表面上的通式I的化合物。通式I的化合物与上面描述的相同。
本发明又一个方面提供一种制造制品的方法，包括将涂料组合物施加到基材表面。在一个实施方式中，所述涂料组合物包括通式I的化合物。在第二实施方式中，所述涂料组合物包括选自氢氟醚、氟化硅烷或者其组合的第一组份，和选自通式I化合物、通式II化合物或者其组合的第二组份。通式I和通式II的化合物与上面描述的相同。
在一些应用场合，通式I、通式II或者其组合的化合物可以在基材上形成自组装的单层。在一些应用场合，通式I、通式II或者其组合的化合物可以在含金属基材上形成自组装的单层。所述含金属层可以包括金属、金属氧化物或者其组合。典型的含金属基材可以包括金、铂、铬、铝、铜、银、钛、铟、锗、锡、镍、铟锡或者其组合。这些化合物还可以在玻璃和石英上形成自组装单层，但是通常更容易粘合到含金属基材比如金属氧化物上。自组装单层通常很薄，约为10纳米或更少，通常不显著改变所述基材的光学或者表面结构特性。在许多的实施方式中，所述自组装层的厚度为约1纳米-约10纳米。在至少一些实施方式中，所述层大约6纳米厚。
包括通式I、通式II或者其组合的化合物的涂层可以施加到基材表面以提供低能量的表面。本发明另外的方面提供一种减少粘合到基材上污染物的方法，包括将涂料组合物施加到所述基材表面。在一个实施方式中，所述涂料组合物包括通式I的化合物。在第二实施方式中，所述涂料组合物包括选自氢氟醚、氟化硅烷或者其组合的第一组份，和选自通式I化合物、通式II化合物或者其组合的第二组份。通式I和通式II的化合物与上面描述的相同。
在一个制造制品实施方式中，所述基材是光掩模。在光掩模表面上的通式I、通式II或者其组合的涂层可以抑制污垢及其他粒子粘著到所述光掩模表面。在光刻工艺期间所述涂层可以减少成像缺陷的发生，比如用于制造挠性电路的那些。防止粒子粘着到所述光掩模的能力可以得到更大的细微间距挠性电路的生产量。
挠性电路的制造涉及形成紧密接触的几个介电的和导电的材料层。这些层的至少一个可以通过有选择地引入材料或者移出材料而形成图案。形成图案的层可用于在介电薄膜比如窗、通孔等上形成电路轮廓或者特征。所述图样可以通过光刻工艺产生。所述希望的图样成象通过紫外线光线照射透过具有所述希望图样的光掩模而在适当的与要形成图案的层接触的受体材料，例如光致抗蚀剂上形成。
光掩模包括紫外线透明基材比如玻璃、石英，或者具有形成图案的紫外线不透明材料的同类材料比如铬、氧化铬，或者所述紫外线透明的基材表面上的同类的材料。
在一个将涂层施加到光掩模上的方法中，包括在适当溶剂(例如氢氟醚)中稀释的通式I、通式II或者其组合的化合物的涂料组合物层通过常规的涂膜法比如喷涂、旋涂、浸渍涂敷等等施加到光掩模表面。氟化硅烷也可以包括在施加涂层中。所述涂层然后空气干燥以除去溶剂，随后在烘箱中烘焙，通常在约100℃-约150℃的温度下烘焙约30分钟以除去任何剩余溶剂，并诱导全氟聚醚硅烷交联，增强涂层与所述光掩模表面的结合。
这些涂敷的光掩模可以用于光刻工艺，比如用于挠性电路的制模金属和介质层的那些。在光刻工艺中，所述光掩模有图案的一面与紫外线受体材料接触。当紫外线朝向形成图案的光掩模透射时，光线通过所述透明的区域，但是被不透明区域反射，因此使紫外线受体材料选择的部分曝光。在曝光以后，所述光掩模从紫外线受体材料表面掀起，优选紫外线受体材料或者其他杂质与所述光掩模没有任何粘贴。
所述紫外线受体材料通常是光致抗蚀剂。例如，将光致抗蚀剂材料层施加在要形成图案的挠性电路层表面上。所述通过光掩模的紫外线被光致抗蚀剂吸收。所述光线或者使部分光致抗蚀剂暴露部分经历交联反应，象在负性光致抗蚀剂场合下，或者在所述裸露面引起聚合降解反应使聚合物结构破裂，正性光致抗蚀剂通常就是这样。通过适当的溶剂然后除去希望部分的光致抗蚀剂。所述挠性电路然后通过常规方法加工，比如在US5,227,008；6,177,357；或者6,403,211中描述的那些。例如，所述暴露的置于下面的区域可以在消去加工或者介电图案化情况下被蚀刻掉，或者在添加加工情况下加入材料。
图1是简单光刻法设备100的横断面视图。所述光刻法设备100包括至少一个光掩模110，包含至少单层光致抗蚀剂120和基层140的层状电路基片。基层140由聚合物(通常聚酰亚胺)层142和金属(通常铜)层144组成。光掩模110包括通常是玻璃或者石英的透明材料112，其中不透明材料涂敷的区域114，通常是具有氧化物表面的铬，以本领域普通技术人员众所周知的方式散布在透明材料112的表面上。低表面能材料比如通式I、II或者其组合的化合物的层118可以施加到透明材料112(包括不透明材料114)的表面116上。
通式I和通式II的化合物通常的分子量为400-5000，更优选1000-3000。
可以作为层施加到光掩模的通式I典型的化合物包括但是不局限于如下化合物，比如：
Figure A20048002399600361
或者其衍生物，其中n的平均值为3-30、3-15或者3-10。
其他典型的通式I的化合物包括但是不局限于如下化合物，比如：
Figure A20048002399600362
或者其衍生物，其中n的平均值为3-30、3-15或者3-10。
可以作为层施加到光掩模的通式I典型的化合物包括但是不局限于如下化合物，比如：
或者其衍生物，其中n的平均值为3-30、3-15或者3-10。
在至少一个实施方式中，通式I、II或者其组合的化合物在透明的或者不透明光掩模表面上形成自组装单层。自组装单层特别可能在含金属材料比如金、铂、铬、铝、铜、铟、锡、银、钛、锗和镍上形成。所述含金属材料可以是金属、金属氧化物或者其组合。所述自组装单层还可以在玻璃和石英上形成，但是更容易地粘合到金属氧化物上。自组装单层通常没有显著改变初始基材的光学或者表面结构特性。在最优选的实施方式中，通式I、II或者其组合的化合物形成约1纳米-约10纳米厚的层。在至少一个实施方式中，所述层大约6纳米厚。
尽管通式I、II或者其组合的化合物可以附着于，除紫外线不透光材料比如氧化铬之外，紫外线透过材料比如玻璃上，但氟化硅烷通常可以更好地附着于玻璃上。因此，通式I、II或者其组合的化合物可以单独使用或者与氟化硅烷一起使用。
适当的氟化硅烷包括通式IV的化合物：
其中Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；c是1-2的整数；b是0或者1的整数；R3基团选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基、羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰胺基或者其组合，可以是未取代的或者用烷基、芳基或者卤素或者其组合基团取代；R4是烷基；Y选自烷氧基或者酰氧基。
包括通式I、II或者组合的化合物的组合物可以几种常规的方法比如旋涂、喷涂、浸渍或者气相沉积的任何一种进行施加。通式I、II或者其组合的化合物通常溶解(或者可分散)在氢氟醚中，比如3MNovezTMEngineered Fluid HFE-7100(C4F9OCH3)中，这是两种不可分离的具有基本上相同性质的异构体的混合物；或者其他有机溶剂比如异丙醇中。该溶解性可以通过喷雾或者旋涂从溶液中施加过量物料得到均匀的薄膜。然后加热所述基材以加速形成单层，所述过量物料可以被清洗去或者擦掉，留下单层的薄膜。
用于施加涂料组合物的溶剂通常包括基本上惰性(即，基本上不和通式I、II或者其组合的化合物及氟化硅烷起反应)、质子惰性的和能够分散或者溶解这些材料的那些。在一些实施方式中，所述溶剂基本上完全溶解通式I、II或者其组合的化合物和氟化硅烷。适当的溶剂例子包括但是不局限于氟化烃，特别是氟取代的烷烃、醚，特别是烷基全氟烷基醚、氢氟氯烷烃和醚。可以使用这样的溶剂的混合物。
在一些应用场合，所述溶剂是氢氟醚。适当的氢氟醚由以下通式III表示：
Figure A20048002399600381
其中a是1-3的整数，Rf 1是直链、支链、环状的或者其组合的全氟烷烃、全氟代醚或者全氟聚醚的一价、二价或者三价基；Rh是直链、支链、环状的或者其组合的烷基或者杂烷基。例如，所述氢氟醚可以是甲基全氟丁基醚或者乙基全氟丁基醚。
实施例
实施例1
按照公开在J.Fluorine Chem.，95，51(1999)中的步骤制备以下通式的磷酸酯化合物：
Figure A20048002399600391
通过用过量2-氨基乙醇处理C3F7O[CF(CF3)CF2O]nCF(CF3)COOCH3(通过对应酰基氟与过量甲醇反应制备)制备醇C3F7O[CF(CF3)CF2O]nCF(CF3)CONHC2H4OH。焦磷酸(25.5g，0.14摩尔，Aldrich)被放入装备有塔顶搅拌器、水冷凝器和热电偶的250ml圆底烧瓶中。将酸加热到60℃，在该点它是粘性液体。向该液体几次加入2ml份额的C3F7O[CF(CF3)CF2O]nCF(CF3)CONHC2H4OH，(MN＝1220，50g，0.041mole，n等于3-10)。该加入是略微放热的。
在加入完成以后，所述反应混合物在60℃持留2小时。加入醋酸异丙酯(35ml)，然后所述得到的溶液与150ml 2％％HCl水溶液一起搅拌4小时。然后分离下部含有含氟化合物的相并溶解在约300ml甲基叔丁基醚(MTBE)中，然后所述醚溶液用等体积的2N HCl溶液洗涤两次。分离甲基叔丁基醚溶液，经硫酸镁干燥、过滤并通过旋转蒸发除去溶剂。得到的产品的红外光谱显示出在1709厘米-1强羰基伸缩。质子和磷-31核磁共振分析显示出所述产品是约75％希望的氟化磷酸酯和25％未反应的起始酰胺醇。
氟化磷酸酯产品的一部分在HFE-7100(甲基全氟丁基醚)中稀释到0.25wt％，并震荡得到透明溶液。涂敷铝和铬的硅圆片的四分之一晶片(100毫米直径，从WaferNet，San Jose，CA得到)通过在内置的UV/臭氧室中曝光5分钟进行清洁，立即用上述溶液处理。一个铝片在室温下浸于溶液中1小时，然后在HFE 7100中清洗1分钟，放置在空气中干燥。通过旋涂所述溶液(500rpm/5秒，然后2000rpm/15秒)处理一个铝和一个铬片，然后在真空电炉上在150℃下加热涂敷晶片3分钟，在HFE 7100中清洗并放置在空气中干燥。
晶片进行水和十六烷接触角的测量。使用经Millipore Corporation(Billerica，MA)的过滤装置过滤，刚得到的试剂等级十六烷(Aldrich)和去离子水，在从AST Products(Billerica，MA)以产品号码VCA-2500XE可得到的影像接触角分析器上进行测量。报道的值是在两面上至少3滴测量的测量结果的平均值，显示于表1中。对于静态测定滴的体积是5μL，对于前进和后退为1-3μL。对于十六烷，仅报道了前进和后退接触角，因为发现静态和前进值几乎相等。
表1-水和十六烷在涂敷金属硅片上的接触角
  接触角(°)
  基材   施加条件a   液体   静态     前进     后退
  铝   1hr/RT   水   120     124     115
  “   十六烷   ---     76     64
  SC/H/R   水   117     126     112
  “   十六烷   ---     79     61
  铬   SC/H/R   水   135     143     112
  “   十六烷   ---     87     50
a1hr/RT＝在室温下浸渍1hr；SC/H/R＝旋转涂敷，在150℃加热/3分钟，清洗。
上述数据显示所述磷酸酯化合物使两种金属表面高度疏水和疏油。
实施例2
为使得以下通式的化合物：
Figure A20048002399600411
二乙基(4-氨基苯甲基)膦酸酯(10g，0.041摩尔，Aldrich)，三乙胺(4.15g，0.041摩尔)和甲基叔丁基醚(100ml)在装备有塔顶搅拌器和水冷凝器氮气氛下的250ml圆底烧瓶中化合。向该混合物中在约1.5小时内逐滴地加入C3F7O[CF(CF3)CF2O]nCF(CF3)COF，(Mw＝1017，41.8g，0.041mole，如描述在US3,274,244中，通过在二甘醇二甲醚溶剂中氟化铯引发低聚六氟环氧丙烷，并蒸馏去除低沸点组分而制备)。接近加入结束时所述溶液变成几乎是均一的。在环境温度搅拌16小时以后，用另外的甲基叔丁基醚稀释，用约5％碳酸氢钠水溶液洗涤，然后用2NHCl洗涤一次。经硫酸镁干燥之后，通过旋转蒸发除去溶剂。在得到的产品红外光谱中可见1721.5厘米-1的酰胺羰基振动。
在没有进一步纯化的情况下，所述膦酸酯溶解在二乙醚中，一次性加入溴化三甲基硅烷(17.6g，0.115摩尔，Aldrich)。所述溶液在环境温度下搅拌24小时，加入另外的10g硅烷。在几个小时以后，加入无水甲醇以分解未反应的硅烷以及甲硅烷基酯。从得到的均一溶液中除去所述溶剂，用无水甲醇以类似的方式处理残余物二次以上。通过旋转蒸发体积减小之后最后的甲醇溶液倒入水中，过滤固体膦酸并空气干燥。通过质子、磷-31和碳-13核磁共振分析证实所述结构。
实施例3
为得到以下通式的化合物：
Figure A20048002399600421
二乙基(α-氨基苯甲基)膦酸酯盐酸化物(10.5g，0.037摩尔，Aldrich)，三乙胺(7.58g，0.075摩尔)和甲基叔丁基醚(100ml)在装备有磁性搅拌器和水冷凝器的250ml圆底烧瓶中化合。C3F7O[CF(CF3)CF2O]nCF(CF3)CO，(Mw＝1017，35g，0.034摩尔)以一份加入，得到的混合物在环境温度下搅拌16小时。在反应期结束时通过红外分析没有观察到残余酰基氟。加入水，分离下部的含有含氟化合物的相，用稀释HCl洗涤2次以上以除去任何残余的三乙胺盐以及未反应的膦酸酯原材料。通过旋转蒸发除去所述溶剂，然后用溴化三甲基硅烷(21g，0.14摩尔)处理。在这种情况下，加入少量二乙醚，所述溶液回流6小时，然后在环境温度下搅拌另外的18小时。
按照在实施例2上面描述的逐步形成组合物。然而发现该步骤不足以完全水解所述二乙基膦酸酯。所述部分水解混合物(20.2g)然后用另外的20g溴化三甲基硅烷处理，加热回流(约℃)18小时。如实施例2描述通过加入几个份额的甲醇去除所述甲硅烷基酯，尽管最终产品没有从水中沉淀。产品的红外光谱在1712厘米-1处显示出羰基波峰。通过质子、氟-19和碳-13核磁共振分析证实所述结构。
实施例4
在实施例3和实施例1中制备的材料每一种在HFE 7100中稀释到0.1wt％震荡得到透明溶液。在实施例2中制备的物料不能容易地直接溶解进入HFE 7100中，因此它首先在异丙醇中稀释到5wt％，震荡溶解所述固体。通过0.45μm过滤盒过滤该溶液以除去少量不溶解的物料。得到的透明溶液(重量分析法测量的4.97wt％固体)用49g HFE-7100稀释(1g)以制备0.1wt％的溶液，所述的溶液是透明的，对于在室温下至少几个星期形成沉淀而言是存储稳定的。
涂敷铝和铬的硅圆片的四个四分之一晶片的每一个(100毫米直径，从WaferNet，San Jose，CA得到)通过在内置的UV/臭氧室中曝光5分钟进行清洁，立即用上述溶液处理。通过移液管将2ml涂层溶液施加到晶片进行处理，同时它以2000转数/分自旋。所述晶片然后在真空电炉150℃下加热3分钟，放置到冷却，然后在HFE-7100中清洗1分钟，在空气中放置干燥。使用在实施例1描述的过程和设备测量水接触角。结果列于表2中。
表2-在铝和铬基材上涂层的水接触角
  化合物     基材   静态CA(°)   前进CA(°)   后退CA(°)
  实施例2     铝   120   123   114
    铬   133   140   110
  实施例3     铝   122   125   105
    铬   130   140   113
  实施例4     铝   122   126   117
    铬   132   139   111
实施例5
在实施例2和3中制备的样品材料每一个在异丙醇中稀释到0.2wt％，震荡得到透明溶液。涂敷铝的硅圆片的四个四分之一晶片〔quarter-wafer〕(100毫米直径，从WaferNet，San Jose，CA得到)通过在内置的UV/臭氧室中曝光5分钟进行清洁，立即用上述溶液处理。用每一种溶液处理二片，一个是在室温下浸渍1小时，随后在异丙醇中漂洗1分钟，另一个旋涂(500转数/分/秒，然后2000转数/分/15秒)，随后在150℃在真空电炉中加热3分钟，然后在异丙醇中漂洗1分钟。所述涂敷的晶片在氮气氛下鼓风干燥，然后使用在实施例1中描述的过程和设备进行水接触角的测量。结果列于表3中。
表3-在铝涂敷硅片上的水接触角
  化合物   施加条件a   静态CA(°)   前进CA(°)   后退CA(°)
  实施例2   1hr/RT   115   124   92
  SC/H/R   111   123   92
  实施例3   1hr/RT   103   112   57
  SC/H/R   99   114   65
a1hr/RT＝在室温下浸渍1hr；SC/H/R＝旋转涂敷，在150℃加热/3分钟，清洗。
从这些数据与实施例1结果的对比显示出使用HFE 7100作为溶剂得到具有更大接触角的涂层。
尽管参考具体的附图和实施方式已经描述了本发明，但本领域普通技术人员会意识到在不背离本发明精神和范围的前提下可以有形式和细节的变化。

Claims (22)

1.一种通式I的化合物：
Figure A2004800239960002C1
其中Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；
Y等于1或者2；
每一个X独立地是氢、烷基、环烷基、碱金属、铵、烷基或者环烷基取代的铵，或者具有带正电的氮原子的5-7元杂环基团；
R1是氢或者烷基；和
R2包括二价基团，选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或者其组合，任选的二价基团选自羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰氨基或者其组合，其中R2是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代。
2.权利要求1的化合物，其中R2包括结合到1-6个碳原子亚烷基的亚苯基。
3.权利要求1的化合物，其中R2包括1-6个碳原子的亚烷基，所述的亚烷基是未取代的或者用苯基或者烷基取代。
4.权利要求1的化合物，其中Rf是一价，选自C3F7O(CF(CF3)F2O)nCF(CF3)-，C3F7O(CF2CF2CF2O)nCF2CF2-，或CF3O(C2F4O)nCF2-，其中n的平均值为0-50。
5.权利要求1的化合物，其中所述化合物具有如下通式，
Figure A2004800239960003C1
或者其盐或者酯，其中n的平均值为3-30。
6.权利要求1的化合物，其中所述化合物具有如下通式，
或者其盐或者酯，其中n的平均值为3-30。
7.权利要求1的化合物，其中所述化合物具有如下通式，
或者其盐或者酯，其中n的平均值为3-30。
8.一种组合物，包括氢氟醚和通式I、通式II或者其组合的化合物：
其中Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；
Y等于1或者2；
每一个X独立地是氢、烷基、环烷基、碱金属、铵、烷基或者环烷基取代的铵，或者具有带正电的氮原子的五到七元杂环基团；
R1是氢或者烷基；和
R2包括二价基团，选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或者其组合，任选的二价基团选自羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰氨基或者其组合，其中R2是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代。
9.权利要求8的组合物，其中所述组合物包括至少一种选自如下的化合物，
Figure A2004800239960005C1
或者其盐或者酯，其中n的平均值为3-30。
10.权利要求8的组合物，其中所述氢氟醚包括甲基全氟丁基醚或者乙基全氟丁基醚。
11.一种组合物，包括氟化硅烷和通式I、通式II或者其组合的化合物：
其中
Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；
Y等于1或者2；
每一个X独立地是氢、烷基、环烷基、碱金属、铵、烷基或者环烷基取代的铵，或者具有带正电的氮原子的五到七元杂环基团；
R1是氢或者烷基；和
R2包括二价基团，选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或者其组合，任选的二价基团选自羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰氨基或者其组合，其中R2是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代。
12.权利要求11的组合物，其中组合物包括至少一种如下通式的化合物
或者其盐或者酯，其中n的平均值为3-30。
13.一种制品，包括基材和附着于基材表面的化合物，所述的化合物具有如下通式I：
Figure A2004800239960007C2
其中
Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；
Y等于1或者2；
每一个X独立地是氢、烷基、环烷基、碱金属、铵、烷基或者环烷基取代的铵，或者具有带正电的氮原子的五到七元杂环基团；
R1是氢或者烷基；和
R2包括二价基团，选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或者其组合，任选的二价基团选自羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰氨基或者其组合，其中R2是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代。
14.权利要求13的制品，其中所述化合物具有如下通式
或者其盐或者酯，其中n的平均值为3-30。
15.一种减少粘合到基材上污染物的方法，所述的方法包括将涂料组合物施加到所述基材表面，所述的涂料组合物包括通式I、通式II或者其组合的化合物：
其中
Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；
Y等于1或者2；
每一个X独立地是氢、烷基、环烷基、碱金属、铵、烷基或者环烷基取代的铵，或者具有带正电的氮原子的五到七元杂环基团；
R1是氢或者烷基；和
R2包括二价基团，选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或者其组合，任选的二价基团选自羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰氨基或者其组合，其中R2是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代。
16.权利要求15的方法，其中涂料组合物包括至少一种如下通式的化合物
Figure A2004800239960009C2
Figure A2004800239960010C1
或者其盐或者酯，其中n的平均值为3-30。
17.一种减少粘合到基材上污染物的方法，所述的方法包括将涂料组合物施加到所述基材表面，所述的涂料组合物包括：
a)选自氢氟醚、氟化硅烷或者其组合的第一组份，和
b)选自通式I、通式II或者其组合的化合物的第二组份：
Figure A2004800239960011C1
其中
Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；
Y等于1或者2；
每一个X独立地是氢、烷基、环烷基、碱金属、铵、烷基或者环烷基取代的铵，或者具有带正电的氮原子的五到七元杂环基团；
R1是氢或者烷基；和
R2包括二价基团，选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或者其组合，任选的二价基团选自羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰氨基或者其组合，其中R2是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代。
18.权利要求17的方法，其中涂料组合物包括至少一种如下通式的化合物
Figure A2004800239960011C2
或者其盐或者酯，其中n的平均值为3-30。
19.一种制造制品的方法，所述的方法包括将涂料组合物施加到所述基材表面，所述的涂料组合物包括通式I的化合物：
Figure A2004800239960012C2
其中
Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；
Y等于1或者2；
每一个X独立地是氢、烷基、环烷基、碱金属、铵、烷基或者环烷基取代的铵，或者具有带正电的氮原子的五到七元杂环基团；
R1是氢或者烷基；和
R2包括二价基团，选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或者其组合，任选的二价基团选自羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰氨基或者其组合，其中R2是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代。
20.权利要求19的方法，其中涂料组合物包括至少一种如下通式的化合物
Figure A2004800239960014C1
或者其盐或者酯，其中n的平均值为3-30。
21.一种制造制品的方法，所述的方法包括将涂料组合物施加到所述基材表面，所述的涂料组合物包括：
a)选自氢氟醚、氟化硅烷或者其组合的第一组份，和
b)选自通式I、通式II或者其组合的化合物的第二组份：
Figure A2004800239960014C2
其中
Rf是一价或者二价全氟聚醚基团；
Y等于1或者2；
每一个X独立地是氢、烷基、环烷基、碱金属、铵、烷基或者环烷基取代的铵，或者具有带正电的氮原子的五到七元杂环基团；
R1是氢或者烷基；和
R2包括二价基团，选自亚烷基、亚芳基、杂亚烷基或者其组合，任选的二价基团选自羰基、碳酰氧基、碳酰亚氨基、亚磺酰氨基或者其组合，其中R2是未取代的或者用烷基、芳基、卤素或者其组合取代。
22.权利要求21的方法，其中涂料组合物包括至少一种如下通式的化合物
或者其盐或者酯，其中n的平均值为3-30。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102597116A (zh) * 2009-07-21 2012-07-18 3M创新有限公司 可固化组合物、涂覆底片的方法、以及被涂覆的底片
CN103180353A (zh) * 2010-11-04 2013-06-26 3M创新有限公司 包含含磷酸基团和烷氧基硅烷基团的氟化组合物
CN102333841B (zh) * 2008-12-18 2014-11-26 3M创新有限公司 使含烃地层与氟化磷酸酯和膦酸酯组合物接触的方法
CN106243342A (zh) * 2015-06-03 2016-12-21 信越化学工业株式会社 含有氟代氧化亚烷基的聚合物改性膦酸衍生物及含有其的表面处理剂
CN106243341A (zh) * 2015-06-04 2016-12-21 信越化学工业株式会社 含有氟代氧化亚烷基的聚合物改性膦酸衍生物及包含其的表面处理剂
TWI707862B (zh) * 2015-10-09 2020-10-21 日商信越化學工業股份有限公司 含有氟氧化亞烷基的聚合物改性膦酸衍生物、包含該衍生物的表面處理劑以及使用該表面處理劑的表面處理方法
CN113321799A (zh) * 2021-06-04 2021-08-31 广州优尔材料科技有限公司 全氟聚醚偕二磷酸化合物、表面处理剂及使用方法、物品
CN113549211A (zh) * 2021-06-04 2021-10-26 广州优尔材料科技有限公司 含全氟聚醚的磷酸化合物、表面处理剂及物品

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7189479B2 (en) * 2003-08-21 2007-03-13 3M Innovative Properties Company Phototool coating
WO2005080406A2 (en) * 2003-12-19 2005-09-01 Jerini Ag Compounds for the inhibition of undesired cell proliferation and use thereof
ITMI20051533A1 (it) * 2005-08-04 2007-02-05 Solvay Solexis Spa Usi di composti fluororurati per il trattamento protettivo di superfici in titanio
GB2432836A (en) * 2005-12-01 2007-06-06 3M Innovative Properties Co Fluorinated surfactant
US7824755B2 (en) * 2006-06-29 2010-11-02 3M Innovative Properties Company Fluorinated leveling agents
JP5385146B2 (ja) * 2006-10-20 2014-01-08 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 易洗浄基材のための方法及びそれによる物品
JP5415960B2 (ja) * 2006-12-20 2014-02-12 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ペンダントシリル基を有するフルオロケミカルウレタン化合物
EP2155830A1 (en) * 2007-05-23 2010-02-24 3M Innovative Properties Company Aqueous compositions of fluorinated surfactants and methods of using the same
WO2008154345A1 (en) * 2007-06-06 2008-12-18 3M Innovative Properties Company Fluorinated ether compositions and methods of using the same
US20100173166A1 (en) * 2007-06-06 2010-07-08 Dams Rudolf J Fluorinated compositions and surface treatments made therefrom
WO2008154279A1 (en) * 2007-06-06 2008-12-18 3M Innovative Properties Company Fluorinated compositions and surface treatments made therefrom
US20080315459A1 (en) * 2007-06-21 2008-12-25 3M Innovative Properties Company Articles and methods for replication of microstructures and nanofeatures
US20090114618A1 (en) * 2007-06-21 2009-05-07 3M Innovative Properties Company Method of making hierarchical articles
US20090041986A1 (en) * 2007-06-21 2009-02-12 3M Innovative Properties Company Method of making hierarchical articles
US7891636B2 (en) * 2007-08-27 2011-02-22 3M Innovative Properties Company Silicone mold and use thereof
US8115920B2 (en) * 2007-11-14 2012-02-14 3M Innovative Properties Company Method of making microarrays
US8071277B2 (en) * 2007-12-21 2011-12-06 3M Innovative Properties Company Method and system for fabricating three-dimensional structures with sub-micron and micron features
EP2242818A1 (en) * 2007-12-21 2010-10-27 3M Innovative Properties Company Methods for treating hydrocarbon-bearing formations with fluorinated anionic surfactant compositions
BRPI0819558A2 (pt) * 2007-12-31 2015-05-05 3M Innovative Properties Co "método para aplicação de um material revestidor"
KR20110000664A (ko) * 2008-03-26 2011-01-04 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 둘 이상의 유체를 슬라이드 코팅하는 방법
WO2009120646A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 3M Innovative Properties Company Methods of slide coating fluids containing multi unit polymeric precursors
KR20110000659A (ko) * 2008-03-26 2011-01-04 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 둘 이상의 유체를 슬라이드 코팅하는 방법
BRPI0915955A2 (pt) * 2008-07-18 2019-02-26 3M Innovative Proferties Company compostos fluorados de éter e métodos para uso dos mesmos
CN102282191A (zh) * 2008-11-25 2011-12-14 3M创新有限公司 氟化醚尿烷及其使用方法
WO2010065247A2 (en) 2008-12-05 2010-06-10 3M Innovative Properties Company Three-dimensional articles using nonlinear thermal polymerization
JP5864259B2 (ja) * 2008-12-11 2016-02-17 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー パターン形成方法
CN102317403A (zh) 2008-12-18 2012-01-11 3M创新有限公司 使含烃地层与氟化醚组合物接触的方法
EP2451891B1 (en) 2009-07-09 2015-08-19 3M Innovative Properties Company Methods for treating carbonate hydrocarbon-bearing formations with fluorinated amphoteric compounds
US9051423B2 (en) 2009-09-16 2015-06-09 3M Innovative Properties Company Fluorinated coating and phototools made therewith
US8268067B2 (en) * 2009-10-06 2012-09-18 3M Innovative Properties Company Perfluoropolyether coating composition for hard surfaces
JP6345935B2 (ja) 2010-10-28 2018-06-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 細菌付着を低減するための加工表面
WO2012061457A2 (en) 2010-11-02 2012-05-10 3M Innovative Properties Company Siloxane graft co-polymers for mold release
FR2969663B1 (fr) * 2010-12-23 2013-01-18 Surfactis Technologies Composition hydrophobe et lipophobe de molecules bisphosphoniques et thiols
EP2500009A1 (en) 2011-03-17 2012-09-19 3M Innovative Properties Company Dental ceramic article, process of production and use thereof
CN105229163B (zh) 2013-05-21 2023-03-17 3M创新有限公司 纳米结构化孢子载体
WO2015061065A1 (en) 2013-10-24 2015-04-30 3M Innovative Properties Company Retroreflective articles with anti-staining properties
US10093822B2 (en) 2014-08-19 2018-10-09 3M Innovative Properties Company Amphiphilic polymers, coating compositions, and methods
EP3233942B1 (en) 2014-12-18 2020-04-01 3M Innovative Properties Company Fluorinated polymers comprising phosphonic moieties
US10534120B2 (en) 2015-04-03 2020-01-14 Moxtek, Inc. Wire grid polarizer with protected wires
GB201609437D0 (en) 2016-05-27 2016-07-13 Sphere Fluidics Ltd Surfactants
KR20190023095A (ko) 2016-06-29 2019-03-07 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 중합성 이온 액체 조성물
GB201719846D0 (en) * 2017-11-29 2018-01-10 Sphere Fluidics Ltd Surfactant
KR20220164112A (ko) 2021-06-03 2022-12-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP7365086B1 (ja) * 2023-04-04 2023-10-19 株式会社ハーベス パーフルオロポリエーテル基含有ホスホネート化合物、表面処理剤、及び該表面処理剤で処理された物品

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA761007A (en) 1967-06-13 E. Le Bleu Ronald Polyfluoropolyoxa-alkyl phosphates
US3274244A (en) * 1963-06-14 1966-09-20 Du Pont Polyfluoropolyoxa-alkanamidoalkyl compounds
US3492374A (en) * 1963-06-14 1970-01-27 Du Pont Polyfluoropolyoxa-alkyl phosphates
US3306855A (en) * 1966-03-24 1967-02-28 Du Pont Corrosion and rust inhibited poly (hexafluoropropylene oxide) oil compositions
US3810874A (en) * 1969-03-10 1974-05-14 Minnesota Mining & Mfg Polymers prepared from poly(perfluoro-alkylene oxide) compounds
US3734687A (en) * 1969-04-04 1973-05-22 Fmc Corp A fabric finished with a fluorinated quarternized halomethyl ether
US3646085A (en) * 1970-09-24 1972-02-29 Du Pont Perfluoroalkyletheramidoalkyltrialkoxysilanes
US3901727A (en) * 1971-03-08 1975-08-26 Minnesota Mining & Mfg Process and composition for cleaning and imparting water and oil repellency and stain resistance to a substrate
US3950588A (en) * 1974-11-01 1976-04-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coating of silanol-reactive surfaces with di-silyl poly(perfluorooxyalkylenes)
JPS60190727A (ja) * 1984-03-09 1985-09-28 Daikin Ind Ltd 含フツ素有機シラン化合物およびその製法と用途
EP0321607B1 (en) * 1987-12-21 1993-09-22 Union Carbide Corporation Supercritical fluids as diluents in liquid spray application of coatings
JPH01268696A (ja) * 1988-04-19 1989-10-26 Daikin Ind Ltd 含フッ素リン酸エステル及びその製法並びに含フッ素防錆剤
US5108799A (en) * 1988-07-14 1992-04-28 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Liquid spray application of coatings with supercritical fluids as diluents and spraying from an orifice
US5066522A (en) * 1988-07-14 1991-11-19 Union Carbide Chemicals And Plastics Technology Corporation Supercritical fluids as diluents in liquid spray applications of adhesives
US5106650A (en) * 1988-07-14 1992-04-21 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Electrostatic liquid spray application of coating with supercritical fluids as diluents and spraying from an orifice
US5032279A (en) * 1989-09-21 1991-07-16 Occidental Chemical Corporation Separation of fluids using polyimidesiloxane membrane
AU632869B2 (en) * 1989-12-14 1993-01-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Fluorocarbon-based coating compositions and articles derived therefrom
CA2039667C (en) * 1990-04-07 2001-10-02 Tetsuya Masutani Leather treatment composition and process for treating leather
US5227008A (en) * 1992-01-23 1993-07-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method for making flexible circuits
IT1256721B (it) 1992-12-16 1995-12-15 Ausimont Spa Processo per impartire oleo- ed idro-repellenza alla superficie di materiali ceramici porosi
US5274159A (en) * 1993-02-18 1993-12-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Destructable fluorinated alkoxysilane surfactants and repellent coatings derived therefrom
US5550277A (en) * 1995-01-19 1996-08-27 Paciorek; Kazimiera J. L. Perfluoroalkyl and perfluoroalkylether substituted aromatic phosphates, phosphonates and related compositions
JP3820614B2 (ja) 1996-02-09 2006-09-13 住友化学株式会社 シラン化合物被膜の形成方法
JP3365470B2 (ja) * 1996-07-31 2003-01-14 エヌオーケー株式会社 フッ素ベース磁性流体
AU6461998A (en) 1997-03-14 1998-09-29 Minnesota Mining And Manufacturing Company Cure-on-demand, moisture-curable compositions having reactive silane functionality
US5851674A (en) * 1997-07-30 1998-12-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Antisoiling coatings for antireflective surfaces and methods of preparation
US6127000A (en) * 1997-10-10 2000-10-03 North Carolina State University Method and compositions for protecting civil infrastructure
US6277485B1 (en) 1998-01-27 2001-08-21 3M Innovative Properties Company Antisoiling coatings for antireflective surfaces and methods of preparation
JP4652567B2 (ja) * 1998-01-27 2011-03-16 スリーエム カンパニー フルオロケミカルベンゾトリアゾール
US6184187B1 (en) * 1998-04-07 2001-02-06 E. I. Dupont De Nemours And Company Phosphorus compounds and their use as corrosion inhibitors for perfluoropolyethers
TW591097B (en) * 1998-12-10 2004-06-11 Toray Industries Optical articles and the preparation of optical articles
US6177357B1 (en) * 1999-04-30 2001-01-23 3M Innovative Properties Company Method for making flexible circuits
US6403211B1 (en) * 2000-07-18 2002-06-11 3M Innovative Properties Company Liquid crystal polymer for flexible circuits
ITMI20010114A1 (it) * 2001-01-23 2002-07-23 Ausimont Spa Processo per ottenere miscele di mono- e biesteri fosforici
JP4409122B2 (ja) 2001-07-18 2010-02-03 Ｎｏｋクリューバー株式会社 軸受用グリース組成物
US6824882B2 (en) * 2002-05-31 2004-11-30 3M Innovative Properties Company Fluorinated phosphonic acids
US7189479B2 (en) * 2003-08-21 2007-03-13 3M Innovative Properties Company Phototool coating

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102333841B (zh) * 2008-12-18 2014-11-26 3M创新有限公司 使含烃地层与氟化磷酸酯和膦酸酯组合物接触的方法
CN102597116B (zh) * 2009-07-21 2013-12-11 3M创新有限公司 可固化组合物、涂覆底片的方法、以及被涂覆的底片
CN102597116A (zh) * 2009-07-21 2012-07-18 3M创新有限公司 可固化组合物、涂覆底片的方法、以及被涂覆的底片
CN103180353A (zh) * 2010-11-04 2013-06-26 3M创新有限公司 包含含磷酸基团和烷氧基硅烷基团的氟化组合物
CN103180353B (zh) * 2010-11-04 2016-02-17 3M创新有限公司 包含含磷酸基团和烷氧基硅烷基团的氟化组合物
CN106243342B (zh) * 2015-06-03 2020-09-15 信越化学工业株式会社 含有氟代氧化亚烷基的聚合物改性膦酸衍生物及含有其的表面处理剂
CN106243342A (zh) * 2015-06-03 2016-12-21 信越化学工业株式会社 含有氟代氧化亚烷基的聚合物改性膦酸衍生物及含有其的表面处理剂
CN106243341A (zh) * 2015-06-04 2016-12-21 信越化学工业株式会社 含有氟代氧化亚烷基的聚合物改性膦酸衍生物及包含其的表面处理剂
CN106243341B (zh) * 2015-06-04 2020-09-15 信越化学工业株式会社 含有氟代氧化亚烷基的聚合物改性膦酸衍生物及包含其的表面处理剂
TWI705087B (zh) * 2015-06-04 2020-09-21 日商信越化學工業股份有限公司 含有氟氧化亞烷基的聚合物改性膦酸衍生物、包括該衍生物的表面處理劑、用該表面處理劑進行處理的物品以及用該表面處理劑進行處理的光學物品
TWI707862B (zh) * 2015-10-09 2020-10-21 日商信越化學工業股份有限公司 含有氟氧化亞烷基的聚合物改性膦酸衍生物、包含該衍生物的表面處理劑以及使用該表面處理劑的表面處理方法
CN113321799A (zh) * 2021-06-04 2021-08-31 广州优尔材料科技有限公司 全氟聚醚偕二磷酸化合物、表面处理剂及使用方法、物品
CN113549211A (zh) * 2021-06-04 2021-10-26 广州优尔材料科技有限公司 含全氟聚醚的磷酸化合物、表面处理剂及物品
CN113321799B (zh) * 2021-06-04 2023-10-24 广州优尔材料科技有限公司 全氟聚醚偕二磷酸化合物、表面处理剂及使用方法、物品
CN113549211B (zh) * 2021-06-04 2024-01-26 广州优尔材料科技有限公司 含全氟聚醚的磷酸化合物、表面处理剂及物品

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