CN1821878B - 含有树脂掺合物的光刻胶组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明提供含有光敏组分和至少两种不同的树脂的掺合物的新的正性光刻胶组合物，所述至少两种不同的树脂为：i)含有杂取代(尤其是羟基或巯基)的碳环芳基单元的第一树脂，和ii)第二交联的树脂。本发明优选的光刻胶可以用短波(例如小于200纳米，特别是193纳米)成像。

Description

含有树脂掺合物的光刻胶组合物
技术领域
本发明涉及一种新的化学增幅型(chemically-ampilified)正性光刻胶(positivephotoresist)组合物，它含有光敏组分(photoactive component)和至少两种不同的树脂的掺合物(blend)，这些树脂为：i)含有杂取代(尤其是羟基或巯基)的碳环芳基单元的第一树脂，和ii)第二交联树脂。本发明优选的光刻胶可以用短波(例如小于200纳米(sub-200nm)，特别是193纳米)成像。
背景技术
光刻胶是用来将图像转移到基材的光敏薄膜。在基材上形成光刻胶涂层，然后将光刻胶层透过光掩模曝光在活化辐射源中。该光掩模具有对活化辐射不透明的区域和对活化辐射透明的其它区域。曝光于活化辐射提供了光刻胶涂层的光诱导化学转化，从而将掩模上的图案转移到涂有光刻胶的基材上。曝光之后，将所述光刻胶显影以提供允许选择性处理基材的立体图案。参见
Deforest，“光刻胶材料和工艺”(Photoresist Materials and Processes，McGraw Hill Book Company，纽约，第2章，1975年)和Moreau的“半导体平板印刷术的原则、实施和材料”(Semiconductor Lithography，Principles，Practices andMaterials)，Plenum Press，纽约，第2和4章)。
人们对能够用短波辐射(包括曝光于小于200纳米，例如约193纳米的波长的辐射)光致成像(photoimage)的光刻胶的兴趣已经提高。使用这样的短曝光波长能形成较小的部件(feature)。因此，在193纳米曝光下产生良好分辨率的图像的光刻胶能形成极小(例如小于0.25微米)的部件，该极小的部件符合对于较小尺寸电路图案的持续工业需求，例如提供更大的电路密度和提高的器件性能。
新的光刻胶组分，例如树脂和光致酸产生剂已经被研究用来改善平版印刷的性能。参见，例如美国专利公开2002/0012869和2004/0038150，二者都公开了很有用的光刻胶。
然而，仍然继续努力来改善光刻胶的平版印刷性能，包括用于高性能的应用(例如具有小于0.2或0.1微米尺寸的印刷部件)。在这样的高性能应用中，可能出现问题，例如显影的光刻胶图像的非所需的线边缘粗糙度和有限的聚焦深度问题等。参见例如美国专利公开2004/0053511。
因此希望有新的光刻胶组合物。尤其希望有能在高性能应用(例如形成具有约0.2微米或更小尺寸的成像的光刻胶部件)中提供良好分辨率的光刻胶组合物。
发明内容
本发明涉及新的化学增幅型正性光刻胶组合物，它含有光敏组分和至少两种不同树脂的掺合物，这些树脂为：i)含有杂取代的碳环芳基单元的第一树脂，和ii)第二交联的树脂。
我们惊奇地发现本发明优选的光刻胶能显示出显著改进的平版印刷效果，包括减小的线边缘粗糙度。参见，例如下文的实施例16所给出的结果。
较佳地，本发明的第一和第二树脂中的一个或两者至少基本上不含有除杂取代的碳环芳基以外的芳基。本发明的光刻胶优选在小于200纳米，尤其是193纳米下成像。
本发明优选的第一树脂掺合物和光刻胶含有羟基取代的碳环芳基，尤其是羟基萘基。本发明优选的第二树脂掺合物和光刻胶是交联的，例如通过聚合物链的直接连接，或通过使用能连接多个聚合物位点(site)或链的单独的交联成分(component)。
本发明的树脂可适当地含有其它的重复单元，尤其是非芳族单元，例如由丙烯酸酯或任选取代的环烯烃(尤其是碳脂环族基团或杂脂环族基团)的聚合所提供的单元，例如聚合的任选取代的降冰片烯。较佳地，对于用于正性作用光刻胶的树脂，第一和第二树脂中的至少一种可含有一个或多个光酸不稳定(photoacid-labile)的部分，例如光酸不稳定的酯或缩醛部分。特别优选的树脂基本不含除羟基萘基或其它杂取代的碳环芳基之外的任何芳基部分。
其它优选的聚合物单元可以通过酸酐(例如马来酸酐或衣康酸酐)、或内酯(例如γ-丁内酯)的聚合来提供，例如可通过适当的丙烯酸酯(例如丙烯酰氧-降冰片烯-丁内酯等)的聚合来提供。
本发明的光刻胶含有光敏组分，该光敏组分可含有一种或多种光酸产生剂化合物(photoacid generator compound，PAG)。用于本发明的光刻胶的优选的PAG包括鎓盐化合物，包括碘鎓和锍化合物；和非离子性的PAG，例如亚氨磺酸盐化合物、N-磺酰氧酰亚胺化合物；重氮磺酰化合物和其它的砜PAG，包括α，α-亚甲基二砜、二砜肼和二磺酰基铵盐；硝基苄基化合物、卤化的尤其是氟化的非离子性的PAG。
本发明还包括形成立体(relief)图案的方法，包括形成高分辨的立体图案的方法，所述高分辨的立体图案例如线条图案(密集的或隔离的)，其中各条线具有垂直或基本垂直的侧壁(sidewall)，且线宽为约0.40微米或更小，或甚至为约0.25、0.20、0.15或0.10微米或更小。在这些方法中，较佳地，将本发明的光刻胶涂层用短波辐射成像，尤其是用小于200纳米的辐射，特别是193纳米的辐射来成像。本发明还包括含有基材的制品，例如其上涂覆有本发明的光刻胶和立体图案的微电子晶片。本发明还提供制造这些制品的方法。另一方面，本发明还提供本文所揭示的树脂的掺合物。
下文将讨论本发明的其它发面。
附图说明
图1A和1B示出了下文的实施例16中显影的光刻胶图像的扫描电子显微照片(SEM)。
具体实施方式
如上所述，我们现在提供新的正性光刻胶组合物，它含有1)光敏组分；和2)树脂组分，所述树脂组分含有：i)含有杂取代的碳环芳基单元的第一树脂，和ii)不同于第一树脂的第二树脂，该第二树脂含有交联的基团或聚合物链或片段。较佳地，第一和第二树脂中的两者都至少一个基本不含有除杂取代的碳环芳基以外的芳基。
第一树脂掺合物部分：
如上所述，本发明的掺合物和光刻胶的第一树脂含有杂取代(尤其是羟基和巯基)的碳环芳基部分，例如羟基萘基。
本文提到的杂取代的碳环芳基指的是具有一个或多个，通常为一、二或三个含有杂原子，尤其是含氧或硫的环取代基的碳环基团。即，本文提到的“杂取代的”指含有一个或多个杂原子，尤其是一个或两个氧和/或硫原子的部分，该部分是碳环芳基的环取代基。
本文所提到的羟基萘基或其它类似的术语指的是具有至少一个羟基环取代基的萘基。尽管通常优选该萘基仅含有一个羟基取代基，该萘基可适当地具有不止一个羟基，例如两个或三个羟基环取代基。
用于结合到树脂中的优选的取代的碳环芳基单元是被一个或多个选自下组的基团取代的萘基：羟基(-OH)、巯基(-SH)、醇(例如羟基C1-6烷基)、巯基烷基(例如HSC1-6烷基)、烷酰基(例如C1-6烷酰基，例如甲酰基或酰基)、烷基硫醚(例如C1-6烷基硫醚)、羧酸酯(包括C1-12酯)、烷基醚(包括C1-8醚)等。较佳地，含有杂取代基的至少一个杂原子具有氢取代(例如羟基优于烷氧基)。还优选该杂基团具有直接连接到碳环上的杂原子(例如羟基或巯基环取代基)，或杂原子是活泼碳的取代基，例如-CH2OH或-CH2SH环取代基，或其它伯羟基或巯基烷基。
树脂可适当地含有相对大范围的量的羟基萘基单元或其它杂取代的碳环芳基。增强的平版印刷效果可以通过使用含有极少量的羟基萘基单元的树脂来实现。例如，以树脂的总单元计，树脂可适当地含有小于约50或40摩尔百分比的杂取代的碳环芳基单元，或以树脂的总单元计，含有甚至小于约30、20、15或10摩尔百分比的杂取代的碳环芳基单元。实际上，以树脂的总单元计，树脂可含有约0.5、1、2、3、4、5、6、7或8摩尔百分比的羟基萘基单元。通常，以树脂的总单元计，树脂要含有至少约1、2、3、4或5摩尔百分比的杂取代的碳环芳基单元，例如羟基萘基单元。通常优选的树脂是以树脂的总单元计，含有至少或高达10、20、30、40或45摩尔百分比的杂取代的碳环芳基单元，例如羟基萘基单元的树脂。
如上所述，本发明的树脂除杂取代的碳环芳基单元外，还可包括各种其它单元。优选的其它单元包括聚合的丙烯酸酯和环烯烃基团。
优选的聚合的环烯烃基团包括：含有或者侧挂或者通常优选融合(fuse)到树脂主链中的碳脂环族或杂脂环族基团的那些基团。
融合到聚合物主链的这种优选的碳环基团(即所有环成员都为碳的基团)具有至少两个构成聚合物主链的碳脂环族环成员(通常为两个相邻的碳环原子)。优选的融合的碳脂环族基团是由环烯烃(环内双键)化合物聚合提供的，例如任选取代的降冰片烯基团。其它适合的碳环脂环族基团可通过乙烯基金刚烷基或异冰片基团等的聚合来提供。
这些融合到树脂主链的优选的杂脂环族基团(即非芳族的，且具有至少一个环N、O或S原子，优选一个或两个O或S原子)至少含有两个杂脂环族环原子(通常为两个相邻的环原子)作为树脂主链的一部分。可以聚合形成本发明的第一树脂的适合的杂脂环族单体在下文中描述。这些杂脂环族基团还在授予Barclay等人的美国专利6,680,159中出现过。
第二树脂掺合物部分：
本发明的掺合物和光刻胶的第二树脂含有一个或多个提供聚合物链或位点之间的交联的官能团。例如，本发明的聚合物可包括一种或多种交联形式的醇、醛、酯、链烯基、酮、胺、硫醇、硫醚等基团，以使聚合物链之间交联。本领域的技术人员应该很清楚那些交联形式的基团。例如，羟基可作为醚、酯等存在。硫醚(sulfide)可作为硫醚(thioether)存在。胺可以作为更高级的胺(例如叔胺)存在。
因此，当将第二树脂配制到光刻胶组合物中时，它是交联的形式，即两个延伸的聚合物链(例如，至少大于30、40或50个重复单元，更通常的是大于100、200或300个重复单元)直接连接或通过键合(例如1、2-约5、10、15、20、25、30个原子或更多原子的键合)在两条链之间形成共价键合(linkage)
可通过直接连接两个聚合物位点或链或通过使用单独的能连接多个聚合物位点或链的交联成分来得到交联。
例如，适当的交联成分包括同或异双官能团交联剂，例如不饱和的化合物，(例如醛和其它羰基化合物)，和含有一个或多个碳-碳双键的化合物。更具体地，优选的交联剂成分包括乙烯基醚和双马来酰亚胺化合物。特别优选的是乙烯基醚交联剂，例如1，4-丁烷二乙烯基醚、1，6-己烷二乙烯基醚、1，4-环己烷二甲醇二乙烯基醚、双-乙烯基醚-乙烷醚等。这些乙烯基醚适合用来连接具有羟基或羰基部分的聚合物，例如含有酚单元的聚合物。
本发明的掺合物的第二树脂可含有除交联的基团和酸不稳定基团以外的单元。例如，本发明的掺合物的第二树脂可含有对交联具有活性的单元，这些单元虽然存在但都不与其它聚合物链键合。此外，本发明的聚合物可含有金刚烷基或其它脂环族基团通过(环烯烃(降冰片烯化合物)或如丙烯酸金刚酯之类的脂环族丙烯酸酯反应提供的基团)、酸单元(例如通过丙烯酸、甲基丙烯酸等的反应提供的单元)。其它优选的聚合物单元包括腈单元，例如通过丙烯腈或甲基丙烯腈的反应提供的单元，或通过具有聚合的氰基取代的脂环族基团，例如聚合的具有氰基取代的金刚烷基环的丙烯酸金刚酯。
树脂组分(第一和第二树脂)：
如上所述，优选第一和第二树脂中至少一种含有光酸不稳定的基团，例如光酸不稳定的酯或缩醛基团，其可在光刻胶涂层的曝光和未曝光区域之间提供足够的溶解性差异。例如，树脂可适当地含有聚合的丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、丙烯酸甲基金刚酯和/或甲基丙烯酸甲基金刚酯单元等。除非特别说明，本文所提到的丙烯酸酯基团或化合物包括取代的丙烯酸酯化合物，例如甲基丙烯酸酯化合物。
对于第一和第二树脂，优选的聚合的丙烯酸酯基团可包括脂环族基团。本文所提到的术语树脂的“脂环族离去基团”指的是以下基团：共价连接到聚合物的脂环族基团，和当将这样的聚合物配制到含有聚合物和光敏组分(尤其是一种或多种光酸产生剂)的光刻胶中时，在暴露于将光刻胶涂层曝光于活化辐射(例如193纳米)所产生的酸时，通常用曝光后热处理(例如90℃、100℃或110℃处理0.5、1分钟或更多分钟)，该脂环族基团能从或从聚合物上断裂(即连接到聚合物的共价键断裂)。
丙烯酸脂环族酯化合物含有乙烯基酯，其中酯部分是脂环族基团，例如甲基金刚烷基等。所述乙烯基宜为被取代的，尤其是在α-乙烯基碳上被例如C1-8烷基取代的乙烯基，从而包括甲基丙烯酸酯。
为了用在正性作用的光刻胶中，含有光酸不稳定的酯基团的第一和第二树脂通常优选例如叔丁酯或含有叔脂环族基团的酯。这些光酸不稳定的酯可直接悬挂在碳脂环、杂脂环或其它聚合物单元(例如其中光酸不稳定基团的通式为-C(＝O)OR，其中R是叔丁基或其它非环状烷基或叔脂环基团、并直接连接到聚合物单元上)上，或酯部分可与杂脂环或碳脂环聚合物单元分开，例如通过任选的烯键(例如-(CH2)1-8C(＝O)OR，其中R是叔丁基或其它非环状烷基或叔脂环基团)。
优选的叔脂环烃酯光酸不稳定部分是多环基团，例如金刚烷基、乙基葑基或三环癸基部分。本文所提到的“叔脂环酯基”或其它类似的术语指的是叔脂环碳共价连接到酯的氧上，即-C(＝O)O-TR’，其中T是脂环基团R’的叔环碳。至少在很多情况下，较佳地，脂环部分的叔环碳将共价连接到酯的氧上，例如下面具体描述的优选的聚合物。然而，连接到酯的氧上的叔碳也可在脂环的环外，通常脂环是环外叔碳的一个取代基。通常，连接到酯的氧上的叔碳将被脂环本身、和/或一个、两个或三个具有1-约12个碳，更通常为1-约8个碳，甚至更通常为1、2、3或4个碳的烷基取代。该脂环基团还优选不含有芳族取代。该脂环基团宜为单环或多环，尤其是双环或三环基团。
本发明的聚合物的光酸不稳定的酯基团优选的脂环部分(例如-C(＝O)O-TR’的TR’基团)具有相当大的体积。已经发现这样的大体积脂环基团当用于本发明的共聚物时，能提供提高的分辨率。
更具体地，优选的光酸不稳定的酯基团的脂环基团的分子体积至少约125或约130立方埃，更优选分子体积至少约135、140、150、155、160、165、170、175、180、185、190、195或200立方埃。至少在一些应用中，不优选大于约220或250立方埃的脂环基团。本文所提到的分子体积指的是用标准的计算机模型测定的体积大小，该体积大小提供最优化的化学键长和键角。本文所提到的优选的测定分子体积的计算机程序是Alchemy2000，获自Tripos。对于基于计算机的分子大小测定的进一步讨论，参见T Omote等人的“用于高等技术的聚合物(Polymers for Advanced Technologies)”，第4卷，277-287页。
特别优选的光酸不稳定单元的叔脂环基团包括以下基团：其中波浪线表示连到酯基的羰基氧上的键，R是适当地任选取代的烷基，尤其是C1-8烷基，例如甲基、乙基等。
用于本发明的光刻胶的第一和第二树脂还可包括不同的光酸不稳定基团，即所述聚合物可含有两个或多个具有不同的酯部分取代的酯基，例如具有脂环部分的一种酯和具有非环部分(例如叔丁基)的另一种酯，或所述聚合物可同时含有酯和其它的光酸不稳定的官能团，例如缩醛、缩酮和/或醚。
在任何情况下，对于用于本发明的正性作用光刻胶，本发明的聚合物优选含有一个或多个重复单元，所述重复单元含有光酸不稳定基团。在第一树脂的情况下，优选的光酸不稳定基团是除杂取代的碳环芳基以外的聚合物单元部分。
如上所述，本发明的掺合物的第一和第二树脂还含有内酯单元，例如是聚合的丙烯酸酯一部分的内酯或从其它不饱和分子聚合得到的其它内酯。含有α-丁内酯的聚合物单元是适合的。
同样，如上所述，对于第一和第二树脂，还适合的是含有氰基部分的重复单元，例如由丙烯腈或甲基丙烯腈的聚合提供的单元，或由具有氰基取代的其它基团提供的单元，例如含有氰基部分的丙烯酸酯基团，尤其是丙烯酸氰基金刚酯(其中氰基是金刚烷基环的取代基)。
本发明的掺合物优选的第一和第二树脂可含有2、3、4或5种不同的重复单元，即优选共聚物、三元共聚物、四元共聚物和五元共聚物。适当地，多种树脂重复单元中的一种含有本文所揭示的脂环基团。
如上所述，本发明的掺合物的树脂优选用于在193纳米下成像的光刻胶中，且适合至少基本不含除了杂取代的碳环芳基单元之外的任何苯基或其它芳基。例如，这些优选的树脂，第一和第二树脂含有少于约5摩尔百分比的除杂取代的碳环芳基单元(例如羟基萘基)之外的芳基，更优选含有小于约2、1、或0.5摩尔百分比的除杂取代的碳环芳基单元(例如羟基萘基)之外的芳基。
本发明的掺合物的第一和第二树脂可在分子量上适当地变化，例如重均分子量(Mw)可为约800或1,000到约100,000，更优选约2,000-30,000，更优选约2,000-15,000或20,000，分子量分布(Mw/Mn)为约3或更小，更优选分子量分布为约2或更小。本发明的聚合物的分子量(Mw或Mn)适合用凝胶渗透色谱法来测定。
本发明的掺合物或光刻胶组合物中的第一和第二树脂的相对含量可以适当地变化。例如，第一和第二树脂可适当地以10比90到90比10的相对重量比，更通常30比70到70比30的相对重量比以存在。还适合第一树脂：第二树脂的重量比为40∶60到60∶40。至少对于某些光刻胶配方，优选使用重量超过第二树脂的第一树脂。
如上所述，包含在树脂单元中的各种基团可任选地被取代。适合的任选被取代的基团可在一个或多个可用位置被一个或多个适当的基团，例如卤素(尤其是F、Cl或Br)、C1-8烷基、C1-8烷氧基、C2-8链烯基(C2-8链烯基)或炔基、芳基(例如苯基)、烷酰基(例如酰基的C1-6烷酰基等)等取代。通常，取代的部分在总共一个、两个或三个可用位置被取代。
掺合物树脂的合成
本发明的掺合物和光刻胶的树脂可通过各种方法来制备。一种适合的方法是可包括自由基聚合的加成反应，例如在自由基引发剂的存在下于惰性气氛(例如N2或氩气)和升高的温度(例如约70℃或更高)中，通过所选的单体的反应来提供上述的各种单元，当然反应温度可以根据所使用的具体反应物的活性和反应溶剂的沸点(如果使用溶剂的话)而变化。适合的反应溶剂包括例如四氢呋喃或更适合的卤代溶剂，例如氟代的溶剂或氯代的溶剂等。基于本文所公开的内容，对于任何具体体系的适合的反应温度可以由本领域技术人员凭经验可很容易地确定。可以使用各种自由基引发剂。例如可以使用偶氮的化合物，例如偶氮-二-2，4-二甲基己腈(pentanenitrile)。还可使用过氧化物、过醚、过酸和过硫酸盐。
下面的实施例给出优选的树脂合成。
关于掺合物的第一树脂，具有乙烯基取代的杂取代的碳环芳基单元是优选的形成本发明的第一树脂的反应物。
本领域的技术人员可确定可以反应以提供本发明的聚合物的其它单体。例如，为了提供光酸不稳定单元，适合的单体包括例如在酯基的羰基氧上含有适当的取代基团(例如叔脂环、叔丁基等)的甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯。用来合成用于本发明树脂的聚合物的适合的具有叔脂环基团的丙烯酸酯单体还在授予Barclay等人的美国专利6,306,554中揭示过。马来酸酐是优选用于提供稠合的酸酐聚合物单元的反应物。乙烯基内酯也是优选的反应物，例如α-丁内酯。
一些适合聚合以提供本发明的掺合物的第一和第二树脂的乙烯基(环内双键)杂环单体包括以下单体：
Figure S06105454320060217D000101
一些能聚合形成本发明的掺合物和光刻胶的第一树脂的特别适合的基团包括以下基团：
Figure S06105454320060217D000102
                       2-甲基-丙烯酸2-氧代-
2-甲基-丙烯酸2-甲基-金                      6-羟基-2-乙烯    2-甲基-丙烯酸5-氰基-双环
                       四氢呋喃-3-基酯
刚烷-2-基酯(MAMA)                           基-萘(HVN)       [2.2.1]庚-2-基酯(CNNMA)
                       (α-GBLMA)
一些能聚合形成本发明的掺合物和光刻胶的第二树脂的特别适合的基团包括以下基团：
                       2-甲基-丙烯酸2-氧代-
2-甲基-丙烯酸2-甲基-金                       2-甲基-丙烯酸5-氰基-双环
                       四氢呋喃-3-基酯
刚烷-2-基酯(MAMA)                            [2.2.1]庚-2-基酯(CNNMA)
                       (α-GBLMA)
Figure S06105454320060217D000111
2-甲基-丙烯酸1-{4-[1-(2-甲基-丙烯酰氧基)-乙氧基]-丁氧基}乙酯(BDADMA)
光刻胶组合物：
用于化学增幅的正性作用光刻胶配方的本发明的树脂掺合物优选含有足够量的光致的酸不稳定基团，以形成所需的光刻胶立体图案。例如，这些酸不稳定基团的适合的量至少为聚合物总单元的1摩尔百分比，更优选约2-7摩尔百分比，更优选为聚合物总单元的约3-30、40、50或60摩尔百分比。
本发明的光刻胶通常含有光敏组分和构成上述树脂掺合物的树脂粘合剂组分。
可使用足够量的该树脂组分以提供可用碱性显影剂的水溶液显影的光刻胶涂层。
本发明的光刻胶组合物还含有光酸产生剂(即“PAG”)，适当地使用足够量的光酸产生剂以在曝光于活化辐射时，在光刻胶的涂层中产生潜影图像(latent image)。在193纳米和248纳米下成像的优选的PAG包括亚氨磺酸盐，例如以下通式的化合物：
其中R是樟脑、金刚烷、烷基(例如C1-12烷基)和全氟烷基，例如全氟(C1-12烷基)，尤其是全氟辛磺酸酯、全氟壬磺酸酯等。特别优选的PAG是N-[(全氟辛磺酰基)氧]-5-降冰片烯-2，3-二羧酰亚胺。
磺酸盐化合物也是适合的PAG，尤其是磺酸盐。两种适合在193和248纳米下成像的试剂是以下的PAG1和2：
                  1                 2
这些磺酸盐化合物可以按照欧洲专利申请96118111.2(公开号0783136)所揭示的方法制备，该专利详细描述了上面的PAG1的合成。
与除了上述樟脑磺酸盐基团的阴离子复合(complex)的以上两种碘鎓化合物也是适合的。特别地，优选的阴离子包括通式为RSO3-的那些阴离子，其中R是金刚烷、烷基(例如C1-12烷基)和全氟烷基，例如全氟(C1-12烷基)，尤其是全氟辛磺酸盐、全氟壬磺酸盐等。
还优选的是与例如上述的磺酸根阴离子(尤其是全氟烷基磺酸盐，例如全氟烷基丁磺酸盐)复合的三苯基锍PAG。
其它已知的PAG也可用于本发明的光刻胶中。尤其在用于193纳米成像时，通常优选不含芳基的PAG(例如上面提到的亚氨磺酸盐)，以提供增强的透明度。
本发明的光刻胶的优选的任选添加剂是加成碱，尤其是四丁基铵氢氧化物(TBAH)或四丁基铵乳酸盐，它可增强显影的光刻胶立体图案的分辨率。对于在193纳米成像的光刻胶，优选的加成碱(added base)是四丁基铵氢氧化物和各种其它胺(例如三异丙醇、偶氮双环十一碳烯或偶氮双环壬烯)的乳酸盐。上述加成碱适合以相对较小的量使用，例如相对于总固体为约0.03-5重量％的量。
本发明的光刻胶还可含有其它任选的材料。例如，其它任选的添加剂包括抗条纹剂(anti-striation agent)、增塑剂、加速剂等。这样的任选的添加剂在光刻胶组合物中以较小的浓度存在，而填料和染料可以占相对大的浓度，例如占光刻胶干燥组分总重量的约5-30重量％。
本发明的光刻胶能由本领域技术人员容易地制备。例如，本发明的光刻胶组合物能通过在合适的溶剂中溶解该光刻胶组分来制备，例如，适合的溶剂如2-庚酮、环己酮、乳酸乙酯、乙二醇单甲基醚、乙二醇单甲基醚乙酸酯、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯和丙酸3-乙氧基乙酯。典型地，该组合物的固体含量占光刻胶组合物总重量的约5-35重量％。树脂和光敏组分应该有足够的量以提供膜涂层以及形成良好质量的潜像和立体图案。
根据通常已知的工序使用本发明的组合物。本发明的液体涂料组合物通过例如旋涂、浸渍、辊涂或其它传统的涂覆技术施涂到基材上。当旋涂时，基于所采用的具体旋涂设备、溶液粘度、转子速度以及旋涂时间调节该涂料溶液的固体含量以提供所需要的膜厚度。
本发明的光刻胶组合物适合施涂到基材上，所述基材通常用于涉及用光刻胶进行涂覆的工艺中。例如，该组合物可以施涂到用于生产微处理器或其它集成电路元件的硅晶片或涂覆有二氧化硅的硅晶片上。还可以使用铝-氧化铝、砷化镓、陶瓷、石英、铜、玻璃基材等。
在将光刻胶施涂到表面上之后，通过加热进行干燥以除去溶剂直至优选地该光刻胶涂层无粘性(tack free)。其后，用常规方式通过掩模成像。所述曝光足以有效活化光刻胶体系的光敏成分，从而在光刻胶涂层中产生图案化的图像，更具体地，曝光能量的范围一般从约1-100毫焦/平方厘米(mJ/cm2)，这取决于曝光工具和光刻胶组合物的组分。
如上所述，本发明的光刻胶组合物的涂层优选被短曝光波长光活化，尤其是小于300纳米或小于200纳米的曝光波长。如上所述，193纳米是优选的曝光波长。
曝光之后，组合物的薄膜层优选在约70至约160℃温度范围内烘烤。然后，显影该薄膜。已曝光的光刻胶薄膜由于使用了极性显影液(优选水性基显影液，如氢氧化季铵溶液例如氢氧化四烷基铵溶液；各种胺溶液，优选0.26当量浓度的氢氧化四甲基铵，例如乙胺、正丙胺、二乙基胺、二正丙基胺、三乙胺或甲基二乙基胺；醇胺，例如二乙醇胺或三乙醇胺；环状胺，例如吡咯、吡啶等)而显示出正性。一般，显影过程依照本领域已知的工序进行。
显影基材上的光刻胶涂层之后，可以在那些没有光刻胶的部分上选择性地加工已显影的基材，例如依照本领域已知工艺通过化学蚀刻或电镀没有光刻胶的基材区域。为了制造微电子基片，例如，制造二氧化硅晶片，合适的蚀刻剂包括气体蚀刻剂，例如作为等离子流施加的卤素等离子蚀刻剂，例如氯或氟基蚀刻剂如Cl2或CF4/CHF3蚀刻剂。这样加工后，使用已知剥离工序可以将光刻胶从加工过的基材上剥离。
这里提到的所有文献全部作为参考引入。下面的非限制性的实施例用来说明本发明。
总说明：
以下的实施例中，采用了下面的单体和聚合物单元通常用来指用缩写命名的基团，如下面直接画出的单元。要理解的是，当进入到聚合物中时，下面的单元将通过下面画出的碳-碳双键进行聚合。
                         2-甲基-丙烯酸2-氧代-   6-羟基-2-乙烯基萘  2-甲基-丙烯酸5-氰基-双环
2-甲基-丙烯酸2-甲基-金
                         四氢-呋喃-3-基酯       (HVN)              [2.2.1]庚-2-基酯(CNNMA)
刚烷-2-基酯(MAMA)
                         (α-GBLMA)
Figure S06105454320060217D000142
2-甲基-丙烯酸1-{4-[1-(2-甲基-丙烯酰氧基)-乙氧基]-丁氧基}乙酯(BDADMA)
实施例1：6-羟基-2-乙烯基萘(HVN)的合成
从6-羟基-2-萘醛开始通过三步反应进行6-羟基-2-乙烯基萘(HVN)的合成。在第一步中，用乙基乙烯基醚来保护6-羟基-2-萘醛(HNAL)得到6-(1-乙氧基乙氧基)-2-萘醛(EENAL)。接着通过EENAL的Wittig反应得到6-(1-乙氧基乙氧基)-2-乙烯基萘。最后，使用吡啶对甲苯磺酸盐脱保护得到6-羟基-2-乙烯基萘(HVN)。
6-(1-乙氧基乙氧基)-2-萘醛。在配有磁力搅拌器、滴液漏斗和回流冷凝管的500毫升的三颈瓶中，加入25克HNAL(0.1462摩尔)和300毫升乙酸乙酯。即使在室温下搅拌3小时后，6-羟基-2-萘醛仍没有完全溶解。向其中加入3.30克PPTS(0.0131摩尔)，并将该溶液混合物加热到70℃。在该温度下，逐滴加入21克乙基乙烯基醚(0.2912摩尔)，在滴加几滴乙基乙烯基醚后，反应混合物变为均相。加完乙基乙烯基醚后，将反应温度降为室温，反应混合物搅拌过夜。粗产物用柱色谱(硅胶，CH2Cl2)纯化得到26克纯的6-(1-乙氧基乙氧基)-2-萘醛(产率：73％)。
6-(1-乙氧基乙氧基)-2-乙烯基萘。在氮气气氛下，向上面配有机械搅拌器的1L的三颈瓶中加入45克溴化甲基三苯基鏻(0.126摩尔)。向其中加入300毫升无水THF和16.02克叔丁醇钾(0.1428摩尔)。搅拌1小时后，用管子(cannular)逐滴加入溶解在50毫升THF中的20克6-(1-乙氧基乙氧基)-2-萘醛(0.0819摩尔)，并将反应混合物搅拌过夜。搅拌过夜之后，用注射器加入去离子水(200毫升)并进行相分离。水相用乙醚(2×100毫升)萃取，合并的萃取液用MgSO4干燥。过滤并浓缩之后，粗产物用柱色谱(硅胶，己烷/CH2Cl2 40/60～10/90)纯化得到19.12克纯的6-(1-乙氧基乙氧基)-2-乙烯基萘(96％)。
6-羟基-2-乙烯基萘。将18克6-(1-乙氧基乙氧基)-2-乙烯基萘(0.0743摩尔)溶解在80毫升乙醇中。向其中加入1.6克吡啶对甲苯磺酸盐(0.0064摩尔)。将反应混合物在50℃搅拌。3小时后，TLC分析(硅胶，CH2Cl2)表明反应完成。将反应混合物冷却至室温，在减压下除去溶剂。粗产物用柱色谱(硅胶，CH2Cl2)纯化得到11.15克纯的6-羟基-2-乙烯基萘(62％)。
实施例2：2-甲基-丙烯酸1-{4-[1-(2-甲基-丙烯酰氧基)-乙氧基]-丁氧基}-乙酯(BDADMA)的合成
在1升的烧瓶中，将21.33克(4-乙烯氧基-丁氧基)-乙烯(0.15摩尔)和34.44克甲基丙烯酸与500克二氯甲烷混合。向其中加入3.8克吡啶鎓对甲苯磺酸盐(0.03摩尔)。将反应混合物在氮气气氛和室温下搅拌。搅拌5小时后，用半饱和的食盐水洗涤反应混合物两次，并用MgSO4干燥。蒸发溶剂后，将粗产物用柱色谱(硅胶，己烷/CH2Cl2混合物)纯化得到26克纯的2-甲基-丙烯酸1-{4-[1-(2-甲基-丙烯酰氧基)-乙氧基]-丁氧基}-乙酯(BDADMA)(产率：73％)。
实施例3：MAMA/α-GBLMA/HVN 45/35/20三元共聚物的合成。
将10.60克2-甲基-丙烯酸2-甲基-金刚烷-2-基酯(MAMA)、5.98克2-甲基-丙烯酸2-氧代-四氢-呋喃-3-基酯(α-GBLMA)和3.42克6-羟基-2-乙烯基萘(HVN)溶解在20克四氢呋喃(THF)中。混合物用氮气鼓泡20分钟进行脱气。将1.16克V601(2，2-偶氮二异丁酸二甲酯)溶解在10克THF中，并加入到配有氮气入口和冷凝管的150毫升烧瓶中。用氮气鼓泡20分钟进行脱气之后，将装有V601溶液的反应器放在保持75℃的油浴中，以0.222毫升/分钟的速率向反应器中加入单体溶液。单体加料进行3小时。单体加料完成后，在75℃下再搅拌聚合混合物1小时。总共4小时的聚合时间(3小时加料，1小时搅拌)之后，将聚合混合物冷却到室温。在1升异丙醇中进行沉淀。过滤后，将聚合物在50℃的真空炉中干燥48小时得到16.4克共聚物(Mw＝14,300和Mw/Mn＝1.8)。
实施例4：MAMA/α-GBLMA/HVN 45/40/15三元共聚物的合成。
将10.60克MAMA，6.84克α-GBLMA和2.57克HVN溶解在20克THF中。混合物用氮气鼓泡20分钟进行脱气。将1.16克V601(2，2-偶氮二异丁酸二甲酯)溶解在10克THF中，并加入到配有氮气入口和冷凝管的150毫升烧瓶中。用氮气鼓泡20分钟进行脱气之后，将装有V601溶液的反应器放在75℃的油浴中，以0.222毫升/分钟的速率向反应器中加入单体溶液。单体加料进行了3小时。单体加料完成后，在75℃下再搅拌聚合混合物1小时。总共4小时的聚合时间(3小时加料，1小时搅拌)之后，将聚合混合物冷却到室温。在1升异丙醇中进行沉淀。过滤后，将聚合物在50℃的真空炉中干燥48小时得到16.1克共聚物(Mw＝14,250和Mw/Mn＝1.9)。
实施例5：MAMA/α-GBLMA/HVN 45/45/10三元共聚物的合成。
将10.60克MAMA，7.69克α-GBLMA和1.71克HVN溶解在20克THF中。混合物用氮气鼓泡20分钟进行脱气。将1.16克V601(2，2-偶氮二异丁酸二甲酯)溶解在10克THF中，并加入到配有氮气入口和冷凝管的150毫升烧瓶中。用氮气鼓泡20分钟进行脱气之后，将装有V601溶液的反应器放在保持75℃的油浴中，以0.222毫升/分钟的速率向反应器中加入单体溶液。单体加料进行了3小时。单体加料完成后，在75℃下再搅拌聚合混合物1小时。总共4小时的聚合时间(3小时加料，1小时搅拌)之后，将聚合混合物冷却到室温。在1升异丙醇中进行沉淀。过滤后，聚合物在50℃的真空炉中干燥48小时得到16.9克共聚物(Mw＝14,040和Mw/Mn＝1.8)。
实施例6：MAMA/α-GBLMA/HVN 40/45/15三元共聚物的合成。
将9.57克MAMA，7.82克α-GBLMA和2.61克HVN溶解在20克THF中。混合物用氮气鼓泡20分钟进行脱气。将1.18克V601(2，2-偶氮二异丁酸二甲酯)溶解在10克THF中，并加入到配有氮气入口和冷凝管的150毫升烧瓶中。用氮气鼓泡20分钟进行脱气之后，将装有V601溶液的反应器放在保持75℃的油浴中，以0.222毫升/分钟的速率向反应器中加入单体溶液。单体加料进行3小时。单体加料完成后，在75℃下再搅拌聚合混合物1小时。总共4小时的聚合时间(3小时加料，1小时搅拌)之后，将聚合混合物冷却到室温。在1升异丙醇中进行沉淀。过滤后，将聚合物在50℃的真空炉中干燥48小时得到16.6克共聚物(Mw＝13,590和Mw/Mn＝1.8)。
实施例7：MAMA/α-GBLMA/HVN 40/50/10三元共聚物的合成。
将9.57克MAMA，8.69克α-GBLMA和1.74克HVN溶解在20克THF中。混合物用氮气鼓泡20分钟进行脱气。将1.18克V601(2，2-偶氮二异丁酸二甲酯)溶解在10克THF中，并加入到配有氮气入口和冷凝管的150毫升烧瓶中。用氮气鼓泡20分钟进行脱气之后，将装有V601溶液的反应器放在保持75℃的油浴中，以0.222毫升/分钟的速率向反应器中加入单体溶液。单体加料进行了3小时。单体加料完成后，在75℃下再搅拌聚合混合物1小时。总共4小时的聚合时间(3小时加料，1小时搅拌)之后，将聚合混合物冷却到室温。在1升异丙醇中进行沉淀。过滤后，将聚合物在50℃的真空炉中干燥48小时得到16.1克共聚物(Mw＝13,120和Mw/Mn＝1.8)。
实施例8：MAMA/α-GBLMA/HVN 35/45/20三元共聚物的合成。
将8.51克MAMA，7.95克α-GBLMA和3.53克HVN溶解在20克THF中。混合物用氮气鼓泡20分钟进行脱气。将1.20克V601(2，2-偶氮二异丁酸二甲酯)溶解在10克THF中，并加入到配有氮气入口和冷凝管的150毫升烧瓶中。用氮气鼓泡20分钟进行脱气之后，将装有V601溶液的反应器放在保持75℃的油浴中，以0.222毫升/分钟的速率向反应器中加入单体溶液。单体加料进行3小时。单体加料完成后，在75℃下再搅拌聚合混合物1小时。总共4小时的聚合时间(3小时加料，1小时搅拌)之后，将聚合混合物冷却到室温。在1升异丙醇中进行沉淀。过滤后，将聚合物在50℃的真空炉中干燥48小时得到17.4克共聚物(Mw＝14,540和Mw/Mn＝1.9)。
实施例9：MAMA/α-GBLMA/HVN 35/50/15三元共聚物的合成。
将8.51克MAMA、8.83克α-GBLMA和2.65克HVN溶解在20克THF中。混合物用氮气鼓泡20分钟进行脱气。将1.20克V601(2，2-偶氮二异丁酸二甲酯)溶解在10克THF中，并加入到配有氮气入口和冷凝管的150毫升烧瓶中。用氮气鼓泡20分钟进行脱气之后，将装有V601溶液的反应器放在保持75℃的油浴中，以0.222毫升/分钟的速率向反应器中加入单体溶液。单体加料进行3小时。单体加料完成后，在75℃下再搅拌聚合混合物1小时。总共4小时的聚合时间(3小时加料，1小时搅拌)之后，将聚合混合物冷却到室温。在1升异丙醇中进行沉淀。过滤后，将聚合物在50℃的真空炉中干燥48小时得到15.9克共聚物(Mw＝14,040和Mw/Mn＝1.9)。
实施例10：MAMA/α-GBLMA/HVN 35/55/10三元共聚物的合成。
将8.51克MAMA，9.72克α-GBLMA和1.77克HVN溶解在20克THF中。混合物用氮气鼓泡20分钟进行脱气。将1.20克V601(2，2-偶氮二异丁酸二甲酯)溶解在10克THF中，并加入到配有氮气入口和冷凝管的150毫升烧瓶中。用氮气鼓泡20分钟进行脱气之后，将装有V601溶液的反应器放在保持75℃的油浴中，以0.222毫升/分钟的速率向反应器中加入单体溶液。单体加料进行了3小时。单体加料完成后，在75℃下再搅拌聚合混合物1小时。总共4小时的聚合时间(3小时加料，1小时搅拌)之后，将聚合混合物冷却到室温。在1升异丙醇中进行沉淀。过滤后，聚合物在50℃的真空炉中干燥48小时得到16.0克共聚物(Mw＝13,990和Mw/Mn＝1.9)。
实施例11：MAMA/α-GBLMA/CNNMA/BDADMA 40/40/10/10三元共聚物的合成。
将17.54克MAMA、12.74克α-GBLMA、3.84克2-甲基-丙烯酸5-氰基-双环[2.2.1]庚-2-酯(CNNMA)和5.88克2-甲基-丙烯酸1-{4-1-(2-甲基-丙烯酰氧基)-乙氧基}-丁氧基}-乙酯(BDADMA)溶解在40克THF中。混合物用氮气鼓泡20分钟进行脱气。将3.02克V601(2，2-偶氮二异丁酸二甲酯)溶解在20克THF中，并加入到配有氮气入口和冷凝管的250毫升的烧瓶中。用氮气鼓泡20分钟进行脱气之后，将装有V601溶液的反应器放在保持75℃的油浴中，以0.444毫升/分钟的速率向反应器中加入单体溶液。单体加料进行了3小时。单体加料完成后，在75℃下再搅拌聚合混合物1小时。总共4小时的聚合时间(3小时加料，1小时搅拌)之后，将聚合混合物冷却到室温。在1升异丙醇中进行沉淀。过滤后，将聚合物在50℃的真空炉中干燥48小时得到33.4克共聚物(Mw＝10,990和Mw/Mn＝2.1)。
实施例12：MAMA/α-GBLMA/CNNMA/BDADMA 36/36/18/10三元共聚物的合成。
将15.77克MAMA、11.45克α-GBLMA、6.90克CNNMA和5.88克BDADMA溶解在40克THF中。混合物用氮气鼓泡20分钟进行脱气。将3.01克V601(2，2-偶氮二异丁酸二甲酯)溶解在20克THF中，并加入到配有氮气入口和冷凝管的250毫升的烧瓶中。用氮气鼓泡20分钟进行脱气之后，将装有V601溶液的反应器放在保持75℃的油浴中，以0.444毫升/分钟的速率向反应器中加入单体溶液。单体加料进行3小时。单体加料完成后，在75℃下再搅拌聚合混合物1小时。总共4小时的聚合时间(3小时加料，1小时搅拌)之后，将聚合混合物冷却到室温。在1升异丙醇中进行沉淀。过滤后，将聚合物在50℃的真空炉中干燥48小时得到33.4克共聚物(Mw＝10,720和Mw/Mn＝2.0)。
实施例13：MAMA/α-GBLMA/CNNMA/BDADMA 32/32/26/10三元共聚物的合成。
将14.00克MAMA，10.17克α-GBLMA、9.96克CNNMA和5.87克BDADMA溶解在40克THF中。混合物用氮气鼓泡20分钟进行脱气。将3.01克V601(2，2-偶氮二异丁酸二甲酯)溶解在20克THF中，并加入到配有氮气入口和冷凝管的250毫升的烧瓶中。用氮气鼓泡20分钟进行脱气之后，将装有V601溶液的反应器放在保持75℃的油浴中，以0.444毫升/分钟的速率向反应器中加入单体溶液。单体加料进行3小时。单体加料完成后，在75℃下再搅拌聚合混合物1小时。总共4小时的聚合时间(3小时加料，1小时搅拌)之后，将聚合混合物冷却到室温。在1升异丙醇中进行沉淀。过滤后，将聚合物在50℃的真空炉中干燥48小时得到33.4克共聚物(Mw＝10,880和Mw/Mn＝2.1)。
实施例14：HVN/MADA/NLA三元共聚物的合成(聚合物由以下聚合单元构成：6-羟基-2-乙烯基萘(HVN)、丙烯酸2-甲基-2-金刚烷酯(MADA)和丙烯酰氧(acryloxy)-降冰片烷-丁内酯(NLA))。
将1.66克HVN、4.29克丙烯酸2-甲基-2-金刚烷酯(MADA)、4.05克丙烯酰氧(acryloxy)-降冰片烷-丁内酯(NLA)和0.2242克of V601(2，2-偶氮二异丁酸二甲酯)溶解在30毫升THF中。混合物用氮气鼓泡20分钟进行脱气，然后放在保持75℃的油浴中开始聚合。聚合12小时后，将聚合混合物沉淀到己烷/异丙醇80/20体积/体积的混合物中。在己烷/异丙醇50/50体积/体积的混合物中进行第二次沉淀。过滤后，得到浅黄色的粉末，将其在50℃的真空炉中干燥过夜得到9克HVN/MADA/NLA三元共聚物(90％产率)。
以类似的步骤得到其它的共聚物，结果总结如下。MVN是2-乙烯基-6-甲氧基萘。EEMA是甲基丙烯酸1-乙氧基乙酯。EEA是丙烯酸1-乙氧基乙酯。
    共聚物   组成 产率   Mw    Mw/Mn 在193纳米的OD值
    VN/EEMA   60/40  62％ 9,160     1.39     3.8
    MVN/EEMA   60/40  76％ 12,114     1.62     -
    HVN/EEMA   60/40  73％ 15,085     1.61     3.2
    HVN/EEA   60/40  90％ 19,900     2.03     -
    HVN/NLA/MADA   20/40/40  90％ 16,200     3.64     1.1
实施例15：
制备含有60摩尔％VN的2-乙烯基萘(VN)和甲基丙烯酸1-乙氧基乙酯(EEMA)共聚物。将该共聚物旋涂到Si晶片上，在氧化蚀刻条件下(C4F8/Ar/CO/O2；1500W；45mT)蚀刻60秒，然后使用原子力显微镜(AFM)测定表面粗糙度。该共聚物的均方根粗糙度(Rq)为5.46纳米。
然后制备由以下组分构成的另一组聚合物，并在氧化蚀刻条件下蚀刻后测试表面粗糙度。
实施例16：光刻胶的制备和平版印刷工艺
本发明的光刻胶组合物是通过以下述含量混和下述组分来制备的，其含量以固体(除了溶剂的所有组分)重量百分比来表达，且该光刻胶组合物是以8.2重量％的固体含量(对比(balance)为乳酸乙酯溶剂)来配制的。
聚合物：60％MAMA/α-GBLMA/CNNMA/BDADMA(36/36/18/10)
40％MAMA/α-GBLMA/HVN
PAG：5％叔丁基(苯基三亚甲基)锍-全氟丁基磺酸盐
碱：0.2％二乙基癸烯酰胺(diethyldocenylamide)
0.315％正烯丙基-己内酯
溶剂：乳酸乙酯
将配制好的光刻胶组合物旋涂在具有交联有机抗反射涂层的硅晶片上，且将所施涂的光刻胶层在110℃的真空电热板上烘烤90秒，所得到干燥的层的厚度为210纳米。该光刻胶涂层在193纳米用34.0毫焦/平方厘米量(dose)(曝光器：ASML/1100；照明：0.75NA，085/0.55σ环状；掩模：6％ATTPSM，90纳米1∶1L/S(BF)和沟渠(Trench)(DF))经由光掩模曝光。该曝光的涂层在曝光后于110℃烘烤90秒。然后用氢氧化四甲铵水溶液处理以显影该成像的光刻胶层。
附图1A和1B示出了显影的图像的扫描电子显微照片(线宽90纳米)。如图所示，显影线条的线边缘粗糙度优秀。
本发明的前述记载仅仅是说明性的，且应当明白在不背离本发明的下述权利要求所阐述的本发明的要旨和范围时可进行各种变形和改进。

Claims (14)

1.一种正性光刻胶组合物，所述组合物包括：
1)光敏组分，所述光敏组分包括一种或多种光酸产生剂化合物；和
2)树脂组分，所述树脂组分含有：i)含有羟基萘基的第一树脂和ii)不同于所述第一树脂且含有交联的基团的第二树脂，所述第一和第二树脂含有少于5摩尔百分比的羟基萘基以外的芳基，所述第一树脂和第二树脂中的一个或两者含有光酸不稳定基团。
2.如权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述第一和第二树脂中的一个或两者含有聚合的丙烯酸酯单元。
3.如权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述第一和第二树脂中的一个而非两者含有聚合的丙烯酸酯单元。
4.如权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述第一和第二树脂都含有聚合的丙烯酸酯单元。
5.如权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述第一和第二树脂中的一个而非两者含有光酸不稳定基团。
6.如权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述第一和第二树脂都含有光酸不稳定基团。
7.一种提供光刻胶立体图案的方法，所述方法包括：
在基材上施涂权利要求1所述的光刻胶组合物的涂层；和
将所述光刻胶组合物的涂层曝光于辐射中，并显影曝光的光刻胶组合物的涂层。
8.一种正性光刻胶组合物，所述组合物包括：
1)光敏组分，所述光敏组分包括一种或多种光酸产生剂化合物；和
2)树脂组分，所述树脂组分含有：i)含有羟基萘基的第一树脂和ii)不同于所述第一树脂且含有交联的基团的第二树脂，所述第一和第二树脂中的一个或两者含有聚合的丙烯酸酯单元，所述第一和第二树脂含有小于5摩尔百分比的羟基萘基以外的芳基，所述第一树脂和第二树脂中的一个或两者含有光酸不稳定基团。
9.如权利要求8所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述第一和第二树脂中的一个含有聚合的丙烯酸酯单元。
10.如权利要求8所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述第一和第二树脂都者含有聚合的丙烯酸酯单元。
11.一种提供光刻胶立体图案的方法，所述方法包括：
在基材上施涂权利要求8所述的正性光刻胶组合物的涂层；和
将所述光刻胶组合物的涂层曝光于辐射中，并显影曝光的光刻胶组合物的涂层。
12.一种微电子晶片，该晶片上涂有权利要求1所述的光刻胶组合物和立体图像。
13.一种微电子晶片，该晶片上涂有权利要求2所述的光刻胶组合物和立体图像。
14.一种微电子晶片，该晶片上涂有权利要求8所述的光刻胶组合物和立体图像。
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