JP5796054B2 - 新規なポリマーおよびフォトレジスト組成物 - Google Patents
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Description
1)電子不足試薬または1個以上の電子吸引性基を有する試薬、例えば、無水マレイン酸もしくは無水イタコン酸をはじめとする無水物またはハロゲン化オレフィン、特にフッ素化オレフィン、例えば、テトラフルオロエチレン(TFE)など;
2)比較的電子豊富(electron rich)試薬(例えば、ビニル基の1個、2個または3個の炭素中に電子求引性基を含有しないオレフィン性モノマー)、例えば、適切には3〜約20個の炭素、さらに典型的には4〜約20個の炭素を有する、不飽和脂環式(例えば、環内−または環外炭素二重結合)もしくは非環式アルキル基、例えば、ノルボルネン、シクロヘキセン、ビニルアダマンチルなど、または不飽和ビニルヘテロ脂環式もしくはヘテロ非環式(特に、酸素または硫黄ヘテロ脂環式およびヘテロ脂環式)、例えば、重合した環式エーテル(例えば、ポリマー骨格に縮合されたテトラヒドロフラン基)もしくは環式チオエーテル、例えば、1〜約12個の炭素原子を有するアルコキシなどを提供するもの;並びに
3)アクリレート(置換されたアクリレート、例えば、メタクリレートを含む)、特に、フォト酸不安定性基を有するアクリレート、例えば、アクリル酸t−ブチル、メタクリル酸t−ブチル、アクリル酸アダマンチル、メタクリル酸アダマンチルなど;
の群から選択された、1種以上の試薬の重合によって調製された繰り返し単位を含んでよい。
本発明のポリマーは、種々の繰り返し単位を含有していてもよい。好ましいポリマーは、別個の繰り返し単位を含んでいてもよく、例えば、コポリマー(ポリマー中に少なくとも2種の別個の繰り返し単位)、ターポリマー(3種の別個の繰り返し単位)、テトラポリマー(少なくとも4種の別個の繰り返し単位)およびその他の高次ポリマーであってもよい。
i)ビニルフェノールおよびアルキルアクリレートの重合された単位を含有するポリマー(ここで、重合されたアルキルアクリレート単位は、フォト酸の存在下で脱ブロック反応を受けることができる)。フォト酸誘起脱ブロック反応を受けることができる代表的なアルキルアクリレートには、例えば、アクリル酸t−ブチル、メタクリル酸t−ブチル、アクリル酸メチルアダマンチル、メタクリル酸メチルアダマンチル並びにフォト酸誘起反応を受けることができる他の非環式アルキルおよび脂環式アクリレートが含まれる。例えば、米国特許第6,042,997号明細書および米国特許第5,492,793号明細書中のポリマー;
ii)ビニルフェノール;ヒドロキシまたはカルボキシ環置換基を含有していない任意に置換されたビニルフェニル(例えば、スチレン);および上記のポリマーi)で記載されたこれらの脱ブロック基のようなアルキルアクリレート;の重合された単位を含有するポリマー、例えば、米国特許第6,042,997号明細書に記載されたポリマー;並びに
iii)フォト酸と反応するアセタールまたはケタールを含む繰り返し単位、および任意に芳香族繰り返し単位(例えば、フェニルまたはフェノール性基)を含有するポリマー、例えば、米国特許第5,929,176号明細書および米国特許第6,090,526号明細書に記載されたポリマー;が含まれる。
i)非芳香族環式オレフィン(環内二重結合)、例えば、任意に置換されたノルボルネンの重合された単位を含有するポリマー、例えば、米国特許第5,843,624号明細書および米国特許第6,048,664号明細書に記載されたポリマー;
ii)アルキルアクリレート単位、例えば、アクリル酸t−ブチル、メタクリル酸t−ブチル、アクリル酸メチルアダマンチル、メタクリル酸メチルアダマンチル並びに他の非環式アルキルおよび脂環式アクリレートを含有するポリマー、このようなポリマーは、米国特許第6,057,083号明細書、欧州特許出願公開第01008913A1号明細書、欧州特許出願公開第00930542A1号明細書および米国係属特許出願第09/143,462号明細書に記載されている;並びに
iii)重合された無水物単位、特に重合された無水マレイン酸および/または無水イタコン酸単位を含有するポリマー、例えば、欧州特許出願公開第01008913A1および米国特許第6,048,662号明細書に開示されたもの;が含まれる。
前に記載したように、種々のフォト酸生成剤基を、本発明に従って樹脂に共有結合させることができる。
Ar3−SO2−SO2−RXa
(式中、RXaは、好ましくは、直ぐ上に定義された通りであり、Ar3は、置換されたまたは置換されていないアリール基を表す)。アリール基の好ましい例には、C6−14単環式または縮合環アリール基が含まれる。アリール基上の置換基の好ましい例には、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基、メルカプト基およびハロゲンが含まれる。
本発明のレジストの好ましい任意の添加物は、現像されたレジストレリーフ画像の解像度を向上させることができる、添加される塩基、特に、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド(TBAH)またはテトラブチルアンモニウムラクタートである。193nmで画像形成されるレジストのために、好ましい添加される塩基は、ヒンダードアミン、例えば、ジアザビシクロウンデセンまたはジアザビシクロノネンである。添加される塩基は、比較的少量、例えば、全固体に対して約0.03〜5重量パーセントで好適に使用される。
本発明のレジストは、当業者によって容易に調製することができる。例えば、本発明のフォトレジスト組成物は、フォトレジストの成分を、好適な溶媒、例えば、乳酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセタート、プロピレングリコールモノメチルエーテル;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタートおよび3−エトキシエチルプロピオネート中に溶解させることによって調製することができる。典型的には、組成物中の固体含有量は、フォトレジスト組成物の全重量の約5重量パーセントと35重量パーセントとの間で変化する。樹脂バインダーおよび光活性成分は、フィルムコーティング層並びに良好な品質の潜像およびレリーフ画像の形成を提供するために十分な量で存在する必要がある。レジスト成分の代表的な好ましい量について、下記の実施例3を参照されたい。
4−ヒドロキシ−2,3,5,6−テトラフルオロベンゼンスルホネートを、Geeら、Tetrahedron Letters,1999,40,1471に記載されているようにして調製した。次いで、このベンゼンスルホネートを、トリフルオロ酢酸およびトリフルオロ酢酸無水物中で、窒素雰囲気下で一晩、メタクリル酸と反応させて、ナトリウム4−メタクリルオキシ−2,3,5,6−テトラフルオロベンゼンスルホネート[F4−MBS−Na]を97%収率で得た。これは、下記のデータによってキャラクタリゼーションされた。1H NMR(25℃、ppm)δ7.42−7.92(m,15H),6.45(s,1H),6.12(s,1H),2.03(s,3H);13C(25℃、ppm)δ162.8,141.0,136.3,134.5,133.1,132.5,131.3,130.4,128.7,125.4,124.2および17.9;19F NMR(25℃、ppm,extCF3COOH)δ−152.55(m,2F),−137.62(m,2F);分析、C28H20F4O5S2についての計算値:C58.33,H3.50,F13.18,O13.87,S11.12,実測値C58.39,H3.34,F12.85,O13.83,S11.06。
2.39gのフリーラジカル開始剤V601を、15mLの脱気したアセトニトリル中で室温で混合する。
本発明のフォトレジストを、下記の成分を、レジスト組成物の全重量基準で重量パーセントとして表した量で混合することによって調製する。
図1および図2は、示したような25nmラインを得るために、上記の実施例2に記載したようにして、パターン化した193nm放射線で画像形成し、現像した、実施例2の種類のフォトレジストの走査型電子顕微鏡写真(SEM)である。
Claims (2)
- (i)共有結合した1以上のイオン性フォト酸生成剤基および
(ii)1以上のフォト酸不安定性基を含むターポリマー、テトラポリマー、またはペンタポリマーを含むポジ型フォトレジスト組成物であって、
該ターポリマー、テトラポリマー、またはペンタポリマーは、シアノアダマンチル基およびα−ブチロラクトン基の両方を含み、
該ターポリマー、テトラポリマー、またはペンタポリマーは、
(1)該ターポリマー、テトラポリマー、またはペンタポリマー中の繰り返し単位の全量に基づいて1モルパーセント未満の、芳香族基を有する繰り返し単位、および
(2)2−メチルアダマンチルメタクリレート、2−メチルアダマンチルアクリレート、ヒドロキシアダマンチルアクリレート、ヒドロキシアダマンチルメタクリレート、無水マレイン酸、ノルボルネン、3,4−ジヒドロピラン、任意に置換されたフェニルまたは任意に置換されたナフチルの重合された単位をさらに含み、
該イオン性フォト酸生成剤基のアニオン性部分は該ターポリマー、テトラポリマー、またはペンタポリマーに共有結合しているが、カチオン性部分は該ターポリマー、テトラポリマー、またはペンタポリマーに共有結合していない、ポジ型フォトレジスト組成物。 - 基体上に、請求項1に記載のフォトレジスト組成物のコーティング層を適用すること;
該フォトレジストコーティング層を、パターン化された活性化放射線に曝露させること;及び、
曝露させたフォトレジストコーティング層を現像して、レジストレリーフ画像を提供すること;
を含む、電子デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US90429807P | 2007-02-28 | 2007-02-28 | |
US60/904298 | 2007-02-28 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008048747A Division JP2008281990A (ja) | 2007-02-28 | 2008-02-28 | 新規なポリマーおよびフォトレジスト組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014041375A JP2014041375A (ja) | 2014-03-06 |
JP5796054B2 true JP5796054B2 (ja) | 2015-10-21 |
Family
ID=39716278
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008048747A Pending JP2008281990A (ja) | 2007-02-28 | 2008-02-28 | 新規なポリマーおよびフォトレジスト組成物 |
JP2013209021A Active JP5796054B2 (ja) | 2007-02-28 | 2013-10-04 | 新規なポリマーおよびフォトレジスト組成物 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008048747A Pending JP2008281990A (ja) | 2007-02-28 | 2008-02-28 | 新規なポリマーおよびフォトレジスト組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7838199B2 (ja) |
JP (2) | JP2008281990A (ja) |
KR (1) | KR101612285B1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008281990A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-11-20 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 新規なポリマーおよびフォトレジスト組成物 |
KR101668505B1 (ko) * | 2009-02-19 | 2016-10-28 | 브레우어 사이언스 인코포레이션 | 산-민감성, 현상제-용해성 바닥부 반사방지 코팅 |
JP5851688B2 (ja) * | 2009-12-31 | 2016-02-03 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 感光性組成物 |
JP5782283B2 (ja) | 2010-03-31 | 2015-09-24 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 新規のポリマーおよびフォトレジスト組成物 |
EP2383611A3 (en) * | 2010-04-27 | 2012-01-25 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Photoacid generators and photoresists comprising same |
JP5708518B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2015-04-30 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP6012377B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-10-25 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
CN103885287B (zh) * | 2012-12-24 | 2017-04-12 | 乐凯华光印刷科技有限公司 | 使用磺酰腙改性酚醛树脂作为产酸剂的感光组合物及其应用 |
US11822251B2 (en) * | 2016-02-09 | 2023-11-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist with polar-acid-labile-group |
US11613519B2 (en) | 2016-02-29 | 2023-03-28 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoacid-generating monomer, polymer derived therefrom, photoresist composition including the polymer, and method of forming a photoresist relief image using the photoresist composition |
JP2018199616A (ja) * | 2018-07-13 | 2018-12-20 | 日本碍子株式会社 | ハニカム構造体 |
US11273396B2 (en) * | 2018-08-31 | 2022-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Liquid supply system with improved bubble venting capacity |
US10907030B2 (en) | 2019-01-31 | 2021-02-02 | Bae Systems Controls Inc. | Process for mitigation of whisker growth on a metallic substrate |
US20220397827A1 (en) * | 2021-05-28 | 2022-12-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. | Composition for photoresist underlayer |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3902115A1 (de) * | 1989-01-25 | 1990-08-02 | Basf Ag | Strahlungsempfindliche polymere |
US6916592B2 (en) * | 2002-03-25 | 2005-07-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Esters, polymers, resist compositions and patterning process |
TWI304412B (en) * | 2002-03-26 | 2008-12-21 | Shinetsu Chemical Co | Polymers, resist compositions andpatterning process |
US6977131B2 (en) * | 2002-05-30 | 2005-12-20 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Selected polymeric sulfonate acid generators and their use in processes for imaging radiation-sensitive elements |
JP2004198915A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP4133399B2 (ja) * | 2003-02-10 | 2008-08-13 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US6790582B1 (en) * | 2003-04-01 | 2004-09-14 | Clariant Finance Bvi Limited | Photoresist compositions |
JP4244755B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2009-03-25 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
EP1586944A1 (en) * | 2004-03-09 | 2005-10-19 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Cyanoadamantyl compounds and polymers |
JP4597655B2 (ja) | 2004-12-20 | 2010-12-15 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
JP4425776B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2010-03-03 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP4579811B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2010-11-10 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
US7459261B2 (en) * | 2005-01-06 | 2008-12-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process using the same |
JP2006234938A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
WO2006121096A1 (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Jsr Corporation | 新規化合物および重合体、ならびに感放射線性樹脂組成物 |
US7932334B2 (en) * | 2005-12-27 | 2011-04-26 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resin suitable for an acid generator |
JP2008281990A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-11-20 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 新規なポリマーおよびフォトレジスト組成物 |
US9221928B2 (en) * | 2011-06-20 | 2015-12-29 | Central Glass Company, Limited | Fluorine-containing sulfonate resin, fluorine-containing N-sulfonyloxyimide resin, resist composition and pattern formation method |
-
2008
- 2008-02-28 JP JP2008048747A patent/JP2008281990A/ja active Pending
- 2008-02-28 KR KR1020080018408A patent/KR101612285B1/ko active IP Right Grant
- 2008-02-28 US US12/072,790 patent/US7838199B2/en active Active
-
2010
- 2010-11-22 US US12/951,933 patent/US9983477B2/en active Active
-
2013
- 2013-10-04 JP JP2013209021A patent/JP5796054B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014041375A (ja) | 2014-03-06 |
US7838199B2 (en) | 2010-11-23 |
US20110236823A1 (en) | 2011-09-29 |
US9983477B2 (en) | 2018-05-29 |
KR20080080053A (ko) | 2008-09-02 |
US20080206671A1 (en) | 2008-08-28 |
JP2008281990A (ja) | 2008-11-20 |
KR101612285B1 (ko) | 2016-04-14 |
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