CN1746331A - 清洗装置 - Google Patents
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Abstract
一种能去除附着在由金属薄膜所构成的掩膜的有机材料的清洗装置。本发明的清洗装置具备:由预定的清洗液清洗处理掩膜(10)的第1及第2清洗槽(21、22);用以真空蒸馏该清洗槽(21、22)的清洗液的真空蒸馏器(30);将真空蒸馏的清洗液冷却至室温的第1冷却器(31);使由第1冷却器(31)所冷却的清洗液回流至第2清洗槽(22)的第1回流管(101);利用预定的冲洗液对掩膜(10)进行冲洗处理的第1及第2冲洗槽(51、52);在常压下蒸馏该冲洗槽(51、52)的清洗液的常压蒸馏器(60);将常压蒸馏的冲洗液冷却至室温的第2冷却器(61);使由第2冷却器(61)所冷却的冲洗液回流至第2冲洗槽(52)的第2回流管(102)。
Description
技术领域
本发明涉及一种清洗装置,特别是涉及在有机EL用的有机材料的蒸镀步骤中,去除附着在由金属薄膜所构成的掩膜的有机材料的清洗装置。
背景技术
近年来,使用有机电致发光(Electro Luminescence:以下称“有机EL”)组件的有机EL显示装置,已取代CRT及LCD的显示装置而受到嘱目,正研究开发一种具备例如用以驱动该有机EL组件的薄膜晶体管(Thin Film Transistor:以下称“TFT”)的有机EL显示装置。
有机EL组件被依序层积形成:由ITO(Indium Tin Oxide氧化铟锡)等的透明电极所形成的阳极;由MTDATA(4,4-双(3-甲基苯基苯氨基)联苯)等第1空穴输送层、TPD(4,4,4-三(3-甲基苯基苯氨基)三苯胺)等第2空穴输送层所构成的空穴输送层;包含啶酮(Quinacridone)衍生物的Bebq2(10-苯弁[h]羟基喹啉-铍络合物(10-benzo[h]quinolinol-beryllium complex))所形成的发光层;由Bebq2所形成的电子输送层;及由铝合金所形成的阴极的构造。
如上所述的有机EL组件通过用以驱动该有机EL组件的驱动用TFT供给电流而发光。即,从阳极所注入的空穴与从阴极所注入的电子在发光层内部再结合,激发用以形成发光层的有机分子而产生激发子(exciton)。在该激发子放射失活的过程中由发光层发光,该光会从透明的阳极经由透明的阳极及玻璃基板等绝缘性基板放出至外部而进行发光。
上述有机EL组件的各层中,用于形成空穴输送层、发光层、电子输送层的有机材料具有耐溶剂性低、不耐水分的特性。因此无法利用半导体工艺的光刻技术。因此,通过使用以例如金属薄膜所构成的掩膜(屏蔽)的蒸镀法,使上述有机材料选择性蒸镀在具备驱动用TFT的绝缘性基板上,以形成有机EL组件的空穴输送层、发光层、电子输送层及阴极的图案。
图15至图17显示使用在该有机材料的蒸镀的掩膜(mask)的一个例子。图15是说明传统示例的有机EL用的掩膜的顶视图。图16是沿图15的X-X线的剖面图。图17是沿图15的Y-Y线的剖面图。如图15至图17所示,掩膜10是由具有例如纵横各数微米程度的多个细微孔11的例如镍(Ni)及铁(Fe)等金属薄膜所构成。通过这些孔11,使上述有机材料选择性蒸镀在绝缘性基板上。由前述金属薄膜所构成的掩膜10被固定在由例如镍(Ni)及铁(Fe)所构成的金属框12。该掩膜10的缘部由该金属框12所支持。此外,在金属框12的缘部形成由用以保持该金属框12的多个扣止部13。以下,将固定在金属框12的掩膜10简称为“掩膜10”。
此外,相关的技术文献是以下列举的专利文献。
(专利文献1)
日本特开2004-103269号公报
发明内容
发明所欲解决的问题
有机EL组件对应彩色显示具有3原色的红、绿、蓝的各发光层时,有机材料的蒸镀步骤一般是反复使用各色用的掩膜而进行。因此,随着反复蒸镀的次数越多,有机材料以积层在几层的方式附着在掩膜10的表面。即,如蒸镀有图18所示的有机材料的掩膜的剖面图所示,有机材料1并不仅是形成在掩膜10的表面上,而且以塞住本来应使有机材料1通过多个孔11的方式,在孔11的周缘形成突缘部1a。
如此,掩膜10的孔11会因由有机材料所构成的突出部而变窄,因而存在该有机材料蒸镀于绝缘基板的精密度降低的问题。
作为解决前述问题的对应措施,有一种不多次使用同一掩膜,而在每预定的蒸镀次数后即废弃使用过的掩膜,而换为未使用的掩膜的方法。但是,使用该方法时,用于前述有机EL用的有机材料的蒸镀中的未使用的掩膜昂贵,因此存在成本增大的问题。
因此,本发明提供一种可去除附着在由金属薄膜所构成的掩膜的有机EL用的有机材料的清洗装置。
解决问题的手段
本发明的清洗装置是针对上述问题而提出的,该清洗装置是用以去除附着在由金属薄膜所构成的掩膜的有机EL用的有机材料的清洗装置,具有以下的特征。
即,本发明的清洗装置具备:由预定的清洗液清洗处理掩膜的清洗槽;由预定的冲洗液冲洗处理掩膜的冲洗槽;搬送装置,以水平以外的预定角度保持该掩膜,将以该预定角度所保持的该掩膜搬送至清洗槽及冲洗槽,以使掩膜的金属薄膜不会因重力所造成的应力而受损伤。
再者,本发明的清洗装置的前述搬送装置最初在水平的状态下保持掩膜后,在保持该掩膜的状态下,朝垂直方向立起,并以前述预定角度保持该掩膜。
再者,本发明的清洗装置的前述搬送装置具备:保持具,其以压接该搬送装置所载置的掩膜的一部分的方式滑动;以及钩部,用以抑制因保持具的压接而造成的掩膜另一方缘部的偏离;利用保持具及钩部挟持掩膜的缘部,而保持该掩膜。
再者,本发明的清洗装置的前述搬送装置是依近似的圆弧状的曲线状的预定轨迹,连续地进行从垂直方向朝水平方向的移动方向的切换,或从水平方向朝垂直方向的切换。
再者,本发明的清洗装置的前述清洗槽及冲洗槽是在该各槽内具有可动式的液中载体,将通过搬送装置所搬送的掩膜会在大气中移交于上升至清洗液或冲洗液的液面上方的液中载体,而将载置有掩膜的液中载体会与该掩膜一同浸渍在清洗液中或冲洗液中。
发明效果
依据本发明的清洗装置,在有机EL用的有机材料的蒸镀步骤中,可适当地去除附着在由金属薄膜所构成的掩膜的有机材料。
因此,即使重复使用同一掩膜,在掩膜孔的周缘也不会形成由该有机材料所构成的突缘部,因此孔不会变窄。结果,可尽量抑制有机材料的蒸镀的精密度降低。
且在有机材料的蒸镀步骤中,可使用同一掩膜,因此可尽量避免如传统蒸镀步骤中因交换未使用的掩膜而造成的成本增大。由于无须进行使用过的掩膜的废弃,因此可尽量抑制因该废弃所造成的环境污染。
再者,根据本发明的清洗装置,在有机材料的去除所进行的搬送掩膜时,搬送装置是以水平以外的预定角度保持掩膜,将以该预定角度所保持的该掩膜搬送至清洗槽及冲洗槽,因此,在掩膜的金属薄膜不会产生损伤的情形下,可去除附着在该掩膜的有机材料。
再者,前述搬送装置在搬送掩膜时,通过连续地进行垂直方向及水平方向的移动,依近似的圆弧状的曲线状的预定轨迹而移动。因此,可尽量避免因该移动从垂直方向切换至水平方向、或从水平方向切换至垂直方向时的冲激所造成的应力,而在由金属薄膜所构成的掩膜产生金属疲劳或损伤。
附图说明
图1是本发明实施例的清洗装置的清洗系统的说明图;
图2是本发明实施例的清洗装置的清洗系统的说明图
图3是本发明实施例的清洗装置的清洗系统的说明图;
图4是本发明实施例的清洗装置的搬送系统的剖面图;
图5是本发明实施例的清洗装置的搬送系统的剖面图;
图6是本发明实施例的清洗装置的搬送系统的剖面图;
图7是本发明实施例的清洗装置的搬送系统的剖面图;
图8是本发明实施例的清洗装置的搬送系统的剖面图;
图9是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的立体图;
图10是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的立体图;
图11是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的立体图;
图12是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的立体图;
图13是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的立体图;
图14是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的立体图;
图15是说明传统示例的有机EL用的掩膜的顶视图;
图16是沿图15的X-X线的剖面图;
图17是沿图15的Y-Y线的剖面图;
图18是蒸镀有机材料的掩膜的剖面图。
主要组件符号说明
1 有机材料 1a 突缘部
10 掩膜 11 孔
12 金属框 13 扣止部
21 第1清洗槽 22 第2清洗槽
21a、22a 第1超声波振动器
21b、22b 第1搅拌器 21c、21c 第1温度传感器
21d、22d 第1液中载体 23、53 溢流槽
30 真空蒸餾器 30r 冷却锅
40 第1温度调整器 42、47、72 泵
51a、52a 第2超声波振动器
52b、52b 第2搅拌器 51c、52c 第2温度传感器
51d、52d 第2液中载体 51 第1冲洗槽
52 第2冲洗槽 54 回收槽
55 第3冷卻器 60 常压蒸馏器
60b、91b 阀 61 第2冷卻器
70 第2温度调整器 70h 第2热交换器7
80 水分离槽 90 分离器
91 蓄积槽 91f 上限传感器
91e 下限传感器 99 真空干燥器
101 第1回流管 102 第2回流管
200 台 210 盒匣
221 第1臂部 222 第2臂部
230 第2移载装置 240 搬送装置
241 保持具 242 钩部
具体实施方式
其次,说明本发明实施例的清洗装置。作为被清洗体的掩膜是与在图15至图17所示的传统蒸镀步骤中所使用的同样的掩膜10。即,该掩膜沿着形成有机材料的预定图案,由形成有纵横各数微米程度的孔11的金属薄膜所构成。该金属薄膜是由例如镍(Ni)及铁(Fe)所构成。此外,在该掩膜的缘部固定有由镍(Ni)及铁(Fe)所构成金属框12。金属框12具有扣止部13。以下,将固定在金属框12的掩膜10简称为“掩膜10”。
本实施例的清洗装置是在使有机EL用的有机材料蒸镀在形成有驱动TFT的绝缘性基板的蒸镀步骤中,去除附着在由用于蒸镀的金属薄膜所构成的掩膜10的前述有机材料。本实施例的清洗装置的整体构成与用以去除附着在掩膜10的有机EL用的有机材料的清洗系统、及用以搬送掩膜10的搬送系统大为不同。
首先,参照附图说明本实施例的清洗装置的清洗系統的构成。图1是本实施例的清洗装置的清洗系统的说明图。在图1中省略了搬送系統的构成要素。
如图1所示,本实施例的清洗装置的清洗系统具备:由预定的清洗液清洗处理掩膜10的第1及第2清洗槽21、22;以及利用预定的冲洗液对由第1及第2清洗槽21、22予以清洗处理的掩膜10进行冲洗处理的第1及第2冲洗槽51、52。
前述预定的清洗液是例如碳化氢(HC)系的清洗液。此外,前述预定冲洗液是具有沸点比前述清洗液低的包含氟(F)的溶媒,例如氢氟醚(hydrofluoroether,HFE)。该冲洗液的比重比水分大。且通过利用表面张力小的前述冲洗液对表面张力大的前述清洗液进行冲洗,具有冲洗液进入更细微之处且确实捕捉清洗液的效果。
其次,说明本实施例的清洗装置的清洗系统中第1及第2清洗槽21、22的构成。
该清洗装置在第1清洗槽21具备有蓄积从该第1清洗槽21溢流的清洗液的溢流槽23。且该清洗装置具备用以从包含以清洗装置丛掩膜10去除的有机材料的清洗液,利用真空蒸馏仅抽出清洗液的真空蒸馏器30。包含有机材料的清洗液从第1清洗槽21溢流至溢流槽23,并从该溢流槽23流入真空蒸馏器30。沉淀在真空蒸馏器30的有机材料在冷却锅30r冷却并排出至外部。
前述的清洗液的蒸馏中,在真空状态下加热该清洗液并予以蒸馏。由此,可使该清洗液的155℃左右的沸点降低,使蒸馏时的加热温度尽量降低。
该清洗装置具备将由真空蒸馏器30真空蒸馏的清洗液冷却至室温的第1冷却器31。由前述第1冷却器31冷却至室温的清洗液通过第1回流管101回流至第2清洗槽22。
在本案中,室温是“10℃至40℃”,最好是“20℃至30℃”,更好地是25℃。
通过前述清洗液的真空蒸馏、冷却、及回流,可在室温进行掩膜10的处理。因此,可尽量抑制因热的应力所产生的张力或损伤。
再者,前述第1及第2清洗槽21、22具备用以使前述清洗液振动的未图标的第1超声波振动器,以使清洗液确实到达掩膜10的表面。再者,为了对应由该第1超声波振动器的振动所造成的清洗液的温度上升,第1及第2清洗槽21、22具备将清洗液的温度予以微调整的第1温度调整器40。
在此,第1温度调整器40具备第1热交换器40h及泵42,由该第1热交换器40h冷却第1及第2清洗槽21、22的清洗液。且第1温度调整器40依据是否使由该第1热交换器40h冷却的清洗液,经由泵42流入第1及第2清洗槽21、22,将该各槽的清洗液的温度微调整在室温。
再者,清洗液被循环由过滤器所过滤。如图1所示,在其循环经路、即清洗槽21、第1温度调整器40、泵42、清洗槽21的路径设置有过滤器,但该过滤器是与该路径不同的其它路径,也可设置与该路径并设的路径,即清洗槽21、过滤器、泵42、清洗槽21的路径。
如上所述,通过第1温度调整器40可对第1及第2清洗槽21、22的清洗液进行微调整。
其次,说明本实施例的清洗装置的清洗系统中第1及第2冲洗槽51、52的构成。
该清洗装置在第1冲洗槽51具备有蓄积从该第1冲洗槽51溢流的冲洗液的溢流槽53。
该清洗装置具备用以从包含经由掩膜10进入第1冲洗槽51的第2清洗槽22的微量清洗液或微量有机材料等的杂质的冲洗液,利用常压下的常压蒸馏去除该杂质的常压蒸馏器60。冲洗液从第1冲洗槽51溢流至溢流槽53,并从该溢流槽53流入常压蒸馏器60。
前述冲洗液的沸点为例如60℃程度时,如具有约160℃程度的沸点的清洗液的蒸馏,无须进行用以使该沸点降低的真空蒸馏。因此,利用常压蒸馏器60进行常压(大气压)下的常压蒸馏。蒸馏时蒸发的冲洗液通过使冲洗液液化的温度的陷波线圈(trap coil)60t而液化。
该清洗装置具备将由常压蒸馏器60常压蒸馏的冲洗液冷却至室温的第2冷却器61。由前述第2冷却器61冷却至室温的冲洗液通过第2回流管102回流至第2冲洗槽52。
在此,于第2冷却器与第2回流管102之间具备有水分离槽80,该水分离槽80用于将经过常压蒸馏而含有水分的冲洗液中的水分与冲洗液分离。冲洗液经过分离水分离后,通过第2回流管102而回流至第2冲洗槽52。
此外,该清洗装置具备回收从第1冲洗槽51或第2冲洗槽52蒸发的冲洗液的回收槽54.例如,回收槽54内的温度被设定为第2冲洗槽52的蒸汽压与回收槽54内的蒸汽比为150∶1至10∶1的温度即可。回收槽54具备第3冷却器55。该第3冷却器55使回收槽54冷却至例如零下25℃左右,由此回收槽54的蒸汽压会低到第1冲洗槽51或第2冲洗槽52的大约百分之一左右,且蒸发的冲洗液会流入回收槽54。流入回收槽54的冲洗液流入水分离槽80,含有的水分分离后,通过第2回流管回流至第2冲洗槽52。
通过前述清洗液的真空蒸馏、冷却、及回流,可在室温进行掩膜10的冲洗处理。因此,可尽量抑制因热的应力所产生的张力或损伤。
此外,在上述的清洗装置中,由于将浸渍在清洗液的掩膜10浸渍在冲洗液,因此将有微量的清洗液会经由掩膜10移动至第1冲洗槽51的冲洗液,而与该冲洗液混合。因此,该清洗装置具备将含有清洗液的冲洗液分离为清洗液与冲洗液的分离器90。该分离器90通过在使含有清洗液的冲洗液蒸发后,利用冷却器等冷却该蒸发的冲洗液,而液化回收。如此分离的冲洗液流入水分离槽80,将所含的水分经分离后,通过第2回流管102回流至第2冲洗槽52。
再者,该清洗装置具备蓄积由该分离器90所分离的清洗液、从常压蒸馏器60流入的经常压蒸馏前的冲洗液(含有清洗液),再流入分离器90的蓄积槽91。
在此,蓄积槽91具备检测出流入蓄积的清洗液及冲洗液的液面上限的上限传感器91f,以及检测出该液面下限的下限传感器91e。通过阀60b的开闭,使来自常压蒸馏器60的冲洗液流入蓄积槽91,直到上限传感器91f检测出液面。随着反复进行该清洗液与冲洗液的分离的次数增加,蓄积在蓄积槽91的冲洗液包含有许多从分离器90流入且在蓄积槽91蓄积的清洗液。因此,含有该清洗液的冲洗液在分离器90蒸发且分离的速度会变慢。
因此,在蓄积槽91内,依据下限传感器91e的检测结果,计测从分离器90的分离开始时间点至冲洗液的液面到达下限的时间,该到达时间比预定时间长时,包含在该蓄积槽内的冲洗液的清洗液被视为饱和状态,而结束分离器90的分离。结束分离器90的分离后,在蓄积槽91内分离的清洗液流入真空蒸馏器30。
通过以上的处理,分离包含于冲洗液的清洗液,可仅对冲洗液加以再利用。
此外,前述第1冲洗槽51及第2冲洗槽52具备用以使前述冲洗液振动的未图标的第2超声波振动器,以使该冲洗液确实到达掩膜10的表面。再者,为了响应由该第2超声波振动器的振动所造成的清洗液的温度上升,第1及第2冲洗槽51、52具备将清洗液的温度予以微调整的第2温度调整器70。
在此,第2温度调整器70具备第2热交换器70h及泵72,由该第2热交换器70h冷却第1及第2冲洗槽51、52的冲洗液。且第2温度调整器70依据是否使由该第2热交换器70h冷却的冲洗液,经由泵72流入第1及第2清洗槽51、52,将该各槽的冲洗液的温度微调整在室温。
如上所述,通过第2温度调整器70可对第1及第2冲洗槽51、52的清洗液进行微调整。
其次,说明第1及第2清洗槽21、22及第1及第2冲洗槽51、52的各槽内的详细构成。图2是说明第1及第2清洗槽21、22的剖面图。图3是说明第1及第2冲洗槽51、52及回收槽54的剖面图。在图2及图3中省略了溢流槽23、53。
如图2所示,第1及第2清洗槽21、22分别具备第1超声波振动器21a、22a、第1搅拌器21b、22b、第1温度传感器21c、21c以及可动式第1液中载体21d、22d。在此,第1超声波振动器21a、22a使该清洗液产生振动即可,以使清洗液确实到达掩膜10的表面,并使其与掩膜正对向,但1个1个清洗掩膜10的表面的枚举式,与清洗多枚的总括式的情形相比较,前者的第1超声波振动器21a、22a的效果较大。且第1搅拌器21b、22b用以搅拌该清洗液,以使清洗液在第1及第2清洗槽21、22流动。
此外,第1温度传感器21c、21c在以第1温度调整器40对第1及第2清洗槽21、22内的清洗液进行温度调整时,检测出该清洗液的温度,以作为参考温度。此外,第1液中载体21d、22d具有在对掩膜10进行清洗处理时保持该掩膜10且浸渍在清洗液的功能。且第1液中载体21d、22d最好具有使掩膜10整体朝垂直方向振动的振动功能,以使冲洗液确实到达掩膜10的表面。
如上所述,在第1及第2清洗槽21、22中,通过以第1超声波振动器21a、22a进行清洗液的振动,以第1搅拌器21b、22b进行清洗液的搅拌,以第1液中载体21d、22d进行掩膜10的摇动,而可确实利用该清洗液对掩膜10进行清洗处理。
同样地,如图3所示,第1及第2冲洗槽51、52分别具备第2超声波振动器51a、52a、第2搅拌器52b、52b、第2温度传感器51c、52c以及可动式第2液中载体51d、52d。在此,第2超声波振动器51a、52a是使该冲洗液产生振动的振动器。且第1搅拌器51b、52b用以搅拌该冲洗液,以使冲洗液在第1及第2冲洗槽51、52流动。
第2温度传感器51c、52c在以第2温度调整器70对第1及第2冲洗槽51、52内的冲洗液进行温度调整时,检测出该冲洗液的温度,以作为参考温度。此外,第2液中载体51d、52d具有在对掩膜10进行冲洗处理时保持该掩膜10且浸渍在冲洗液的功能。且第2液中载体51d、52d最好具有使掩膜10整体朝垂直方向振动的振动功能,以使冲洗液确实到达掩膜10的表面。
再者,与第2冲洗槽52导通的回收槽54具备第3冷却器55及第3温度传感器54c。第3冷却器55使回收槽54冷却至比第1及第2冲洗槽51、52低的温度。该冷却温度是在如前所述的例如零下25℃左右。导入回收槽54的经蒸发的冲洗液通过所谓的陷波线圈(trap coil)54t而液化并回收在该回收槽54。
此外,在第1及第2冲洗槽51、52的冲洗液的液面上方,具备有第3及第4温度调整器57、58及2个第4温度传感器50c。第3温度调整器57通过使第1及第2冲洗槽51、52的冲洗液的液面上方的温度冷却至例如零下10℃左右,而形成用以抑制蒸发的冲洗液扩散至第1及第2冲洗槽51、52的外部的第1空气层59a。此外,第4温度调整器58系将第1空气层59a的上方温度调整在比室温略高的温度,而形成用以抑制第1及第2冲洗槽51、52的外部大气流入该槽内的第2空气层59b。
在此,第3及第4温度调整器57、58的前述温度的调整最好依据2个第4温度传感器50c的温度检测结果来进行。且前述第3及第4温度调整器57、58的前述温度调整被调整为预设的预定温度时,也可省略2个第4温度传感器50c的任一个或全部。
如上所述,第1及第2冲洗槽51、52中,通过以第2超声波振动器51a、52a进行清洗液的振动,以第2搅拌器51b、52b进行冲洗液的搅拌,以第2液中载体51d、52d进行掩膜10的摇动,而可确实利用该冲洗液对掩膜10进行冲洗处理。
在第1及第2冲洗槽51、52的冲洗液的液面上方,具备有第3及第4温度调整器57、58,因此可在不会使于第1及第2冲洗槽51、52蒸发的冲洗液扩散至大气中的状态下,通过回收槽54進行回收。
其次,说明本实施例的清洗装置的清洗系统中清洗液的流动。在第1清洗槽21及第2清洗槽22浸渍掩膜10并进行清洗处理时,从掩膜10去除的有机材料会混入清洗液。且通过第1回流管101而回流的清洗液流入第2清洗槽时,第1及第2清洗槽21、22的清洗液会溢流至第1溢流槽23。溢流的清洗液流入真空蒸馏器30。在此,真空蒸馏器30内被减压至0.8气压左右,且加热至例如120℃左右,以进行清洗液的真空蒸馏。沉淀在真空蒸馏器30的底部的有机材料在冷却锅30r冷却并定期性地排出至外部。
该清洗液的沸点在例如160℃左右,但在真空状态中加热并蒸馏该清洗液,由此可使该沸点降低,并使蒸馏时的加热温度降低至例如120℃左右。且上述蒸馏是真空蒸馏,因此在蒸馏的过程中在清洗液不会含有水分。
经真空蒸馏且去除有机材料的清洗液由第1冷却器31冷却至室温,且通过第1回流管101而回流至第2清洗槽。
此外,第1及第2清洗槽21、22的清洗液的一部分通过装设在第1温度调整器40的第1热交换器40h而冷却,该冷却的清洗液经由泵42适当地流入第2清洗槽22。
其次,说明本实施例的清洗装置的清洗系统中清洗液的流动。在第1冲洗槽51、第2冲洗槽52浸渍掩膜10并进行清洗处理时,从掩膜10去除的有机材料会混入冲洗液。且通过第2回流管102而回流的冲洗液流入第2冲洗槽52时,第1及第2冲洗槽51、52的冲洗液会溢流至第2溢流槽53。
该溢流的冲洗液流入真空蒸馏器60。在此,冲洗液的沸点为例如60℃程度,因此如具有约160℃程度的沸点的清洗液的蒸馏,无须进行用以使该沸点降低的真空蒸馏。因此,常压蒸馏器60内是在常压(大气压)下,被加热至超过该沸点的例如65℃左右,以进行冲洗液的常压蒸馏。
通过常压蒸馏,去除包含在冲洗液的有机材料(通过附着有清洗液的掩膜10搬送)等杂质。经常压蒸馏的冲洗液在常压蒸馏的过程中混合有水分,但利用比该水分大的比重,分离为水分与冲洗液。该冲洗液通过第2冷却液62冷却至室温,而流入至水分离槽80。
在水分离槽80中去除水分的冲洗液通过第2回流管102而回流至第2冲洗槽52。
此外,虽流入常压蒸馏器60但未经常压蒸馏的冲洗液的一部分,即包含微量的清洗液(经由掩膜10混合在冲洗液)的冲洗液依据阀60b的开闭,流入蓄积槽91,在到达蓄积槽91的上限后,阀60b会关闭,而停止冲洗液的流入。且蓄积槽91内的冲洗液流入分离器90,开始冲洗液与清洗液的分离。
通过下限传感器91e检测出蓄积槽91内的冲洗液的液面时,再打开阀60b,使冲洗液从常压蒸馏器60流入蓄积槽91内。
由分离器90分离的冲洗液利用比该水分大的比重,在利用水分离槽80去除水分后,通过第2回流管102而回流至第2清洗槽52。由分离器90分离的清洗液流入蓄积槽91。
随着反复进行该清洗液与冲洗液的分离,蓄积在蓄积槽91的冲洗液包含有许多从分离器90流入且在蓄积槽91内蓄积的清洗液。因此,含有该清洗液的冲洗液在分离器90蒸发且分离的速度会变慢。
因此,在蓄积槽91内,依据下限传感器91e对蓄积槽91的冲洗液的液面的检测结果,计测从分离器90的分离开始时间点至冲洗液的液面到达下限的时间,该到达时间比预定时间长时,包含在该蓄积槽91内的冲洗液的清洗液被视为饱和状态,而结束分离器90的分离。然后打开原本关闭的阀91b,使在蓄积槽91内分离的清洗液流入真空蒸馏器30。
再者,从第1及第2冲洗槽51、52蒸发的冲洗液通过第3冷却器55,导入冷却至比第1及第2冲洗槽51、52更低的例如零下25℃左右的回收槽54,并予以回收。回收至回收槽54的冲洗液流入水分离槽80,并利用1.5左右的比重去除水分,通过第2回流管102而回流至第2清洗槽52。
其次,参照附图说明本实施例的清洗装置的搬送系统。图4至图8、图11至图14是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的剖面图。图9及图10是说明本发明实施例的清洗装置的搬送系统的立体图。图4至图14中,清洗系统的构成要素仅是对于所示的搬送系統的説明所需的一部分构成要素。
如图4至图14所示,本实施例的清洗装置的搬送系统具备:设置在台200上且将多个掩膜10收纳在水平方向的盒匣210;具有从盒匣210取出1个掩膜10的第1臂部221的第1移载装置220;具有握持掩膜10的第2臂部222的第2移载装置230;将掩膜10搬送至第1及第2清洗槽21、22及第1及第2冲洗槽51、52的搬送装置240。在此,搬送装置240在搬送掩膜10时,具有保持掩膜10的一边的钩部242。
其次,说明本实施例的清洗装置的搬送系统的动作。如图4所示,第1移载装置220的第1臂部221会伸缩,从盒匣210取出1个掩膜10。其次,如图5所示,第1移载装置220使第1臂部221下降,并将掩膜10载置在台200的预定位置。其次,如图6所示,第2移载装置230利用第2臂部222握持掩膜10,且如图7所示,将掩膜10载置在搬送装置240上。
再者,如图8所示,载置有掩膜10的搬送装置240在垂直方向旋转90度左右,且立起至垂直状态。且在搬送装置240上载置的掩膜10也同时朝垂直方向旋转90度而立起。此时的搬送装置240及载置在搬送装置240的掩膜10的状态显示在图9的立体图中。
如此,为了使搬送装置240及掩膜10成为垂直状态,在构成掩膜10的金属薄膜施加应力(对金属薄膜施加的重力所产生的应力或由液的摇动所产生的应力),可尽量避免金属疲劳或损伤。此外,通过使掩膜10靠在垂直方向,也具有不错的去除液体的效果。
前述搬送装置240与掩膜10旋转时的角度不一定为90度左右。即,只要利用因重力所产生的应力构成掩膜10的金属薄膜尽量不会产生金属疲劳或损伤的角度,搬送装置240与掩膜10也可旋转至水平及垂直以外的角度。
此外,如图10的立体图所示,预先装设在搬送装置240的保持具是以与掩膜10的扣止部13嵌合的方式压接在该掩膜10的扣止部13。由此,掩膜10不会对其金属薄膜的表面造成损伤,而由搬送装置240的保持具241与钩部242所挟持保持。
如上述保持在该搬送装置240的掩膜10与搬送装置240一同被搬送至清洗装置的清洗系统、即第1及第2清洗槽21、22(以及第1及第2冲洗槽51、52)。在此,该搬送时,搬送装置240如图11的剖面图所示,连续性进行垂直方向及水平方向的移动,如该图中轨迹1及8所示,依据近似圆弧状的曲线状的预定轨迹而移动。此外,图11中的A、B、C显示了清洗液或冲洗液的液面情报的垂直方向的位置(高度)。
通过具有预定轨迹的搬送装置240的移动,可尽量避免因该移动从垂直方向切换至水平方向或从水平方向切换至垂直方向时的冲激所产生的应力,造成在由金属薄膜所构成的掩膜10产生金属疲劳或损伤。
此外,搬送装置240以预定的速度而移动。该预定速度是通过搬送装置240移动时的风压或冲激所产生的应力不会在由金属薄膜所构成的掩膜10上产生金属疲劳或损伤的程度的速度。或是,前述预定的速度是通过搬送装置240移动时所产生的乱流不会促使第1及第2冲洗槽51、52内的冲洗液的蒸发的预定速度。
其次,如图12所示,载置掩膜10的搬送装置240被搬送至第1清洗槽21上。且如图3所示,装设在第1清洗槽21的第1液中载体21d会上升至清洗液的液面上方。且第1液中载体21d上升至与搬送装置240同一位置后,或搬送装置240移动至与上升至清洗液的液面上方的第1液中载体21d同一位置后,解除搬送装置240的保持具241的压接,且掩膜10会位移至液中载体21d。
然后,如图14所示,载置有掩膜10的第1液中载体21d会下降至清洗液中,掩膜10会浸渍在清洗液。且将掩膜10从清洗液取出时,依序进行图14、图13、图12所示的过程。与图12至图14所示的第1清洗槽21同样地,载置有掩膜10的搬送装置240被搬送在第2清洗槽22上。且在掩膜10经由第1液中载体21d浸渍在清洗液后,予以取出。
如上所述,在第1及第2清洗槽21、22的清洗液浸渍掩膜10时,在未将搬送装置240浸渍在清洗液的情况下,可进行清洗处理。即,可尽量避免清洗液附着在搬送装置240。因此,可尽量避免第1及第2清洗槽21、22的清洗液经由搬送装置240被搬送至第1及第2冲洗槽51、52的冲洗液。
与图12至图14所示的第1清洗槽21同样地,载置有掩膜10的搬送装置240被搬送在第1冲洗槽51上。且在掩膜10经由第2液中载体51d浸渍在冲洗液中后,予以取出。再者,载置有掩膜10的搬送装置240被搬送在第2冲洗槽52上。且在掩膜10经由第2液中载体52d浸渍在冲洗液中后,予以取出。
如上所述,在第1及第2冲洗槽51、52的冲洗液浸渍掩膜10时,在未将搬送装置240浸渍在冲洗液的情况下,可进行冲洗处理。即,可尽量避免冲洗液附着在搬送装置240。因此,可尽量避免在进行清洗处理时,冲洗液附着在搬送装置240,该冲洗液被搬送至第1及第2冲洗槽51、52的清洗液。
此外,前述搬送装置240在将掩膜10浸渍在清洗液或冲洗液时,最好依图11的轨迹1至4移动。即,最初搬送装置240依轨迹1从A移动至B的高度再暂时停止。在停止時,并非突然停止,而是缓慢地减速同时使之停止,以便不会对掩膜10施加应力。而且,在未显示的液中载体21d、22d、51d、52d上升至B的高度后,搬送装置240在液中载体21d、22d、51d、52d交付掩膜10,同时从B移动至C的高度。然后,搬送装置240以返回A的高度的方式,依轨迹4朝垂直方向移动。
再者,前述搬送装置240在将掩膜10从清洗液或冲洗液的液中取出时,最好依图11的轨迹5至8移动。即,最初搬送装置240依轨迹5从A移动至C的高度。其次,以接近液中载体21d、22d、51d、52d的方式,依轨迹6朝水平方向移动。然后,搬送装置240依轨迹7从C移动至B的高度再暂时停止。然后,搬送装置240以从上升至B的高度的液中载体21d、22d、51d、52d将掩膜10捞起的方式位移,同时依轨迹8从B移动至A的高度。此时,为了使搬送装置240不会急剧朝上方向移动,最好缓慢地增加移动速度。通过以上方式,搬送装置240可在不对掩膜施加前述应力的状态下移动。
在此,搬送装置240在将1个掩膜10搬送至第1及第2清洗槽21、22或第1及第2冲洗槽51、52的任一槽后,也可将与完成该搬送的掩膜10不同的其它掩膜10搬送至其它槽。
最后,载置有掩膜10的搬送装置240被搬送至图1所示的真空干燥器99并予以干燥。
如上所述,通过在图11所示的轨迹1或8中以圆弧状的方式移动,且在轨迹1中缓慢地将移动速度(下方向)予以减速,且在轨迹8中缓慢地将移动速度(上方向)予以加速,可使施加在掩膜10的应力减少。此外,未搬送掩膜10时的搬送装置240的动作只要不会与液槽的液壁或液中载体碰撞即可,可为圆弧状,也可急剧地移动。
且在前述实施例中,是将清洗液及冲洗液作为碳化氢系的清洗液及氟系的冲洗液,但本发明并不限定于此。即,前述清洗液及冲洗液可对掩膜10进行清洗处理(有机EL用的有机材料的去除)及冲洗处理,只要具有与碳化氢系的清洗液及氟系的冲洗液同样的沸点、以及相对于水分的比重,即可作为前述以外的清洗液及冲洗液。
Claims (6)
1.一种清洗装置,用以去除附着在由金属薄膜所构成的掩膜的有机EL用的有机材料,其特征为具备:
由预定的清洗液清洗处理前述掩膜的清洗槽;
由预定的冲洗液冲洗处理前述掩膜的冲洗槽;
搬送装置,其以水平以外的预定角度保持该掩膜,将以该预定角度所保持的该掩膜搬送至前述清洗槽及前述冲洗槽,以使前述掩膜的前述金属薄膜不会因重力所造成的应力而受损伤。
2.如权利要求1所述的清洗装置,其中前述搬送装置最初在水平的状态下保持前述掩膜后,在保持该掩膜的状态下,朝垂直方向立起,并以前述预定角度保持该掩膜。
3.如权利要求2所述的清洗装置,其中前述搬送装置是具备:保持具,以压接该搬送装置所载置的前述掩膜的一部分的方式滑动;以及钩部,用以抑制因前述保持具的压接而造成的前述掩膜另一方缘部的偏离;
利用前述保持具及前述钩部挟持前述掩膜的缘部,而保持该掩膜。
4.如权利要求1所述的清洗装置,其中前述搬送装置依近似的圆弧状的曲线状的预定轨迹,连续地进行从垂直方向朝水平方向的移动方向的切换,或从水平方向朝垂直方向的切换。
5.如权利要求1所述的清洗装置,其中前述清洗槽及前述冲洗槽在该各槽内具有可动式的液中载体,
将通过前述搬送装置所搬送的前述掩膜在大气中移交于上升至前述清洗液或前述冲洗液的液面上方的前述液中载体,
而将载置有前述掩膜的前述液中载体与该掩膜一同浸渍在前述清洗液中或前述冲洗液中。
6.如权利要求1至5中任一项所述的清洗装置,其中前述预定冲洗液是包含氟的溶媒。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004254656 | 2004-09-01 | ||
JP2004254656 | 2004-09-01 | ||
JP2005249431 | 2005-08-30 | ||
JP2005249431A JP4644565B2 (ja) | 2004-09-01 | 2005-08-30 | 洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1746331A true CN1746331A (zh) | 2006-03-15 |
CN100567553C CN100567553C (zh) | 2009-12-09 |
Family
ID=36239842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005100936991A Active CN100567553C (zh) | 2004-09-01 | 2005-09-01 | 清洗装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4644565B2 (zh) |
KR (1) | KR100661408B1 (zh) |
CN (1) | CN100567553C (zh) |
TW (1) | TWI298746B (zh) |
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KR100891067B1 (ko) | 2007-12-03 | 2009-03-31 | 주식회사 동부하이텍 | 웨트 스테이션 장치 |
KR101103474B1 (ko) * | 2010-08-19 | 2012-01-09 | 현대중공업 주식회사 | 기판 세정 장치 |
JP5877955B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2016-03-08 | キヤノントッキ株式会社 | 蒸着装置並びに蒸着方法 |
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CN110965021A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-04-07 | 寰采星科技(宁波)有限公司 | 一种金属掩模板堵孔返修方法及装置 |
CN115382834A (zh) * | 2022-09-06 | 2022-11-25 | 苏州清越光电科技股份有限公司 | 掩膜版清洗机构及掩膜版清洗设备 |
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---|---|---|---|---|
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-
2005
- 2005-08-30 JP JP2005249431A patent/JP4644565B2/ja active Active
- 2005-08-31 TW TW094129815A patent/TWI298746B/zh active
- 2005-09-01 KR KR1020050081165A patent/KR100661408B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-01 CN CNB2005100936991A patent/CN100567553C/zh active Active
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---|---|
TWI298746B (en) | 2008-07-11 |
CN100567553C (zh) | 2009-12-09 |
KR20060050912A (ko) | 2006-05-19 |
KR100661408B1 (ko) | 2006-12-27 |
JP4644565B2 (ja) | 2011-03-02 |
TW200617196A (en) | 2006-06-01 |
JP2006100264A (ja) | 2006-04-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |