CN1731570A - 一种源漏位于绝缘层上的mos晶体管的制作方法 - Google Patents
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Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CNB2005100863242A CN100356528C (zh) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | 一种源漏位于绝缘层上的mos晶体管的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2005100863242A CN100356528C (zh) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | 一种源漏位于绝缘层上的mos晶体管的制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1731570A true CN1731570A (zh) | 2006-02-08 |
CN100356528C CN100356528C (zh) | 2007-12-19 |
Family
ID=35963901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005100863242A Expired - Fee Related CN100356528C (zh) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | 一种源漏位于绝缘层上的mos晶体管的制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100356528C (zh) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100414714C (zh) * | 2006-07-21 | 2008-08-27 | 北京大学深圳研究生院 | 一种部分耗尽soi结构的mos晶体管及其制作方法 |
CN100440537C (zh) * | 2006-04-11 | 2008-12-03 | 北京大学深圳研究生院 | 一种部分耗尽的soi mos晶体管及其制作方法 |
CN100527371C (zh) * | 2007-09-14 | 2009-08-12 | 北京大学 | 一种部分耗尽的soi mos晶体管的制备方法 |
CN101986435A (zh) * | 2010-06-25 | 2011-03-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 防止浮体及自加热效应的mos器件结构及其制造方法 |
CN102903640A (zh) * | 2012-10-23 | 2013-01-30 | 哈尔滨工程大学 | 一种利用牺牲层的soi mosfet体接触形成方法 |
CN105097822A (zh) * | 2015-09-12 | 2015-11-25 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
WO2016008195A1 (zh) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN105304628A (zh) * | 2014-07-16 | 2016-02-03 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN105322010A (zh) * | 2014-07-16 | 2016-02-10 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件的制造方法 |
US9306003B2 (en) | 2014-07-16 | 2016-04-05 | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN105990143A (zh) * | 2015-02-04 | 2016-10-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 |
CN105990144A (zh) * | 2015-02-04 | 2016-10-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 |
CN105322012B (zh) * | 2014-07-16 | 2018-12-04 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100457225B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2004-11-16 | 동부전자 주식회사 | 모스펫의 제조 방법 |
KR100488099B1 (ko) * | 2002-11-18 | 2005-05-06 | 한국전자통신연구원 | 쇼오트 채널 모오스 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
DE10335101B4 (de) * | 2003-07-31 | 2010-02-04 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zur Herstellung einer Polysiliziumleitung mit einem Metallsilizidgebiet, das eine Linienbreitenreduzierung ermöglicht |
DE10351006B4 (de) * | 2003-10-31 | 2010-01-21 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit erhöhten Drain- und Source-Gebieten, wobei eine reduzierte Anzahl von Prozessschritten erforderlich ist |
KR100597460B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2006-07-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 트랜지스터 및제조방법 |
-
2005
- 2005-08-31 CN CNB2005100863242A patent/CN100356528C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100440537C (zh) * | 2006-04-11 | 2008-12-03 | 北京大学深圳研究生院 | 一种部分耗尽的soi mos晶体管及其制作方法 |
CN100414714C (zh) * | 2006-07-21 | 2008-08-27 | 北京大学深圳研究生院 | 一种部分耗尽soi结构的mos晶体管及其制作方法 |
CN100527371C (zh) * | 2007-09-14 | 2009-08-12 | 北京大学 | 一种部分耗尽的soi mos晶体管的制备方法 |
CN101986435A (zh) * | 2010-06-25 | 2011-03-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 防止浮体及自加热效应的mos器件结构及其制造方法 |
CN101986435B (zh) * | 2010-06-25 | 2012-12-19 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 防止浮体及自加热效应的mos器件结构的制造方法 |
CN102903640A (zh) * | 2012-10-23 | 2013-01-30 | 哈尔滨工程大学 | 一种利用牺牲层的soi mosfet体接触形成方法 |
CN102903640B (zh) * | 2012-10-23 | 2015-09-30 | 哈尔滨工程大学 | 一种利用牺牲层的soi mosfet体接触形成方法 |
CN105322010A (zh) * | 2014-07-16 | 2016-02-10 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件的制造方法 |
CN105322012B (zh) * | 2014-07-16 | 2018-12-04 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN105304628A (zh) * | 2014-07-16 | 2016-02-03 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN105322010B (zh) * | 2014-07-16 | 2019-05-28 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件的制造方法 |
US9306003B2 (en) | 2014-07-16 | 2016-04-05 | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2016008195A1 (zh) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN105304628B (zh) * | 2014-07-16 | 2018-06-01 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN105990144A (zh) * | 2015-02-04 | 2016-10-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 |
CN105990143A (zh) * | 2015-02-04 | 2016-10-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 |
CN105990143B (zh) * | 2015-02-04 | 2019-12-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 |
CN105990144B (zh) * | 2015-02-04 | 2021-04-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 |
WO2017041363A1 (zh) * | 2015-09-12 | 2017-03-16 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN105097822B (zh) * | 2015-09-12 | 2018-09-18 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN105097822A (zh) * | 2015-09-12 | 2015-11-25 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
US10504916B2 (en) | 2015-09-12 | 2019-12-10 | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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Publication number | Publication date |
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CN100356528C (zh) | 2007-12-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHA |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TR01 | Transfer of patent right |
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CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |