CN1708197A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光显示(OLED)装置和制造其的方法。该装置可以包括设置于衬底上的单元像素区。每个单元像素区可以包括发射区和非发射区。像素电极可以至少设置于发射区中。柱设置于发射相同颜色光的相邻单元像素区的发射区之间。该柱可以比像素电极进一步向上凸出。发射层可以设置于像素电极上。相对电极可以设置于发射层上。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
技术领域
本发明总体上涉及平板显示器(FPD)，且更具体地涉及一种有机发光显示(OLED)装置和制造其的方法。
背景技术
作为传统的阴极射线管(CRT)显示器的替代品，引入发光二极管(LED)的平板显示器(FPD)已经吸引了许多注意。LED是通过在两个导体之间设置一系列的薄膜制造的电子装置。当电流施加于导体时薄膜发射亮光。即使具有多层，LED也是非常薄的且可以用于生产薄FPD，该薄FPD是自发光的，即，不需要背光。如果夹在两个导体之间的薄膜由有机材料形成，可以生产平板有机电致发光显示器(OLED)。此类OLED装置比CRT显示器具有更宽的视角、更快的视频响应速度和更低的能耗。OLED装置好于CRT显示器的其它优点包括提高的亮度、较轻的重量、改善的耐久性和扩展的运行温度。
图1A和图1B是示出制造传统的OLED装置的方法的平面图，而图2A和图2B是分别沿图1A和图1B的线I-I所取的横截面图。
参考图1A和图2A，阳极3形成于包括红(R)、绿(G)和蓝(B)单元像素区R、G和B的绝缘衬底1上。每个阳极3位于单元像素区R、G和B之一中。像素界定层2形成于阳极3上以使像素界定层2具有暴露部分阳极3表面的开口2a。开口2a界定发射区E。空穴注入/传输层4形成于具有开口2a的衬底1的整个表面上。
其后，精细金属掩模置于形成有空穴注入/传输层4的衬底1上，使掩模具有暴露红单元像素区R的切口。精细金属掩模9利用真空吸附工艺粘接于衬底1。然后，利用精细金属掩模9作为掩模沉积红发射层5R。因此，红发射层5R形成于红单元像素区R中的空穴注入/传输层4上。
参考图1B和图2B，在形成红发射层5R之后，去除精细金属掩模9。在该工艺期间，裂纹C可能形成于部分空穴注入/传输层4(图2A的S)中，其粘接于精细金属掩模的切口的边缘。一般地，精细金属掩模9的切口的边缘是粗糙的，且该粗糙的边缘可能使裂纹C更差。裂纹C也可能透过空穴注入/传输层4形成于下面的像素界定层2中。而且，当没有形成空穴注入/传输层4时，裂纹C可以直接形成于像素界定层2中。
在去除精细金属掩模9之后，绿发射层5G和蓝发射层5B分别以形成红发射层5R相同的方式形成于绿和蓝单元像素区G和B上。相似地，裂纹可能在绿和蓝发射层5G和5B的两侧形成于空穴注入/传输层4或像素界定层2中。
随后，阴极6形成于发射层5R、5G和5B上。但是，如果形成了裂纹C，则它可以减薄或切开覆盖裂纹C的部分阴极6。在任一情况中，阴极6都被减弱。减弱的阴极区可以造成某些缺点，诸如单元像素减小现象，该现象在OLED装置的运行期间减少了从单元像素的边缘部分发射的光的量。
发明内容
本发明通过提供一种OLED装置和制造该装置的方法，其抑止和/或消除单元像素减小现象，从而可以解决上述的问题和/或克服与制造和/或运行传统的OLED装置有关的缺点。
本发明公开了一种OLED装置，包括设置于衬底上的单元像素区。每个单元像素区可以包括发射区和非发射区。像素电极可以至少设置于发射区。柱可以设置于发射相同颜色光的相邻单元像素区的发射区之间。该柱可以比像素电极向上凸出。发射层可以设置于像素电极上，且相对电极可以设置于发射层上。
本发明还公开了一种OLED装置，包括设置于衬底上的单元像素区，每个单元像素区可以包括发射区和非发射区。像素电极可以至少设置于发射区中。柱可以进一步比像素电极向上凸出。该柱可以具有等于或小于发射相同颜色光的相邻单元像素区的发射区之间的距离的长度。该柱可以具有小于每个单元像素区的宽度的宽度。发射层可以设置于像素电极上。相对电极可以设置于发射层上。
本发明还公开了一种制造OLED装置的方法，包括如下可以以任何适合的顺序执行的步骤：在衬底上在单元像素区的发射区中形成像素电极，单元像素区还包括非发射区；在发射相同颜色的光的相邻单元像素区的发射区之间形成柱。粘接精细金属掩模于具有该柱的衬底，精细金属掩模具有暴露发射相同颜色的光的相邻单元像素区的切口。另外，该方法还包括在暴露的单元像素区上形成发射层。
附图说明
将参考附图和本发明的某些实施例描述本发明的以上和其它特征。
图1A和图1B是示出制造传统的有机发光显示装置(OLED)的方法的平面图。
图2A和图2B是分别沿图1A和1B的线I-I所取的横截面图。
图3A和图3B是示出依据本发明的实施例的制造OLED装置的第一种方法的平面图。
图4A和图4B是分别沿图3A和3B的线II-II所取的横截面图，其进一步示出本发明的制造OLED装置的第一种方法。
图5A和图5B是分别沿图3A和3B的线III-III所取的横截面图，其进一步示出本发明的制造OLED装置的第一种方法。
图6A和图6B是分别沿图3A和3B的线IV-IV所取的横截面图，其进一步示出本发明的制造OLED装置的第一种方法。
图7A和图7B是分别沿图3A和3B的线V-V所取的横截面图，其进一步示出本发明的制造OLED装置的第一种方法。
图8A和图8B是分别沿图3A和3B的线II-II所取的横截面图，其示出本发明的制造OLED装置的第二种方法。
图9A和图9B是分别沿图3A和3B的线III-III所取的横截面图，其进一步示出本发明的制造OLED装置的第二种方法。
图10A和图10B是分别沿图3A和3B的线IV-IV所取的横截面图，其进一步示出本发明的制造OLED装置的第二种方法。
图11A和图11B是分别沿图3A和3B的线V-V所取的横截面图，其进一步示出本发明的制造OLED装置的第二种方法。
具体实施方式
下文参考显示本发明的实施例的附图更加全面地描述本发明。但是，本发明可以实现为不同的形式而不应解释为限于这里阐述的实施例。而是，提供实现实施例以使本公开充分和完整且完全地对本领域的技术人员传达本发明的范围。在附图种所示的层或区域的厚度为了清晰被放大，且在本说明书中，相同的附图标记可以用于指示相同的元件。
现将参考图3A、图3B、图4A、图4B、图5A、图5B、图6A、图6B、图7A、图7B描述依据本发明的实施例的制造有机发光显示器(OLED)的第一种方法。具体地，图3A和图3B是示出依据本发明的原理的制造OLED装置的第一种方法的平面图。图4A和图4B是分别沿图3A和3B的线II-II所取的横截面图。图5A和图5B是分别沿图3A和3B的线III-III所取的横截面图。图6A和图6B是分别沿图3A和3B的线IV-IV所取的横截面图。图7A和图7B是分别沿图3A和3B的线V-V所取的横截面图。
参考图3A、图4A、图5A、图6A和图7A，提供衬底100，在衬底100上设置有红(R)、绿(G)和蓝(B)的单元像素区R、G和B。单元像素区R、G和B可以以条形设置。即，发射相同颜色光的区可以以列或行设置。每个单元像素区R、G和B包括发射区E和非发射区，非发射区相应于发射区E之外的区域。
衬底100可以是玻璃衬底、塑料衬底或石英衬底。缓冲层105可以形成于衬底100上。半导体层110形成于非发射区中的缓冲层105上。半导体层110可以由非晶硅(a-Si)或多晶硅(多晶Si)形成。优选地，半导体层110由多晶Si形成。可以通过在衬底100上形成a-Si且结晶该a-Si获得多晶Si半导体层110。可以利用金属诱发结晶(MIC)工艺、金属诱发横向结晶(MILC)工艺、准分子激光退火(ELA)工艺或连续横向固化(SLS)工艺执行a-Si的结晶。
栅极绝缘层115可以形成于半导体层110上且栅电极120可以形成于栅极绝缘层115上。杂质离子可以利用栅电极120作为掩模掺入半导体层110，由此在半导体层110中形成源极和漏极区110a和110b。可以在源极区110a和漏极区110b之间界定沟道区110c。层间绝缘层125可以形成于栅电极120上。源电极130a和漏电极130b可以形成于层间绝缘层125上。源电极130a可以通过第一接触孔接触源极区。漏电极130b可以通过第二接触孔接触漏极区。以该方式，可以形成包括半导体层110、栅极绝缘层115、栅电极120以及源和漏电极130a和130b的薄膜晶体管(TFT)。在TFT形成期间，电容器(未显示)可以形成于非发射区中。
钝化绝缘层135可以形成于源和漏电极130a和130b上。钝化绝缘层135可以是有机层、无机层或其的组合。像素电极140可以形成于钝化绝缘层135上以通过通孔接触源电极130a或漏电极130b。像素电极140可以形成为阳极或阴极。当像素电极140形成为阳极时，它可以由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)制成。在作为阳极的像素电极140形成之前，可以利用从由Al、Ag、MoW、AlNd和Ti构成的组中选择的一种材料在钝化绝缘层135上形成反射层。另一方面，当像素电极140形成为阴极时，它可以由Mg、Ca、Al、Ag、Ba或其合金制成。
像素界定层150可以形成于像素电极140上，使其具有暴露部分像素电极140表面的开口150a。被开口150a占据的区域相应于发射区E。即，在一个实施例中，通过开口150a界定发射区E，且像素电极140至少位于发射区E中。同时，电连接于像素电极140的像素驱动电路可以设置于非发射区中。像素驱动电路可以包括上述的TFT和电容器。
像素界定层150可以由有机或无机层形成。当像素界定层150由有机层形成时，它可以由从苯并环丁烯(BCB)、丙烯酸光致抗蚀剂、酚醛光致抗蚀剂和聚酰亚胺光致抗蚀剂构成的组选择之一形成。但是，本发明不限于上述的材料和构成。
简要参考图6A和图7A，柱155可以形成于像素界定层150上或任何其它的合适的位置。柱155形成于发射相同颜色光的相邻的单元像素区的发射区之间。而且，柱155的长度155L可以等于或小于发射相同颜色光的相邻的单元像素区的发射区之间的距离Ed(图3A)。柱155可以由与像素界定层150相同的或不同的材料形成。更具体地，柱155可以是光敏树脂。另外，柱155可以由从丙烯酸基有机材料、聚酰亚胺基有机材料和聚酚基有机材料构成的组选择的一种形成。
柱155和具有开口150a的像素界定层150可以利用半色调掩模同时形成。更具体地，在像素电极140上堆叠单一或双绝缘层，用于形成像素界定层150和柱155。通过使用半色调掩模，当在像素界定层中形成开口150a时，同时形成柱155。
其后，第一电荷注入/传输层143可以形成于具有柱155的衬底100上。第一电荷注入/传输层143可以是单一或多层电荷注入/传输层。当像素电极140是阳极时，第一电荷注入/传输层143是空穴注入/传输层。当像素电极140是阴极时，第一电荷注入/传输层143是电子注入/传输层。
其后，精细金属掩模900可以粘接于衬底100，使它具有暴露红单元像素区R的切口。在一实施例中，精细金属掩模900可以粘接于形成于柱155上的第一电荷注入/传输层143。或者，如果第一电荷注入/传输层143没有形成，精细金属掩模900可以粘接于柱155。即，精细金属掩模900可以通过柱155支撑。因为柱155形成于发射相同颜色光的相邻的单元像素区的发射区之间，所以柱155被切口暴露或被精细金属掩模900覆盖，以使它不与切口的边缘900s接触。因此，切口的边缘900s位于从衬底100以上的第一电荷注入/传输层143的预定距离。或者，如果第一电荷注入/传输层143没有形成，则切口的边缘900s位于像素界定层150上方预定距离处。
随后，红发射层145R可以利用精细金属掩模900作为掩模形成于衬底100上。在红单元像素区R中，红发射层145R可以形成于第一电荷注入/传输层143上。其后，可以从衬底100上除去精细金属掩模900。如上所述，由于柱155，切口的边缘900s位于第一电荷注入/传输层143或像素界定层150以上预定距离处，因此在去除精细金属掩模900期间，裂纹没有形成于第一电荷注入/传输层143或像素界定层150中。
柱155可以形成至1μm或更大的高度以使切口的边缘900s可以从第一电荷注入/传输层143或像素界定层150隔开充分的距离。但是，当柱155具有过度的高度时，可能发生阴影效应。因此，柱155可以形成至约1μm至约5μm的高度。而且，柱155可以具有小于红单元像素区R的宽度Pw的宽度155w。更优选地，柱155的宽度155w等于或小于发射区E的宽度Ew。因此，可以有效地防止切口的边缘900s紧密粘接于柱155或形成于柱155上的第一电荷注入/传输层143。
参考图3B、图4B、图5B、图6B和图7B，绿发射层145G和蓝发射层145B分别以与形成红发射区145R时相同的方式形成于绿和蓝单元像素区中。如上所述，柱155防止用于形成绿和蓝发射区145G和145R的精细金属掩模的切口的边缘粘接于形成于像素界定层150上的第一电荷注入/传输层143或像素界定层150。因此，当去除精细金属掩模时，一裂纹或诸裂纹可以不形成于在像素界定层150上形成的第一电荷注入/传输层143中或像素界定层150中。
第二电荷注入/传输层147可以形成于红、绿和蓝发射层145R、145G和145B上。第二电荷注入/传输层147可以利用旋涂工艺或毯式沉积(blanketdeposition)工艺形成。第二电荷注入/传输层147可以是单层或多层第二电荷注入层和第二电荷传输层。当像素电极140是阳极时，第二电荷注入/传输层147是电子注入/传输层。当像素电极140是阴极时，第二电荷注入/传输层147是空穴注入/传输层。
相对电极149形成于第二电荷注入/传输层147上。当像素电极140是阳极时，相对电极149形成为阴极，而当像素电极140是阴极时，相对电极149形成为阳极。如上所述，本发明可以防止在相邻于发射区E的有机层中(即，在像素界定层150上形成的第一电荷注入/传输层143中或像素界定层150中)形成裂纹，该裂纹可以由去除精细金属掩模900导致。结果，阴极可以均匀地涂布，而没有被裂纹减薄或分开的部分。阴极的均匀涂布抑止和/或消除像素减小现象，且增加从单元像素区域的边缘部分发射的光的量。
此后，参考图3A、图3B、图8A、图8B、图9A、图9B、图10A、图10B、图11A和图11B描述依据本发明的另一实施例的制造OLED的方法。具体地，图8A和图8B分别是沿图3A和3B的线II-II所取的横截面图。图9A和图9B分别是沿图3A和3B的线III-III所取的横截面图。图10A和图10B分别是沿图3A和3B的线IV-IV所取的横截面图。图11A和图11B分别是沿图3A和3B的线V-V所取的横截面图。
参考图3A、图8A、图9A、图10A和图11A，提供衬底100，在衬底100上设置有红、绿和蓝单元像素区R、G和B。红、绿和蓝单元像素区可以以条形设置。即，发射相同颜色光的区可以以列或行设置。每个单元像素区R、G和B包括发射区E和非发射区，非发射区对应于发射区E之外的区域。
衬底100可以是玻璃衬底、塑料衬底或石英衬底。缓冲层105、TFT和层间绝缘层125可以用参考图4A、图5A、图6A和图7A所述的相同方式形成于衬底100上。TFT可以包括半导体层110、栅极绝缘层115、栅电极120以及源和漏电极130a和130b，且半导体层110包括源和漏极区110a和110b和沟道区110c。如上所述，在TFT形成期间，电容器(未显示)可以形成于非发射区中。
钝化绝缘层135可以形成于源和漏电极130a和130b上。钝化绝缘层135可以是有机层、无机层或其组合。像素电极140可以形成于钝化绝缘层135上以通过通孔接触源电极130a或漏电极130b。与上述的实施例不同，由像素电极140占据的区域可以对应于发射区E。即，发射区E可以通过像素电极140界定。同时，与像素电极140电连接的像素驱动电路可以设置于非发射区中。像素驱动电路可以包括上述的TFT和电容器。
像素电极140可以形成为阳极或阴极。当像素电极140形成为阳极时，它可以由ITO或IZO制成。在作为阳极的像素电极140形成之前，可以在钝化绝缘层135上利用从由Al、Ag、MoW、AlNd和Ti构成的组中选择的一种材料形成反射层。另一方面，当像素电极140形成为阴极时，它可以由Mg、Ca、Al、Ag、Ba或其合金制成。
柱155可以形成于其上形成有像素电极140的衬底100上以使柱155可以比像素电极140进一步向上凸出。柱155可以形成于发射相同颜色光的相邻的单元像素区的发射区之间。而且，柱155的长度155L可以等于或小于发射相同颜色光的相邻的单元像素区的发射区之间的距离Ed。柱155可以是光敏树脂。此外，柱155可以由从丙烯酸基有机材料、聚酰亚胺基有机材料和聚酚基有机材料构成的组选择一种形成。
其后，第一电荷注入/传输层143可以形成于具有柱155的衬底100上。第一电荷注入/传输层143可以是单一或多层电荷注入/传输层。当像素电极140是阳极时，第一电荷注入/传输层143是空穴注入/传输层。当像素电极140是阴极时，第一电荷注入/传输层143是电子注入/传输层。
其后，精细金属掩模900可以粘接于衬底100，使它具有暴露红单元像素区R的切口。在这样的实施例中，精细金属掩模900可以粘接于形成于柱155上的第一电荷注入/传输层143。如果第一电荷注入/传输层143没有形成，精细金属掩模900可以粘接于柱155。即，精细金属掩模900可以通过柱155支撑。因为柱155形成于发射相同颜色光的相邻的单元像素区的发射区之间，所以柱155被切口暴露或被精细金属掩模900覆盖，以使它不与切口的边缘900s接触。因此，切口的边缘900s位于衬底100上方离第一电荷注入/传输层143预定距离处。
随后，红发射层145R可以利用精细金属掩模900作为掩模形成于衬底100上。在红单元像素区R中，红发射层145R可以形成于第一电荷注入/传输层143上。之后，从衬底100去除精细金属掩模900。如上所述，由于柱155，切口的边缘900s位于第一电荷注入/传输层143或像素界定层150以上预定距离处，因此在去除精细金属掩模900期间，裂纹没有形成于第一电荷注入/传输层143中。
柱155可以形成至1μm或更大的高度以使切口的边缘900s可以从第一电荷注入/传输层143隔开充分的距离。但是，当柱155具有过度的高度时，可能发生阴影效应。因此，柱155可以形成至约1μm至约5μm的高度。而且，柱155可以具有小于红单元像素区R的宽度Pw的宽度155w。更优选地，柱155的宽度155w等于或小于发射区E的宽度Ew。因此，可以有效地防止切口的边缘900s紧密粘接到柱155或形成于柱155上的第一电荷注入/传输层143。
参考图3B、图8B、图9B、图10B和图11B，绿发射层145G和蓝发射层145B分别以与形成红发射区145R时相同的方式形成于绿和蓝单元像素区中。如上所述，柱155防止用于形成绿和蓝发射区145G和145R的精细金属掩模的切口的边缘粘接于第一电荷注入/传输层143。因此，当去除精细金属掩模时，裂纹可以不形成于第一电荷注入/传输层143中。
第二电荷注入/传输层147可以形成于红、绿和蓝反射层145R、145G和145B上。第二电荷注入/传输层147可以利用旋涂工艺或毯式沉积工艺形成。第二电荷注入/传输层147可以是单层或多层第二电荷注入/传输层。当像素电极140是阳极时，第二电荷注入/传输层147是电子注入/传输层。当像素电极140是阴极时，第二电荷注入/传输层147是空穴注入/传输层。
相对电极149形成于第二电荷注入/传输层147上。当像素电极140是阳极时，相对电极149形成为阴极，而当像素电极140是阴极时，相对电极149形成为阳极。如上所述，本发明可以防止在相邻于发射区E的有机层中(即，在像素界定层150上形成的第一电荷注入/传输层143中或像素界定层150中)形成裂纹，该裂纹可能由去除精细金属掩模900导致。因此，阴极可以均匀地沉积。阴极的均匀涂布抑止和/或消除了像素减小现象，且增加了从单元像素区域的边缘部分发射的光的量。
如上所说明，本发明可以防止由精细金属掩模的去除导致的在相邻于发射区的有机层中形成裂纹，从而阴极不会被裂纹减薄或切断。因此，依据本发明的原理制造的OLED装置可以以改进的观看对比度和/或图像质量运行。
虽然参考其示范性实施例具体显示和描述了本发明，然而本领域的一般技术人员可以理解在不脱离权利要求所界定的本发明的精神和范围的条件下，可以做出形式和细节上的不同变化。
本发明要求于2004年5月25日申请的Korean Patent ApplicationNo.2004-37555的优先权，其全体内容引入作为参考。

Claims (28)

1.一种有机发光显示装置，包括：
单元像素区，设置于衬底上，每个所述单元像素区包括发射区和非发射区；
像素电极，至少设置于所述发射区中；
柱，设置于发射相同颜色光的相邻所述单元像素区的发射区之间，所述柱比所述像素电极进一步向上凸出；
发射层，设置于所述像素电极上；和
相对电极，设置于所述发射层上。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述柱具有小于每个所述单元像素区的宽度的宽度。
3.如权利要求2所述的装置，其中所述柱的宽度等于或小于所述发射区的宽度。
4.如权利要求1所述的装置，其中所述柱具有等于或小于发射相同颜色光的相邻的单元像素区的所述发射区之间的距离的长度。
5.如权利要求1所述的装置，其中所述柱具有约1μm或更大的高度。
6.如权利要求5所述的装置，其中所述柱的高度是约1μm至约5μm。
7.如权利要求1所述的装置，其中所述柱由从丙烯酸基有机材料、聚酰亚胺基有机材料和聚酚基有机材料构成的组中选择的材料形成。
8.如权利要求1所述的装置，其中所述发射区由所述像素电极界定。
9.如权利要求1所述的装置，还包括像素界定层，其设置于所述像素电极上且具有暴露部分所述像素电极的开口，
其中所述发射区由所述开口界定。
10.如权利要求9所述的装置，其中所述柱设置于所述像素界定层上。
11.如权利要求1所述的装置，其中所述发射层利用精细金属掩模形成。
12.如权利要求1所述的装置，其中所述单元像素区包括红单元像素区、绿单元像素区和蓝单元像素区。
13.如权利要求1所述的装置，其中所述单元像素区以条状排列于所述衬底上。
14.如权利要求1所述的装置，还包括像素驱动电路，其设置于所述非发射区中且电连接于所述像素电极。
15.如权利要求14所述的装置，其中所述像素驱动电路包括薄膜晶体管。
16.一种有机发光显示装置，包括：
单元像素区，设置于衬底上，每个所述单元像素区包括发射区和非发射区；
像素电极，至少设置于所述发射区中；
柱，比所述像素电极进一步向上凸出，所述柱具有等于或小于发射相同颜色光的相邻单元像素区的发射区之间的距离的长度，且所述柱具有小于每个所述单元像素区的宽度的宽度；
发射层，设置于所述像素电极上；和
相对电极，设置于所述发射层上。
17.如权利要求16所述的装置，其中所述柱的宽度等于或小于所述发射区的宽度。
18.如权利要求16所述的装置，其中所述柱由从丙烯酸基有机材料、聚酰亚胺基有机材料和聚酚基有机材料构成的组中选择的材料形成。
19.如权利要求16所述的装置，其中所述发射区由所述像素电极界定。
20.如权利要求16所述的装置，还包括像素界定层，其设置于所述像素电极上且具有暴露部分所述像素电极的开口，
其中所述发射区由所述开口界定，且所述柱设置于所述像素界定层上。
21.如权利要求16所述的装置，其中所述发射层利用精细金属掩模形成。
22.如权利要求16所述的装置，其中所述单元像素区以条状排列于所述衬底上。
23.一种制造有机发光显示装置的方法，包括：
提供衬底，所述衬底包括单元像素区，每个所述单元像素区包括发射区和非发射区；
在所述衬底上在所述发射区中形成像素电极；
在发射相同颜色的光的相邻所述单元像素区的发射区之间形成柱；
将精细金属掩模紧密粘接于具有所述柱的衬底，所述精细金属掩模具有暴露发射相同颜色的光的所述相邻单元像素区的切口；和
在暴露的单元像素区上形成发射层。
24.如权利要求23所述的方法，其中形成所述柱以具有小于每个所述单元像素区的宽度的宽度和等于或小于发射相同颜色光的所述相邻单元像素区的发射区之间的距离的长度。
25.如权利要求23所述的方法，其中形成所述柱以具有等于或小于所述发射区的宽度的宽度。
26.如权利要求23所述的方法，其中形成所述像素电极的区域对应于所述发射区。
27.如权利要求23所述的方法，还包括在所述像素电极上形成像素界定层，所述像素界定层具有暴露部分所述像素电极的开口，
其中形成所述开口的区域对应于所述发射区，且所述柱形成于所述像素界定层上。
28.如权利要求27所述的方法，其中利用半色调掩模同时形成所述柱和具有所述开口的所述像素界定层。
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