CN1737883A - 平板显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种具有抗静电结构的平板显示器，该平板显示器包括：形成于绝缘衬底上的多个栅极线和数据线，所述衬底具有发射区和焊垫部分；最初耦合栅极线的抗静电线和耦合数据线的抗静电电路。在栅极线和邻近栅极线之间的抗静电线随后被开口切开用于切开抗静电线以电隔离各个栅极线。

Description

平板显示器及其制造方法
技术领域
本申请涉及平板显示器及其制造方法，以及尤其涉及具有抗静电结构的平板显示器及其制造方法。
背景技术
通常，阴极射线管(CRT)已经典型地用于电视机、测量仪表的监视器、信息终端等。然而，由于其重量和尺寸，CRT不可能满足体积小和重量轻的电子产品的需要。
具有体积小和重量轻特点的平板显示器作为CRT的替代品已经引起关注。平板显示器装置包括液晶显示器(LCD)、有机电致发光显示器(OLED)等。
通常平板显示器可以包括薄膜晶体管(TFT)衬底，该薄膜晶体管衬底具有TFT和红、绿和蓝电致发光元件。
这样的平板显示器典型地通过TFT阵列工艺制造，阵列工艺包括：形成用于施加像素信号的TFT；形成实现颜色的红、绿和蓝电致发光元件；和用来形成单位平板显示器单元的切割。
单元切割工艺可以包括在形成电致发光元件后在TFT衬底上形成切割线的划线工艺，和用来通过施加压力沿切割线切割TFT衬底的断开工艺。
制造平板显示器的工艺主要可以在诸如玻璃衬底的绝缘衬底上进行。由于当衬底是绝缘体时，瞬时产生的电荷不能沿衬底电放电，所以玻璃衬底可以对静电非常敏感。因此，静电可以损伤绝缘层、TFT或在绝缘衬底上形成的电致发光元件。
静电可以有很高的电压和很低的电荷来局部恶化衬底。另外，在切割衬底的单元切割工艺中可以大量地产生静电，而且大部分通过栅极线和数据线的焊垫部分引入，其中静电可以恶化TFT沟道。
图1是显示传统有机电致发光显示器的TFT衬底的平面示意图。
参考图1，栅极线110和数据线120在绝缘衬底上彼此垂直形成。开关TFT和驱动TFT(未示出)可以形成于像素区中，像素区由交叉的栅极线和数据线110、120界定。
抗静电线130，可以称为短路棒，连接多个栅极线110和数据线120，可以形成在衬底的边缘，即，在栅极线110和数据线120的末端。抗静电线130可以彼此电连接。
因此，栅极线110和数据线120可以一体地相互连接，并且当从栅极线110或数据线120产生静电时，它可以通过抗静电线130电性放电。
随平板显示器变得更大，它们的衬底面积也增加了。因此，该更大的衬底面积可以产生具有相对大的电荷的静电。当产生如上所述的大电荷时，即使具有抗静电线，静电可以被引入TFT的沟道。
发明内容
本发明提供了具有抗静电结构的平板显示器及其制造方法，该平板显示器可以具有更有效的抗静电功能。
本发明的其他特征将结合下面的描述阐述，并且部分从描述中会很明显，或者可以通过实施本发明获知。
本发明公开了一种平板显示器，该显示器包括：多个栅极线和数据线，形成于衬底上；抗静电线，最初耦合栅极线；和抗静电电路，耦合数据线。在栅极线和邻近栅极线之间的抗静电线随后通过一开口切开。
本发明还公开了制造平板显示器的方法，该方法包括：在第一绝缘层上形成栅极电极和抗静电线；形成第二绝缘层，第二绝缘层具有暴露部分抗静电线的开口；和形成导电层。当构图导电层以形成源极和漏极电极时，通过开口暴露的抗静电线部分被除去。
可以理解前述的一般描述和以下的详细描述都是示范性的和说明性的，并且旨在提供如权利要求的本发明的进一步的解释。
附图说明
附图被包括来进一步理解本发明，并且附图被引入并称为本说明书的一部分，附图说明了本发明的实施例并和描述一起用于解释本发明的原理。
图1是显示传统有机电致发光显示器的TFT衬底的平面示意图。
图2是显示根据本发明的实施例的具有抗静电结构的平板显示器的TFT衬底的平面示意图。
图3是图2中的各个栅极线之间的抗静电线的放大图。
图4A、图4B、图4C、图4D和图4E是显示根据本发明的示范性实施例的提供有抗静电结构的平板显示器的制造工艺的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述本发明的示范性实施例。
图2是显示根据本发明的示范性实施例的提供有抗静电结构的平板显示器的TFT衬底的平面示意图。
参考图2，多个栅极线210和多个数据线220可以形成于发射区中并延伸到它的外围。栅极线210可以在第一方向彼此平行形成，而数据线220可以在第二方向彼此平行形成，第二方向基本垂直于第一方向。
另外，数据线220可以耦合于发射区外围的抗静电电路240。抗静电电路240可以防止制造平板显示器的工艺期间产生静电。
虽然未示出，开关TFT和驱动TFT可以形成于像素区中，该像素区由栅极线210和数据线220界定。
抗静电线230可以在发射区的外围将栅极线210的末端彼此耦合，即，在发射区和焊垫部分之间的区域，从而防止抗静电电路形成前的工艺期间产生静电。
在一栅极线210和邻近的栅极线210之间的抗静电线230可以通过至少一点切开。
图3是图2中的各个栅极线之间的抗静电线的放大图。
参考图3，抗静电线320可以形成于一栅极线310和邻近的栅极线310之间。抗静电线320可以形成至少两个平行线，并且通过开口330的方式通过至少一点切开抗静电线320。用于切开抗静电线的开口330可以比抗静电线320宽。
当形成抗静电电路时，抗静电线320可以被切开，因此将栅极线310彼此电隔离。
如上所述，即使切开抗静电线320，抗静电电路240也可以防止制造平板显示器工艺期间产生静电。
图4A、图4B、图4C、图4D和图4E是显示根据本发明的示范性实施例的具有抗静电结构的平板显示器的制造工艺的截面图。
参考图4A，缓冲层410(扩散势垒)可以防止诸如来自绝缘衬底400的金属离子的杂质扩散和渗透有源层(多晶硅)，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、溅射等方法在绝缘衬底400上沉积该缓冲层。
形成缓冲层410后，可以通过PECVD、LPCVD、溅射等方法在缓冲层410上沉积非晶硅。然后可以在真空炉中执行脱氢工艺。但是，当通过LPCVD或溅射沉积非晶硅时，可以不进行脱氢工艺。
可以通过向非晶硅辐射高能量结晶非晶硅从而形成多晶硅(poly-Si)层。可以通过准分子激光器退火(ELA)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)、连续横向固化(SLS)或固相结晶(SPC)进行结晶工艺。
形成poly-Si层后，可以构图该层以形成有源层420。
接着，可以在有源层420上沉积栅极绝缘层430，可以在栅绝缘层430上沉积导电金属层并且构图该金属层以形成栅极电极441。栅极电极441可以由至少一层导电层制成。例如，栅极电极441可以由MoW/AlNd双导电层形成。
可以当形成栅极电极441时形成抗静电线445，并且抗静电线445可以由和栅极电极441相同的材料制成。抗静电线445可以防止平板显示器制造的工艺期间产生静电。
接着，利用栅极电极441作为掩模可以在有源层420上掺杂有预定导电率的杂质以形成源极和漏极区421和425。源极和漏极区421和425之间的有源层区作为TFT的沟道区域423。
参考图4B，形成栅极电极441和抗静电线445之后，可以在绝缘衬底400的整个表面上形成层间绝缘层450并且构图层间绝缘层450来形成接触孔451和455，接触孔451和455暴露部分的源极和漏极区421和425。
当形成接触孔451和455时也可以形成暴露抗静电线445的开口457。另外，当栅极电极441和抗静电线445由至少两层导电层制成时，可以蚀刻抗静电线445的上部的至少一层导电层。例如，当栅极电极441和抗静电线445由MoW/AlNd的双层导电层制成时，可以通过当形成开口457时过度蚀刻除去MoW导电层。
开口457可以和抗静电线445一样宽，或比抗静电线445宽。
开口457允许形成源极和漏极电极461和465期间除去抗静电线445，从而电隔离各个栅极线。
参考图4C，形成开口457与接触孔451和455之后，可以在绝缘衬底400的整个表面上沉积导电材料以形成导电材料层460。
参考图4D，然后可以蚀刻导电材料层460以形成源极和漏极电极461和465。
另外，当形成源极和漏极电极461和465时，可以被完全蚀刻和除去抗静电线445。
参考图4E，然后可以在绝缘衬底400的整个表面上形成钝化层470，且蚀刻钝化层470以形成通孔475，该通孔475暴露部分源极电极461或漏极电极465。图4E显示暴露部分漏极电极465的通孔475。
接着，可以在钝化层470上形成下电极480并通过通孔47下电极480耦合于漏极电极465。
虽然未示出，在下文中，可以执行制造传统的平板显示器的工艺来形成平板显示器。
如上所述，本发明提供了抗静电电路和抗静电线，其具有一种结构，该结构允许制造平板显示器的工艺期间栅极线通过切开被电隔离，而不需要除去抗静电线的单独步骤，因此执行更有效的抗静电功能。
本发明提供了一种具有抗静电结构的平板显示器及其制造方法，通过包含具有自切开结构的抗静电线和抗静电电路，执行更有效的抗静电功能，特别在大平板显示器中。
在不脱离本发明精神和范围的情况下，对本发明所作的各种变形和修改对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，本发明旨在覆盖本发明变形和修改，如果这些变形和修改落在所附的权利要求和它们的等价物范围内。
本申请要求2004年3月9日提交的韩国专利申请NO.10-2004-0015940的优先权和权益，其全部内容引入作为参考。

Claims (13)

1.一种平板显示器，包括；
多个栅极线和多个数据线，形成于衬底上；
抗静电线，最初耦合所述栅极线；和
抗静电电路，耦合所述数据线，
其中随后通过开口切开在所述栅极线和邻近栅极线之间的所述抗静电线。
2.如权利要求1所述的平板显示器，其中所述抗静电线形成于发射区和焊垫部分之间的衬底区域。
3.如权利要求1所述的平板显示器，其中所述抗静电线包括至少两条彼此平行的线。
4.如权利要求1所述的平板显示器，其中所述开口比所述抗静电线宽。
5.如权利要求1所述的平板显示器，其中至少两个开口切开所述栅极线和邻近栅极线之间的抗静电线。
6.一种制造平板显示器的方法，包括：
在第一绝缘层上形成栅极电极和抗静电线；
形成第二绝缘层，所述第二绝缘层具有暴露部分抗静电线的开口；
形成导电层；和
构图导电层以形成源极电极和漏极电极，同时除去通过所述开口暴露的部分抗静电线。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述栅极电极和抗静电线由双导电层制成。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述双导电层包括MoW层和AlNd层。
9.如权利要求8所述的方法，
其中在AlNd层上形成MoW层；和
其中除去MoW层同时形成所述开口。
10.如权利要求6所述的方法，其中所述开口比所述抗静电线宽。
11.如权利要求10所述的方法，其中当构图导电层时，除去所有通过所述开口暴露的抗静电线。
12.如权利要求6所述的方法，还包括在所述第二绝缘层上形成导电层。
13.如权利要求12所述的方法，还包括：
在衬底的发射区中形成有源层，所述衬底具有所述发射区和焊垫部分；
在所述有源层中形成源极和漏极区；和
在所述第二绝缘层中分别形成第一接触孔和第二接触孔，暴露部分所述源极区和漏极区。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104269413A (zh) * 2014-09-22 2015-01-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示装置
CN105093739A (zh) * 2015-07-30 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板及其防静电的阵列基板
WO2019047574A1 (zh) * 2017-09-05 2019-03-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN110610902A (zh) * 2019-09-25 2019-12-24 昆山国显光电有限公司 屏体制作方法和显示装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100729046B1 (ko) * 2005-12-09 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치의 정전기 방지 구조 및 그 제조 방법
KR101238005B1 (ko) * 2006-05-17 2013-03-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR100833768B1 (ko) * 2007-01-15 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 화소 장치 및 그 제조 방법
KR100788589B1 (ko) 2007-01-19 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
US20130154478A1 (en) * 2010-08-25 2013-06-20 Sharp Kabushiki Kaisha Organic light emitting device and antistatic method for the same
JP2013250319A (ja) * 2012-05-30 2013-12-12 Sharp Corp アクティブマトリクス基板、製造方法、及び表示装置
KR102201530B1 (ko) * 2014-07-31 2021-01-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104900633B (zh) * 2015-03-30 2018-04-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置
KR102594084B1 (ko) * 2016-06-16 2023-10-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR102476562B1 (ko) * 2017-12-27 2022-12-09 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
CN113360020B (zh) * 2021-06-01 2024-03-26 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0823632B2 (ja) * 1989-01-19 1996-03-06 三菱電機株式会社 表示装置の製造方法
NL194873C (nl) * 1992-08-13 2003-05-06 Oki Electric Ind Co Ltd Dunnefilmtransistorenreeks en daarvan gebruikmakende vloeibare kristalweergeefinrichting.
JP3642876B2 (ja) 1995-08-04 2005-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマを用いる半導体装置の作製方法及びプラズマを用いて作製された半導体装置
JP3133676B2 (ja) * 1996-06-25 2001-02-13 松下電器産業株式会社 液晶表示装置
KR100239779B1 (ko) * 1996-12-04 2000-01-15 구본준 액정표시장치
WO1998031050A1 (en) * 1997-01-13 1998-07-16 Image Quest Technologies, Inc. Improved active matrix esd protection and testing scheme
JPH10288950A (ja) 1997-04-14 1998-10-27 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
JP3395598B2 (ja) * 1997-09-25 2003-04-14 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法および液晶表示パネル
KR100281058B1 (ko) * 1997-11-05 2001-02-01 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치
JP3335895B2 (ja) * 1997-12-26 2002-10-21 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3631364B2 (ja) * 1998-02-10 2005-03-23 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 液晶表示装置
JP2002040481A (ja) * 2000-07-24 2002-02-06 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 表示装置、その製造方法、及び配線基板
JP3743273B2 (ja) * 2000-09-27 2006-02-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
US6930732B2 (en) * 2000-10-11 2005-08-16 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Array substrate for a liquid crystal display
JP4718677B2 (ja) * 2000-12-06 2011-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
KR100471396B1 (ko) 2001-05-17 2005-02-21 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법
JP2003069028A (ja) * 2001-08-27 2003-03-07 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
JP2003156764A (ja) * 2001-11-20 2003-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法およびそれを備える液晶表示装置
KR100828513B1 (ko) * 2002-07-05 2008-05-13 삼성전자주식회사 유기전계발광 패널과 이를 갖는 유기전계발광 장치
TW594337B (en) * 2003-02-14 2004-06-21 Quanta Display Inc Method of forming a liquid crystal display panel
KR100955772B1 (ko) * 2003-06-20 2010-04-30 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
TWI229440B (en) * 2003-10-09 2005-03-11 Au Optronics Corp Electrostatic discharge protection structure

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104269413A (zh) * 2014-09-22 2015-01-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示装置
US9684217B2 (en) 2014-09-22 2017-06-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, method for manufacturing the same and liquid crystal display device
CN105093739A (zh) * 2015-07-30 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板及其防静电的阵列基板
WO2019047574A1 (zh) * 2017-09-05 2019-03-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
US11237441B2 (en) 2017-09-05 2022-02-01 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof, display device
CN110610902A (zh) * 2019-09-25 2019-12-24 昆山国显光电有限公司 屏体制作方法和显示装置
CN110610902B (zh) * 2019-09-25 2021-12-14 昆山国显光电有限公司 屏体制作方法和显示装置

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