CN1697138A - 单晶片清洗装置及其清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种单晶片清洗方法及其清洗装置，在该方法和装置中，可以立即执行到冲洗处理的转换，而不受化学液体成分的影响，并且抑制了聚合物和化学液体的残留物，以减少衬底上的缺陷。根据本发明实施例的单晶片清洗方法是下述的单晶片清洗方法，该方法在旋转要被清洗的衬底30的同时，通过化学液体8和冲洗液体14执行清洗，并且在通过在要被清洗的衬底30的上部移动化学液体喷嘴10来执行化学液体处理之后，通过从冲洗喷嘴16喷射出冲洗液体14，在要被清洗的衬底30上执行冲洗处理，其中冲洗喷嘴16被固定放置在不干扰化学液体喷嘴10的移动的位置上。

Description

单晶片清洗装置及其清洗方法
技术领域
本发明涉及用于清洗衬底的单晶片清洗方法和用来实现该方法的单晶片清洗装置。
背景技术
随着LSI(大规模半导体集成电路)的小型化，例如元件的高速运行和功耗的减小也随之发展。当形成LSI的配线时，已经使用铜(Cu)作为配线(wiring)材料，另外，一种通常称为低k薄膜的低介电常数的材料已被研究用作配线之间的绝缘膜材料，以减小配线电阻并确保配线电容。另外近年来，低k薄膜的介电常数的减小也有所发展，并且促进了多孔材料的发展。
通常，当使用铜形成配线时，通过Damascene方法在低k薄膜中形成配线形凹槽，并且在阻挡金属层和铜电镀层被埋入配线形凹槽中之后，通过CMP(化学机械抛光)去除表面上的多余铜电镀层。
当形成配线凹槽时，在干法刻蚀工艺中产生了处理残留物(下文中称为聚合物)。执行清洗处理以去除聚合物。近年来，在清洗处理工艺中广泛地执行了单晶片清洗，并且执行聚合物的去除使得包含诸如有机溶剂或有机酸的添加剂的基于有机物的化学液体被用作剥离衬底上聚合物的化学液体，并且该化学液体被喷射在旋转的硅衬底上。随后，通常使用冲洗液体(包括纯水)来执行冲洗处理工艺，以去除残留在硅衬底上的化学液体成份，并且以旋转脱水方式来干燥衬底，然后将其送到下一个操作工艺。作为这一类的清洗装置，已提出了用于去除聚合物等的单晶片清洗装置，如在专利参考文献1中所描述的。
图1是现有技术中典型单晶片清洗装置的示意性剖面图，图2是其有关部件的俯视图。在腔131中，单晶片清洗装置101包括夹持要被清洗的衬底(具体而言在本示例中是作为硅半导体衬底130的要被清洗衬底)的衬底夹持装置105、具有喷射化学液体108的化学液体喷嘴的化学液体供应装置112、和具有喷射冲洗液体114的冲洗喷嘴的冲洗液体供应装置118。衬底夹持装置105被配置具有通过真空吸附夹持半导体衬底130的真空卡盘106，并且被配置为通过马达107进行旋转操作。化学液体供应装置112被配置具有在臂111的末端提供的化学液体喷嘴110，其中臂111可通过马达113在与半导体衬底平面平行的平面内转动。冲洗液体供应装置118被放置在跨过半导体衬底130与化学液体供应装置112相对的位置处，并且被配置具有在臂117的末端上提供的冲洗喷嘴116，其中臂117可通过马达119在与半导体衬底平面平行的平面中转动。
如图2所示，臂111使得化学液体喷嘴110沿图中虚线所示的轨迹“a”移动，其中臂111在半导体衬底130的中心部位和半导体衬底130外部的待命位置之间转动。类似于化学液体喷嘴110，臂117使得冲洗液体喷嘴116沿图2中实线所示的轨迹“b”移动，其中臂117在半导体衬底130的中心部位和半导体衬底130外部的待命位置之间转动。另外，冲洗喷嘴116与臂117在垂直方向上是可移动的，从而不会与化学液体喷嘴110相互干扰。
在衬底夹持装置105中放置有杯120，以在清洗时接收化学液体和冲洗液体的排流物，并且该排流物可从排流出口121经由排流阀122排到排水124。腔131具有用于半导体衬底130的放入/取出入口102，该入口102能够开启和关闭。化学液体108经由化学液体阀109被提供给化学液体喷嘴110。冲洗液体114经由冲洗液体阀115被提供给冲洗喷嘴116。
当使用该单晶片清洗装置101清洗半导体衬底130时，对其施加清洗处理的要被清洗的衬底130从放入/取出入口102被放入到腔131中，并且衬底130被衬底夹持装置105的真空卡盘106夹持。在通过马达107旋转半导体衬底130的状态中，化学液体供应装置112的臂111转动，使得化学液体喷嘴110从待命位置移动到半导体衬底130的中心部位，并且从化学液体喷嘴110喷射出化学液体108，以剥离半导体衬底130上的聚合物。随后，臂111移动使得化学液体喷嘴110返回到待命位置。然后，冲洗液体供应装置118的臂117转动，使得冲洗喷嘴116从待命位置移动到半导体衬底130的中心部位，另外，臂117还下降使得冲洗喷嘴116移动到半导体衬底130上部的期望位置。在该位置上，从冲洗喷嘴116喷射出例如是纯水的冲洗液体114到半导体衬底130上以执行冲洗处理。在冲洗处理完成后，臂117升高，并且转动使得冲洗喷嘴116返回到待命位置。从而，半导体衬底130的清洗完成。
[专利参考文献1]已公开的日本专利申请No.2003-234341
然而，当从化学液体处理工艺切换到冲洗液体处理工艺时，在完成化学液体的喷射后，到化学液体喷嘴110从半导体衬底130的中心部位到达待命位置之前，需要花费四秒，并且在冲洗喷嘴116从待命位置到达半导体衬底130的中心部位之前，还要花费四秒，这意味着在完成化学液体108的喷射后，到开始冲洗液体114的喷射之前，一共需要八秒的待命状态时间。由于存在转换时间的限制以避免各个喷嘴110和116之间的相互干扰，因此作为化学液体成份的诸如有机溶剂和有机酸之类的添加剂会在处理的转换期间蒸发，因而，干法刻蚀时的聚合物仍残留在半导体衬底130上，而没有被去除。另外，当从化学液体处理到冲洗处理的转换时间较长时，化学液体108会在半导体衬底130上干燥，从而即使在冲洗处理工艺中也难以去除化学液体成份，这引起了化学液体残留物的生成。由于这些问题，可能对形成在半导体衬底上的半导体元件的特性有不利的影响，并且可能降低产率。
发明内容
本发明解决了与传统方法和装置相关联的以上和其他的问题，并且提供了一种单晶片清洗方法及其清洗装置，在该方法和装置中，可以快速执行到冲洗处理的转换，而不受化学液体成份的影响，从而抑制了聚合物和化学液体的残留物，以减少衬底上产生的缺陷。
根据本发明实施例的单晶片清洗方法是下述的单晶片清洗方法，其中在旋转要被清洗的衬底的同时，通过化学液体和冲洗液体来清洗该衬底，该方法包括以下步骤：通过在要被清洗的衬底的上部移动化学液体喷嘴，执行化学液体处理，随后通过从冲洗喷嘴喷射出冲洗液体，对要被清洗的衬底执行冲洗处理，其中冲洗喷嘴被固定地放置在不干扰化学液体喷嘴的移动的位置上。
优选地提供了多个上述冲洗喷嘴，并且执行冲洗处理使得来自多个冲洗喷嘴中的至少一个冲洗喷嘴的冲洗液体被喷射到要被清洗的衬底的中心部位，并且来自其他冲洗喷嘴的冲洗液体被喷射到要被清洗的衬底径向方向上的中间部位。另外优选地，在对要被清洗的衬底执行化学液体处理后到切换到冲洗处理前的时间T为0.5秒≤T≤1.5秒。此外优选地，从冲洗喷嘴喷射出的冲洗液体的喷射流速率M为400毫升/分≤M≤1000毫升/分。优选地，要被清洗的衬底的旋转速度N为150rpm≤N≤1000rpm。优选地，纯水或2-丙醇被用作冲洗液体。
根据本发明实施例的单晶片清洗装置是下述的单晶片清洗装置，其中在旋转要被清洗的衬底的同时，通过化学液体和冲洗液体来清洗该衬底，该装置包括夹持并旋转要被清洗的衬底的衬底夹持装置；在要被清洗的衬底的上部的中心部位和待命位置之间移动的化学液体喷嘴；以及固定地放置在不干扰化学液体喷嘴的移动的位置上的冲洗喷嘴。
优选地提供了多个上述冲洗喷嘴，多个冲洗喷嘴中的至少一个冲洗液体喷嘴被朝向要被清洗的衬底的中心部位放置，并且其他冲洗喷嘴被朝向要被清洗的衬底径向方向上的中间部位放置。另外优选地，在对要被清洗的衬底执行化学液体处理后到切换到冲洗处理前的时间T为0.5秒≤T≤1.5秒。优选地，从冲洗喷嘴喷射出的冲洗液体的喷射流速率M为400毫升/分≤M≤1000毫升/分。优选地，要被清洗的衬底的旋转速度N为150rpm≤N≤1000rpm。优选地，纯水或2-丙醇被用作冲洗液体。
在根据本发明实施例的单晶片清洗方法中，因为在通过在要被清洗的衬底上部移动化学液体喷嘴而执行化学液体处理之后，通过从冲洗喷嘴喷射出冲洗液体而对要被清洗的衬底执行冲洗处理(其中冲洗喷嘴固定地放置在不干扰化学液体喷嘴的移动的位置上)，所以可以缩短在完成化学液体的喷射后到开始冲洗液体的喷射前的一段时间。因此，可以抑制化学液体成份的挥发，并且可以去除要被清洗的衬底上的有机残留物。另外，因为缩短了转换时间，所以可以防止由于化学液体残留引起的缺陷扩散。
在根据本发明实施例的单晶片清洗装置中，因为冲洗喷嘴固定地位于不干扰化学液体喷嘴的移动的位置上，所以可以缩短在完成化学液体的喷射后到开始冲洗液体的喷射前的时间段。随着从化学液体处理到冲洗处理的转换时间的减小，可以抑制化学液体成份的挥发，并且可以有利地去除要被清洗的衬底上的有机残留物，另外，可以防止由于化学液体残留引起的缺陷扩散。
根据本发明的单晶片清洗方法的实施例，因为可以可靠地执行要被清洗的衬底的清洗，所以可以提高衬底清洗的产率，并进一步提高使用该衬底制造的产品的产率。此外，可以提高衬底清洗的可靠性。
提供了多个冲洗喷嘴，来自至少一个冲洗喷嘴的冲洗液体朝着要被清洗的衬底的中心部位喷射，并且来自其他冲洗喷嘴的冲洗液体朝着要被清洗的衬底径向方向上的中间部位喷射，从而使得可以在要被清洗的衬底的整个表面上均匀地提供冲洗液体。
在对要被清洗的衬底执行化学液体处理后到切换到冲洗处理前的时间T为0.5秒到1.5秒，从而极大地减少了转换时间，并且可以有利地执行清洗。
从冲洗喷嘴喷射出的冲洗液体的喷射流速率M为400毫升/分到1000毫升/分，从而可以减少有机残留物的数目(缺陷数)。
要被清洗的衬底的旋转速度N为150rpm到1000rpm，从而可以减少有机残留物的数目(缺陷数)。
纯水或2-丙醇被用作冲洗液体，从而可以有利地执行冲洗处理。
根据本发明的单晶片清洗装置实施例，可以可靠地执行要被清洗的衬底的清洗处理。因而，可以提高衬底清洗的产率和可靠性。
提供了多个冲洗喷嘴，至少一个冲洗喷嘴被朝向要被清洗的衬底的中心部位放置，并且其他冲洗喷嘴被朝向要被清洗的衬底径向方向上的中间部位放置，从而可以在要被清洗的衬底的整个表面上均匀地提供冲洗液体，并且可以有利地执行冲洗处理。
在对要被清洗的衬底执行化学液体处理后到切换到冲洗处理前的时间T被设为0.5秒到1.5秒，从而极大地减少了转换时间，并且可以有利地执行清洗。
从冲洗喷嘴喷射出的冲洗液体的喷射流速率M被设为400毫升/分到1000毫升/分，从而可以减少有机残留物的数目(缺陷数)。
要被清洗的衬底的旋转速度N被设为150rpm到1000rpm，从而可以减少有机残留物的数目(缺陷数)。
纯水或2-丙醇被用作冲洗液体，从而可以有利地执行冲洗处理。
附图说明
图1的构造图示出了现有技术的单晶片清洗装置；
图2是示出了图1有关部件的俯视图；
图3的构造图示出了根据本发明实施例的单晶片清洗装置；
图4A是示出了图3有关部件的俯视图，图4B是图4A的侧视图；
图5的图形比较了当使用现有技术的冲洗喷嘴时的缺陷数与当使用根据本发明实施例的单晶片清洗装置的冲洗喷嘴时的缺陷数；
图6的图形示出了从化学液体喷射结束到冲洗液体喷射开始的转换时间与缺陷数之间的关系；
图7的图形示出了在根据本发明实施例的单晶片清洗装置中冲洗液体的喷射流速率与缺陷数之间的关系；以及
图8的图形示出了在根据本发明实施例的单晶片清洗装置中衬底旋转速度与缺陷数之间的关系。
具体实施方式
下文中参考附图解释了本发明的实施例。
图3的示意性构造图示出了根据本发明的单晶片清洗装置的实施例。图4A是图3有关部件的俯视图，图4B是图3有关部件的侧视图。
在腔31中，提供有夹持要被清洗的衬底(即在本实施例中是硅半导体衬底30的要被清洗衬底)的衬底夹持设备5、具有喷射化学液体8的化学液体喷嘴的化学液体供应设备12、和具有喷射冲洗液体14的冲洗喷嘴16的冲洗供应设备18。衬底夹持设备5包括通过真空吸附夹持半导体衬底30的真空卡盘6，并且通过马达7进行旋转操作。化学液体供应设备12包括在臂11的末端提供的化学液体喷嘴10，其中，臂11可通过马达13在与半导体衬底平面平行的平面中转动。如图4A所示，臂11使得化学液体喷嘴10沿图中虚线所示的轨迹“a”移动，其中臂11在半导体衬底30的中心部位和半导体衬底30外部的待命位置之间转动(参考图4A)。
冲洗液体供应设备18具有多个(在本实施例中是两个)冲洗喷嘴16[16A、16B]。这两个冲洗喷嘴16[16A、16B]被固定地放置在不干扰化学液体喷嘴10的移动的位置上，具体地说，放置在要被清洗的半导体衬底30外侧的位置上。两个冲洗喷嘴16其中之一的冲洗喷嘴16A被朝向半导体衬底30的中心部位放置，而另一个的冲洗喷嘴16B被朝向半导体衬底30径向方向上的中间部位放置(参考图4A)。例如，冲洗喷嘴16B可被朝向径向方向上的接近1/2的中间部位放置。当清洗8英寸和10英寸的半导体衬底时，冲洗喷嘴16B可被朝向在径向方向上距离衬底中心120mm到170mm的位置放置。另外，放置两个冲洗喷嘴16[16A、16B]使得对半导体衬底30的喷射角θ1可以是大于等于30°并小于等于50°(参考图4B)。此外，取决于冲洗处理的效率，可以提供多于两个冲洗喷嘴16。而且，也可以只放置一个冲洗喷嘴。
在衬底夹持设备5中放置有杯20，以在清洗时接收化学液体和冲洗液体的排流物，并且该排流物可从排流出口21经由排流阀22排到排水24。腔31具有半导体衬底30的放入/取出入口2，该入口2能够开启和关闭。化学液体8经由化学液体阀9被提供给化学液体喷嘴10。冲洗液体14经由冲洗液体阀15被提供给冲洗喷嘴16[16A、16B]。
下面对使用根据上述实施例的单晶片清洗装置1来清洗衬底的清洗方法进行解释。在本示例中，上述方法被应用到清洗这样的半导体衬底30中，所述半导体衬底30在硅衬底上形成配线图、执行干法刻蚀处理然后剥离并去除抗蚀掩模之后，在衬底上生成有处理残留物(聚合物)。
首先，粘附有聚合物、残留物等的衬底30从放入/取出入口2被放入到腔31中，并且执行真空吸附以在衬底夹持设备5的真空卡盘6上夹持衬底。驱动马达13以使臂11从待命位置转动，并使得化学液体喷嘴10移动到衬底30上部的中心部位。
随后，在通过马达7旋转衬底30的同时，从化学液体喷嘴10喷射出化学液体8以去除半导体衬底30上的聚合物残留物。例如，包含诸如有机溶剂或有机酸的添加剂的基于有机物的化学液体被用作化学液体。
然后，结束使用化学液体8的清洗处理。在完成该处理后，在化学液体喷嘴11开始通过臂11转动到待命位置的同时，通过从冲洗喷嘴16[16A、16B]喷射冲洗液体14到旋转的衬底30上，来执行冲洗处理。来自一个冲洗喷嘴16A的冲洗液体被提供到衬底30的中心部位，来自另一个冲洗喷嘴16B的冲洗液体被提供到衬底30径向方向上的中间部位。这种情况下，执行转换使得在完成从化学液体喷嘴10喷射化学液体8后到开始从冲洗喷嘴16喷射冲洗液体14之前的时间T缩短为0.5秒到1.5秒。将该冲洗液体14的喷射流速率M设为400毫升/分到1000毫升/分的流速率。其原因在后面描述。从冲洗喷嘴16[16A、16B]均匀地喷射出冲洗液体。此外，冲洗处理时衬底30的旋转速度N被设为150rpm到1000rpm。纯水(冷水、温水等)被用作冲洗液体14。另外，上述化学液体处理时衬底30的旋转速度也被设为150rpm到1000rpm。
根据使用该实施例的单晶片清洗装置的衬底清洗方法，由于通过将冲洗喷嘴16A和16B固定地放置在衬底30外侧的位置处，消除了由化学液体喷嘴10和冲洗喷嘴16的移动带来的喷嘴的相互干扰，因此可以缩短从化学液体处理到冲洗处理的转换时间。具体地说，转换时间T可被缩短为0.5秒到1.5秒。因此，可以防止化学液体残留物的干燥，并且可以减少衬底上的缺陷(聚合物残留物)。另外，在冲洗液体的流速率、衬底的旋转速度和冲洗液体都为最优条件时，可以进一步减少缺陷数目。可以有效地清洗并去除粘附到衬底的聚合物和化学液体残留物。
当清洗8英寸和10英寸的半导体衬底时，冲洗喷嘴16B被朝向在径向方向上距离衬底中心120mm到170mm的位置放置，并且两个冲洗喷嘴16[16A、16B]被放置使得对半导体衬底30的喷射角θ1为大于等于30°并小于等于50°；当超过该范围时，很难保证在衬底上进行冲洗的冲洗液体的展开，并且冲洗处理的效率恶化。
随后，参考图5到图8解释根据本实施例的清洗方法和缺陷数的减少之间的关系。下文中垂直轴显示相对数。
图5示出了在使用现有技术的清洗装置101清洗之后、表示为“无喷嘴”的缺陷数和在使用根据本实施例的清洗装置1清洗之后、表示为“有喷嘴”的缺陷数之间的关系。
尽管在现有技术的清洗方法的情况下缺陷数较多，但是在使用根据本实施例的单晶片清洗装置的清洗方法的情况下，可以减少缺陷数。
图6示出了从化学液体喷射结束到冲洗液体喷射开始的转换时间和缺陷数之间的关系。
在根据本实施例的单晶片清洗装置1中，当从化学液体喷射结束到冲洗液体喷射开始的转换时间位于0.5秒和1.5秒之间时，缺陷数最少。当转换时间超过1.5秒时，缺陷数增加。当转换时间短于0.5秒时，很难在完成化学液体的喷射后，开始冲洗液体的喷射。当从化学液体喷射结束到冲洗液体喷射开始的转换时间大于等于0.5秒并小于等于1.5秒时，衬底上的化学液体残留物不会干燥，并且可以改进清洗的效果。可以减少衬底上的缺陷数，并且可以获得产率的提高。
图7示出了在根据本发明的单晶片清洗装置中冲洗液体的喷射流速率与缺陷数之间的关系。
当从根据本实施例的单晶片清洗装置1的冲洗喷嘴16[16A、16B]均匀地喷射出的冲洗液体的喷射流速率在400毫升/分到1000毫升/分的范围内时，可以将缺陷数减到最小。当冲洗液体的喷射流速率小于400毫升/分时，缺陷数增加。当喷射流速率大于1000毫升/分时，由于耗费大量的冲洗液体而造成原料成本的增加。冲洗处理的处理时间可取地被设为60秒到90秒，以可靠地完成清洗。
图8示出了在根据本实施例的单晶片清洗装置中衬底的旋转速度与缺陷数之间的关系。
在根据本实施例的单晶片清洗装置1中，衬底30由衬底夹持设备的真空卡盘夹持，并且由旋转设备的马达7旋转。衬底30从开始从化学液体喷嘴10喷射出化学液体时起连续地旋转，直到从冲洗喷嘴16喷射冲洗液体结束。
当衬底的旋转速度在150rpm到1000rpm的范围内时，可以最大减少缺陷数。具体地说，可以可靠地执行冲洗处理。当衬底的旋转速度小于150rpm时，缺陷数增加。而且，当衬底的旋转速度快于1000rpm时，缺陷数的增加变得明显。
应当注意，冲洗液体并不限于纯水，例如当使用2-丙醇(IPA)然后使用纯水执行冲洗处理时，可获得类似的效果。
如上所述，通过使用根据本实施例的单晶片清洗方法及其清洗装置，可以有效清洗并去除在对衬底进行干法刻蚀时作为处理残留物的聚合物。因此，例如当本发明被应用到清洗半导体衬底以生产半导体器件时，可以可靠地执行对其的清洗，并且可以提高清洗的产率。结果，可以提高作为最终制造产品的半导体器件的生产产量，并且还可以提高其可靠性。
在上述实施例中，本发明的清洗方法被应用到半导体衬底的清洗中，然而，该清洗方法也可应用于清洗液晶显示设备的玻璃衬底、光刻掩模的玻璃衬底和光盘的衬底等。
本领域的技术人员应当理解，可以根据设计需求和其他因素进行各种修改、组合、次级组合和变更，只要它们在权利要求和其等同物的范围内。

Claims (12)

1.一种单晶片清洗方法，其中在要被清洗的衬底旋转的同时，通过化学液体和冲洗液体清洗所述要被清洗的衬底，所述方法包括以下步骤：
通过在所述要被清洗的衬底的上部移动化学液体喷嘴，执行化学液体处理；以及
随后通过从冲洗喷嘴喷射出冲洗液体，对所述要被清洗的衬底执行冲洗处理，其中所述冲洗喷嘴被固定地放置在不干扰所述化学液体喷嘴的移动的位置上。
2.如权利要求1所述的单晶片清洗方法，
其中，提供了多个所述冲洗喷嘴，
来自所述多个冲洗喷嘴中的至少一个冲洗喷嘴的冲洗液体被喷射到所述要被清洗的衬底的中心部位，并且
来自其他冲洗喷嘴的冲洗液体被喷射到所述要被清洗的衬底径向方向上的中间部位。
3.如权利要求1所述的单晶片清洗方法，
其中，从所述要被清洗的衬底的化学液体处理到冲洗处理的转换时间T为0.5秒≤T≤1.5秒。
4.如权利要求1所述的单晶片清洗方法，
其中，从所述冲洗喷嘴喷射出的冲洗液体的喷射流速率M为400毫升/分≤M≤1000毫升/分。
5.如权利要求1所述的单晶片清洗方法，
其中，所述要被清洗的衬底的旋转速度N为150rpm≤N≤1000rpm。
6.如权利要求1所述的单晶片清洗方法，
其中，纯水或2-丙醇被用作所述冲洗液体。
7.一种单晶片清洗装置，其中在要被清洗的衬底旋转的同时，通过化学液体和冲洗液体清洗所述要被清洗的衬底，所述装置包括：
夹持并旋转所述要被清洗的衬底的衬底夹持装置；
在所述要被清洗的衬底的上部的中心部位和待命位置之间移动的化学液体喷嘴；以及
固定地放置在不干扰所述化学液体喷嘴的移动的位置上的冲洗喷嘴。
8.如权利要求7所述的单晶片清洗装置，
其中，提供了多个所述冲洗喷嘴；
所述多个冲洗喷嘴中的至少一个冲洗喷嘴被朝向所述要被清洗的衬底的中心部位放置；并且
其他冲洗喷嘴被朝向所述要被清洗的衬底径向方向上的中间部位放置。
9.如权利要求7所述的单晶片清洗装置，
其中，从所述要被清洗的衬底的化学液体处理到冲洗处理的转换时间T为0.5秒≤T≤1.5秒。
10.如权利要求7所述的单晶片清洗装置，
其中，从所述冲洗喷嘴喷射出的冲洗液体的喷射流速率M为400毫升/分≤M≤1000毫升/分。
11.如权利要求7所述的单晶片清洗装置，
其中，所述要被清洗的衬底的旋转速度N为150rpm≤N≤1000rpm。
12.如权利要求7所述的单晶片清洗装置，
其中，所述冲洗液体是纯水或2-丙醇。
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